JPH04116955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04116955A JPH04116955A JP2237412A JP23741290A JPH04116955A JP H04116955 A JPH04116955 A JP H04116955A JP 2237412 A JP2237412 A JP 2237412A JP 23741290 A JP23741290 A JP 23741290A JP H04116955 A JPH04116955 A JP H04116955A
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- resin
- semiconductor device
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
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- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止された面実装
型半導体装置の表示面の構造に関する。
型半導体装置の表示面の構造に関する。
〔従来の技術１
従来、半導体装置のモールド樹脂部材の表面には、品名
または極性が文字または特定マークで表示される。通常
、この表示はインクによる捺印またはレーザーマーキン
グで行われるが、パッケージが小型化されて来ると（例
えば、縦１、Ｉｌ＋ｍｍ横０．８ｍｓ ） 、表示領域
の占有面積率がほぼ５０％にもなるので、表示に使われ
る文字や極性マークが表面積に比較して大きなものとな
る。従ってインクによる表示の場合は、約１０μｍの厚
さにインクが盛りあがり、また、レーザーマーキングに
よる場合は、樹脂表面に凹状の溝が形成される。
または極性が文字または特定マークで表示される。通常
、この表示はインクによる捺印またはレーザーマーキン
グで行われるが、パッケージが小型化されて来ると（例
えば、縦１、Ｉｌ＋ｍｍ横０．８ｍｓ ） 、表示領域
の占有面積率がほぼ５０％にもなるので、表示に使われ
る文字や極性マークが表面積に比較して大きなものとな
る。従ってインクによる表示の場合は、約１０μｍの厚
さにインクが盛りあがり、また、レーザーマーキングに
よる場合は、樹脂表面に凹状の溝が形成される。
したがって、従来の表示方法を採用した半導体装置はパ
ッケージの表面が凹凸となるので、テーピングチーブ上
から回路基板への実装が行ねれる際、吸着ノズルとの間
に生じるすき間のためノズルの吸着能力が低下し、半導
体装置を回礼させたり或いは回路基板上へ落下させたり
するなどの好ましからざる事態がしばしばひき起こされ
ている。
ッケージの表面が凹凸となるので、テーピングチーブ上
から回路基板への実装が行ねれる際、吸着ノズルとの間
に生じるすき間のためノズルの吸着能力が低下し、半導
体装置を回礼させたり或いは回路基板上へ落下させたり
するなどの好ましからざる事態がしばしばひき起こされ
ている。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、表示に用いた文字
またはマークによるモールド樹脂面の凹凸が吸着ノズル
の吸着能力を低下させる従来の問題点を解決した半導体
装置を提供することである。
またはマークによるモールド樹脂面の凹凸が吸着ノズル
の吸着能力を低下させる従来の問題点を解決した半導体
装置を提供することである。
［課題を解決するための手段１
本発明によれば、半導体装置は、半導体チップを樹脂モ
ールドする半導体装置において、前記樹脂モールド部材
の表面に、樹脂により平坦化される文字または極性マー
クからなる表示領域を備えて構成される。
ールドする半導体装置において、前記樹脂モールド部材
の表面に、樹脂により平坦化される文字または極性マー
クからなる表示領域を備えて構成される。
［作 用 ］
本発明によれば、従来の如き凹凸面をもたない表示領域
は樹脂モールドの全表面をほぼ均一な高さに平坦化し、
吸着ノズルとの間にすき間を生ぜしめないよう作用する
。すなわち、吸着ノズルの吸着能力が低下する従来の問
題点を解決することができる。
は樹脂モールドの全表面をほぼ均一な高さに平坦化し、
吸着ノズルとの間にすき間を生ぜしめないよう作用する
。すなわち、吸着ノズルの吸着能力が低下する従来の問
題点を解決することができる。
［実施例］
次に本発明について図面を参明して詳細に説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置の斜視図および断面図である。本実施
例によれば、モールド樹脂部材ｌの表面上に文字２およ
び極性マーク３の表示がそれぞれし・−ザーマーキング
方式で形成された場合が示され、レーザーマーキングさ
れたモールド樹脂部材１の表面には透明樹脂膜４がコー
ティングされ平坦化される。この表面処理によって、第
２図に示す如く、回路基板（図示しない）上に外部リー
ド端子５をロー付けし実装する際、吸着ノズル６が樹脂
表面と充分に密着できるので、従来生じていた吸気漏れ
の問題は解決される。
を示す半導体装置の斜視図および断面図である。本実施
例によれば、モールド樹脂部材ｌの表面上に文字２およ
び極性マーク３の表示がそれぞれし・−ザーマーキング
方式で形成された場合が示され、レーザーマーキングさ
れたモールド樹脂部材１の表面には透明樹脂膜４がコー
ティングされ平坦化される。この表面処理によって、第
２図に示す如く、回路基板（図示しない）上に外部リー
ド端子５をロー付けし実装する際、吸着ノズル６が樹脂
表面と充分に密着できるので、従来生じていた吸気漏れ
の問題は解決される。
第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す半導体装置の断面図およびその吸着ノズルによ
る吸着状態図である。本実施例によれば、モールド樹脂
１の表面には発色材を含有する厚さ約１０ＬＬｍの感光
性樹脂膜７が被着され、紫外線のマスク照射によって文
字または極性マークを平坦に露光形成した場合が示され
る。
例を示す半導体装置の断面図およびその吸着ノズルによ
る吸着状態図である。本実施例によれば、モールド樹脂
１の表面には発色材を含有する厚さ約１０ＬＬｍの感光
性樹脂膜７が被着され、紫外線のマスク照射によって文
字または極性マークを平坦に露光形成した場合が示され
る。
以上いずれの実施例の場合でも、使用する吸着ノズルの
先端部は、外径０．５ｍｍψ、内径（］、ｂｗａ＋φの
寸法形状を有しているが、いずれの表面構造を採用して
も、吸気の漏れを生じることなく安定して吸着移送させ
ることが可能である。
先端部は、外径０．５ｍｍψ、内径（］、ｂｗａ＋φの
寸法形状を有しているが、いずれの表面構造を採用して
も、吸気の漏れを生じることなく安定して吸着移送させ
ることが可能である。
［発明の効果１
以上詳細に説明したように本発明によれば、モールド樹
脂の表面には平坦な文字または極性マークの表示領域が
形成される。従って、吸着ノズルの吸着率を向上せしめ
ることができるので、生産効率の低下を防ぐことができ
る。
脂の表面には平坦な文字または極性マークの表示領域が
形成される。従って、吸着ノズルの吸着率を向上せしめ
ることができるので、生産効率の低下を防ぐことができ
る。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置の斜視図および断面図、第２図は上記
実施例半導体装置の吸着ノズルによる吸着状態図、第３
図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す半導体装置の断面図および吸着ノズルによる吸着状
態図である。 ｌ・・・モールド樹脂部材、 ２・−文字表示、３−・
・極性マーク表示、 ４・・・透明樹脂膜、５−・・
外部リード端子、 ６・・−吸着ノズル、７・・・感
光性樹脂膜。
を示す半導体装置の斜視図および断面図、第２図は上記
実施例半導体装置の吸着ノズルによる吸着状態図、第３
図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す半導体装置の断面図および吸着ノズルによる吸着状
態図である。 ｌ・・・モールド樹脂部材、 ２・−文字表示、３−・
・極性マーク表示、 ４・・・透明樹脂膜、５−・・
外部リード端子、 ６・・−吸着ノズル、７・・・感
光性樹脂膜。
Claims (3)
- （１）半導体チップを樹脂モールドする半導体装置にお
いて、前記樹脂モールド部材の表面に、樹脂により平坦
化される文字または極性マークからなる表示領域を備え
ることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記表示領域の文字または極性マークがインクの
捺印またはレーザーマーキングで形成され、透光性樹脂
のコーティング膜で平坦化されることを特徴とする請求
項（１）記載の半導体装置。 - （３）前記表示領域の文字または極性マークが発色感光
性樹脂膜の露光手段で平坦に形成されることを特徴とす
る請求項（１）記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237412A JPH04116955A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237412A JPH04116955A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116955A true JPH04116955A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17014987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237412A Pending JPH04116955A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116955A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023094A (en) * | 1998-01-14 | 2000-02-08 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
| US6036326A (en) * | 1997-02-25 | 2000-03-14 | Fujitsu Takamisawa Component Limited | Illuminated resinous button key with optical means for highlighting character formed on the key |
| KR100480834B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-04-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 레이저 마킹용 영구 테이프구조 |
| JP2007048989A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びそのマーキング方法 |
| JP2007221033A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7452732B2 (en) | 1996-01-11 | 2008-11-18 | Micron Technology, Inc. | Comparing identifying indicia formed using laser marking techniques to an identifying indicia model |
| JP2009245962A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置 |
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237412A patent/JPH04116955A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7452732B2 (en) | 1996-01-11 | 2008-11-18 | Micron Technology, Inc. | Comparing identifying indicia formed using laser marking techniques to an identifying indicia model |
| US6036326A (en) * | 1997-02-25 | 2000-03-14 | Fujitsu Takamisawa Component Limited | Illuminated resinous button key with optical means for highlighting character formed on the key |
| US6023094A (en) * | 1998-01-14 | 2000-02-08 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
| US6175162B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-01-16 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
| KR100337412B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2002-07-18 | 클라크 3세 존 엠. | 저면보호막을가진반도체웨이퍼,집적회로디바이스및그제조방법 |
| USRE38789E1 (en) | 1998-01-14 | 2005-09-06 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
| KR100480834B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-04-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 레이저 마킹용 영구 테이프구조 |
| JP2007048989A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びそのマーキング方法 |
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
| US8643177B2 (en) | 2006-01-11 | 2014-02-04 | Amkor Technology, Inc. | Wafers including patterned back side layers thereon |
| JP2007221033A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009245962A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置 |
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