JPS61117163A - 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特に電子工業用部品に適し、その他耐熱工業
部品、食器、厨房部品、装飾品などに用いられる低温焼
成セラミックスの製造方法並びに製造装置に関する。

従来の技術 ］ンピュータや民生機器用の電子デバイスの小型化指向
に伴ない、電子回路の高密度集積化のニーズは増々強く
なっている。この場合、基板に要求される特性或いは条
件は、（イ）安価であること、（Ｏ）軽いこと、〈ハ）
機械的強度が大きいこと、（ニ）部品からの放熱を良く
するため高熱伝導性であること、（ホ）２次元的な配線
密度を高めるため、導体中１５０μｍ以下の配線が可能
なこと、（へ）　３次元的に配線密度を高めることがで
きるよう多層化が可能なこと、（ト）インダクター、抵
抗、キャパシター等の受動部品が多層化の際、基板内部
に内蔵できること、（チ）信号の応答速度を早めるため
に配線間の静電容量を小さくする必要から、絶縁層の誘
電率ができるだけ小さいこと、（す）そのため、Ａｌ）
、　Ａｇ−Ｐｄ　、Ｃｕ　、Ａｕ等の低抵抗導体材料が
使用できること、（ヌ）半導体チップが基板表面にダイ
レクトに実装できるために、絶縁層の膨張係数が小さい
こと（Ｓｉの３，５ｘ１０−６に近いこと）、（ル）配
線間の絶縁抵抗が高いこと、（オ）温度、湿度など環境
に対して強いこと等である。

従来、かかる目的のために有機多層基板やアルミナセラ
ミック多層基板が使われてきたが、特定の特性は優れて
いるが、他の特性が劣るなど、何れの基板にも、バラン
スのとれた特性を期待することが困難であった。

すなわち、有機多層基板は、両者に銅貼りをしたフェノ
ールあるいはエポキシ基板に回路を形成し、エポキシ樹
脂で貼り合せて多層化し、導体間のスルーホールは機械
的な穴あけ加工によって形成してつくられるが、つぎの
ような問題点がある。すなわち（イ）ハンダ付けやハン
ダディップ等が繰返されると耐熱性が十分ないこと、強
度が小さいこと、熱膨張が大きいこと（５０Ｘ１０−６
程度）、のために基板にそりが生じたり、クラックが生
じたりし、また高温で絶縁劣化を起し易い、（ロ）熱伝
導性が悪いため、発熱量の大きい抵抗や半導体ＩＣチッ
プを実装する場合、素子が許容温度以上にならないよう
、素子床面積を大きくしたり、放熱板をつけるなど、（
々の設計上の工夫が必要である、（ハ）多層化をする場
合、１５０μｍ以下の細い導体を形成させたり、２００
μｌより小さいスルーホールを多数形成させることは非
常に困難である、（ニ）熱あるいは湿度に対する信頼性
が劣る、などである。

また、アルミナセラミック多層基板については、（イ）
　１６００〜１）００℃の水素中、高温で焼成するため
、有機多層基板に比し非常に高価である、（ロ）導体に
ＷまたはＭＯを使うため導通抵抗が大きい、（ハ）比重
が有機基板（２，０ｇ／ｃ＋ｎ３）よりもかなり重い（
３，８〜３．９ｇ／ｃｍ３）、（ニ）誘電率が有機基板
（３〜５．１ＭＨ２）よりもかなり高い（９〜１０１、
　　　ＩＭＨｚ）、（ホ）熱膨張が有機基板よりもかな
り小さいが、Ｓｉのそれに較べるとなお７、Ｏｘ　１０
＝　／　’Ｃ（室温〜２５０℃）とかなり大きい、など
の問題点をもっている。

そこで、低温焼成可能なガラス−セラミック体について
の提案もいくつかなされている。

その一つに結晶化ガラスを用いた低温焼成セラミックの
報告がある。例えば、Ｍ（Ｉ　０−Ａｌ　２０３−３ｉ
　Ｏｚ　ｔｃＢｚ　０３　ト核形成物質を加え、９００
〜１０００℃で焼成し、コージライト結晶を析出させ、
高強度化を計った低温焼成セラミックスやＬｉ２Ｏ−Ａ
１２０３−８ｉ　０２に８２０３と核形成物質を加え、
スボジュメンを析出させ、同じく高強度化を計った低温
焼成セラミックが発表されている。

一般的にはセラミックを低温で焼成するためにはガラス
層を多く含ませる必要があるが、その場合１８００ｋａ
／　ｃｍ’以上の高強度化を計ることが非常に困難であ
る。ｆｖＨ＋０−Ａｌ　ｚ　Ｏｓ　−８ｉ　Ｏｘ或いは
１ｉｚＯ−ＡＩ　２０３−８ｉ　０２の場合には、高強
度な結晶を熱処理によって析出させ、高強度な低温焼成
セラミックを得ている。然し９００℃以上でしか結晶が
析出せず、５００〜８００℃付近ではガラス層の状態で
あるため、たとえばファインな導体パターンをグリーン
テープに印刷し、同時焼成する場合、パターンが流動し
、高精度な回路形成が困難であるという問題がある。ま
たもう一つの問題は、有機バインダーを多量に含むグリ
ーンテープを焼成し、脱バインダーを行なう場合、ガラ
ス中にバインダーがカーボンとして残存しないようにす
るためには、ガラスを軟化させず、かつ脱ガスを容躬に
するため多孔性を維持しながら焼成する必要があるため
、１分間２℃程度の昇温速度で焼成しなければならず、
第１図に示すように９５０℃に昇温するに約８時間を要
した。

また、非晶質ガラスと絶縁性又は耐火性酸化物の混合系
を用いた低温焼成セラミックスの報告がある。例えば硼
珪酸ガラス（ Ｂｚ○３．５ｉＯｚ）に耐火材料（カイアナイト、アノ
ーサイト等）を加えたもの、或いは硼珪酸鉛ガラス（８
２０３−８！　０２−ＰｂＯ）に絶縁性酸化物（フォル
ステライト、Ｚｒ　０２等）を混合したものである。こ
の場合にも結晶化ガラスを用いた低温焼成セラミックス
の場合と同様、パターンが流動し易いために高精度な回
路形成が困難であること、並びに第１図に示すように１
分間１℃程度のゆっくりした昇温速度で焼成しなければ
ならないため、９００℃まで１２〜１８時間と非常に長
時間を要するという問題があった。非晶質ガラスの場合
にはこれだけで強度を出すことが困難であるため、耐火
材料を加え、複合形態にして高強度化を計る訳であるが
、非晶質ガラスの部分は８００〜１０００℃の最終焼成
段階においても、結晶化はせず、従って焼成過程で軟化
し、パターンずれの原因となる。またガラスが軟化する
ということは脱ガスが困難ということになり、軟化温度
以前において長時間ゆっくりと脱バインダーする必要が
あることを意味している。第２図（Ｂ）は各種低温焼成
セラミックスの焼成時の収縮率カーブで、図から分かる
ように結晶化ガラスも非晶質ガラスに耐火材料を加えた
場合も、２００〜１００℃においてガラス（非晶質ガラ
ス又は結晶化していないガラス）の軟化による収縮が見
られる。　以上のように、有機多層基板は信頼性などの
特性上の欠点を有しているし、アルミナセラミックス多
層基板は、高温で焼成するため、高価である。特性的に
も不満足な点が多い。また従来報告されている低温焼成
基板についても、特性的には狙いに近い所に来ているが
、低価格に製造するという点については、なお問題を有
している。脱バインダーを含めた焼成に非常に長時間を
要するなど従来のセラミックスのもつ本質的な欠陥につ
いては、依然として、改善がなされていない。

発明が解決しようとする問題点 本発明は、従来発表されている低温焼成セラミックスよ
りも大型サイズ（２０ｃｍ口以上）の単層又は多層基板
を短い焼成時間で得て、しかもその低温焼成セラミック
スは耐熱性並びに機械的強度が高く、熱膨張係数が小さ
く、誘ｆｆｌ率の低いものであることを目的としている
。

問題点を解決するための手段 本発明の第１発明は、８００〜１０００℃で焼成可能な
セラミックス原料を、通常のセラミック製法にしたがい
成形し、焼成するに当り、１０〜２００°Ｃ／分の速度
で急速昇温するとともに、バインダーの構成単位の分子
量×バインダーの混合分解ガスの爆発限界×空気吹込量
／単位時間当りのグリーンテープ送り込み量×バインダ
ー重量割合Ｘ　２２，４の式で導かれる空気吹込み倍率
を１．５以上となるように焼成炉内脱バインダーゾーン
に空気を吹込むことを特徴とする低温焼成セラミックの
製造方法である。

上記本発明における８００〜１０００℃で焼成可能なセ
ラミックス原料の組成は、重量基準で１０％までの不純
物を含むことあるＣａ０１０〜５５％、Ｓ　ｉ　Ｏ２４
５〜７０％、Ａｌ２０３０〜３０％よりなる組成のガラ
ス粉末５０〜６５％と、１０％までの不純物を含むこと
あるＡｌ２Ｏ３粉末５０〜３５％からなる混合物、さら
に、上記ガラス組成に８２０３を外掛で２０％以下含ん
で構成したものが適当である。

本組成の低温焼成セラミックスは前記従来の低温焼成セ
ラミックスとは焼結挙動が根本的に異っている。即ちＣ
ａ　０−ＡＩ　２０ｓ　−８ｉ　０２　　（−８２０３
）系の非晶質ガラスにアルミナを加えることにより焼成
過程においてアノーサイトもしくは、アノーサイト＋珪
酸カルシウム（ウオラステナイト）の部分結晶化を起こ
させることにより、８００〜１０００℃の低温焼成を可
能にするだけでなく、焼成過程における微細パターンの
ずれをなくし、また高速焼成を可能とするものである。

第３図はこの様子をＸ線的に示すもので、Ｃａ　０−Ａ
Ｉ　２０３−８ｉ　０２　　（−８２０３＞系のガラス
はそれ自身熱処理をしても（イ）に示すようニＭＱ　０
−ＡＩ　２０３−８ｉ　０２系やＬｉ　２０−ＡＩ　２
０３−８ｉ　０２系のように結晶化が全く起こらないが
、Ａｌ　２０ｘを混合することによって、（ロ）（ハ）
に示すように焼成過程において、Ａｌ２Ｏ３とガラスの
界面にアノーサイトの結晶が析出することが分る。９０
０℃で４７ノーサイトの結晶が多量に生成していること
が分る。また（二）に示すように組成によっては珪酸カ
ルシウムの結晶が析出することもある。このように本発
明で用いる低温焼成セラミックスは焼成前には非晶質ガ
ラスとアルミナとの混合物であるが、焼成体は非晶質ガ
ラスとアルミナと結晶化ガラスの部分結晶化セラミック
スであると言える。従来の結晶化ガラス方式による低温
焼成セラミックスの場合には、ＴｉＱｚ、Ｚｒ　０２等
の核形成物質が必要であったが、Ｃａ　０−ＡＩ　２０
３−８ｉ　０２　　（−Ｂ２０３）系ガラスの場合には
、Ａｌ２Ｏ３粉末が核形成物質になり、自らも若干ガラ
ス層に溶は込みアノーサイトの結晶を形成するものと考
えられる。

かかるセラミックスは非晶質ガラスの軟化点が高いため
、第２図（Ｂ）に示すように１０〜ｂ も７３０〜８５０℃までガラス層が全く軟化をせず、収
縮もしない多孔質体であるために、クラックが入ったり
、カーボンをガラス層に包み込むことなくバインダーが
容易に除去出来、８００〜１０００℃の焼成温度で急速
に収縮焼結するため、大型（２０ｃｍ角以上）の緻密な
セラミックス基板を短時間に得ることが出来る。このよ
うな高速焼結性は、本低温焼成セラミックの部分結晶化
挙動と、１３０〜８５０℃まで全て焼成収縮が起こらな
いために可能となるものと考えられる。バインダーは加
熱により殆どがモノマーに分解するが、僅かにカーボン
を生成する。七ツマーガスは多孔質のセラミック体から
抜けて行く。然し、カーボンは完全燃焼温度がかなり高
いので、セラミック体がこの温度まで多孔質に保たれな
いこと、Ｃ＋０２→ＣＯ２として飛散することができず
、軟化したガラス層の中に包み込まれることになる。急
速昇温時には相対的にカーボン燃焼の上限温度が高くな
るため、高温迄多孔質体であることが望まれるのである
。

すなわち、バインダーが熱分解する際発生する分解ガス
や、１部燃焼し、発生する不完全燃焼ガスを速やかに系
外に逃すことである。

さもないと分解ガス又は不完全燃焼ガスが引火をし、セ
ラミックグリーンシートがローカルに加熱され、割れを
発生する原因となる。

たとえばベルト式の連続焼成炉でバインダーにアルクリ
ル樹脂を用いて焼成する場合、通常昇温の２℃／分で昇
温する時には２００〜４００℃でバインダーが分解をす
るが、６０℃／分の急速昇温時にはバインダーの分解温
度が２００〜６００℃と相対的に高くなるため分解ガス
温度が着火点以上となり、燃焼を始めるため、セラミッ
クシートにクラックが発生する。

分解ガスの大半はメチルメタアクリレートモノマーで発
火点の４２１．１℃で燃焼を始める。

第２図（Ａ）にこの様子を示した。

然し、アクリールモノマーガスの爆発限界は２．１〜１
２，５ＶＯ１％であるので、昇温過程に於いて、被燃焼
物より発生したアクリールモノマーガス濃度が２，１ｖ
ｏ１％以下に維持されれば、被焼成物もしくは雰囲気温
度が発火点以上の温度に達しても着火しない。従って焼
成炉内へ多量の空気を吹込み、被焼成物より発生したア
クリールモノマーガスを被焼成物近傍より、速かに除外
すれば、大型のグリーンテープを着火することなく急速
に昇温できる。ベルト式連続炉での試験の結果を第４図
に示した。急速昇温時（１０〜２００°Ｃ／分）には送
入空気吹込み倍率（Ｂ）は、下記式で示す理論必要空気
ｆｆ１Ａの約１．５以上を必要とすることが分った。勿
論この場合Ｂは昇温スピードならびに炉の大小によって
（マツフル断面ｍ）も異なる。なお普通Ｂは５０倍以上
は適当でない。く工）式は理論必要空気量、（ｆｆ）式
は、送入空気ｍの理論必要空気量に対する倍率、＜１＞
式は、脱バインダーゾーンに於ける風速である。単位時
間当りのグリーン　バインダー　２２．４（Ｌ！ｌ！論
必要空気量）　　　　単位の分子量　ガスの爆発限界率
・・・・・・・・・・・・・・・　（Ｉ）Ｂ（空気吹込
培率）＝空気吹込量（Ｎｌ　／ｍｉｎ　）／Ａ・・・・
・・・・・・・・・・・（ＩＩ）Ｃ（ｍ　　／ｍｉｎ　
　）　　＝　　　５７３（バインダー分解部公平均温　
１ぐ）ＸＢＸＡ（、速）２７３Ｘｖ？、７．ｌｐ［！、
ｉＰ！！　（、！、　’、）、Ｘ３０３なお、上記組成
の低温焼成セラミックスは、ガラス粉末としてＣａＯ１
Ｓｉ　０２、Ａｌ２Ｏ３を骨格組成として用いているた
め、Ｃｕを導体としてＮｚ中雰囲気で焼成する場合も、
全く還元されることなく使用できる。

すなわち、本組成は酸化、還元、不活性のいずれの雰囲
気でも適用しうる材料である。

また、７３０〜８５０℃まで全て焼成収縮が起こらない
こと、また焼成の最終段階では部分結晶化が起き、ガラ
スの流動化が妨げられるため、微細パターンのずれを生
ずることがなく、ファインパターンの形成が容易である
。

すなわち、同時焼成の際、内部に層状に形成された導体
や、抵抗や、コンデンサー等がファインに、かつ精度良
く形成ができる。また同時焼成済の基板の表面に通常の
厚膜法でＲＬＩ系抵抗抵抗Ｃｕ系の導体を再焼成により
、形成する場合にもパターンずれがない。その理由は同
時焼成済の基板は、部分結晶化しているため、再び７５
０〜９５０℃で再焼成をしても変形することがないため
である。

また本発明で用いられる低温焼成セラミックスの組成は
前述の組成範囲が望ましいが、焼結機構が基本的に本低
温焼成セラミックスのそれに類似しているものであれば
、他の組成範囲の低温焼成セラミックスに対しても本発
明の急速焼成製法は適用し１ｑる。

本発明の第２発明は、８００〜１０００℃で焼成可能な
低温焼成セラミックスを焼成する焼成炉において、炉内
を高速走行する連続ベルトを備え、かつ脱バインダーゾ
ーンの前後には連続ベルトスピードに対応して吹込み空
気量を変化する空気吹込み口と、分解ガス除去様を備え
た排気部を備えたことを特徴とする低温焼成セラミック
スの製造装置である。

すなわち、本発明に係る装置においては、８００〜１０
００°Ｃで焼成可能なセラミックス原料を急速昇温する
ため、該原料を載置する連続ベルトを高速走行するよう
に設計する必要がある。そして、該連続ベルトのスピー
ドに対応して、すなわち連続ベルトのスピードが上れば
空気量を増大させることができる空気吹込み口を脱バイ
ンダーゾーンの前に設【プ、また脱バインダーゾーンの
後には排気部を設けて、これに分解ガス除去機を備える
。分解ガス除去機は、アフターバーナーで燃焼して除去
する形式のものか、有効成分を回収する形式のものがよ
い。又、当然のことながら、吹込空気はグリーンテープ
上に均一に触れ、かつ流れるよう空気吹込み口の位置や
吹込み方法および排気部を設計する必要がある。

実施例 第５図は第２発明の一実施例である。すなわち、焼成マ
ツフル炉内にメツシュよりなる連続ベルト　１を駆動部
２により駆動するようにされている。炉の前後部には入
口エアーカーテン３と出口エアーカーテン７を設り、又
炉の中間部には加熱部９が設けられている。

加熱部９の前半は所謂脱バインダーゾーンＡで、その前
部には空気吹込み口４が設けられている。この空気吹込
み口４は連続ベルト　１のスピードに対応して吹込み空
気量を変化するようにされている。脱バインダーゾーン
Ａの端部には排気部５を備え、その排気部５の中途には
分解ガス除去１９１０を備えている。分解ガス除去機１
０は分解ガス燃焼機または分解ガス回収機よりなってい
る。また、加熱部９の後部には燃焼用の空気吹込部６を
設けである。

かかる装置を用いて第１発明の実施をした。

以下それらについて述べる。なお％はいずれも重量％で
ある。

実施例１ Ｃａ０２０％、Ｓ！０ｚ６０％、Ａｌ２０３２０％に８
２０３を外掛で１０％加えてなるガラス組成２４００（
］と平均−次粒径１．２μＩのアルミナ１６００ｇ＜後
記第１表の組成Ｎｏ、■に相当）を、アルミナポットと
アルミナボールを使用し、２４時時間式粉砕混合した。

乾燥後、乾粉１０００ｇにメタアクリル系バインダー１
００ｇと可塑剤（ＤＯＡ）５０ｇ、溶剤（トルエン）　
２８０（１を加え。アルミナポットとアルミナボールを
使用してよく混合した。得られたスリップを通常のドク
ターブレード法によるテープ製造装置により厚さ１　、
　Ｏｍｍのグリーンシー１−に成形した。

このグリーンシートを金型を使用して２５ｃｍ口に切断
し、連続ベルトの速度を速めて昇温速度６０℃／分で９
００℃に加熱し、同温度で１５分保持した。その間、空
気吹込み口４よりの空気吹込み倍率３−２として連続式
ベルト炉により連続焼成した。

得られた、基板は２０ｃｍ口以上で、緻密なソリのない
ものであった。

実施例２ 実施例１と同じグリ−シートを昇温速度２００℃／分９
００℃で１５分間保持、空気吹込み倍率３−５の条件で
連続式ベルト炉により連続焼成した。

得られた基板は、２０ｃｍ口以上で緻密なソリのないも
のであった。

実施例３ Ｃａ０２３％、Ｓ！０ｚ６７％、Ａ１２０３１５％から
なるガラス組成２４００（］と平均−次粒径１．２μｍ
のアルミナ１６００（１（第１表の組成Ｎｏ、■に相当
）をアルミナポットとアルミナボールを使用し、２４時
時間式粉砕混合した。

乾燥後、乾粉１５０ｈにメタアクリル系バインダー１０
０ｇと可塑剤（ＤＯＡ）５００、溶剤（トルエン）　２
８０ｇを加え、アルミナポットとアルミナボールを使用
してよく混合した。得られたスリップを通常のドクター
ブレード法によるテープ製造装置により、厚さ０．５ｍ
ｍのグリーンシートに成形した。

このグリーンシートを熱間ブレス様により、１００℃の
条件で熱間圧着し、厚さ　１．０＋ｎｍのラミネートグ
リーンシートに成形した。

金型を使用し、２５ｃ＋ｎ口に切断したグリーンシート
を昇温速度１２０℃／分、１０００℃に１５分間保持、
空気吹込み倍率Ｂ＝３の条件で、連続式ベルト炉により
連続焼成した。

得られた基板は２０ｃｍ口以上で緻密なソリのないもの
であった。

実施例４ Ｃａ０２０％、５ｉ０２５０％、Ａｌ２０３１５％に８
２０３を外掛けで１０％加えてなるガラス組成２４００
ｇと平均−欠粒径１．２μｍのアルミナ１６００Ｇ　　
（第１表の組成Ｎｏ、■に相当）をアルミナポットとア
ルミナボールを使用し、２４時時間式粉砕混合した。

乾燥後、乾粉１０００（ｌにメタアクリル系バインダー
１００９と可塑剤（ＤＯＡ）５０９、溶剤（トルエン）
　２８０Ｑを加え、アルミナポットとアルミナボールを
使用してよく混合した。得られたスリップを通常のドク
ターブレード法によるテープ製造装置により、厚さ０．
３ｍｍのグリーンシートに成形した。

このグリーンシートを熱間プレス機により、１００℃の
条件で３枚熱間圧着し、厚さ０．９ｍｍのラミネートグ
リーンシートに成形した。

金型を使用し、２５ｃｍ口に切断したグリーンシートを
昇温速度２００℃／分、９５０℃に１５分間保持、空気
吹込み倍率Ｂ−５の条件で、連続式ベルト炉により連続
焼成した。

得られた基板は２０ｃＩ１）０以上で緻密なソリのない
ものであった。

次に上記実施例１〜４を含めた実施例と、その製品の試
験結果をまとめて表に示す。

上記表において、Ｂは空気吹込み倍率を表し、Ｃは風速
で下記式により表される。

Ｃ＝５７３（バインダー分解部分平均温度Ｋ）×空気吹
込み量／　２７３ｘマツフル断面積×１０３ 上記表から明らかなように、Ｂは１．５倍以上が適当で
ある。又、Ｃは６０Ｉｌｌ／分以下が適当である。Ｃが
６０ｍ／分を越え、あるいはＢが５０倍を越えると、被
焼成物がセッターからずれるし、焼成効率を箸るしく低
下する等の問題がある。

上記実施例ではグリーンテープ厚が厚くなれば当然、Ｂ
およびＣを変化させる必要がある。すなわち、ＢとＣと
の兼ね合いで昇温速度を遅くする。

上記実施例ではバインダーとしてアクリル樹脂を用いて
いるが、その他ブチラール樹脂等も使用し得る。

又、第２発明として最も効率的な連続焼成炉を示してい
るが、第１発明を実施するには連続炉以外にバッチ炉等
を適用することができる。

及Ｊ１」し先 本発明では、焼成に当り急速昇温するとともに、十分な
空気を吹込むため、脱バインダ一時に分解ガスに着火す
ることなく焼成することができる。そして低温で焼成可
能なセラミックス原料は、部分結晶化挙動を示し、その
前期において、極く短時間軟化を示す領域があり、ここ
でグリーンテープが焼成台である平滑なセッターに完全
に沿うことができるので、大型の平滑なセラミックス製
品が１０られる。そしてその製品は耐熱性が高く、熱膨
張係数が小さい。その上機械的強度が非常に高く、例え
ばハンダディップ等熱サイクルが繰返し適用されても、
そったり変形したり、割れたり、絶縁劣化が起きたりし
ない。

本発明製品は以上のような特性を有し、電子工業用部品
、耐熱性工業部品、食器、厨房部品、装飾品など低コス
ト、短納期を必要とする分野の低温焼成セラミックスと
して使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における急速昇温カーブと従来の低温焼
成セラミックス製造における昇温カーブを示すグラフ、
第２図は急速昇温時におけるバインダー分解ガスの発火
並びに収縮率を示すグラフ、第３図（イ）〜（ニ）は本
発明の部分結晶化挙動を示すＸ線回折グラフ、第４図は
空気吹込み倍率と昇温速度との関係を示すグラフ、第５
図は本発明の製造装置の実施例を示す正面図である。 １・・・連続ベルト、２・・・駆動部、３・・・入口エ
アーカーテン、・・・空気吹込み部、５・・・分解ガス
排出部、６・・・空気吹込み部、７・・・出口エアーカ
ーテン、８・・・焼成マツフル、９・・・加熱部、１０
・・・分解ガス回収機、Ａ・・・脱バインダーゾーン。 手続ネ甫正書（自発ン 昭和５９年７月２７日 特許庁長官　　志　賀　　学　　殿 １、事件の表示　　　　特願昭５９−１）０９７４号２
、発明の名称　　　　低温焼成セラミックスの製造方法
並びに装置名　　称　　　　鳴　海　製　陶　株式会社
４、代理人　〒１０７（電話５８６−８８５４＞５、補
正会合の日付　　　（自発） ６、補正の対象 明細書中ζ発明の詳細な説明の欄並びに図面（第１図、
第２図、第３図、第４図） ７、補正の内容　　　　　　　　　　　　　　　　　（
゛（１）　　明細書第２４頁の表の［ｔａｎδａｔＩＭ
ＩｌｚＪの欄の下に「３ｘｌＯ−’Ｊを加入する。 （Ｊ　第１図、第２図、第３図、第４図を別紙のとおり
訂正する。 才４図 昇温速度℃／分 手続ネ甫正書　（自発） 昭和６０年５月３１日 特許庁長官　　志　賀　　学　　殿 １、事件の表示　　　　昭和５９年特許願第１）０９７
４号２、発明の名称　　　　低温焼成セラミックスの製
造方法並びに装置名　　称　　　　ｌ＠海製陶株式会社 ５、補正命令の日付　　く自　発） 及び図面（第２図、第３図、第５図）。 ７、補正の内容 （１］　　明細間第３頁第１）行の［３，５ｘ　１Ｏ−
６Ｊをｒ　３．５　Ｘ　１０−’　／”ＣＪと訂正する
。 ［２］　　第４頁第７行のｒ　５０Ｘ　１０−６　Ｊを
ｒ　５０Ｘ　１０−”７°Ｃ」と訂正する。 （３］　　第７頁第８行のｒＢｚ　Ｏ：Ｉ　、Ｓｉ　０
２　ＪをｒＢｚ　Ｏ：Ｉ　−８ｉ　０２　Ｊ　と訂正’
？ｊる。 ［４１’１４７頁第１）行（７）　ｒ　Ｐｂ　ＯＪ　ヲ
ｒＡＩ　ｚ　０３−Ｐｂ　ＯＪと訂正する。 ［５１第１４頁第１２行の「第２図（Ａ）」を「第２図
」と訂正する。 ［６］　　第１８頁第１４行の「焼成マツフル炉」を「
焼成マツフル炉８」と訂正する。 ［７１第１８頁下から第２行及び第１９頁第３行のｒＡ
ＪをｒＺＪと訂正する。 旧）第１９頁第１７行及び第２１頁第５行の「第１表」
を「表」と訂正する。 （９）第２１頁第３行の「６７％」を「６２％」と訂正
する。 （０第２１頁第４行のＪ２４００ｇ　Ｊを［２６００（
ｌ　Ｊと訂正する。 １）１）同頁第５行の「１６００（ｌ　Ｊを「１４００
ｇ　Ｊと訂正する。 ■　第２２頁第５行の 「ＣａＯ２０％、ＳｉＯ２５０％、ＡＩ　２０３１５Ｊ
をｒｃａ０３５％、５ｉ０２４５％、Ａｌ２Ｏ：＋２０
ｊと訂正する。 （Ｇ　第２４頁の表中、セラミック基板特性の欄中、膨
張強度の項の ［膨張強度　　　　　「熱膨張係数 ４０〜２５０℃」　　　を　　　　４０〜２５０℃Ｘ１
０−６℃Ｊ と訂正する。 圓　同上項のＮＯ６１のｒ　５．５　Ｘ　１０−６／℃
Ｊを「５．５」と訂正する。 ０５１　　同セラミック基板特性の欄中［ｔａｎδ　ａ
ｔ　　　　　［ａｎ６　　ａｔＩＭＨｚＪの項を　Ｉ　
ＭＨｚ　ｘｉｏ−４Ｊと訂正する。 旧　同表中Ｎ０９９の昇温速度「２０」を「６０」と訂
正する。 ａｌ　　第２８頁第１４行の［・・・空気吹込み部、」
を「４・・・空気吹込み口、」 ０印　同頁第１５行の［５・・・分解ガス排出部、」を
「５・・・排気部、」 （９同頁第１６行の［８・・・焼成マツフル、」を「８
・・・焼成マツフル炉、」 （至）　同頁第１７行の「１０・・・分解ガス回収機、
」を［１０・・・分解ガス除去機、」と訂正する。 ＣＬｌｌ　　第２図、第５図を別紙のように訂正する。 聞　昭和５９年７月２７日付で補正した第３図を撤回し
、出願当初の第３図に戻す。 第２図 急速昇温６０”Ｃ７分 バインダーＨｈ−不ン繁焼 牙５図 手続補正書防即 昭和６０年１２月１７日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）８００〜１０００℃で焼成可能なセラミックス原
   料を、通常のセラミック製法にしたがい成形し、焼成す
   るに当り、１０〜２００℃／分の速度で急速昇温すると
   ともに、バインダーの構成単位の分子量×バインダーの
   混合分解ガスの爆発限界×空気吹込量／単位時間当りの
   グリーンテープ送り込み量×バインダー重量割合×２２
   ．４の式で導かれる空気吹込み倍率を１．５以上となる
   ように焼成炉内脱バインダーゾーンに空気を吹込むこと
   を特徴とする低温焼成セラミックの製造方法。
2. （２）８００〜１０００℃で焼成可能な低温焼成セラミ
   ックスを焼成する焼成炉において、炉内を高速走行する
   連続ベルトを備え、かつ脱バインダーゾーンの前後には
   連続ベルトスピードに対応して吹込み空気量を変化する
   空気吹込み口と、分解ガス除去機を備えた排気部を備え
   たことを特徴とする低温焼成セラミックスの製造装置。