DE112013004844T5 - Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon - Google Patents

Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon Download PDF

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Abstract

Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat ist aus einem Siliziumcarbideinkristall gefertigt und mit einer Markierung (2) an wenigstens einer Oberfläche ausgebildet, welche als ein Kristalldefekt ausgeformt ist und eine Identifizierungsanzeige ist. Wenn ein Siliziumcarbideinkristall (3) unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall gezüchtet wird, kann die Markierung (2) in dem Siliziumcarbideinkristall (3) als ein Kristalldefekt weitergeführt werden. Wenn Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) unter Verwendung des Siliziumcarbideinkristalls (3) hergestellt werden, ist die Markierung (2) bereits auf jedem der Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) ausgebildet.

Description

  • QUERVERWEIS AUF ZUGEHÖRIGE ANMELDUNGEN
  • Diese Erfindung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2012-220403 vom 2. Oktober 2012; auf den dortigen Offenbarungsgehalt wird vollinhaltlich Bezug genommen.
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein SiC-Halbleitersubstrat (nachfolgend als „SiC-Wafer” bezeichnet), das aus einem Impfkristall aus Siliziumcarbid (nachfolgend als „SiC” bezeichnet) hergestellt wird, sowie ein Herstellungsverfahren hiervon.
  • STAND DER TECHNIK
  • Üblicherweise wird bei der SiC-Waferherstellung die Waferqualität in hohem Maße von der Qualität des Impfkristalls während des Kristallwachstums beeinflusst (siehe beispielsweise PTL 1). Aus diesem Grund ist ein Impfkristall hoher Qualität mit einer geringen Anzahl von Kristalldefekten bei der Herstellung von SiC-Wafer hoher Qualität wichtig. Daher ist es wesentlich, einen qualitativ hochwertigen Impfkristall während der Prozesse und des Transports streng zu überwachen, und es ist wesentlich, einen Weg zu schaffen, um ein Risiko (Diebstahl oder Verlust) an hochwertigen Produkten für den Kristallkeim zu vermeiden, mit welchem ein Wafer höherer Qualität herstellbar ist. Weiterhin ist die Verwendung von Mitteln (Nachverfolgung) zur Identifizierung des Impfkristalls, der im Herstellungsprozess von Wafern auf dem Markt verwendet wird, wirksam bei der Verhinderung des oben beschriebenen Risikos. Aus diesem Grund ist es bisher üblich, eine Nummerierung an jedem Wafer in einem Herstellungsschritt während des Waferherstellungsvorgangs zu verwenden, und das obige Risiko wird vermieden, indem ein Hersteller durch Bestätigung der Nummerierung feststellbar ist.
  • Jedoch ist die Nummerierung dafür vorgesehen, zur Identifizierung des Wafers nach Herstellung des Wafers verwendet zu werden, und wenn ein Kristallwachstum unter Verwendung eines Impfkristalls höherer Qualität mit entsprechender Risikoverminderung durchgeführt wird, wird die Historie nicht automatisch an dem Wafer festgehalten. Wenn daher ein qualitativ hochwertiger Impfkristall durch nicht autorisierte Mittel vor der Bedruckung erlangt wird, ist es, selbst wenn die Waferherstellung unter Durchführung von Kristallwachstum mit Verwendung des Impfkristalls vorgenommen wird, unmöglich zu bestimmen, ob der Impfkristall verwendet wurde oder nicht, und die Risikovermeidung lässt sich nicht erreichen. Weiterhin liegt der gleiche Fall wie soeben beschrieben vor, wenn der SiC-Wafer, der aus einem SiC-Einkristall geschnitten wurde, welcher aus dem Impfkristall gewachsen ist, durch nicht autorisierte Mittel vor dem Bedrucken erhalten wird, auch wenn der SiC-Wafer erneut als der Impfkristall verwendet wird und der Wafer durch Kristallwachstum hergestellt wird.
  • DRUCKSCHRIFTENLISTE
  • PATENTLITERATUR
    • PTL 1: Japanisches Patent Nr. 3745668
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat zu schaffen, bei welchem bestätigt werden kann, dass es als Impfkristall verwendet worden ist, wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats zu schaffen, bei dem bestätigt werden kann, dass es als Impfkristall verwendet worden ist, wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen.
  • Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist aus einem Siliziumcarbideinkristall und wird mit einer Markierung an wenigstens einer Oberfläche als Identifizierungsanzeige ausgebildet, welche aus einem Kristalldefekt gebildet wird.
  • Wenn es einem Siliziumcarbideinkristall ermöglicht wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen, kann sich die Markierung in Form eines Kristalldefekts in dem Siliziumcarbideinkristall fortpflanzen. Folglich kann bestätigt werden, dass das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat als Impfkristall verwendet wurde.
  • Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Impfkristall aus einem Einkristallsiliziumcarbid vorbereitet und eine Markierung, die als ein Kristalldefekt ausgeformt ist, wird an wenigstens einer Oberfläche des Impfkristalls als eine Identifizierungsanzeige ausgebildet. Mit dem Wachstum des Siliziumcarbideinkristalls an der Oberfläche des Impfkristalls, auf der die Markierung ausgebildet ist, wird es dem Siliziumcarbideinkristall erlaubt, zu wachsen, wobei die Markierung in Wachstumsrichtung fortlaufend mitwächst. Der Siliziumcarbideinkristall, in welchem die Markierung sich fortgepflanzt hat, wird geschnitten und zerteilt, um das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat zu bilden, an welchem die Markierung ausgeformt ist.
  • Wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen, kann sich die Markierung in Form eines Kristalldefekts in dem Siliziumcarbideinkristall fortpflanzen. Folglich kann bestätigt werden, dass das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat als Impfkristall verwendet wurde.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Die obigen und weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich besser aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung. In der Zeichnung ist:
  • 1 eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem einem SiC-Einkristall erlaubt ist, auf einem Impfkristall gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu wachsen;
  • 2A eine Darstellung, welche ein Beispiel der Ausgestaltung der oberen Oberfläche einer Markierung zeigt;
  • 2B eine Schnittdarstellung der Markierung entlang Linie IIB-IIB in 2A;
  • 3 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung im Impfkristall zeigt;
  • 4 eine Darstellung, die einen Zustand zeigt, in welchem ein SiC-Wafer aus dem SiC-Einkristall geschnitten ist;
  • 5 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 7 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben. In den nachfolgenden jeweiligen Ausführungsformen sind Teile, welche identisch oder einander äquivalent sind, im Rahmen der Beschreibung mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Wie in 1 gezeigt, wird ein Impfkristall 1 aus einem hochqualitativen SiC-Wafer bereitgestellt. Als ein Verfahren zur Bildung des Impfkristalls 1 aus hochqualitativem SiC kann jede üblicherweise bekannte Technik verwendet werden. Weiterhin können Polymorphe des zu diesem Zeitpunkt bereitzustellenden Impfkristalls 1 jegliche Polymorphismen haben, wie 6H, 4H oder 3H, und die Ebenenausrichtung kann jede Ebenenausrichtung sein, beispielsweise eine a-Ebene, eine Si-Oberfläche einer c-Ebene oder eine C-Oberfläche einer c-Ebene.
  • Dann wird eine Markierung (Nummerierung) auf einer Oberfläche des Impfkristalls 1 vorab ausgebildet. Als die Markierung 2 können verschiedene Identifizierungsanzeigen verwendet werden, um eine Historie festzuhalten, beispielsweise Zeichen, Ziffern, Strichcodes, QR-Codes (eingetragene Marke), und die Markierung 2 kann aus einem oder einer Kombination einer Mehrzahl dieser Elemente gebildet sein.
  • Die 2A und 2B zeigen den Fall der Ausbildung der Markierung 2 beispielsweise unter Verwendung eines QR-Codes als eine Identifizierungsanzeige, und die Markierung 2, die als die Identifizierungsanzeige in Form des QR-Codes gemäß 2A ausgedrückt ist, kann aus einer Stufe (einem vertieften Abschnitt) 1a an einer Oberfläche des Impfkristalls 1 ausgebildet sein, wie in 2B gezeigt. Der Typ der Markierung 2 kann zusätzlich zu der Stufe 1a ein Defekt im Kristall sein, beispielsweise eine Schadenslayer. Beispielsweise kann die Markierung 2, die aus der Stufe 1a oder Schadenslayer gebildet ist, durch Laserbearbeitung, eine Schneidbearbeitung mit einem Diamantschneidwerkzeug oder durch Trockenätzen mit Maskierungsabschnitten außerhalb der Markierung 2 gebildet werden. Auch kann die Markierung 2 in Form der Schadenslayer durch Ionenimplantation unter Maskierung von Abschnitten anders als die Markierung 2 gebildet werden. Eine Ausbildungsposition der Markierung 2 unterliegt keinen besonderen Beschränkungen, jedoch kann beispielsweise gemäß 3 die Markierung 2 an einer Stelle am Außenrand des scheibenförmigen Impfkristalls 1 vorgesehen werden.
  • Wie oben beschrieben, kann durch Ausbildung der Markierung 2 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 selbst dann, wenn der Impfkristall 1 auf nicht autorisierte Weise, beispielsweise durch Diebstahl, verloren geht, die Historie des Impfkristalls 1 mittels der Markierung 2 festgestellt werden.
  • Unter Verwendung des Impfkristalls 1, in welchem die Markierung 2 gemäß obiger Beschreibung ausgebildet ist, kann gemäß 1 ein SiC-Einkristall 3 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wachsen. Als ein Verfahren zum Wachsenlassen des SiC-Einkristalls 3 kann eine beliebige Technik verwendet werden, beispielsweise ein Sublimations-Rekristallisationsverfahren oder ein Gaszufuhrverfahren. Folglich kann der SiC-Einkristall 3, der in sich die Kristallinität der Oberfläche des Impfkristalls 1 hat, wachsen.
  • Wenn somit der SiC-Einkristall 3 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wachsen kann, auf welcher die Markierung 2 ausgebildet ist, pflanzt sich ein durchgehender Defekt (eine Mikropipe oder eine durchgehende Schraubenversetzung) oder ein Stapeldefekt ausgehend von der Markierung 2 in einem Kristallwachstumsprozess fort, und die Markierung 2 bestehend aus dem Kristalldefekt wird an den gewachsenen SiC-Einkristall 3 „weitervererbt”. Daher wird der SiC 3 in einen Zustand versetzt, in welchem der Defekt, der die gleiche Form wie diejenige der Markierung 2 zeigt, in Wachstumsrichtung ausgebildet ist. Insbesondere wird ein Muster der Markierung 2, welche in dem Impfkristall 1 ausgebildet ist, durch den SiC-Einkristall 3 hindurch ausgebildet.
  • Selbst wenn der Impfkristall 1 irgendeinen Polymorphismus oder eine Ebenenausrichtung hat, pflanzt sich der wie oben beschrieben ausgebildete Kristalldefekt als durchgehender Defekt (die Mikropipe oder die durchgehende Schraubenversetzung) oder als Stapeldefekt fort. Folglich unterliegt, wie oben beschrieben, der Polymorphismus oder die Ebenenausrichtung des Impfkristalls 1 keiner bestimmten Einschränkung und der Kristalldefekt wird in gleicher Form wie derjenigen der Markierung 2 auch bei irgendwelchen Defekten „vererbt”.
  • Somit pflanzt sich die Markierung 2 durch den SiC-Einkristall 3, der auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wächst, fort, um den Kristalldefekt zu bilden, der die gleiche Form hat wie diejenige der Markierung 2. Selbst wenn somit gemäß 4 der SiC-Einkristall aus dem Impfkristall 1 geschnitten und dann in SiC-Wafer 4 unterteilt wird, ist die Markierung 2 in den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet. Selbst wenn daher die Markierung 2 nicht auf den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet wird, kann die Markierung 2 während des Wachstums des SiC-Einkristalls 3 weitergegeben werden. Da die Markierung 2, welche wie oben beschrieben ausgebildet ist, im Inneren des SiC-Einkristalls 3 verlaufend vorgesehen ist, verschwindet die Markierung 2 nicht, auch wenn der SiC-Einkristall 3 in die SiC-Wafer 4 zerschnitten wird.
  • Wie oben beschrieben, wird die Markierung 2 vorab als eine Identifizierungsanzeige betreffend den Zustand des Impfkristalls 1 ausgebildet und die Markierung 2 pflanzt sich in dem SiC-Einkristall 3 als Kristalldefekt fort. Wenn somit die SiC-Wafer 4 unter Verwendung des SiC-Einkristalls 3 gebildet werden, ist die Markierung 2 bereits in den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet. Mit anderen Worten, wenn der SiC-Wafer 4, der aus dem Impfkristall 1 oder dem aus dem Impfkristall 1 gewachsenen SiC-Einkristall 3 hergestellt wird, durch nicht autorisierte Mittel, beispielsweise Diebstahl, erhalten wird und ein SiC-Einkristall 3 erneut unter Verwendung des Impfkristalls 1 und der SiC-Wafer 4 gezüchtet wird, kann die Markierung 2 in dem SiC-Einkristall 3 gebildet werden. Selbst wenn daher ein Kristallwachstum unter Verwendung des qualitativ hochwertigen Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 als Impfkristall durchgeführt wird, welche auf nicht autorisierte Weise erhalten worden sind, um den SiC-Wafer 4 herzustellen, lässt sich feststellen, dass dieser Impfkristall für den SiC-Wafer 4 verwendet worden ist
  • Weiterhin pflanzt sich die Markierung 2 in Wachstumsrichtung des Kristalls fort, wenn der SiC-Einkristall 3 mit dem SiC-Wafer 4, der aus dem Impfkristall 1 hergestellt worden ist, oder mit dem SiC-Einkristall 3 als Impfkristall gebildet wird, der aus dem Impfkristall 1 gewachsen worden ist, und der Kristalldefekt wird gebildet, der die Struktur hat, welche sich von der Oberfläche zur rückwärtigen Oberfläche des Kristalls hin erstreckt. Daher kann auch im Fall des SiC-Einkristalls 3 unter Verwendung der Bestätigung durch die Markierung 2 festgestellt werden, dass der Impfkristall 1 oder der SiC-Wafer 4 auf nicht autorisierte Weise erhalten worden sind.
  • Weiterhin wird der SiC-Wafer 4, der durch das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, bei der Fertigung eines SiC-Halbleitermoduls mit den SiC-Vorrichtungen verwendet. Genauer gesagt, nachdem eine Epitaxialschicht auf einer effektiven Fläche des SiC-Wafers 4, d. h. einem Vorrichtungsausbildungsbereich, aufgewachsen wurde, werden verschiedene Vorrichtungsausbildungsprozesse durchgeführt, beispielsweise ein Ionenimplantierungsprozess von Verunreinigungen, um die SiC-Vorrichtung zu bilden. Nach der Ausbildung der Vorrichtung wird die Vorrichtung in Chips unterteilt und diese werden dann vereinzelt, um das SiC-Halbleitermodul herzustellen. Da in diesem Fall bei der vorliegenden Ausführungsform gemäß der Darstellung von 3 nur eine Markierung 2 am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet ist, kann die Markierung 2 unter Vermeidung des effektiven Bereichs des SiC-Wafers 4 gebildet werden. Die Lage der Markierung 2 verursacht somit keine Einschränkungsprobleme hinsichtlich der Chipanordnung.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 im Vergleich zur ersten Ausführungsform geändert und die verbleibenden Konfigurationen sind identisch zu denjenigen der ersten Ausführungsform. Somit werden nur Teile beschrieben, welche unterschiedlich zur ersten Ausführungsform sind.
  • Wie in 5 gezeigt, sind die Markierungen 2 an einer Mehrzahl von Positionen am Außenrand des Impfkristalls 1 bei dieser Ausführungsform ausgebildet. Beispielsweise sind in 5 die Markierungen 2 an sechs Positionen annähernd gleichmäßig verteilt ausgebildet, jedoch kann die Anzahl von Positionen gleich oder kleiner als sechs oder gleich oder größer als sechs sein.
  • Wenn wie bei der ersten Ausführungsform die Markierung 2 nur an einer Position am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet ist, verbleibt ein Bereich des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 ohne die Markierung 2 in Form eines relativ großen Bereichs. Wenn folglich nur dieser Bereich des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 unter Vermeidung der Markierung 2 illegal herangezogen wird, um einen neuen Impfkristall zu bilden, besteht die Möglichkeit, dass wieder ein Impfkristall von relativ großem Durchmesser erzeugt werden kann. Wenn im Gegensatz hierzu die Markierungen 2 an einer Mehrzahl von Positionen am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet werden, wie bei der vorliegenden Ausführungsform, wird ein Bereich eines Abschnitts des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4, wo sich die Markierung 2 vermeiden lässt, relativ klein. Wenn daher nur der Abschnitt des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4, der illegal erhalten worden ist, unter Vermeidung der Markierung 2 herangezogen wird, um einen neuen Impfkristall zu bilden, lässt sich nur ein Impfkristall von relativ kleinem Durchmesser bilden.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Auch bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 gegenüber der ersten Ausführungsform geändert. Die verbleibenden Ausgestaltungen sind identisch zur ersten Ausführungsform und daher werden nur Teile unterschiedlich zur ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Wie in 6 gezeigt, sind bei dieser Ausführungsform die Markierungen 2 entlang einer Linie an einer Mehrzahl von Positionen an dem Außenrand in Richtung Mitte des Impfkristalls 1 angeordnet. Im Beispiel von 6 sind drei Markierungen 2 in annähernd gleichen Abständen angeordnet, jedoch kann die Anzahl von Positionen zwei oder gleich oder mehr als vier sein.
  • Auch wenn die Markierungen 2 entlang einer Linie an einer Mehrzahl von Positionen vom Außenrand in Richtung Mitte des Impfkristalls 1 ausgebildet sind, können die gleichen Effekte wie bei der zweiten Ausführungsform erhalten werden. Wenn jedoch die Markierungen 2 in dieser Anordnung ausgebildet sind, besteht die Möglichkeit, dass die Chipanordnung eingeschränkt ist, da die Markierungen 2 potenziell in den effektiven Bereich des SiC-Wafers 4 ragen. Wird daher der Sachverhalt berücksichtigt, dass die Chipanordnung nicht beschränkt sein soll und nur ein Impfkristall mit relativ kleinem Durchmesser erzeugt wird, wenn der Impfkristall 1 oder der SiC-Wafer 4 illegal erhalten wird, ist es am effektivsten, die Markierungen 2 in der Anordnung gemäß der zweiten Ausführungsform auszubilden.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Auch bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 gegenüber der ersten Ausführungsform geändert. Die übrigen Ausgestaltungen sind identisch zur ersten Ausführungsform und daher werden nur Teile unterschiedlich zur ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Wie in 7 gezeigt, wird eine oder eine Mehrzahl von Markierungen 2 bei der vorliegenden Ausführungsform mittig im Impfkristall 1 ausgebildet. Im Beispiel von 7 ist nur eine Markierung 2 gebildet. Es können jedoch zwei Markierungen 2 gebildet werden, oder drei oder mehr Markierungen 2 können gebildet werden.
  • Auch wenn die Markierung 2 in der Mitte des Impfkristalls 1 ausgebildet wird, können auf diese Weise gleiche Effekte wie bei der zweiten Ausführungsform erhalten werden. Wenn jedoch die Markierungen 2 in dieser Anordnung ausgebildet werden, besteht die Möglichkeit, dass die Chipanordnung wie im Fall der dritten Ausführungsform beschränkt ist, da die Markierungen 2 potenziell in den effektiven Bereich des SiC-Wafers 4 eindringen können. Auch wenn daher die Anordnung der vorliegenden Ausführungsform in Betracht gezogen werden kann, ist es am effektivsten, die Markierungen 2 in der Anordnung gemäß der zweiten Ausführungsform auszubilden.
  • (Andere Ausführungsformen)
  • In den obigen jeweiligen Ausführungsformen sind verschiedene Stellen als Lagen für die Markierungen 2 beispielhaft ausgeführt; es können jedoch andere Lagen unterschiedlich zu denjenigen gemäß den obigen Ausführungsformen genommen werden. Auch können die Markierungen 2 in Kombination der Lagen ausgebildet werden, wie sie in den obigen jeweiligen Ausführungsformen beschrieben worden sind.
  • Weiterhin besteht, wenn eine Mehrzahl von Markierungen 2 gebildet wird, keine Notwendigkeit, sämtliche Markierungen 2 durch Kristalldefekte des gleichen Typs auszugestalten, und die Markierungen 2 können durch Kristalldefekte unterschiedlichen Typs gebildet werden.
  • Da sich die Markierungen 2 als Kristalldefekte mit gleichem Aufbau entwickeln, wenn der SiC-Einkristall 3 wächst, besteht keine Notwendigkeit, die Markierung 2 erneut zu bearbeiten. Wenn die Markierungen 2 jedoch unscharf werden, werden die Markierungen 2 nachbearbeitet, um sie wieder klarer zu machen.

Claims (8)

  1. Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat, gefertigt aus einem Siliziumcarbideinkristall und versehen mit einer Markierung (2) auf wenigstens einer Oberfläche, die durch einen Kristalldefekt gebildet ist und eine Identifizierungsanzeige darstellt.
  2. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die gesamte Markierung (2) oder ein Teil hiervon aus dem Kristalldefekt gebildet ist, der sich von der Oberfläche zu der rückwärtigen Oberfläche erstreckt.
  3. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Markierung (2) an einer Position oder an einer Mehrzahl von Positionen an einem Außenrand ausgebildet ist.
  4. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Markierung (2) aus einem Buchstaben oder einer Ziffer oder einem Barcode oder einem QR-Code (eingetragene Marke) oder aus einer Kombination hiervon gebildet ist.
  5. Ein Siliziumcarbideinkristall, gebildet unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 4 als Impfkristall, wobei die Markierung (2) ein Kristalldefekt ist, der sich in Wachstumsrichtung eines Kristalls fortpflanzt und sich durchgehend von einer Oberfläche zu einer rückwärtigen Oberfläche des Kristalls erstreckt.
  6. Ein Verfahren zu Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats, aufweisend die Schritte von: Bereitstellen eines Impfkristalls (1), gefertigt aus Siliziumcarbid in Form eines Impfkristalls; Ausbilden einer Markierung (2) auf wenigstens einer Oberfläche des Impfkristalls (1) als eine Identifizierungsanzeige und gebildet aus einem Kristalldefekt; Wachsenlassen eines Siliziumcarbideinkristalls (3) unter Fortpflanzung der Markierung (2) in Wachstumsrichtung, indem der Siliziumcarbideinkristall (3) auf der Oberfläche des Impfkristalls (1) aufgewachsen wird, auf welcher die Markierung (2) ausgebildet ist; und Bilden eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats (4), das mit der Markierung (2) versehen ist, indem der Siliziumcarbideinkristall (3), in welchem sich die Markierung (2) fortgepflanzt hat, geschnitten und unterteilt wird.
  7. Verfahren zur Herstellung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach Anspruch 6, wobei im Schritt des Ausbildens der Markierung (2) die Markierung (2) durch Laserbearbeitung, Schneidbearbeitung mittels eines Diamantschneidwerkzeugs, Trockenätzen oder Ionenimplantation gebildet wird.
  8. Verfahren zur Herstellung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach Anspruch 6 oder 7, aufweisend die Schritte von: Wachsenlassen des Siliziumcarbideinkristalls (3) unter Fortpflanzung der Markierung (2) in Wachstumsrichtung, indem der Siliziumcarbideinkristall (3) erneut mittels des Impfkristalls (1) aufgewachsen wird, nachdem der Siliziumcarbideinkristall (3) oder das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat (4) als Impfkristall herausgeschnitten worden ist; und erneutes Ausbilden des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats (4), welches mit der Markierung (2) ausgebildet worden ist, indem erneut der Siliziumcarbideinkristall (3), in welchem sich die Markierung (2) fortgepflanzt hat, ausgeschnitten und unterteilt wird.
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