CN115881694A - 一种半导体的标记方法及半导体 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种半导体的标记方法及半导体，包括：将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；根据预设的曝光强度对待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在待标记表面上形成曝光区域，曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；曝光完成后对感光物质进行烘烤；烘烤完成后将待标记表面暴露于感光区域，对曝光区域进行显影，以去除感光区域内的感光物质；显影完成后对曝光区域进行蚀刻，以在待标记表面上形成标识图形；蚀刻完成后对待标记表面上的感光物质进行清除处理。采用本发明的技术方案能够通过半导体表面上标记的标识图形，简单、方便地识别半导体表面，提高了标记方案的通用性，并且标识图形容易识别记忆，方便后续加工操作。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体的标记方法及半导体。
背景技术
半导体内部存在磁场的南极、北极的差别以及线圈的正极、负极的差别，因而在半导体的加工过程中，需要先对半导体的正面、反面、上面和下面进行识别确认，再进行下一步的切割或者研磨等加工操作，以防止出现大批量的坏品。
目前常用的识别方法，是利用半导体的零配件的符号，将该符号对应的光学字符记录在半导体的侧面，以在出现混乱的时候做查询使用。但是，在实际生产中，需要加工操作人员对半导体零配件的符号具有一定的识别能力，导致这种识别方法具有一定的局限性，并且光学字符不容易识别，给后续加工操作带来不便。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体的标记方法及半导体，能够通过半导体表面上标记的标识图形，简单、方便地识别半导体表面，提高了标记方案的通用性，并且标识图形容易识别记忆，方便后续加工操作。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体的标记方法，包括：
将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；
根据预设的曝光强度对所述待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在所述待标记表面上形成曝光区域，其中，所述曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；
在曝光完成后，对感光物质进行烘烤；
在烘烤完成后，将所述待标记表面暴露于感光区域，对所述曝光区域进行显影，以去除所述感光区域内的感光物质；
在显影完成后，对所述曝光区域进行蚀刻，以在所述待标记表面上形成所述标识图形；
在蚀刻完成后，对所述待标记表面上的感光物质进行清除处理。
进一步地，所述曝光强度为255mJ/cm2～285mJ/cm2。
进一步地，所述曝光强度为275mJ/cm2。
进一步地，所述标识图形用于标记半导体的表面，不同的标识图形对应表示不同的半导体的表面。
进一步地，所述标识图形的形状至少包括L形和T形，所述标识图形的最小边长大于10μm。
进一步地，烘烤时间为350s～400s，烘烤温度不超过120℃。
进一步地，烘烤时间为380s，烘烤温度为100℃～120℃。
进一步地，显影时间为30s～60s。
进一步地，显影时间为50s。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种半导体，采用上述任一项所述的半导体的标记方法形成的标识图形。
与现有技术相比，本发明实施例提供了一种半导体的标记方法及半导体，首先，将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；其次，根据预设的曝光强度对所述待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在所述待标记表面上形成曝光区域，所述曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；接着，在曝光完成后，对感光物质进行烘烤；在烘烤完成后，将所述待标记表面暴露于感光区域，对所述曝光区域进行显影，以去除所述感光区域内的感光物质；在显影完成后，对所述曝光区域进行蚀刻，以在所述待标记表面上形成所述标识图形；最后，在蚀刻完成后，对所述待标记表面上的感光物质进行清除处理；从而能够通过半导体表面上标记的标识图形，简单、方便地识别半导体表面，提高了标记方案的通用性，并且标识图形容易识别记忆，方便后续加工操作。
附图说明
图1是本发明提供的一种半导体的标记方法的一个优选实施例的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种标识图形的形状示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种半导体的标记方法，参见图1所示，是本发明提供的一种半导体的标记方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S16：
步骤S11、将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；
步骤S12、根据预设的曝光强度对所述待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在所述待标记表面上形成曝光区域，其中，所述曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；
步骤S13、在曝光完成后，对感光物质进行烘烤；
步骤S14、在烘烤完成后，将所述待标记表面暴露于感光区域，对所述曝光区域进行显影，以去除所述感光区域内的感光物质；
步骤S15、在显影完成后，对所述曝光区域进行蚀刻，以在所述待标记表面上形成所述标识图形；
步骤S16、在蚀刻完成后，对所述待标记表面上的感光物质进行清除处理。
在具体实施时，首先，在半导体的待标记表面上均匀的涂布一层感光物质；其次，根据预先设置的曝光强度对半导体的待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，使得半导体的待标记表面上形成相应的曝光区域，并且该曝光区域的形状与预先设置的标识图形的形状相同；接着，在曝光完成之后，对半导体的待标记表面上的感光物质进行烘烤处理；在烘烤完成之后，将半导体的待标记表面放置在感光区域内，对半导体的待标记表面上形成的曝光区域进行显影，使得感光区域内的感光物质被除去；在显影完成之后，对半导体的待标记表面上形成的曝光区域进行蚀刻，使得半导体的待标记表面上形成浅槽，以在半导体的待标记表面上形成相应的标识图形；最后，在蚀刻完成之后，对半导体的待标记表面上剩余的感光物质进行清除处理。
需要说明的是，在对半导体的待标记表面上的感光物质进行选择性曝光时，可以预先设置具有标识图形的形状的辅助工具，利用该辅助工具实现对感光物质的选择性曝光；例如，可以利用一个盒子作为辅助工具，将半导体放置在盒子内部，在与半导体的待标记表面相对应的盒子的表面上，设置有镂空的标识图形的形状，将镂空的标识图形与半导体的待标记表面上的待标记位置对齐，则在对盒子内部的半导体的待标记表面上的感光物质进行曝光时，即可通过镂空的标识图形实现选择性曝光，并且在半导体的待标记表面上相应形成的曝光区域的形状与标识图形的形状相同。
作为上述方案的改进，所述曝光强度为255mJ/cm2～285mJ/cm2。
优选地，所述曝光强度为275mJ/cm2。
具体的，结合上述实施例，在对半导体的待标记表面上的感光物质进行选择性曝光时，预先设置的曝光强度一般在255mJ/cm2～285mJ/cm2范围内；作为优选方案，曝光强度可以设置为275mJ/cm2。
作为上述方案的改进，所述标识图形用于标记半导体的表面，不同的标识图形对应表示不同的半导体的表面。
具体的，结合上述实施例，标识图形可以用来标记半导体的表面，以区分半导体的不同表面，相应的，不同的标识图形对应表示不同的半导体的表面。
可以理解的，当标识图形具有能够表示朝向的形状时，除了可以利用标识图形的形状区分半导体的表面之外，还可以利用标识图形的形状朝向表示半导体的方向；例如，使用某一种标识图形表示半导体的上表面，以半导体的上表面为基准，在俯视半导体的上表面的场景下，通过该标识图形的形状朝向即可确定半导体的上、下、左和右这四个方向。
参见图2所示，是本发明实施例提供的一种标识图形的形状示意图，作为上述方案的改进，所述标识图形的形状至少包括L形和T形，所述标识图形的最小边长大于10μm。
具体的，结合上述实施例，标识图形的形状包括但不限于包括L形和T形，具体的形状可以根据实际需求进行设置，并且为了方便识别，标识图形的形状的最小边长大于10微米。
如图2所示，包括L形和T形两种标识图形，其中，第一行的四个T形标识图形均用于表示半导体的上表面(Up)，第二行的四个L形标识图形均用于表示半导体的下表面(Down)，且这八个标识图形的最小边长均大于10微米；在实际应用中，第一行的四个T形标识图形分别对应不同的朝向，第二行的四个L形标识图形同样分别对应不同的朝向，即可表示不同的半导体的方向。
需要说明的是，除了本发明实施例提供的标识图形的形状之外，还可以通过添加字符或者旋转字符等多种方式来区分半导体的表面，本发明实施例不作具体限定。
作为上述方案的改进，烘烤时间为350s～400s，烘烤温度不超过120℃。
优选地，烘烤时间为380s，烘烤温度为100℃～120℃。
具体的，结合上述实施例，在对半导体的待标记表面上的感光物质进行烘烤时，烘烤时间一般在350秒～400秒范围内，并且基于半导体本身的性能考虑，烘烤温度一般不超过120℃；作为优选方案，烘烤时间可以设置为380秒，烘烤温度可以设置在100℃～120℃范围内。
作为上述方案的改进，显影时间为30s～60s。
优选地，显影时间为50s。
具体的，结合上述实施例，在对半导体的待标记表面上形成的曝光区域进行显影时，显影时间一般在30秒～60秒范围内；作为优选方案，显影时间可以设置为50秒。
本发明实施例还提供了一种半导体，采用上述任一实施例所述的半导体的标记方法形成的标识图形。
具体的，本发明实施例中的半导体，采用了上述任一实施例所述的半导体的标记方法形成的标识图形，即可通过标识图形实现半导体表面的区分。
综上，本发明实施例所提供的一种半导体的标记方法及半导体，首先，将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；其次，根据预设的曝光强度对所述待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在所述待标记表面上形成曝光区域，所述曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；接着，在曝光完成后，对感光物质进行烘烤；在烘烤完成后，将所述待标记表面暴露于感光区域，对所述曝光区域进行显影，以去除所述感光区域内的感光物质；在显影完成后，对所述曝光区域进行蚀刻，以在所述待标记表面上形成所述标识图形；最后，在蚀刻完成后，对所述待标记表面上的感光物质进行清除处理；通过光刻工艺在半导体表面上形成了不同投影的视觉图像，从而能够通过半导体表面上标记的标识图形，简单、方便地识别半导体表面，提高了标记方案的通用性，并且标识图形容易识别记忆，方便后续加工操作。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种半导体的标记方法，其特征在于，包括：
将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上；
根据预设的曝光强度对所述待标记表面上的感光物质进行选择性曝光，以在所述待标记表面上形成曝光区域，其中，所述曝光区域的形状为预设的标识图形的形状；
在曝光完成后，对感光物质进行烘烤；
在烘烤完成后，将所述待标记表面暴露于感光区域，对所述曝光区域进行显影，以去除所述感光区域内的感光物质；
在显影完成后，对所述曝光区域进行蚀刻，以在所述待标记表面上形成所述标识图形；
在蚀刻完成后，对所述待标记表面上的感光物质进行清除处理。
2.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，所述曝光强度为255mJ/cm2～285mJ/cm2。
3.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，所述曝光强度为275mJ/cm2。
4.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，所述标识图形用于标记半导体的表面，不同的标识图形对应表示不同的半导体的表面。
5.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，所述标识图形的形状至少包括L形和T形，所述标识图形的最小边长大于10μm。
6.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，烘烤时间为350s～400s，烘烤温度不超过120℃。
7.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，烘烤时间为380s，烘烤温度为100℃～120℃。
8.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，显影时间为30s～60s。
9.如权利要求1所述的半导体的标记方法，其特征在于，显影时间为50s。
10.一种半导体，其特征在于，采用如权利要求1～9中任一项所述的半导体的标记方法形成的标识图形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111134372.XA CN115881694A (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种半导体的标记方法及半导体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111134372.XA CN115881694A (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种半导体的标记方法及半导体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115881694A true CN115881694A (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=85762856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111134372.XA Pending CN115881694A (zh) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 一种半导体的标记方法及半导体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115881694A (zh) |
-
2021
- 2021-09-27 CN CN202111134372.XA patent/CN115881694A/zh active Pending
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