DE112013006103T5 - Metallfolienunterstützte Herstellung von Dünnsilizium-Solarzellen - Google Patents

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Abstract

Eine Ausführungsform betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle. Ein Siliziumplättchen (704) wird von dem Siliziumsubstrat gespalten. Die Rückseite des Siliziumplättchens umfasst P-Typ-(104) und N-Typ-(106)dotierte Bereiche. Eine Metallfolie ist (706) an der Rückseite des Siliziumplättchens befestigt. Die Metallfolie kann vorteilhafterweise als interner Träger zur Handhabung des Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite des Siliziumplättchens verwendet werden. Eine weitere Ausführungsform betrifft eine Solarzelle, die ein Siliziumplättchen mit P-Typ-(104) und N-Typ-(106) dotierten Bereichen auf der Rückseite (302) enthält. Eine Metallfolie (306) ist an der Rückseite des Plättchens angeklebt, und es sind Kontakte (604 und 606) zwischen der Metallfolie und den dotierten Bereichen ausgebildet. Andere Ausführungsformen, Aspekte und Merkmale werden ebenfalls offenbart.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Ausführungsformen des hierin beschriebenen Erfindungsgegenstand beziehen sich allgemein auf Solarzellen. Insbesondere beziehen sich Ausführungsformen des Erfindungsgegenstands auf Solarzellenherstellungsprozesse und -strukturen.
  • HINTERGRUND
  • Solarzellen sind weithin bekannte Vorrichtungen zur Umwandlung von Sonnenstrahlung in elektrische Energie. Eine Solarzelle weist eine Vorderseite auf, die während des normalen Betriebs der Sonne zugewandt ist, um Sonnenstrahlung einzufangen, und eine der Vorderseite entgegengesetzte Rückseite. Sonnenstrahlung, die auf die Solarzelle auftrifft, erzeugt elektrische Ladungen, die genutzt werden können, um eine externe elektrische Schaltung mit Energie zu versorgen, beispielsweise eine Last.
  • Solarzellenherstellungsprozesse beinhalten typischerweise zahlreiche Schritte, die Maskierung, Ätzen, Abscheidung, Diffusion und andere Schritte einschließen. Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen vorteilhaft Solarzellenprozesse bereit.
  • KURZE ZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Ausführungsform betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle. Ein Siliziumplättchen wird vom Siliziumsubstrat gespalten. Die Rückseite des Siliziumplättchens umfasst P-Typ- und N-Typ-dotierte Bereiche. Eine Metallfolie wird auf die Rückseite des Siliziumplättchens angebracht. Die Metallfolie kann vorteilhaft als integrierter Träger zur Handhabung des Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite der Siliziumplättchen verwendet werden.
  • Eine weitere Ausführungsform bezieht sich auf eine Solarzelle, die ein Siliziumplättchen mit P-Typ- und N-dotierten Bereichen auf der Rückseite umfasst. Eine Metallfolie ist auf die Rückseite des Plättchens geklebt, und es sind Kontakte zwischen der Metallfolie und den dotierten Bereichen ausgebildet.
  • Eine weitere Ausführungsform betrifft ein Herstellungsverfahren einer Solarzelle, das ein Anhaften einer Metallfolie an einer Rückseite eines Siliziumsubstrats umfasst. Ein Siliziumplättchen kann dann von der Rückseite des Siliziumsubstrats abgetrennt werden. Die Metallfolie wird als ein interner Träger zur Handhabung des Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite des Siliziumplättchens verwendet.
  • Diese Ausführungsformen und andere Ausführungsformen, Aspekte und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden beim Lesen der Gesamtheit dieser Offenbarung, welche die beigefügten Zeichnungen und Ansprüchen einschließt, dem Fachmann leicht ersichtlich sein.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Ein vollständigeres Verständnis des Gegenstands kann durch Bezugnahme auf die ausführliche Beschreibung und die Ansprüche bei Betrachtung in Verbindung mit den folgenden Figuren, in denen gleiche Bezugszeichen ähnliche Elemente in den Figuren beziehen, abgeleitet werden. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet.
  • 1–6 sind Querschnittsansichten, die schematisch die Herstellung einer Solarzelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 7 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Solarzelle gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Solarzelle in Übereinstimmung mit einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer hergestellten Solarzelle, wie in Übereinstimmung mit dem Verfahren von 8 hergestellt.
  • 10 ist eine Draufsicht einer Metallfolie auf die Rückseite eines Siliziumplättchen in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Dünnsilizium-Solarzelle gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • In der vorliegenden Offenbarung werden zahlreiche spezifische Einzelheiten bereitgestellt, wie Beispiele für Vorrichtungen, Strukturen, Materialien und Methoden, um ein gründliches Verständnis von Ausführungsformen der Erfindung bereitzustellen. Fachleute werden jedoch erkennen, dass die Erfindung ohne eines oder mehrere der spezifischen Details ausgeführt werden kann. In anderen Fällen sind weithin bekannte Details nicht gezeigt oder beschrieben, um ein Verunklaren von Aspekten der Erfindung zu vermeiden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt Techniken zum Bilden von Dünnsilizium-Solarzellen mithilfe einer Metallfolie bereit. Vorteilhafterweise kann die Metallfolie als ein interner Träger zur Handhabung des ansonsten fragilen Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite des Plättchens verwendet werden. Anschließend kann die Metallfolie wiederverwendet werden, um Metallfinger und Kontakte zu den P-Typ- und N-Typ-Emittern auf der Rückseite des Plättchens zu bilden.
  • 1–6 sind Querschnittsansichten, die schematisch die Herstellung einer Dünnsilizium-Solarzelle gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. 1 ist ein Siliziumsubstrat 102 mit einem darauf gebildeten P-Typ-dotierten (P+) Bereich 104 und einen n-dotierten (N+) Bereich 106 auf der Rückseite des Substrats 102. Die P+ und N+-dotierten Bereiche können als P-Typ- und N-Typ-Emitter in Zusammenhang mit der hergestellten Solarzelle bezeichnet werden. In der Rückseitenkontakt-Solarzelle, die in 1 gezeigt wird. Befinden sich die Emitter und die entsprechenden Kontakte auf der Rückseite der Solarzelle. Die dotierten Regionen können beispielsweise durch Diffusion von Dotierstoffen aus Dotierquellen gebildet werden.
  • Eine dünne dielektrische Schicht 108 kann über den P+ und N+ Regionen auf der Rückseite zur elektrischen Isolierung, Passivierung und/oder anderen Zwecken gebildet werden. Die dielektrische Schicht 108 kann zum Beispiel Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid umfassen. Alternativ kann die Emitterfläche durch andere Mittel als durch das Bilden der dielektrischen Schicht 108 passiviert werden, wie beispielsweise durch chemische Passivierung.
  • Die Solarzellenstruktur von 1 kann in einer Ionenimplantationsanlage, die auch als „Ionenimplantiervorrichtung” bezeichnet wird, platziert werden. Die Ionenimplantiervorrichtung kann zum Implantieren von Ionen mit einer vorbestimmten Implantationstiefe 202 verwendet werden, wie in 2. Die Ionen können Wasserstoffionen (d. h. Protonen) sein. In alternativen Ausführungsformen können andere Ionen implantiert werden oder mit dem Wasserstoff zusammen implantiert. Zum Beispiel können Heliumionen anstelle von Wasserstoffionen implantiert werden oder mit Wasserstoffionen zusammen implantiert werden. Die Dosis der Implantation induziert Defekte an der Implantationstiefe, so dass die ebene Schicht aus Silizium oberhalb der Implantierungstiefe von dem Rest des Siliziumsubstrats unterhalb der Implantationstiefe getrennt oder abgeblättert werden kann. Die Energie der Implantation steuert die Implantationstiefe und steuert so die Dicke des Dünnsiliziumsubstrats nach dem Abblättern. Zum Beispiel kann die Energie der Implantation kalibriert werden, um ein dünnes Plättchen mit einer Dicke in einem Bereich von 10 Mikron bis 100 Mikron zu spalten. Die Abblätterung kann durch Erhitzen des Substrats bei einer erhöhten Temperatur bewerkstelligt werden.
  • Wie in 3 gezeigt, kann eine Metallfolie 306 an die dielektrische Schicht 108 auf der Rückseite des Siliziumplättchens 302 anhaften. Die Metallfolie 306 kann eine Aluminiumfolie sein. Um ein Verwenden der Folie als Träger für die Schichten zu erleichtern, kann sich ein erweiterter Bereich (Umschlagbereich) der Metallfolie 306 über einen Umfang des Siliziumplättchens 302 hinaus erstrecken. In einer beispielhaften Implementierung kann die Zusammensetzung der Metallfolie 306 Al-1% Si (99% Aluminium und 1% Silizium), oder allgemeiner Al-x% Si betragen, wobei x% von 0% bis 3% beträgt. Andere Zusammensetzungen für die Aluminiumfolie können ebenfalls verwendet werden. Es ist auch möglich, andere Metallfolien außer Aluminium zu verwenden, wie beispielsweise Silberfolie.
  • In einer Ausführungsform kann eine Klebstoffschicht 304 verwendet werden, um die Metallfolie 306 an die Rückseite des Siliziumplättchens 302 zu kleben. Die Haftschicht 304 kann eine dünne Schicht von Epoxid, Silikon, Ethylenvinylacetat (EVA) oder einem anderen Verkapselungsmaterial sein, das an der Rückseite des Substrats aufgebracht wird. In einer Implementierung kann die Klebeschicht eine Beschichtung sein, die auf die Metallfolie vor der Adhäsion aufgetragen wird.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann die Metallfolie 306 an die Rückseite des Substrats mithilfe einer Reihe von Kontaktstellen zwischen der Metallfolie 306 und der Rückseite des Substrats angeklebt werden. Die Kontaktstellen können durch Punktschmelzen der Metallfolie mit einem gepulsten Laser gebildet werden. In dieser Ausführungsform wird die Haftschicht 304 nicht benötigt. Luftspalte zwischen den Kontaktstellen können durch Abflachen der Folie entfernt werden.
  • Wie in 4 abgebildet, kann, unter Verwendung der Folie als integrierter oder integrierter Träger zum Stützen des Plättchens, die Oberfläche 402 an der vorderen Seite des Plättchens 302 dann strukturiert und passiviert werden. Die Oberflächenstrukturierung dient dazu, die Kapazität der Siliziumoberfläche zu erhöhen, um Licht zu absorbieren, und die Oberflächenpassivierung dient dem Reduzieren der Ladungsrekombination an der Oberfläche. Die Oberflächenstrukturierung kann beispielsweise unter Verwendung eines nassen Oberflächen-Ätzverfahrens durchgeführt werden. Die Oberflächenpassivierung kann durch chemische Passivierung oder durch andere Mittel erreicht werden.
  • Danach kann ein Glas-Verkapselungsverfahren auf der Vorderseite des Siliziumplättchens 302 durchgeführt werden. 5 zeigt die sich ergebende Glasschicht 502, die auf der Vorderseite mithilfe des Einkapselungsmaterials 503 angebracht ist.
  • Wie in 6 gezeigt. 6, können weitere Schritte dann auf der Rückseite des Siliziumplättchens 302 erfolgen. Diese Schritte schließen das Ausbilden von Metallkontakten 604 und 606 in Kontaktlöchern zum elektrischen Koppeln mit den entsprechenden P+ Regionen 104 und N+ Regionen 106 ein. Ein erster Satz von Metallkontakten 604 kann unter Verwendung eines laserbasierten Kontaktbildungsprozesses aus der Metallfolie 304 an die P+ Region 104 gebildet werden, und ein zweiter Satz von Metallkontakten 606 kann aus der Metallfolie 304 an die N+ Region 106 gebildet werden. Bei einem solchen Verfahren kann ein Laserscanner steuerbar einen gepulsten Laserstrahl über die Rückseite der hergestellten Solarzelle scannen. Der gepulste Laserstrahl kann die Kontaktöffnungen durch die Klebstoffschicht 304 und die dielektrische Schicht 108 bilden, und die Kontaktöffnungen können durch geschmolzenes Metall aus der Folie 306 gefüllt werden.
  • Darüber hinaus kann ein Fingerabstandsmuster 608 auf der Folienfläche ausgebildet sein, um den ersten Satz von Metallkontakten 604 von dem zweiten Satz von Metallkontakten 606 elektrisch zu trennen. Der Fingerabstand 608 kann so konfiguriert sein, dass die Finger der Folie, die zu den Kontakten führen, fingerartig ineinandergreifen.
  • 7 ist ein Flussdiagramm eines beispielhaften Verfahrens 007 zum Herstellen einer Dünnsilizium-Solarzelle gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In dem beispielhaften Verfahren 700 von 7 können Emitterbereiche zunächst auf einem Siliziumwafer pro Block 702 gebildet werden. Die Siliziumscheibe kann eine Dicke von mehreren hundert Mikrometern oder mehr aufweisen und kann als dickes Substrat-Wafer bezeichnet werden. Die Emitterbereiche sind sowohl P-dotierte als auch N-dotierte Bereiche und können auf der Rückseite des Wafers, wie in 1 gezeigt, gebildet werden.
  • Pro Block 704 kann ein Dünnsiliziumplättchen aus dem Silizium-Wafer abgespalten werden. Beispielsweise kann das Siliziumplättchen eine Dicke zwischen 10 Mikrometer bis 100 Mikrometer aufweisen. In einer Implementierung kann die Spaltung unter Verwendung von Ionenimplantation und Abblätterung wie oben in Bezug auf 2 beschrieben erfolgen. Alternativ kann die Spaltung durch Abplatzen oder Ätzen einer Opferschicht von der Vorderseite des Wafers durchgeführt werden.
  • In Block 706 kann Metallfolie an das Siliziumplättchen geklebt werden, wie oben in Bezug auf 3 beschrieben. Insbesondere kann die Metallfolie an der rückseitigen Oberfläche des Siliziumplättchens angeklebt sein. Die Metallfolie kann eine Dicke zwischen 50 Mikrometer und 1 Millimeter aufweisen, um einen mechanische Stütze für das Dünnsiliziumplättchen zu schaffen. Um eine Verwendung der Folie als Träger für das Plättchen zu erleichtern, kann sich ein erweiterter Bereich (Umschlagbereich) der Metallfolie über einen Umfang des Siliziumplättchens hinaus erstrecken. In einer Implementierung kann die Haftung durch die Verwendung eines Lasers zum Brennen von Kontakten zwischen der Metallfolie und dem Siliziumplättchen erreicht werden.
  • In einer anderen Implementierung kann die Haftung unter Verwendung einer dünnen Haftschicht an der beschichteten Metallfolie bewerkstelligt werden.
  • Pro Block 708 kann die Metallfolie als integrierter Träger für die Handhabung des Siliziumplättchens verwendet werden, so dass die Vorderseitenfläche des Siliziumplättchens bearbeitet werden kann. Die Vorderseiten-Oberflächenbearbeitung kann die Strukturierung und Passivierung, wie oben in Bezug auf 4 beschrieben, umfassen. Die Oberflächenstrukturierung und Passivierung kann beispielsweise durch Eintauchen des Plättchens in chemische Lösungen zum Ätzen und Passivieren der Frontfläche durchgeführt werden. Anschließend kann das metallfoliengestützte Siliziumplättchen an seiner Vorderseite mit einem Glas-Laminierungsvorgang, wie oben in Bezug auf 5 beschrieben, bearbeitet werden. Im Anschluss an die Vorderseitenbearbeitung kann der erweiterte Bereich (Umschlagbereich) der Metallfolie getrimmt werden.
  • Pro Block 710 können Kontakte aus der Metallfolie zu den Emitterbereichen ausgebildet werden. Wie oben in Bezug auf 6 beschrieben, können die gebildeten Kontakte einen ersten Satz von Kontakten 604 zu P-dotierten Emittergebieten 104 und einen zweiten Satz von Kontakten 606 zu N-dotierten Emittergebieten einschließen. Zusätzlich kann ein Trennfingermuster 608 auf der Folie gebildet werden, um den ersten Satz und den zweiten Satz von Kontakten elektrisch zu trennen.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann anstelle eines Anhaftens einer durchgehenden Metallfolienschicht an der Rückseite und dem anschließenden Erstellen des Fingertrennmusters, während die Folie auf der Rückseite befestigt ist, das Fingertrennmuster in der Metallfolie vorgeformt werden, ehe die Metallfolie auf die Rückseite des Siliziumplättchens aufgebracht wird. 8 ist ein Flussdiagramm eines alternativen Verfahrens 800 zum Herstellen einer Dünnsiliziumsolarzelle, die eine solche vorstrukturierten Metallfolie in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • Wie in 8 gezeigt wird, kann, nachdem das Dünnsiliziumplättchen aus dem Wafer pro Block 704 gespalten wird, eine vorgemusterte Metallfolie 806 zwischen der Rückseite des Silizium-Plättchens und einem Sekundärsubstrat sandwichartig angeordnet werden. Die Strukturierung der Metallfolie erzielt den Fingerabstand zwischen den P-Typ- und N-Typ-Kontakten. Das sekundäre Substrat kann transparent sein, so dass Laserlicht durch es hindurchgehen werden kann. Das sekundäre Substrat kann beispielsweise eine steife Polymerschicht, beispielsweise eine Polyethylenterephthalat(PET)-Schicht oder eine Fluorpolymer-Schicht, sein. Danach werden pro Block 807 die Kontakte zwischen der Metallfolie und den Emitterbereichen ausgebildet. Die Bildung der Kontakte erfolgt beispielsweise unter Verwendung eines gepulsten Lasers, der durch das sekundäre Substrat übertragen wird, um Kontaktöffnungen zu schaffen und geschmolzenes Metall aus der Folie in diese Öffnungen fließen zu lassen. Pro Block 708 kann die vordere Oberfläche dann bearbeitet werden, wie oben in Bezug auf 7 beschrieben. Im Anschluss an die Vorderseitenbearbeitung kann der erweiterte Bereich (Umschlagbereich) der Metallfolie getrimmt werden.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer gefertigten Dünnsilizium-Solarzelle, wie in Übereinstimmung mit dem Verfahren 800 von 8 hergestellt. Wie in 9 abgebildet, ist die Metallfolie 306 mit dem vorstrukturierten Fingerabstand 908 zwischen dem sekundären Substrat 902 und der Rückseite des Siliziumplättchens 302 sandwichartig angeordnet. Zusätzlich werden ein P-Typ-Kontakt 904 und ein n-Typ-Kontakt 906 dargestellt. Wie oben beschrieben, können diese Kontakte durch Übertragung eines gepulsten Lasers durch das transparente sekundären Substrats 902 gebildet werden.
  • 10 ist eine Draufsicht auf eine Metallfolie auf der Rückseite eines Silizium-Plättchens in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Ansicht der 10 zeigt einen Abschnitt 1004 der Folie auf der Rückseite des Plättchens und einen erweiterten Bereich 1006 der Folie, der sich über einen Umfang 1002 des Plättchens erstreckt. Man beachte, dass sich der verlängerte Bereich 1006 über eine oder mehrere Seiten des Umfangs erstrecken kann und sich nicht zwingend sich über alle Seiten des Umfangs erstrecken muss.
  • 11 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 1100 zum Herstellen einer Dünnsilizium-Solarzelle gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In dem beispielhaften Verfahren 1100 der 11 kann eine Opferschicht auf einem Siliziumsubstrat pro Block 1102 gebildet werden.
  • Die Opferschicht kann aus porösem Silizium bestehen, wie beispielsweise in einem HF-Bad mit Vorspannung gebildet. Alternativ kann die Opferschicht Silizium mit beispielsweise Germaniumdotierung und/oder einer Kohlenstoff-Dotierung sein, die entweder durch epitaktische Abscheidung oder ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren (CVD) gebildet werden. Die Opferschicht kann dünn sein, in der Größenordnung von etwa 700 Mikrometer, obwohl sie geringfügig oder deutlich größer oder kleiner sein kann, wie dies für eine bestimmte Ausführungsform zum Durchführen der hierin beschriebenen Funktionen gewünscht wird. Zum Beispiel kann in bestimmten Ausführungsformen die Opferschicht sogar 10 Mikrometer dünn sein. In bestimmten Fällen können auch kleinere Dicken verwendet werden.
  • Eine epitaktische Siliziumschicht kann dann über der Opferschicht pro Block 1104 gebildet werden. Die Emitterbereiche können in der Epitaxieschicht pro Block 1106 gebildet werden und eine dielektrische Schicht kann über den Emitterbereichen pro Block 1108 gebildet werden.
  • Eine Metallfolie kann dann über den Emitterbereichen pro Block 1110 angeklebt werden. Anschließend kann epitaktisches Lift-Off pro Block 1112 durch selektives Nassätzen oder durch anderweitiges Entfernen der Opferschicht durchgeführt werden. Nach dem Lift-Off wird die epitaktische Schicht zum Siliziumplättchen der Solarzelle. Eine Querschnittsansicht der Struktur an diesem Punkt im Prozess entspricht der Darstellung in 3. Wie hier offenbart, stellt die Metallfolie eine strukturelle Stütze und eine integrierte Trägerfunktionalität für das Siliziumplättchen dar.
  • Anschließend kann die Frontfläche pro Block 708 bearbeitet werden. Die Kontakte zwischen der Metallfolie und den Emitterbereichen können dann pro Block 710 gebildet werden. Mit anderen Worten kann nach dem epitaktischen Lift-off pro Block 1110 die Bearbeitung wie oben in Bezug auf 4–6 beschrieben erfolgen.
  • Techniken zur Bildung von Dünnsilizium-Solarzellen mit einer Metallfolie sind offenbart worden. In vorteilhafter Weise wird die Metallfolie als integrierter Träger für die Handhabung des ansonsten zerbrechlichen Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite des Plättchens verwendet werden. Anschließend kann die Metallfolie wiederverwendet werden, um die P-Typ- und N-Typ-Emitterkontakte und die Metallfinger an der Rückseite des Plättchens zu bilden.
  • Obgleich spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bereitgestellt worden sind, versteht es sich, dass diese Ausführungsformen nur zur Veranschaulichung dienen und nicht einschränkend sind. Viele weitere Ausführungsformen werden Fachleuten auf dem Gebiet bei der Lektüre dieser Offenbarung offensichtlich sein.

Claims (22)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: das Spalten eines Siliziumplättchens von dem Siliziumsubstrat, wobei eine Rückseite des Siliziumplättchens P-Typ- und N-Typ-dotierte Regionen umfasst; und das Anbringen einer Metallfolie auf die Rückseite des Siliziumplättchens.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei sich ein erweiterter Bereich der Metallfolie über einen Umfang des Siliziumplättchens erstreckt, das ferner Folgendes umfasst: die Verwendung der Metallfolie als integrierten Träger für die Handhabung des Siliziumplättchens.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: das Bilden eines ersten Satzes von Kontakten zwischen der Metallfolie und den p-dotierten Bereichen und das Bilden eines zweiten Satzes von Kontakten zwischen der Metallfolie und den N-Typ-dotierten Bereichen.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Kontakte unter Verwendung eines gepulsten Laserstrahls gebildet werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: Das Bilden eines Fingertrennungsmusters in der Metallfolie.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Fingerabstandsmuster in der Metallfolie vor der Befestigung an der Rückseite vorgeformt ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, das ferner Folgendes umfasst: das Anbringen der Metallfolie an ein sekundäres Substrat vor Befestigung an der Rückseite, wobei das sekundäre Substrat für ein Laserlicht transparent ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallfolie an der Rückseite mithilfe einer Haftschicht befestigt ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallfolie an die Rückseite an einer Anordnung von Kontaktflecken zwischen der Metallfolie und der Rückseite des Siliziumsubstrats befestigt ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Kontaktstellen durch Punktschmelzen der Metallfolie gebildet werden.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallfolie aus Aluminium besteht.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: das Strukturieren und Passivieren einer Vorderseite des Siliziumplättchens unter Verwendung der Metallfolie als Träger für die Bearbeitung des Siliziumplättchens; und Einkapseln der Vorderseite des Siliziumplättchens.
  13. Solarzelle, die Folgendes umfasst: ein Siliziumplättchen; P-Typ- und N-Typ-dotierte Bereiche auf einer Rückseite des Siliziumplättchens; eine an der Rückseite des Silizium-Plättchens befestigte Metallfolie; einen ersten Satz von Kontakten zwischen der Metallfolie und den p-Typ-dotierten Bereichen; und einen zweiten Satz von Kontakten zwischen der Metallfolie und den N-Typ-dotierten Bereichen.
  14. Solarzelle nach Anspruch 12, wobei das Siliziumplättchen eine Dicke in einem Bereich zwischen zehn und einhundert Mikrometer aufweist.
  15. Solarzelle nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: eine Klebeschicht zwischen der Metallfolie und den P-Typ- und N-dotierten Bereichen auf der Rückseite des Silizium-Plättchens, wobei die Kontakte durch Öffnungen in der Haftschicht verlaufen.
  16. Solarzelle nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: Kontaktstellen zwischen der Metallfolie und den P-Typ- und N-dotierten Bereichen auf der Rückseite des Silizium-Plättchens.
  17. Solarzelle nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: eine strukturierte und passivierten Oberfläche auf einer Vorderseite des Siliziumplättchens; eine Glasschicht auf der Vorderseite des Siliziumplättchens; und Einkapselungsmaterial zwischen der Vorderseite des Siliziumplättchens und der Glasschicht.
  18. Solarzelle nach Anspruch 12, wobei die Metallfolie aus Aluminium besteht.
  19. Solarzelle nach Anspruch 17, wobei die Metallfolie aus Al-x% Si besteht, wobei x% in einem Bereich von null Prozent bis drei Prozent liegt.
  20. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: das Anhaften einer Metallfolie an eine Rückseite eines Siliziumsubstrats, wobei die Rückseite des Siliziumsubstrats P-Typ und N-Typ-dotierten Bereichen einschließt; das Trennen eines Siliziumplättchens von der Rückseite des Siliziumsubstrats, und die Verwendung der Metallfolie als einen internen Träger zur Handhabung des Siliziumplättchens während der Bearbeitung einer Vorderseite des Siliziumplättchens.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Trennen des Siliziumplättchens durch epitaktisches Lift-Off durchgeführt wird.
  22. Verfahren nach Anspruch 19, das ferner Folgendes umfasst: das Bilden eines ersten Satzes von Kontakten zwischen der Metallfolie und den p-Typ-dotierten Bereichen; das Bilden eines zweiten Satzes von Kontakten zwischen der Metallfolie und den n-Typ-dotierten Bereichen; und das Bilden von Trennungen zwischen dem ersten Satz und dem zweiten Satz von Metallkontakten.
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