JPS60176259A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPS60176259A JPS60176259A JP59032069A JP3206984A JPS60176259A JP S60176259 A JPS60176259 A JP S60176259A JP 59032069 A JP59032069 A JP 59032069A JP 3206984 A JP3206984 A JP 3206984A JP S60176259 A JPS60176259 A JP S60176259A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- Y10T29/00—Metal working
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、アウターリードの形成工程を含む樹脂封止
形半導体装置の製造方法に関する。
形半導体装置の製造方法に関する。
ハイブリッドICの回路基板等に装着される樹脂封止形
半導体装置は従来次のようにして製造されている。
半導体装置は従来次のようにして製造されている。
まず、素子形成の終了したペレットを、金属板の抜き打
ち(プレス)によ多形成されたり一ドフレームのべ、ド
上に固着する。そして、ペレットのゾンデイングツ92
ド部とリードフレームのインナーリード部とをワイヤボ
ンディングによシミ気的接続する。
ち(プレス)によ多形成されたり一ドフレームのべ、ド
上に固着する。そして、ペレットのゾンデイングツ92
ド部とリードフレームのインナーリード部とをワイヤボ
ンディングによシミ気的接続する。
この後、上記ペレットとこのペレットが配設されたリー
ドフレームのインナーリード部とをモールド金型を用い
て樹脂封止する。これにょシ第1図に示すようにペレッ
トヲ内部に収納する樹脂制止部1がリードフレーム2と
一体トナった状態で形成される。ここで上記樹脂封止工
程において、モールド金型の間隙よシモールド樹脂3が
流れ出しアウターリード2aの表面に付着し硬化する。
ドフレームのインナーリード部とをモールド金型を用い
て樹脂封止する。これにょシ第1図に示すようにペレッ
トヲ内部に収納する樹脂制止部1がリードフレーム2と
一体トナった状態で形成される。ここで上記樹脂封止工
程において、モールド金型の間隙よシモールド樹脂3が
流れ出しアウターリード2aの表面に付着し硬化する。
第2図は第1図のA −A’線に沿った断面図で、ここ
に示すように樹脂3はアウターリード2aの側面に厚く
付着する。
に示すように樹脂3はアウターリード2aの側面に厚く
付着する。
次にこのアウターリード2aに付着した樹脂3を除去す
るため、例えば粒子の吹き付けによるブラスト工程を行
う。
るため、例えば粒子の吹き付けによるブラスト工程を行
う。
この後、半田メッキ等外装メッキをアウターリード2a
に施し、リードフレーム2の不袈す枠部を切シ落として
製品とする。
に施し、リードフレーム2の不袈す枠部を切シ落として
製品とする。
この製品を回路基板に装着した場合には、第3図に示す
ようにろう材6がアウターリード2aの側面から上面に
まではい上った状態で回路基板5と接着する。
ようにろう材6がアウターリード2aの側面から上面に
まではい上った状態で回路基板5と接着する。
ところで前述のブラスト工程ではアウターリード2&に
付着した樹脂3を完全に除去することができない。この
ため、樹η旨3が付着したままアウターリード2aに外
装メッキを施すと第4図に示すようにアウターリード2
aの上面および下面にしか半田4が付着しないことがし
ばしばある。このような製品を回路基板に装着した場合
には、第′5図に示すようにろう材6とアウターリード
2aとの接着面積が小さく、接着不良が発生し易いもの
である。
付着した樹脂3を完全に除去することができない。この
ため、樹η旨3が付着したままアウターリード2aに外
装メッキを施すと第4図に示すようにアウターリード2
aの上面および下面にしか半田4が付着しないことがし
ばしばある。このような製品を回路基板に装着した場合
には、第′5図に示すようにろう材6とアウターリード
2aとの接着面積が小さく、接着不良が発生し易いもの
である。
また、リードフレーム2としてプレス打ち抜き加工によ
多形成されたものでは、第6図に示すようにアウターリ
ード2aにかえ−シ部2 a’がある。このため、アウ
ターリード2aの全周に半田やメッキが施されても、回
路基板5への装着時にろう材6のアウタ−リード2&上
面へのはい上がシが限外されて、アラ−ターリード2h
の接着状態が不完全になシ易い。
多形成されたものでは、第6図に示すようにアウターリ
ード2aにかえ−シ部2 a’がある。このため、アウ
ターリード2aの全周に半田やメッキが施されても、回
路基板5への装着時にろう材6のアウタ−リード2&上
面へのはい上がシが限外されて、アラ−ターリード2h
の接着状態が不完全になシ易い。
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、アウ
ターリードへろう桐がはい上がシやすく信頼性の高い装
置を製造することができ、アウターリード側面に付着し
た樹脂を確実に除去できる樹脂封止形半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
ターリードへろう桐がはい上がシやすく信頼性の高い装
置を製造することができ、アウターリード側面に付着し
た樹脂を確実に除去できる樹脂封止形半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
すなわちとの発明による半導体装置の製造方法では、リ
ードフレームに配設されリードフレームの所定の部位と
接続されたペレットを樹脂封止した後、上記リードフレ
ームのアウターリードの長軸方向に沿った角部を上下に
動く金型によって圧潰するものである。このアラターリ
−、ドの角部を圧潰する工程において上記樹脂封止工程
によシアウターリードに付着した樹脂が除去されるとと
もにアウターリードの長軸方向に沿った角部がろう拐の
はい上シ易い形に塑性変形する。
ードフレームに配設されリードフレームの所定の部位と
接続されたペレットを樹脂封止した後、上記リードフレ
ームのアウターリードの長軸方向に沿った角部を上下に
動く金型によって圧潰するものである。このアラターリ
−、ドの角部を圧潰する工程において上記樹脂封止工程
によシアウターリードに付着した樹脂が除去されるとと
もにアウターリードの長軸方向に沿った角部がろう拐の
はい上シ易い形に塑性変形する。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。まず、従来と同様の工程によシペレットをリードフレ
ーム上に配設し、このペレットとリードフレームの所定
の部位と’Qyl−”ンディングワイヤ等によシ接続す
る。そして引き続きモールド金型を用いた樹脂封止工程
を行ない、前述の第1図に示すようガ装置を形成する。
。まず、従来と同様の工程によシペレットをリードフレ
ーム上に配設し、このペレットとリードフレームの所定
の部位と’Qyl−”ンディングワイヤ等によシ接続す
る。そして引き続きモールド金型を用いた樹脂封止工程
を行ない、前述の第1図に示すようガ装置を形成する。
その後、第7図に示すように上記装置のアウターリード
2aを下金型7上に載置し、この上方から所定の開口角
θを有するポンチ(上金型)8をエアープレスによって
図示矢印方向に降ろしアウターリード2hf圧潰する。
2aを下金型7上に載置し、この上方から所定の開口角
θを有するポンチ(上金型)8をエアープレスによって
図示矢印方向に降ろしアウターリード2hf圧潰する。
これによって第8図に示すようにアウターリード2aの
長軸方向に沿った角部が渭され、アウターリード2&の
上面および側面と鈍角を成す圧潰面Aが形成されるとと
もに、このアウターリード2aの側面に付着した樹脂3
は剥離される方向に力を受け樹脂3の1部が剥れる。
長軸方向に沿った角部が渭され、アウターリード2&の
上面および側面と鈍角を成す圧潰面Aが形成されるとと
もに、このアウターリード2aの側面に付着した樹脂3
は剥離される方向に力を受け樹脂3の1部が剥れる。
次いで、第9図に示すように上辺が塑性変形されたアウ
ターリード2aを、開口角θを有するアウターリード受
は台である下金型9上に載置し、この上方から止金WJ
ow降ろしてアウターリード、?af:下金型9に押
し付ける。
ターリード2aを、開口角θを有するアウターリード受
は台である下金型9上に載置し、この上方から止金WJ
ow降ろしてアウターリード、?af:下金型9に押
し付ける。
これによって第10図に示すように、アウターリード2
aの下面側も塑性変形し圧潰面Aが形成されるとともに
、このアウターリード2aの側面に付着した樹脂3が剥
離状態となる。
aの下面側も塑性変形し圧潰面Aが形成されるとともに
、このアウターリード2aの側面に付着した樹脂3が剥
離状態となる。
次にブラスト工程を行ってアウターリード2aに付着し
ている樹脂を完全に除去し、第11図に示すようにアウ
ターリード2aに樹脂の残っていない装置を形成する。
ている樹脂を完全に除去し、第11図に示すようにアウ
ターリード2aに樹脂の残っていない装置を形成する。
この後、適宜リードフレーム2の不要な枠部の切断や、
半田メッキ等の外装メッキ処理を行ない製品とする。
半田メッキ等の外装メッキ処理を行ない製品とする。
このような樹脂封止形半導体装置の製造方法によれば、
アウターリード2aの側面の樹脂3を金型8.9によっ
て予め剥離状態と成し、その後ブラスト工程において樹
脂3の除去作業を行なうので、樹脂3をほぼ完全に除去
することができる。
アウターリード2aの側面の樹脂3を金型8.9によっ
て予め剥離状態と成し、その後ブラスト工程において樹
脂3の除去作業を行なうので、樹脂3をほぼ完全に除去
することができる。
加えてプレス打抜き加工によ多形成されたリードフレー
ム2を有するものでは、リードフレーム2のかえシ部が
金型8,9で潰されるため、回路基板への装着時におけ
るろう材のはい上シが改善される。
ム2を有するものでは、リードフレーム2のかえシ部が
金型8,9で潰されるため、回路基板への装着時におけ
るろう材のはい上シが改善される。
なお、アウターリード2aを加圧し圧潰面Aを形成する
工程は、第7図乃至第10図に示すよう寿形状のポンチ
を用いるはかシでなく例えば第12図に示すように円弧
状の加圧面を有するポンチを用いて行ってもよい。
工程は、第7図乃至第10図に示すよう寿形状のポンチ
を用いるはかシでなく例えば第12図に示すように円弧
状の加圧面を有するポンチを用いて行ってもよい。
第13図は、樹脂制止工程後、第7図乃至第11図を用
いて説明したようにアウターリードの角部を圧潰する工
程を行なった後、ブラスト工程を行なって製造した樹脂
封止形半導体装置のアウターリードの残存樹脂による不
良発生率を示したものである。この図に示すように従来
の製造方法によるものでは′不良が約10チ〜35%発
生したが、この発明によれば、はぼ0チに低減した。
いて説明したようにアウターリードの角部を圧潰する工
程を行なった後、ブラスト工程を行なって製造した樹脂
封止形半導体装置のアウターリードの残存樹脂による不
良発生率を示したものである。この図に示すように従来
の製造方法によるものでは′不良が約10チ〜35%発
生したが、この発明によれば、はぼ0チに低減した。
以上のように本発明によれば樹脂封止工程においてアウ
ターリードに刺着した樹脂をほぼ完全に除去できるとと
もに、アウターリードへのろう材のはい上シが良好で回
路基板への確実な装着の可能な信頼性の高い樹脂封止形
半導体装置を得られる樹脂封止形半導体装置の製造方法
を提供できる。
ターリードに刺着した樹脂をほぼ完全に除去できるとと
もに、アウターリードへのろう材のはい上シが良好で回
路基板への確実な装着の可能な信頼性の高い樹脂封止形
半導体装置を得られる樹脂封止形半導体装置の製造方法
を提供できる。
第1図乃至第4図はそれぞれの従来の樹脂封止形半導体
装置の製造方法を説明する図、第5図および第6図はそ
れぞれアウターリードの不良な装着状態を示す図、第7
図乃至第11図はそれぞれこの発明の一実施例に係る樹
脂封止形半導体装置の製造方法を説明する図、第12図
は同実施例方法で用いられる金型の形状の一例を示す図
、第13図はこの発明の一実施例方法による装置の残存
樹脂による不良発生率を従来の場合と比較して示す図で
ある。 1・・・樹脂部、2・・・リードフレーム、2a・・・
アウターリード、3・・・樹脂、4・・・外装メッキ(
半田)、5・・・回路基板、6・・・ろう材、7.10
・・・下金型、8,9・・・上金型、A・・・演圧面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 a 第3図 第5図 第7図 第8図 第9図 第10図 第12図 声友
装置の製造方法を説明する図、第5図および第6図はそ
れぞれアウターリードの不良な装着状態を示す図、第7
図乃至第11図はそれぞれこの発明の一実施例に係る樹
脂封止形半導体装置の製造方法を説明する図、第12図
は同実施例方法で用いられる金型の形状の一例を示す図
、第13図はこの発明の一実施例方法による装置の残存
樹脂による不良発生率を従来の場合と比較して示す図で
ある。 1・・・樹脂部、2・・・リードフレーム、2a・・・
アウターリード、3・・・樹脂、4・・・外装メッキ(
半田)、5・・・回路基板、6・・・ろう材、7.10
・・・下金型、8,9・・・上金型、A・・・演圧面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 a 第3図 第5図 第7図 第8図 第9図 第10図 第12図 声友
Claims (1)
- リードフレーム上に配設されリードフレームの所定の部
位と接続されたペレットを樹脂制止する樹脂封止工程と
、上記リードフレームのアウターリードの長軸方向に沿
った角部を圧潰する工程とを具備したことを特徴とする
樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59032069A JPS60176259A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
KR1019840007744A KR890004819B1 (ko) | 1984-02-22 | 1984-12-07 | 수지봉합형 반도체장치의 제조방법 |
US06/682,841 US4592131A (en) | 1984-02-22 | 1984-12-18 | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device |
DE19843446647 DE3446647A1 (de) | 1984-02-22 | 1984-12-20 | Verfahren zur herstellung von kunstharzversiegelten halbleitervorrichtungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59032069A JPS60176259A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60176259A true JPS60176259A (ja) | 1985-09-10 |
JPH0145228B2 JPH0145228B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=12348585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59032069A Granted JPS60176259A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4592131A (ja) |
JP (1) | JPS60176259A (ja) |
KR (1) | KR890004819B1 (ja) |
DE (1) | DE3446647A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
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US4885837A (en) * | 1988-01-13 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming leads of semiconductor devices |
MX9205128A (es) * | 1991-09-30 | 1993-04-01 | Motorola Inc | Metodo para procesar un bloque de circuito integrado semiconductor. |
JP2774906B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1998-07-09 | 三菱電機株式会社 | 薄形半導体装置及びその製造方法 |
JP2590747B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1997-03-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP0844655A3 (en) * | 1996-11-22 | 1999-12-15 | Texas Instruments Incorporated | An integrated circuit chip packaging method |
JP3627846B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2005-03-09 | 矢崎総業株式会社 | 被覆電線端末接続部の防水処理装置 |
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-
1984
- 1984-02-22 JP JP59032069A patent/JPS60176259A/ja active Granted
- 1984-12-07 KR KR1019840007744A patent/KR890004819B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-18 US US06/682,841 patent/US4592131A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-20 DE DE19843446647 patent/DE3446647A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR850006259A (ko) | 1985-10-02 |
KR890004819B1 (ko) | 1989-11-27 |
DE3446647A1 (de) | 1985-08-29 |
US4592131A (en) | 1986-06-03 |
DE3446647C2 (ja) | 1990-02-01 |
JPH0145228B2 (ja) | 1989-10-03 |
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