KR960039105A

KR960039105A - 수치계산에 의해 프로세스 파라미터를 결정하는 반도체장치의 제조방법

Info

Publication number: KR960039105A
Application number: KR1019960010360A
Authority: KR
Inventors: 타쯔야 쿠니끼요; 카쯔미 에이큐; 케니찌로 소노다; 마사또 후지나가; 키요시 이시까와; 노리히꼬 코따니
Original assignee: 기다오까 다까시; 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
Priority date: 1995-04-07
Filing date: 1996-04-06
Publication date: 1996-11-21
Also published as: DE19605825A1; JPH08279446A; KR100242729B1; DE19605825C2; US5845105A

Abstract

반도체장치의 제조방법은 반도체장치의 특성을 반도체장치의 제조공정에 있어서의 프로세스 파라미터를 인수로 하는 프로세스 함수로 기술하는 스텝(30)과, 주어진 사양을 만족시키는 최적인 프로세스 파라미터의 조를 프로세스 함수를 이용해서 추출하는 스템(32)과, 추출된 프로세스 파라미터에 따른 제조공정을 이용해서 반도체장치를 제조하는 스텝(36)을 포함한다.

프로세스 함수는 과거의 실험치 또는 시뮬레이션치 또는 그 쌍방을 이용해서 결정한다.

바람직한 것은 프로세스 파라미터는 온라인으로 공장에 전송되는 것이다(34).

Description

수치계산에 의해 프로세스 파라미터를 결정하는 반도체장치의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제12도는 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법의 개략의 수순을 나타내는 플로챠트이다. 제13도는 본 발명의 제1의 실시예에 있어서의 프로세스 파라미터의 추출된 수순을 나타내는 플로챠트이다.

Claims

반도체장치의 특성을 상기 반도체장치의 제조공정에 있어서의 프로세스 파라미터를 인수로 하는 프로세스 함수로 기술하는 스텝(30)과, 주어진 사양을 만족시키는 최적인 프로세스 파라미터의 조를 상기 프로세스 함수를 이용해서 추출하는 상기 스텝(32)과, 상기 추출된 프로세스 파라미터에 따른 제조공정을 이용해서 상기 반도체장치를 제조하는 스텝(34, 36)을 구비하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 특성을 기술하는 스텝(30)은 실험치에서 프로세스 함수를 결정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 특성을 기술하는 스텝(30)은 시뮬레이션치에서 프로세스 함수를 결정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 특성을 기술하는 스텝(30)은 실험치 및 시뮬레이션치의 쌍방을 이용해서 함수를 결정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 함수(180)는 복수개의 1차함수(182, 184, 186, 188)를 이용해서 기술하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 기술하는 스텝(30)은 각각이 대응하는 하나의 프로세스공정이 반도체장치의 특성의 하나에 주는 특성을 기술하는 복수개의 프로세스 함수(24)를 결정하는 스텝과, 반도체장치의 특성의 각각을 상기 복수개의 프로세스 함수(24)의 1차 결합으로 나타나는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)는 가우스뉴톤법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 레벤버그마카트법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 데니스-게이 웰슈법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 빅스법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 프로세스 파라미터의 초기치를 난수로 해서 결정하는 스텝(42)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 프로세스 파라미터의 초기치를 난수로 해서 결정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 프로세스 파라미터의 초기치를 난수로 해서 결정하는 스텝(42)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 시뮬레이션 어닐링법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 프로세스 파라미터의 적어도 하나의 상한과 하한을 정하는 스텝과, 상기 상하한사이의 범위내에서 프로세스 파라미터의 상기 하나를 추출하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 상기 스텝(32)은 프로세스 파라미터의 취할 수 있는 범위를 그 범위내에서 프로세스 파라미터의 적어도 하나가 단조롭게 변화하는 것에 한정하는 스텝과, 그 범위내에서 프로세스 파라미터의 적어도 하나에서 최적을 추출하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 스텝(32)은 프로세스 파라미터를 일괄해서 추출하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 프로세스 파라미터를 추출하는 스텝(32)은 일부의 프로세스 파라미터를 일괄해서 추출하는 제1의 스텝(162, 164)과, 그 후 상기 제1의 스텝에서 추출된 프로세스 파라미터의 수치를 고정해서 나머지의 프로세스 파라미터를 추출하는 제2의 스텝(166, 168, 170)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제18항에 있어서, 상기 제1의 스텝(162, 164)에서 프로세스 파라미터 중의 감도가 높은 프로세스 파라미터만을 최초로 추출하고, 상기 제2의 스텝(166, 168, 170)에서는 감도가 낮은 프로세스 파라미터를 추출하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 다시 최적해가 복수개 얻어졌는지 아닌지를 판정하는 스텝(140)과, 최적해가 복수개 얻어졌으며, 얻어진 복수개의 최적해의 각각에 해서 감도해석(142-150)을 행하는 스텝과, 상기 최적해가 복수개 얻어졌으면, 가장 감도가 낮다고 판정된 최적해를 최적인 프로세스 파라미터의 조로써 선택하는 스텝(152, 154)을 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 반도체 장치를 제조하는 스텝(34, 36)은 추출된 프로세스 파라미터를 전송수단을 이용해서 제조공장에 전송하는 스텝(34)과, 상기 제조공장(74)에서 전송된 프로세스 파라미터에 따른 조건으로 반도체장치의 제조하는 스텝(36)을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 어느 프로세스 함수가 복수의 프로세스 파라미터의 함수이고, 상기 특성을 프로세스 함수로 기술하는 스텝(30)은 상기 프로세스 파라미터의 일부가 복수의 치로 각각 고정하고, 나머지 프로세스 파라미터(210, 212, 214)의 각 수치에 대해 프로세스 함수의 함수 치의 분포 범위를 구하는 나머지 프로세스 파라미터를 다양하게 변화하는 스텝과, 상기 나머지 프로세스 파라미터의 각 수치에 대해서 구해진 분포범위의 중심치를 추출하고, 상기 프로세스 함수(216, 218)로써 상기 중심치의 일렬을 결정하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.