JPS60204392A - 半導体装置のマ−キング方法 - Google Patents

半導体装置のマ−キング方法

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JPS60204392A
JPS60204392A JP59060753A JP6075384A JPS60204392A JP S60204392 A JPS60204392 A JP S60204392A JP 59060753 A JP59060753 A JP 59060753A JP 6075384 A JP6075384 A JP 6075384A JP S60204392 A JPS60204392 A JP S60204392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
colored film
mask
semiconductor element
laser light
Prior art date
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Pending
Application number
JP59060753A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobushi Suzuki
鈴木 悦四
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59060753A priority Critical patent/JPS60204392A/ja
Publication of JPS60204392A publication Critical patent/JPS60204392A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置のマーキング方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
トランジスタ、ダイオード、集積回路などの半導体装置
は、一般に半導体素子を封止しているモールド樹脂ある
いは金属キャップの表面に、その種別、ロット番号、等
級などを示すマークを付けて区別できるようにしている
。従来、このマークは、マークインクを用いて、ゴム印
、転写ローラなどで転写している。
しかし、一般に半導体装置は小形であるため、その表面
に形成するマークも必然的に小さく読取りにくい。しか
もこれにインクのにごみ、かすれなどがかさなると、全
熱識別できない場合も起る。
また、マークインクを用いる方法は、マーキングする前
に、マーキング面に付着している油脂や汚れを除去し、
マークインクで転写したのちは、インクの付着力を強化
するために加熱乾燥する必要もあって、意外とその処理
が煩雑である。
〔発明の目的〕
この発明は半導体装置に容易に識別できるマークを簡単
に形成する方法を得ることにある。
〔発明の概要〕
半導体素子を封止しているモールド樹脂、金属キャップ
などの封止部材の表面に、この部材と異なる色をもつ着
色被膜を形成したのち、この着色被膜にレーザ光を照射
してその一部を選択的に除去し、その下部の部材を露出
させてマークを形成するようにした。
この方法によれば、マークが鮮明になるばかシでなく、
着色被膜の色の相違とマークとの併用によって、半導体
装置の相違を明確に識別できるようにすることもできる
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
第1図は樹脂封止された半導体集積回路の図であって、
半導体素子は、複数本のリード端子(1)を有するリー
ドフレームに搭載されて、この素子上に形成された電極
とリード端子(1)とを金属の細線で接続したのち、た
とえば黒色に着色された樹脂でモールドされて形成され
、モールド樹脂(2)は立方形状をしている。
マーキングは、まず第2A図に示すように黒色に着色し
たモールド樹脂(2)の表面に、このモールド樹脂(2
)と区別できる色に着色された塗料を塗布し乾燥して着
色被膜(3)を形成する。つぎに、第2B図に示すよう
にこの着色被膜(3)上に、この集積回路の種別、ロッ
ト番号などの必要なマーク(5)を形成したマスク(6
)を載置して矢印(4)方向から、図示しないレーザ発
振装置から放出されたレーザ光をマスク(6)を介して
照射する。この照射に使用されるレーザ光としては、Y
AGレーザ、またはTB A Co、レーザがよく、マ
スク(6)上を順次走査するかまたはマスク(6)全面
を短時間同時照射する方法でおこなわれる。かくしてレ
ーザ発振装置から示スようにマスク(6)のマーク(5
)に対応した位置の着色被膜(3)を選択的に除去して
、その下地のモールド樹脂(2)を露出させて所要のマ
ーク(7)が形成される。特に第2C図には、着色被膜
(3)のみならずモールド樹脂(2)の一部も同時に除
去された例を示したが、このようにすることは任意であ
る。
上記のようにモールド樹脂(2)の表面に、このモール
ド樹脂(2)と異なる色をもつ着色被膜(3)を形成し
たのち、レーザ光を照射してその一部を選択的に除去し
、その下部のモールド樹脂(2)を露出させてマーク(
7)を形成すると、着色被膜(3)とモールド樹脂(2
)との色の相違によって、マークが鮮明とカシ、識別容
易なマークとすることができる。特に半導体装置は形状
が小さく、必然的にマークも小さいので、その効果はき
わめて大きい。また着色被膜(3)の色をたとえば半導
体装置の種別によって変えると、その着色被膜(3)の
色と形成されたマーク(7)とから、たとえマークが小
さくてもその種別が確実に判別できるようになる。特に
この着色被膜(3)とマークとを併用する識別は、自動
識別装置で識別する場合に有利でめる。まだこのマーキ
ング方法は、マークインクを用いてゴム印々どで転写す
る方法にくらべて特別な前処理および後処理を必要とせ
ず、マークの形成が容易である。
つぎにこの発明の他の実施例について述べる。
上記実施例では、マスクを介してレーザ光を照射してマ
ークを形成したが、たとえばマイクロコンピュータに所
要のマークを記憶させておき、このマイクロコンピュー
タでレーザ発振装置の発振を制御することにより、レー
ザ光でモールド樹脂上を走査してマークを形成してもよ
い。
また上記実施例では、モールド樹脂上に着色被膜を形成
する場合を示したが、この発明は、半導体素子を封止し
ている金属キャップ上にマークを形成する場合にも適用
できる。
〔発明の効果〕
半導体素子を封止しているモールド樹脂、金属キャップ
などの部材の表面に、その部材と異なる色をもつ着色被
膜を形成したのち、レーザ光を照射して、着色被膜の一
部を選択的に除去してその下部の部材を露出させてマー
クを形成すると、部材と着色被膜との色の相違によって
、鮮明なマークを形成することができ、従来マークが小
さく、インクのにごみ、かすれなどもかさなって識別困
難であった半導体装置のマークを容易に識別できるよう
になった。
また、この発明の方法では、着色被膜の色の相違とマー
クとの併用によって半導体装置の相違を容易に識別でき
るマークを簡単に形成することができる。
まだ、この発明の方法は、マークインクでマークを形成
する従来方法にくらべて、特別の前処理および後処理を
必要とせず、マークを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は樹脂封止された半導体集積回路の斜視図、第2
図はこの発明の一実施例の説明図で、囚図はモールド樹
脂上に着色被膜を形成する工程説明図、fB1図はマス
クを介して着色被膜にレーザ光を照射する工程説明図、
(0図はマークの形成状態を示す図である。 (2)・・モールド樹脂 (3)・・・着色被膜(6)
・・・マスク (7)・・マーク代理人 弁理士 井 
上 −男 (力 第 1 図 第 2 図 3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を封止している部材の表面にこの部材と異な
    る色をもつ着色被膜を形成する工程と、上記着色被膜に
    レーザ光を照射して上記着色被膜の一部を選択的に除去
    してその下部の上記部材を露出させてマークを形成する
    工程とを具備することを特徴とする半導体装置のマーキ
    ング方法。
JP59060753A 1984-03-30 1984-03-30 半導体装置のマ−キング方法 Pending JPS60204392A (ja)

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