DE1614242A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleitervorrichtungenInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
- B29C70/72—Encapsulating inserts having non-encapsulated projections, e.g. extremities or terminal portions of electrical components
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
PHH. 1594 Va/GVn
Anmsider: ΠΛ. n:.L!?S· £L3
Ate: PHN-1594"
Anmeldung vom, 24. April 1967
"Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur 'Herstellung
einer Halbleitervorrichtung, z.B. eines Transistors, die eine Umhüllung aus Kunststoff aufweist, aus dem mindestens zwei
streifenförmige Stromleiter herausragen, deren flache Seiten %
wenigstens an den Stellen, an denen sie aus der Umhüllung heraustreten,
in einer Ebene liegen, bei welchem Verfahren.an mindestens
einem der freien Enden einer Anzahl in den gewünschten gegen- *'
seitigen Abständen gehaltener streifenförmiger metallener Leiter
ein Halbleitersystem angebracht wird, wonach die betreffenden
Enden der Leiter zusammen mit dem auf demselben angebrachten
Halbleitersystem mit Hilfe einer Matrize in einen isolierenden Kunststoff eingebettet werden. Ein solches Verfahren ist bekannt
009822/0582
;.■'■-.. BAD ORIGINAL
und findet z.B. bei der Massenherstellung von Transistoren Verwendung.
Das Einbetten des Halbleitersysteme in eine Kunststoffumhüllung
erfolgt mit Hilfe einer Matrize, in der eine Höhlung vorgesehen ist, in der ein Teil eines Satzes auf Abstand gehaltener
streifenförmiger Leiter mit dem auf denselben angebrachten HaIble'itersystem
in einer vorgeschriebenen Lage angeordnet wird. Die Matrize selber ist trennbar ausgeführt und weist in geschlossener
Laf-e der Teile eine Anzahl von Oeffnungen auf, durch die die
■ streifenförmigen Leiter der einzubettenden Halbleitervorrichtung
heraustreten. Bei der Zusammensetzung einer solchen Matrize müssen
sowohl die Konfiguration der betreffenden Ceffnungen wie die Abmessungen derselben denen der streifenförnigen Leiter der Halbleitervorrichtung
möglichst genau entsprechen. Es zeigt sich, dass sich dies in der Praxis besondere schwer verwirklichen lässt. Es
stellt sich somit heraus, dass trotz einer genauen Bemessung der Matrizenöffnungen in der Praxis stets eine nicht erkennbare, bei
P-rhitzung dünnflüssige Kunststoff menge an Stellen zwischen der
Viand der Oeffnungen und den durch diese hindurehgeführten streifenförmigen
Leitern herausfliesst. Dies hat zur Folge, dass die betreffenden
streifenförmigen Leiter der Halbleitervorrichtung auch
an den Stellen, wo dies nicht erwünscht ist, mit einer dünnen Kunststoffschicht überzogen sind, wodurch sich beim Pestlöten der
Leiter bei ihrer Montage, z.B. in einer Tafel mit gedruckter Verdrahtung,
Schwierigkeiten ergeben.
Die Erfindung bezweckt, Massnahmen zu schaffen, dureh
die dieser Nachteil behoben wird.
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-3 - : PHN. 1594
ϊ)ββ Verfahren nach der Erfindung lsi dadurch gekennzeichnet,
dass die etreiienförtnigen Lettör an gerade ausserhalh
der Kunststoff umhüllung liegenden Stellen ihrer Längsabmessungen
mittels eines Brückenteilesmiteinanderverbunden sind, der in
einer Lage, in der die Leiter sich in der Matrize befinden, eine
der Begrenzungen der Matrizenhöhlung bildet und nach dem Anbringen
der Umhüllung wieder völlig oder teilweise entfernt wird.
Dadurch» dasö zwischen den Leitern BrUckenteile angebracht werden, genügt nun eine einzige Matrize, wobei die obener-
• - ■'■ ■ -■ .■ ■· " ä
wiihnten MatrizenBffnuneeh, durch die die Leiter hindurchgefuhrt ^
sind, zu einem einzigen breiten Schlitz geringer Höhe vereinigt
sind. Bsi der Anwendung dieses Brückenteiles wird noch der -Vorteil
erhaltens dass nun die auf Abstand voneinander zu haltenden
etreifenförmigen Leiter zeitweilig zu einen? festen Ganzen zusammengefügt werden, wodurch das Gebilde der Leiter sich leichter hantieren
lässt. Me betreffenden Brückenteile erstrecken sich vorzugsweise
Über einen geringen Teil der Längsabmeseungen der Leiter,
da sie nach Bearbeitung in der Matrize wieder völlig: oder teilweise
entfernt werden müssen. Tieiter bilden die Brückenteile vorzugsweise g
mit den streifenförmigen Leitern ein Ganzes5 in diesem Falle können
die Leiter und die Brückenteile aus derselben iietallplatte hergestellt
werden. \
Die Erfindung wird nunmehr an Hand id#r Zeichnung näher
erläutert. Ea-Zeigen!
Fig. 1 einen Kamm, auf der Halbleitervorrichtungen
montiert werden, , ;
FiG. 2 nochmals diesen Kamm, wobei nun aberein Teil ·
seiner streifenförmigen Leiter in der Matrize liegt,
BAD ORIGINAL
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Fig. 3 einen ähnlichen Kamm mit Brüokenteilen nach der
Erfindung, wieder in der Matrize angebracht, und ,
Pig. 1 zeigt einen sogenannten Kamm , der bei der Massen«
■ herstellung von Transistoren Verwendung findet· Dieser aus einem
Plattenmaterialgtreifen hergestellte Kamm weist einen Streifen 1 mit einer Anzahl von Gruppen herausragender sich parallel erstreckender etreifenförmiger Stromleiter 3, 5 und 7 auf· Auf einem
dieser Streifen (dem Streifen 3) wird in der Nähe seines freien fe Endes ein Halbleiterkörper festgelötet, auf dem Legierungekontakte
angebracht sind, die durch dünne Drähte mit den Streifen 5 und 7
verbunden werden· Dann wird rings um einen Teil der Streifen ein
Kunststoff geschmolzen, in der Heise, dass nach Abkühlung eine.
Umhüllung 9 gebildet wird, in die das Halbleitereyetem zweckmSesig
eingebettet ist. Dann werden die Streifen an den mit a-a- be»
zeichneten Stellen durchgeschnitten, so dass Einzelteile gebildet
werden, die mit hervorragenden flachen Leitern versehen sind, die '
in Löchern einer Montageplatte für gedruckte Verdrahtung befestigt
werden können. Beim Anbringen der Kunststoff umhüllung wird eine
" Matrize verwendet (siehe Pig. 2), die zwei Teile 1| und 1} aufweist und auf nicht näher dargestellte Heise an eine Zufuhr von
geschmolzenem Kunststoff angeschlossen ist. Diese Matrize weist in geschlossener Lage eine Anzahl von Oeffnungen 15» 17» 19 auf, durch
die die Leiter in die Matrize eingeführt werden. Es zeigt sich, dass insbesondere an den mit 21 und 23 bezeichneten Stellen der
Kunststoff heraustritt, wodurch auch die freien herausragenden Leiter 3, 5 und 7 mit einer Kunststoffschicht Überzogen werden, was
unerwünscht ist, da sich dann beim Festlöten dieser Leiter z.B. in'
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■ - 5 - Pffli.1594
einer Montagetafel Schwierigkeiten ergeben.
Dieser Nachteil wird nach der Erfindung dadurch behoben» dass eine in diesem Falle aus einem Plattenmaterialstreifen hergestellter Kamm verwendet wird, bei dem die Streifen Über einen
gerade ausserhalb der Umhüllung liegenden Teil ihrer Längsabmessungen durch Brückenteile 31 und 33 miteinander verbunden sind.
Diese Brückenteile begrenzen gleichsam die Matrizenhöhlung und ersetzen die Dämme (bei 21 und 23) zwischen den Oeffnungen 15t 17
und 19. Es kann dann eine Matrize verwendet werden, bei der die
gesonderten Oeffnungen 15» 1? und 19 durch einen einzigen gemein- (^
samen Schlitz ersetzt sind, der beim Einspritzen des Kunststoffes
mittels'der Brückenteile, 'die gleichsam einen einzigen ununterbrochenen Balken bilden, verschlossen wird. "
Nach dem Anbringen der Kunststoffumhüllung werden die
Brückenteile wieder entfernt (Fig. 4). Erforderlichenfalls wird
nur ein Teil jedes Brückenteiles entfernt, so dass Ansätze 35
verbleiben, die einen Anschlag zur Begrenzung der Tiefe, über die
ein Leiter 3, 5 oder 7 in ein Loch einer Montageplatte eingeführt
werden kann, bilden können. "
Wenn ein Streifen nach Pig. 1 verwendet wird, empfiehlt
es sich, auch zwischen benachbarten Leitern 7 und 8 einen Brückenteil vorzusehen. Ein solcher Brückenteil ist inFig. 3 mit 37
bezeichnet. .
Claims (1)
- PATBNI1ANSFRUBCHe ti. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, z.B. eines Transistors, die eine KunetatoffumhUllung aufweist, aus der mindestens zwei· streifenförmig» Stromleiter herausragen, deren flache Seiten wenigstens an den Stellen, an denen sie aus der Umhüllung, heraustreten, in einer Ebene liegen, bei welchem Verfahren an -mindestens einem der freien Enden einer Anzahl in den gewünschten gegenseitigen Abständen gehaltener streifenförmiger metallener Leiter.ein Halbleitersystem angebracht wird, wonach die betreffenfc den .Enden der Leiter zusammen mit dem auf denselben angebrachten . Halbleitersystem mit Hilfe einer Matrize in einen isolierenden Kunststoff eingebettet werden, dadurch gekennzeichnet, dass die streifenförmig«η Leiter an den gerade auβserhalb der Kunststoffumhüllung liegenden Stellen ihrer Längsabmessungen durch einen Brückenteil miteinander verbunden sind, der in einer Lage, in der die Leiter sich in der Matrize befinden, eine der Begrenzungen der Matrizenhöhlung bildet und nach dem Anbringen der Umhüllung wieder völlig oder teilweise entfernt wird.2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die streifenförmigen Leiter und der Brückenteil aus demselben Plattenmetallstreifen hergestellt sind,3. Verfahren zur Herstellung einer Anzahl halbleitenderVorrichtungen^ wobei das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 angewandt■ i . ' ■ -wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl von Gruppen sich im wesentlichen parallel zueinander erstreckender und in geeigneten Abständen voneinander gehaltener streifenförmiger Leiter gleich» zeitig an mindestens eine© ihrer Im gleichen Sinne gerichteten Enden mit einer Anzahl zugehöriger Halbleitereyeteme vergehen sind, die mit Hilfe einer oder mehrerer Matrizen in einen isolierenden Kunst— -QRIGINALfMSPECTED.■■'.-- Y- pmr.1594βtoff eingebettet werden, wobei auch die betreffenden Brückenteile aufeinander folgender Gruppen von Leitern durch andere Bruekenteile miteinander verbunden sind, wonach sämtliche Brückenteile zwischen den unterschiedlichen streifenförmig©η Leitern wieder völlig oder .-teilweise entfernt werden.4* .-"■■ ".Halbleitervorrichtung oder Halbleitervorrichtungen, die durch dft« Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3 hergestellt sind.982">/0S8-2
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6605674A NL6605674A (de) | 1966-04-28 | 1966-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614242A1 true DE1614242A1 (de) | 1970-05-27 |
Family
ID=19796427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671614242 Pending DE1614242A1 (de) | 1966-04-28 | 1967-04-25 | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT268381B (de) |
BE (1) | BE697849A (de) |
CH (1) | CH470759A (de) |
DE (1) | DE1614242A1 (de) |
DK (1) | DK116949B (de) |
ES (1) | ES339806A1 (de) |
FR (1) | FR1550982A (de) |
GB (1) | GB1125428A (de) |
NL (1) | NL6605674A (de) |
NO (1) | NO120123B (de) |
SE (1) | SE309455B (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3406538A1 (de) * | 1984-02-23 | 1985-08-29 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung |
FR2638594B1 (fr) * | 1988-11-03 | 1990-12-21 | Cartier Systemes G | Procede de realisation d'un circuit electrique de puissance monocouche ou multicouches, et circuit obtenu par ce procede |
-
1966
- 1966-04-28 NL NL6605674A patent/NL6605674A/xx unknown
-
1967
- 1967-03-28 DK DK159667AA patent/DK116949B/da unknown
- 1967-04-25 AT AT390767A patent/AT268381B/de active
- 1967-04-25 GB GB19035/67D patent/GB1125428A/en not_active Expired
- 1967-04-25 CH CH585767A patent/CH470759A/de not_active IP Right Cessation
- 1967-04-25 SE SE5845/67A patent/SE309455B/xx unknown
- 1967-04-25 DE DE19671614242 patent/DE1614242A1/de active Pending
- 1967-04-25 NO NO167881A patent/NO120123B/no unknown
- 1967-04-26 ES ES339806A patent/ES339806A1/es not_active Expired
- 1967-04-27 FR FR1550982D patent/FR1550982A/fr not_active Expired
- 1967-04-28 BE BE697849D patent/BE697849A/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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SE309455B (de) | 1969-03-24 |
GB1125428A (en) | 1968-08-28 |
CH470759A (de) | 1969-03-31 |
NL6605674A (de) | 1967-10-30 |
AT268381B (de) | 1969-02-10 |
FR1550982A (de) | 1968-12-27 |
ES339806A1 (es) | 1968-05-16 |
BE697849A (de) | 1967-10-30 |
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