CN1450592A - 晶圆辨识标号的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明系为一种晶圆辨识标号的制作方法,至少包括:提供一晶圆,具有一正面、一背面以及一侧面;以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。藉由形成一辨识标号于上述晶圆的侧面方法,可以避免传统上将晶圆辨识标号形成于晶圆的正面或背面所造成的问题。
Description
技术领域
本发明系有关于一种半导体晶圆的制造方法,且特别是有关于一种在晶圆上形成辨识标号以利后续制程辨识的方法。
背景技术
半导体集成电路的制造是极为精密与繁复的过程,每一步骤都须严密控制,方可确保最后所产制的成品符合设计要求。而随着电路设计日益复杂化与元件积集度(Integration)不断地增加,制造一集成电路所需的时间不断增长。以现今生产线上的状况而言,一个产品的制造从半导体晶圆原料开始,经过无数吹的清洗、氧化、沉积、微影、蚀刻、布植等程序,最后至测试元件性质并覆盖绝缘护层(passivation)为止,所需的时间往往超过一个月以上。
在这样漫长的制造过程中,为了方便操作员正确辨识各批晶圆,据以分别施行适当的制造程序,通常可利用雷射光束在晶图表面的周边部分雕刻出一特定图案,作为各批产品的标号(marking ID)。一般而言,如图1所示者,在一半导体晶圆10正面的边缘部分2,先以雷射光束雕刻出标号图案,然后进行元件制造的程序,形成所需的集成电路12于半导体晶圆10的正面上。为了更清楚起见,请参见图2,其为图1中半导体晶圆10边缘部分2的部分放大图,显示一标号图案5,例如是XYZ-0001。
此一习知半导体晶圆的雷射标号制作方法具有许多缺点。首先,标号图案15于半导体晶圆10的边缘部分2形成,在形成标号图案15过程中,往往造成邻近标号的晶元(die)的损伤,减少晶圆上的有效面积(vailable area)。
其次,由于标号图案15系以雷射光束在半导体晶圆10表面上雕刻形成的,不可避免地会产生颗粒(未显示)残留在标号图案15中,虽经刷洗(scrub)处理亦无法完全去除。之后,当进行电子元件的制造程序时,在某些步骤中会利用一夹头(clamp)来夹住半导体晶圆儿的边缘部分作为固定之用,此一压力往往使得残馀的颗粒自标号图案15中脱离而出,在放开夹头之后,上述脱离而出的颗粒便散布开来,致使元件产生缺陷,严重影响其电子性质。
再者,由于标号图案15系制作在半导体晶圆10的正面上,在后续制造元件程序时必须能将其凹凸构造传递到最上层表面,方能持续提供辨识的功效。然而若元件制造程序中包含有化学机械研磨(CMP)步骤,因其为全面性平坦化处理技术,将导致标号图案15的凹凸构造无法传递到半导体晶圆10的表层,致使其丧失辨识的功能。虽然可设法保护标号图案15以避免上述情况发生,然而其于每次(CMP)程序时均需增加额外步骤,将使制程复杂化而影响生产效率。
发明内容
有鉴于此,为了解决上述问题,本发明主要目的在于提供一种晶圆辨识标号的制作方法,可适用于半导体晶圆的制造。
为获致上述的目的,本发明提出一种晶圆辨识标号的制作方法,此方法的步骤主要系包括:提供一晶圆,具有一正面、一背面以及一侧面;以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。上述辨识标号例如为人类可辨识的字元或机器可辨识的数位条码。
本发明具有下列优点:
1.根据本发明,摒除传统上将辨识标号形成于晶圆的正面或背面的方法,可以避免形成辨识标号的制程中损伤邻近晶圆,以增加晶圆上的有效面积(vailable area)。
2.根据本发明,可以解决传统上制作晶圆辨识标号所造成的颗粒污染问。
3.根据本发明,由于辨识标号形成的位置位于晶圆的侧边,所以在后续的元件制造程序中,仍可保持辨识标号的完整性,维持其辨识的功能。
附图说明
图1系显示习知的晶圆标号的方法,其系为晶圆的俯视图;
图2系为图1中半导体晶圆的边缘部分的部分放大图,其显示习知的辨识标号;
图3系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法其系为晶圆的立体图;
图4、图5系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。
符号说明:
10、20、30-半导体晶圆;12-种体电路;15-标号图案;2-半导体晶圆的边缘部分;20a、30a-半导体晶圆的厚度部分;24-字元标号;26-圆形孔;34-数位条码标号;36-沟槽。
具体实施方式
请参照图3,系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法,其系为晶圆的立体图。首先,提供一晶圆20,具有一正面20a、一背面20b以及一侧面20c,其中上述侧面20c包含了一平边3以及一弧边4。
接着,利用例如雷射加工或蚀刻程序,形成辨识标号于上述晶圆20的侧面20c的平边3或弧边4位置。
并且,辨识标号可为两种型态:
其中一种型态,请参照图4,系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。一辨识标号24系由复数圆形孔26彼此相间隔而组成的字元所形成,例如为XYZ-001。人类可以直接或透过放大仪器设备,藉由肉眼辨识上述辨识标号24。
另外一种型态,请参照图5,仍系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。其中上述辨识标号24系由复数沟槽36彼此相间隔而组成的数位条码所形成。可以藉由机器侦测且辨别上述辨识标号24。
本发明虽以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明的范围,任何熟习此项技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。
Claims (10)
1.一种晶圆辨识标号的制作方法,至少包括:
提供一晶圆,具有一正面、一背面以及一侧面;以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。
2.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号为至少一字元所组成。
3.如权利要求2所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述字元系由复数圆形孔彼此相间隔所形成。
4.如权利要求2所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号可由人类辨识。
5.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号系为数位条码。
6.如权利要求5所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述数位条码系由复数沟槽彼此相间隔所形成。
7.如权利要求5所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号可由机器辨识。
8.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号系利用雷射加工所形成。
9.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述辨识标号系利用蚀刻程序所形成。
10.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法,其特征在于:上述侧面包括一平边以及一弧边。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02106277 CN1450592A (zh) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 晶圆辨识标号的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02106277 CN1450592A (zh) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 晶圆辨识标号的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1450592A true CN1450592A (zh) | 2003-10-22 |
Family
ID=28680197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 02106277 Pending CN1450592A (zh) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 晶圆辨识标号的制作方法 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN1450592A (zh) |
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