JPS60260465A - 低温焼成セラミツクス - Google Patents

低温焼成セラミツクス

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JPS60260465A
JPS60260465A JP59110973A JP11097384A JPS60260465A JP S60260465 A JPS60260465 A JP S60260465A JP 59110973 A JP59110973 A JP 59110973A JP 11097384 A JP11097384 A JP 11097384A JP S60260465 A JPS60260465 A JP S60260465A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産　土のｌ用　野 本発明は、特に電子工業用部品に適し、モの他耐熱工業
部品、食器、厨房部品、装飾品などに用いられる低温焼
成はラミックスに関する。
従来の・技術 ］ンピュータや民生機器用の電子デバイス−の小型化指
向に伴ない、電子回路の高密度集積化のニーズは増′々
強くなっている。この場合、基板に要求される特性或い
は条件は、（イ）安価であること、（口〉軽いこと、（
ハ）機械的強度が大きいこと、（ニ）部品からの放熱を
良くするため高熱伝導性であること、（ホ）２次元的な
配線密度を高めるため、導体中１５０μｍ以下の配線が
可能なこと、（へ）３次元的に、配線密度を高めること
ができるよう多層化が可能なこと、（１・）インダクタ
ー、抵抗、キャパシター等の受動部品が多層化の際、基
板内部に内蔵できること、（チ）信号の応答速度を早め
るために配線問の静電容量を小さくする必要から、絶縁
層の銹電率かできるだけ小さいこと、（す）そのため、
Ａｐ、△（Ｊ　−Ｐｄ　、　ＣＬＩ　、Ａｕ等の低抵抗
導体材料が使用できること、（ヌ）半導体チップが基板
表面にダイし・クトに実装できるために、絶縁層の膨張
係数が小さいこと（Ｓｉの３，５ｘ　１ｏ−６に近いこ
と）、（ル）配線間の絶縁抵抗が高いこと、（オ）温度
、湿旧なと環境に対して強いこと等である。
従来、かかる目的のために有機多層基板やｊ？ルミ＋　
１ラミツク多Ｈｐ板が使われてぎたが、特定の特性は優
れているが、他の特性が劣るなと、何れの基板にも、バ
ランスのとれた特性を期待することが困難であった。
すなわら、有機多層基板は、両者に銅貼りをしたフェノ
ールあるいはエポキシ基板に回路を形成し、エポキシ樹
脂で貼り合せて多層化し、導体間のスルーホールは機械
的な穴あけ加工にＪ、って形成してつくられるが、つさ
゛のような問題点がある。すなわち（イ）ハンダ付けや
ハンダディップ等が繰返されると耐熱性が十分ないこと
、強度が小さいこと、熱膨張が大きいこと（５０ｘ　１
０−６程度）、のために基板にそりが生じたり、クラッ
クがイ１−じたりし、また高温で絶縁劣化を起し易い、
（ｒｌ　）熱伝導性が悪いため、発熱量の大きい抵抗＼
′）半導体ＩＣチップをＩＯる場合、索ｆ　／Ｊ＜ａ’
１容温度以−りにならないよう、素子床面積を大ぎくし
たり、放熱板をつｔノるなど、秒々の設計上の工夫が必
要である、（ハ）多層化をする場合、１５０μｍ以下の
細い′Ｓ体を形成さＱたり、２００μｍより小さいスル
ーホールを多数形成させること（ま非常に困カＣ・ある
、（−）熱あるい（ま湿度に対する信頼性が劣る、など
である。
また、アルミナレラミツク多層基板についてｔま、（イ
）　１６００〜１７００°Ｃの水素中、高温で焼成づる
ため、有償多層基板に比し非１；ｉに、「へ（曲である
、（［］）導体にＷまたはＭＯを使うため導通抵抗が大
きい、（ハ）比重か４１機１．４板（２，０ｇ、、／　
ｃｍ３）よりもかなり重い（３，８〜３．９ｇ、／ｃｍ
３）、〈二）銹電率が有機基板（３〜５　、　Ｉ　ＭＨ
ｚ　＞よりもかなり高いく９〜１０、Ｉ　Ｍ　Ｈｚ　）
、（ホ）熱膨張が有機基板よりもかなり小さいが、Ｓｌ
のそれに較べるとなお７、ＯＸ　１０−６　／　’Ｃ（
室温〜・２５０℃）とかなり大きい、などの問題点をも
っている。
そこで、低温焼成可能なガラス−セラミック体について
の提案もいくつかなされている。
その一つに結晶化ガラスを用いた低温焼成セラミックの
報色がある。例えば、Ｍ（Ｉ　Ｏ−Ａｌ　２０３−８ｉ
　Ｏｚに８２０３と核形成物質を加え、９００〜１００
０℃で焼成し、コージライト結晶を析出さゼ、高強度化
を計った低温焼成しラミックスやＬｉ　２０−Ａｌ　２
０３−３ｉ　０２にＢ２０３と核形成物質を加え、スボ
ジュメンを析出させ、同じく高強度化を計った低温焼成
セラミックが発表されている。
一般的には一セラミックを低温で焼成するためにはガラ
ス層を多く含ませる必要があるが、その場合１８００ｋ
ｇ／　ｃｍ’以上の高強度化を乳することが非常に国難
である。Ｍ！１Ｏ− Ａ１２０３−８ｉＯｚ或いはｌｉ　２Ｑ−Ａｌ　２０３
−８ｉ　０２の場合には、高強度な結晶を熱処理によっ
て析出させ、高強度な低温焼成セラミックを得ている。
然し９００℃以−［でしか結晶が析出せず、５００・〜
８００℃イ」近ではガラス層の状態であるため、たとえ
ばノアインな導体パターンをグリーンテープに印刷し、
同時焼成する場合、パターンが流動し、高精度な回路形
成が困難であるという問題がある。またもう一つの問題
は、有機バインダーを多聞に含むグリーンテ−−ブを焼
成し、脱バインダーを行なう場合、ガラス中にバｒンダ
ーがカーボンとして残存しないように覆るためには、ガ
ラスを軟化さＵず、かつ脱ガスを容易にするため多孔性
を緒持しながら焼成する必要があるため、１分間２モ程
度の冒温速度で焼成しな（プれば＜ｒらず、第１図に示
−σように９５０℃に昇温づるに約８時間を要した。
また、非晶質ガラスと絶縁性又は耐火性酸化物の混合系
を用いた低温焼成セラミックスの報告がある。例えば硼
珪酸ガラス（ Ｂ２０３、Ｓｉ　０２　）　に耐火材料〈カイアナイト
、アノーサイト等〉を加えたもの、或いは硼珪酸鉛ガラ
ス（Ｂ２０３１−８ｉ　０２−Ｐ、ｂＯ）に絶縁性酸化
物（フォルステライト、ｚｒ　０２等）を混合したもの
である。この場合にも結晶化ガラスを用いた低温焼成セ
ラミックスの場合と同様、パターンが流動し易いために
高精度な回路形成が困難であること、並びに第１図に示
すように　１分間１℃程度のゆっくりしだ昇温速度で焼
成しなりればならないため、９００℃まで１２〜１８時
間と非常に長時間を要するという問題があった。非晶質
ガラスの場合にはこれだ（プで強度を出すことが困難で
あるため、耐火材料を加え、複合形態にして高強度化を
削る訳であるが、非晶質ガラスの部分は８００〜１００
０℃の最終焼成段階においても、結晶化はせず、従って
焼成過程で軟化し、パターンずれの原因となる。またガ
ラスが軟化するということは脱ガスが困難ということに
なり、軟化濃度以前において長時間ゆっくりと脱バ′イ
ンダーする必要があることを意味している。第２図は各
種低温焼成上ラミヅクスの焼成時の収縮率カーブで、図
から分かるように結晶化ガラスも非晶質ガラスに耐火材
料を加えた場合も、２００〜７００℃においてガラス（
非晶質ガラス又は結晶化していないガラス）の軟化によ
る収縮が見られる。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、耐熱性並びに機械的強度が高く、熱膨張係数
が小さく、誘電率が低い特に電子工業用部品に適した特
性をもち、また他のセラミック材料にも応用し得る低温
焼成セラミックスを提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明の第１発明は、重量基準で１０％までの不純物−
を含むことあるＣａ０１０〜５５％、５ｉＯｚ４５〜７
０％、Ａ１．２０３０〜３０％よりなる組成のガラス粉
末５０〜６５％と、１０％までの不純物を含むことある
Ａｌ　２Ｃ）：＋粉末５Ｑ−ｔ−３５％からなる混合物
を低温焼成してなることを特徴とする低温焼成セラミッ
クスを要旨とする。
さらに、本発明の第２発明は、上記第１発明におけるガ
ラス組成に８２０３を外掛で２０％以下含んで構成した
ものである。
本発明において、ガラス粉末としてＣａ　Ｏ。
３ｉ　０２　、ＡＩ’２０３を骨格組成として用いたも
のはＣｕを導体として用いた場合に行なわれるＮ２を主
とした雰囲気中におｔプる焼成にＪζつても、還元され
ない材料であるからである。ずなわら、本発明は酸化、
還元、不活性のいずれの雰囲気焼成でも適用し得る材料
である。
このガラス粉末は不純物として、０〜５％までのＮａ　
２０またはに２０等アルカリ金属酸化物、その他ＭｇＯ
，Ｂａ　Ｏ，Ｐｂ　０１Ｆｅ　２０ｓ　、Ｍｎ　０２　
、Ｍｎ　３０４、Ｃ，ｒ　２０ｓ　、Ｎｉ　０ＳＣｏ　
２０３　ｈト４１−ｍｍ基準で１０％まで含み得る。
また、ガラス粉末と混合するＡｌ２Ｏ３粉末も上記ガラ
ス粉末と同様な不純物を１０％まで含有していてもよい
。
本発明の低温焼成セラミックスは上記従来の低温焼成セ
ラミックスとは焼結挙動が根本的に異っている。即ちｃ
ａ　ｏ、Ａｌ　２０３−８ｉ　０２−８２０３系の非晶
質ガラスにアルミナを加えることにより焼成過程におい
てア　−ノーサ°イ１〜もしくは、アノ−サイ１〜１−
１圭酸カルシウム〈ウオラステナイト）の部分結晶化を
起こさせることにより、８００−、−１０００℃の低温
焼成を可能にするだけでなく、焼成過程における微細パ
ターンのずれをなくし、また高速焼成を可能とするもの
である。
第３図はこの様子をＸｔ４ｉ１的に示すもので、Ｃａ０
−−Ａｌ　’２０３−８ｉ　０２−Ｆ３ｚ　Ｏ’３系の
ガラスはそれ自身熱処理をしても（イ）に示すようにＭ
ｑＯ−Ａｌ　２０３−８ｉ　Ｏ２系やＬｉ　７０−ＡＩ
　＝　Ｏｓ　−８ｉ　０２系のように結晶化が全く起こ
らないが、Ａｌ２Ｏ３を混合することによって、＜１１
）（ハ）に示すＪ、うに焼成過程において、Ａｌ２Ｏ３
とガラスの界面に７ノノーリイトの結晶が析出すること
が分かる。９００℃ではアノーサイトの結晶が多事に生
成していることが分かる。また、（ニ）に示すように組
成によっては珪酸カルシウムの結晶が析出することもあ
る。このように本発明の低温焼成セラミックスは焼成前
には非晶質ガラスとアルミナとの混合物であるが、焼成
体は非晶質ガラスとアルミナと結晶化ガラスの部分結晶
化セラミックスであると言える。従来の結晶化ガラス方
式による低温焼成ビラミックスの場合には、■１０２．
７ｒ０２等の核形成物質が必要であったが、本発明のＣ
ａ０−ＡＩ　２０３−８ｉ　０２系ガラスの場合には、
Ａｌ２Ｏ３粉末が核形成物質になり、自らも若干カラス
層に溶は込みアノーサイトの結晶を形成するものと考え
られる。
また、本低温焼成セラミックスは第１図、第２図に示す
ように３０〜ｂ スピードで昇温しても７３０〜８５０℃までガラス層が
全く軟化をせず、収縮もしない多孔質体であるために、
クラックが入ったり、カーボンをガラス層に包み込むこ
となくバインダーが容易に除去出来、８００〜１０００
℃の焼成温度付近Ｃ′急速に収縮焼結するため、大型（
３０ｃｍ角）の緻密なセラミックス基板を短時間に得る
ことが出来る。このような高速焼結性は、本低温焼成セ
ラミックの部分結晶化挙動と、７３０〜８５０℃まで全
て焼成収縮が起こらないために可能どなるものと考えら
れる。
またこのような部分結晶化と高温での急激な収縮、焼結
と高速焼結性はＣａＯ− △ｌ　２０３−８ｉ　０２系ガラスにＡｌ２Ｏ３粉末を
？埋合した組成を焼成づる場合に特徴的な挙動である。
また、７３０〜８５０℃まで全く焼成収縮が起こらない
こと、４）ｔ　ｔ！て焼成の最終段階では、部分に１品
化が起き、ガラスの流動性が妨げられるため、微細パタ
ーンのずれを生ずることがなく、ファインパターンの形
成が容易であ。
る。すなわち、同時焼成の際、内部に層状に形成する導
体や抵抗やコデンサ等がファインにかつ精度良く形成出
来る。同時焼成の際にパターンのずれがないという特徴
に留まらず、同時焼成単板の表面に通常の厚躾法でＲＬ
Ｉ系抵抗抵抗ｕ系導体等を形成する場合も、８００・〜
１０００℃で焼成された際に、部分結晶化しているため
、再び変形することがなく、同時焼成時に内部に形成さ
れた導体層のパターンがずれることがないという特徴も
有している。
第２発明におｔプる８２０３　’＋よガラスフリットを
１３００〜１４５０℃附近の温度で溶ｗｌするためと、
セラミックの焼成温良をＡｌ２Ｏ３が多い場合でも電気
特性や機械的物理的特性を変えることなく８００〜１０
００℃の範囲に収めるためである。この８２０３が多く
なり過ぎるとセラミックの抗折強度が低下づるため、Ｂ
２０３を２０％を越えて含むガラス組成は適切でない。
但し、８２０３が増えることにＪ、り膨張係数と誘電率
は低くなる傾向にある。
本発明において使用するガ°ラスの組成範囲については
第４図に示した。Ｓｉ　０２は４５へ７０％の範囲に限
られる。指定ｆｆ１Ｊ、す８１０．・が減少すると誘電
率及び熱膨張係数が高＜　＜Ｅり所望の値からはずれる
。指定ｆｆ１Ｊ、り多くなると１０００℃以下での焼成
が困同となる。またＡＩ　２０３は０〜３０％の範囲に
限られる。　３（１％より多くなると１０００℃以下で
の焼成が困鯉となる。ＣａＯは１０〜５５％の範囲に限
られる。
１０％より少なくなると１０００℃以下での焼成が不可
能となり、５５％を越えると、誘電率も膨張係数も大き
くなる。
又、ガラス粉末に加えるＡｌ２Ｏ３粉末については、８
００〜１０００℃の低温焼成温１臭−（゛緻密なセラミ
ックスを得るためには、ガラス粉末とＡｌ２Ｏ３粉末の
比率を５０〜６５％対５０〜３５％にする必要がある。
Ａｌ２Ｏ３粉末を５０〜３５％の範囲内に納めるのは、
セラミックの焼成温度範囲を８００〜１０００℃とし、
初期の強度、熱膨張係数、誘電率、体積固有抵抗を得る
ために必要である。
Ａｌ２Ｏ３粉末が５０％を越えると、セラミックの熱膨
張係数や誘電率が初期値より大きくなる傾向にあり焼成
物も多孔質となり好ましくない。
ガラス粉末と混合するＡｌ２Ｏ３粉末も、ガラス粉末と
同様な不純物を１０％まで含有していてもよい。
本発明セラミックスをつくるには、まず、原料としての
Ｃａ　Ｏｚ　Ｓ　！　０２　、入１２０３さらに、第２
発明の場合にはＢ２０３を所定の配合組成になるように
混合し、１３００〜１４５０℃で溶融急冷し、ガラスと
してか、らフリット化する。原料の形態は炭酸塩、酸化
物、水酸化物などでよい。この温度範囲は炉材料等との
関係から望ましい艶聞である。
次にガラス粉末とアルミナ粉末とを所定の割合で混合し
、成形粉末とし、これを冷間プレスあるいはテープキャ
スチング等通常のセラミックの成形法にしたがって成形
し、８００〜１０００℃で焼成する。
本発明を多層基板に利用するときは、成形したグリーン
シート上に例えばΔｇ系の゛導体を印刷し、必要な枚数
重ね合せて、同時に焼成し、必要な場合にはスルーホー
ルを形成して、一体化した基板とすることができる゛。
また、Ｒｕ　Ｑ２系あるいはＳｉＣ系等の抵抗を印刷し
、さらには３ａ　’Ｔ　ｉ　ＯＢ系やＳｒ　Ｔｉ　Ｑｓ
系、Ｐ　ｂ　（、Ｆ　ｅ　’２／３　Ｗ　＋／３　、、
’、＞Ｏｓ　−Ｐｂ　（Ｆ’ｅ　Ｉ／２　Ｎｂ　＋／２
　）　０３系等のコンデンサペーストをグリーンシート
上に印刷し、これを重ね合「または、コンデンサ組成を
主体にしたグリーンシートを作り、これを重ね合せ同時
に焼成し、抵抗やコンデンサを内鱗し、一体化した基板
とすることもできる。
さらに、グリーンシート上に、導体として粒度調整をし
、かつ耐酸化処理を施したＣＬＩ粉末ペーストを印刷し
多層化し、Ｎ２を主体とした雰囲気中で同時焼成を行な
い、Ｃｕ導体を内蔵した低温同時焼成釜Ｒ基板をつくる
こともできる。また、この場合、Ｎ２不活性雰囲気であ
るため、Ｎｉ−Ｃｒ、、モリブデンシリサイド、Ｗ−Ｎ
ｉ等の金属または金属間化合物を使用した抵抗ペースト
を用い、Ｃｕ導体並びに抵抗を内蔵した多層基板の作成
も可能である。
実施例 つぎに、本発明の具体的な実施例について述べる。
実施例１ Ｃａ　Ｃｏ　３３１１ｇ、ＳＳ１０２５１Ｇ、△ｌ　２
０３１７２！］を配合し、混合した後、Ｈ３Ｂ　０３１
４７ｇをらいかい器で混合し、混合粉末を１４００℃で
ガラス化した後フリット化する。
このフリッ１〜６００ｇとＡｌ２０ｊ４００（ｌを配合
、混合し、乾粉をつくる。この乾粉にバインダーどじで
ＰＶＡを少量加えプレスして、９００℃で焼成した。
製品セラミックスの特性（，１第１表Ｎｏ、４４にｉｆ
ζす。
実施例２ Ｃａ　ＣＯ３８７７（１、Ｓｉ　０２１３１０Ｑ、△ｌ
　２Ｑ３．Ｈ６（］を秤吊沢合した後、１４００℃でガ
ラス化した後フリッｌ−化する。
このフリット６５０ｇに△’　２０３３５０ｇ＠混合し
、粉砕して乾粉とする１、この乾１５）１０００ｃ）に
メタアクリル系バインダ１００９、可塑材（Ｄ。
Δ）　５０（１、溶剤（トルエン、キシレン）　２８０
ｇ、を加えてスリップとした後、ドクターブレードを用
い、１．Ｃ１厚のグリーンシー１−を作成し、これを１
０００℃で焼成した。
製品セラミックスの特性は第１表ＮＯ，５１こ示す。
実施例３ Ｃａ　Ｃ０３３１６ｇ、３　ｉ　Ｑ　２４１６ｇ、△　
ｌ　２　０３　＋０２（］　と　Ｎ　ａ　２　０２０ｇ
　、Ｋ　２　０　１０（１，１−＋２０６（Ｉを配合し
、混合した後、Ｈ３Ｂ　Ｏ４１３００をらいかい器で混
合し、この混合粉末を１４００℃でガラス化しＩ、：後
ノリッ１−化する。このフリット６００ｇとＡｌ２０３
４００９を配合、混合して乾粉とづる。
この乾粉にでん粉、メチルセル［１−ズと少量の水を加
え押出し成形し、１０ＩｎＩＩｌφのＩｌ状成形物を得
、８５０℃で焼成した。
製品セラミックスの特性は第１表Ｎ　ｏ、１００示す。
実施例４ カオリン、ケイ砂、ケイ酸カルシウム、小ウ酸を所定割
合で混合し、合計量　１１００ｏになるよう秤量し、１
４００℃でガラス化した後フリット化した。フリットの
組成は第１表４に示すとおりであり、他に不純物として
、ＭＱＯＯ９８％、ＢａＯ０，４％、ＰｂＯＯ，５％、
Ｆｅ２ｏ３１．３％、Ｎａ　２０１．３％、Ｋ２．００
．７％含んでいた。　− このフリッｔ−６００ａにＡｌ２０３９０％、Ｃｒ２０
３１０％よりなる固溶体粉末４００！Ｊを配合、混合し
、乾粉をつくる。
この乾粉１００Ｑにポリエチレン２０９と可塑剤として
ソルビタンステアレート５ｇとを加え混合した後、加熱
してポリエチレンを溶融して金型に割出成形した。
成形体を９００℃で焼成した。
製品セラミックスの特性は第１表Ｎ　Ｏ，１６に示す。
上記各実施例を含めて、伯の実施例並びに比較例（Ｎ　
Ｏ，２９〜３５に示す）についてもまとめて第１表に示
す。
発明の効果 本発明セラミックスは耐熱性が８００〜１０００℃と高
く、また熱膨張係数が５〜７　ｘ’ＩＯ−”／℃と小さ
い。その上機械的強度が非常に高ぺ、ハンダディップ等
熱サイクルが繰返し適用されても、そったり、変形した
り、割れたり、絶縁劣化が起ったりしない。
以上１回路基板として用いる場合の効果を主として列記
する。
（１）熱伝導率が有機基（ｋの０．０００５ｃａ　ｌ／
　ｃｍ　−５ｅｃ　’Ｃに対して、０．０１ｃａｌ／　
ｃｍ　−ｓｅａ　”Ｃと約２０倍も高いので半導体ＩＣ
チップゆ、受動素子１．ｓ　ｌらの熱を容易に放散でき
るため、これらの素地を高密度に実装することができる
。
（２）　熱膨張係数は５〜・７Ｘ１０−６／℃と有機多
層基板よりは勿論のこと、アルミナ多層基板にりもかな
り小さいのでＬＳＩチップのダイレフ１〜ボンドも可能
である。
（３）　誘電率がアルミナ基板よりかなり低く、６．５
・〜９（ＩＭｌｌｚ）’であり、誘電体損失（（ａｎδ
）も１へ一１０Ｘ１０−’と小さいため、高周波での信
号の高速応答が可能である。
＋４１　ｉリーンシーＩへには微細なパターンを容易に
形成できる上、５〜１０層以上重ね合せ同時に焼成する
ことも可能なため、微細な導体パターンを三次元的に高
密度に形成することができる。
＋５）　８００−・１０００℃と低温で焼成するため、
抵抗やコンデンサ材料と本基板との反応が殆どなく、有
機多層基板やアルミナ多層基板では実現不可能であった
受動部品の内蔵化が可能である。
（６）低温焼成できるためアルミナ多ＩＩ板よ、り大巾
にコストを下げることができる。
（７）各図を低温で同時に一体化焼成するため、熱ある
いは湿度に対して高い信頼性を示す。
［８１，ＡＱ　、　ＣＬＩ　、　Ａｌ１等の低抵抗２Ｓ
体材料が使用できるので高速化、高密度化が可能である
。
（９）同時焼成で導体等を一体化焼成した後、従来厚膜
法により、基板表面に抵抗あるいは導体（ＡＣ＋　、　
Ｃｕ　、　Ａｕ　）を形成することも可能である。
（０比重はアルミナ多層基板よりかなり小さく、（２，
７〜３．００／ＣＩｌ＋３　）取扱いが容易である。
以上の効果を、有機多層基板やアルミナ多層基板との対
比で表に示すと第２表のとおりである。表中、◎は優れ
ている、Ｏは良い、△は悪いを示す。　第°２表 本発明品は以上のような特性を有し、電子工業用部品、
耐熱Ｔ業部品、食器、厨房部品、装飾品など低コスト、
短納期を必要とする分野の低ｍＭ成セラミックスとして
使用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明におｔプる急速昇温カーブと従来の低温
焼成セラミックス製造にお（′ｊる昇温カーフを示すグ
ラフ、第２図は本発明の低温焼成しラミックスの収縮率
、焼成温度カーブと従来品どの比較を承りグラフ、第３
図（イ）−（ニ）は本発明の部分結晶化挙動を示すＸ線
回折グラフ、第４図は本発明のガラス組成範囲を示づグ
ラフである。 特許出願人　鳴海製陶株式会ン１ 代理人　弁理士　小　松　ＰＪ　岳 代理人　弁理士　７１！ｌ　宏 手続ネ…正書　（自発） 昭和５９年７月２７日 特許庁長官　志　賀　学　殿 ］、事件の表示　特願昭５９−１１０９７３号事件との
関係　特許出願人 名　称　鳴　海　製　陶　株式会社 ４、代　理　人　〒１０７（電話５８６−８８５４＞５
、補正命令の日付　く自発） ６、補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明の欄並びに図面（第１図、
第３図）７、補正の内容 （２）　第２０頁ｌ　１０行（７）ｒＨ！１８０４　Ｊ
　ｔｒＨ３ＢＯ３Ｊに訂正する。 （３）　第１図並びに第３図を別紙のとおり訂正する。 手続ネ…正書（方式） 昭和５９年９月２７日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示　昭和５９年特許願第１１０９７３号２
、発明の名称　低温焼成セラミックス３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　鳴海製陶株式会社 （発送日昭和５９年９月２５日） ６、補正の対象　明細書中、図面の簡単な説朔の欄。 ７、補正の内容 手続ネ甫正書（自発） 昭和６０年５月１６日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示　昭和５９年特許願第１１０９７３号２
、発明の名称　低温焼成セラミックス事件との関係　特
許出願人 名　称　鳴海製陶株式会社 ４、代理人　〒１０７（電話５８６−８８５４　）住　
所　東京都港区赤坂４丁目１３番５号５、補正命令の日
付　（自　発） ６、補正の対象　明細書中、発明の詳細な説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細書第７頁第７行のｒＰｂｏｊをｒＰｂ　０Ｌ
ＡＩ　２０３　Ｊと訂正する。 （２）第２４頁第６行の［２，７〜３’、（ＤＪ　／Ｃ
１１１３Ｊを［２，７〜３．２０１０°段訂正する・　
／ご＝］≧＼

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　重量基準で１０％までの不純物を含むことある
    Ｃ　ａ　Ｏ１０〜５５％、５ｉ０２４５〜７０％、Ａｌ
    ２Ｏ：１０〜３０％よりなる組成のガラス粉末５０〜６
    ５％と、１０％までの不純物を含むことあるＡｌ２Ｏ：
    ｌ粉末５０〜３に％からなる混合物を低温焼成してなる
    ことを特徴とする低温焼成セラミックス。
  2. （２）　重量基準で１０％までの不純物を含むことある
    Ｃａ０１’０〜５５％、５ｉ０２４５〜７０％、Δ１２
    ０３０〜３０％よりなる組成のものに外掛で２０％以下
    の８２０３を含むガラス粉末５０〜６５％と、１０％ま
    での不純物を含むことあるＡｌ２Ｏ３粉末５０〜３５％
    からなる混合物を低温焼成してなることを特徴とする低
    温焼成セラミックス。
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