DE19503823C2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung
gemäß dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 2.
Eine in einer Gehäusestruktur gemäß Fig. 16 eingebaute Halb
leitervorrichtung ist allgemein bekannt und weit verbreitet.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachfolgend der
technische Hintergrund im einzelnen beschrieben.
Gemäß Fig. 16 weist eine Halbleitervorrichtung 100 ein
Trägerplättchen 101 mit Trägerplättchen-Aufhängedrähten 102
auf. Auf dem Trägerplättchen 101 ist ein Halbleiterchip 110
montiert, der Elektroden 111 aufweist, die elektrisch mit
einer Vielzahl von entlang eines äußeren Randbereichs des
Trägerplättchens 101 angeordneten Vielzahl von Verbindungs
drähten 103 durch Bonden mit Metalldrähten 112 wie beispiels
weise Golddrähten, Aluminiumdrähten oder dergleichen elek
trisch verbunden ist. Der auf diese Weise realisierte
elektrische Halbleiterschaltungsbaustein ist als ganzes in
ein Gehäuse 120 hermetisch eingebettet, das aus einem isolie
renden Material wie beispielsweise einem Harz besteht, und
aus dem äußere Endabschnitte (d. h. äußere Anschlußdraht
abschnitte) der Verbindungsdrähte 103 nach außen ragen.
Zum Herstellen der vorherstehend beschriebenen Halbleitervor
richtung 100 wird ein blattförmiger Anschlußdrahtrahmen
bestehend aus dem Trägerplättchen 101, den Trägerplättchen-
Aufhängedrähten 102 und den Anschlußdrähten 103 in
integrierter Bauweise vorbereitet. Nachdem der auf dem
Trägerplättchen 101 montierte Halbleiterchip 110 mit den
Anschlußdrähten 103 durch Bonden der Metalldrähte 112 an
ihren beiden Enden elektrisch verbunden wurde, wird der
blattförmige Anschlußdrahtrahmen derart in eine Gußform
gelegt, daß die Trägerplättchen-Aufhängedrähte 102, die
jeweils an beiden Seiten des Trägerplättchens 101
herausragen, durch die aneinanderstoßenden Oberflächen von
übereinander gelegten Gußformen gehalten werden. In diesem
Zustand wird die durch die Plättchen festgelegte Gußkammer
mit einem geschmolzenen Harzmaterial gefüllt, wodurch das
Gehäuse 120 entsteht. Nach dem Aushärten des Harzes wird das
Gehäuse 120 aus der metallischen Gußform entfernt, und die
Abschnitte der Trägerplättchen-Aufhängedrähte 102, welche an
der äußeren Oberfläche des Gehäuses 120 herausragen,
abgeschnitten, wobei die Anschlußdrähte 103 auf eine
vorbestimmte Länge gekürzt werden.
Im übrigen befinden sich beim blattförmigen Anschluß
drahtrahmen die inneren Endabschnitte (innere Anschlußdrähte)
der Anschlußdrähte 103 auf der gleichen Ebene wie die
Trägerplättchen 101.
Folglich weisen die Anschlußdrähte 103 eine etwas niedrigere
Lage in Bezug zur oberen Oberfläche des Halbleiterchips 110
auf. Wenn nun die Metalldrähte 112 mit den Anschlußdrähten
103 verbunden werden, kann es daher zu der unerwünschten
Situation kommen, daß der Metalldraht 112 in physikalischen
Kontakt mit dem Halbleiterchip 110 gerät, wodurch ein
Kurzschluß entsteht, wie in Fig. 18 in durchgezogenen Linien
dargestellt ist. Bei einer herkömmlichen Halbleiter
vorrichtung 100 wird das vorherstehend genannte Problem
dadurch umgangen, daß eine Kraft auf das Trägerplättchen 101
und auf einen Basisabschnitt, der mit dem Trägerplättchen 101
verbundenen Trägerplättchen-Aufhängedrähte 102 beim
Herstellen des Anschlußdrahtrahmens wirkt, so daß, wie in
Fig. 17 dargestellt, die Anschlußdrähte 103 auf eine Position
nahe der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 110 angehoben
werden, wodurch, wie in Fig. 18 durch gestrichelte Linien
angezeigt, ein Kontaktieren der Metalldrähte 112 mit dem
Halbleiterchip 110 verhindert wird.
Bei der herkömmlichen Halbleitervorrichtung 100 weist daher
der Basisabschnitt der jeweiligen Trägerplättchen-
Aufhängedrähte 102 einen nach unten gebogenen Abschnitt auf
(nachfolgend als Offset-Abschnitt bezeichnet), weshalb wie in
Fig. 17 gezeigt, das mit den Trägerplättchen-Aufhängedrähten
102 integral verbundene Trägerplättchen relativ zu den
Anschlußdrähten 103 an einer niedrigeren Stelle liegt, wobei
die gebogenen oder Offset-Abschnitte 102a vollständig in dem
Gehäuse 120 mit einer dicken Wandstärke eingekapselt sind.
Die herkömmliche Halbleitervorrichtung 100, bei der die
Offset-Abschnitte 102a vollständig im Gehäuse 120
eingekapselt sind, besitzt jedoch den Nachteil, daß die Größe
des Halbleiterchips in der Halbleitervorrichtung 100 mit den
vorgegebenen standardisierten äußeren Abmessungen aufgrund
des Offset-Abschnitts 102a nicht beliebig vergrößert werden
kann.
Genauer gesagt, da die Länge des Offset-Abschnitts 102a
relativ groß in einem Bereich zwischen 0,1 mm bis 0,7 mm
gewählt werden muß, verringert sich die Dicke des
Harzgehäuses 120 unter einen bestimmten Wert, der notwendig
ist, um das Auftreten von Sprüngen bzw. Rissen und das
Eindringen von Feuchtigkeit und dergleichen zu verhindern.
Folglich ergeben sich bei einer Halbleitervorrichtung 100 mit
einer standardisierten äußeren Abmessung L1 Begrenzungen für
die Abmessungen L2 des Halbleiterchips 110, der noch in dem
Gehäuse 120 untergebracht werden kann, so daß es unmöglich
ist, einen Halbleiterchip 110 von großen Abmessungen in der
Halbleitervorrichtung 100 unterzubringen.
Bei den vorgenannten Umständen kann das vorstehend
beschriebene Herstellungsverfahren nicht auf die
Herstellung einer zur Verwendung als u. a.
Speichervorrichtung gedachten Halbleitervorrichtung
angewendet werden, die zum Einbau von Halbleiterchips mit
großen Abmessungen erforderlich ist, damit den
Erfordernissen der Miniaturisierung und Umsetzung mit
hochdichter Integration der Halbleitervorrichtung Rechnung
getragen wird, welche derzeit zur Begleitung des
Verkleinerungstrends von Computern und ähnlichen Systemen,
in denen die Halbleitervorrichtungen zur Anwendung kommen,
sehr wichtig werden.
In Verbindung mit der vorherstehend genannten herkömmlichen
Halbleitervorrichtung 100 muß weiter erwähnt werden, daß
aufgrund der Herstellung des Offset-Abschnitts 102a durch
eine Stempelkraft auf den Offset-Abschnitt 102a in einem
Preßformverfahren oder dergleichen, wodurch die niedrigere
Lage des Trägerplättchens 101 erzeugt wird, der Offset-
Abschnitt 102a mechanisch gedehnt bzw. verlängert wird, was
zu einer Verschlechterung der mechanischen Stabilität des
Offset-Abschnitts 102a führt.
Folglich werden die Offset-Abschnitte 102a beim Eingießen
oder Einspritzen des geschmolzenen Harzes in die Gußform in
einem Zustand, bei dem das Trägerplättchen 101 von der
metallenen Gußform getragen wird, wobei die Trägerplättchen-
Aufhängedrähte 102 sich lateral von dem Trägerplättchen 101
in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, nach oben oder
nach unten verschoben oder verdreht und somit aus der
vorgegebenen Lage gebracht, wodurch nicht nur die Qualität
sondern auch die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung
100 verschlechtert wird. Natürlich Verringert sich dadurch
auch die Ausbeute des fertig gestellten Produktes.
Zum Lösen der oben genannten Probleme kann das
Trägerplättchen 101 oder der Anschlußdrahtrahmen 106 mit den
daran angeschlossenen Anschlußdrähten 103 mit paarweisen
Trägerplättchen-Aufhängedrähten 102 versehen werden. Genauer
gesagt verwendet man ein Paar von Trägerplättchen-
Aufhängedrähten 102 an jeweils gegenüberliegenden Seiten des
Trägerplättchens 101, um dadurch die Verschlechterung in der
mechanischen Stabilität zu kompensieren, die durch die
Stempelkraft entsteht.
Wenn jedoch der Anschlußdrahtrahmen 106 in der vorherstehend
genannten Art ausgestaltet ist, wird es schwierig oder
unmöglich, die Lage der inneren Anschlußdrähte 103-1
innerhalb des durch die beiden Trägerplättchen-Aufhängedrähte
102 liegenden Bereichs (schraffierter Bereich G in Fig. 19)
zu positionieren.
Darüber hinaus vergrößert sich wie Fig. 20 zeigt, bei der
vorherstehend beschriebenen Struktur eine Entfernung K
zwischen dem inneren Anschlußdraht 103-1 und der Elektrode
111 des Halbleiterchips 110, wodurch sich Schwierigkeiten bei
der Kontaktierung des inneren Anschlußdrahtes 103-1 und dem
Halbleiterchip 110 durch die Metalldrähte 112 ergeben, deren
Länge normalerweise standardisiert ist.
Die Druckschrift EP-0 108 502 A2 zeigt einen
Anschlussdrahtrahmen zur Verwendung bei der Herstellung
einer Halbleitervorrichtung, wobei vorhandene (gebogene)
Offset-Abschnitte in jedem Fall innerhalb eines Hohlraums
der verwendeten Gussform liegen, so dass diese folglich
auch nicht zwischen Stoßflächen der die Gussform bildenden
Gussteile gehalten werden können, um somit zu einer
Stabilisierung des Trägerplättchens beim Einfüllen von Harz
beizutragen.
Gemäß der Offenbarung der Druckschrift EP-0 477 937 A1 wird
ein Trägerplättchen durch Abschnitte von Anschlussdrähten
oder durch zwischen Anschlussdrähten angeordneten Aufhänge
drähte gestützt. Dabei sind jedoch auch die als Offset-
Abschnitte bezeichneten gebogenen Abschnitte stets und
ausschließlich als innerhalb des mit Harz vergossenen
Bereichs gezeigt und beschrieben.
In Zusammenhang mit dem Vergießen eines Halbleiterbausteins
mit Harz geht die Offenbarung dieser Druckschrift jedoch
nicht über die Tatsache hinaus, dass ein derartiger Vorgang
des Vergießens mit Harz erfolgt.
Hinsichtlich der Problematik der Chipgröße von im Gehäuse
unterzubringenden Chips sind für einen Fachmann scheinbar
die nachstehenden Möglichkeiten zur Problemlösung gegeben.
Dabei scheidet jedoch die Möglichkeit, einen
Anschlussdrahtrahmen ohne Offset-Abschnitte zu verwenden
aus. Denn bei derartiger Vorgehensweise würden sich erneut
Probleme ergeben, wie sie bereits vorstehend mit Bezug auf
Fig. 18 beschrieben sind.
Die Möglichkeit, Offset-Abschnitte an eine "günstigere"
Stelle zu verlegen wie es gemäß der Lehre der Druckschrift
EP-0 477 937 A1 erfolgt, bringt jedoch den weiteren
Nachteil mit sich, dass nur eine verringerte Anzahl von
Anschlussdrähten zur Herstellung elektrischer Verbindungen
zu dem Halbleiterbaustein (Chip) zur Verfügung steht, oder
aber dass der Abstand zwischen Anschluss- bzw. Aufhänge
drähten durch zwischen Anschlussdrähten angeordnete Auf
hängedrähte verringert wird, was zu weiteren Her
stellungsproblemen (beispielsweise beim Justieren) führen
kann.
Darüber hinaus zielt die Druckschrift EP-0 477 937 A1
explizit darauf ab, einen Anschlussdrahtrahmen zu schaffen,
bei dem die Offset-Abschnitte innerhalb des mit Harz
vergossenen Bereichs zu liegen kommen. Bei derart
ausgebildeten Anschlussdrahtrahmen kommt es aber
insbesondere bei dem Herstellungsschritt der Gehäuse
ausbildung durch Einfüllen eines Harzes in eine
Harzgusskammer zu Problemen, da die Offset-Abschnitte
aufgrund ihrer Herstellung durch ein Pressformverfahren
oder dergleichen hinsichtlich ihrer mechanischen Stabilität
verschlechtert sind.
Genauer heißt das, dass beim Einfüllen des das Gehäuse
ausbildenden Harzes in eine durch Gussteile gebildete
Gussform eine Verschiebung oder Verdrehung des den Halb
leiterchip tragenden Trägerplättchens auftreten kann,
welches folglich aus seiner vorgegebenen Position gebracht
wird, wodurch sich die Qualität und Zuverlässigkeit der
Halbleitervorrichtung verschlechtert.
Es ist folglich Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu
schaffen, bei dem die vorstehend beschriebenen Probleme
nicht auftreten.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Kennzei
chenteil des Patentanspruchs 1 bzw. 2 angegebenen Merkmale
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind wie in den
Unteransprüchen angegeben.
Durch eine Anordnung, bei der die Offset-Abschnitte der
Trägerplättchen-Aufhängedrähte, welche unter Last gebogen
werden, ausserhalb der Gußkammer angeordnet sind, wenn das
Trägerplättchen innerhalb des Gußkäfigs durch die Träger
plättchen-Aufhängedrähte getragen wird, die zwischen den
Stoßflächen der ersten und zweiten Gußformen wie vorher
stehend beschrieben gehalten werden, besitzen die innerhalb
der Harzgußkammer befindlichen Trägerplättchen-Aufhängedrähte
keine lokal verformten Abschnitte. Dadurch können
unerwünschte Verschiebungen des Trägerplättchens wie
beispielsweise Verbiegungen, Rotationen, Verdrehungen und
dergleichen, die andererseits beim Einfüllen von
geschmolzenem Harz in die Harzgußkammer auftreten können,
wirkungsvoll unterdrückt werden. Darüber hinaus können die
Verschiebungen durch Unterstützung der Trägerplättchen durch
eine Vielzahl von Trägerplättchen-Aufhängedrähten weiter
verhindert werden, wobei die Halbleitervorrichtung von hoher
Qualität und Zuverlässigkeit mit einer hohen Ausbeute
hergestellt werden kann. Da die Offset-Abschnitte der
Trägerplättchen-Aufhängedrähte nicht in dem Gehäuse
eingebettet sind, kann ferner die Wanddicke des Gehäuses
verringert werden, weshalb ein Halbleiterchip mit größeren
Abmessungen als bei herkömmlichen Halbleiter-vorrichtungen in
ein hinsichtlich seiner äußeren Abmessungen standardisiertes
Gehäuse eingepaßt werden kann. Daher kann der innere
Anschlußdrahtabschnitt der Verbindungsdrähte an einer dem
Halbleiterchip nahen Position unterhalb der Offset-Abschnitte
eingefügt werden, wodurch der Abstand zwischen dem inneren
Anschlußdrahtabschnitt und der Elektrode des Halbleiterchips
verkürzt wird, und wobei der Metalldraht für das elektrische
Verbinden der inneren Anschlußdrahtabschnitte mit den
Elektroden in einem standardisierten Längenbereich verwendet
werden kann.
Mit dieser Anordnung, bei der die in ihrer Stärke
verringerten Offset-Abschnitte der Trägerplättchen-
Aufhängedrähte aus der Gußkammer nach aussen ragen, wenn das
Trägerplättchen innerhalb des Gußkäfigs durch die
Trägerplättchen-Aufhängedrähte gestützt wird, die fest von
den Stoßflächen der ersten und zweiten Gußform festgehalten
werden, haben wie vorherstehend beschrieben die Träger
plättchen-Aufhängedrähte, die sich innerhalb der Harzguß
kammer befinden, keine lokal verbogenen bzw. geschwächten
Abschnitte. Daher kann das Trägerplättchen von unerwünschten
linearen und winkelmäßigen Verschiebungen durch die Träger
plättchen-Aufhängedrähte geschützt werden, selbst wenn ein
nicht einheitlicher Druck auf das Trägerplättchen ausgeübt
wird, wie er beim Auffüllen der Gußkammer mit Harz entstehen
kann. Die Qualität und Zuverlässigkeit der fertiggestellten
Halbleitervorrichtung kann dadurch wesentlich verbessert
werden, während man eine hohe Ausbeute sicher stellt. Neben
der Tatsache, daß die Offset-Abschnitte der Trägerplättchen-
Aufhängedrähte nicht innerhalb des Gehäuses liegen bzw. ein
gebettet sind, kann darüberhinaus auch ihre Dicke verringert
werden, wodurch sich ein Halbleiterchip mit größeren Ausmaßen
als bei vergleichbaren herkömmlichen Vorrichtungen in ein
bezüglich seiner äußeren Abmessungen standardisiertes Gehäuse
eingepaßt werden kann. Dadurch kann eine Miniaturisierung und
eine hohe Integrationsdichte weiter verbessert werden. Mit
anderen Worten kann das erfindungsgemäße Herstellungs
verfahren für Halbleitervorrichtungen gewinnbringend bei der
Herstellung von Halbleitergeräten seine Anwendung finden, bei
der ein Halbleiterbaustein mit großen Abmessungen verarbeitet
wird, wie beispielsweise bei einem Halbleiterspeicher.
Beim Durchführen des Stempelvorgangs bzw. des Niederdrück
vorgangs auf die Trägerplättchen-Aufhängedrähte können die
Offset-Abschnitte auf einfache Weise ausgebildet werden. Auch
wenn die Trägerplättchen-Aufhängedrähte und die Verbindungs
drähte in integraler Bauweise mit den einzelnen Anschluß
drahtrahmen ausgebildet sind, können die Unterschiede (d. h.
die Unterschiede in der Höhe oder im Niveau) zwischen den
Elektroden des Trägerplättchens und den Verbindungsdrähten
verringert werden, wodurch wirkungsvoll ein Kurzschließen der
Metalldrähte mit dem Halbleiterchip verhindert werden kann.
Durch Verbinden der ersten und zweiten vorstehenden Stücke
durch das Verbindungsglied kann der Offset-Abschnitt auf
einfache Weise ausgebildet werden. Selbst wenn die
Trägerplättchen-Aufhängedrähte und die Verbindungsdrähte in
integraler Bauweise mit dem einzelnen Anschlußdrahtrahmen
ausgebildet sind, können die Abstände bzw. der
Höhenunterschied zwischen den Elektroden des Trägerplättchens
und den Verbindungsdrähten verringert werden, wodurch ein
Kurzschluß bzw. ein Kontaktieren zwischen dem Halbleiterchip
und den Metalldrähten verhindert werden kann.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel können die
Verbindungsglieder durch ein adhäsives Material hergestellt
werden.
Verwendet man adhäsives Material als Verbindungsglied, so
kann der Offset-Abschnitt besonders einfach durch das
Verbinden der ersten und zweiten vorstehenden Stücke mit dem
dazwischen befindlichen adhäsiven Material ausgebildet
werden.
Der vorherstehend als Verbindungsglied beschriebene
Abstandshalter ist besonders wirkungsvoll zum Verhindern
eines Kurzschlußes zwischen dem sich schräg bzw. senkrecht
vor dem freien Ende des ersten vorstehenden Stückes sich
erstreckenden Verbindungsdrahtes und dem zweiten vorstehenden
Stück des Verbindungsdrahtes wodurch die Möglichkeit eines
ungewollten Kontaktes ausgeschlossen wird. In einem weiteren
bevorzugten Ausführungsbeispiel kann das Verbindungsglied
durch einen Vorsprung bzw. eine Nase realisiert werden, der
bzw. die in einem der ersten oder zweiten vorstehenden Stücke
ausgebildet ist, und mit dem anderen der ersten und zweiten
vorstehenden Stücke gebondet bzw. elektrisch verbunden ist.
Durch die vorherstehend beschriebene Realisierung des
Verbindungsglieds kann die Offsetgröße (Unterschied in der
Höhe oder dem Niveau)des Trägerplättchens wahlweise dadurch
festgelegt werden, daß die Höhe des Vorsprungs eingestellt
wird, was sich als vorteilhaft zum Verhindern eines
Kurzschlußes zwischen dem Verbindungsdraht und dem zweiten
vorstehenden Stück gezeigt hat.
Mit der erfindungsgemäßen Anordnung kann das Bonden der
Metalldrähte mit den Verbindungsdrähten durchgeführt werden,
wobei die Kopfendabschnitte der Verbindungsdrähte aktiv durch
die Stützplatten gestützt werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungs
beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
erläutert.
Fig. 1 ist eine Draufsicht, die einen Trägerplättchen-
Stempel/Drahtbondeprozeß in einem Verfahren zum Herstellen
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in Fig.
1, die in Richtung der Pfeile gesehen ist.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine in einem
Drahtbondprozeß verwendete Stützplatte zeigt.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht eines ersten
Anschlußdrahtrahmens und eines zweiten Anschlußdrahtrahmens,
die innerhalb eines Gußkäfigs angeordnet sind.
Fig. 5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in Fig.
4, die in Pfeilrichtung gesehen ist.
Fig. 6 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie C-C in
Fig. 4, die in Pfeilrichtung gesehen ist.
Fig. 7 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie D-D in
Fig. 4, die in Pfeilrichtung gesehen ist.
Fig. 8 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie E-E in
Fig. 4, die in Pfeilrichtung gesehen ist.
Fig. 9 ist eine Schnittansicht, die eine
Halbleitervorrichtung in einem Zwischenzustand zeigt, nachdem
die Gußform entfernt wurde.
Fig. 10 ist eine Schnittansicht, die die
Halbleitervorrichtung nach dem Abschneiden der Offset-Abschnitte
zeigt.
Fig. 11 ist eine perspektivische Ansicht, die die
Halbleitervorrichtung in einem fertig gestellten Zustand
zeigt.
Fig. 12 ist eine Draufsicht zum Darstellen eines Verfahrens
zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 13 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie F-F in
Fig. 12, die in Pfeilrichtung gesehen ist.
Fig. 14 ist eine der Fig. 13 ähnliche Schnittansicht zum
Darstellen eines Verfahrens zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
Fig. 15 ist eine der Fig. 14 ähnliche Schnittansicht zum
Darstellen eines Verfahrens zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
Fig. 16 ist eine perspektivische Ansicht, die eine
herkömmliche Halbleitervorrichtung in aufgebrochener
Darstellungsweise zeigt.
Fig. 17 ist eine Schnittansicht dieser herkömmlichen
Halbleitervorrichtung.
Fig. 18 ist eine Frontalansicht zum Darstellen eines
Drahtbondprozeßes, und
Fig. 19 und 20 zeigen eine Draufsicht eines herkömmlichen
Anschlußdrahtrahmens, der mit einem Paar von Trägerplättchen-
Aufhängedrähten versehen ist.
In der nachfolgenden Figurenbeschreibung bezeichnen die
gleichen Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Teile in
den verschiedenen Zeichnungen bzw. Ansichten. Darüberhinaus
wurden in der nachfolgenden Figurenbeschreibung Ausdrücke wie
"links", "rechts", "oben", "unten", "nach oben", "nach unten"
und dergleichen der Einfachheit halber verwendet und besitzen
keine einschränkende Funktion.
Die Fig. 1 bis 11 zeigen ein Verfahren zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung, wobei in einem ersten Schritt üblicherweise
ein Trägerplättchenstanz-Prozeß und ein
Drahtbonde-Prozeß verwendet werden, während in einem zweiten
Schritt eine Rahmenpositionierung bzw. Ausrichtung
stattfindet. In einem dritten Schritt wird das Gehäuse
ausgebildet und in einem vierten Schritt die Anschlußdrähte
abgeschnitten.
Zu Beginn soll der Trägerplättchen-Stanz/Drahtbonde-Prozeß
als erster Schritt beschrieben werden.
Die Fig. 1 zeigt eine Draufsicht mit der der Trägerplättchen-
Stanz/Drahtbonde-Prozeß gemäß dem ersten Ausführungs
beispiel der Erfindung dargestellt wird. Die Fig. 2 ist eine
Schnittansicht entlang einer Linie A-A in Fig. 1 und die Fig.
3 zeigt eine perspektivische Ansicht, die eine in einem
Drahtbondeprozeß verwendete Stützplattform bzw. Platte
verwendet.
Gemäß Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1 ein erster
Anschlußdrahtrahmen gekennzeichnet, der ein Trägerplättchen
10 aufweist. Im einzelnen besteht der erste Anschluß
drahtrahmen 1 aus dem Trägerplättchen 10, welches zentral
angeordnet ist, und besitzt eine Vielzahl von Träger
plättchen-Aufhängedrähten 11, die in integraler Bauweise mit
dem Trägerplättchen 10 ausgebildet sind und sich lateral an
gegenüberliegenden Seiten (von denen in Fig. 1 lediglich die
linke Seite gezeigt ist) des Trägerplättchen 10 erstrecken,
wobei das Trägerplättchen 10 über die Trägerplättchen-
Aufhängedrähte 11 mit einem Rahmenglied 19 verbunden ist.
Gemäß der Erfindung unterliegt das Trägerplättchen 10 des
ersten Anschlußdrahtrahmens 1 einem Stanz- bzw. einem nach
unten gerichteten Preßvorgang, der nachfolgend beschrieben
wird.
Gemäß Fig. 2 wird das Trägerplättchen 10 gemeinsam mit den
Trägerplättchen-Aufhängedrähten 11 durch eine Preßverformung
gestanzt bzw. nach unten gedrückt, wodurch ein Offset-
Abschnitt 12, der sich vom Rahmenglied 19 in Richtung zum
Trägerplättchen 10 mit einer relativen Schräge nach unten
erstreckt und ein horizontaler Abschnitt 13 entsteht, der
sich von dem Offset-Abschnitt 12 zum Trägerplättchen 10 in
den jeweiligen Trägerplättchen-Aufhängedrähten 11 erstreckt.
Ein Halbleiterchip 3 ist auf das Trägerplättchen 10 des
derart ausgebildeten ersten Anschlußdrahtrahmens 1 montiert.
Gemäß Fig. 1 ist ferner ein zweiter Anschlußdrahtrahmen 2
vorgesehen, der eine Vielzahl von ersten Verbindungsdrähten
25 und eine Vielzahl von zweiten Verbindungsdrähten 21
aufweist, die länger als die ersten Verbindungsdrähte 25
sind. Im einzelnen sind die zweiten Verbindungsdrähte 21
paarweise an gegenüberliegenden Seiten (kürzere Seiten) des
rechteckförmigen Trägerplättchens 10 angeordnet, wobei ein
Kopfendeabschnitt oder ein innerer Anschlußdrahtabschnitt 22
eines jeweiligen zweiten Verbindungsdrahtes 21 sich quer über
den horizontalen Abschnitt 13 des benachbarten
Trägerplättchen-Aufhängedrahtes 11 erstreckt.
Zwischen dem zweiten auf einer Seite des Trägerplättchens 10
angeordneten Verbindungsdrahtes 21 liegen eine Vielzahl der
ersten Verbindungsdrähte 25, wobei die zweiten
Verbindungsdrähte 21 und die ersten Verbindungsdrähte 25 zu
einem Rahmenabschnitt 29 verbunden sind und den zweiten
Anschlußdrahtrahmen 2 darstellen.
Die zweiten Verbindungsdrähte 21 des zweiten
Anschlußdrahtrahmens 2 werden durch Bonden von Metalldrähten
31, wie beispielsweise Drähten aus Gold, Aluminium oder
dergleichen, elektrisch mit den Elektroden 32 des
Halbleiterchips 3 verbunden, wie nachfolgend beschrieben
wird.
Der erste Anschlußdrahtrahmen 1 und der zweite
Anschlußdrahtrahmen 2 werden derart übereinander angeordnet,
daß das Rahmenglied 19 und das Rahmenglied 29 koaxial
zueinander liegen und eine (nicht gezeigte) Drahtbonde-
Vorrichtung an eine Bond-Position gesetzt wird. In diesem
Zustand nehmen gemäß Fig. 2 das Trägerplättchen 10 des ersten
Anschlußdrahtrahmens 1 sowie die horizontalen Abschnitte 13
der Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 eine nach unten
versetzte relative Lage in Bezug zu der Ebene des zweiten
Anschlußdrahtrahmens 2 ein. Daher kann sich der innere
Anschlußdrahtabschnitt 22 eines jeweiligen zweiten
Verbindungsdrahtes 21 des zweiten Anschlußdrahtrahmens 2
über dem horizontalen Abschnitt 13 des
Trägerplättchen-Aufhängedrahtes 11 bis zu einer Position in
der Nähe einer Mittel- bzw. Longitudinalachse M des
Halbleiterchips 3 nach innen erstrecken, ohne mit dem
horizontalen Abschnitt 13 in Berührung zu kommen (siehe
hierzu Fig. 1 und 2).
Nachfolgend wird die Stützplatte bzw. Plattform 4 der
vorherstehend genannten Drahtbond-Vorrichtung derart
positioniert, daß sie durch eine zwischen einem Paar von
Trägerplättchen-Aufhängedrähten 11 definierten Spalt nach
oben ragt, bis die obere Fläche der Stützplatte 4 gegen die
unteren Oberflächen der inneren Anschlußdrahtabschnitte 22
der zweiten Verbindungsdrähte 21 anstößt, wie in Fig. 3
gezeigt. In diesem Zustand können beide Endabschnitte des
Metalldrahtes 31 mit dem inneren Anschlußdrahtabschnitt 22
des zweiten Verbindungsdrahtes 21 und der Elektrode 32 an der
oberen Oberfläche des Halbleiterchips 3 gebondet werden. Da
die Kopfendabschnitte 22 der zweiten Verbindungsdrähte 21
fest durch die Oberfläche der Stützplatte 4 gestützt werden
können, erfolgt in diesem Fall das Bonden des einen Endes
eines jeweiligen Metalldrahtes 31 auf einfache Weise, wodurch
dieser mit dem inneren Anschlußdrahtabschnitt 22 des zweiten
Verbindungsdrahtes 21 verbunden wird.
Da sich darüberhinaus der zweite Verbindungsdraht 21 über dem
horizontalen Abschnitt 13 der Trägerplättchen-Aufhängedrähte
11 in der Nähe der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 3
befindet, kann auf wirksame Weise ein Kurzschluß zwischen dem
Metalldraht 31 und dem Halbleiterchip 3 wirkungsvoll
verhindert werden.
Da ferner der Kopfendabschnitt bzw. der innere Anschlußdraht-
Abschnitt 22 des zweiten Verbindungsdrahtes 21 über dem
horizontalen Abschnitt 13 des Trägerplättchen-Aufhängedrahtes
11 an einer Position liegt, die sich in der Nähe der Mittel-
bzw. Longitudinalachse M des Halbleiterchips 3 befindet, kann
eine Entfernung Q zwischen dem inneren Anschlußdraht-
Abschnitt 22 und der Elektrode 32 verkürzt werden, wodurch
ein für das Bonden des inneren Anschlußdraht-Abschnitts 22
mit der Elektrode 32 verwendeter Metalldraht 31 eine
standardisierte Länge aufweisen kann.
Als nächstes wird der Rahmenpositionierungs-Schritt als
zweiter Schritt durchgeführt. In diesem Zusammenhang zeigt
Fig. 4 in einer Draufsicht den in einer gemeinsamen Gußform
liegenden ersten Anschlußdrahtrahmen 1 und zweiten
Anschlußdrahtrahmen 2. Die Fig. 5 ist eine Schnittansicht
entlang einer Linie B-B in Fig. 4, wie sie in Pfeilrichtung
gesehen wird. Die Fig. 6 ist eine Schnittansicht entlang
einer Linie C-C in Fig. 4, die in der Richtung der Pfeile
gesehen ist. Fig. 7 ist eine Schnittansicht entlang einer
Linie D-D, wie sie in Pfeilrichtung gesehen wird, und Fig. 8
ist eine Schnittansicht entlang einer Linie E-E in Fig. 4,
wie sie in Pfeilrichtung gesehen wird.
Nachfolgend erfolgt die Beschreibung einer Gußform zum
Durchführen des Verfahrens zur Herstellung der Halbleiter
vorrichtung gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
Gemäß Fig. 4 bis 8 besteht die verwendete Gußform aus einer
unteren Gußform, die als erste Gußform dient und auf der der
erste Anschlußdrahtrahmen 1 und der zweite Anschlußdraht
rahmen 2 angeordnet sind. Eine obere Gußform 6 ist derart
ausgebildet, daß sie gut auf die untere Gußform 5 paßt.
In der unteren Gußform 5 ist ein unterer Käfig 51 zum
Festlegen einer äußeren Geometrie bzw. Form einer im
wesentlichen unteren Hälfte eines Gehäuses 35 (in Fig. 5 bis
8 durch gestrichelte Linien angedeutet) ausgebildet. An jeder
der gegenüberliegenden Seiten (von denen nur die linke Seite
in Fig. 5 und 6 gezeigt ist) des unteren Käfigs 51 ist eine
Positionierungsaussparung 53 mit einem Paar von Aufhänge
draht-Aufnahmenuten 52 derart ausgebildet, daß sie die
Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 des ersten Anschlußdraht
rahmens 1 inklusive der Offset-Abschnitte 12 und der
horizontalen Abschnitte 13, die in der Schnittansicht eine
abgeflachte V-Form aufweisen, aufnehmen können. An einem
Endabschnitt der Positionierungsaussparung 53 ist eine
Rahmenaufnahme-Aussparung 54 zum Aufnehmen bzw. Anpassen
eines Rahmengliedes 19 des ersten Anschlußdrahtrahmens 1
ausgebildet. Ferner bezeichnet das Bezugszeichen 55 eine
Anschlußdraht-Teiloberfläche, die den äußeren Umfangsbereich
des unteren Käfigs 51 festlegt.
Andererseits ist die obere Gußform 6 mit einem oberen Käfig
61 ausgebildet, wobei dieser in einer Position entsprechend
des unteren Käfigs 51 der unteren Gußform 5 zum Definieren
der äußeren Geometrie bzw. Form einer im wesentlichen unteren
Hälfte des Gehäuses 35 ausgebildet ist. Der untere Käfig 51
und der obere Käfig 61 definieren gemeinsam eine Gußkammer,
die mit einem geschmolzenen Harzmaterial gefüllt wird. An den
gegenüberliegenden Seiten des oberen Käfigs 61 befindet sich
ein Positionierungsvorsprung 63 dessen Form entsprechend der
Positionierungsaussparung 53 ist und der gut in diese Posi
tionierungsaussparung 53 paßt, wodurch der Trägerplättchen-
Aufhängedraht 11 in den Aufhängedraht-Empfangsnuten 52
eingeschlossen wird. Ferner wird eine Rahmenaufnahme-
Aussparung 64 zum Aufnehmen des Rahmengliedes 29 des zweiten
Anschlußdrahtrahmens 2 in unmittelbarer Nähe zu einem äußeren
Endabschnitt des Positionierungsvorsprungs 63 ausgebildet.
Dadurch wird eine Trägerplättchen-Teiloberfläche 62 in der
unteren Oberfläche des Positionierungsvorsprungs 63 aus
gebildet, die als Stoßfläche dienen kann während eine
Anschlußdraht-Teiloberfläche 25 im äußeren Umfangsbereich des
oberen Käfigs 61 entsprechend der Anschlußdraht-Teilober
fläche 55 der unteren Gußform 5 ausgebildet wird. Ferner ist
in der Anschlußdraht-Teiloberfläche 65 eine Anschlußdraht-
Eingreifnut 66 derart ausgebildet, daß sie in die zweiten
Verbindungsdrähte 21 und die ersten Verbindungsdrähte 25
eingreifen kann. In Fig. 8 bezeichnet 67 eine Trennlinie
zwischen der Trägerplättchen-Trennoberfläche 62 und der
Anschlußdraht-Trennoberfläche 65. Die untere Gußform 5 und
obere Gußform 6 sind derart ausgestaltet, daß sie entlang der
Trennlinie 67 ineinander greifen.
Im Rahmenpositionierungs-Schritt werden der mit dem zweiten
Anschlußdrahtrahmen 2 überlagerte erste Anschlußdrahtrahmen
auf die untere Gußform 5 gelegt und nachfolgend die obere
Gußform 6 auf die untere Gußform 5 gelegt. Im einzelnen wird
der unten liegende erste Anschlußdrahtrahmen 1 auf die untere
Gußform 5 gelegt. Nachfolgend wird das Trägerplättchen 10 mit
dem darauf montierten Halbleiterchip 3 nach dem vorherstehend
beschriebenen Drahtbonde-Prozeß 3 innerhalb des unteren
Käfigs 51 auf die untere Gußform 5 gelegt, während das
Rahmenglied 19 in der Rahmenaufnahme-Aussparung 54 in einem
Zustand in dem die Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11
innerhalb der Aufhängedraht-Empfangsnuten 52 angepaßt sind,
befestigt.
Auf diese Weise werden das Trägerplättchen 10, ein Basis
abschnitt 13a des horizontalen Abschnitts 13 der Träger
plättchen-Aufhängedrähte 11, die inneren Anschlußdrähte 22
der zweiten Verbindungsdrähte 21 und die inneren Endab
schnitte der ersten Verbindungsdrähte 25 in den unteren Käfig
51 gelegt.
In diesem Zustand wird die obere Gußform 6 so lange nach
unten bewegt, bis sie gegen die untere Gußform 5 stößt,
wodurch die untere Gußform 5 und die obere Gußform 6
miteinander verklemmt werden. Genauer gesagt, wird das
Rahmenglied 29 des zweiten Anschlußdrahtrahmens 2 in die
Rahmenaufnahme-Aussparung 64 der oberen Gußform 6 eingepaßt,
wobei der Positionierungsvorsprung 63 in die Aussparung 53
der unteren Gußform 5 eingepaßt wird, während die zweiten
Verbindungsdrähte 21 und die ersten Verbindungsdrähte 25 in
den Anschlußdraht-Eingreifaussparungen 66 derart eingepaßt
werden, daß die Anschlußdraht-Trennoberflächen 55 und 65, die
Trennlinie 67 sowie die Trägerplättchen-Trennoberfläche 62
und die obere Oberfläche der Positionierungs-Aussparung 53 in
engen Kontakt miteinander gebracht werden.
Auf diese Weise liegen das Trägerplättchen 10, die Basis
abschnitte 13a der Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11, die
inneren Anschlußdrähte 22 der zweiten Verbindungsdrähte 21
und die inneren Anschlußdrähte 26 der ersten Verbindungs
drähte 25 innerhalb der durch den unteren und oberen Käfig 51
und 61 definierten Harzgußkammer, während die Träger
plättchen-Aufhängedrähte 11 fest durch den Positionierungs
vorsprung 63 in einem zwischen den Aufhängedraht-Aufnahme
nuten 52 eingeschlossenen Zustand gehalten werden. Mit
anderen Worten wird der überwiegende Abschnitt des Offset-
Abschnittes 12 und des horizontalen Abschnitts 13 der
paarweisen Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 fest von dem
Positionierungsvorsprung 63 gehalten bzw. gestützt.
Als nächstes wird der Gußprozeß beschrieben.
Nachdem die untere Gußform 5 und die obere Gußform 6 im
vorherstehend beschriebenen Rahmenpositionierungs-Schritt
aneinander geklemmt bzw. verbunden wurden, wird ein
geschmolzenes Gußharzmaterial in die durch den unteren und
oberen Käfig 51 und 61 definierte Harzkammer eingegeben, bzw.
eingespritzt und ausgehärtet.
In diesem Fall liegen die Offset-Abschnitte 12 der Träger
plättchen-Aufhängedrähte 11, welche das Trägerplättchen
tragen auf dem der Halbleiterchip 34 montiert ist, ausserhalb
der durch den unteren und oberen Käfig 51 und 61 definierte
Harz gefüllte Kammer. Insbesondere wird sich das Träger
plättchen 10 nicht nach oben oder nach unten schieben, selbst
wenn ein ungleichmäßiger Druck während des Einspritz- bzw.
Einfüllvorgangs durch das geschmolzene Harz auf das
Trägerplättchen 10 ausgeübet wird, da die Offset-Abschnitte
12 durch den Positionierungsvorsprung 63 der oberen Gußform 6
eingespannt sind, wobei diese in den Aufhängedraht-
Aufnahmenuten 52 der unteren Gußform 5 eingeschlossen sind,
und das Trägerplättchen 10 fest durch den Basisabschnitt 13a
dessen Stabilität bzw. Stärke ungestört erhalten bleibt,
getragen bzw. unterstützt wird. Da darüberhinaus das
Trägerplättchen 10 durch die Basisabschnitte 13a der
paarweisen Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 unterstützt bzw.
getragen wird, kann auch eine Rotation des Trägerplättchens
verhindert werden, wodurch eine vertikale Verschiebung
ausgeschlossen ist.
Als letztes wird der Anschlußdraht-Abschneideprozeß als
vierter Schritt ausgeführt. Fig. 9 ist eine Schnittansicht,
die eine Halbleitervorrichtung in einem Zwischenzustand
zeigt, nachdem die Gußform entfernt wurde. Fig. 10 ist eine
Schnittansicht der gleichen Halbleitervorrichtung nachdem die
Anschlußdrähte abgeschnitten wurden, und Fig. 11 zeigt eine
perspektivische Ansicht der Halbleitervorrichtung in einem
fertig gestellten Zustand.
Nachdem sich das Harz im vorherstehend beschriebenen
Gußverfahren gesetzt hat, bzw. ausgehärtet ist, wird die
obere Gußform 6 von der unteren Gußform 5 gelöst und aus der
unteren Gußform 5 ein Zwischenprodukt der Halbleiter
vorrichtung mit dem Gehäuse 35, wie in Fig. 9 gezeigt,
entnommen.
Nachfolgend werden die überflüssigen herausragenden
Abschnitte der Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 des ersten
Anschlußdrahtrahmens 1, die sich aus dem Gehäuse heraus
erstrecken, gemeinsam mit dem Rahmenglied 19 unter Verwendung
eines Preßschneidegerätes gemeinsam abgeschnitten, während
die zweiten Verbindungsdrähte 21 und die ersten Verbindungs
drähte 25 von den zweiten Verbindungsdrähten 21 des zweiten
Anschlußdrahtrahmens gekürzt werden, wobei eine vorbestimmte
Länge der zweiten Verbindungsdrähte 21 und der ersten
Verbindungsdrähte 25 erhalten wird. Die Halbleitervorrichtung
ist nun in dem fertig gestellten Zustand.
In der fertig gestellten Halbleitervorrichtung sind wie in
Fig. 9 und 10 dargestellt die Wandabschnitte 36 des den
Halbleiterchip 3 enthaltenden Gehäuses 35 auf den
Basisabschnitten 13a der horizontalen Abschnitte 13
ausgebildet. Die Wandstärke der Wandabschnitte 36 kann daher
verringert werden. Dementsprechend kann im Vergleich zu der
in Fig. 17 gezeigten herkömmlichen Halbleitervorrichtung die
äußere Abmessung bzw. Größe des Halbleiterchips 3 im gleichen
Maße vergrößert werden wie die Dicke des Wandabschnittes 36
verringert wird. Dies bedeutet, daß ein Halbleiterchip 3 von
großen Abmessungen auf dem Trägerplättchen 10 montiert werden
kann.
Beispielsweise fällt somit in einem standardisierten Gehäuse
35, bei dem eine äußere Abmessung L1 in einem Bereich
zwischen 10,79 bis 41,27 mm und einer Dicke von 2,6 bis 3,1
mm liegt, die für das Ausbilden des Offset-Abschnitts 12
erforderliche Länge M in einen Bereich von 0,3 bis 0,5 mm,
während die Länge N des zwischen der oberen und unteren Form
liegenden horizontalen Abschnitts 13, der zum Ausbilden des
Offset-Abschnitts 12 erforderlich ist, 0,1 mm beträgt. Im
Falle der in Fig. 17 gezeigten herkömmlichen Halbleiter
vorrichtung ist der Wandabschnitt 0,5 bis 0,7 mm dick, da der
Wandabschnitt über dem Offset-Abschnitt 102a und den
horizontalen Abschnitten an beiden Seiten ausgebildet ist. Im
Gegensatz hierzu kann beim erfindungsgemäßen Verfahren zur
Herstellung einer Halbleitervorrichtung der Wandabschnitt 36
auf dem Basisabschnitt 13a des horizontalen Abschnitts 13 des
Trägerplättchens-Aufhängedrahtes 11 ausgebildet werden. Die
Dicke P des Wandabschnittes 36 kann daher in einem Bereich
zwischen 0,2 bis 0,4 mm liegen. Somit kann ein Halbleiterchip
3 eingegossen bzw. verpackt werden, der eine um
0,2 bis 1,0 (mm) = {(0,5 bis 0,7) - (0,2 bis 0,4)} . 2
vergrößerte äußere Abmessung L3 aufweisen kann im Vergleich
zum herkömmlichen Halbleiterchip 110.
Ferner sind bei der für die Herstellung einer Halbleiter
vorrichtung verwendeten Gußvorrichtung im vorliegenden
Ausführungsbeispiel die Trennlinien 67, welche die
Positionierungs-Aussparung 53, die Trägerplättchen-
Trennoberfläche 62 und die Anschlußdraht-Trennoberflächen 55
und 65 miteinander verbindet, in den lateralen Oberflächen
des Gehäuses vorgesehen, die weder die zweiten
Verbindungsdrähte 21 noch die ersten Verbindungsdrähte 25
aufweisen und sich gemäß Fig. 5 bis 8 aus den Ecken bzw.
Kanten heraus erstrecken anstelle darin zu liegen. Die
lateralen Oberflächen des vorherstehend beschriebenen
Gehäuses 35 können angeschrägt werden, um das Entfernen des
Zwischenproduktes der Halbleitervorrichtung nach dem
Verpacken mit Harz aus den unteren Gußformen 5 und 6 zu
erleichtern.
Ferner kann wegen der Einpassung der oberen Gußform 6 in die
Positionierungs-Aussparung 53 mit der vorherstehend
beschriebenen Trennlinie 67 die Positionierung der unteren
Gußform 5 in Bezug auf die obere Gußform 6 auf einfache Weise
und mit verbesserter Genauigkeit realisiert werden. So kann
beispielsweise im Vergleich zu einer Gußform-Vorrichtung in
der die obere Gußform 6 und die untere Gußform 5 durch eine
Vielzahl von Abschnitte dargestellt sind und in der die
Positionierungs-Vorrichtung für die obere und untere Gußform
6 und 5 ausserhalb des Käfigs ausgebildet ist, die
Positionierungs-Genauigkeit um ca. 10 µm verbessert werden.
Als nächstes wird anhand der Fig. 12 und 13 ein zweites
erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel beschrieben. Das
Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß dem
zweiten Ausführungsbeispiel entspricht dem ersten
Ausführungsbeispiel und besteht aus einem
Trägerplättchenstanz- bzw. Drahtbonde-Prozeß als ersten
Schritt, einem Rahmenpositionierungs-Prozeß als zweiten
Schritt, einem Gußprozeß als dritten Schritt und einem
Anschlußdraht-Abschneideprozeß als vierten Schritt. Jedoch
unterscheidet sich der durch den Trägerplättchen-Stanz-
/Drahtbonde-Prozeß ausgebildete Rahmen von dem mit dem
Verfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel hergestellten
Rahmen.
Fig. 12 ist eine Draufsicht zur Darstellung eines Verfahrens
zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 13 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie F-F in
Fig. 12, wie sie in Pfeilrichtung gesehen wird. Zur
Erleichterung der Figurenbeschreibung werden in den Figuren
gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen wie beim ersten
Ausführungsbeispiel bezeichnet.
Gemäß den Fig. 12 und 13 ist mit 7 ein Anschlußdrahtrahmen
mit zweiten Verbindungsdrähten 21 und ersten
Verbindungsdrähten 25 bezeichnet, wobei jedes sich an beiden
Seiten des Trägerplättchens 10 befindliche Rahmenglied 79 ein
Paar von oberen Vorsprungsstücken 71 (erste Vorsprungstücke)
aufweist, die sich horizontal gegenüber den inneren Drähten
22 erstrecken.
Andererseits erstreckt sich ein unteres Paar von
Vorsprungsstücken 72 (zweite Vorsprungstücke) horizontal von
den gegenüberliegenden Seiten des Trägerplättchens 10 mit den
darauf montierten Halbleiterchip 3 in eine den oberen
Vorsprungsstücken 71 zugewandten Richtung.
Bei den Trägerplättchen-Absenk-/Drahtbondeprozeß des
Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der
Anschlußdrahtrahmen 7 und das Trägerplättchen 10 über
adhäsive bzw. klebende Glieder 75 miteinander verbunden, die
als Verbindungsglieder dienen und die Trägerplättchen-
Aufhängedrähte 70 darstellen.
Im einzelnen ist das Trägerplättchen 10 derart positioniert,
daß sich die unteren Vorsprungsstücke 72 transversal unter
den zweiten Verbindungsdrähten 21 des Anschlußdrahtrahmens 7
erstrecken und daß sich ihre Kopfendabschnitte bzw. ihre
freien Enden 76 direkt unterhalb der Kopfendabschnitte bzw.
freien Enden 77 der oberen Vorsprungsstücke 71 befinden.
Nachfolgend werden die freien Endabschnitte 77 und 76 der
oberen und unteren Vorsprungsstücke 71 und 72 durch das
adhäsive Glied 75 wie beispielsweise ein Klebeband, ein
Bondmittel oder dergleichen miteinander verbunden, wodurch
der Trägerplättchen-Aufhängedraht 70 ausgebildet wird.
Bei der vorherstehend beschriebenen Struktur bildet das
adhäsive Glied 75 einen Offset-Abschnitt, der dem Offset-
Abschnitt 12 in der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel entspricht, während das untere
Vorsprungsstück 72 einem horizontalen Abschnitt entsprechend
dem horizontalen Abschnitt 13 im ersten Ausführungsbeispiel
entspricht. Folglich befindet sich der zweite
Verbindungsdraht 21 über dem unteren Vorsprungsstück 72,
wobei das Trägerplättchen 10 in Bezug zum zweiten
Verbindungsdraht 21 abgesenkt ist.
Bei der im Rahmenpositionierungs-Prozeß und Gußprozeß gemäß
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendeten Gußform zur
Herstellung der Halbleitervorrichtung ist die
Positionierungs-Aussparung 53 in der unteren Gußform 5 derart
ausgebildet, daß sie dem L-förmigen Trägerplättchen-Aufhänge
draht 70 entspricht, der aus einem oberen Vorsprungsstück 71,
dem unteren Vorsprungsstück 72 und dem adhäsiven Glied 75,
während die Aufhängedraht-Aufnahmenut 52 derart ausgebildet
ist, daß sie der Form des Trägerplättchen-Aufhängedrahtes 70
entspricht. Darüberhinaus ist der Positionierungsvorsprung
63, der aus der oberen Gußform 6 herausragt, derart
ausgebildet, daß er der Form der Positionierungs-Aussparung
53 entspricht.
Somit wird das Gehäuse 35 aus dem sich die adhäsiven Glieder
75 nach aussen erstrecken, integral durch den Gießprozeß
gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ausgebildet, wobei
der Schritt des Überlagerns des ersten Anschlußdrahtrahmens
mit den Trägerplättchen-Aufhängedrähten 11 und dem zweiten
Anschlußdrahtrahmen mit den zweiten Verbindungsdrähten 21 und
den ersten Verbindungsdrähten 25 eingespart werden kann, und
wobei der Prozeß zum Positionieren des Anschlußdrahtrahmens
in der Gußform erleichtert werden kann, wodurch sich die
Effektivität bei der Herstellung entsprechend verbessert.
Hinsichtlich der weiteren Aspekte entspricht das vorliegende
Ausführungsbeispiel im wesentlichen dem ersten Ausführungs
beispiel. Auf eine weitere Beschreibung wird daher
verzichtet.
Als nächstes wird anhand von Fig. 14 ein Verfahren zur
Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten
Ausführungsbeispiel beschrieben. Das dritte Ausführungs
beispiel unterscheidet sich von dem zweiten Ausführungs
beispiel dadurch, daß anstelle des Bindungsgliedes 75 ein
Abstandshalter 80 verwendet wird. Fig. 14 ist eine
Schnittansicht ähnlich der Fig. 13 und stellt ein Verfahren
zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel dar. Es wird darauf hingewiesen, daß in
Fig. 14 gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen wie im
zweiten und ersten Ausführungsbeispiel bezeichnet werden.
Im Falle des zweiten Ausführungsbeispiels wurden die
Kopfenden bzw. freien Endabschnitte 77 und 76 der oberen und
unteren Vorsprungsstücke 71 und 72 unter Verwendung eines
adhäsiven Gliedes 75 miteinander verbunden, wobei das
adhäsive Glied 75 keine beliebig große Dicke aufweisen
konnte. Folglich befand sich der zweite Verbindungsdraht 21
und das obere Vorsprungsstück 72 nahe beieinander, wodurch
ein unerwünschter Kontakt zwischen dem zweiten
Verbindungsdraht 21 und dem unteren Vorsprungsstück 72 beim
Einfüllen des geschmolzenen Harzes im Gußprozeß auftreten
konnte und die Möglichkeit eines Kurzschlußes bestand.
Aufgrund dieser Umstände wird gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel ein nicht adhäsiver Abstandshalter 80 aus
einem isolierenden Material mit einer relativ großen Dicke
zwischen das obere Vorsprungsstück 71 und den zweiten
Verbindungsdraht 21 gelegt, wobei der isolierende
Abstandshalter 80 an das obere Vorsprungsstück 71 und das
untere Vorsprungsstück 72 unter Verwendung eines adhäsiven
Mittels 81 befestigt wird. Aufgrund dieser Struktur kann die
Abwärtsbewegung des zweiten Verbindungsdrahtes 21 beim
Einfüllen bzw. Einspritzen des geschmolzenen Harzes durch den
isolierenden Abstandshalter 80 verhindert werden, wodurch ein
Kurzschluß zwischen dem zweiten Verbindungsdraht 21 und dem
unteren Vorsprungsstück 72 ausgeschlossen wird.
Hinsichtlich der weiteren Aspekte entspricht das dritte
Ausführungsbeispiel im wesentlichen dem ersten und zweiten
Ausführungsbeispiel. Auf eine weitere Beschreibung wird daher
verzichtet.
Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel unterscheidet sich
vom zweiten und dritten Ausführungsbeispiel dahingehend, daß
anstelle des Verbindungsgliedes eine Nase bzw. ein Vorsprung
verwendet wird.
Fig. 15 zeigt eine der Fig. 14 ähnliche Schnittansicht zum
Darstellen des Verfahrens zur Herstellung der Halbleiter
vorrichtung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel. In Fig. 15
sind gleiche Teile wie in den Ausführungsbeispielen 1 bis 3
durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet.
Gemäß Fig. 15 ist ein Vorsprung bzw. eine Nase 90 derart an
dem Kopfende bzw. freien Endabschnitt 76 des unteren
Vorsprungsstücks 72 ausgebildet, daß es sich von dem
Kopfendabschnitt 77 des oberen Vorsprungstückes 71 schräg
nach unten erstreckt, wobei ein Kopfendabschnitt der Nase 90
mit dem oberen Vorsprungstück 71 über ein adhäsives Material
91 verbunden ist. Mit diesem Aufbau ist ein ausreichend
großer Spalt entsprechend einer Summe der Höhe der Nase 90
und der Dicke des adhäsiven Materials 91 zwischen dem
zweiten Verbindungsdraht 21 und dem unteren Vorsprungsstück
72 sicher gestellt, wobei ein Kontaktieren des zweiten
Verbindungsdrahtes 21 mit dem unteren Vorsprungsstück 72
verhindert werden kann und sich trotzdem der der zweite
Verbindungsdraht 21 aufgrund des eingespritzten geschmolzenen
Harzes nach unten bewegen kann. Hinsichtlich weiterer Aspekte
entspricht das vorliegende Ausführungsbeispiel im
wesentlichen dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel. Da
eine Vielzahl von Änderungen bzw. Kombinationen denkbar sind,
ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorhergehend
beschriebenen Strukturen bzw. Verfahren beschränkt.
Obwohl ein Paar der Trägerplättchen-Aufhängedrähte 11 an
jeder der gegenüberliegenden Seiten des Trägerplättchens 10
unter Verwendung des ersten Anschlussdrahtrahmens 1 und des
getrennt ausgebildeten zweiten Anschlussdrahtrahmens 2
bereitgestellt ist, ist es beispielsweise gleichermaßen
möglich, den ersten Anschlussdrahtrahmen 1 und den zweiten
Anschlussdrahtrahmen 2 in einem einzigen
Anschlussdrahtrahmen mit einem an jeder der
gegenüberliegenden Seiten des Trägerplättchens
bereitgestellten Trägerplättchen-Aufhängedraht 11
auszubilden, wobei der zweite Verbindungsdraht 21 derart
ausgebildet ist, dass er sich bis zu der dem
Trägerplättchen-Aufhängedraht 11 nahen Stelle erstreckt.
Dabei wird die untere Gussform 5 mit der eine
Anschlussdraht-Aufnahmenut 52 beinhaltenden
Positionierungsaussparung 53 als Herstellungsgussform für
die Halbleitervorrichtung zum Aufnehmen des
Trägerplättchen-Aufhängedrahtes 11 verwendet.
Demzufolge kann auf alle geeigneten Abwandlungen und
Äquivalente zurückgegriffen werden, die in den Bereich der
Erfindung fallen.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
mit einem in einem Gußgehäuse aus isolierendem Material
eingeschlossenen Halbleiterchip, wobei
in einem ersten Schritt
auf einem ersten Anschlußdrahtrahmen (1), der ein Trägerplättchen (10) mit einem darauf montierten Halbleiterchip (3) Über eine Vielzahl von Trägerplättchen-Aufhängedrähten (11) trägt, die jeweils einen Offset-Abschnitt (12) be sitzen,
ein zweiter Anschlußdrahtrahmen (2) überlagert ist, der in der Nähe von auf dem Halbleiterchip (3) ausgebildeten Elektroden (32) sich erstreckende Verbindungsdrähte (21, 25) aufweist, und
innere Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbin dungsdrähte (21, 25) mit den Elektroden (32) des Halb leiterchips (3) durch Metalldrähte (31) entsprechend verbunden werden,
in einem zweiten Schritt
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) auf einem ersten Gußteil (5) derart positioniert werden, daß das Trägerplättchen (10) und die inneren Anschluß drahtabschnitte (22, 26) innerhalb eines ersten in dem ersten Gußteil (5) ausgebildeten Hohlraum angeordnet sind, und
ein zweites Gußteil (6) mit einem zweiten darin ausge bildeten Hohlraum auf das erste Gußteil (5) gelegt wird, wodurch eine Harzgußkammer festgelegt wird,
in einem dritten Schritt
ein Gehäuse (35) durch Einfüllen eines Harzes in die Harzgußkammer ausgebildet wird, und
in einem vierten Schritt
das Gehäuse (35) aus dem ersten und zweiten Gußteil (5, 6) entnommen wird und die Verbindungsdrähte (21, 25) auf eine vorbestimmte Länge gekürzt werden,
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem zweiten Schritt
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) auf dem ersten Gußteil (5) derart positioniert werden, daß die Offset-Abschnitte (12) der Trägerplättchen- Aufhängedrähte außerhalb des ersten Hohlraums (51) zu liegen kommen,
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) ein schließlich der Offset-Abschnitte (12) zwischen den Stoßflächen der ersten und zweiten Gußteile (5, 6) ge halten werden, und
in dem vierten Schritt
die aus dem Gehäuse (35) nach außen ragenden Offset- Abschnitte (12) abgeschnitten werden.
in einem ersten Schritt
auf einem ersten Anschlußdrahtrahmen (1), der ein Trägerplättchen (10) mit einem darauf montierten Halbleiterchip (3) Über eine Vielzahl von Trägerplättchen-Aufhängedrähten (11) trägt, die jeweils einen Offset-Abschnitt (12) be sitzen,
ein zweiter Anschlußdrahtrahmen (2) überlagert ist, der in der Nähe von auf dem Halbleiterchip (3) ausgebildeten Elektroden (32) sich erstreckende Verbindungsdrähte (21, 25) aufweist, und
innere Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbin dungsdrähte (21, 25) mit den Elektroden (32) des Halb leiterchips (3) durch Metalldrähte (31) entsprechend verbunden werden,
in einem zweiten Schritt
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) auf einem ersten Gußteil (5) derart positioniert werden, daß das Trägerplättchen (10) und die inneren Anschluß drahtabschnitte (22, 26) innerhalb eines ersten in dem ersten Gußteil (5) ausgebildeten Hohlraum angeordnet sind, und
ein zweites Gußteil (6) mit einem zweiten darin ausge bildeten Hohlraum auf das erste Gußteil (5) gelegt wird, wodurch eine Harzgußkammer festgelegt wird,
in einem dritten Schritt
ein Gehäuse (35) durch Einfüllen eines Harzes in die Harzgußkammer ausgebildet wird, und
in einem vierten Schritt
das Gehäuse (35) aus dem ersten und zweiten Gußteil (5, 6) entnommen wird und die Verbindungsdrähte (21, 25) auf eine vorbestimmte Länge gekürzt werden,
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem zweiten Schritt
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) auf dem ersten Gußteil (5) derart positioniert werden, daß die Offset-Abschnitte (12) der Trägerplättchen- Aufhängedrähte außerhalb des ersten Hohlraums (51) zu liegen kommen,
die ersten und zweiten Anschlußdrahtrahmen (1, 2) ein schließlich der Offset-Abschnitte (12) zwischen den Stoßflächen der ersten und zweiten Gußteile (5, 6) ge halten werden, und
in dem vierten Schritt
die aus dem Gehäuse (35) nach außen ragenden Offset- Abschnitte (12) abgeschnitten werden.
2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
mit einem in einem Gußgehäuse aus isolierendem Material
eingeschlossenen Halbleiterchip, wobei
in einem ersten Schritt
ein Anschlußdrahtrahmen (7) ausgebildet wird, beste hend aus
einem Trägerplättchen (10),
aus Trägerplättchen-Aufhängedrähten (70), die mit dem Trägerplättchen (10) verbunden sind und jeweils einen Offset-Abschnitt (12) aufweisen, und aus
Verbindungsdrähten (21, 25), die sich in der Nähe des Trägerplättchens (10) erstrecken,
ein Halbleiterchip (3) auf dem Trägerplättchen (10) montiert wird, und
innere Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbin dungsdrähte (21, 25) mit Elektroden (32) des Halblei terchips (3) über Metalldrähte (31) elektrisch verbun den werden;
in einem zweiten Schritt
der Anschlußdrahtrahmen (7) derart in einem ersten Gußteil (5) positioniert wird, daß das Trägerplättchen (10) und die inneren Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbindungsdrähte (21, 25) innerhalb eines in dem ersten Gußteil (5) ausgebildeten ersten Hohlraums lie gen, und
ein zweites Gußteil (6) mit einem zweiten darin ausge bildeten Hohlraum (61) auf das erste Gußteil (5) ge legt wird, wodurch eine Harzgußkammer festgelegt wird,
in einem dritten Schritt
ein Gehäuse durch Einfüllen eines Harzes in die Harz gußkammer ausgebildet wird; und
in einem vierten Schritt
das Gehäuse (35) aus dem ersten und zweiten Gußteil (5, 6) entfernt wird, und die Verbindungsdrähte (21, 25) auf eine vorbestimmte Länge gekürzt werden
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem zweiten Schritt
der Anschlußdrahtrahmen (7) derart in dem ersten Guß teil positioniert wird, daß die Offset-Abschnitte (12) der Trägerplättchen-Aufhängedrähte sich außerhalb des ersten Hohlraums (51) befinden, und
der Anschlußdrahtrahmen (7) einschließlich der Offset- Abschnitte (12) zwischen den Stoßflächen der ersten und zweiten Gußteile (5, 6) gehalten werden, und
in dem vierten Schritt
die aus dem Gehäuse (35) herausragenden Offset- Abschnitte (12) abgeschnitten werden.
in einem ersten Schritt
ein Anschlußdrahtrahmen (7) ausgebildet wird, beste hend aus
einem Trägerplättchen (10),
aus Trägerplättchen-Aufhängedrähten (70), die mit dem Trägerplättchen (10) verbunden sind und jeweils einen Offset-Abschnitt (12) aufweisen, und aus
Verbindungsdrähten (21, 25), die sich in der Nähe des Trägerplättchens (10) erstrecken,
ein Halbleiterchip (3) auf dem Trägerplättchen (10) montiert wird, und
innere Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbin dungsdrähte (21, 25) mit Elektroden (32) des Halblei terchips (3) über Metalldrähte (31) elektrisch verbun den werden;
in einem zweiten Schritt
der Anschlußdrahtrahmen (7) derart in einem ersten Gußteil (5) positioniert wird, daß das Trägerplättchen (10) und die inneren Anschlußdrahtabschnitte (22, 26) der Verbindungsdrähte (21, 25) innerhalb eines in dem ersten Gußteil (5) ausgebildeten ersten Hohlraums lie gen, und
ein zweites Gußteil (6) mit einem zweiten darin ausge bildeten Hohlraum (61) auf das erste Gußteil (5) ge legt wird, wodurch eine Harzgußkammer festgelegt wird,
in einem dritten Schritt
ein Gehäuse durch Einfüllen eines Harzes in die Harz gußkammer ausgebildet wird; und
in einem vierten Schritt
das Gehäuse (35) aus dem ersten und zweiten Gußteil (5, 6) entfernt wird, und die Verbindungsdrähte (21, 25) auf eine vorbestimmte Länge gekürzt werden
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem zweiten Schritt
der Anschlußdrahtrahmen (7) derart in dem ersten Guß teil positioniert wird, daß die Offset-Abschnitte (12) der Trägerplättchen-Aufhängedrähte sich außerhalb des ersten Hohlraums (51) befinden, und
der Anschlußdrahtrahmen (7) einschließlich der Offset- Abschnitte (12) zwischen den Stoßflächen der ersten und zweiten Gußteile (5, 6) gehalten werden, und
in dem vierten Schritt
die aus dem Gehäuse (35) herausragenden Offset- Abschnitte (12) abgeschnitten werden.
3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem ersten Schritt die
Trägerplättchen-Aufhängedrähte (11) nach unten gedrückt
werden, wodurch die Offset-Abschnitte (12) entstehen, der
Halbleiterchip (3) auf das Trägerplättchen (10) montiert
wird und zwischen den Elektroden (32) des Halbleiterchips
(3) und den inneren Anschlussdrahtabschnitten (22, 26) der
Verbindungsdrähte (21, 25) durch Bonden der Metalldrähte
(31) eine elektrische Verbindung geschaffen wird.
4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem ersten Schritt der Anschlussdrahtrahmen (7) mit
einer Vielzahl von ersten Vorsprungsstücken (71)
ausgebildet wird, die jeweils einen Teil des
Trägerplättchen-Bindungsdrahtes (70) darstellen und die
Verbindungsdrähte (21, 25) sich jeweils transversal vor
einem Kopfende der ersten Vorsprungstücke (71) erstrecken,
während eine Vielzahl von zweiten Vorsprungsstücken (72)
ausgebildet sind, die sich horizontal vom Trägerplättchen
(10) erstrecken, wobei nachdem das Trägerplättchen derart
angeordnet wurde, dass jedes der zweiten Vorsprungstücke
sich unterhalb jeder der Verbindungszuleitungen (21)
erstreckt, von denen sich jede quer vor einem
Kopfendabschnitt des ersten Vorsprungstückes erstreckt,
damit sie dadurch unterhalb des ersten Vorsprungstücks
angeordnet sind, die ersten und zweiten Vorsprungstücke
jeweils gegenseitig durch Verbindungsglieder verbunden
sind, damit dadurch die Vielzahl von
Trägerplättchen-Aufhängedrähten ausgebildet werden.
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verbindungsglied aus einem adhäsiven Material (75)
besteht.
6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Verbindungsglied aus einem unter dem ersten Vorsprungsstück
(71) angeordneten Abstandshalter (80) besteht und der
Verbindungsdraht (21) sich transversal vor einem Kopfende
des ersten Vorsprungsstücks (71) befindet und sowohl mit
dem ersten Vorsprungsstück (71) als auch mit dem zweiten
Vorsprungsstück (72) verbunden ist, wobei es sich zwischen
dem ersten und dem zweiten Vorsprungsstück (71, 72)
befindet.
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verbindungsglied aus einer Nase (90) besteht, die
in einer der beiden ersten und zweiten Vorsprungsstücken
(71, 72) ausgebildet ist und mit der anderen der ersten und
zweiten Vorsprungsstücke (71, 72) verbunden ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
in dem ersten Schritt die elektrischen Verbindungen
zwischen den Elektroden (32) des Halbleiterchips (3) und
den Verbindungsdrähten (21, 25) durch Bonden der
Metalldrähte (31) ausgebildet werden, wobei die in einen
Raum zwischen den Trägerplättchen-Aufhängedrähten (11, 70)
hineinragenden Kopfendabschnitte (22,) der
Verbindungsdrähte (21) durch eine Stützplatte (4)
unterstützt werden, welche zwischen benachbarten
Trägerplättchen-Aufhängedrähte (11, 70) nach oben ragt.
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