CN109750254B - 一种金属掩膜板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种金属掩膜板的制作方法，包括：根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面涂布导电材料；在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸，形成第一电铸层；将所述第一电铸层从所述基板上剥离；对所述第一电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形。本发明解决了现有技术中很难在金属掩膜板上形成半刻图形的问题。

Description

一种金属掩膜板的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种金属掩膜板的制作方法。

背景技术

针对在OLED显示器行业所需金属掩膜板的制作。随着显示器分辨率的提高，对金属掩膜板制作精度的要求也越来越高，目前采用的蚀刻方式已不能满足需求，故开发了新的金属掩膜板制作工艺——电铸。现有技术进行电铸的方案中，在基板上涂布光阻，然后电铸形成具有图形的金属掩膜板。

现有技术中制作金属掩膜板的方法具体如下，如图1a至图1e所示。

步骤101：如图1a所示，用光刻胶12在基板11的表面进行光阻涂布；

步骤102：如图1b所示，利用掩膜(Mask)对基板11表面的光刻胶12进行曝光和显影，形成金属掩膜板的图形；

步骤103：如图1c所示，在涂布了光刻胶12的基板11的表面进行电铸，形成电铸层13；

步骤104：如图1d所示，去除基板11表面剩余的光刻胶12；

步骤105：如图1e所示，将电铸层13从基板11上剥离，进一步处理后得到具有通孔的金属掩膜板14；

现有技术中，在基板的表面涂布光阻，由于光阻表面无法电铸，因此只能形成具有通孔的金属掩膜板，很难在金属掩膜板上形成半刻图形。

发明内容

本发明实施例提供了一种金属掩膜板的制作方法，解决了现有技术中很难在金属掩膜板上形成半刻图形的问题。

本发明实施例提供的一种金属掩膜板的制作方法，包括：

根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面涂布导电材料；

在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸，形成第一电铸层；

将所述第一电铸层从所述基板上剥离；

对所述第一电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形。

可选的，所述第一电铸层的第一面为与所述基板表面接触的一面；或者所述第一电铸层的第二面为与所述基板表面接触的一面。

可选的，所述在基板表面涂布导电材料之后，所述在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸之前，还包括：

在所述基板表面涂布剥离膜。

可选的，所述在所述基板表面涂布剥离膜，包括：

将涂布了所述导电材料的所述基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；

将所述基板加热风干。

本发明实施例还提供了一种金属掩膜板，所述金属掩膜板为根据如上述方法制作而成。

本发明实施例提供的另一种金属掩膜板的制作方法，包括：

根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面的第一区域涂布导电材料；

根据所述金属掩膜板的通孔图形，在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料；

在涂布所述导电材料和所述光阻材料之后的所述基板表面进行电铸，形成电铸层；所述电铸层包括位于所述第一区域的第一电铸层和位于所述第二区域的第二电铸层；

将所述电铸层从所述基板上剥离；

对所述电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板具有所述通孔图形，且与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形。

可选的，根据所述金属掩膜板的通孔图形，在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料，包括：

在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料；

根据所述金属掩膜板的通孔图形，对所述光阻材料进行曝光显影。

可选的，所述在基板的第一表面涂布导电材料之后，形成电铸层之前，还包括：

在所述基板表面涂布剥离膜。

可选的，所述在所述基板表面涂布剥离膜，包括：

将涂布了所述导电材料和所述光阻材料之后的所述基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；

将所述基板加热风干。

本发明实施例还提供一种金属掩膜板，所述金属掩膜板为根据如上述的方法制作而成。

本发明实施例提供的金属掩膜板的制作方法，根据金属掩膜板的半刻图形，在基板的表面涂布导电材料，然后在涂布了导电材料的基板表面进行电铸，形成第一电铸层。不同于现有技术中在基板的表面涂布光阻材料，本发明实施例在基板表面涂布导电材料，由于光阻材料的表面无法电铸，而导电材料的表面可以进行电铸，因此，根据半刻图形涂布导电材料，这样基板的表面和导电材料就形成金属掩膜板的半刻图形。将第一电铸层从基板上剥离后，第一电铸层的表面具有半刻图形，这样，对第一电铸层的第一面进行加工后，就形成具有半刻图形的金属掩膜板，该金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有半刻图形。因此，本发明实施例解决了现有技术中很难在金属掩膜板上形成半刻图形的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a至1e为现有技术中公开的金属掩膜板制作流程中各阶段的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种金属掩膜板的制作方法的流程图；

图3a至图3f为本发明实施例一公开的金属掩膜板的制作流程中各阶段的结构示意图；

图4a至图4f为本发明实施例二公开的金属掩膜板的制作流程中各阶段的结构示意图。

具体实施方式

为了方便起见，以下说明中使用了特定的术语体系，并且这并不是限制性的。措词“左”、“右”、“上”和“下”表示在参照的附图中的方向。措词“向内”和“向外”分别是指朝着以及远离描述的对象及其指定部分的几何中心。术语包括以上具体提及的措词、其衍生物以及类似引入的措词。

相较于现有技术，本发明实施例提供了一种具有槽型图案的金属掩膜板的制作方法，为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

如图2所示，为本发明实施例提供的一种金属掩膜板的制作方法的流程图，方法包括：

步骤201、根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面涂布导电材料。

步骤202、在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸，形成第一电铸层。

步骤203、将所述第一电铸层从所述基板上剥离。

步骤204、对所述第一电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形。

本发明实施例提供的金属掩膜板的制作方法，根据金属掩膜板的半刻图形，在基板的表面涂布导电材料，然后在涂布了导电材料的基板表面进行电铸，形成第一电铸层。不同于现有技术中在基板的表面涂布光阻材料，本发明实施例在基板表面涂布导电材料，由于光阻材料的表面无法电铸，而导电材料的表面可以进行电铸，因此，根据半刻图形涂布导电材料，这样基板的表面和导电材料就形成金属掩膜板的半刻图形。将第一电铸层从基板上剥离后，第一电铸层的表面具有半刻图形，这样，对第一电铸层的第一面进行加工后，就形成具有半刻图形的金属掩膜板，该金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有半刻图形。因此，本发明实施例解决了现有技术中很难在金属掩膜板上形成半刻图形的问题。

上述步骤204中，第一电铸层的第一面可以为与基板表面接触的一面，此时，对第一电铸层的第一面进行加工，即研磨清洗等，则与基板表面接触的第一面为平整状，与第一面相对的第二面具有所需的半刻图形。

或者，第一电铸层的第二面为与基板表面接触的一面，此时，对第一电铸层的第一面进行加工，则与基板表面接触的第一面具有所需的半刻图形，与第一面相对的第二面为平整状。

为了便于电铸层的剥离，上述步骤201根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面涂布导电材料之后，步骤202在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸，形成第一电铸层之前，还包括：在所述基板表面涂布剥离膜。

本发明实施例中的剥离膜为硅酸钠与氢氧化钠的混合溶液，上述在基板表面涂布剥离膜具体为：

将涂布了所述导电材料的所述基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；

将所述基板加热风干。

本发明实施例还提供了一种金属掩膜板，该金属掩膜板为根据上述方法制作而成。

实施例一

下面以第一电铸层的第一面为与基板表面接触的一面为例，详细描述本发明的技术方案。如图3a至图3f所示，为本发明实施例一公开的金属掩膜板的制作流程中各阶段的结构示意图。

如图3a，根据金属掩膜板的半刻图形，在基板31的表面涂布导电材料32。本发明实施例一中的基板31为不锈钢材质，导电材料32为氧化铟锡ITO。

如图3b，在基板31表面涂布剥离膜。具体为将涂布了导电材料32的基板31浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；之后将基板加热风干。

如图3c，在基板31涂布了导电材料32的一面进行电铸，形成第一电铸层33。本发明实施例一中的第一电铸层33为镍铁合金。

如图3d，将第一电铸层33从基板31上剥离。

如图3e，对第一电铸层的第一面研磨加工，形成金属掩膜板34。该金属掩膜板34的上表面具有所需的半刻图形。

本发明实施例一中，还可以对第一电铸层的与第一面相对的第二面进行研磨加工，此时形成的金属掩膜板35如图3f所示，可以看出，此时，金属掩膜板35的下表面具有所需的半刻图形。

实施例二

进一步地，本发明实施例二在金属掩膜板的一面形成半刻图形的基础上，可以在金属掩膜板上同时形成开口与半刻图形。本发明实施例二中金属掩膜板的具体制作流程中各阶段的结构示意图如图4a至图4f所示。

如图4a，根据金属掩膜板的半刻图形，在基板41表面的第一区域涂布导电材料42。

如图4b，在基板41表面的第二区域涂布光阻材料43。

如图4c，根据金属掩膜板的通孔图形，对光阻材料43进行曝光显影。

上述在基板41上涂布导电材料42为直接根据金属掩膜板的半刻图形进行涂布。而涂布光阻材料43，为将基板41表面的第二区域全部涂布光阻材料43，然后根据需要，对光阻材料43进行曝光显影，从而形成通孔图形。

需要说明的是，上述涂布导电材料42可以在涂布光阻材料43之前，也可以涂布导电材料42在涂布光阻材料43之后。

如图4d，在涂布了导电材料42和光阻材料43之后的基板41表面进行电铸，形成电铸层44。其中，电铸层44包括位于第一区域411的第一电铸层441和位于第二区域412的第二电铸层442。

如图4e，将电铸层44从基板41上剥离。

如图4f，对电铸层44的第一面进行加工，形成金属掩膜板45。此时，金属掩膜板45的第二区域412具有通孔图形，且金属掩膜板45的第一区域411中与第一面相对的第二面上具有半刻图形。

本发明实施例二中，在基板上需要形成半刻图形的位置涂布导电材料，在需要形成通孔图形的位置涂覆光阻材料，以此方式进行电铸，以及后续的剥离与处理，得到凹槽与通孔同时成型的金属掩膜板。

较佳地，本发明实施例二中，在基板的第一表面涂布导电材料之后，形成电铸层之前，还包括：

在所述基板表面涂布剥离膜。

具体来说，是将涂布了导电材料和光阻材料之后的基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；之后将基板加热风干。

本发明实施例二还提供了一种金属掩膜板，该金属掩膜板如图4f所示。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种金属掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面涂布导电材料；

在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸，形成第一电铸层；

将所述第一电铸层从所述基板上剥离；

对所述第一电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形；所述第一电铸层的第一面为与所述基板表面接触的一面；或者所述第一电铸层的第二面为与所述基板表面接触的一面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板表面涂布导电材料之后，所述在涂布了所述导电材料的所述基板表面进行电铸之前，还包括：

在所述基板表面涂布剥离膜。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述基板表面涂布剥离膜，包括：

将涂布了所述导电材料的所述基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；

将所述基板加热风干。

4.一种金属掩膜板，其特征在于，所述金属掩膜板为根据如权利要求1至3任一项所述的方法制作而成。

5.一种金属掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

根据金属掩膜板的半刻图形，在基板表面的第一区域涂布导电材料；根据所述金属掩膜板的通孔图形，在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料；

在涂布所述导电材料和所述光阻材料之后的所述基板表面进行电铸，形成电铸层；所述电铸层包括位于所述第一区域的第一电铸层和位于所述第二区域的第二电铸层；

将所述电铸层从所述基板上剥离；

对所述电铸层的第一面进行加工，形成所述金属掩膜板；所述金属掩膜板具有所述通孔图形，且与第一面相对的第二面上具有所述半刻图形。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述金属掩膜板的通孔图形，在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料，包括：

在所述基板表面的第二区域涂布光阻材料；

根据所述金属掩膜板的通孔图形，对所述光阻材料进行曝光显影。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述在基板的第一表面涂布导电材料之后，所述形成电铸层之前，还包括：

在所述基板表面涂布剥离膜。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述基板表面涂布剥离膜，包括：

将涂布了所述导电材料和所述光阻材料之后的所述基板浸没于4％的硅酸钠与5％的氢氧化钠混合液中5分钟；

将所述基板加热风干。

9.一种金属掩膜板，其特征在于，所述金属掩膜板为根据如权利要求5至8任一项所述的方法制作而成。

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