DE1250789B - Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion - Google Patents

Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion

Info

Publication number
DE1250789B
DE1250789B DENDAT1250789D DE1250789DA DE1250789B DE 1250789 B DE1250789 B DE 1250789B DE NDAT1250789 D DENDAT1250789 D DE NDAT1250789D DE 1250789D A DE1250789D A DE 1250789DA DE 1250789 B DE1250789 B DE 1250789B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gallium
gap
layer
gaas
carrier gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1250789D
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Summit NJ. Carl John Frosch (V. St. A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Inc
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1250789B publication Critical patent/DE1250789B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
DENDAT1250789D 1962-07-09 Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion Pending DE1250789B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US208365A US3197411A (en) 1962-07-09 1962-07-09 Process for growing gallium phosphide and gallium arsenide crystals from a ga o and hydrogen vapor mixture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1250789B true DE1250789B (de) 1967-09-28

Family

ID=22774325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1250789D Pending DE1250789B (de) 1962-07-09 Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3197411A (OSRAM)
CH (1) CH443232A (OSRAM)
DE (1) DE1250789B (OSRAM)
ES (1) ES287732A1 (OSRAM)
GB (1) GB1042933A (OSRAM)
NL (1) NL292373A (OSRAM)
SE (1) SE309632B (OSRAM)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1242580B (de) * 1963-10-28 1967-06-22 Philips Nv Verfahren zum Herstellen oder Umkristallisieren von Borphosphid
DE1544259A1 (de) * 1965-02-05 1970-07-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von gleichmaessigen epitaktischen Aufwachsschichten
US3523045A (en) * 1965-03-01 1970-08-04 North American Rockwell Coherent radiation device
US3397094A (en) * 1965-03-25 1968-08-13 James E. Webb Method of changing the conductivity of vapor deposited gallium arsenide by the introduction of water into the vapor deposition atmosphere
DE1289830B (de) * 1965-08-05 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden A B-Verbindungen
US3476593A (en) * 1967-01-24 1969-11-04 Fairchild Camera Instr Co Method of forming gallium arsenide films by vacuum deposition techniques
DE1901319A1 (de) * 1969-01-11 1970-08-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem Galliumarsenid
GB2205328B (en) * 1987-05-25 1991-08-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method of manufacturing phosphorus compound film
US5348911A (en) * 1987-06-30 1994-09-20 Aixtron Gmbh Material-saving process for fabricating mixed crystals
DE3721638A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Materialsparendes verfahren zur herstellung von mischkristallen
EP2083935B1 (en) 2006-11-22 2012-02-22 S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies Method for epitaxial deposition of a monocrystalline Group III-V semiconductor material
KR101390425B1 (ko) 2006-11-22 2014-05-19 소이텍 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브
KR101379410B1 (ko) * 2006-11-22 2014-04-11 소이텍 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비

Also Published As

Publication number Publication date
NL292373A (OSRAM)
GB1042933A (en) 1966-09-21
US3197411A (en) 1965-07-27
CH443232A (de) 1967-09-15
ES287732A1 (es) 1963-12-16
SE309632B (OSRAM) 1969-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69511995T2 (de) Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
DE1444511A1 (de) Verfahren zur Herstellung von epitaxialen Filmen
DE2609907C2 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von einkristallinem Galliumnitrid auf einem Substrat
DE2830081A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleitermateriales der gruppen iii/v des periodischen systems
DE2738329A1 (de) Elektrolumineszierende galliumnitridhalbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE3417395A1 (de) Verfahren zur bildung einer dotierten schicht und unter verwendung dieses verfahrens hergestelltes halbleiterbauelement
DE3123233C2 (de) Verfahren zur Herstellung von CdS-,CdSe-,ZnS-oder ZnSe-Halbleiterkristallen
DE1934369C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus HI-V Verbindungen
DE2100692A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaxisch gewachsenen Schicht eines GaAs tief 1 χ P tief χ Halbleitermaterial
DE102021109368A1 (de) Galliumoxid-basierter halbleiter und herstellungsverfahren desselben
DE1922892A1 (de) Verfahren zum Zuechten epitaktischer Filme
DE2544286C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer III-V-Halbleiterkristallschicht auf einem Substrat
DE69207503T2 (de) Einkristall einer Halbleiterverbindung
DE2148851A1 (de) Verfahren zur Kristallzuechtung
DE3689387T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus GaAs.
DE112020004152T5 (de) Verfahren zum Bilden einer Schicht und zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1265716B (de) Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE1519812B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen epitaktisch auf einer einkristallinen unterlage aufgewachsener schichten aus germanium
AT241537B (de) Verfahren zum Züchten eines Einkristalls aus Galliumphosphid, Galliumarsenid oder deren Mischungen
DE1233833B (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls, insbesondere Halbleitereinkristalls
DE1592117A1 (de) Verfahren zur Herstellung von haarfeinen alpha-Aluminiumoxydkristallteilchen und Geraet zur Durchfuehrung dieser Verfahren
DE2034384C3 (de) Schichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1519812C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen epitaktisch auf einer einkristallinen Unterlage aufgewachsener Schichten aus Germanium
DE1544241C (de) Verfahren zum Abscheiden einer Schicht aus Galliumarsenid auf einer Unterlage