DE2312254A1 - Kontaktstreifen und verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen unter verwendung solcher kontaktstreifen - Google Patents

Kontaktstreifen und verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen unter verwendung solcher kontaktstreifen

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Description

PATENTANWÄLTE
DIPL.-ING. LEO FLEUCHAUS
DR.-ING. HANS LEYH 231 2254
IiS3\o 8· März 1973
Melchiorstr. 42
Unser Zeichen: M29CP/G-953/54-
Motorola Inc. 9401 West Grand Avenue Franklin Park« IXlinoie V.StJU
Kontaktstreifen und Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen unter Verwendung solcher Kontaktstreifen
Die Erfindung betrifft einen Kontaktstreifen mit einer Vielzahl von Kontaktrahmen zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen mit zumindest zwei einander gegenüberliegend und gegeneinander weisenden Halbleiteranordnungen, wobei jeder Kontaktrahmen einen ersten und zweiten zwischen einem ersten und zweiten Randstreifen verlaufenden Verbindungssteg aufweist, von welchen aus Anschlußfinger mit vorderen, gegen einen Mittelbereich des jeweiligen Kontaktrahmens weisenden Abschnitten verlaufen und an zumindest einem vorderen Abschnitt ein Montagebereich ausgebildet ist.
Eine Vielzahl elektrischer Bauelemente enthalten HalbleiterpläbGehen oder andere miteinander zusammenarbeitende Komponenten, die einander gegenüber liegend und gegeneinander wei-
hr./ rab 309839/0904 send
send angeordnet sein müssen, um eine optimale Funktion dee Bauelementes zu gewährleisten· Bei einem besonderen Anwendungsfall finden zwei Halbleiterplättchen Verwendung« Ton denen das eine eine lichtemittierende Blöde, 2.B. aus Galliumarsenid und die andere ein Licht empfangendes Element* z.B. einen Fototransietor oder einen lichtempfindlichen steuerbaren Siliciumgleichrichter (SCB) darstellen. Zwischen die Oberflächen dieser beiden Elemente ist ein licntübertragendes Materal eingefügt das auf die Frequensen des γόη der fotodiode abgegebenen Lichtes abgestimmt ist. Das Bauelement umfaßt ferner eine Vielzahl von J^sehlußleituagen und Verbindungsdrähten um die elektrischen und mechanischen Verbindungen su den Halbleiterplättehen herzustellen· Die derart montierten Halbleiterplättchen werden, la eine» Kunststoffmaterial gefaßt. das um dl« Halbleiterplättchen das lichtleitende Material die Drahtverbindungen und die inneren Lei taugen herum sprit age go ssen wird, so daB ein kompaktes widerstandsfähiges Bauelement entsteht* das verhältaieaäflig leicht 1st.
Xm Betrieb derartiger Bauelemente spricht a.B. dl« lichteaittierende öiode auf elektrische Signale an und erseug* •la Licht, das über das liohtleitende Material xu dem Fotodetektor übertragen wird und dessen elektrische Eigenschaften derart ändert, daB ein entsprechendes Ausgangssignal abgreifbar ist* Ba dl« räumliche Zuordnung der beiden Elemente fest eingehalten werden muß und außerdem die Halbleiterplättchen auch möglichst mechanisch gegen Biegebeanspruohungen und Verunreinigungen geschützt sein sollen ist ihre gemeinsame Kapselung In einer Kunststoffassung von besonderem Vorteil.
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- 2 - Bji
Bei der bisherigen Massenproduktion mit Hilfe von Automaten werden für die Herstellung derartiger Hallsleiterelemente zumindest zwei separate Kontaktstreifen benötigt, um die Anordnung der Halbleiterplättchen in der gewünschten Lage und das Kapseln in Kunststoff möglich zu machen. Babel 1st es erforderlich, daß diese Kontaktstreifen entweder ausgestanzt oder durch Itzen aus einem geeigneten Material, z.B. Hickel hergestellt und anschließend goldplattiert werden, um das Anbringen der Halbleiterplättchen und der elektrischen Anschlußleitungen möglichst zuverlässig und einfach vornehmen zu können. Bei diesem bekannten Verfahren werden dann anschließend die beiden Haxbleiterplättchen, d.h. die lichtemittierenden Dioden auf dem Montagebereich des einen Kontaktstreifens und die Licht empfangenden Halbleiterelemente auf dem Hontagebereich des zweiten Kontaktstreifens angebracht. Nach der Kontaktierung müssen Teile des ersten und zweiten Kontaktstreifens abgetrennt werden, so dal beide Kontaktstreifen gleichzeitig in einem gewissen Abstand voneinander gehalten werden können, damit die einander zugeordneten Halbleiterplättchen einander gegenüber liegen und gegeneinander weisen, !fach dem Einbringen dee lichtleitenden Materials zwischen die Plättchen wird der in dieser Art hergestellte Aufbau mit Kunststoff umspritzt und damit gekapselt. Anschließend werden die Anschlußlei*- tungen durch Abtrennen von !eilen des Kontaktstreifen« voneinander getrennt und in eine dem Bauelement zugeordnete Ausrichtung gebracht.
Bei der Durchführung dieses bekannten Herstellungsverfahrens treten eine Vielzahl von Problemen und Kachteilen auf, die zu einem unerwünscht hohen Ausschuß und damit zu hohen Herstellungspreisen führen. Da ferner zwei Kontaktstreifen
- 3 - benötigt
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benötigt werden, um das Halbleiter-Bauelement herstellen zu können, entstehen außerordentlich hohe Kosten durch das Ausstanzen, Plattieren und das Goldplattieren. unabhängig davon daß auch die Kosten für das Grundmaterial sehr hoch sind, da zwei Kontaktstreifen benötigt werden, um das Bauelement montieren und kapseln zu können. Außerdem ergeben sich auch Schwierigkeiten auf Grund der Herstellungstoleranzen, die zeitweise so divergent verlaufen können, daß es für die Indexeinrichtungen der Automaten praktisch unmöglich wird, die individuellen paarweise zusammengehörigen Halbleiterplättchen so aufeinander auezurichten und einander gegenüberliegend anzuordnen, daß eine optimale Lichtübertragung gewährleistet wäre. Auch wird bei einem bekannten Herstellungsverfahren während der Kapselung der eine Kontaktstreifen Über dem anderen Kontaktstreifen angeordnet. Daraus ergibt sich in der Regel eine zu große Material stärke für die Teile des Kontaktrahmens, die zwischen den Verschlußflächen der Form liegen, so daß sich dadurch komplexere Formen ergeben und die Abdichtung der 3?orm schwieriger wird. Auch müssen die für das Versäubern des gekapselten Bauelementes notwendigen Stanzwerkzeuge wegen der doppelten Materials-fcärke der Kontaktstreifen stabiler ausgeführt werden oder aber man .muß einen größeren Verschleiß in Kauf nehmen. Durch die größere Materialstärke läßt es sich jedoch kaum vermeiden, daß an den Leitungsanschlüssen ein Grat entsteht und daß sogar beim Abtrennen von Teilen des Kontaktstreifens die Leitungsanschlüsse aus dem Kunststoffgehäuse gesogen werden.
Die bekannten Ausgestaltungen der Kontaktstreifen und deren Verwendung bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen ergibt sich auch aus nachfolgenden Druckschriften ί US-Pa-
- 4 - tenten
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' ■ ■ M290P/G-953/54-
tenten 3 36? 025, 3 531 856, 3 413 713 und 3 611 061.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen verbessert gestalteten Kontaktstreifen zu schaffen, der die Möglichkeit einer Massenfertigung von Halbleiter-Bauelementen in Automaten mit hoher Arbeitsgeschwindigkeit zuläßt, wobei die Halbleiter-Bauelemente elektrische Anordnungen umfassen, die einander gegenüberliegend und gegeneinander weisend angeordnet sein müssen. Dabei soll die Fertigung nur unter Verwendung von einem einzigen Kontaktstreifen möglich sein und eine einander genau zugeordnete Lage von Halbleiterplättchen innerhalb des gekapselten Bauelementes gewährleistet werden. Ferner soll ein Herstellungsverfahren geschaffen werden, das eine wirtschaftliche Produktion von kunststoffgekapselten Halbleiter-Bauelementen unter Verwendung von Kontaktstreifen möglich macht, wobei nur geringe Ausechußmengen anfallen und vorzugsweise lichtemittierende Elemente mit Licht empfangenden Elementen in einem Bauelement zusammen, arbeiten·
Diese Aufgabe wird erfindungegemäß dadurch gelöst, daß im Bereich des ersten Sandstreifens Eegmentausschnitte angebracht sind, daß an den Enden der Verbindungsstege Segaente bzw. Eadabschnitte ausgebildet sind, die nach dem Abtrennen der Verbindungsstege längs Schnittlinien eine Teilung des Kontaktstreifen in einen ersten und einen zweiten fell zulassen , daß zumindest ein Teil der vorderen Abschnitte der Anschlußfinger von zumindest einem Teil des Kontaktstreifens gekröpft aus der Ebene des Kontakt Streifens heraus verformt sind, und daß nach dem Drehen um 180° eines Teils des Kontaktstreifens um seine Querachse die Teile wieder derart zu einem Kontaktstreifen zusammensetzbar sind, daß die Eadabschnitte der Verbindungsßtege in den Segmentaueschniten zu
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- 5 - liegen
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liegen kommen und den Kontaktstreifen für die weitere Verarbeitung zusammenhalten, wobei die Halbleiteranordnungen einander gegenüber liegen.
Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes unter Verwendung eines einzigen Kontaktstreifens besteht erfindungsgemäß darin, daß der Kontaktstreifen mit Segmentausschnitten im Bereich des einen Randstreifens und mit entsprechend geformten Endabschnitten an den Enden der Verbindungsstege ausgebildet wird, daß auf den Kontaktstreifen im Montagebereich die Halbleiterplättchen angebracht und mit zugeordneten vorderen Abschnitten der Anschlußfinger über Drahtleitungen verbunden werden, daß der Kontaktstreifen im Berach der Enden der Verbindungsstege derart geteilt wird, daß bei dem einen Teil die Endabschnitte und bei dem anderen Teil die Segmentausschnitte verbleiben, daß der eine Teil um eine Querachse um 180° gedreht und derart mit dem anderen Teil verbunden wird, daß die Endabschnitte in die Segmentausschnitte eingreifen und für die Weiterverarbeitung ein neuer Kontaktstreifen entsteht, bei dem die paarweise einander zugeordneten Halbleiterplättchen einander gegenüber liegen und gegeneinander weisen.
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- 6 - Die
Die Erfindung wird besonders vorteilhaft "bei der Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes verwirklicht, wobei ein einsiger Kontaktstreifen Verwendung findet, der eine Vielzahl von Kontaktrahmen umfaßt. Dieser Kontaktstreifen ist in mit hoher Fertigungsgeschwindigkeit arbeitende Automaten einführbar, indem in jedem Kontaktrahmen zumindest zwei Halbleiterplättchen oder andere elektrische Schaltelemente auf zugeordneten Hontagebereichen befestigt werden, wobei das eine Halbleiterplättehen aus einer lichtemittierenden Diode und daß andere Halbleiterplättchen aus einer Detektordiode, einem Fototransistor od.dgl. bestehen kann. Diese Halbleiterplättchen werden gemeinsam in einem Gehäuse untergebracht» das im Spritzgußverfahren um die zugehörigen Anschlußfinger des Kontaktrahmens,die Halbleiterplättchen und die Anschlußverbindungen geformt wird. Die einzelnen Kontaktrahmen des Kontaktstreifens haben von den beiden Bandstreifen aus gegen die Mitte des Kontaktrahmens verlaufende Anschlußfinger, wobei auf ^eder Seite zumindest ein Hontagebereich auf einem AnschluSfinger vorgesehen ist· Nach der Hontage des Halbleiterplättchens auf diesem Hontagebereich werden die elektrischen Verbindungen mit Hilfe von dünnen Drähten zu den vorderen Abschnitten der zugehörigen Anschlußleitungen hergestellt. Die im Bereich de» einen Bandstreifens in Verlängerung der Verbindungsstege ausgestanzte öffnung ist so gestaltet, daß ein Segment am lad· der Verbindungsstege bzw. ein Endabschnitt korrespondierend zu einem Segmentausschnitt ausgebildet .wird. Nach dem Hontieren und Kontaktieren der Halbleiterplättchen wird «wischen dem £ndatoschnitt und dem Segmentausschnitt derart eine Schnittlinie im Kontaktstreifen geführt daß zwei separate Teile entstehen, wovon der eine mit den Endabschnitten und der andere mit den Segment aus schnitten ver-
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- 7 - gehen
sehen ist* Durch Drehen eines dieser Teile um 180° um die Querachse werden die Endabschnitte den Segmentausschnitten derart zugeordnet, daß sie ineinander eingesetzt werden können und damit wieder ein geschlossener Kontaktstreifen entsteht, bei dem jedoch nunmehr die Hontagebereiche eines Kontaktrahmens und damit die darauf montierten Halbleiterplättchen einander unmittelbar gegenüber liegend angeordnet sind. In dieser Lage kann nunmehr das transparente Material zwischen die Halbleiterplättehen eingeführt werden und der auf diese Weise neu gebildete Kontaktstreifen im Automat so weit mit Kunststoff umspritzt werden, daß nach dem !Trimmen, d.h. nach dem Abschneiden der nicht benötigten Seile des Kontaktstreifens das voll gekapselte Halbleiter-Bauelement in der gewünschten Form erhalten wird.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den sowohl einzeln als auch in äeder beliebigen Kombination die Erfindimg kennzeichnenden Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 eine vergrößerte Draufsicht auf drei Abschnitte eines aus Metall ausgestanzten Kontaktstreifens mit einer Vielzahl korrespondierender Segmente bzw. Segmentausschnitten;
Fig. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 der Fig. 1, aus der eine gekröpfte Verformung der Anschlußfinger hervorgeht;
Fig. 3 eine vergrößerte Draufsicht auf den Kontaktstreifen gemäß Fig. 1,der im Bereich der Segmente und Segmentausschnitte getrennt ist., wobei die beiden Teile des Kontaktstreifen^ auseinander gezogen dargestellt sind; 309839/0904
Flg. 4 eine vergrößerte Draufeicht auf dl« feile dee Kontakt streif ens nachdem der eine 'Peil im seine Querachee ua 180° gedreht und gegenüber dem ersten rfeil derart angeordnet let, daft die korrespondierenden Segmente in die Segmentausschnitte eingreifen;
Fig. 5 einen weiter vergrößerten Ausschnitt der gem&fi fig. 4 xusaamengeeetxten Teile dee Kontaktstreifens in perspektivischer Aneioht aus der di· gekröpften AnschluSfinger in räumlicher Anordnung zueinander hervorgehen;
Fig. 6 einen Schnitt läng« der Linie 6-6 der Fig. 4» aus der die Zuordnung der gekröpften Kontaktfinger zueinander und die Lage der dszwischen angeordneten und in ein transparentes Material eingebetteten Halbleiterplättchen erkennbar ist;
Fig. 7 ein fertig gekapselte» und vom Kontaktstreifen abgetrenntes Halbleiter-Bauteil;
.Fig. 8 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt eines KontaktStreifens alt einer Vielsahl korrespondierender Segmente bzw. Segaentauoßohnitte , wobei in jedem Abschnitt eine Vielzahl ran AnschluSfingern zur Konaktierung eines Halblsiterplättchens vorgesehen sind.;
F g« 9 eine .Draufsicht auf einen Abschnitt sines Kontaktstreifens mit einer Vielsahl korresoondiorender "ü---naente bzw. ^egienbebschnitte, "bei den. die für die Montage der iialbleitarpl^ttchsn
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- 9 - AnschluBfiiuser
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Anschlußfinger jeweils um einen gleichen Abstand gegenüber einer Hittellinie versetzt angeordnet sind;
fig, 10 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt eines Kontaktstreifen» mit korrespondierenden Segmenten biw. Segmentabschnitten mit einer Vielzahl von AnsehluSfingem zur Montage von funktionell zusammenarbeitenden Halbleiterplättchen.
Die nachfolgend beschriebene Erfindung bietet einen wesentlichen Vorteil durch die Erleichterung des Herstellungsverfahren· elektrischer Bauteile, vobei jedes dieser Bauteile zumindest ein Komponentenpaar * z.B. in form von Halbleiterplättchen aufweist, wobei die beiden Komponenten nebeneinander und aufeinander zugekehrt angeordnet sein müssen; Sin solches elektrisches Bauelement kann ein Halbleiterplättehen einer ersten Art, z.B. in Form einer lichtemittierenden Diode und «in Halbleiterplättctien einer zweiten Art, z.B. in ϊοπη eines Licht empfangenden Transietors oder eines auf Licht ansprechenden und steuerbaren Silioiumgleichrlchters (SCH) umfassen. Um die Wirkungsweise eines solchen Bauelementes zu vereinfachen, muß der Transistor bzw. der SGl innerhalb des Bauelementes derart angeordnet sein, daß es das von der Diode emittierte Licht möglichst gut aufnehmen kann, damit das elektrische Verhalten des SOB oder Transistors oder z.B. dessen Widerstand selektiv durch Erregung der Diode gesteuert werden kann. Schließlich wird jedes Paar solcher Halbleiterplättchen zusammen mit den zugeordneten inneren Leitungsabschnitten den Verbindungsleitungen und dem transparenten zwischen den Halbleiterplättchen angebrachten Material zur Lichtleitung in einem Gehäuse gekapselt das um Teile des Kontakt-
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- 10 - rahmens
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rahmens herum spritsgegossen wird wobei die·« Teil· des Σοη-taktrah&ens noch einstückig »It dem Kontaktstreifen verbunden slBd. Derartige Bauelemente sind geeignet, größtenteils mit HiIiβ Ton Automat·». susammengebaut und gekapselt *u werden·
In. Fig. 1 ist ein vergrößerter Abschnitt 10 eines Kontakt-Streifens dargestellt, der drei Komtaktrshmem 12, 14 und 16 umfaßt, wobei ein derartiger Kontaktstreifen eine Viel»ata solcher Kantaktrahmen mit im wesentlichen Identischem Aufbau umfassen kann. BIe Abmessung A In ?ig· 1 liegt in der Größenordnung Ton etwa 25 mm und die Abmessung B in der Q*81enordnung -mn etwa 9 mm. £s ist Jedoch sel&stveretam&lle&, daß diese Slmensionlerung für die Ausbildung τοη derartigen Kontaktstreifen nicht erheolieh 1st und Beliebig geändert werden kann. Ber Kontaktstreifen wird aus einem elektrisch leitenden und wärmeleitenden Metall hergestellt, das verhältnis" mäßig weich und korreeionsfeest&n&lg 1st. Sin solches Material 1st x.B. Hickel. BIe Xontaktstreifen werden aus dem Metall ausgestanzt· Em ist 4*&ooh auch möglich, den Kontaktstreifen 10 durch chemische Ätsumg oder mechanische Bearbeitung aus dem blattförmigen Metall hersustellen.
Jeder Kontaktrahmen 10 umfaßt eine Ylelsahl einstückig ausgebildeter Seile. So betont s*B. der Kontsktrahmen 14- aus einem Abschnitt des ersten Randstreifens 18 und des swel-ten fiandstreifens SO sowie aus Verbindungsstegen 22 und 24· Sin erster Abstandssteg 25 rcrlSuft parallel su den Sandstreifen und verbindet die ersten Enden 26 der beiden Verblndungsstege untereinander und mit dem !Randstreifen 18* In gleicher Weise verläuft ein Abstandssteg 27 swlschen den «weiten Enden 28 der Verbindung»Stege und geht in den dazu parallel verlaufenden swelten Handstreifen 20 über. Sie Ver-
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- 11 - bindungsstege
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bindungsstege 22 und 24 laufen parallel zueinander und begrenzen einen Kontaktrahmen, der jeweils einen Mittelpunkt 30 hat. Die !endstreifen 18 und 20 sowie" die Abstandsstege 25 und 27 ▼erlaufen ^Jeweils über die gesamte Länge des Kontakt Streifens und verstärken dadurch dessen mechanische Steifigkeit.
Ein erster Satz wahlweise geformter AnsohluSfinger die bei dem fertig gekapselten Element die inneren Leitungetelle darstellen, haben erste Endabechnitte 34, die grundsätzlich in etwa auf den Mittelpunkt 30 ausgerichtet sind. Zumindest einer der Endabschnitte 34 ist mit einem ersten Montagebereich 36 versehen, auf dem ein Halbleiterplättehen einer ersten Art, z.B. eine lieht emittierende Blöde angebracht werden kann. Die AnschluSfinger sind aa rückwärtigen feil 40 durch den Abstandssteg miteinander verbunden, der mit dem Handstreifen 18 in Verbindung steht*
Ein zweiter Satz wahlweise geformter AnechluSfinger, die nach der ^Kapselung ebenfalls innere Iieitungsteile darstellen, um~ faasen Endabschnitte 44, die ebenfalls grundsätzlich auf den Mittelpunkt 30 hin ausgerichtet sind. Einer dieser Anschlußfinger ist mit einem Montagebereieh 46 versehen, auf welchem ein Halbleiterplättchen einer »weiten Art, z.B. ein Fototransistor montiert sein kann» Die rückwärtigen feile 49 der Ansehlußfinger 42 werden durch den Abstandssteg 2? miteinander verbunden, der auch eine Verbindung z\m landstreifen 20 herstellt.
Im Bereich des ersten Randstreifens 18 sind eine Vielzahl speziell geformter öffnungen 50 angebracht, die mit streifenartigen Ansätzen in Richtung zum Handstreifen 20 verlaufen. Ein in Verlängerung der Verbindungsstege verlaufender Endabschnitt 51,
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- 12 - der
der auch als Segment bezeichnet wird ist derart ausgebildet, daB er in einen entsprechend geformten Teil der öffnung 50 paßt. Vom ersten Abstandesteg 25 verlaufen AnschluSleitungen 54· zum Bandstreifen 18 wie entsprechend auch vom zweiten Abstandssteg 2? aus Ansehlußleitungen 55 zum Randstreifen 20 sich erstrecken. Über die gesamte Länge des Kontaktstreifens sind IndaxLöeher 56 auf beiden Seiten in den Randstreifen angebracht., um beim Herstellungsverfahren eine abstandegetreue Steuerung in den Automaten zu gewährleisten.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, welehe einen Schnitt längs der Linie 2-2 durch den Kontaktrahmen 16 darstellt, sind die vorderen Abschnitte 53 und 59 der Ansohlufifinger gekröpft verformt, so daß sie in einer Ebene parallel zur Ebene des Kontaktrahmens verlaufen. Biese Verformung kann entweder nach oder während dem Ausstanzen des Kontaktstreifen« erfolgen. Anschließend wird eine dünne Goldsehicht auf allen Oberflächen des Kontaktrahmene vorgesehen, um die Befestigung der Halbleiterplättchen und der AnschluSdrähte zu erleichtern.
In dem Kontaktrahmen 12 gemäß Fig. 1 ist ein Halbleiterplättchen 60, das z.B. eine Halbleiteranordnung erster Art umfaßt, auf dem Hontagebereich 36 befestigt. Entsprechend ist ein Halbleiterplättchen 61, das aus einer Halbleiteranordnung zweiter Art bestehen kann, auf dem Montagebereich 48 angebracht. Um die Halbleiterplättehen 60 und 61 au montieren, wird der Kontaktstreifen 10 auf ein !Förderband aufgelegt, das in die Indexlöcher 56 eingreifende Vorsprünge aufweist. Dieses Förderband ist derart programmiert, daß der Hontagebereich 36 an einem bestimmten Ort Inder Vorrichtung zum Befestigen des Halbleiterplättchens positioniert wird. Anschließend wird das Halbleiterplättchen sorgfältig derart
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- 13 - ausgerichtet
ausgerichtet, daft «in Greifer dieses in der richtigen Lage erfaßt und automatisch auf den Montagebereich 36 befestigt, Anschließend wird der Kontaktstreifen 10 entsprechend veiter verschoben ua in gleicher Weise das Halbleiterplättchen 61 auf de« Hontagebereich 43 befestigen au können. Jedes HaIbl*lt«rplättchen kann eine Sontaktfläehe in der Kontageebene aufweisen, die elektrisch mit dem Hontagebereieh durch das Befestigen verbanden wird.
Die IndeacXöcher 56 werden euch daiu benutzt, um den Kontaktstreifen für die Brahtkontaktierung mit dünnen Golddrähten 62 wie sie la Koataktrahaen 16 dargestellt sind, »u positionieren. Diese Golddrähte verbinden elektrisch die Kontaktflächen auf der Oberfläche des Halbieiterplättehene mit den sugeordneten Indabsehnitten der Anschlußfinger und werden in der Eegel durch theraokoa$ressive Sahwelfiung angebracht·
fiach dem Befestigen des Halhleiterplättchen* und dem inbringen der Anschlußieitungen werden die Abstandsstege 25 entlang den gestrichelten Linien 64 gaaäS S1Ig. 1 durchtrennt, so daß der Kontaktstreifen in Kwei Ü'elle 70 und ?2 gemäß Fig. 3 unterteilt ist* Da dieser brennvorgang zum Abtrennen der Verbindungsstege an unkritischen stellen vorgekommen wlrd> kann das Abtrennen alt verhältnismäßig einfachen Stanzvorrichtungen erfolgen, was nicht für die Herstellung des Kontaktstreifens gilt.
Anschließend wird der untere Teil ?2 des Kontaktstreifens vom oberen 'leil weggezogen und um eine Querachse um 130° gedreht, wie dies in £ig. 4 angedeutet let. Die in Pig. 4 dargestellte Zuordnung der beiden üeile des Kontaktstreifen» kann durch ein Drehen eine β dor beiden Teile um eine
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- 14 - Querachse
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Querachse erfolgen, wobei Icein Teil bevorzugt sein muß. Anschließend werden die Segmente bzw. £ndabschnitte 51 der Verbindungsstege in die entsprechend geformten Segmentaus« schnittö der öffnung j?ö eingesetzt, die im Bereich des ersten Sandstreifens 18 vorgesehen sind. Dadurch werden jeweils xwei Halbleiteranordnungea paarweise einander gegen·* über liegend positioniert» In dieser Zuordnung gehen die strukturellen Elemente aus den Verbiadungsstegen den Randstreifen und den Abstandsstegen genügend Festigkeit und Steifigkeit, so t*8 die beiden !eile 70 und ?2 während der weiteren Handhaltung miteinander verbunden »leiben.
Wie aus flg. 3 zu entnehmen ist, verlaufen die Verbindungen stege 74, 76, 78 und 80 grundsätzlich rechtwinklig zum «weiten Randstreifen 20. Die Segmentausschnitte 32, 84, 86 und SS, die im ersten Sandstreifen 18 vorgesehen sind, sind su den Verbindungsstegen 74, 76, 78 und 80 hin offen. Hach dem Wenden des Seiles 72 um di ·> Querachse liegt der am weitesten rechts befindliche Verbindungssteg 80 auf der linken Seite und kommt in Eingriff mit dem Segmentausschnitt 82« Der am weitesten links befindliehe Verbindungssteg kommt dabei in Eingriff mit dem Segment aus schnitt 88, so daß gemäß J1Ig. 4 ein neuer Kontaktstreifen 90 mit den Sontaktrahmen 92, 94 und 96 entsteht. Vie bereits erwähnt, hat ein. Kontaktstreifen in der Regel mehr als die drei dargestellten Eontaktrahmen und ist bezüglich der AnsteM der Kontaktrahmen lediglich durch die Grenzen der praktischen Handhabung begrenzt. Für die Verbindungskonstruktion, d.h. die Formgebung der Endabsehnitte und der mit diesen zusammenwirkenden Segmentausschnitte,gibt es keine Begrenzung auf bestimmte Formen, obwohl in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine schwalbenechwanzförmige Verbindungßkonstruktion dargestellt ist. Äs ist auch nicht unbedingt notwendig,
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- 15 - daß
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daß diese Trerbindungskonstruktlon, unbedingt zwischen den Randstreifen und den TerbindungsStegen ausgebildet sein muß. Ee könnte auch dasselbe Ergebnis ersielt werden, wenn z.B. seitlich abstehende Verbindungsstreifen an den beiden Bandstrelfen angeordnet wären und diese ITerbindungsstreifen entsprechend konstruktiv ausgebildet wären·
In Fi-g· 5 ist ein weiter vergrößerter Ausschnitt des Kontaktrahmens 92 perspektivisch dargestellt, aus dem die gekröpft® Verformung der vorderen Abschnitte 53 der Anschlußfinger dargestellt ist, die in einer ersten außerhalb des Kontaktrahmens verlaufenden Ebene liegen. Die vorderen Abschnitte ^9 des. zweiten Teils des Kontaktrahmens sind in entgegengesetzter Sichtung gekröpft verformt und verlaufen in einer zweiten außerhalb des Kontaktstreifens liegenden Ebene, Die Halbleiteranordnung 61 der einen Art ist. auf der nicht sichtbaren Oberfläche des Montagebereiches 48 angebracht, so daß diese Halbleiteranordnung gegen die Halbleiteranordnung 60 ausgerichtet und dieser gegenüber liegend angeordnet ist. Die Terbindungsstege 78 und 80,der erste Abstandssteg 25 und der zweite Abstandssteg 2? liegen In der Ebene des Kontaktstreifens. An dem vorderen Abschnitt 59 auf der rechten Seite der Fig. 5 iß* ein. Teil geschnitten dargestellt, um den zugeordneten vorderen Abschnitt' 58·> der diesem gegenüber liegt, aur Darstellung kommen zu lassen· Damit erkennt man, daß die Positionierung der !eile 70 und 72 des Kontaktrahmens gemäß Pig. 4 dazu führt, daß die auf den entsprechenden Montagebereichen angeordneten Halbleiterplättchen in der gewünschten Jona einander gegenüber liegen und aufeinander ausgerichtet sind. Dieses Ergebnis, läßt sich mit Hilfe eines einzigen Kontaktstreifens
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10 ersielen, der in geeigneter Weiie aufgttrennt and wieder miteinander sum Kontaktstreifen 90 verbunden wird. Sie·· MaBnahme gemäß der Erfindung hat den Vorteil, d&S eine Tielzaiii Ton Kontaktrahaen, wie fie nach dem bisher bekannten Stand der 'Iechnik notwendig sind, entfällt und dadurch eine erhebliche Materialeinsparung möglieh ist. Ss sei hervorgehoben, daß der erste Kontaktstreifen 10 die Segmente und Segaentaussehnitte und damit die Verbindungskonetruktion bereite umfaßt, die notwendig 1st, um die Teile 70 und 72 des Xontalctatreifene in selbst haltender form au dem Eontaktstreifen 90 gemäß Fig. 4 zusammensufügen und die Halbleiterplättehe» 60 und 61 einander gegenüber liegend und gegeneinander . gerichtet anzuordnen· Dadurch ergibt sieh eine wesentliche Vereinfachung und Verringerung der Kosten gegenüber den bisher benötigten Halterungen, um Kontaktrahmen und entsprechend. die Halbleiterplattchen in einem gewünschten Abstand sueinander zu halten.
In Pig. 6 ist ein Schnitt durch den Kontaktstreifen gemäft Fig. 4 dargestellt, bei dem ein lichtemittierendes Element, wie 2.B. das Halbleiterplattchen 60, einem Lieht empfangenden Element, wie z.B. das Halbleiterplattchen 61, einander gegenüber angeordnet sind wobei der Zwischenraum «wischen den Halbleiterplattchen mit einem transparenten Material 98 für die Liohtübertragung ausgefüllt ist. Für einige Anwendungsfälle kann auch das sum Einkapseln verwendete Material für das gewünschte ireguensband ausreichend gute Lichtübertragungeeigenschaften aufweisen, so daß in diesem Fall das für die Kapselung verwendete Material den Lichttransport übernimmt, obwohl es möglicherweise für die IPrequensen des sichtbaren Spektrums undurchsichtig ist. Für andere Änwenduiigsfälle, bei denen das zu übertragende Licht in einem
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- 17 - anderen
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andere» Xreguensbereich liegt, kann z.B. eine transparente Substanz 98 Verwendung finden, die »wischen die zusammenwirkenden Halbleiterplättchen eingeführt werden muß, bevor dl· Halbleiteranordnung in herkömmlicher Weise gekapselt . wird. Biese transparente Substanz kann 2s,B. aus einem Ton Dow Coming u&ter der Bezeichnung B0H-9O-7O9 angebotenen Material beetehtn.
Der Kontaktstreifen 90 gemäß Fig. 4, dessen teilweise Hontag« voraus stehend beschrieben wurde, wird anschließend in einer nicht dargestellten Einrichtung 2; umSprit ζ vergießen angeordnet, um die Halbleiteranordnöag in einem Kunststoff SU kapseln. Babel greifen die IndeaclSeher 56 in entsprechende Vorspränge auf der Oberfläche dar Form ein, womit der Kontaktstreifen 90 in der form genau ausgerichtet positioniert wird. Der obere und untere Teil der Form liegt auf den Verbindung«Stegen 74, 76, 78 und 80 sowie auf den Abstandsstegen 25 und 27 mit ausreichender Kraft auf, um die Form für den Spritsgieflvorgang ausreichend abzudichten, für eine gut brauchbare Kapselung wird ein Fhenolkunststoff mit geringer Viskosität unter hohem Druck in die Form gespritzt, die gans mit dtm Kunststoff ausgefüllt wird und damit die beiden Halbleiterplättchen und die inneren Ansohlußleitungen vollkommen umschließt. Von den vielen bekannten Materialien für die Kapselung von Bauelementen ist Phenolkunststoff oder eine Verbindung auf Siliconbasis zu bevorzugen.
In Fig· 6 ist mit gestrichelten Linien der KunststoffkSrper 100 angedeutet, der die Halbleiterplättchen und die inneren Leitungsteile sowie das transparente Material zwischen den Halbleiterplättchen und die elektrischen Anschlußleitungen
- 18 - au
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su dem Halbleiterplättchen umgibt. Das Kunststoffgehäuse b·- wirkt ein· dichte, stoßfeste und wirksame Abdichtung sum Senat» der Halbleiterplättehen 60 «ad 61, um diese vor Verunreinigungen und physikalischen Beanspruchungen su schützen. Biese Barstellung gemäß Fig. 6 entspricht einem Schnitt längs der Linie 6-6 der Fig. 4,der durch die vorderen Abschnitte 58 und J?9 die Balbleiterplättchen 60 und 61 sowie das transparente Material 98 und die Kunststoffkapsel 100 verläuft,
»ach dem Kapseln werden bestimmte Seile der Abstandsstege 25 und 27 abgetrennt, um die äußeren AnschluSleitungen aussubilden und das im Gehäuse 100 gekapselte Halbleiterelement aus dem Kontaktstreifen 90 herauszulösen. Dabei können Schnitte entlang den gestrichelten Linien 102 gemäß ?ig* 4-gelegt werden, womit bereits dae gekapselte Halbleiter-Bauelement aus dem Kontaktstrelfen 90 herausgetrennt ist*
Die äußeren Anschlufileltungen 104 können gemäfi FIg. 7 um 90° nach unten abgebogen werden, um das Einsetzen des Halbleiter-Bauelementes 106 in einen Sockel oder eine gedruckte Schaltung ssu erleichtern. Bas in Fig. 7 dargestellte Sauelement 106 ist etwa viermal größer als seineanatürlichen Abmessungen entspricht. Bie äußeren Leitungen 104 sind in swei parallel verlaufenden Seihen angeordnet, wovon jeweils drei AnschluSleitungen auf einer Längsseite des Bauelementes angeordnet sind. Jede dieser Reihen von Anschlußleitungen auf einer Längsseite sind den AnschluSfingern bzw. vorderen Endabschnitten zugeordnet, die bezüglich ihrer elektrischen Funktion mit jeweils einem Halbleiterplättchen zusammenwirken.
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Auf Grund der erfindungegemäßen Ausgestaltung des Kontakt-Streif enß lind insbesondere im Montagezustand geaäß Fig. 4 braucht beim Kapseln nur eine Materialstärke des Kontaktstreifen« ia der Fora angeordnet werden, wobei außerdem eine ebene Fläche gegeben ist, auf welcher die Form einwandfrei geschlossen werden kann. Diese Auflagefläche für die form besteht aus den Verbindungsstegen und den Abstandsstegen. Auf Grund dieser Tatsache ergeben sich durch die Ausgestaltung des Kontaktstrelfens 90 besondere Vorteile gegenüber der bekannten Xontakt Streifenanordnung, wobei für den gleichen Zweck zweimal die Materialstärke des Kontaktstreifens in der iorm untergebracht werden muß und sich dadurch Unregelmäßigkeiten für die SchließflMehen der Form ergeben und ee schwierig-1st, die Fora dicht geschlossen au halten, während das Xunststoffmaterial unter Druck in die Form. eingepreßt wird· Ferner ergibt sieh auch der Vorteil, daß beim abschließenden Bearbeiten des gekapselten, Bauelementes nur einmal die Haterialstärke beim Ausschneiden der Verbindungestege »wischen aeo. iasehlußleitungen durchtrennt werden muß und sich dadurch die Schwierigkeiten vermeiden lassen, die beim Durchtrennen der doppalten Materialstärke nicht au vermeiden sind und gelegentlich dazu führen, daß iinschlußleitungen aus dem Gehäuse herausgezogen werden. Außerdem werden auch die für das Abschneiden verwendeten Stanjswerkaeuge durch die doppelte Kateri^lstärke besonders stark abgenutzt.
Obwohl die Erfindung an Hand eines Kontaktstreifen» beschrieben wurde, der nur zwei Hsllbleiterschelbcb-en. mit sechs Ansehlußleitungen in einen Bauelement vorsieht, ist es offensichtlich, daß die Erfindung auch für anders ausgestaltete Kontaktstreifen Verwendung finden kenn. Z.B.
— 20 — -. kann
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kann der Kontaktstreifen gemäß Fig. 8 aufgebaut sein, wobei die Halbleiterplättchen 110 und 112 auf Montagebereichen angeordnet sind, in deren Nachbarcchaft die vorderen Abschnitte von eechs Anschlußfingern enden. Das Halbleiterplättchen iet über eine Vielzahl von Anschlußdrähten 114 mit den vorderen Abschnitten der Ansehlußfinger verbunden, die mit ihrem rückwärtigen Teil 116 in einen Abstandssteg übergehen. Dieser Eontaktstreifen 108 ermöglicht somit die Herstellung von mindestens sechs elektrischen Anschlüssen an einem Halbleiterplättchen. .
In Fig. 9 ist eine weitere Ausfuhrungsform eines Kontaktstrsifens 120 dargestellt bei dem der Kontaktrahmen 118 iinschlußfinger mit Montagebereiehen aufweist, die gegenüber einer Mittellinie 122 seitlich versetzt sind. Damit sind die Halbleiterplättchen 124 und 126 nach ihrer Hontage ebenfalls um den gleichen Abstand gegenüber der Hittellinie 122 versetzt. Nach dem Abtrennen des unteren Stiles des Kontaktstreifens 120 und dem Wenden um 180° eowie dem Zusammenstecken der beiden Teile des Kontakt Streifens kommen die beiden Halbleiterplättchen in eine Lage, in der sie einander unmittelbar gegenüber liegen.
In Fig. 10 ist ein Kontaktrahmen 128 eines Kontaktstreifens 130 dargestellt 1 der drei Montagebereiehe für Halbleiterplättchen 132. 134 und 136 aufweist. Der Kontaktrahmen iet derart konstruktiv ausgebildet, daß nach dem Abtrennen der beiden Teilendem Wenden des einen Seils und dem erneuten Zusammenstecken der beiden Teile das Halbleiterplättehen 132 in der Hitte zwischen den Halbleiterplättchen 13*· und 136 zu liegen kommt und auf diese ausgerichtet ist.
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- 21 - Vorausstehend
Vorausstehend wurde ein verbessert gestalteter Kontaktstraifen und ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen beschrieben, das besonders günstig für die Herstellung von Bauelementen geeignet ist, die einander unmittelbar gegenüberliegend und gegeneinander gerichtet sein müssen· Der Kontaktstreifen ermöglicht ein Halbleiterplättchen einer ersten Art auf einem" ersten !eil und ein anderes Halbleiterplättehen einer zweiten Art auf einem zweiten Heil des Kontaktstreif βηβ zu befestigen, der in einfacher Weise in zwei Seile su zertrennen iet, um nach einer Drehung des einen Teils um eine Querachse wieder zusammengesetzt su werden und einen einheitlichen Kontaktstreifen für den weiteren Herstellungeproζeß zu bilden» Durch dieses Verfahren wird für den weiteren Herstellungsproseß ein Kontaktstreifen von der gleichen Material stärke wie am Anfang geschaffen, so daß für die Gießxorm sum Kapseln keine doppelte Materialstärke wie bisher berücksichtigt werden mud. Außerdem läßt sich durch die erfindungsgeiaäSen Maßnahmen das trimmen des fertig umgossenen Halbleiter-Bauelementes vereinfachen womit auch die Stanzform für diesen Zweck einfacher konstruiert sein kann, Da nur ein einziger Kontaktstreifen gegenüber awei bei bekannten Herstellungsverfahren notwendig ist, lassen eich erhebliche Materialkosten einsparen, da wesentlich weniger von dem teueren für die Kontaktstreifen benötigten Material Verwendung findet.
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- 22 - Patentansprüche

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    Kontaktstreifen mit einer Vielzahl von Kontaktrahmen zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen mit zumindest zwei einander gegenüberliegend und gegeneinander weisenden Halbleiteranordnungen, wobei jeder Kontaktrahmen einen ersten und zweiten zwischen einem ersten und zweiten Randstreifen verlaufenden Verbindungssteg aufweist, von welchen aus Anschlußfinger mit vorderen, gegen einen Mittelbereich des jeweiligen Kontaktrahmens weisenden Abschnitten verlaufen und an zumindest einem vorderen Abschnitt ein Montagebereich ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich des ersten Randstreifens (18; 108; 120; IJO) Segmentausschnitte (50; 82, 84, 86, 88) angebracht sind, daß an den Enden der Verbindungsstege (22 24; 72) Segmente bzw. Endabschnitte (51; 74,76, 78, 80) ausgebildet sind, die nach dem Abtrennen der Verbindungsstege längs Schnittlinien (64) eine Teilung des Kontaktstreifens (10) · in einen ersten und einen zweiten Teil (70 und 72) zulassen, daß zumindest ein Teil der vorderen Abschnitte (44; 59) der Anschlußfinger von zumindest einem Teil des Kontaktstreifens gekröpft aus der Ebene des Kontaktstreifens heraus verformt sind, und daß nach dem Drehen um 180° eines Teils des Kontaktstreifens um seine Querachse die Teile wieder derart zu einem Kontaktstreifen (20) zusammensetz-
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    bar sind, daß die Endabschnitte der Verbindungsstege in den Segmentausschnitten zu liegen kommen und den Kontaktstreifen (20) für die weitere Verarbeitung zusammenhalten, wobei die Halbleiteranordnungen einander gegenüber liegen.
    2. Kontaktstreifen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußleitungen .(5^, 55) der Kontaktranmen in einer ersten Ebene yerlaufen und daß zumindest die Montagebereiche des ersten und zweiten Teils des Kontaktstreifens in einer von der ersten Ebene verschiedenen Ebene verlaufen, so daß die Montagebereiche beim wieder zusammengesetzten Kontaktstreifen (20) einander gegenüber liegend in von der ersten Ebene verschiedenen Ebenen angeordnet sind.
    5. Kontaktstreifen nach Anspruch 1 oder 2^ dadurch gekennzeichnet, daß die Endabschnitte an den VerbindungsStegen und die in Richtung auf den zweiten Sandstreifen (20) offenen Segmentausschnitte derartig einander entsprechend vorzugsweise schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind, daß sie beim Wiederzusammensetzen des ersten und zweiten Teils des Kontaktstreifens eine formschlüssige Verbindung miteinander1 eingehen. . - :
    4. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelementes, das zumindest ein Paar Halbleiteranordnungen in einander gegenüber liegender und gegeneinander weisender Position aufweist, wobei ein Kontaktrahmen Verwendung findet, der Anschlußfinger und Montagebereiche für Halbleiterplättchen aufweist, dadurch g e k e η η zeichnet, daß der Kontaktstreifen mit Segment—
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    ausschnitten im Bereich des einen Randstreifens und mit entsprechend geformten Endabschnitten an den Anden der Verbindungsstege ausgebildet wird, daß auf den Kontaktstreifen im Montagebereich die Halbleiterplättchen angebracht und mit zugeordneten vorderen Abschnitten der Anschlußfinger über Drahtleitungen verbunden werden, daß der Kontaktstreifen im Bereich der Enden der Verbindungsstege derart geteilt wird, daß bei dem einen Teil die Endabschnitte und bei dem anderen Teil die Segmentausschnitte verbleiben, daß der eine Teil um eine Querachse um 180° gedreht und derart mit dem anderen Teil verbunden wird, daß die Endabschnitte in die Segmentausschnitte eingreifen und für die Weiterverarbeitung ein neuer Kontaktstreifen entstent, bei dem die paarweise einander zugeordneten Halbleiterplättchen einander gegenüber liegen und gegeneinander weisen.
    5. Verfahren nach Anspruch 4-, dadurch gekennzeichnet, daß von einem Paar der Halbleiterplättchen das eine ein lichtemittierendes Element und das andere ein auf Licht ansprechendes Element ist. und daß zwiscnen den auf gegenüber liegenden Montagebereichen angebrachten Halbleiterplättchen ein lichtleitendes Material (98) vor den Kapseln des Halbleiter-Bauelementes angebracht wird.
    6. '/erfahren nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die mit den Montagebereichen versehenen Anschlußfinger gekröpft verformt werden, so daß der Montagebereich in einer zur Ebene des Kontaktstreifens parallelen Ebene liegt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4411345C1 (de) * 1994-03-31 1995-05-24 Amphenol Tuchel Elect Kontaktschalter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4952463U (de) * 1972-08-18 1974-05-09
EP0103032B1 (de) * 1982-09-09 1988-03-02 General Electric Company Halbleiter-optokoppler
DE3424876A1 (de) * 1984-07-06 1986-02-06 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Integrierter schaltkreis
US5049527A (en) * 1985-06-25 1991-09-17 Hewlett-Packard Company Optical isolator
US4694183A (en) * 1985-06-25 1987-09-15 Hewlett-Packard Company Optical isolator fabricated upon a lead frame
US5148243A (en) * 1985-06-25 1992-09-15 Hewlett-Packard Company Optical isolator with encapsulation
US4633582A (en) * 1985-08-14 1987-01-06 General Instrument Corporation Method for assembling an optoisolator and leadframe therefor
EP0273364B1 (de) * 1986-12-26 1992-03-25 Idec Izumi Corporation Trägerband für elektronische Bauteile und Herstellungsverfahren
JP5889753B2 (ja) * 2012-08-31 2016-03-22 新電元工業株式会社 リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP6189222B2 (ja) * 2014-01-20 2017-08-30 新電元工業株式会社 リードフレーム及びリードフレームの製造方法
JP6258044B2 (ja) * 2014-01-20 2018-01-10 新電元工業株式会社 リードフレーム及びリードフレームの製造方法
JP6352508B2 (ja) * 2017-07-27 2018-07-04 新電元工業株式会社 リードフレーム及びリードフレームの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4411345C1 (de) * 1994-03-31 1995-05-24 Amphenol Tuchel Elect Kontaktschalter

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Publication number Publication date
JPS494979A (de) 1974-01-17
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JPS517979B2 (de) 1976-03-12
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FR2176103A1 (de) 1973-10-26
DE2312254B2 (de) 1980-05-22
DE2312254C3 (de) 1981-02-05

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