JP2000509909A - 熱フォイルエンボス技術を用いた基板を選択的にメタライズする方法 - Google Patents

熱フォイルエンボス技術を用いた基板を選択的にメタライズする方法

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Abstract

(57)【要約】 熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板(1)を選択的にメタライズする方法において、パターン化金属層(15)が切断およびプレス手順の助けで金属フォイル(5)から基板に転写され、それによって:(a)パターン化金属層(15)がはじめにポンチプレス(13)を用いてフォイル(5)から切断され;(b)切断されたパターン化金属層(15)が次に圧力Pb≦10N/mm2と温度Tb≧100℃でプレス(13)を用いて基板(1)に接着される。

Description

【発明の詳細な説明】 熱フォイルエンボス技術を用いた基板を 選択的にメタライズする方法 この発明は、熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板を選折的にメタラ イズし、それによってパターン化金属層が切断およびプレス処置の助けで金属フ ォイルから基板に転写される方法に関するものである。 かかる方法は、例えば、プリント回路ボードまたはモールド内部接続デバイス の製造に使用され、その場合パターン化金属層は電気回路の(一部の)部分領域 (land)および内部接続トラックを表す。特に、この方法は、例えば、スマ ートカード(SmartCard)の生産に使用される。 “熱可塑性”という言葉は比較的穏やかな加熱(せいぜい、約300℃程度の 温度まで)の効果で軟化させられ、次に冷却により硬化させられる高分子材料に 引用され;この機構はそれ故金属層を基板に固着させるのに利用され、それによ って金属層は上昇温度で一時的に軟化した基板にしみ込んだりくっついたりする ものである。 冒頭のパラグラフに述べた方法は米国特許US2,776,235号公報から 公知である。この公報に記載されている手順では、与えられた表面形状の加熱さ れたポンチプレス(転写工具)が、金属のバターン化された層を一様にメタライ ズされたキャリアフォイルから押し抜き、同時にその層を基板に固着させるため の唯1つのステップの手順に使用される。 この種の処理はドイツ国、ラインブルグ、Bolta−Werke GmbH により供給されたコマーシャルパンフレット“IVONDING(登録商標): MID製造方法”に詳細に記載されており、米国特許US4,495,232号 公報に記載されているIVONDING(登録商標)エンボスフォイルに参照さ れている。特に、このパンフレットの第3ページの表には、公知の方法に使用す る70−90N/mm2のエムボス圧力と130−280℃のエムボス温度を規 定している。 この公知の方法の欠点は、それがしばしば結果として所謂基板上“アップセッ トエッジ(upset edges:太った線部)”となることで、それによっ てパターン化金属層の縁部近くの基板表面に小さなアップライト(uprigh t:真っすぐな)壁が現れる。これらアップセットエッジは典型的には約50− −100μm程度の高さで、パターン化金属層と上に横たわる接触部との問の適 切な電気接触にたいし、それらが前者と後者の間で空気間隙を強いるから苛酷な 障害物となる。これは特に集積回路(IC)が所謂“フリップーフロップ”技術 を使用して基板上に載置され、それによってIC表面の少量のはんだ突起部がパ ターン化金属層にたいしある位置でプレスしようとする場合に当てはまり;なん となれば、かかるはんだ突起部は一般に約50μm程度の高さで、基板上のアッ プセットエッジの存在はパターン化金属層への接触から突起部を完全に遠ざけて しまうからである。その結果電気的接触は全くないかかなり貧弱となる。 本発明の目的は上述の課題を軽減するにある。また特に本発明の目的は上述の ようなアップセットエッジが徹底して削減された、または完全に存在しない結果 を生じる熱フォイルエンボス技術を提供せんとするものである。 これら目的は、冒頭のパラグラフに記載された方法において: (a)パターン化金属層がはじめにポンチプレスを用いてフォイルから切断され ; (b)切断されたパターン化金属層が次に圧力pb≦10N/mm2と温度Tb≧ 100℃でプレス(press)を用いて基板に固着される ことを特徴とすることによって達成される。 本発明に到達する実験で、公知の方法では、ボンチ処理の圧力または温度が減 少するとアップセットエッジの発生率が減少することが発明者らに観察された。 しかしながら、かかる減少は一般に金属パターンの品賃の悪い切断および/また は金属パターンの基板への劣悪な固着をもたらす。高い圧力は本質的に品賃の好 い金属パターンを生じ、一方高い温度は本質的に基板への良好な固着を生じるよ うである。 本発明者らは最終的に公知の方法のアップセットエッジは、高い圧力と高い温 度の同時発生に起因するらしいこと、すなわち高い温度は基板材料の熱的軟化を 引き起こし、一方同時の高い圧力の効果は容易な変形を引き起こすことを理解し た。この欠点の指摘において、2ステップの熱フォイルエンボス手順が提案され 、それによって切断ステップ(a)がはじめに比較的低い温度(例えば室温)で 実行され、次に上昇温度の固着ステップ(b)が比較的低い圧力(すなわちpb ≦10N/mm2,これは従来技術で使用しおよび上に参照した70−90N/ mm2の値よりかなり低い)で実行された。本発明に係るこの方法の始の試みで 、発明者らはアップセットエッジの発生率と大きさをかなり削減することができ た。 本発明に係る特定の実施態様ではステップ(a)および(b)は異なった温度 で実行される。例えば、室温でのポンチプレスはステップ(a)を実行するのに 使用され、熱いポンチプレス(温度Tb≧100℃で)はステップ(b)を実施 するのに使用される。かかる実施態様は2相の実施態様と称せられ、それは異な ったプレスがステップ(a)および(b)で使用され、ステップ(a)および( b)が実行される間に時間間隔が存在し、そして切断されたパターン化金属層が ステップ(a)および(b)間にしまい込まれる。 本発明に係る方法の別の実施態様はステップ(a)および(b)がほぼ同じ温 度で(Tb≧100℃)実行されることを特徴とする。一般に、ステップ(a) の間にプレスにより印加される力は、条件pb≦10N/mm2を満足するようス テップ(b)の目的のため調整されねばならないだろう。かかる実施態様は唯1 相の実施態様と称せられ:それはパターン化金属層と上に横たわるプレス部との 問の接触がステップ(a)および(b)問で障害になることがなく、全体の熱フ ォイルエンボス操作が唯1つの流れで実行されるからである。発明者らはかかる 1つの相の実施態様は典型的に約1−2秒で実施されることを示した。 本発明に係る特定の実施態様では、金属フォイルは非金属キャリアフォイルに 接着される。多くの適用で、金属フォイルはかなり薄いだろから(数μの程度) 、その結果それはかよわくそしてもろいであろう。かかる場合、補強されたキャ リアフォイルの提供は金属フォイルの被害を防止する助けをする。キャリアフォ イルの提供は本発明方法の2つの相の実施態様の場合に特に有用であり、それは ステップ(a)からの結果のパターン化金属層がステップ(b)の実施される前 にある時間しまい込まれて残るからである。 前述のパラグラフにより記載された方法の実施態様では、破壊時のキャリアフ ォイルの伸長は金属フォイルのそれよりほぼ大きい。その場合、使用されるポン チプレス力が十分に小さければ、その時はポンチステップ(a)はまわりの金属 フォイルからパターン化金属層を切断するのみで、手のつけられていないキャリ アフォイルを残す。 前述のパラグラフで参照された非金属キャリアフォイルは固着ステップ(b) の間被害を受けないよう十分な熱抵抗を有するべきである。加うるに、キャリア フォイルは固着ステップ(b)の間パターン化金属層を十分に暖めることのでき る熱伝導性を有するべきである。この点で、適切なキャリアフォイルは、例えば 、PTFE(poly tetrafluoroethane)またはTEDL AR(poly vinylfluoride)からなっていても良い。金属フ ォイルは熱的に軟化する物質、例えばパラフィン ワックス(融点≒82℃)を 使用して、ステップ(b)の後または間にキャリアフォイルから金属フォイルの 分離を容易にするようにキャリアフォイルに固着される。 本発明方法の実施態様では、基板に固着されるべき金属フォイルの表面が熱的 に活性のある接着性のフィルムを備えている。この場合、接着性あるフィルムは 温度Tbで活性化され、引き続く周囲温度への冷却時に固化する。この種の接着 材の例としてはエポキシレジン(epoxy resin)のような熱的に保存 できるレジンを含んでいる。かかる実施態様の代案として、基板(の複数部分) がかかる接着性あるフィルムを備えていてもよいし;代案として、(特に例えば エポキシレジン基板用に)付加的な接着性あるフィルムを使用することなく、軟 化した熱可塑性基板に金属層を押し込む結果の接着効果のみを当てにして決定す ることができる。 本発明方法で使用される適切な金属は、例えば、Cu,Al,Ni,Sn,P b,Au,およびそれらの合金を含んでいる。これらの金属は相対的に良好な電 気的および熱的な伝導性を有し、容易に半田づけされる。大抵の応用には、金属 フォイルは約10−100μm程度の厚さを有するであろう。 ステップ(a)を十分に実施するに必要なポンチプレス力は金属フォイルの厚 みtm、金属フォイルの材料(特にそのせん断弾性係数)、ポンチプレスの縁部 の尖鋭度および金属フォイルにおける切断の幅に依存し、パターン化金属層の周 囲の(累積の)長さに比例するだろう。例えば、tm=70μmの銅フォイルの 場合には、発明者らは13N/mmの周辺力(Lpにより分割された全ポンチプ レス力である)を使用してよく規定されたパターンを切断することができたが、 tm=20μmの場合には、たつた4N/mmの周辺力を必要とした。 本発明に係る方法の特定の実施態様は125℃≦Tb≦200℃であることを 特徴とするするものである。Tbのかかる値は本発明方法の使用において大抵の 金属フォイルにあまり軟化を促進せず、さらに本発明方法の使用において(PC (polycarbonate)またはPC/ABS(PC/acryloni trile butadiene styrene))のような通常の合成基板 材料にさしたる損傷を与えないだろう。これら特定の材料については、Tbは好 適にはそれぞれ約175℃と145℃の値である。 本発明およびその利点は以下に説明する図面を参照し実施例により詳細に説明 される。 図1は本発明に係る方法が実施される構成の断面図を示し; 図2は本発明に係る方法のステップ(a)の実施中における図1の対象物を示 し; 図3は本発明に係る方法のステップ(b)の実施中における図2の対象物を示 し; 図4は本発明に係る方法の実施後の図3の対象物を示し; 図5は従来技術公知の熱フォイルエンボス技術を用いたパターン化金属層を備 えた基板の比較の表示であり; 図6は集積回路に載置せんと試みられた図5の対象物を示し; 図7は本発明に係る方法の実施される別の構成の断面図を示し; 図8は本発明方法の実施中における図7の対象物を示し; 図9は本発明に係る方法の実施されるさらに別の構成の断面図を示し; 図10は本発明方法の一部の実施中の図9の対象物を示している。 各図面の対応する特徴は同じ参照記号により示されている。実施例1 図1−4は本発明に係る方法特定実施例の実施の種々の態様を示している。こ こに示した実施例は上述に規定した1相の実施例を示している。 図1は本発明に係る方法の実施される構成の断面図である。熱可塑性基板1は パターン化金属層が備えられるべき平滑な表面3を提示している。この層は金属 フォイル5のポンチされるべき部分である。この場合、基板1はポリカーボネー ト(polycarbonate)からなり;フォイル5は純粋なCuからなり 70μmの厚みである。基板1に面するフォイル5の側面は熱的に活性のある接 着剤(図示されず)、例えば乾質性エポキシレジン(dry epoxy re sin)の2−5μmの薄い被膜で被覆されている。 フォイル5は表面3にほば平行に延在する2つの平板7a,7bの問に保持さ れている。これらの平板7a,7bはそれぞれ整合する開孔9a,9bを含み、 それらはフォイル5の部分15により相互に分離されている。ポンチプレス11 は平板7aの側面で表面3から隔離し、開孔9aの上に位置している。このプレ ス11は“鼻状部(snout)”13を有し、開孔9a,9bが鼻状部13と 同じ断面形状を有しさらにほんの少しより大きいから、開孔9aにきちきちでは あるが自由に滑り込むことができる(開孔9bについてもまた同じ)。鼻状部1 3は与えられた(パターン化)形状、例えば25mmの一辺を有する正方形を備 えた平坦な底面23を有する。 プレス11、または少なくとも鼻状部13は上昇温度Tb(例えば約150℃ )に保持される。これは、例えば、鼻状部13の本体に電気的加熱要素(図示さ れず)を組み入れることにより達成される。 図2は本発明方法のステップ(a)の実施直後の図1の対象物を示す。ここに 示されているごとく鼻状部13は開孔9aに挿入され開孔9b中にある。そうす る際に、鼻状部13はフォイル5の部分15に押し込みがなされ、フォイル5の 結果として剪断力のため部分15はフォイル5の他の部分から引き離される。こ のようにして、パターン化金属層15は、表面23と同じ形状と大きさで、フォ イル5から孔あけさせられる。挿入状態で鼻状部13の外側面とまわりの孔9a ,9bの内側面の間の機械的遊び(スプリット幅)は鼻状部13が加熱状態にあ る時一般に約10−50μm程度であるべきことは注目に値する。 ステップ(a)のポンチプレス11により印加される力はLpのmmあたり約 20N程度であり、表面23が(例えば)一辺25mmの正方形周辺を有する場 合にはLp=4×25mm=100mmとなり、プレス11により印加される力 は約2kNとなる。 図3は本発明方法のステップ(b)の実施中の図2の対象物をしめしている。 パターン化金属層15は今や基板1の表面3に対し鼻状部13により押しこまれ ている。鼻状部13は上昇温度Tbにあるから、このことは金属層15上の熱的 に活性化した接着層を軟化し、さらにまた基板の表面3を部分的に軟化する。こ のステップの間プレス11により印加された相対的に穏やかな圧力は、パターン 化金属層15か表面3で著しい変形を引き起こす事なく(特にアップセットエッ ジ)、軟化表面3に穏やかに押しこまれる。 ステップ(b)の間にプレス11により印加された圧力Pbはせいぜい10N /mm2である。この場合、パターン化金属層15は25×25mm2=625m m2の面積を有するから圧力Pbはせいぜい6.25kNのポンチプレス力に対応 する。 図4は本発明方法実施後の図3の対象物を示す。パターン化金属層15は表面 3にエンボスされ(一般に周囲の面3のレベル上わずかに突き出る)、そしてそ れに固着されている。 フォイル5が本発明方法の実施後リボン状にエンボスされる時は、平板7a, 7bの掴み動作が緩み、そのリボン5が変位し次に平板7a,7bの間に再び掴 まれ(それで開孔9a,9b間でフォイル15の手付かずのシートが再度一度だ け存在し)、新しい基板(または同じ基板の異なった領域)が開孔9aの下に置 かれ、本発明方法が繰り返される。比較の実施例 図5と6は従来技術から公知の熱フォイルエンボス技術を用いたパターン化金 属層を備えた基板の断面図である。 図5は大きな平滑な平面53を提示する熱可塑性基板を示す。パターン化金属 層515はBolta GmbHのパンフレットに記載された熱フォイルエンボ ス技術を用いて表面53に埋め込まれている。この技術に関連する高い圧力の結 果、モールドされた基板材料は層515の縁部に沿ってアップセットエッジ51 7を形成するよう持ち上げられる。かかるアップセットエッジ517の高さは典 型的には表面53のレベル上約50−100μm程度である。 図6で、集積回路基板61は図5対象物の頂部に位置される。基板61は金属 突起部(つめ先などではじくごときチップ状突起部)615を金属515に面す る表面に備えている。しかしながら、この金属突起部615は典型的には約50 μmの高さであるから、アップセットエッジ517の存在は突起部615と層5 15の間の接触を妨害する。実施例2 実施例1とは別の実施例2が図7および図8を用いて説明される。 図7は金属フォイル5が鼻状部13に面する金属フォイル5の側面で非金属キ ャリアフォイル5’へ接着される以外は図1と大部分が対応する。このキャリア フォイル5’は、例えば、熱的に軟化した接着物の層(図示されず)を用いて金 属フォイル5に接着された50μm厚のPTFEフォイルを具えている。 図8で、鼻状部13は開孔9aを介して開孔9b中に押し込まれている。フォ イル5の結果の剪断応力で、フォイル5の部分15は周囲のフォイル5から切断 される。しかしながら、なかんずくそのより大きな剪断弾性係数のゆえに、キャ リアフォイル5’は損なわれずに残り、部分15へ接着された部分15’は周囲 のキャリアフォイル5’から切断されない。 複合物15,15’はパターン化金属層15を熱可塑性基坂1の表面3と接触 させるため十分下の方へ押し入れられる。実施例1と同様、鼻状部13の上昇温 度(Tb≧100℃)は金属層15を表面3に埋め込ませるだろうし、他方鼻状 部13により層15へ印加された穏やかな圧力(Pb≦10N/mm2)は層15 まわりのアップセットエッジの発生を阻止するだろう。鼻状部13の上昇温度は また同時に層15のキャリアフォイル15’からの分離をそれら相互接着を熱的 に軟化させて促進する。実施例3 実施例2の代案を図9および10に基づいて明らかにしよう。 図9で金属フォイル5は熱的に軟化接着物の層(実施例2での例えばパラフィ ンワックスのごときもの)を用いて非金属キャリアフォイル5’へ接着させられ る。このフォイル複合物15,15’は平板31に面するキャリアフォイル5’ を備えて平滑な、堅い(例えば金属または石からなる)平板31に置かれる。実 施例2のごとくキャリアフォイル5’から離れた金属フォイル5の表面は熱的に 活性化された接着物の薄い層(図示されず)で被覆される。 またポンチプレス13’が示されている。実施例2のポンチプレス11,13 とは対照的に現在のポンチプレス13’は: そのポンチ面の周辺まわりに刃状縁部33’を有し; 加熱手段を備えずに室温で動作する。 本発明に係る方法のステップ(a)を実施するためにボンチプレス13’は刃 状縁部33’がキャリアフォイル5’に到達する(がしかし切断しない)よう合 成物5,5’に丁度押し入れられる。そうする際、金属フォイル5は周辺刃状縁 部33’と同じ形状を有する周辺に沿って切断される。切断された金属フォイル 5の部分15はかくてキャリアフォイル5’に接着されて残る(図10参照)。 図10は本発明方法のステップ(b)の引き続く実施を示している。フォイル 複合物5,5’は今や金属フォイル5が基板1に面するように熱可塑性基板1上 上に置かれる。プレス13’はステップ(a)の間に切断された部分15の上に 正確に位置される。このプレス13”は: 図9の周辺刃状縁部33′により囲まれた面積と同じ形状および大きさを有す るプレス面23”を有し; 上昇温度(Tb≧100℃)で動作できるよう加熱手段(図示されず)を備え ている。 上昇温度と圧力Pb≦10N/mm2でプレス13”が部分15上のキャリアフ ォイルに押し込まれると、部分15は: 熱的に軟化した基板1に押し込まれ; キャリアフォイル5’から切り離される。実施例4 スマートカードの特定の場合には、基板1は標準のクレジットカード(Cre dit Card)の大きさを有する熱可塑性シートである。本発明方法を使用 すると、この基板1の主要な面の1つは複数の金属領域(land)の群(cl uster)を(基板の短い縁部の1つの近くに)備えている。これら複数領域 15は領域群の中心に位置するICの複数端子と接触するよう複数の行に配置さ れている。 複数領域15の各は約1−21mm2程度の面積を有し、一方領域群自身はほ ぼ矩形形状で約1cm2程度の面積を有している。全領域群(“パターン化金属 層”)はポンチ面がその領域群と同じ幾何学的形状を有するポンチプレスを使用 して、金属フォイルから押し抜くことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板を選択的にメタライズし、そ れによってパターン化金属層が切断およびプレス処置の助けで金属フォイルか ら基板に転写される方法において: (a)パターン化金属層がはじめにポンチプレスを用いてフォイルから切断さ れ; (b)切断されたパターン化金属層が次に圧力pb≦10N/mm2と温度T b≧100℃でプレス(press)を用いて基板に固着される ことを特徴とする熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板を選訳的にメ タライズする方法。 2.請求項1記載の方法において、ステップ(a)および(b)がほぼ同じ温度 で実行されることを特徴とする熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板 を選択的にメタライズする方法。 3.請求項1記載の方法において、ステップ(a)および(b)が異なった温度 で実行されることを特徴とする熱フォイルエンボス技術を用いて熱可塑性基板 を選択的にメタライズする方法。 4.請求項1から3いずれか記載の方法において、金属フォイルが非金属キャリ アフォイルに接着されることを特徴とする熱フォイルエンボス技術を用いて熱 可塑性基板を選択的にメタライズする方法。 5.請求項1から4いずれか記載の方法において、基板に接着される金属フォイ ル表面が熱的に活性化された接着物の被膜を備えることを特徴とする熱フォイ ルエンボス技術を用いて熱可塑性基板を選択的にメタライズする方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016009718A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10248020B4 (de) * 2002-10-15 2008-09-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Fügen von zumindest zwei Bauteilen
WO2005015477A2 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Shmuel Shapira Circuit forming system and method
JP2008544555A (ja) * 2005-06-24 2008-12-04 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 電極の調製方法
FI20055515A (sv) * 2005-09-28 2007-07-06 Selmic Oy Fastsättning av en ledarkonstruktion på ett objekt
WO2007048563A2 (de) * 2005-10-27 2007-05-03 Ovd Kinegram Ag Verfahren zum transfer eines mehrschichtkörpers sowie transferfolie
US7623040B1 (en) 2005-11-14 2009-11-24 Checkpoint Systems, Inc. Smart blister pack
EP1855511A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-14 Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO A process for preparing a heatsink system and heatsink system obtainable by said process
DE102006044936B4 (de) * 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
US8066840B2 (en) * 2007-01-22 2011-11-29 Solopower, Inc. Finger pattern formation for thin film solar cells
DE102011085714A1 (de) * 2011-11-03 2013-05-08 Boraident Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer lasergestützten elektrisch leitfähigen Kontaktierung einer Objektoberfläche
US9630385B2 (en) * 2012-11-08 2017-04-25 Toray Plastics (America), Inc. Releasable polyester metal transfer film
US9437756B2 (en) 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
US9653638B2 (en) 2013-12-20 2017-05-16 Sunpower Corporation Contacts for solar cells formed by directing a laser beam with a particular shape on a metal foil over a dielectric region
US9178104B2 (en) 2013-12-20 2015-11-03 Sunpower Corporation Single-step metal bond and contact formation for solar cells
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9947812B2 (en) 2014-03-28 2018-04-17 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
US9257575B1 (en) 2014-09-18 2016-02-09 Sunpower Corporation Foil trim approaches for foil-based metallization of solar cells
US9620661B2 (en) 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
FR3030685B1 (fr) * 2014-12-19 2019-11-29 Valeo Vision Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation comportant un guide de lumiere
US20160380127A1 (en) 2015-06-26 2016-12-29 Richard Hamilton SEWELL Leave-In Etch Mask for Foil-Based Metallization of Solar Cells
US9620655B1 (en) * 2015-10-29 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser foil trim approaches for foil-based metallization for solar cells
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US10290763B2 (en) 2016-05-13 2019-05-14 Sunpower Corporation Roll-to-roll metallization of solar cells
US9882071B2 (en) 2016-07-01 2018-01-30 Sunpower Corporation Laser techniques for foil-based metallization of solar cells
US10115855B2 (en) 2016-09-30 2018-10-30 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
US11908958B2 (en) 2016-12-30 2024-02-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Metallization structures for solar cells
JP2021521633A (ja) 2018-04-06 2021-08-26 サンパワー コーポレイション 太陽電池ストリングのレーザー支援メタライゼーションプロセス
US11362220B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local metallization for semiconductor substrates using a laser beam
US11646387B2 (en) 2018-04-06 2023-05-09 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
US11362234B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam
US11276785B2 (en) 2018-04-06 2022-03-15 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell fabrication

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1124869A (en) * 1913-07-18 1915-01-12 Frank H Davis Art of method of gold-leafing surfaces.
US2306256A (en) * 1939-02-11 1942-12-22 Peerless Roll Leaf Co Inc Method of impressing plastics
US2776235A (en) * 1952-09-18 1957-01-01 Sprague Electric Co Electric circuit printing
US3547724A (en) * 1967-02-07 1970-12-15 Rogers Corp Method of and apparatus for producing printed circuits
DE3036260A1 (de) * 1980-09-26 1982-04-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an einer silizium-solarzelle
DE3116078A1 (de) * 1981-04-22 1983-01-20 IVO Irion & Vosseler, Zählerfabrik GmbH & Co, 7730 Villingen-Schwenningen "praegefolie"
US4517739A (en) * 1983-11-21 1985-05-21 Northern Telecom Limited Method for making circuit boards with die stamped contact pads and conductive ink circuit patterns
US5063658A (en) * 1987-07-08 1991-11-12 Leonard Kurz Gmbh & Co. Embossing foil and a method of making
US4889573A (en) * 1988-05-23 1989-12-26 Tektronix, Inc. Method of forming a pattern of conductor runs on a sheet of dielectric material
CH680483A5 (ja) * 1989-10-20 1992-08-31 Kobe Properties Ltd
ATE440480T1 (de) * 1993-12-30 2009-09-15 Miyake Kk Verbundfolie mit schaltungsfírmiger metallfolie oder dergleichen und verfahren zur herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016009718A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0901745A1 (en) 1999-03-17
WO1998037740A1 (en) 1998-08-27
US5980679A (en) 1999-11-09

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