DE2312254C3 - Kontaktstreifen für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Kontaktstreifen für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE2312254C3 DE2312254C3 DE2312254A DE2312254A DE2312254C3 DE 2312254 C3 DE2312254 C3 DE 2312254C3 DE 2312254 A DE2312254 A DE 2312254A DE 2312254 A DE2312254 A DE 2312254A DE 2312254 C3 DE2312254 C3 DE 2312254C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact
- strip
- semiconductor
- strips
- fingers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 241000251730 Chondrichthyes Species 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009964 serging Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12043—Photo diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13034—Silicon Controlled Rectifier [SCR]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Geometry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Kontaktstreifen mit einer Vielzahl von Kontaktrahmen zur Herstellung von
Halbleiterbauelementen, welche jeweils zumindest zwei
einander gegenüberliegende und einander zugewandte . Halbleiteranordnungen aufweisen, die in Montagebereichen angeordnet sind, welche mit dem Kontaktrahmen
über Anschlußfinger verbunden sind, welche derart
verkröpft sind, daß wenigstens ein Montagebereich aus s
der Ebene der Kontaktrahmen herausgehoben ist, wobei entlang den Längsrändern der Kontaktstreifen
verlaufende Randstreifen aber Verbindungsstege miteinander verbünden sind, die zugleich eine Randbegrenzung für die Kontaktrahmen bilden. ι ο
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, das zumindest
ein Paar Halbleiteranordnungen in einander gegenüberliegender und gegeneinander weisender Position aufweist, wobei ein Kontaktstreifen Verwendung findet,
der Kontaktfinger und Montagebereiche für Halbleiterplättchen besitzt
Ein Kontaktstreifen der eingangs genannten Art ist aus der DE-OS 21 18 391 bekannt Infolge der
Verwendung von zwei getrennten Leiterstreifen eignet sich diese bekannte Anordnung wenig für eine
automatische Großserien-Fertigung.
Eine Vielzahl elektrischer Bauelemente enthalten Halbleiterplättchen oder andere Komponenten, die
einander gegenüberliegend und gegeneinanderweisend angeordnet sein müssen, um eine optimale Funktion des
Bauelementes zu gewährleisten. Bei einem besonderen Anwendungsfall finden zwei Halbleiterplättchen Verwendung, von denen das eine eine Licht emittierende
Diode, z. B. aus Galliumarsenid und die andere ein Licht
empfangenes Element, z. B. einen Fototransistor oder
einen lichtempfindlichen steuerbaren Siliciumgleichrichter darstellen. Zwischen die Oberflächen dieser
beiden Elemente ist ein Licht fibertragendes Material eingefügt, das auf die Frequenzen des von der
Fotodiode abgegebenen Lichtes abgestimmt ist Das Bauelement umfaßt ferner eine Vielzahl von Abschlußleitungen und Verbindungsdrähten, um die elektrischen
und mechanischen Verbindungen zu den Halbleiterplättchen herzustellen. Die derart montierten Halb-
ieiterplättchen werden in einem Kunststoffmaterial gefaßt, das um die Halbleiterplättchen das üchtleitende
Material die Drahtverbindungen und die inneren Leitungen herum spritzgegossen wird, so daß ein
kompaktes, widerstandsfähiges Bauelement entsteht, das verhältnismäßig leicht ist
Im Betrieb derartiger Bauelemente spricht ζ. Β die
Licht emittierende Diode auf elektrische Signale an und erzeugt ein Licht, das über das lichtleitende Material zu
dem Fotodetektor übertragen wird und dessen elektrisehe Eigenschaften derart ändert, daß ein entsprechendes Ausgangssignal abgreifbar ist Da die räumliche
Zuordnung der beiden Elemente fest eingehalten werden muß und außerdem die Halbleiterplättchen
auch möglichst mechanisch gegen Biegebeanspmchun- ss
gen und Verunreinigungen geschützt sein sollen, ist ihre gemeinsame Kapselung in einer Kunststoffassung von
besonderem Vorteil.
Aus der DE-OS 21 18391 sowie aus der US-PS 34 13 713 und der US-PS 36 11 061 ist es bekannt, zur eo
Massenproduktion mit Hilfe von Automaten für die Herstellung derartiger Halbleiterelemente zumindest
zwei separate Kontaktstreifen zu verwenden, um die Anordnung der Halbleiterplättchen in der gewünschten
Lage und das Kapseln in Kunststoff möglich zu machen, es
Dabei ist es erforderlich, daß diese Kontaktstreifen entweder ausgestanzt oder durch Ätzen aus einem
geeigneten Material, z. B. Nickel hergestellt und
anschließend goldplattiert werden, um das Anbringen
der Halbleiterplättchen und der elektrischen AnscWußleitungen möglichst zuverlässig und einfach vornehmen
zu können. Bei diesem bekannten Verfahren werden dann anschließend die beiden Halbleiterplättchen, d. h.
die Licht emittierenden Dioden auf dem Montagebereich des einen Kontaktstreifens und die Licht
empfangenden Halbleiterelemente auf dem Montagebereich des zweiten Kontaktstreifens angebracht Nach
der Kontaktierung müssen Teile des ersten und zweiten Kontaktstreifens abgetrennt werden, so daß beide
Kontaktstreifen gleichzeitig in einem gewissen Abstand voneinander gehalten werden können, damit die
einander zugeordneten Halbleiterplättchen einander gegenüberliegen und gegeneinander weisen. Nach dem
Einbringen des das Licht leitenden Materials zwischen die Plättchen wird der in dieser Art hergestellte Aufbau
mit Kunststoff umspritzt und damit gekapselt Anschließend werden die Anschlußleitungen durch Abtrennen
von Teilen des Kontaktstreifens r^ieinander getrennt
und in eine dem Bauelement zugeordnete Ausrichtung
gebracht
Bei der Durchführung dieses bekannten Herstellungsverfahrens treten eine Vielzahl von Problemen und
Nachteilen auf, die zu einem unerwünscht hohen Ausschuß und damit zu hohen Herstellungspreisen
führen. Da zwei Kontaktstreifen benötigt werden, um das Halbleiterbauelement herstellen zu können, entstehen außerordentlich hohe Kosten durch das Ausstanzen,
Plattieren und Goldplattieren, unabhängig davon, daß auch die Kosten für das Grundmaterial sehr hoch sind,
da zwei Kontaktstreifen benötigt werden, um das Bauelement montieren und kapsein zu können. Außerdem ergeben sich auch Schwierigkeiten auf Grund der
Herstellungstoleranzen, durch die es für Automaten oft praktisch unmöglich wird, die individuellen, paarweise
zusammengehörigen Halbleiterplättchen so aufeinander auszurichten und einander gegenüberliegend
anzuordnen, daß eine optimale Lichtübertragung gewährleistet wäre. Auch wird bei den bekannten
Herstellungsverfahren während der Kapselung der eine Kontaktstreifen über dem anderen Kontaktstreifen
angeordnet Daraus ergibt sich in der Regel eine zu große Materialstärke für die Teile des Kontaktrahmens,
die zwischen den Verschlußflächen der Form liegen, so daß sich daraus komplexere Formen ergeben und die
Abdichtung der Form schwieriger wird. Auch müssen die für das Versäubern des gekapselten Bauelementes
notwendigen Stanzwerkzeuge wegen der doppelten Materialstärke der Kontaktstreifen stabiler ausgeführt
werden, oder man muß einen größeren Verschleiß in Kauf nehmen. Durch die größere Materialstärke läßt
sich kaum vermeiden, daß an den Leitungsanschlüssen ein Grat entsteht und daß sogar beim Abtrennen von
Teilen des Kontaktstreifen die Leitungsanschlüsse aus
dem Kunststoffgehäuse herausgezogen werden.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, einen Kontaktstreifen der eingangs näher genannten
Art zu schaffen, welcher sich für eine automatische Massenfertigung besonders gut eignet Weiterhin soll
gemäß der Erfindung ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines solchen Kontaktstreifens geschaffen werden.
Zur Lösung der Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß ein einziger Kontakistreifen vorgesehen ist welcher im
Bereich des einen Randstreifens Ausschnitte aufweist, welche komplementäre Endabschnitte der Verbindungsstege aufnehmen, nachdem die Verbindungsstege
von dem den Ausschnitten benachbarten Randstreifen abgetrennt und mit nach oben gekehrter Unterseite
wieder in der Kontaktrahmen-Ebene angeordnet sind.
Ein zur Herstellung des erfindungsgemäOen Kontaktstreifens besonders gut geeignetes Verfahren zeichnet
sich dadurch aus, daß der Kontaktstreifen mit Segmentausschnitten im Bereich des einen Randstreifens und mit entsprechend geformten Endabschnitten
an den Enden der Verbindungsstege ausgebildet wird, daß auf einem der Kontaktftnger im Montagebereich
die Halbleiterplättchen angebracht und mit zugeordneten vorderen Abschnitten der der anderen Kontaktfinger über Drahtleitungen verbunden werden, daß der
Kontaktstreifen im Bereich der Enden der Verbindungsstege derart geteilt wird, daß bei dem einen Teil die
Endabschnitte und bei dem anderen Teil die Segmentausschnitte verbleiben, daß der eine Teil um eine
Querachse um 180° gedreht und derart mit dem anderen Teii verbunden wird, uaS die Eridauscnniiie in uie
Segmentausschnitte eingreifen.
Der erfindungsgemäße Kontaktstreifen kann einem mit hoher Fertigungsgeschwindigkeit arbeitenden
Automaten zugeführt werden, so daß sich eine besonders wirtschaftliche Massenproduktion ergibt.
Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes werden nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt
F i g. 1 eine vergrößerte Draufsicht auf drei Abschnitte eines aus Metall ausgestanzten Kontaktstreifens mit
einer Vielzahl korrespondierender Segmente bzw. Segmentausschnitten;
F i g. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 der F i g. 1, aus
der eine gekröpfte Verformung der Anschlußfinger hervorgeht;
F i g. 3 eine vergrößerte Draufsicht auf den Kontaktstreifen gemäß Fig. !,der im Bereich der Segmente und
Segmentausschnitte getrennt ist, wobei die beiden Teile des Kontaktstreifens auseinander gezogen dargestellt
sind;
F i g. 4 eine vergrößerte Draufsicht auf die Teile des Kontaktstreifens nachdem der eine Teil um seine
Oij^ra^hcp lim lÄ/V u#»Hri*ht linr! opopniihpr At*m #»rclpn
Teil derart angeordnet ist, daß die korrespondierenden Segmente in die Segmentausschnitte eingreifen;
Fig.5 einen weiter vergrößerten Ausschnitt der gemäß Fig.4 zusammengesetzten Teile des Kontaktstreifens in perspektivischer Ansicht aus der die
gekröpften Anschlußfinger in räumlicher Anordnung zueinander hervorgehen;
F i g. 6 einen Schnitt längs der Linie 6-6 der F i g. 4, aus der die Zuordnu.ig der gekröpften Kontaktfinger
zueinander und die Lage der dazwischen angeordneten und in ein transparentes Material eingebetteten
Halbleiterplättchen erkennbar ist;
F i g. 7 ein fertig gekapseltes und vom Kontaktstreifen abgetrenntes Halbleiterbauteil;
F i g. 8 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt eines Kontaktstreifens mit einer Vielzahl
korrespondierender Segmente bzw. Segmentausschnitte, wobei in jeden Abschnitt eine Vielzahl von
Anschlußfingern zur Kontaktierung eines Halbleiterplättchens vorgesehen sind;
Fig.9 eine Draufsicht auf einen Abschnitt eines Kontaktstreifens mit einer Vielzahl korrespondierender
Segmente bzw. Segmentabschnitte, bei dem die für die Montage der Halbleiterplättchen vorgesehen Anschlußfinger jeweils um einen gleichen Abstand gegenüber
einer Mittellinie versetzt angeordnet sind;
Fig. 10 eine vergrößerte Draufsicht auf einer Abschnitt eines Kontaktstreifens mit korrespondieren
den Segmenten bzw. Segmentabschnitten mit eine Vielzahl von Anschlußfingern zur Montage von
funktionell zusammenarbeitenden Haibleiterplättchen.
Die nachfolgend beschriebene Erfindung bietet einen wesentlichen Vorteil durch die Erleichterung des
Herstellungsverfahrens elektrischer Bauteile, wobei jedes dieser Bauteile zumindest ein Komponentenpaar
z. B. in Form von Halbleiterplättchen aufweist, wobei die beiden Komponenten nebeneinander und aufeinan
der zugekehrt angeordnet sein müssen. Ein solche: elektrisches Bauelement kann ein Halbleiterplättchen
einer ersten Art, z. B. in Form einer lichtemittierenden Diode und ein Halbleiterplättchen einer zweiten Art
z. B. in Form eines Licht empfangenden Transistors oder eines auf Licht ansprechenden und steuerbarer
Siliciumgleichrichters (SCR) umfassen. Um die Wir
liüngäwciSc rificS äüiciicn ΰαϋ£ι€ΓΠ€Πί€5 ZU VCrCima
chen. muß der Transistor bzw. der SCR innerhalb des Bauelementes derart angeordnet sein, daß es das vor
der Diode emittierte Licht möglichst gut aufnehmer kann, damit das elektrische Verhalten des SCR ode
Transistors oder z. B. dessen Widerstand selektiv durch Erregung der Diode gesteuert werden kann. Schließlich
wird jedes Paar solcher Halbleiterplättchen zusammer mit den zugeordneten inneren Leitungsabschnitten der
Verbind?.iigsleitungen und dem transparenten zwischer
den Halbleiterplättchen angebrachten Material zu Lichtleitung in einem Gehäuse gekapselt, das um Teile
des Kontaktrahmer;s herum durch Spritzguß erzeug wird, wobei diese Teile des Kontaktrahmens nocr
einstückig mit dem Kontaktstreifen verbunden sind Derartige Bauelemente sind geeignet, größtenteils mi
Hilfe von Automaten zusammengebaut und gekapsel zu werden.
In F i g. 1 ist ein vergrößerter Abschnitt 10 eine:
Kontaktstreifens dargestellt, der drei Kontaktrahmer 12,14 und 16 umfaßt, wobei ein derartiger Kontaktstrei
fen eine Vielzahl solcher Kontaktrahmen mit inwesentlichen identischem Aufbau umfassen kann. Die
AhmpcQiiniT 4 in F i σ. 1 liegt in der Größenordnune vor
etwa 23 mm und die Abmessung B in der Größenord nung von etwa 9 mm. Es ist jedoch selbstverständlich
daß diese Dimensionierung für die Ausbildung vor derartigen Kontaktstreifen nicht erheblich ist unc
beliebig geändert werden kann. Der Kontaktstreifer wird aus einem elektrisch leitenden und wärmeleitender
Metall hergestellt, das verhältnismäßig weich unc korrosionsbeständig ist. Ein solches Material ist ζ. Β
Nickel. Die Kontaktstreifen werden aus dem fvietal ausgestanzt. Es ist jedoch auch möglich, den Kontakt
streifen 10 durch chemische Ätzung oder mechanische Bearbeitung aus dem blattförmigen Metall herzustellen.
Jeder Kontaktrahmen 10 umfaßt eine Vielzah einstückig ausgebildeter Teile. So besteht z. B. dei
Kontaktrahmen 14 aus einem Abschnitt des erster Randstreifens 18 und des zweiten Randstreifens 2C
sowie aus Verbindungsstegen 22 und 24. Ein erstei Abstandssteg 25 verläuft parallel zu den Randstreifer
und verbindet die ersten Enden 26 der beider Verbindungsstege untereinander und mit dem Rand
streifen 18. In gleicher Weise verläuft ein Abstandssteg 27 zwischen den zweiten Enden 28 der Verbindungsste
ge und geht in den dazu parallel verlaufenden zweiter Randstreifen 20 fiber. Die Verbindungsstege 22 und 2<
laufen parallel zueinander und begrenzen einer Kontaktrahmen, der jeweils einen Mittelpunkt 30 hat
Die Randstreifen 18 und 20 sowie die Abstandsstege 25 und 27 verlaufen jeweils über die gesamte Länge des
Kontaktstreifens und verstärken dadurch dessen mechanische Steifigkeit.
Ein erster Satz wahlweise geformter Anschlußfinger
> die bei dem fertig gekapselten Element die inneren Leitungsteile darstellen, haben erste Endabschnitte 34,
die gr.'.rdsätzlich in etwa auf den Mittelpunkt 30 ausgerichtet sind. Zumindest einer der Endabschnitte 34
ist mit einem ersten Montagebereich 36 versehen, auf in dem ein Halbleiterplättchen einer ersten Ar:, z. B. eine
lichtemittierende Diode angebracht werden kann. Die Anschlußfinger sind am rückwärtigen Teil 40 durch den
Abstandssteg miteinander verbunden, der mit dem Randstreifen 18 in Verbindung steht. ι =,
Ein zweiter Satz wahlweise geformter Anschlußfinger, die nach der Kapselung ebenfalls innere Leitungsteile darstellen, umfassen Endabschnitte 44, die ebenfalls
i.a*.i:.L
1 UflU3ai£.IIVf
sind. Einer dieser Anschlußfinger ist mit einem
Montagebereich 48 versehen, auf welchem ein Halbleiterplättchen einer zweiten Art, z. B. ein Fototransistor montiert sein kann. Die rückwärtigen Teile 49 der
Anschlußfinger 42 werden durch den Abstandssteg 27 miteinander verbunden, der auch eine Verbindung zum
Randstreifen 20 herstellt.
Im Bereich des ersten Randstreifens 18 sind eine Vielzahl speziell geformter öffnungen 50 angebracht,
die mit streifenartigen Ansätzen in Richtung zum Randstreifen 20 verlaufen. Ein in Verlängerung der
Verbi.Jungsstege verlaufender Endabschnitt 51, der
auch als Segment bezeichnet wird, ist derart ausgebildet, daß er in einen entsprechend geformten Teil der
öffnung 50 paßt Vom ersten Abstandssteg 25 verlaufen Anschlußleitungen 54 zum Randstreifen 18 wie entsprechend auch vom zweiten Abstandssteg 27 aus
Anschlußleitungen 55 zum Randstreifen 20 sich erstrecken. Ober die gesamte Länge des Kontaktstreifens sind Indexlöcher 56 auf beiden Seiten in den
Randstreifen angebracht, um beim Herstellungsverfahren eine abstandsgetreue Steuerung in den Automaten
zu gewährleisten.
Wie aus Fig.2 hervorgeht, welche einen Schnitt längs der linie 2-2 durch den Kontaktrahmen 16
darstellt, sind die vorderen Abschnitte 58 und 59 der Anschlußfinger gekröpft verformt, so daß sie in einer
Ebene parallel zur Ebene des Kontaktrahmens verlaufen. Diese Verformung kann entweder nach oder
während dem Ausstanzen des Kontaktstreifens erfolgen. Anschließend wird eine dünne Goldschicht auf
allen Oberflächen des Kontaktrahmens vorgesehen, um die Befestigung der Halbleiterplättchen und der
Anschlußdrähte zu erleichtern.
In dem Kontaktrahmen 12 gemäß F i g. 1 ist ein Halbleiterplättchen 60, das z. B. eine Halbleiteranordnung erster Art umfaßt, auf dem Montagebereich 36
befestigt. Entsprechend ist ein Halbleiterplättchen 61, das aus einer Halbleiteranordnung zweiter Art bestehen
kann, auf dem Montagebereich 48 angebracht Um die Halbleiterplättchen 60 und 61 zu montieren, wird der
Kontaktstreifen 10 auf ein Förderband aufgelegt, das in die Indexlöcher 56 eingreifende Vorsprünge aufweist
Dieses Förderband ist derart programmiert, daß der Montagebereich 36 an einem bestimmten Ort in der
Vorrichtung zum Befestigen des Halbleiterplättchens positioniert wird. Anschließend wird das Halbleiterplättchen sorgfältig derart ausgerichtet, daß ein Greifer
dieses in der richtigen Lage erfaßt und automatisch auf
dem Montagebereich 36 befestigt. Anschließend wird
der Kontaktstreifen 10 entsprechend weiter verschoben um in gleicher Weise das Halbleiterplättchen 61 auf dem
Montagebereich 48 befestigen zu können. Jedes Halbleiterplättchen kann eine Kontaktfläche in der
Montageebene aufweisen, die elektrisch mit dem Montagebereich durch das Befestigen verbunden wird.
Die Indexlöcher 56 werden auch dazu benutzt, um die Kontaktstreifen für die Drahtkontaktierung mit dünnen
Golddrähten 62 wie sie im Kontaktrahmen 16 dargestellt sind, zu positionieren. Diese Golddrähte
verbinden elektrisch die Kontaktflächen auf der Oberfläche des Halbleiterplättchens mit den zugeordneten Endabschnitten der Anschlußfinger und werden in
der Regel durch thermokompressive Schweißung angebracht.
Nach dem Befestigen des Halbleiterplättchens und dem Anbringen der Anschlußleitungen werden die
A Urtnn/Jri-tnoA OC an>Un» A** rs noet f*(A»Kit1 ten I ι η ion fiA
riUlllUIIWllJIVgV *-r bllllUIIS UVII gVUll IVIIVIIVII LIIiIIVII W ■
gemäß F i g. 1 dorchtrennt, so daß der Kontaktstreifen in zwei Teile 70 und 72 gemäß F i g. 3 unterteilt ist. Da
dieser Trennvorgang zum Abtrennen der Verbindungsstege an unkritischen Stellen vorgenommen wird, kann
das Abtrennen mit verhältnismäßig einfachen Stanzvorrichtungen erfolgen, was nicht für die Herstellung des
Kontaktstreifens gilt.
Anschließend wird der untere Teil 72 des Kontaktstreifens vom oberen Teil weggezogen und um eine
Querachse um 180° gedreht, wie dies in Fig.4
angedeutet ist. Die in F i g. 4 dargestellte Zuordnung der beiden Teile des Kontaktstreifens kann durch ein
Drehen eines der beiden Teile um eine Querachse erfolgen, wobei kein Teil bevorzugt sein muß.
Anschließend werden die Segmente bzw. Endabschnitte 51 der Verbindungsstege in die entsprechend geformten
Segmentausschnitte der öffnung 50 eingesetzt, die im
Bereich des ersten Randstreifens 18 vorgesehen sind. Dadurch werden jeweils zwei Halbleiteranordnungen
paarweise einander gegenüberliegend positioniert. In dieser Zuordnung geben die strukturellen Elemente aus
den Verbindungsstegen den Randstreifen und den Abstandssteeen genügend Festigkeit und Steifigkeit, so
daß die beiden feile 70 und 72 während der weiteren Handhabung miteinander verbunden bleiben.
Wie aus Fig.3 zu entnehmen ist, verlaufen die Verbindungsstege 74, 76, 78 und 80 grundsätzlich
rechtwinklig zum zweiten Randstreifen 20. Die Segmentausschnitte 82, 84, 86 und 88, die im ersten
Randstreifen 18 vorgesehen sind, sind zu den Verbindungsstegen 74, 76, 78 und 80 hin offen. Nach dem
Wenden des Teiles 72 um die Querachse liegt der am weitesten rechts befindliche Verbindungssteg 80 auf der
linken Seite und kommt in Eingriff mit dem Segmentausschnitt 82. Der am weitesten links befindliche
Verbindungssteg kommt dabei in Eingriff mit dem Segmentausschnitt 88, so daß gemäß F i g. 4 ein neuer
Kontaktstreifen 90 mit den Kontaktrahmen 92, 94 und 96 entsteht Wie bereits erwähnt, hat ein Kontaktstreifen in der Regel mehr als die drei dargestellten
Kontaktrahmen und ist bezüglich der Anzahl der Kontaktrahmen lediglich durch die Grenzen der
praktischen Handhabung begrenzt Für die Verbindungskonstruktion, d.h. die Formgebung der Endabschnitte und der mit diesen zusammenwirkenden
Segmentausschnitte, gibt es keine Begrenzung auf bestimmte Formen, obwohl in dem dargestellten
Ausführungsbeispiel eine schwalbenschwanzförmige Verbindungskonstruktion dargestellt ist Es ist auch
nicht unbedingt notwendig, daß diese Verbindungskonstruktion unbedingt zwischen den Randstreifen und den
Verbindungsstegen ausgebildet sein muß. Es könnte auch dasselbe Ergebnis erzielt werden, wenn z. B.
seitlich abstehende Verbindungsstreifen an den beiden Randstreifen angeordnet wären und diese Verbindungsstreifen entsprechend konstruktiv ausgebildet wären.
In F i g. 5 ist ein weiter vergrößerter Ausschnitt des
Kontaktrahmens 92 perpektivisch dargestellt, aus dem die gekröpfte Verformung der vorderen Abschnitte 58
der Anschlußfinger dargestellt ist, die in einer ersten außerhalb des Kontaktrahmens verlaufenden Ebene
liegen. Die vorderen Abschnitte 59 des zweiten Teils des Kontaktrahmens sind in entgegengesetzter Richtung
gekröpft verformt und verlaufen in einer zweiten außerhalb des Kontaktstreifens liegenden Ebene. Die
Halbleiteranordnung 61 der einen Art ist auf der nicht sichtbaren Oberfläche des Montagebereiches 48 angebracht,
so daß diese Halbleiteranordnung gegen die Halbleiteranordnung 60 ausgerichtet und dieser gegenüberliegend
angeordnet ist. Die Verbindungsstege 78 und 80, der erste Abstandssteg 25 und der zweite
Abstandssteg 27 liegen in der Ebene des Kontaktstreifens. An dem vorderen Abschnitt 59 auf der rechten
Seite der Fig.5 ist ein Teil geschnitten dargestellt, um
den zugeordneten vorderen Abschnitt 58, der diesem gegenüberliegt, zur Darstellung kommen zu lassen.
Damit erkennt man, daß die Positionierung der Teile 70 und 72 des Kontaktrahmens gemäß F i g. 4 dazu führt,
daß die auf den entsprechenden Montagebereichen angeordneten Halbleiterplättchen in der gewünschten
Form einander gegenüberliegen und aufeinander ausgerichtet sind. Dieses Ergebnis läßt sich mit Hilfe
eines einzigen Kontaktstreifens 10 erzielen, der in geeigneter Weise aufgetrennt und wieder miteinander
zum Kontaktstreifen 90 verbunden wird. Diese Maßnahme gemäß der Erfindung hat den Vorteil, daß eine
Vielzahl von Kontaktrahmen, wie sie nach dem bisher bekannten Stand der Technik nowendig sind, entfällt
und dadurch eine erhebliche Materialeinsparung möglich ist. Es sei hervorgehoben, daß der erste Kontakt-IA
nr>H Co<vm»»>»
nknitto itrtA
damit die Verbindungskonstruktion bereits umfaßt, die notwendig ist, um die Teile 70 und 72 des Kontaktstreifens
in selbsthaltender Form zu dem Kontaktstreifen 90 gemäß Fig.4 zusammenzufügen und die Halbleiterplättchen
60 und 61 einander gegenüberliegend und gegeneinander gerichtet anzuordnen. Dadurch ergibt
sich eine wesentliche Vereinfachung und Verringerung der Kosten gegenüber den bisher benötigten Halterungen,
um Kontaktrahmen und entsprechend die Halbleiterplättchen in einem gewünschten Abstand zueinander
zu halten.
In Fig.6 ist ein Schnitt durch den Kontaktstreifen
gemäß F i g. 4 dargestellt, bei dem ein lichtemittierendes Element, wie z. B. das Haibleiterplättchen 60, einem
Licht empfangenden Element, wie z. B. das Halbleiterplättchen
61, einander gegenüber angeordnet sind, wobei der Zwischenraum zwischen den Halbleiterplättchen
mit einem transparenten Material 98 für die Lichtübertragung ausgefüllt ist Für einige Anwendungsfälle
kann auch das zum Einkapseln verwendete Material für das gewünschte Frequenzband ausreichend
gute Lichtübertragungseigenschaften aufweisen, so daß in diesem Fall das für die Kapselung verwendete
Material den Lichttransport übernimmt, ~ obwohl es
möglicherweise für die Frequenzen des sichtbaren Spektrums undurchsichtig ist Für andere Anwendungsfälle, bei denen das zu übertragende Licht in einem
anderen Frequenzbereich liegt, kann z. B. eine transparente Substanz 98 Verwendung finden, die zwischen die
zusammenwirkenden Halbleiterplättchen eingeführt werden muß, bevor die Halbleiteranordnung in
herkömmlicher Weise gekapselt wird.
Der Kontaktstreifen 90 gemäß Fig.4, dessen
teilweise Montage vorausstehend beschrieben wurde, wird anschließend in einer nicht dargestellten Einrichtung
zum Spritzvergießen angeordnet, um die Halbleiteranordnung in einem Kunststoff zu kapseln. Dabei
greifen die Indexlöcher 56 in entsprechende Vorsprünge auf der Oberfläche der Form ein, womit der
Kontaktstreifen 90 in der Form genau ausgerichtet positioniert wird. Der obere und untere Teil der Form
liegt auf den Verbindungsstegen 74,76,78 und 80 sowie
auf den Abstandsstegen 25 und 27 mit ausreichender Kraft auf, um die Form für den Spritzgießvorgang
ausreichend abzudichten. Für eine gut brauchbare Kapselung wird ein Phenolkunststoff mit geringer
Viskosität unter hohem Druck in die Form eingespritzt die ganz mit dem Kunststoff ausgefüllt wird und damit
die beiden Halbleiterplättchen und die inneren Anschlußleitungen vollkommen umschließt Von den vielen
bekannten Materialien für die Kapselung von Bauelementen ist Phenolkunststoff oder eine Verbindung auf
Siliciumbasis zu bevorzugen.
In Fig. 6 ist mit gestrichelten Linien der Kunststoffkörper
100 angedeutet, der die Halbleiterplättchen und die inneren Leitungsteile sowie das transparente
Material zwischen den Halbleiterplättchen und die elektrischen Anschlußleitungen zu dem Halbleiterplättchen
umgibt. Das Kunststoffgehäuse bewirkt eine dichte, stoßfeste und wirksame Abdichtung zum Schutz
der Halbleiterplättchen 60 und 61, um diese vor Verunreinigungen und physikalischen Beanspruchungen
zu schützen. Diese Darstellung gemäß F i g. 6 entspricht einem Schnitt längs der Linie 6-6 der F i g. 4, der durch
die vorderen Abschnitte 58 und 59 die Halbleiterplättchen 60 und 61 sowie das transparente Material 98 und
die Kunststoffkapsel 100 verläuft.
ίλγ) ric
oncoln
*»n Koclimmle
Abstandsstege 25 und 27 abgetrennt, um die äußeren Anschlußleitungen auszubilden und das im Gehäuse 100
gekapselte Halbleiterelement aus dem Kontaktstreifen 90 herauszulesen. Dabei können Schnitte entlang den
gestrichelten Linien 102 gemäß F i g. 4 gelegt werden, womit bereits das gekapselte Halbleiterbauelement aus
dem Kontaktstreifen 90 herausgetrennt ist
so Die äußeren Anschlußleitungen 104 können gemäß F i g. 7 um 90° nach unten abgebogen werden, um das
Einsetzen des Halbleiterbauelementes 106 in einen Sockel oder eine gedruckte Schaltung zu erleichtern.
Das in Fig.7 dargestellte Bauelement 106 ist etwa
viermal größer als seinen natürlichen Abmessungen entspricht Die äußeren Leitungen 104 sind in zwei
parallel verlaufenden Reihen angeordnet wovon jeweils drei Anschlußleitungen auf einer Längsseite des
Bauelementes angeordnet sind. Jede dieser Reihen von Anschlußleitungen auf einer Längsseite sind den
Anschlußfingern bzw. vorderen Endabschnitten zugeordnet die bezüglich ihrer elektrischen Funktion mit
jeweils einem Halbleiterplättchen zusammenwirken.
Auf Grund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung des
Auf Grund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung des
ü Kontaktstreifens und insbesondere im Montagezustand
gemäß F i g. 4 braucht beim Kapseln nur eine Materialstarke des Kontaktstreifens in der Form angeordnet
werden, wobei außerdem eine ebene Fläche gegeben ist,
auf welcher die Form einwandfrei geschlossen werden kann. Diese Auflagefläche für die Form besteht aus den
Verbindungsstegen und den Abstandsstegen. Auf Grund dieser Tatsache ergeben sich durch die Ausgestaltung
des Kontaktstreifens 90 besondere Vorteile gegenüber der bekannten Kontaktstreifenanordnung, wobei für
den gleichen Zweck zweimal die Materialstücke des Kontaktstreifens in der Form untergebracht werden
muß und sich dadurch Unregelmäßigkeiten für die Schließflächen der Form ergeben und es schwierig ist,
die Form dicht geschlossen zu halten, während das Kunststoffmaterial unter Druck in die Form eingepreßt
wird. Ferner ergibt sich auch der Vorteil, daß beim abschließenden Bearbeiten des gekapselten Bauelementes
nur einmal die Materialstärke beim Ausschneiden der Verbindungsstege zwischen den Anschlußleitungen
durchtrennt werden muß und sich dadurch die Schwierigkeiten vermeiden lassen, die beim Durchtrenrien
uer uuppciicn fnaieriaisiärke nicht zu vermeiden
sind und gelegentlich dazu führen, daß Anschlußleitungen aus dem Gehäuse herausgezogen werden. Außerdem
werden auch die für das Abschneiden verwendeten Stanzwerkzeuge durch die doppelte Materialstärke
besonders stark abgenutzt
Obwohl die Erfindung an Hand eines Kontaktstreifens beschrieben wurde, der nur zwei Halbleiterscheibchen
mit sechs Anschlußleitungen in einem Bauelement vorsieht ist es offensichtlich, daß die Erfindung auch für
anders ausgestaltete Kontaktstreifen Verwendung finden kann. Zum Beispiel kann der Kontaktstreifen
gemäß F i g. 8 aufgebaut sein, wobei die Halbleiterplättchen 110 und 112 auf Montagebreichen angeordnet sind,
in deren Nachbarschaft die vorderen Abschnitte von sechs Anschlußfingern enden. Das Halbleiterplättchen
ist über eine Vielzahl von Anschlußdrähten 114 mit den vorderen Abschnitten der Anschlußfinger verbunden,
die mit ihrem rückwärtigen Teil 116 in einen Abstandssteg übergehen. Dieser Kontaktstreifen 108
ermöglicht somit die Herstellung von mindestens sechs elektrischen Anschlüssen an einem Halbleiterplättchen.
In Fig.9 ist eine weitere Ausführungsform eines
u; -4„_ j„- v~-.>„\
und 126 nach ihrer Montage ebenfalls um den gleichen Abstand gegenüber der Mittellinie 122 versetzt. Nach
dem Abtrennen des unteren Teiles des Kontaktstreifens 120 und dem Wenden um 180° sowie dem Zusammenstecken
der beiden Teile des Kontaktstre;fens kommen
die beiden Halbleiterplättchen in eine Lage, in der sie einander unmittelbar gegenüberliegen.
In Fig. 10 ist ein Kontaktrahmen 128 eines Kontaktstreifens 130 dargestellt, der drei Montagebein
reiche für Halbleiterplättchen 132,134 und 136 aufweist.
Der Kontaktrahmen ist derart konstruktiv ausgebildet, daß nach dem Abtrennen der beiden Teile, dem Wenden
des eines Teils und dem erneuten Zusammenstecken der beiden Teile das Halbleiterplättchen 132 in der Mitte
zwischen den Halbleiterplättchen 134 und 136 zu liegen kommt und auf diese ausgerichtet ist
Vorstehend wurde ein verbessert gestalteter Kontaktstreifen und ein Verfahren zum Herstellen von
Halbleiterbauelementen beschrieben, das besonders günstig für die Herstellung von Bauelementen geeignet
ist, die einander unmittelbar gegenüberliegend und gegeneinander gerichtet sein müssen. Der Kontaktstreifen
ermöglicht ein Halbleiterplättchen einer ersten Art auf einem ersten Teil und ein anderes Halbleiterplättchen
einer zweiten Art auf einem zweiten Teil des Kontaktstreifens zu befestigen, der in einfacher Weise
in zwei Teile zu zertrennen ist, um nach einer Drehung des einen Teils um eine Querachse wieder zusammengesetzt
zu werden und einen einheitlichen Kontaktstreifen für den weiteren Herstellungsprozeß zu bilden. Durch
dieses Verfahren wird für den weiteren Herstellungsprozeß ein Kontaktstreifen von der gleichen Materialstärke
wie am Anfang geschaffen, so daß für die Gießform zum Kapseln eine doppelte Materialstärke
wie bisher berücksichtigt werden muß. Außerdem läßt sich durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen das
Trimmen des fertig umgossenen Halbleiterbauelementes vereinfachen, womit auch die Stanzform für diesen
Zweck einfacher konstruiert sein kann. Da nur ein
•»o einziger Kontaktstreifen gegenüber zwei bei bekannten
Herstellungsverfahren notwendig ist lassen sich erheb
rahmen 118 AnschluBfinger mit Montagebereichen aufweist, die gegenüber einer Mittellinie 122 seitlich
versetzt sind. Damit sind die Halbleiterplättchen 124 von dem teueren für die Kontaktstreifen K nötigten
Material Verwendung findet.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (12)
1. Kontaktstreifen mit einer Vielzahl von Kontaktrahmen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, welche jeweils zumindest zwei einander
gegenüberliegende und einander zugewandte Halbleiteranordnungen aufweisen, die in Montagebereichen angeordnet sind, welche mit dem Kontaktrahmen aber Anschlußfinger verbunden sind, welche
derart gekröpft sind, daß wenigstens ein Montagebereich aus der Ebene der Kontaktrahmen herausgehoben ist, wob'ei entlang den Längsrändern der
Kontaktstreifen verlaufende Randstreifen über Verbindungsstege miteinander verbunden sind, die
zugleich eine Randbegrenzung für die Kontaktrah- ι ■ men bilden, dadurch gekennzeichnet, daß
ein einziger Kontaktstreifen (10) vorgesehen ist, welcher im Bereich des einen Randstreifens (18; 108;
120; 130) Ausschnitte (50; 82, 84, 86, 88) aufweist, welche komplementäre Endabschnitte (51; 74, 76,
78, SO) der Verbindungsstege (22, 24) aufnehmen,
nachdem die Verbindungsstege von dem den Ausschnitten benachbarten Randstreifen (18; 108;
120; 130) abgetrennt und mit nach oben gekehrter Unterseite wieder in der Kontaktrahmen-Ebene
angeordnet sind.
2. Kontaktstreifen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu den Randstreifen
(18, 20; 70, 72) Abstandsstege (25, 27) vorgesehen
sind, die mit den einzelnen Kontaktfingern (40; 49) eines Kon^Jctrahmens und mit den Verbindungsstegen (22; 24) verbunden sind.
3. Kontaktstreifen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußleitungen
(54,55) zu den Kontaktfingern in einer ersten Ebene verlaufen, und daß die Montagebereiche bzw. die
Anschlußbereiche der Kontaktstreifen in einer von der ersten Ebene verschiedenen Ebene derart
verlaufen, daß die Montagebereiche beim wiederzusammengesetzten Kontaktstreifen einander gegen-
Oberliegend in einer von der ersten Ebene verschiedenen Ebene angeordnet sind
4. Kontaktstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Kontaktrahmen von zwei einander gegenüberliegenden Rand-
streifen (18,20 bzw. 70,72) und zwei Verbindungsstegen (22, 24 bzw. 76, 78) begrenzt ist, wobei die
Verbindungsstege jeweils benachbarten Kontaktrahmen gemeinsam angehören.
5. Kontaktstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis so
4, dadurch gekennzeichnet, daß der mit dem Montagebereich (36, 48) versehene Kontaktfinger
jeweils einer der mittleren Kontaktrahmenabschnitte ist
6. Kontaktstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß der mit dem Montagebereich versehene Kontaktfinger eines
Kontaktrahmenabschnittes gegen den anderen mit einem Montagebereich versehenen Kontaktfinger
des zugeordneten Kontaktrahmenabschnittes seitlieh versetzt ist und daß nach dem Zusammenschneiden und dem Wiederzusammensetzen der Streifenabschnitte nach einem Drehen eines Streifenabschnittes um 180° die beiden Montagebreiche
einander gegenüberliegend angeordnet sind
7. Kontaktstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Kontaktrahmenabschnitt mit einem Montagebereich und der
zugeordnete andere Kontaktrahmenabschnitt mit zwei Montagebereichen versehen sind wobei die
beiden mit Montagebereichen versehenen Kontaktfinger die mittleren Kontaktfinger eines Kontaktrahmenabschnittes sind
β. Kontaktstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Segmentausschnitte (50, 84, 86) schwatbenschwanzförmig
ausgebildet sind wobei das breitere tünde des Ausschnittes auf der Seite des Randstreifens liegt,
und daß die Endabschnitte (51, 76, 78) der Verbindungsstege entsprechend schwalbenschwanzförmig ausgebildet sind so daß sie beim
Zusammensetzen der beiden Streifenabschnitte formschlüssig in die Segmentausschnitte eingreifen.
9. Verfahren zum Hersteilen eines Halbleiterbauelementes, das zumindest ein Paar Halbleiteranordnungen in einander gegenüberliegender und gegeneinander weisender Position aufweist, wobei ein
Kontaktstreifen Verwendung findet, der Kontaktfinger und Mcntagebereiche für Haiaierttcfaea
besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktstreifen mit Segmentausschnitten (50) im Bereich des
einen Randstreifens (18) und mit entsprechend geformten Endabschnitten (51) an den Enden der
Verbindungsstege (22,24) ausgebildet wird, daß auf
einem der Kontaktfinger im Montagebereich die Halbleiterplättchen angebracht und mit zugeordneten vorderen Abschnitten der anderen Kontaktfinger über Drabtleitungen verbunden werden, daß der
Kontaktstreifen im Bereich der Enden der Verbindungsstege derart geteilt wird daß bei dem einen
Teil die Endabschnitte und bei dem anderen Teil die Segmentausschnitte verbleiben, daß der eine Tal um
eine Querachse um 180° gedreht und derart mit dem anderen Teil verbunden wird daß die Endabschnitte
in die Segmentausschnitte eingreifen.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der durch Zusammensetzen neu
gewonnene Kontaktstreifen innerhalb des von den Verbindungsstegen und den Abitandsstegen begrenzten Bereiches in ein geeignetes Material (100)
eingekapselt wird und daß die Verbindungsstege (22, 24) sowie die Abstandsstege (25, 27) zwischen den
Kontaktfingern (40,49) bzw. den Anschlußleitungen
(58,55) entfernt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder
10, dadurch gekennzeichnet, daß von einem Paar der
Halbleiteranordnungen des eine ein lichtemittierendes Element und das andere ein auf licht
ansprechendes Element ist und daß zwischen den auf gegenüberliegenden Montagebereichen angebrachten Halbleiteranordnungen ein lichtleitendes Material (98) vor den Kapseln des Halbleiterbauelement
tes angebracht wird
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die mit den Montagebereichen versehenen Kontaktfinger gekröpft verformt werden, so daß der Montagebereich
in einer zur Ebene des Kontaktstreifens parallelen Ebene liegt
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23495572A | 1972-03-15 | 1972-03-15 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2312254A1 DE2312254A1 (de) | 1973-09-27 |
DE2312254B2 DE2312254B2 (de) | 1980-05-22 |
DE2312254C3 true DE2312254C3 (de) | 1981-02-05 |
Family
ID=22883463
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19737309359U Expired DE7309359U (de) | 1972-03-15 | 1973-03-12 | Kontaktstreifen |
DE2312254A Expired DE2312254C3 (de) | 1972-03-15 | 1973-03-12 | Kontaktstreifen für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19737309359U Expired DE7309359U (de) | 1972-03-15 | 1973-03-12 | Kontaktstreifen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS517979B2 (de) |
DE (2) | DE7309359U (de) |
FR (1) | FR2176103B1 (de) |
GB (1) | GB1417802A (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4952463U (de) * | 1972-08-18 | 1974-05-09 | ||
EP0103032B1 (de) * | 1982-09-09 | 1988-03-02 | General Electric Company | Halbleiter-optokoppler |
DE3424876A1 (de) * | 1984-07-06 | 1986-02-06 | Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover | Integrierter schaltkreis |
US5148243A (en) * | 1985-06-25 | 1992-09-15 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator with encapsulation |
US4694183A (en) * | 1985-06-25 | 1987-09-15 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator fabricated upon a lead frame |
US5049527A (en) * | 1985-06-25 | 1991-09-17 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator |
US4633582A (en) * | 1985-08-14 | 1987-01-06 | General Instrument Corporation | Method for assembling an optoisolator and leadframe therefor |
EP0273364B1 (de) * | 1986-12-26 | 1992-03-25 | Idec Izumi Corporation | Trägerband für elektronische Bauteile und Herstellungsverfahren |
DE4411345C1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-05-24 | Amphenol Tuchel Elect | Kontaktschalter |
JP5889753B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-03-22 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP6189222B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-08-30 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
JP6258044B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-01-10 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
JP6352508B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2018-07-04 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
-
1973
- 1973-02-08 GB GB627973A patent/GB1417802A/en not_active Expired
- 1973-03-12 DE DE19737309359U patent/DE7309359U/de not_active Expired
- 1973-03-12 DE DE2312254A patent/DE2312254C3/de not_active Expired
- 1973-03-13 JP JP48028644A patent/JPS517979B2/ja not_active Expired
- 1973-03-15 FR FR7309330A patent/FR2176103B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2312254B2 (de) | 1980-05-22 |
FR2176103B1 (de) | 1976-09-10 |
DE2312254A1 (de) | 1973-09-27 |
JPS494979A (de) | 1974-01-17 |
JPS517979B2 (de) | 1976-03-12 |
DE7309359U (de) | 1973-07-12 |
GB1417802A (en) | 1975-12-17 |
FR2176103A1 (de) | 1973-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68928185T2 (de) | Herstellung elektronischer Bauelemente mit Hilfe von Leiterrahmen | |
DE10321348B4 (de) | Steckverbinder | |
DE69414641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer harzversiegelten Halbleitervorrichtung, bei diesem Verfahren verwendeter Leiterrahmen zur Montage vieler Halbleiterelemente und harzversiegelte Halbleitervorrichtung | |
DE2312254C3 (de) | Kontaktstreifen für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69814322T2 (de) | Verbinder für eine gedruckte Leiterplatte und Herstellungsverfahren dafür | |
DE2636450A1 (de) | Halbleiter-leitungsrahmen | |
DE69226879T2 (de) | Elektrische Verbinder | |
EP0706214A2 (de) | Elektronikmodul und Chipkarte | |
DE2849419C2 (de) | ||
EP0735624B1 (de) | Elektrischer Verbinder | |
DE1564354B2 (de) | Metallteil für seriengefertigte Halbleiter-Bauelemente | |
EP1620920B1 (de) | Induktives miniatur-bauelement, insbesondere antenne | |
EP1199913A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterfolie-Trägergehäuse-Einheiten | |
DE10009653A1 (de) | Mehrfachstecker und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2855838C2 (de) | Bauteilanordnung | |
DE2315711A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens | |
DE69624469T2 (de) | Matrix von mit elektrischen bauelementen angeschlossenen fahnen und entsprechendes verfahren zum anschluss | |
DE19920995C2 (de) | Drehverbinder | |
DE19526511A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung und Montage | |
DE4321592A1 (de) | Halbleitervorrichtungen sowie Trägerteile und Leiterrahmen hierfür | |
DE10004813C2 (de) | Schutzanschluss und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19800632C2 (de) | Anschluss zur Ultraschallschweißung und Verfahren zum Anschließen eines Anschlusses zur Ultraschallschweißung | |
EP1794787B1 (de) | Leiterrahmen für ein elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3510638C1 (de) | Induktives Miniatur-Bauelement, insbesondere Miniatur-Spule sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements | |
DE112020000826T5 (de) | Halbleiterbauteil und verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |