DE3446647A1 - Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungenInfo
- Publication number
- DE3446647A1 DE3446647A1 DE19843446647 DE3446647A DE3446647A1 DE 3446647 A1 DE3446647 A1 DE 3446647A1 DE 19843446647 DE19843446647 DE 19843446647 DE 3446647 A DE3446647 A DE 3446647A DE 3446647 A1 DE3446647 A1 DE 3446647A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- synthetic resin
- pill
- lead frame
- dipl
- ing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 241000921769 Arabella Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/02—Deburring or deflashing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
- B29C70/72—Encapsulating inserts having non-encapsulated projections, e.g. extremities or terminal portions of electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S83/00—Cutting
- Y10S83/914—Flash trimming
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
HOFFMANN "* EITLE *& "PARTNER 3ΛΑββΔ7
PATENT- UND RECHTSANWÄLTE O *+ H U U *T /
PATENTANWÄLTE DIPL.-ΙΝΘ. W. EITLE . DR. RER. NAT. K. HOFFMANN . DIPL.-INQ. W. LEHN
D1PL.-INQ. K. FOOHSLE . DR. RER. NAT. B. HANSEN · DR. RER. NAT. H-A. BRAUNS · DIPL.-INQ. K.
DIPL.-INQ. K. KOHLMANN · RECHTSANWALT A. NETTE
- 3 - 41 309 q/gt
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA Kawasaki-Shi / JAPAN
Verfahren zur Herstellung von kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtungen
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung,
welche auf einem Schaltungssubstrat eines Hybrid-IC befestigt ist und insbesondere ein Verfahren zur Behandlung
der äußeren Zuleitungen der Halbleitervorrichtung nach dem Versiegeln der Halbleitervorrichtung mit Kunstharz.
'Die konventionelle kunstharzversiegelte Halbleitervorrichtung,
welche auf einem Schaltungssubstrat eines Hybrid-IC befestigt ist, wurde wie folgt gefertigt.
Eine zuerst gefertigte Pille oder Tablette wird auf einem Bett eines Zuleitungsrahmens befestigt, welcher durch Lochen
oder Stanzen einer Metallplatte hergestellt wurde. Ein Verbindungs- oder Anschlußfeld der Pille und der innere
Leitungsbereich des Zuleitungsrahmens wurden dann elektrisch miteinander durch Drahtverbinden verbunden und angeschlossen.
Danach werden die Pille und der innere Leitungsbereich des
Zuleitungsrahmens, in dem die Pille angeordnet ist, durch Kunstharz versiegelt und abgedichtet und zwar unter Verwendung
von Preß- oder Schmelzformplättchen bzw. Matrizen. So wird wie aus Fig. 1 ersichtlich, die Kunstharzabdichtung
bzw. Versiegelung 11 zur Aufnahme der Pille gebildet und zwar integriert mit dem Zuleitungsrahmen 12. Beim
Schritt der Versiegelung mit Kunstharz fließt der Preßformoder Schmelzkunststoff 13 aus dem Spalt der Preß- oder
Schmelzformteile, haftet auf der Oberfläche der äußeren Leitungen 12a und härtet aus. Fig. 2 ist eine Schnittansicht
längs der Linie A-A' in Fig. 1. Da gemäß Fig. 2 die äußeren Leitungen 12a auf der oberen und unteren Oberfläche
mit den Formteilen in Berührung stehen, ist der Wert des Kunstharzes 13, welcher ausfließt und an der oberen
und unteren Oberfläche der äußeren Leitungen 12a anhaftet,
extrem klein. Da jedoch die äußeren Leitungen 12a auf den
Seiten mit den Formteilen weniger Kontakt geben, haftet der Kunstharz 13 zu den Seiten hin dick.
Um daher den Kunstharz 13, welcher an den äußeren Leitungen
12a haftet zu entfernen, muß ein Sprengen bzw. Loslösen mit Partikeln durchgeführt werden.
Sodann werden die äußeren Leitungen 12a z.B. durch Löten
plattiert. Der nicht benötigte Rahmen des Zuleitungsrahmens 12 wird bei der Herstellung eines Produktes abgeschnitten.
Jedoch war es beim konventionellen Abspreng- bzw. Sandstrahlen
schwierig, um den Kunstharz 13, welcher an den Seiten der äußeren Leitungen 12a anhaftete, vollständig zu entfernen.
Wenn so die äußeren Leitungen 12a im nächsten Schritt plat-
tiert bzw. mit einem galvanischen überzug versehen werden,
werden die äußeren Leitungen 12a von denen der Kunstharz 13 an den Seiten entfernt wird, durch einen galvanischen
Überzug 14 auf der gesamten Peripherie wie in Fig. 3 dargestellt,
bedeckt. Jedoch werden die äußeren Leitungen 12a, an denen der Kunstharz an den Seiten haftet, nur an den
oberen und unteren Oberflächen plattiert, wie aus Fig. 4 ersichtlich. Daher werden die äußeren Leitungen 12a gemäß
Fig. 3 vorzugsweise mit einem Schaltungssubstrat verbunden, wenn sie auf dem Schaltungssubstrat gemäß Fig. 5 befestigt
sind. Jedoch werden die äußeren Leitungen 12a gemäß Fig. 4
mit dem Schaltungssubstrat in einem kleinen anhaftenden Feld wie in Fig. 6 zu sehen ist, verbunden bzw. gebonded,
wobei als Folge hiervon die äußeren Leitungen 12a nicht richtung mit dem Schaltungssubstrat zusammenhaften. In
Fig. 5 und 6 bezeichnen das Bezugszeichen 15 ein Schaltungssubstrat, während das Bezugszeichen 16 ein Lötmaterial bezeichnet.
In dem Fall, in dem der Zuleitungsrahmen 12 durch Stanzen
gebildet wird, wird sogar dann, wenn die äußeren Leitungen 12a, welche Grate 12a1, 12a1 aufweisen, wie aus Fig. 7 ersichtlich
ist, durch einen galvanischen überzug 14 abgedeckt, das Lötmaterial 16 daran gehindert, auf den äußeren
Leitungen 12a, wie aus Fig. 8 ersichtlich ist, anzuhaften bzw. sich zu verbinden, wenn die äußeren Leitungen 12a auf
dem Schaltungssubstrat 15 befestigt werden. Hierdurch werden die äußeren Leitungen 12a unvollständig mit dem Schaltungssubstrat
15 verbunden bzw. gebonded.
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit diesem Problem und weist die Aufgabe auf, ein Verfahren zur Herstellung
einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung zu schaf-
— ο —
fen, die gemäß dem Kunstharz, welcher an den Seiten der äußeren Leitungen anhaftet, zuverlässig im Schritt der Versiegelung
bzw. Abdichtung mit Kunststoff entfernt werden kann, wobei ein zu lötendes Material vorzugsweise auf der
oberen Oberfläche der äußeren Leitungen im Zeitpunkt der Befestigung auf dem Schaltungssubstrat fest aufgebracht
werden kann und wobei die äußeren Leitungen zuverlässig auf dem Schaltungssubstrat befestigt werden können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung
einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung geschaffen, die die folgenden Schritte aufweist:
(i) Befestigungsschritt einer Pille oder Tablette, welehe
die Halbleiterelemente aufweist auf einem auf dem Zuleitungsrahmen gebildeten Bett,
(ii) Verbindungsschritt des Anschluß- oder Verbindungsfeldes
der Pille und des Zuleitungsrahmens durch Drahtverbinden bzw. Bonden,
(iii) Versiegelungsschritt der Pille mit Kunstharz und des Verbindungsteiles der Pille mit dem Zuleitungsrahmen
und
25
25
(iv) Entfernungsschritt des an den Seiten anhaftenden Kunstharzes der äußeren Zuleitung im Versiegelungsschritt mit dem Kunstharz,
wobei das Verfahren vor dem Schritt der Kunstharzentfernung einen zusätzlichen Schritt aufweist, welcher das Zusammendrücken
bzw. Stauchen der Kanten in Längsrichtung der äußeren Zuleitung oder sowohl der oberen und unteren Kanten umfaßt.
3U6647
Im folgenden werden die Figuren beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht der Halbleitervorrichtung mit einem Zustand unmittelbar
nach der Versiegelung der Vorrichtung mit
Kunstharz,
Fig. 2 eine Schnittansicht längs der Linie A-A gemäß Fig. 1,
10
10
Fig. 3 und 4 Schnittansichten von Zuleitungen, welche auf den äußeren Oberflächen plattiert bzw.
mit einem galvanischen überzug versehen sind,
Fig. 5 und 6 Schnittansichten in dem Zustand, in dem
die Zuleitungen der Fig. 3 und 4 mit dem Zuleitungsrahmen gelötet sind,
Fig. 7 eine Schnittansicht der auf der ausgestanzten Leitung plattierten Zuleitungen,
Fig. 8 eine Schnittansicht, die den Zustand zeigt,
in dem die Leitung gemäß Fig. 7 mit dem Zuleitungsrahmen verlötet ist,
25
25
Fig. 9A und 9B Schnittansichten, die den Schritt des Eindrückens bzw. Stauchens der Kanten des Drahtes
gemäß einem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung zeigen,
30
30
Fig. 10 eine perspektivische Ansicht einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung, welche
durch ein Verfahren gemäß den Fig. 9A und 9B geschaffen wird,
Fig. 11A eine Kennlinie, die die Rate des fehlerhaften
Vorkommens von kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtungen (Ausschuß) bei dem konventionellen
Verfahren zeigt,
5
5
Fig. 11B eine Charakteristik, welche die Vorkommens-
rate von unzureichenden kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtungen (Ausschuß) beim Verfahren
nach der Erfindung zeigt, 10
Fig. 12 eine Querschnittsansicht des Befestigungszustandes der äußeren Leitungen gemäß Fig. 10
auf dem Schaltungssubstrat,
Fig. 13 und 14 Querschnittsansichten zur Darstellung
einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 15 eine perspektivische Ansicht einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung, welche nach
einem Verfahren der Fig. 13 und 14 erhalten wurde
, und
Fig. 16 eine Querschnittsansicht einer Presse, welche beim Verfahren einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet wurde.
Ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung nach der
vorliegenden Erfindung wird nun im Detail mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben.
Eine Pille oder Tablette wird auf einem Leitungsrahmen im
gleichen Schritt wie bei dem konventionellen Verfahrensschritt angeordnet. Die Pille und ein vorgegebener Bereich
des Zuleitungsrahmens werden miteinander durch einen Verbindungsdraht verbunden. Danach wird der Schritt des
Versiegeins und Abdichtens mit Kunstharz unter Verwendung von Preß- oder Schmelzformteilen in der gleichen Weise wie
beim konventionellen Schritt ausgeführt, wodurch dann eine Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 1 wie oben beschrieben gebildet
wird.
Sodann wird gemäß Fig. 9A der äußere Draht 12a der oben
beschriebenen Vorrichtung auf einer unteren Preßform 17 plaziert. Ein Stempel (oberes Preßformteil) 18, der einen
vorgegebenen öffnungswinkel 0 aufweist, wird durch Druckluft abgesenkt von oben in eine Richtung, die durch einen
Pfeil in Fig. 9A bezeichnet ist, um zumindest den Teil der Leitung 12a zu stauchen, welcher hartgelötet werden soll.
Somit werden gemäß Fig. 9B beide Oberkanten der Leitung 12a entlang der Längsrichtung gestaucht und plastisch verformt,
wodurch gestauchte bzw. zusammengedrückte Bereiche A gebildet werden, welche zwischen der oberen Oberfläche
und den Seitenflächen der Leitung 12a stumpfe Winkel bilden.
Außerdem wird der Kunstharz 13, welcher an der Seitenoberfläche der Leitung 12a haftet, durch eine Kraft in einer
Abschieferungs- bzw. Abblätterungsvorrichtung beeinflußt, wobei ein Teil des Kunstharzes 13 abgeblättert wird. Sodann
wird der Kunstharz, welcher an der Seitenoberfläche der Leitung 12a haftete, vollständig durch einen Sandstrahl oder
Gebläseschritt entfernt. Der Ergebnisschritt dieser Vorrichtung ist in Fig. 10 gezeigt. Danach wird der nicht benötigte
Rahmenteil des Rahmens 12 abgeschnitten und die Vorrichtung dann gelötet und wie gewünscht plattiert bzw. mit einem
galvanischen überzug versehen, wobei dann das Endprodukt hergestellt wird.
In dem zuvor beschriebenen Verfahren wird der äußere Zuleitungsteil
12a plastisch verformt und der Kunstharz 13 im Gebläseschritt in dem Zustand entfernt, in dem die Seitenfläche
abgeschiefert bzw. abgeblättert ist. Daher kann der Kunstharz 13 zuverlässig entfernt werden. Somit kann
die Leitung 12a gelötet oder plattiert werden und zwar auf dem gesamten peripheren Bereich. Folglich kann das fehlerhafte
Befestigen der Vorrichtung auf einer Schaltungsplatte verringert werden, wobei hierbei die Zuverlässigkeit
bemerkenswert verbessert ist. Außerdem ist die Fehlerauftrittsrat
aufgrund verbleibenden Kunstharzes nach dem Gebläsesäuberungsschritt ungefähr 15 bis 30% wie im gestrichelten
Bereich von Fig. 11A im konventionellen Falle zu sehen ist. Diese Fehlerhäufigkeitsrate nach dem Stand der
Technik kann im wesentlichen bis zu 0% mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens verringert werden, wie aus Fig. 11B
ersichtlich ist.
In der vorliegenden Erfindung wird der Grat der Außenleitung beim sogenannten Preßschritt zusammengedrückt. Daher
kann wie aus Fig. 12 zu sehen ist,'das Kriechen oder allmähliche
Wandern eines Hartlötmaterials 16 beim Befestigen auf einem Schaltungsträger verbessert werden, wodurch vorzugsweise
ein Befestigungszustand geschaffen wird. 25
Außerdem können beide unteren Kanten der Leitung 12a ebenso
zusammengedrückt werden durch die oben beschriebene Einrichtung, um den Kunstharz 13, welcher an der Seitenfläche
der Leitung 12a anhaftet, zuverlässig und vollständig abgeblättert
werden, und zwar im sogenannten Ablösungs- oder Abstrahlschritt.
Nach dem Schritt des Zusammendrückens und Stauchens gemäß
Fig. 9B werden die Leitungen 12a, deren obere Kanten plastisch
verformt werden, auf eine untere Preßform 19 plaziert, die als Träger für die Außenleitung dient und die
einen öffnungswinkel 0 aufweist, wie in Fig. 13 zu sehen
ist. Sodann wird das obere Preßteil 20 von oben abgesenkt und die Leitung 12a gegen die untere Preßform 19 gedrückt.
Somit werden wie aus Fig. 14 ersichtlich ist, beide unteren Kanten der Leitung 12a plastisch verformt, um zusammengedrückte
Bereiche A zu bilden. Außerdem wird der Kunstharz 13, welcher an der Seitenfläche der Leitung 12a anhaftete,
abgeblättert.
Sodann wird der Kunstharz, welcher an der Leitung 12a anhaftete, vollständig im Gebläseschritt entfernt, so daß
die Vorrichtung, in der kein Kunstharz mehr auf der Leitung 12a zurückbleibt, ausgebildet ist wie aus Fig. 15 ersichtlich
ist. Danach wird der nicht benötigte Rahmenteil des Zuleitungsrahmens 12 abgeschnitten. Sodann wird die Vorrichtung
gelötet und plattiert bzw. mit einem galvanischen Überzug versehen, und zwar in der gleichen Weise wie oben
beschrieben wurde, wobei dann das Endprodukt vorliegt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann wie oben beschrieben wurde, der Kunstharz, welcher an den Außenleitungen anhaftete,
im wesentlichen und nahezu vollständig entfernt werden im Schritt der Versiegelung bzw. des Vergießens mit
Kunststoff. Außerdem ist bei diesem Herstelungsschritt der kunstharzversiegelten Halbleitervorrichtung das Kriechen
des Lötmaterials auf den Außenleitungen verbessert worden. Die Leitungen können zuverlässig auf einem Schaltungsträger
mit hoher Zuverlässigkeit befestigt werden und wodurch eine hohe Zuverlässigkeit geschaffen wird.*"''
Im oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird der Schritt des Drückens der Außenleitung 12a zur Bildung von zusammengedrückten
bzw. gestauchten Flächen A dadurch bewerkstelligt, daß die Leitung 12a auf einem Stempelteil plaziert
wird, welches eine V-förmige Nut mit einem Winkel 0 aufweist. Jedoch ist dieser Schritt nicht auf die besondere
Ausführungsform der zuvor beschriebenen Art beschränkt.
Zum Beispiel kann eine andere willkürliche Einrichtung wie z.B. ein Stempelteil 22 verwendet werden, welches eine
Druckoberfläche aufweist, die eine bogenförmige Nut 21 enthält.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer kunstharzversiegelten
Halbleitervorrichtung mit einem Schritt (i) zur Befestigung einer Pille oder Tablette, die die HaIbleiterelemente
enthält, auf einem auf einem Leitungsrahmen geformten Bett, mit einem Schritt (ii) zum
Verbinden eines Anschlußfeldes der Pille und des Zuleitungsrahmens
durch eine Drahtverbindung, mit einem Schritt (iii) zum Versiegeln und Abschließen der Pille
und des Verbindungsteils der Pille mit dem Zuleitungsrahmen mit Kunstharz und mit einem Schritt (iv) zum
Entfernen des Kunstharz, welcher an den Seiten der Außenleitung anhaftet in dem Schritt der Versiegelung
mit Kunstharz,
dadurch gekennzeichnet , daß vor dem Schritt (iv) des Kunstharzentfernens die Oberkanten und/oder Unterkanten der Außenleitung (12a) entlang der Längsrichtung der Außenleitung gestaucht bzw. zusammengedrückt werden.
dadurch gekennzeichnet , daß vor dem Schritt (iv) des Kunstharzentfernens die Oberkanten und/oder Unterkanten der Außenleitung (12a) entlang der Längsrichtung der Außenleitung gestaucht bzw. zusammengedrückt werden.
ARABELLASTRASSE 4 · D-ΘΟΟΟ MÜNCHEN 81 ■ TELEFON (Ό89} Ö11OS7 · TELEXO-EOeIOCF1ATHEJ · TELEKOPIERER 91B3
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,·, daß das Zusammenstauchen oder Zusammendrücken unter Verwendung
eines Stempel- oder Prägeteiles ausgeführt wird, welches eine Druck- oder Preßoberfläche mit einer
zurückgesetzten Ausnehmung aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet , daß zunächst beide oberen Kanten der Außenleitung und anschließend
die beiden Unterkanten der Außenleitung zusammengedrückt bzw. plastisch verformt werden.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59032069A JPS60176259A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3446647A1 true DE3446647A1 (de) | 1985-08-29 |
DE3446647C2 DE3446647C2 (de) | 1990-02-01 |
Family
ID=12348585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843446647 Granted DE3446647A1 (de) | 1984-02-22 | 1984-12-20 | Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4592131A (de) |
JP (1) | JPS60176259A (de) |
KR (1) | KR890004819B1 (de) |
DE (1) | DE3446647A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
US4885837A (en) * | 1988-01-13 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming leads of semiconductor devices |
MX9205128A (es) * | 1991-09-30 | 1993-04-01 | Motorola Inc | Metodo para procesar un bloque de circuito integrado semiconductor. |
JP2774906B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1998-07-09 | 三菱電機株式会社 | 薄形半導体装置及びその製造方法 |
JP2590747B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1997-03-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW419767B (en) * | 1996-11-22 | 2001-01-21 | Texas Instruments Inc | Improved integrated circuit chip packaging method |
JP3627846B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2005-03-09 | 矢崎総業株式会社 | 被覆電線端末接続部の防水処理装置 |
NL1018511C2 (nl) * | 2001-07-11 | 2003-01-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met een enkele bewerking uit een drager verwijderen van een dragerdeel, en een uit een drager verwijderd product. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1614242A1 (de) * | 1966-04-28 | 1970-05-27 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
EP0084424A2 (de) * | 1982-01-07 | 1983-07-27 | American Microsystems, Incorporated | Chemische Entfernung von ausgelaufenem Harz von verkapselten Anordnungen und gemäss diesem Verfahren behandelte Anordung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3539675A (en) * | 1965-10-22 | 1970-11-10 | Motorola Inc | Method for encapsulating semiconductor devices |
IT1162038B (it) * | 1978-10-05 | 1987-03-18 | Necchi Spa | Attuatore elettromeccanico applicato su macchine per cucire a comando elettronico |
US4451973A (en) * | 1981-04-28 | 1984-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59032069A patent/JPS60176259A/ja active Granted
- 1984-12-07 KR KR1019840007744A patent/KR890004819B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-18 US US06/682,841 patent/US4592131A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-20 DE DE19843446647 patent/DE3446647A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1614242A1 (de) * | 1966-04-28 | 1970-05-27 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
EP0084424A2 (de) * | 1982-01-07 | 1983-07-27 | American Microsystems, Incorporated | Chemische Entfernung von ausgelaufenem Harz von verkapselten Anordnungen und gemäss diesem Verfahren behandelte Anordung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890004819B1 (ko) | 1989-11-27 |
DE3446647C2 (de) | 1990-02-01 |
KR850006259A (ko) | 1985-10-02 |
JPS60176259A (ja) | 1985-09-10 |
JPH0145228B2 (de) | 1989-10-03 |
US4592131A (en) | 1986-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4318727C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur sowie dazugehöriger Zuführungsdrahtrahmen | |
DE69705222T2 (de) | Gitteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
EP1028462A1 (de) | Elektronikmodul in Flachbauweise | |
DE69534483T2 (de) | Leiterrahmen und Halbleiterbauelement | |
DE68923512T2 (de) | Gitterartige Steckerstift-Anordnung für einen paketförmigen integrierten Schaltkreis. | |
DE102009010199B4 (de) | Halbleiterpackage mit Formschlossentlüftung und Verfahren zu dessen Hersstellung | |
DE69027448T2 (de) | Verfahrungen und Vorrichtung zur Befestigung von Kontakthöckern auf TAB-Trägerleiter | |
DE2815776A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte | |
DE19808193A1 (de) | Leadframevorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE69128464T2 (de) | Halbleiteranordnung und ihr herstellungsverfahren | |
DE2363833A1 (de) | Verfahren und vorrichtung fuer den zusammenbau von halbleiterelementen | |
DE102011086312B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE3446647A1 (de) | Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungen | |
DE3438435C2 (de) | Gehäuse aus Metall und Kunststoff für eine Halbleiter-Vorrichtung, das zur Befestigung an einem nicht genau ebenen Wärmeableiter geeignet ist, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10297264B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE19503823C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE69419881T2 (de) | Verpackte Halbeiteranordnung und deren Herstellungsverfahren | |
DE102020109703A1 (de) | Halbleitergehäuse und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69400980T2 (de) | Elektrische Anschlussvorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE1590564A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung gedruckter Schaltungsplatten | |
DE4127911C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil und deren Verwendung | |
DE102020203244A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10063041B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung | |
DE10339022A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10335078B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit einem formgebend umhüllten Leadframe und Bauelement mit einem formgebend umhüllten Leadframe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |