DE19605825C2 - Verfahren zur Optimierung des Herstellungsprozesses einer Halbleitervorrichtung, bei dem Prozeßparameter durch numerische Berechnung bestimmt werden - Google Patents
Verfahren zur Optimierung des Herstellungsprozesses einer Halbleitervorrichtung, bei dem Prozeßparameter durch numerische Berechnung bestimmt werdenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Verfah
ren zur Optimierung des Herstellungsprozesses einer Halbleiter
vorrichtung. Im speziellen betrifft sie ein Verfahren zur
Optimierung des Herstellungsprozesses einer Halbleitervorrich
tung, bei dem Prozeßbedingungen schnell ausgewertet werden
können, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, die eine ge
forderte Spezifikation erfüllt, wodurch die Herstellungsprozess
zeitdauer der Halbleitervorrichtung reduziert wird.
Höchstintegrierte Schaltungen (VLSI) werden im allgemeinen in
Halbleitervorrichtungen für den allgemeinen Zweck und in anwen
derspezifische integrierte Schaltungen (ASIC) eingeteilt. Ein
DRAM (dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff) und ein SRAM
(statischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff) sind Beispiele für
Halbleitervorrichtungen für den allgemeinen Zweck. Eine logische
MOSLSI (Metall-Oxid-Halbleiter-Integrationsschaltung) ist ein
Hauptbeispiel für anwenderspezifische integrierte Schaltungen.
Bei den ASIC wird es gewünscht oder verlangt, daß ein Chip,
der eine von einem Kunden verlangte Spezifikation erfüllt,
innerhalb einer kurzen Zeitdauer geliefert wird. Dies ist bei
dem Geschäft ein wichtiger Punkt.
Die Designtechnik und die Halbleiterherstellungstechnik werden
beide benötigt, um den Chip zu erhalten, der die durch den
Kunden verlangte Spezifikation erfüllt. Zwischen diesen beiden
wird eine längere Zeitdauer benötigt, um die Herstellungstechnik
zu entwickeln. Der Grund dafür, daß eine längere Zeitdauer zum
Entwickeln der Herstellungstechnik benötigt wird, wird im fol
genden in Verbindung mit beispielsweise einem Herstellungsver
fahren eines der Anmelderin bekannten MOSFETs (MOS Feldeffekt
transistor) beschrieben.
Fig. 1 bis 9 sind schematische Querschnittsansichten, die die
Schritte eines Herstellungsverfahrens eines MOSFETs zeigen, das
auf VLSI Technology, Ed. S. M. Sze, McGraw-Hill Int., 1983,
Seiten 482 bis 485 basiert.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, werden ein Basisoxidfilm 2 und ein
Nitridfilm 3 nacheinander auf einer Hauptoberfläche eines Halb
leitersubstrats 1 gebildet.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, werden der Basisoxidfilm 2 und der
Nitridfilm 3 strukturiert, um eine Öffnung 4 zu bilden, die
oberhalb eines Abschnitts angeordnet ist, in dem ein Element
trennoxidfilm gebildet werden soll.
Unter Verwendung des Nitridfilms 3 als Maske wird, wie in Fig.
3 gezeigt ist, die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 1
oxidiert, um einen Elementtrennoxidfilm 5 an der Hauptober
fläche des Halbleitersubstrats 1 zu bilden. Wie in Fig. 3 und 4
gezeigt ist, werden der Basisoxidfilm 2 und der Nitridfilm 3
entfernt. Dieses Verfahren wird Locos-Verfahren (Lokale Oxida
tion des Siliziums) genannt.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, werden Dotierungsionen 8 auf die
Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 gerichtet, um eine Wannen
schicht 6 und eine Kanaltrennschicht 7 zum elektrischen Trennen
der Elemente voneinander zu bilden.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, werden beispielsweise Borionen zum
Bilden einer Kanalschicht in einem Elementbereich implantiert.
Dies wird Kanalimplantierung genannt. Dann werden nacheinander
ein Gateoxidfilm 9 und eine polykristalline Siliziumgateelek
trode 10 abgeschieden und strukturiert, um ein Gate 11 zu bil
den.
Wie in Fig. 7 gezeigt ist, werden Phosphorionen 13 oder, ähn
liches in das Halbleitersubstrat implantiert, um eine n--Source/
Drainschicht 12 zu bilden.
Wie in Fig. 8 gezeigt ist, wird ein Oxidfilm auf dem Halbleiter
substrat abgeschieden und dann wird ein anisotropes Ätzen durch
geführt, um Seitenwandoxidfilme 14 auf den Seitenoberflächen
des Gateoxidfilms 9 und der polykristallinen Siliziumgateelek
trode 10 zu bilden.
Wie in Fig. 9 gezeigt ist, werden Arsenionen 16 oder ähnliches
in das Halbleitersubstrat zum Bilden einer n+-Source/Drain
schicht 15 implantiert. Dann wird das Halbleitersubstrat ther
misch behandelt, um die implantierten Ionen elektrisch zu akti
vieren, so daß ein MOSFET 17 gebildet ist.
In Verbindung mit der Optimierung der Herstellungsschritte des
oben beschriebenen MOSFETs weist das der Anmelderin bekannte
Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung die folgenden
Schwierigkeiten auf.
Zum Entwickeln einer Halbleitervorrichtung ist es notwendig die
Bedingungen der Herstellungsvorrichtungen zum Herstellen der
Halbleitervorrichtung, die die vom Kunden verlangte Spezifika
tionen erfüllt, festzulegen bzw. zu extrahieren. Diese Bedingun
gen werden in dieser Beschreibung als "Prozeßbedingungen" be
zeichnet. Jede Prozeßbedingung beeinflußt eine Vielzahl von
elektrischen Charakteristika der Halbleitervorrichtung, wie z. B.
die Durchbruchsspannung, die Einsatzspannung, die Fähigkeit
Strom zu treiben und die Zuverlässigkeit. Zum Beispiel beein
flußt die Dicke des Gateoxidfilms die Einsatzspannung, die
Durchbruchsspannung, die Kapazität und die Fähigkeit Strom zu
treiben und die Zuverlässigkeit. Die Einsatzspannung kann in
zwischen durch Prozeßbedingungen beeinflußt werden, wie z. B.
die Dicke des Gateoxidfilms, die Bedingung zum Bilden von
Source/Drain und die Bedingung der Dotierung des Kanals.
Um die Prozeßbedingungen herauszufiltern, um alle geplanten
Spezifikationen zu erfüllen, werden beim Stand der Technik die
Halbleitervorrichtungen versuchsweise mit unterschiedlichen
Werten für jede Prozeßbedingung hergestellt, und elektrische
Charakteristika werden gemessen, um die optimalen Werte zu
suchen. Im folgenden wird ein Beispiel beschrieben.
Bei dem folgenden Beispiel wird angenommen, daß ein n-Typ MOS
Transistor, der entwickelt werden soll, die Spezifikation er
füllt, daß die Einsatzspannung 0,5 V ist wenn eine Drainspannung
0,2 V ist, und daß ein Drainstrom 4,5 mA ist, wenn die Drain
spannung 3 V ist. Unter den Prozeßbedingungen wird die Kanal
dosis variiert, während eine Kanalimplantierungsenergie bei
40 keV festgelegt ist, und eine n--Source/Drainimplantierungs
energie wird verändert, während eine Dosis bei 1,0 × 1014 /cm2
festgelegt ist. Die Prozeßbedingungen werden in der folgenden
Tabelle 1 gezeigt.
Die elektrischen Charakteristika der Transistoren mit den ver
schiedenen Prozeßbedingungen werden in einem Diagramm in Fig.
10 dargestellt, bei dem entlang der Abszisse die gemessenen
Werte der Einsatzspannung und entlang der Ordinate die gemes
senen Werte des Drainstroms dargestellt werden. Wie in Fig. 10
gezeigt ist, wird eine Verbindung zwischen der Kanaldosis und
der elektrischen Eigenschaft durch die Mehrzahl der Linien 18
dargestellt. Eine Verbindung zwischen der n--Source/Drainim
plantierungsenergie und der elektrischen Eigenschaft wird durch
die Gruppe der Linien 19 dargestellt. Die Schnittpunkte der
Linien 18 und 19, die mit den umkreisten Zahlen 1-16 bezeichnet
sind, stellen die gemessenen Werte dar und diese Nummern ent
sprechen den Wafernummern in der Tabelle 1.
In Fig. 10 ist die geplante oder verlangte Spezifikation durch
den Punkt 21 dargestellt. Nach Fig. 10 kann diese Spezifikation
optimal mit der Kanaldosis von 2,0 × 1012 cm2 und der n--Source/-
Drainimplantierungsenergie von 30 keV erfüllt werden.
Wenn die Anzahl der Prozeßbedingungen, die variiert werden
sollen, und die Anzahl der Charakteristika, die in der Spezifi
kation festgelegt sind, beide zwei sind, können die optimalen
Werte der Prozeßbedingungen von einer Darstellung, wie in Fig.
10 gezeigt ist, festgelegt werden.
Wenn jedoch die Anzahl solcher Charakteristika bzw. Eigenschaf
ten drei oder mehr ist, ist die statistische Suche der optima
len Werte sehr schwierig. Wenn versucht werden würde die opti
malen Werte von der Darstellung, wie in Fig. 10 gezeigt ist,
entsprechend der Anmelderin bekannten Art zu suchen, würde dies
eine sehr lange Zeit dauern, so daß eine lange Zeit und große
Kosten für die Entwicklung nötig werden. Da das der Anmelderin
bekannte Verfahren auf experimentellen Werten beruht, kann ein
optimales Ergebnis oder Lösung nicht gefunden werden, wenn das
optimale Ergebnis in den Prozeßbedingungen enthalten ist, mit
denen das Experiment nicht durchgeführt worden ist.
In der EP 599 469 A2 ist ein Verfahren zum Optimieren eines Lay
outs für einen IC unter Verwenden eines CAD-(rechnergestützter
Entwurf) Systems beschrieben. Dieses Optimierungsverfahren um
faßt einen Schritt des Darstellens der Schaltungselemente des IC
auf einem CRT-(Kathodenstrahlröhren-) Schirm, einen Schritt des
Optimierens des dargestellten IC-Layouts und einen Schritt des
Herstellens eines Maskenmusters für die IC-Herstellung. In die
sem Optimierungsverfahren wird jedoch nicht der Einfluß jeden
Prozeßschrittes der IC-Herstellung auf die Eigenschaften des IC
berücksichtigt.
Das der Erfindung zugrunde liegende Problem ist, ein Verfahren
zur Optimierung eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiter
vorrichtung zur Verfügung zu stellen, mit dem eine Halbleiter
vorrichtung, die eine geplante Spezifikation erfüllt, innerhalb
einer kürzeren Zeit und mit niedrigeren Kosten als die im Stand
der Technik entwickelt werden kann.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Optimierung
des Herstellungsprozesses einer Halbleitereinrichtung nach An
spruch 1.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ange
geben.
Entsprechend dieser Erfindung ist es möglich, basierend auf der
geplanten Spezifikation, den Parameterwert, der die geplante
Spezifikation erfüllt, durch numerische Berechnung zu finden,
da der Einfluß von jedem Prozeßschritt auf eine Eigenschaft der
Halbleitervorrichtung in der Form einer Prozeßfunktion darge
stellt ist. Obwohl eine Mehrzahl von Prozeßbedingungen mit
einer Eigenschaft verbunden sind, ist es möglich die Mehrzahl
von Prozeßbedingungen durch Quantifizierung der Beziehung
zwischen diesen Prozeßbedingungen auf einmal zu optimieren.
Als ein Ergebnis kann die Erfindung ein Verfahren zur Verfügung
stellen, bei dem eine Halbleitervorrichtung, die die geplante
Spezifikation erfüllt, mit verringertem Zeitaufwand und ver
ringerten Kosten entwickelt werden kann.
Bei dem Schritt des Beschreibens der Eigenschaft der Halblei
tervorrichtung mit der Prozeßfunktion wird die Prozeßfunktion
bevorzugt basierend auf einem experimentellen Wert festgelegt.
Da die Prozeßfunktion unter Verwendung eines experimentellen
Wertes, der in der Vergangenheit erhalten wurde, festgelegt
wird, ist es möglich eine sehr zuverlässige Funktion zu be
stimmen. Sogar in Verbindung mit einer Bedingung, für die kein
Experiment durchgeführt worden ist, kann die Bedingung, die die
Spezifikation erfüllt, einfach durch Interpolation oder Extra
polation der Prozeßfunktion gefunden werden. Folglich kann die
Halbleitervorrichtung, die die Spezifikation erfüllt, innerhalb
einer kurzen Zeit mit niedrigen Kosten entwickelt werden.
Entsprechend einer Ausführungsform enthält der Schritt des Be
schreibens der Eigenschaft der Halbleitervorrichtung mit der
Prozessfunktion den Schritt des Bestimmens der Prozessfunktion
basierend auf einem simulierten Wert. Da die Prozeßfunktion von
dem simulierten Wert ausgehend festgelegt wird, können Bedin
gungen, für die das Experiment nicht durchgeführt wurde, in der
Prozeßfunktion berücksichtigt werden.
In einer anderen Ausführungsform enthält der Schritt des Be
schreibens der Eigenschaft der Halbleitervorrichtung mit der
Prozeßfunktion den Schritt des Festlegens der Prozeßfunktion
unter Verwendung eines experimentellen Wertes und eines simu
lierten Wertes. Mit Bezug auf den Prozeßparameter ist es mög
lich die Prozeßfunktion, die sehr genau und sehr effektiv in
Bezug auf einen großen Bedingungsbereich ist, festzulegen. Von
einem Wert in der Spezifikation ausgehend, ist es möglich, den
Parameterwert, der dasselbe erreicht, durch numerische Berech
nung zu erhalten.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Prozeßfunktion mit
einer Mehrzahl von linearen Funktionen beschrieben. Genauer
wird die Parameterfunktion in eine Mehrzahl von Bereiche auf
geteilt, wobei in jedem die Eigenschaft der Halbleitervorrich
tung als eine lineare Funktion dargestellt wird. Die numerische
Berechnung zum Bestimmen der Parameter kann einfacher als in
dem Fall, bei dem die Linearfunktion nicht verwendet wird,
durchgeführt werden.
In einer weiteren Ausführungsform enthält der Schritt des Be
schreibens der Eigenschaft der Halbleitervorrichtung mit der
Prozeßfunktion den Schritt des Bestimmens einer Mehrzahl von
Prozeßfunktionen, wobei jede eine Eigenschaft der Halbleitervor
richtung beschreibt, die durch einen entsprechenden der Prozeß
schritte bestimmt wird, und den Schritt des Darstellens von
jeder der Eigenschaften der Halbleitervorrichtung durch eine
lineare Kombination der Mehrzahl von Prozeßfunktionen.
Jede Prozeßfunktion wird durch die lineare Kombination der Pro
zeßfunktion dargestellt und jede Prozeßfunktion beschreibt die
Eigenschaft, die einer der elektrischen Eigenschaften der Halb
leitervorrichtung gegeben wird. Die Prozeßfunktion, die eine
Verbindung zwischen der Mehrzahl von Eigenschaften und den Pro
zeßparametern herstellt, kann in einer Matrix-Form dargestellt
werden. Dies erlaubt eine einfache numerische Berechnung zum Heraus
filtern bzw. Extrahieren der Parameter.
In einer weiteren Ausführungsform wird beim Schritt des Berech
nens der Prozeßparameter ein Gauss-Newton Verfahren, ein Leven
berg-Marquardt Verfahren, ein Denis-Gay-Welsch Verfahren oder
ein Biggs Verfahren verwendet.
Das Gauss-Newton Verfahren kann eine gute Konvergenzeigenschaft
in Bezug zu einem Problem mit einer relativ starken Linearität
zur Verfügung stellen. Das Levenberg-Marquardt Verfahren ist
stabil in Bezug zu einem Problem mit einer relativ starken
Nichtlinearität und kann schnell Konvergenz zur Verfügung stel
len. Da das Denis-Gay-Welsch Verfahren und das Biggs Verfahren
einen relativ großen Konvergenzradius und kleine Anfangswertab
hängigkeit aufweisen, können die Parameter sicher und stabil be
rechnet werden. Daher kann die Berechnung der Parameter effi
zient durchgeführt werden entsprechend den Eigenschaften des je
weiligen Problems. In diesem Fall können die Anfangswerte mit
Zufallszahlen bestimmt werden. Durch Festlegen der Anfangswerte
mit Zufallszahlen und wiederholter Berechnung kann eine Mehrzahl
von minimalen Werten gefunden werden, und der kleinste Wert in
einem globalen Bereich kann herausgefiltert werden.
In einer weiteren Ausführungsform wird bei dem Schritt des
Herausfilterns der Prozeßparameter ein simuliertes Ausheilver
fahren verwendet. Bei einem Problem mit einer Mehrzahl von
minimalen Werten kann der kleinste Wert in einem großen Bereich
gefunden werden. Der kleinste Wert kann durch Erhöhen eines Be
reiches der Werte der Parameter global gesucht werden.
In einer weiteren Ausführungsform enthält der Schritt des
Herausfilterns der Prozeßparameter den Schritt des Festlegens
einer oberen und einer unteren Grenze für die Prozeßparameter
und Herausfiltern der Prozeßparameter in einem Bereich zwischen
der oberen und der unteren Grenze. Dadurch können Parameter mit
einer physikalischen Bedeutung herausgefiltert werden.
In einer weiteren Ausführungsform enthält der Schritt des
Herausfilterns bzw. Extrahierens der Prozeßparameter den Schritt
des Begrenzens eines Bereiches zum Herleiten der Prozeßparameter
aus einen Bereich, in dem sich der Prozeßparameter monoton
ändert, und die optimalen Prozeßparameter werden von dem be
grenzten Bereich herausgefiltert. Dadurch kann die Anzahl der
minimalen Werte reduziert werden, so daß die Parameter effizien
ter herausgefiltert werden können.
In dem Schritt des Herausfilterns der Prozeßparameter können
alle Prozeßparameter auf einmal herausgefiltert werden. Alter
nativ kann ein Teil der Prozeßparameter zu Anfang auf einmal
herausgefiltert werden, wobei in dem Fall die Werte der heraus
gefilterten Prozeßparameter dann festgelegt sind, und die ver
bleibenden Prozeßparameter werden herausgefiltert. In diesem
Fall werden nur die Prozeßparameter mit hoher Empfindlichkeit
von den Prozeßparametern zu Anfang herausgefiltert. Die Werte
der Prozeßparameter mit einer hohen Empfindlichkeit werden dann
als herausgefilterte Werte festgelegt, und dann werden die
Prozeßparameter mit niedriger Empfindlichkeit herausgefiltert,
wodurch das Herausfiltern bzw. Berechnen der Parameter effi
zienter durchgeführt werden kann.
Wenn eine Mehrzahl von optimalen Ergebnissen gefunden werden,
kann eine Empfindlichkeitsanalyse bei jedem der Mehrzahl von
optimalen Ergebnissen zum Auswählen der optimalen Ergebnisse
durchgeführt werden, die so festgelegt sind, daß sie die nied
rigste Empfindlichkeit haben. Diese bilden dann eine Gruppe von
optimalen Prozeßparametern. Dadurch kann der optimale Wert, der
eine große Prozeßtoleranz aufweist, festgelegt werden.
In einer weiteren Ausführungsform werden die herausgefilterten
Prozeßparameter über ein Übertragungssystem zu einer Herstel
lungsfabrik übertragen und die Halbleitervorrichtung wird ent
sprechend der Bedingung, die mit den übertragenen Parametern
übereinstimmt, in der Herstellungsfabrik hergestellt. Damit
kann die Entwicklungszeit geringer sein als die im Stand der
Technik.
In einer weiteren Ausführungsform enthält der Schritt des Be
schreibens der Eigenschaft mit der Prozeßfunktion, wenn eine
spezielle Prozeßfunktion eine Funktion von einer Mehrzahl
von Prozeßparametern ist, den Schritt des Festlegens eines
Teils der Prozeßparameter jeweils zu einer Mehrzahl von Werten,
und unterschiedliches Ändern der verbleibenden Prozeßparameter,
um einen Verteilungsbereich der Funktionswerte der Prozeßfunk
tion in Bezug zu jedem Wert der verbleibenden Prozeßparameter
zu finden, und den Schritt des Herausfilterns eines zentralen
Wertes in dem gefundenen Verteilungsbereich in Bezug zu jedem
Wert der verbleibenden Prozeßparameter und Festlegens einer
Serie von zentralen Werten als die Prozeßfunktion.
Da die Prozeßfunktion immer mit den zentralen Werten festgelegt
wird, wird die Prozeßfunktion nicht durch die Variation eines
spezifischen Parameters signifikant beeinflußt. Sogar wenn ein
spezieller Prozeßparameter sich ändert, weicht die gefundene
Eigenschaft von der Spezifikation nicht um einen großen Wert
ab, da der Wert der Prozeßfunktion ein Mittel der Prozeßfunk
tionswerte ist.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der
Figuren. Von den Figuren zeigen
Fig. 1 bis 9 jeweils schematisch die Schritte in einem der An
melderin bekannten Herstellungsverfahren eines MOSFETs;
Fig. 10 eine Darstellung, die die elektrischen Eigenschaften
eines Transistors beeinflußt durch Änderung einer Pro
zeßbedingung darstellt;
Fig. 11 ein Beispiel einer Beziehung eines Prozeßparameters und
einer Prozeßfunktion desselben;
Fig. 12 ein Ablaufdiagramm, das schematisch die Schritte eines
Herstellungsverfahrens einer Halbleitervorrichtung nach
der Erfindung zeigt;
Fig. 13 ein Ablaufdiagramm, das die Schritte des Herausfilterns
eines Prozeßparameters in einer ersten Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
Fig. 14 schematisch die Übertragung des Prozeßparameters;
Fig. 15 schematisch die Abhängigkeit eines herausgefilterten
Parameterwertes von einem Anfangswert;
Fig. 16 ein Ablaufdiagramm, daß die Schritte des Herausfilterns
eines Prozeßparameters in einer zweiten Ausführungsform
zeigt;
Fig. 17 ein Ablaufdiagramm, daß die Schritte der Berechnung in
einer dritten Ausführungsform zeigt;
Fig. 18 ein Ablaufdiagramm, daß die Schritte des Berechnens
einer vierten Ausführungsform zeigt;
Fig. 19 ein Ablaufdiagramm, daß die Schritte eines Prozeßes
entsprechend einer fünften Ausführungsform zeigt;
Fig. 20 schematisch eine Prozeßfunktion entsprechend einer
sechsten Ausführungsform;
Fig. 21 schematisch einen Verteilungsbereich zweier Prozeßpara
meter P und Q und einer Funktion F (P, Q) davon; und
Fig. 22 ein Ablaufdiagramm, daß die Schritte in einem Prozeß
entsprechend zu der sechsten Ausführungsform zeigt.
Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden beschrieben.
Fig. 11 zeigt eine Kurve 24, die ein Beispiel einer Prozeßfunk
tion F(a) eines Prozeßparameters a darstellt. Der Prozeßpara
meter entspricht einer Bedingung in einem Schritt der Herstel
lung einer Halbleitervorrichtung. Die Prozeßfunktion beschreibt
eine Eigenschaft eines herzustellenden Halbleitervorrichtungs
elements. Diese Eigenschaft ist nicht auf eine elektrische
Eigenschaft beschränkt.
Wenn beispielsweise die elektrischen Eigenschaften, die in der
Spezifikation festgelegt sind, eine Einsatzspannung (VTH) eine
Stromtreiberkapazität (Gm), eine Durchbruchsspannung (BV) und
eine Substratkonstante (K) sind, und die Prozeßparameter können
eine Gateoxidfilmdicke (tox), eine Kanaldosis (Dc) eine Seiten
wandbreite (Ws), eine Ionenimplantierungsenergie der n--Source/
Drain (Esd) und eine Wärmebehandlungszeit (ta) sein, können in
diesem Fall jede elektrische Eigenschaft durch die folgende
Formel (1) ausgedrückt werden.
VTH = a1F1(tox) + a2F2(Dc) + a3F3(Ws) + a4F4(Esd) + a5F5(ta)
Gm = b1G1(tox) + b2G2(Dc) + b3G3(Ws) + b4G4(Esd) + b5G5(ta)
BV = C1H1(tox) + C2H2(Dc) + C3H3(Ws) + C4H4(Esd) + C5H5(ta)
K = d1I1(tox) + d2I2(Dc) + d3I3(Ws) + d4I4(Esd) + d5I5(ta) ... (1)
Gm = b1G1(tox) + b2G2(Dc) + b3G3(Ws) + b4G4(Esd) + b5G5(ta)
BV = C1H1(tox) + C2H2(Dc) + C3H3(Ws) + C4H4(Esd) + C5H5(ta)
K = d1I1(tox) + d2I2(Dc) + d3I3(Ws) + d4I4(Esd) + d5I5(ta) ... (1)
In der Formel (1) sind F1, G1, H1, I1 Prozeßfunktionen des
Gateoxidfilms, die mit einem Gateoxidierungsschritt zusammen
hängen. F2, G2, H2 und I2 sind Prozeßfunktionen einer Kanal
dosis, die mit der Kanalionenimplantation zusammenhängen. Die
F3, G3, H3 und I3 sind Prozeßfunktionen einer Seitenwandbreite,
die mit einem Seitenwandbildungsschritt zusammenhängen. Die F4,
G4, H4 und I4 sind Prozeßfunktionen einer Ionenimplantierungs
energie, die mit einem n--Source/Drain Bildungsschritt zusammen
hängen. Die F5, G5, H5 und I5 sind Prozeßfunktionen einer
Wärmebehandlungszeit, die mit einem Wärmebehandlungsschritt zu
sammenhängen. Die ai, bi, ci und di (i = 1, 2, 3, 4, 5) sind
Parameter für eine lineare Kombination dieser Prozeßfunktionen.
Es wird darauf hingewiesen, daß diese nicht die "Prozeßpara
meter" sind. In dem durch die Formel (1) dargestellten Beispiel
weist die Prozeßfunktion nur ein Argument auf. Prozeßfunktionen,
die zwei oder mehr Argumente enthalten, können in einer ähn
lichen Form dargestellt werden.
Jede Prozeßfunktion und jeder Parameter kann beispielsweise von
experimentellen Werten festgelegt werden. In diesem Beispiel
kann die Zuverlässigkeit durch Speichern und Verwenden der ex
perimentellen Ergebnisse, die in der Vergangheit erhalten
wurden, verbessert werden. Wenn ein experimenteller Wert für
eine spezielle Bedingung nicht verfügbar ist, ist es möglich
die Prozeßfunktion und die Parameter unter Verwendung eines
Berechnungsergebnisses einer Halbleiterprozeßsimulation zu
bestimmen. Durch die Verwendung des Berechnungsergebnisses der
Simulation ist es möglich die optimalen Prozeßparameter fest
zulegen, für die ein Experiment nicht einfach ausgeführt werden
kann.
Im folgenden wird ein Verfahren zum Auffinden der optimalen
Prozeßparameter in einem Fall, bei dem die Einsatzspannung VTH*
sein soll, die Stromtreiberkapazität Gm* sein soll, die Durch
bruchsspannung BV* sein soll und die Substratkonstante K* sein
soll entsprechend den elektrischen Eigenschaften, die in der
Spezifikation festgelegt sind, beschrieben.
Fig. 12 zeigt die Schritte der Herstellung der Halbleitervor
richtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Zu
erst wird die Prozeßfunktion festgelegt (Schritt 30) und dann
wird der Prozeßparameter mit dieser Prozeßfunktion festgestellt
(Schritt 32). Der festgestellte Prozeßparameter wird online
über ein LAN (lokales Netz), eine Satellitenverbindung, eine
privat gemietete Leitung oder eine öffentliche Telefonleitung
(Schritt 34) zu der Herstellungsfabrik übertragen, und die
Halbleitervorrichtung wird unter Verwendung des übertragenen
Prozeßparameters hergestellt (Schritt 36).
Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird das Festsetzen des Spezifi
kationswertes zuerst in dem Schritt 32 des Feststellens des
Prozeßparameters (Schritt 40) durchgeführt. Dann wird der
Startwert des Prozeßparameters gesetzt (Schritt 42). Wenn die
gleiche oder eine ähnliche Spezifikation in der Vergangenheit
gefordert wurde, werden die optimalen Prozeßparameterwerte, die
in der Vergangenheit festgestellt wurden, als Ausgangswerte ge
setzt. Dies entspricht dem Ersetzen der Anfangswerte der Pro
zeßparameter in der obigen Formel (1). Wenn die Spezifikation
neu ist, können die Anfangswerte von Zufallszahlen bestimmt
werden. Beispielsweise können durch mehrmaliges Wiederholen des
Schrittes des Feststellens des Anfangswertes von Zufallszahlen
und des Auffindens des optimalen Ergebnisses, basierend auf
denselben, die besten Optimalwerte von diesen ausgewählt
werden, so daß die optimalen Werte global ausgewählt werden
können.
Im nächsten Schritt 48 wird eine Berechnung durchgeführt, um
die Summe der Quadrate der Differenzen zwischen den Werten der
elektrischen Eigenschaften, die durch die Prozeßfunktionen dar
gestellt und somit bestimmt sind, und den Werten in der Spezi
fikation aufzufinden (Schritt 48). Dies wird durch die folgende
Formel (2) ausgedrückt.
S = w1(VTH - V*TH)2 + w2(Gm - G*m)2
+ w3(BV - BV*)2 + w4(K - K*)2 ... (2)
In der Formel (2) ist 5 die Summe der Quadrate und wi (i =
2, 3, 4, 5) stellt eine Gewichtung dar. Durch Einstellen der
Gewichtungen kann den Werten, die in der Spezifikation fest
gelegt sind, ein Vorrang gegeben werden, um die Werte aufzu
finden, die mit dem höchsten Vorrang verbunden sind.
Unter der Annahme, daß die Summe der Quadrate S minimal mit den
Prozeßparametern tox #, Dc #, Ws #, Esd # und ta # ist, ist die
folgende Formel (3) erfüllt.
Um das Ergebnis zu finden, das die Formel (3) erfüllt, verwen
det diese Ausführungsform das Newton Verfahren. Die folgende
Formel (4) ergibt sich aus der Taylor Entwicklung der Werte,
die durch Differenzierung von S mit den Prozeßparametern herge
leitet sind.
wobei m in diesem Beispiel 5 ist, x ist ein Vektor mit optimalem
Wert, x (q) ist ein q-te Vektor von Annäherungswerten der Pro
zeßparameter. In dieser Beschreibung und in den Zeichnungen
stellen unterstrichene kleine Buchstaben Vektoren dar und
stellen unterstrichene große Buchstaben Matrizen dar.
Durch wiederholtes Berechnen in dieser Art kann der Vektor x (q)
durch die folgende Formel (5) dargestellt werden, wobei ange
nommen wird, daß die Annäherungswerte der q-ten Prozeßparameter
tox (q), Dc (q), Ws (q), Esd (q) und ta (q) sind. Die Komponenten x1,
x2, x3, x4 und x5 des Vektors x (q) entsprechen jeweils tox (q),
Dc (q), Ws (q), Esd (q) und ta (q).
In dem mittleren Teil der Formel (4) stellen jeweils der erste
Ausdruck den 0-ten Ausdruck, der zweite Ausdruck den 1-ten Aus
druck und die folgenden Ausdrücke die 2-ten und höheren Aus
drücke dar. Wenn der zweite und die höheren Ausdrücke in der
Formel (4) vernachlässigt werden, wird die folgende Formel (6)
erhalten.
Die Formel (6) kann genauer durch die folgende Formel 7 darge
stellt werden.
Durch Auffinden der Variation Δx in der Formel (7) werden die
(q + 1)-ten Näherungswerte durch die folgende Formel (8) ausge
drückt.
x (q+1) = x (q) + Δx (8)
Die Berechnung der Formeln (7) und (8) werden wiederholt, und
es ist festgelegt, daß die Konvergenz von x eintritt, wenn die
Differenz zwischen dem berechneten Wert der Eigenschaft der
Halbleitervorrichtung und dem festgelegten Wert unter einen
vorbestimmten Wert sinkt. Dieser Ablauf ist durch die Schritte
44-60 in Fig. 13 gezeigt.
Durch die obige Berechnung können die optimalen Prozeßparameter
gleichzeitig gefunden werden. In der obigen Beschreibung wird
die Differenzierung der Prozeßparameter der Summe S der Quadrate
der Differenzen zweimal durchgeführt. Durch die zweimalige Be
rechnung der Differenzierung wird jedoch ein großer Aufwand
verursacht. Folglich wird die folgende Methode für die Berech
nung verwendet.
Die Formel (2) kann in die folgende verallgemeinende Formel (9)
umgeschrieben werden.
In der Formel (9) ist 5 die Summe der Quadrate, ist wi eine
Gewichtung, ist yi ein gemessener Wert, ist fi eine Modell
formel und ist xi ein Parameter. Die Ableitung der zweiten
Ordnung von S für die jeweiligen Parameter kann durch die fol
genden Formeln (10) und (11) berechnet werden.
Durch Vernachlässigen des zweiten Ausdrucks der rechten Seite
der Formel (11) und durch Darstellen des ersten Differentials
in der Form einer Jacobimatrix A kann die Formel (6) in die
folgende Formel (12) umgeschrieben werden.
Der Index "t" der Matrix bezeichnet das Transponieren einer
Matrix. W ist die Matrix der Gewichtungen. Der Vektor v in der
Formel (12) wird Restvektor genannt. Wenn die Anzahl der Modelle
n ist und die Anzahl der Parameter m ist, kann die Jakobimatrix
A wie folgt dargestellt werden.
In der aktuellen Berechnung wird die folgende Formel (14) ge
löst (Formel (15)), und die Parameter werden aktualisiert unter
Verwendung der abgeleiteten Variation Δx. Diese Berechnung
wird solange wiederholt bis die Konvergenz des Wertes von S ein
tritt.
AΔx = v ... (14)
Δx = A -1 v ... (15)
Die Art der Berechnung, bei der die Ableitung der zweiten Ord
nung in der Formel (11) ignoriert wird und die Formel (6) wie
oben beschrieben in die Formel (14) übergeführt wird, wird das
Gauss-Newton Verfahren genannt. Nach dem Gauss-Newton Verfahren
können die optimalen Prozeßparameter einfach aufgefunden werden
im Zusammenhang mit einem relativ linearen Problem.
Um die Prozeßparameter aufzufinden, muß in einigen Fällen für
die Prozeßparameter eine obere und eine untere Grenze gesetzt
werden. Der Zweck davon ist es, im voraus die Werte der Prozeß
parameter zu entfernen, die solchen Bedingungen entsprechen,
die die Halbleiterherstellungsvorrichtung nicht erfüllen können.
Beispielsweise ist es notwendig im voraus den Wert zu entfer
nen, der dem Auftreffwinkel von 90° entspricht, in Zusammen
hang mit der Ionenimplantation.
Die Berechnung in dem Minimum-Quadrierungsverfahren zum Setzen
des Bereiches der Werte der Parameter kann wie folgt durchge
führt werden. Für den Fall, bei dem die Anzahl der Parameter
fünf ist, z. B. tox, Dc, Ws, Esd und ta, wird angenommen, daß
der Bereich des Parameters Ws die Beziehung von Wsmin < Ws <
Wsmax erfüllt.
Wenn der Wert des Parameters Ws in diesem Bereich ist, kann die
Berechnung durch die folgende Formel (16) durchgeführt werden.
Es wird angenommen, daß Ws nicht in den gesetzten Bereich nach
der Berechnung der Formel (16) fällt. In diesem Fall muß die
folgende Formel (17) in der nächsten wiederholenden Berechnung
gelöst werden.
In diesem Fall, wenn Ws größer ist als Wsmax, wird Ws zu Wsmax
(Ws = Wsmax) gesetzt, und wenn Ws kleiner ist als Wsmin, wird
Ws zu Wsmin (Ws = Wsmin) gesetzt. Auch wird bei der Matrix auf
der linken Seite der Formel (17) eine der Zeilen, die mit dem
Differential für Ws zusammenhängt, entfernt, um eine Matrix von
4 × 4 zu bilden. Dann werden die Änderungen Δtox, ΔDc, ΔEsd und
Δta die Parameter, die andere sind als Ws berechnet. In dieser
Art wird die Formel (16) solange berechnet wie Ws innerhalb
des Bereiches ist. Wenn Ws nicht mehr in diesen Bereich fällt,
wird Ws zu dem Wert innerhalb des Bereiches festgesetzt und die
Formel (17) wird berechnet. In dieser Art werden alle Berech
nungen solange wiederholt bis die Änderungen sich genügend ver
ringern.
Fig. 14 zeigt schematisch den Schritt des Sendens der so gefun
denen Prozeßparameter und die Herstellung der Halbleitervorrich
tungen. Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird die Funktion des
Herausfilterns der optimalen Parameter durch ein Programm ver
wirklicht, das auf einem EWS 72 läuft (Arbeitsplatzrechner).
Der EWS 72 kann einen üblichen Aufbau aufweisen. Der EWS 72 ist
online oder über Satellitenleitung mit der Fabrik 74 verbunden
und die berechneten optimalen Parameter werden zu der Halblei
terfabrik 74 gesendet. In der Halbleiterfabrik 74 werden die
übertragenen Prozeßparameter in einer CVD Vorrichtung 82, einer
Ionenimplantierungsvorrichtung 84, einem Belichtungssystem 86
und einem Ätzelement 88 zum Herstellen von Halbleitervorrichtun
gen verwendet.
Wie oben beschrieben ist die Vorrichtung mit der Funktion der
Berechnung der Prozeßparameter online mit den Halbleiterher
stellungsvorrichtungen verbunden, wodurch die Halbleitervor
richtungen, die die geforderten Spezifikationen erfüllen, inner
halb einer Periode, die kürzer ist als die im Stand der Technik,
hergestellt werden können. Weiter kann durch Verbinden des Ar
beitsplatzrechners und der Halbleiterherstellungsvorrichtungen
über die Satellitenleitung ein ähnlicher Vorteil erreicht wer
den, sogar wenn der Platz des Designs fern von dem Platz der
Halbleiterherstellungsvorrichtung gelegen ist.
Die Ausführungsform wurde in Verbindung mit dem Fall beschrie
ben, bei dem das Gauss-Newton Verfahren als das Verfahren der
Berechnung der optimalen Prozeßparameter verwendet Wird. Dieses
Verfahren ist jedoch in Zusammenhang mit einem Problem, das
eine starke Nicht-Linearität aufweist, instabil. Für das Prob
lem mit einer starken Nicht-Linearität kann anstelle des Gauss-
Newton Verfahrens das Levenberg-Marquardt Verfahren verwendet
werden, wodurch die optimalen Prozeßparameter berechnet werden
können. Weiterhin können auch das Denis-Gay-Welsch Verfähren
oder das Biggs Verfahren verwendet werden. Da diese Verfahren
auch einen zweiten Differentialausdruck berücksichtigen, ist
der Konvergenzradius größer als der in dem Levenberg-Marquardt
Verfahren und die Anfangsabhängigkeit ist gering. Daher können
die optimalen Prozeßparameter stabiler und sicherer im Zusammen
hang mit dem Problem der starken Nicht-Linearität berechnet
werden.
Wie oben beschrieben können die optimalen Prozeßparameter mit
dem Gauss-Newton Verfahren oder dem Levenberg-Marquardt Verfah
ren berechnet bzw. extrahiert werden. Diese Verfahren weisen
jedoch die Schwierigkeit auf, daß das Konvergenzergebnis von dem
Anfangswert des Parameters abhängt. Es ist z. B. angenommen, wie
schematisch durch die Kurve 90 in Fig. 15 gezeigt, daß die Summe
der Quadrate der Differenzen zwei minimale Werte an zwei Punkten
im Zusammenhang mit dem Parameterwert aufweisen. Wenn in diesem
Fall die Parameterberechnung von dem Anfangswert, der durch das
Bezugszeichen 96 bezeichnet ist, mit dem oben beschriebenen
Verfahren beginnt, wird der Minimalwert 94 berechnet. Wie je
doch in Fig. 15 gezeigt ist, kann jedoch eine solche Situation
auftreten, daß ein Minimalwert 92 aktuell der optimalste Para
meter ist. Somit ist der Prozeßparameter, der als das Konver
genzergebnis in dem obigen Verfahren aufgefunden wird, nicht
immer der kleinste Wert.
Um diese Schwierigkeit so weit wie möglich zu verhindern, ver
wendet die zweite Ausführungsform das folgende Verfahren. Zu
erst wird der Startwert von Zufallszahlen festgelegt und die
Berechnung ausgehend von dem so bestimmten Anfangswert wird
durchgeführt, um das Ergebnis nach dem Berechnungsverfahren der
ersten Ausführungsform zu erhalten. Durch mehrfaches Wieder
holen dieser Berechnungen werden eine Mehrzahl von Ergebnissen
aufgefunden, und die kleinste Summe der Quadrate der Differenzen
von diesen wird als das Ergebnis ausgewählt. Damit ist es mög
lich, den Parameter des oder nahe des minimalen Wertes aufzufin
den.
Fig. 16 ist ein Ablaufdiagramm, das den Prozeß nach dem obigen
Verfahren zeigt. Zuerst wird die Variable i auf eins gesetzt
(Schritt 100). Ein i-ter Anfangswert wird von den Zufallszahlen
bestimmt (Schritt 102). Ausgehend von diesem Anfangswert wird
die Berechnung entsprechend dem schon beschriebenen Verfahren in
Verbindung mit der ersten Ausführungsform solange durchgeführt
bis die Summe der Quadrate S(i) in dem Minimum-Quadratverfahren
minimiert ist (Schritt 104). Eine so gefundene Gruppe von Pro
zeßparametern, die S(i) minimieren, wird als x(i) bezeichnet
(Schritt 106). Dann wird i um eins erhöht (Schritt 108). Es
wird festgestellt ob i größer als die Zahl (n) der Ergebnisse
die gefunden werden sollen ist oder nicht (Schritt 110). Wenn i
nicht größer als n ist, bringt die Steuerung den Ablauf zu
Schritt 102 zurück. Wenn i größer als n ist, bringt die Steue
rung den Ablauf zu Schritt 112.
Durch das Durchführen der obenbeschriebenen Schritte 100-
110 werden die n minimalen Summen der Quadrate S(1), S(2), ...,
S(n) erhalten. Unter diesen wird j gefunden, das den kleinsten
Wert von S(j) angibt (Schritt 112). Eine Gruppe von im Schritt
112 gefundenen Prozeßparametern x(j), die S(j) angeben, werden
als Prozeßparameter bestimmt, die gefunden werden sollen.
Durch das obige Verfahren kann der Prozeßparameter, der dem
minimalen Wert entspricht, der eine große Wahrscheinlichkeit
aufweist, daß er der kleinste Wert ist, als das optimale Ergeb
nis erhalten werden, sogar wenn eine Mehrzahl von minimalen
Werten existiert.
In Bezug zu der Schwierigkeit mit der Mehrzahl von Minimalwerten
kann der Parameterwert, der den kleinsten Wert angibt, nicht
erhalten werden, wenn der Anfangswert des Parameters, wie schon
in Verbindung mit der zweiten Ausführungsform (siehe Fig. 15)
beschrieben wurde, ungünstig ist. In diesem Fall kann das Ver
fahren des simulierten Ausheilens verwendet werden, wodurch der
minimale Wert ohne Abhängigkeit von dem Anfangswert gefunden
werden kann.
Nach dem Verfahren der simulierten Ausheilung wird der optimale
Wert nicht durch Finden des Konvergenzergebnisses durch den
Algorithmus, z. B. das vorher beschriebene Gauss-Newton Verfah
ren, aufgefunden, aber die Berechnung wird für verschiedene
Parameter durchgeführt, um die Summe der Quadrate S(i) davon zu
finden, so daß eine Gruppe von Prozeßparametern von diesen, die
die kleinsten Werte angeben, als die Prozeßparameter ausgewählt
werden.
Fig. 17 ist ein Ablaufdiagramm, das die Schritte zum Ausführen
des obigen Verfahrens zeigt. Wie in Fig. 17 gezeigt ist, wird
die Variable i auf eins gesetzt (Schritt 120). Eine Gruppe der
i-ten Prozeßparameter x(i) wird von den Zufallszahlen festgelegt
(Schritt 122). Dann wird die Prozeßfunktion mit dieser Gruppe
von Prozeßparametern x(i) berechnet, um die charakteristischen
Werte aufzufinden, und die Summe der Quadrate S(i) für die
charakteristischen Werte und die festgelegten Werte wird be
rechnet (Schritt 124). Beim Schritt 126 wird i um eins erhöht.
Wenn i kleiner oder gleich als n ist, bringt die Steuerung den
Ablauf zum Schritt 122 zurück, und wenn nicht bringt die Steue
rung den Ablauf zum Schritt 130.
Durch wiederholtes Ausführen der Schritte 122-128 werden die
Summen der Quadrate S(i) für n Prozeßparameter berechnet.
Eine Bearbeitung wird durchgeführt, um den kleinsten Wert S(j)
von diesen Summen der Quadrate S(1), S(2), ..., S(n) zu finden.
Die Gruppe x(j) der Prozeßparameter, die S(j) angeben, wird als
die Prozeßparameter festgelegt, die gefunden werden sollen.
Die elektrischen Eigenschaften werden mit der Prozeßfunktion
für die Gruppe der Prozeßparameter berechnet und die Summe der
Quadrate S(i) wird für diese und die festgelegten Werte berech
net. Die Prozeßparameter, die den kleinsten Wert von den be
rechneten Werten angeben, werden ausgewählt, wodurch der
kleinste Wert ohne Abhängigkeit von dem Ausgangswert aufgefun
den werden kann.
In der schon beschriebenen zweiten Ausführungsform und dritten
Ausführungsform können eine Mehrzahl von optimalen Parameter
gruppen gefunden werden. In diesem Fall kann jede der Parameter
gruppen als das optimale Ergebnis verwendet werden, aber es ist
wünschenswert das optimale Ergebnis in der folgenden Art auszu
wählen.
Im allgemeinen ist es schwierig, sogar wenn der Prozeßparameter
bestimmt ist, Prozeßbedingungen zu erreichen, die mit den Pro
zeßparametern übereinstimmen, aufgrund von Faktoren, wie z. B.
der Steuerung der Betriebsgenauigkeit der Vorrichtungen. Daher
ist es wünschenswert ein Ergebnis zu erhalten, das von dem
festgelegten Wert nicht um einen großen Betrag abweicht, sogar
wenn die Prozeßbedingungen um einen gewissen Bereich variieren
können. Daher ist es wünschenswert das Ergebnis als das optimale
Ergebnis auszuwählen, das einen größeren Prozeßspielraum zur
Verfügung stellt.
Aufgrund der obigen Absicht werden, wenn eine Mehrzahl von
optimalen Parametergruppen, wie oben beschrieben, aufgefunden
werden, Empfindlichkeitsanalysen von jeder Parametergruppe
durchgeführt und die von diesen, die eine geringe Empfindlich
keit aufweist wird als die optimale ausgewählt. Die "geringe
Empfindlichkeit" bedeutet, daß sich die elektrischen Eigen
schaften nur um einen relativ geringen Betrag in Zusammenhang
mit einer geringen Änderung des Parameters ändern.
Fig. 18 ist ein Ablaufdiagramm der Verarbeitung zum Ausführen
des obigen Verfahrens. Die in Fig. 18 gezeigte Verarbeitung
kann in einem solchen Fall durchgeführt werden, in dem eine
Mehrzahl von Ergebnissen von der Verarbeitung, z. B. in der
zweiten und dritten Ausführungsform, erhalten werden.
Im Schritt 140 wird festgestellt, ob mehrere optimale Ergeb
nisse erhalten worden sind oder nicht. Wenn nicht mehrere optimale
Ergebnisse erhalten wurden, wird die folgende Verarbei
tung nicht benötigt.
Es wird angenommen, daß es n(n ≧ 2) optimale Ergebnisse gibt, die
als x(i) (i = 1 bis n) dargestellt werden.
Im Schritt 142 wird die Variable i auf eins gesetzt. Im nächsten
Schritt 144 wird x(i) + Δx berechnet. Somit wird eine vorbe
stimmte Änderung dieser Parametergruppe zugeführt. Im Schritt
146 wird S(i) + ΔS(i) mit x(i) + Δx berechnet. Die Änderung
ΔS(i) wird in diesem Fall durch eine vorbestimmte Formel festge
legt, die eine Größe einer Änderung darstellt. Beispielsweise
kann sie die Summe der Quadrate der Differenzen zwischen dem
durch die Berechnung erhaltenen Wert und dem originalen Wert
S(i) in Zusammenhang mit jedem Parameter sein. Im Schritt 148
wird i um eins erhöht. Wenn i kleiner oder gleich als n ist,
bringt die Steuerung den Ablauf zu Schritt 144, und wenn nicht
bringt die Steuerung den Ablauf zu Schritt 152 (Schritt 150).
Im Schritt 152 wird der kleinste Wert ΔS(j) von den n Änderungen
ΔS(1), ΔS(2), ..., ΔS(n), die wie oben beschrieben erhalten
wurden, aufgefunden. Die Prozeßparametergruppe x(j), die den
kleinsten Wert ΔS(j) angibt, wird als der Prozeßparameter ausge
wählt, der gefunden werden soll.
Das Auswählen des optimalen Ergebnisses in der obigen Art er
höht den Prozeßspielraum für die tatsächliche Herstellung, was
die Möglichkeit verringert, daß die tatsächlich hergestellte
Halbleitervorrichtung Eigenschaften aufweist, die deutlich von
den festgelegten Werten abweichen.
Wenn es eine Vielzahl von Prozeßparametern gibt, wird der Auf
wand der Berechnung entsprechend den vorher aufgeführten Be
rechnungen groß. Beschränkungen können einem Teil der Prozeß
parameter aufgrund von Beschränkungen, wie z. B. durch die Her
stellungsvorrichtung, aufgelegt werden. Diese fünfte Ausfüh
rungsform stellt ein Verfahren zur Verfügung, das die effiziente
Berechnung von Prozeßparametern sogar in diesem Fall ermöglicht.
Kurz gesagt, wird das Verfahren der fünften Ausführungsform in
einer solchen Art durchgeführt, daß nach dem Auswählen und Opti
mieren von nur Parametern hoher Empfindlichkeit die Optimierung
nochmal nur mit Parametern mit einer geringen Empfindlichkeit
durchgeführt wird, während die optimalen Werte der Parameter
mit der hohen Empfindlichkeit als festgelegte Werte beibehalten
werden. Dies reduziert den Aufwand der Berechnung der Parameter,
so daß das Herausfinden effizienter durchgeführt werden kann als
in dem Fall, bei dem die gesamte Optimierung gleichzeitig durch
geführt wird.
Fig. 19 zeigt ein Ablaufdiagramm für eine solche Verarbeitung.
Zuerst wird der festgelegte Wert gesetzt (Schritt 160). Die An
fangswerte der Prozeßparameter der hohen Empfindlichkeit werden
gesetzt (Schritt 162). Das optimale Ergebnis für die Prozeßpara
meter der hohen Empfindlichkeit wird gefunden (Schritt 164).
Diese Verarbeitung kann eine von diesen sein, die in der Aus
führungsform 1 bis 4 beschrieben wurden oder eine Kombination
von diesen. Entsprechend der obigen Verarbeitung können die
optimalen Werte für die Prozeßparameter mit hoher Empfindlich
keit erhalten werden.
Dann werden die Prozeßparameter mit hoher Empfindlichkeit, die
so erhalten wurden, festgelegt (Schritt 166). Die Anfangswerte
für die Prozeßparameter mit niedriger Empfindlichkeit werden
gesetzt (Schritt 168). Die Verarbeitung ausgehend von den
obigen Anfangswerten wird für die Prozeßparameter mit der ge
ringen Empfindlichkeit durchgeführt, um das optimale Ergebnis
zu finden (Schritt 170). Diese Verarbeitung kann auch eine von
den in den Ausführungsformen 1 bis 4 oder eine Kombination da
von sein.
In dieser Art kann das optimale Ergebnis auch für den Prozeß
parameter mit geringer Empfindlichkeit gefunden werden. Da das
Ergebnis für die Prozßparameter der hohen Empfindlichkeit schon
gefunden wurde, ist das Auffinden der optimalen Ergebnisse für
alle Prozeßparameter in diesem Schritt 172 beendet.
Entsprechend diesem Verfahren kann das Berechnen effizienter
durchgeführt werden als in dem Fall, bei dem alle Parameter
gleichzeitig optimiert werden. Dieses Verfahren kann auch in
dem Fall angewendet werden, bei dem einem Teil der
Prozeßparameter Beschränkungen auferlegt sind.
Die Verfahren der Ausführungsformen 1 bis 5 erlauben die Berech
nung von optimalen Parametern. Diese Verfahren weisen jedoch
noch die Schwierigkeit auf, daß die Berechnung schwierig ist.
Folglich stellt die sechste Ausführungsform ein Verfahren zur
Verfügung, das eine einfache Berechnung ermöglicht.
Wie in Fig. 20 gezeigt ist, wird in der folgenden Beschreibung
vorausgesetzt, daß es einen Bereich der Parameter gibt, in dem
die Prozeßfunktion F (Kurve 180) im Zusammenhang mit dem Para
meter P monoton steigt oder monoton fällt. In diesem Fall ist
ein Bereich, in dem der Parameter variabel ist, auf den obigen
Bereich beschränkt. Somit ist der variable Bereich des Prozeß
parameters auf den Bereich beschränkt, in dem die Prozeßfunktion
monoton steigt oder fällt. Die Prozeßfunktion in diesem Bereich
ist ungefähr durch eine lineare Funktion oder eine Kombination
davon dargestellt. In Fig. 20 wird die Kurve 180 ungefähr durch
vier gerade Linien 182, 184, 186 und 188 dargestellt. Durch das
ungefähre Darstellen der durch die komplizierte Kurve wiederge
gebenen Prozeßfunktionen, durch die linearen Funktionen kann
lineare Programmierung verwendet werden und das optimale Ergeb
nis kann durch einfache Berechnung gefunden werden. Weiterhin
weist die Prozeßfunktion in diesem Bereich ein monotones An
wachsen oder Verringern auf, so daß die optimale Parameter
einstellung sicher und eindeutig festgestellt werden kann.
Weiter ist es möglich zuerst die Parameterwerte in der oben
beschriebenen Art aufzufinden, und dann das optimale Ergebnis
durch eines der Verfahren der Ausführungsformen 1 bis 4, die
vorher beschrieben wurden, unter Verwendung der so gefundenen
Parameterwerte als Anfangswert aufzufinden.
Im folgenden wird die Verarbeitung des Auffindens der Prozeß
funktion von einem experimentellen Ergebnis für den Fall be
schrieben, bei dem die Prozeßfunktion zwei Parameter P und Q
enthält. Es wird angenommen, daß in dem Experiment der Prozeß
funktionswert (z. B. die Einsatzspannung) gefunden wird, während
der Parameter Q beispielsweise zu den drei Werten a, b und c
festgelegt ist, aber der Parameter P variiert wird. Das experi
mentelle Ergebnis wird so sein, wie in dem Graph von Fig. 21
gezeigt ist, bei dem die Abszisse den Wert von P darstellt und
die Ordinate den Wert der Prozeßfunktion F(P, Q) darstellt. Es
kann angenommen werden, daß in Bezug zu einem speziellen Wert
von Q, F eine Funktion von P ist, die eine vorbestimmte Be
ziehung mit P aufweist. Wenn jedoch Q variiert, wird das Ver
halten von F im Zusammenhang mit der Änderung von P sich auch
ändern. Daher sind die Werte der Prozeßfunktion F(P, Q) in
einer bandähnlichen Art, wie in Fig. 21 gezeigt ist, verteilt.
In der Verteilung der bandähnlichen Art, wie in Fig. 21 gezeigt
ist, können Hüllkurven F(max) 200 und F(min) 202 eingezeichnet
werden. Es kann angenommen werden, daß die Hüllkurve F(max)
eine Kurve ist, die durch Verbinden der Maximalwerte von F(P,
Q) für drei Werte (a, b und c) von Q im Zusammenhang mit einem
speziellen Wert von P ist. Ebenso kann angenommen werden, daß
die Hüllkurve F(min) eine Kurve ist, die durch Verbinden der
Minimalwerte von F(P, Q) im Zusammenhang mit dem speziellen
Wert von P ist.
Eine Mittellinie F (Mittel) 204 kann in Bezug zu diesen zwei
Hüllkurven F(max) und F(min) betrachtet werden. Es kann an
genommen werden, daß diese Mittellinie erhalten wird, durch
Verbinden der Mittelwerte der Werte der Hüllkurven F(max) und
F(min) im Zusammenhang mit den Werten des Parameters P. Diese
Mittellinie F (Mittel) 204 kann als die charakteristische Kurve
der Prozeßfunktion F festgelegt werden.
Durch Festlegen von F durch dieses Verfahren wird der zentrale
Wert im Bereich der Charakteristik, der durch die Änderung des
Parameters Q geändert wird, der Wert der Prozeßfunktion. Daher
kann der optimale Parameterwert, der die Spezifikation erfüllt,
vorteilhaft durch das Minimumquadratverfahren ohne bedeutende
Einflüsse durch Änderung eines speziellen Parameters erhalten
werden.
Fig. 22 ist ein Ablaufdiagramm, das die obige Verarbeitung
zeigt. Im Schritt 210 wird der Parameter Q auf den Wert a
fixiert und der Prozeßfunktionswert wird in Bezug zu P er
halten. Die gleiche Verarbeitung wird jeweils mit dem auf den
Wert b und c festgelegten Parameter Q durchgeführt (Schritte
212 und 214). Die obere und untere Hüllkurve werden in Bezug zu
der bandartigen Verteilung der jeweiligen Funktionswerte in
Bezug zu P festgelegt (Schritt 216). Die Mittellinie in Bezug
zu der so erhaltenen oberen und unteren Hüllkurve wird als die
Prozeßfunktion bestimmt (Schritt 218).
Durch die oben beschriebene Verarbeitung ist es möglich den
optimalen Parameterwert zu erhalten, der die Spezifikation er
füllt, ohne deutlich durch die Änderung eines spezifischen
Parameters beeinflußt zu sein.
Claims (20)
1. Verfahren zur Optimierung des Herstellungsprozesses einer
Halbleitervorrichtung mit den Schritten:
Beschreiben (30) einer Eigenschaft der Halbleitervorrichtung mit Prozeßfunktionen von Prozeßparametern in einem Prozeß zur Herstellung der Halbleitervorrichtung;
Extrahieren (32) einer Gruppe von optimalen Prozeßparametern, die eine vorgegebene Spezifikation erfüllen, unter Verwendung der Prozeßfunktionen; und
Herstellen (34, 36) der Halbleitervorrichtung unter Finbeziehung der extrahierten Prozeßparameter.
Beschreiben (30) einer Eigenschaft der Halbleitervorrichtung mit Prozeßfunktionen von Prozeßparametern in einem Prozeß zur Herstellung der Halbleitervorrichtung;
Extrahieren (32) einer Gruppe von optimalen Prozeßparametern, die eine vorgegebene Spezifikation erfüllen, unter Verwendung der Prozeßfunktionen; und
Herstellen (34, 36) der Halbleitervorrichtung unter Finbeziehung der extrahierten Prozeßparameter.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft den Schritt
des Festlegens der Prozeßfunktionen basierend auf experimentel
len Werten enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft den Schritt
des Festlegens der Prozeßfunktionen basierend auf simulierten
Werten enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft den Schritt
des Festlegens der Prozeßfunktionen unter Verwendung von ex
perimentellen Werten und simulierten Werten enthält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Prozeßfunktion (180) mit einer Mehrzahl von linearen Funk
tionen (182, 184, 186, 188) beschrieben wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft die Schritte
aufweist:
Festlegen einer Mehrzahl von Prozeßfunktionen (24), wobei jede eine Eigenschaft der Halbleitervorrichtung beschreibt, die durch einen entsprechenden der Prozeßschritte bestimmt ist; und
Darstellen jeder der Eigenschaften der Halbleitervorrichtung durch eine Linearkombination der Mehrzahl von Prozeßfunktionen (24).
Festlegen einer Mehrzahl von Prozeßfunktionen (24), wobei jede eine Eigenschaft der Halbleitervorrichtung beschreibt, die durch einen entsprechenden der Prozeßschritte bestimmt ist; und
Darstellen jeder der Eigenschaften der Halbleitervorrichtung durch eine Linearkombination der Mehrzahl von Prozeßfunktionen (24).
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) das Exrahieren der Prozeßparameter das Gauss-
Newton-Verfahren verwendet.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter das Leven
berg-Marquardt-Verfahren verwendet.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter das Denis-
Gay-Welsch-Verfahren verwendet.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter das Biggs-
Verfahren verwendet.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter den Schritt
(42) des Festlegens von Anfangswerten mit Zufallszahlen enthält.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Auswählens der Prozeßparameter das simu
lierte Ausheilverfahren verwendet.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter den
Schritt des Festlegens von oberen und unteren Grenzen von min
destens einem der Prozeßparameter und Extrahieren des einen der
Prozeßparameter in einem Bereich zwischen der oberen und der
unteren Grenze enthält.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter die
Schritte enthält:
Begrenzen eines Bereiches zum Herleiten der Prozeßparameter auf einen Bereich, in dem sich zumindest einer der Prozeßparameter monoton ändert; und
Extrahieren eines Optimums von dem zumindest einen der Prozeß parameter in dem begrenzten Bereich.
Begrenzen eines Bereiches zum Herleiten der Prozeßparameter auf einen Bereich, in dem sich zumindest einer der Prozeßparameter monoton ändert; und
Extrahieren eines Optimums von dem zumindest einen der Prozeß parameter in dem begrenzten Bereich.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter den
Schritt des Extrahierens aller Prozeßparameter auf
einmal enthält.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (32) des Extrahierens der Prozeßparameter die
Schritte enthält:
einen ersten Schritt (162, 164) des Extrahierens eines Teils der Prozeßparameter auf einmal; und
einen zweiten Schritt (166168, 170) des Festsetzens von Werten der Prozeßparameter die mit dem ersten Schritt extrahiert wor den sind, und des Extrahierens der verbleibenden Prozeßparameter.
einen ersten Schritt (162, 164) des Extrahierens eines Teils der Prozeßparameter auf einmal; und
einen zweiten Schritt (166168, 170) des Festsetzens von Werten der Prozeßparameter die mit dem ersten Schritt extrahiert wor den sind, und des Extrahierens der verbleibenden Prozeßparameter.
17. Verfahren nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet, daß
nur die Prozeßparameter mit einer relativ hohen Empfindlichkeit
von den Prozeßparametern zu Anfang mit dem ersten Schritt (162,
164) extrahiert werden, und daß nur die Prozeßparameter mit
einer relativ geringen Empfindlichkeit mit dem zweiten Schritt
(166, 168, 170) extrahiert werden.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17,
durch die folgenden Schritte gekennzeichnet:
Festlegen (140), ob eine Mehrzahl von optimalen Ergebnissen ge funden wurde oder nicht;
Durchführen einer Empfindlichkeitsanalyse (142-150) bei jedem der Mehrzahl von gefundenen optimalen Ergebnissen, wenn die Mehrzahl von optimalen Ergebnissen gefunden worden sind; und
Auswählen (152, 154) der optimalen Ergebnisse, die so festge legt sind, daß sie die geringste Empfindlichkeit aufweisen, als eine Gruppe von optimalen Prozeßparametern.
Festlegen (140), ob eine Mehrzahl von optimalen Ergebnissen ge funden wurde oder nicht;
Durchführen einer Empfindlichkeitsanalyse (142-150) bei jedem der Mehrzahl von gefundenen optimalen Ergebnissen, wenn die Mehrzahl von optimalen Ergebnissen gefunden worden sind; und
Auswählen (152, 154) der optimalen Ergebnisse, die so festge legt sind, daß sie die geringste Empfindlichkeit aufweisen, als eine Gruppe von optimalen Prozeßparametern.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (34, 36) des Herstellens der Halbleitervorrichtung
die Schritte enthält:
Übertragen (34) der ausgewählten Prozeßparameter über Übertra gungsmittel zu einer Fertigungsstätte (74); und
Herstellen (36) der Halbleitervorrichtung entsprechend den Be dingungen, die mit den übertragenen Prozeßparametern überein stimmen, in der Fertigungsstätte (74).
Übertragen (34) der ausgewählten Prozeßparameter über Übertra gungsmittel zu einer Fertigungsstätte (74); und
Herstellen (36) der Halbleitervorrichtung entsprechend den Be dingungen, die mit den übertragenen Prozeßparametern überein stimmen, in der Fertigungsstätte (74).
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine spezielle Prozeßfunktion eine Funktion von einer Mehrzahl von Prozeßparametern ist, und
daß der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft mit den Prozeßfunktionen die Schritte enthält:
Festsetzen eines Teils der Prozeßparameter zu einer Mehrzahl von Werten und unterschiedliches Ändern der verbleibenden Pro zeßparameter, um einen Verteilungsbereich der Funktionswerte der Prozeßfunktion in Bezug zu jedem Wert der verbleibenden Prozeßparameter (210, 212, 214) zu finden; und
Auswählen eines zentralen Wertes in dem gefundenen Verteilungs bereich in Bezug zu jedem Wert der verbleibenden Prozeßpara meter und Festlegen einer Serie von zentralen Werten als die Prozeßfunktion (216, 218).
eine spezielle Prozeßfunktion eine Funktion von einer Mehrzahl von Prozeßparametern ist, und
daß der Schritt (30) des Beschreibens der Eigenschaft mit den Prozeßfunktionen die Schritte enthält:
Festsetzen eines Teils der Prozeßparameter zu einer Mehrzahl von Werten und unterschiedliches Ändern der verbleibenden Pro zeßparameter, um einen Verteilungsbereich der Funktionswerte der Prozeßfunktion in Bezug zu jedem Wert der verbleibenden Prozeßparameter (210, 212, 214) zu finden; und
Auswählen eines zentralen Wertes in dem gefundenen Verteilungs bereich in Bezug zu jedem Wert der verbleibenden Prozeßpara meter und Festlegen einer Serie von zentralen Werten als die Prozeßfunktion (216, 218).
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JP (1) | JPH08279446A (de) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3087675B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | ポストベークシミュレーション方法 |
JP3102372B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | イオン注入プロセスシミュレーション方法 |
JPH11353338A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路のシミュレーション方法および記録媒体 |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6415193B1 (en) | 1999-07-08 | 2002-07-02 | Fabcentric, Inc. | Recipe editor for editing and creating process recipes with parameter-level semiconductor-manufacturing equipment |
JP2001148333A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 物性モデルのパラメータ抽出方法及び記録媒体、並びに非線形素子の製造方法 |
JP2001297955A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | シミュレーション方法、シミュレータ及びシミュレーションプログラムを記録した記録媒体 |
JP2002043429A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | シミュレーション方法およびシミュレーション装置 |
JP2002164530A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 物性モデルのパラメータ抽出方法及び記録媒体、並びに非線形素子の製造方法 |
KR100706812B1 (ko) * | 2006-02-10 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 물리적 파라미터들의 통계적 분포 특성을평가하는 방법 |
KR100967488B1 (ko) | 2007-12-24 | 2010-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 모스 트랜지스터의 모델링 방법 및 장치 |
JP5535154B2 (ja) | 2011-09-02 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 基準信号発生回路 |
WO2020156769A1 (en) | 2019-01-29 | 2020-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for decision making in a semiconductor manufacturing process |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0599469A2 (de) * | 1992-11-26 | 1994-06-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Gerät zum Entwurf des Layouts von integrierten Millimeterwellen oder Mikrowellenschaltungen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4785399A (en) * | 1987-03-03 | 1988-11-15 | International Business Machines Corporation | Shaping geometric objects by cumulative translational sweeps |
JP2729130B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1998-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造パラメタの設定方法及びその装置 |
JP3231916B2 (ja) * | 1993-09-22 | 2001-11-26 | 株式会社東芝 | 集積回路の自動配線方法 |
JPH07115070A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の設計方法 |
US5481475A (en) * | 1993-12-10 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method of semiconductor device representation for fast and inexpensive simulations of semiconductor device manufacturing processes |
US5621652A (en) * | 1995-03-21 | 1997-04-15 | Vlsi Technology, Inc. | System and method for verifying process models in integrated circuit process simulators |
-
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- 1995-04-07 JP JP7082821A patent/JPH08279446A/ja active Pending
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- 1996-04-06 KR KR1019960010360A patent/KR100242729B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0599469A2 (de) * | 1992-11-26 | 1994-06-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Gerät zum Entwurf des Layouts von integrierten Millimeterwellen oder Mikrowellenschaltungen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SZE, S.M.: VLSI Technology, McGraw-Hill Int., 1983, S. 482-485 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI426576B (zh) * | 2011-08-16 | 2014-02-11 | Univ Nat Taiwan | 測量氧化層厚度的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08279446A (ja) | 1996-10-22 |
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DE19605825A1 (de) | 1996-10-10 |
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US5845105A (en) | 1998-12-01 |
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