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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anordnen von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger und einen Träger mit einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen.
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Aus den Dokumenten
JP 2002 - 026 041 A ,
US 2014 / 0 110 712 A1 ,
EP 2 059 112 A1 und
WO 2011 / 154 033 A2 sind Verfahren zum Anordnen einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger und Träger mit einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen bekannt.
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Zur Herstellung elektronischer Bauelemente, wie beispielsweise optoelektronischer Bauelemente oder mikroelektromechanische Bauelemente, ist es notwendig, beispielsweise zur Qualitätskontrolle der Bauelemente oder für eine Weiterverarbeitung dieser, die Position der Bauelemente auf einem Träger zu kennen. Um Daten aus einer Qualitätskontrolle einzelnen Bauelemente zuordnen zu können ist es vorteilhaft, wenn lediglich die Ansicht eines Teilbereichs des Trägers ausreicht, um die Position der jeweiligen Bauelemente auf dem Träger bestimmen zu können. Eigenständige Markierungen auf dem Träger zur Bestimmung der Position der Bauelemente, etwa durch Bestimmung von Koordinaten auf dem Träger, orientieren sich meist an einer Distanz zum Koordinatenursprung und verringern die Fläche zur Anordnung von Bauelementen auf dem Träger.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Anordnung von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger sowie einen Träger mit einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen anzugeben, die sich durch verbesserte Positionsbestimmung der Halbleiterstrukturelemente auf dem Träger auszeichnen.
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Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren und ein Erzeugnis gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Bei einem Verfahren zum Anordnen einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger wird zumindest ein Teil der Halbleiterstrukturelemente in mehreren Gruppen G angeordnet, wobei zumindest ein Halbleiterstrukturelement einer Gruppe G eine Eigenschaft E für eine Positionsbestimmung der jeweiligen Gruppe G von Halbleiterstrukturelementen auf dem Träger aufweist.
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Bei der Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen kann es sich um eine beliebige Anzahl von Halbleiterstrukturelementen handeln. Die Anzahl der Halbleiterstrukturelemente kann sehr hoch sein, beispielsweise mehr als 1000 betragen, typischerweise 20.000 bis 500.000 betragen, oder bis zu 1.000.000.000 betragen.
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Zur Identifikation einzelner Halbleiterstrukturelemente oder von Bereichen von Halbleiterstrukturelementen auf dem Träger wird vorteilhaft jedes Halbleiterstrukturelement einer Gruppe zugeteilt, wobei die Position jeder Gruppe auf dem Träger bekannt ist. Die Position einer Gruppe von Halbleiterstrukturelementen kann vorteilhaft durch die jeweilige Gruppe selbst markiert sein. Dies erweist sich als vorteilhaft, da es somit ausreichend ist zur Positionsbestimmung einer Gruppe, und somit von Halbleiterstrukturelementen innerhalb dieser Gruppe, nur einen Teilbereich des Trägers, insbesondere die Gruppe selbst, zu sehen, in welchem die zu lokalisierende Gruppe liegt. Mit anderen Worten ist es nicht notwendig zur Positionsbestimmung einer Gruppe oder eines einzelnen Halbleiterstrukturelements eine Markierung von Koordinaten auf dem Träger zu suchen, sondern die Position der Gruppe kann direkt von den Halbleiterstrukturelementen der Gruppe abgelesen werden. Hierzu weist zumindest ein Halbleiterstrukturelement der Gruppe eine Eigenschaft E auf, welche vorteilhaft zur Positionsbestimmung dient. So kann vorteilhaft auf zusätzliche Markierungen auf dem Träger, welche Auskunft über die Position auf dem Träger geben, verzichtet werden. Dadurch können Verluste der für die Anordnung von Halbleiterstrukturelementen brauchbaren Trägerfläche vorteilhaft verringert oder vermieden werden. Daher ist es vorteilhaft nicht nötig Abstände und die Anzahl der Halbleiterstrukturelemente abzuzählen, welche zwischen einer Markierung auf dem Träger und dem in seiner Position auf dem Träger zu bestimmenden Halbleiterstrukturelement liegen. Die Positionsbestimmung eines Halbleiterstrukturelements oder einer Gruppe von Halbleiterstrukturelementen kann vorteilhaft einfach erfolgen, wenn bei einer Betrachtung des Trägers, beispielsweise bei einer Analysemethode, nur ein Teilbereich des Trägers erfasst oder betrachtet werden kann.
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Weiterhin kann bei einer festgelegten Größe der Gruppe ein Halbleiterstrukturelement einer jeweiligen Gruppe zugeteilt werden. Hierbei ergeben sich vereinfachte Qualitätskontrollen, beispielsweise optische Kontrollen von Halbleiterstrukturelementen. Die Halbleiterstrukturelemente können vorteilhaft zu Kontrollzwecken auf einem Träger angeordnet werden und durch beispielsweise elektrische, optische oder mechanische Kontrollen untersucht und mit einem Kontrollsignal betrieben werden. Dadurch ist es möglich fehlerhafte Halbleiterstrukturelemente auf dem Träger zu lokalisieren.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Anordnen, dass eine Halbleiterschichtenfolge auf dem Träger hergestellt und zu den Halbleiterstrukturelementen strukturiert wird.
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Auf dem Träger kann zur Herstellung der Halbleiterstrukturelemente eine Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden, beispielsweise können Kristallschichten epitaktisch gewachsen werden. Beispielsweise umfasst der Träger ein Substrat. Nach dem Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge erfolgt vorteilhaft ein Strukturieren dieser, wobei beispielsweise Mesastrukturen in die Halbleiterschichtenfolge eingebracht werden. Es können auch vorteilhaft Trenngräben in die Halbleiterschichtenfolge eingebracht werden, welche sich bis zum Träger erstrecken und die Halbleiterstrukturelemente voneinander separieren. In weiterer Folge können weitere Prozessschritte erfolgen und die Halbleiterstrukturelemente beispielsweise mit Metallisierungen versehen werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Anordnen, dass eine Halbleiterschichtenfolge auf einem weiteren Träger hergestellt und zu den Halbleiterstrukturelementen strukturiert wird und die Halbleiterstrukturelemente von dem weiteren Träger abgelöst auf dem Träger angeordnet werden.
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Ein Herstellen von Halbleiterstrukturelementen kann auch vorteilhaft auf einem weiteren Träger erfolgen und die Halbleiterstrukturelemente nach deren Herstellung auf den Träger umgebondet werden. Dabei ist es vorteilhaft möglich, dass der weitere Träger ein Aufwachssubstrat umfasst, auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen wird. Nach dem Herstellen der einen Halbleiterschichtenfolge kann diese vorteilhaft auf dem weiteren Träger strukturiert werden, so dass beispielsweise Mesastrukturen in die Halbleiterschichtenfolge eingebracht werden. Es können auch vorteilhaft Trenngräben in die Halbleiterschichtenfolge eingebracht werden, welche sich bis zum weiteren Träger erstrecken und die Halbleiterstrukturelemente voneinander separieren.
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Durch einen Ablöseprozess können die Halbleiterstrukturelemente vom weiteren Träger entfernt werden und in einer Anordnung von Gruppen G auf dem Träger aufgebracht werden. Die Halbleiterstrukturelemente können beispielsweise auf dem Träger aufgebondet werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Halbleiterstrukturelemente als Halbleiterchips ausgebildet.
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Werden die Halbleiterstrukturelemente zu Halbleiterchips weiterprozessiert, können die Halbleiterchips je nach weiterverarbeitenden Prozess eine Eigenschaft E, welche sie vor der Weiterverarbeitung zu Halbleiterchips umfassten, weiterhin aufweisen oder nicht mehr aufweisen. Auch die Halbleiterchips können vorteilhaft zu Kontrollzwecken auf einem Träger angeordnet werden und durch beispielsweise elektrische, optische oder mechanische Kontrollen untersucht und mit einem Kontrollsignal betrieben werden, wobei Halbleiterchips eine Eigenschaft E entsprechend den Halbleiterstrukturelementen aufweisen können.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst eine Gruppe G eine Matrix aus n x m Halbleiterstrukturelementen, wobei n und m jeweils eine ganze Zahl sind und n und m kleiner oder gleich 100 sind.
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Die Wahl der Größe einer Gruppe erfolgt vorteilhaft über die Anzahl der Zeilen und Spalten einer Matrix, wobei die Halbleiterstrukturelemente der jeweiligen Gruppe vorteilhaft in einer Matrix angeordnet sind. Auf diese Weise kann zumindest ein Teil, vorteilhaft alle Halbleiterstrukturelemente auf dem Träger in Matrizen von Dimensionen n x m angeordnet sein. Die Matrizen können alle die gleiche Dimension oder unterschiedliche Dimensionen umfassen. Insbesondere weisen die Matrizen die Dimension 6x6 auf, also n = 6 und m = 6. Die Wahl einer nicht zu großen Matrix ist vorteilhaft, da bei einer mikroskopischen Betrachtung des Trägers mit den Halbleiterstrukturelementen vorteilhaft noch die gesamte Matrix sichtbar ist, welcher das betrachtete Halbleiterstrukturelement zugeordnet ist. Dadurch ist vorteilhaft eine sofortige Positionsbestimmung anhand aller Halbleiterstrukturelemente der Gruppe möglich. Insbesondere sind n und m kleiner oder gleich 10.
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Einer Gruppe G wird eine Kodierung zugeteilt, wobei die Kodierung der Gruppe basierend darauf erstellt wird, wie die Halbleiterstrukturelemente mit der Eigenschaft E in der jeweiligen Gruppe G angeordnet sind.
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Die Halbleiterstrukturelemente in einer Gruppe werden vorteilhaft je nachdem, ob sie die Eigenschaft E aufweisen oder nicht mit beispielsweise einem binären Zustand „1“ oder „0“ versehen. Folglich wird vorteilhaft zumindest einem Halbleiterchip aus einer Gruppe, insbesondere jedem Halbleiterstrukturelement der Gruppe, eine Zahl 0 oder 1 zugeteilt. Je nach Anordnung der Halbleiterstrukturelemente in der Gruppe ergibt sich eine Zahlenfolge von 0 und 1, was einer ganzen Zahl im Binärcode entspricht. Hierbei wird vorteilhaft die Anordnung von Halbleiterstrukturelementen entlang der ersten Zeile, anschließend entlang der zweiten Zeile und so weiter bis zum letzten Halbleiterstrukturelement der letzten Zeile berücksichtigt. Alternativ kann aber auch jede andere Reihenfolge der Halbleiterstrukturelemente berücksichtigt werden. Welche Halbleiterstrukturelemente innerhalb einer Gruppe die Eigenschaft E aufweisen kann vorteilhaft während oder nach der Anordnung der Halbleiterstrukturelemente festgelegt werden. Durch die Berechnung und Kodierung einer Prüfsumme kann eine Fehlerkorrektur innerhalb einer Gruppe erfolgen. Beispielsweise erfolgt eine Fehlerkorrektur bei einer Anordnung von 6x6 Halbleiterstrukturelementen so, dass die ersten 5x6 Halbleiterstrukturelemente der Kodierung der Position entsprechen und die letzten 6 Halbleiterstrukturelemente der Prüfsumme der ersten 5x6 Halbleiterstrukturelemente entsprechen.
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Weiterhin ist es möglich, dass die Halbleiterstrukturelemente mehr als eine Eigenschaft E aufweisen. Folglich kann ein Halbleiterstrukturelement mehr als zwei Zustände annehmen und mit einer Ternär-, Quaternär- oder höherwertigen Kodierung versehen werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist zumindest ein Halbleiterstrukturelement einer Gruppe G eine Markierung M auf, mittels welcher eine Anordnung der Halbleiterstrukturelemente als Gruppe G identifiziert werden kann.
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Bei der Markierung kann es sich beispielsweise um eine farbliche Kennzeichnung, eine Aufschrift, eine Oberflächenstruktur oder Ähnliches handeln. Auch das Fehlen eines Halbleiterstrukturelements kann eine Markierung darstellen. Das Halbleiterstrukturelement mit der Markierung zeigt beispielsweise den Beginn einer Gruppe auf dem Träger an. So kann vorteilhaft das äußerste Halbleiterstrukturelement links oben in der Gruppe die Markierung als Beginn der Gruppe aufweisen. Bei bekannter Größe der Gruppe können danach alle der Gruppe zugehörigen Halbleiterstrukturelemente klar zugeteilt werden. Es ist alternativ möglich, dass ein beliebiges Halbleiterstrukturelement aus der Gruppe die Markierung aufweist, wobei festgelegt sein muss, in welchem Bereich um das Halbleiterstrukturelement mit der Markierung herum die Halbleiterstrukturelemente noch zu der jeweiligen Gruppe gehören. Vorteilhaft können alle Markierungen aller Gruppen identisch sein. Es ist auch denkbar, dass mehrere Halbleiterstrukturelemente innerhalb einer Gruppe eine Markierung oder mehrere Markierungen aufweisen.
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Es ist weiterhin möglich, dass eine Markierung einer Gruppe mit mehreren Halbleiterstrukturelementen erfolgt, welche die Eigenschaft E aufweisen. Beispielsweise dient innerhalb einer Gruppe eine 2x2 Matrix mit Halbleiterstrukturelementen mit der Eigenschaft E an einer bestimmten Position, etwa in der linken oberen Ecke einer jeden Gruppe G, als eine Markierung der Gruppe. Dadurch erfolgt vorteilhaft eine klare Kennzeichnung einer Gruppe G. Es ist vorteilhaft nicht nötig, dass die Gruppen G Abgrenzungen oder vergrößerte Abstände zueinander aufweisen.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wiederholt sich eine Anordnung von Gruppen G mehrmals auf dem Träger, wobei die Gruppen eine bestimmte Anordnung von Halbleiterstrukturelementen mit der Eigenschaft E aufweisen.
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Die Halbleiterstrukturelemente auf dem Träger können eine sich auf dem Träger wiederholende Anzahl N von Gruppen G aufweisen, wobei die Gruppen der Anzahl N jeweils Halbleiterstrukturelemente mit Eigenschaften E aufweisen, so dass die Eigenschaften E innerhalb der Gruppe stets gleich verteilt ist und die Position der Gruppe innerhalb der Anzahl der Gruppen stets identisch ist. Beispielsweise wiederholt sich eine benachbarte Anordnung von vier Gruppen mehrmals auf dem Träger, wobei in jeder Anordnung jede der vier Gruppen jeweils identisch im Bezug auf die Verteilung der Eigenschaft E und der Position der Gruppe innerhalb der Anordnungen ist. Es ist vorteilhaft möglich, die Anordnung von vier Gruppen, also die sich wiederholende Anzahl N, einfach bei einer Analysemethode auf dem Träger zu finden und zur Positionsbestimmung zu verwenden. Die Ausbildung der sich wiederholenden Anzahl N kann beispielsweise durch Lithographieverfahren erfolgen.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gruppen G auf dem Träger so angeordnet, dass benachbarte Gruppen einen Abstand zueinander aufweisen, welcher größer ist als der Abstand der Halbleiterstrukturelemente innerhalb einer Gruppe.
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Zur Trennung von benachbarten Gruppen auf dem Träger kann vorteilhaft der Abstand zwischen den Gruppen ausgebildet werden, so dass eine Abgrenzung der Gruppen untereinander klar erkennbar ist. Dies kann vorteilhaft erzielt werden, indem Halbleiterstrukturelemente innerhalb der Gruppen mit einem Abstand zueinander angeordnet werden, der vorteilhaft kleiner ist als der Abstand der Gruppen zueinander. Dabei ist es vorteilhaft möglich die Halbleiterstrukturelemente innerhalb der Gruppen mit den gleichen Abständen zueinander anzuordnen, um die Zugehörigkeit der jeweiligen Halbleiterstrukturelemente zu der entsprechenden Gruppe einfach und schnell durchführen zu können.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Abgrenzung zwischen den Gruppen G auf dem Träger angeordnet.
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Es wird vorteilhaft zumindest zwischen zwei Gruppen eine Abgrenzung angeordnet. Es ist auch möglich eine Abgrenzung zwischen allen Gruppen auf dem Träger anzuordnen. Die Abgrenzung kann auch um zumindest eine Gruppe herum, diese umgebend angeordnet sein. Vorteilhaft weisen die Gruppen, zwischen welchen eine Abgrenzung angeordnet ist, keinen vergrößerten Abstand zueinander auf als im Falle, dass keine Abgrenzung zwischen den jeweiligen Gruppen vorhanden ist. Mittels einer Abgrenzung kann vorteilhaft eine Gruppe von einer anderen separiert sein.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Eigenschaft E eine Helligkeit oder eine Helligkeitsstufe des Halbleiterstrukturelements oder eines Teilbereichs eines Halbleiterstrukturelements.
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Wird die Helligkeit des Halbleiterstrukturelements als die Eigenschaft E zur Bestimmung der Position der Gruppe von Halbleiterstrukturelementen auf dem Träger bestimmt, so kann vorteilhaft von jedem Halbleiterstrukturelement aus der jeweiligen Gruppe die Information darüber verwendet werden, ob das Halbleiterstrukturelement hell oder dunkel erscheint. Beispielsweise kann jeder Gruppe ein Binärcode zugeteilt werden, betreffend die Anordnung von hell und dunkel erscheinenden Halbleiterstrukturelementen in der Gruppe. Die Anordnung der hellen und dunklen Halbleiterchips kann vorteilhaft vorgegeben werden um die Position der jeweiligen Gruppe bestimmen zu können. Weiterhin kann das Halbleiterstrukturelement auch eine Helligkeitsstufe wie hell, mittel-hell und dunkel, oder weitere Zwischenstufen aufweisen, wobei die einzelnen Helligkeitsstufen einer der Eigenschaften E entsprechen.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Eigenschaft E eine geometrische Form des Halbleiterstrukturelements.
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Die Halbleiterstrukturelemente oder deren Teilbereiche können vorteilhaft, in Draufsicht gesehen, eine vorgegebene oder prinzipiell beliebige Form aufweisen. Betreffend die Eigenschaft E des zur Positionsbestimmung beitragenden Halbleiterstrukturelements oder eines Teilbereichs davon kann es sich bei der vorgegebenen Form beispielsweise um eine rechteckige, kreis- oder ellipsenförmige oder Stufenform handeln. Auch weitere Formen sind denkbar. Wiederum kann vorteilhaft jeder Anordnung von Halbleiterstrukturelementen innerhalb einer Gruppe eine Kodierung zugeteilt werden.
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Die Eigenschaft E ist eine Abweichung von einer homogenen Anordnung von Halbleiterstrukturelementen.
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Die Halbleiterstrukturelemente können vorteilhaft innerhalb einer Gruppe in Zeilen und Spalten einer Matrix angeordnet werden. Weiterhin ist es möglich, dass einzelne Halbleiterstrukturelemente von der geraden Anordnung innerhalb einer Zeile verschoben angeordnet sind. Die Halbleiterstrukturelemente innerhalb einer Gruppe können sich beispielsweise untereinander nur dadurch unterscheiden, ob sie in einer Zeile positionsverschoben sind oder nicht. Die Verschiebung kann vorteilhaft in alle Richtungen des zweidimensionalen Trägers erfolgen, wobei ein Halbleiterstrukturelement nur um eine Distanz verschoben ist, welche vorteilhaft geringer ist als der Abstand zwischen den Halbleiterstrukturelementen innerhalb einer Gruppe. Ein verschobenes Halbleiterstrukturelement weist somit die Eigenschaft E zur Bestimmung der Position auf dem Träger auf. Wiederum kann vorteilhaft jeder Anordnung von Halbleiterstrukturelementen innerhalb einer Gruppe bezüglich der Eigenschaft E eine Kodierung zugeteilt werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Eigenschaft E eine rotierte Anordnung des Halbleiterstrukturelements.
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Die Halbleiterstrukturelemente können vorteilhaft in einer Matrix in einer Gruppe angeordnet werden, wobei diejenigen Halbleiterstrukturelemente die Eigenschaft E aufweisen, welche in Draufsicht auf den Träger um eine Achse verdreht sind, wobei die Achse senkrecht auf dem Träger steht. Die Verdrehung der Halbleiterstrukturelemente kann vorteilhaft für alle Halbleiterstrukturelemente mit der Eigenschaft E gleich sein, innerhalb nur einer Gruppe gleich sein oder innerhalb einer Gruppe verschieden sein. Die Eigenschaft E kann vorteilhaft auch nur als Verdrehung an sich erkannt werden oder unterschiedliche Drehwinkel berücksichtigen. Wiederum kann vorteilhaft jeder Anordnung von Halbleiterstrukturelementen innerhalb einer Gruppe eine Kodierung zugeteilt werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzprozesses.
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Durch einen Ätzprozess kann die Halbleiterschichtenfolge mit Trenngräben oder Mesastrukturen versehen werden. Es ist weiterhin möglich, dass einzelne Halbleiterstrukturelemente abgetragen werden. Auf diese Weise kann auch ein Fehlen eines Halbleiterstrukturelements als eine Markierung, etwa einer Gruppe G, verwendet werden.
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Der Träger umfasst eine Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen, welche auf dem Träger angeordnet sind, wobei zumindest ein Teil der Halbleiterstrukturelemente in Gruppen G angeordnet ist, und zumindest ein Halbleiterstrukturelement einer Gruppe G eine Eigenschaft E für eine Positionsbestimmung der jeweiligen Gruppe G auf dem Träger aufweist.
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Bei der Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen kann es sich um eine beliebige Anzahl von Halbleiterstrukturelementen handeln, welche auf dem Träger vorteilhaft zur Emission von Licht verschaltet sind. Die Halbleiterstrukturelemente können beispielsweise Halbleiterchips wie etwa lichtemittierende Dioden umfassen. Die Anordnung der Halbleiterstrukturelemente auf dem Träger ermöglicht vorteilhaft vereinfachte Qualitätskontrollen, beispielsweise optische Kontrollen von Halbleiterchips. Die Halbleiterstrukturelemente können beispielsweise mittels Photolumineszenz, Elektronenstrahlmikroskopie oder Oberflächenanalysen kontrolliert werden. Die Halbleiterstrukturelemente können vorteilhaft zu Kontrollzwecken auf einem Träger mit einem Kontrollsignal betrieben werden. Es ist möglich, dass mittels eines ersten Analyseschrittes eine Positionsbestimmung erfolgt, beispielsweise mittels optischer Mikroskopie, und mit einem weiteren Schritt eine Qualitätskontrolle oder eine Bearbeitung der Halbleiterstrukturelemente erfolgt.
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Die Anzahl der Halbleiterstrukturelemente kann sehr hoch sein, beispielsweise mehr als 1000 betragen, typischerweise 20.000 bis 500.000 betragen, oder bis zu 1.000.000.000 betragen.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Trägers und damit verbundene Vorteile ergeben sich aus der Beschreibung des Verfahrens und werden daher nicht nochmals erläutert.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Trägers sind die Gruppen G in einem Abstand zueinander auf dem Träger angeordnet, wobei der Abstand größer ist als der Abstand der Halbleiterstrukturelemente innerhalb einer Gruppe G.
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Zur Trennung von benachbarten Gruppen auf dem Träger kann vorteilhaft ein Abstand zwischen den Gruppen ausgebildet werden, so dass eine Abgrenzung der Gruppen untereinander klar erkennbar ist. Dabei ist es vorteilhaft möglich, dass die Halbleiterstrukturelemente innerhalb der Gruppen mit den gleichen Abständen zueinander angeordnet sind, damit sich eine klare Zugehörigkeit der jeweiligen Halbleiterstrukturelemente zu der entsprechenden Gruppe ergibt.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Trägers ist eine Abgrenzung zwischen den Gruppen G auf dem Träger angeordnet.
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Eine Abgrenzung von Gruppen untereinander kann vorteilhaft mittels einer Abgrenzung erzielt sein, welche zumindest zwischen zwei benachbarten Gruppen oder zwischen mehreren Gruppen oder alle Gruppen umgebend angeordnet ist. Vorteilhaft weisen die Gruppen, zwischen welchen eine Abgrenzung angeordnet ist entweder keinen vergrößerten Abstand zueinander auf als im Falle, dass keine Abgrenzung zwischen den jeweiligen Gruppen vorhanden ist, oder die Abgrenzung ist in einem verbreiterten Abstand zwischen den angrenzenden Gruppen angeordnet.
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Mittels einer Abgrenzung kann vorteilhaft eine Gruppe von einer anderen separiert sein oder es kann eine Gruppe von einer willkürlich angeordneten Menge von Halbleiterstrukturelementen abgegrenzt sein.
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Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
- 1 zeigt eine Anordnung von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger in Gruppen in einer Draufsicht auf den Träger.
- 2 zeigt Halbleiterstrukturelemente in einer Gruppe.
- 3, 4, 5a und 5b zeigen die Anordnung von Gruppen zueinander.
- 6a und 6b zeigen weitere mögliche Anordnungen von Halbleiterstrukturelementen auf dem Träger.
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Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die in den Figuren dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
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Die 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Träger 1, wobei es sich bei dem Träger 1 vorteilhaft um einen Wafer handeln kann. Auf dem Träger 1 sind Gruppen G von Halbleiterstrukturelementen angeordnet. Die 1 zeigt eine Anordnung, bei welcher alle Halbleiterstrukturelemente des Trägers 1 in Gruppen G angeordnet sind. Folglich kann vorteilhaft jedes Halbleiterstrukturelement, welches auf dem Träger 1 angeordnet ist, einer Gruppe G zugeordnet werden. Die Gruppen G sind in einem rechteckigen Muster angeordnet. Alternativ ist es auch denkbar, dass eine Vielzahl von Gruppen G in beliebiger Weise auf dem Träger 1 angeordnet sind. Der Träger 1 ist in der 1 kreisrund, kann jedoch beliebiger Form sein.
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Die 2 zeigt eine Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2 innerhalb einer Gruppe G, wobei die Halbleiterstrukturelemente 2 eine Matrix mit 4 Zeilen und 4 Spalten bilden. Ein Teil der Halbleiterstrukturelemente 2 der Gruppe G weist eine Eigenschaft E auf. Bei der Eigenschaft E handelt es sich beispielsweise um die Helligkeit des jeweiligen Halbleiterstrukturelements 2. So kann etwa die Eigenschaft E einem Halbleiterstrukturelement 2 dann zugeordnet werden, wenn das Halbleiterstrukturelement dunkel erscheint. Auch der umgekehrte Fall ist möglich, falls die Eigenschaft als helles Erscheinungsbild des Halbleiterstrukturelements festgelegt wird. Aus einer Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2, welche die Eigenschaft E als dunkel erscheinende Halbleiterstrukturelemente aufweisen, kann der Gruppe G ein Binärcode zugeordnet werden. So wird gemäß der 2 die erste Zeile mit von links nachfolgend einer Abfolge von einem dunklen, einem hellen, einem dunklen und wieder einem dunklen Halbleiterstrukturelement als Binärcode 1011 für die erste Zeile erfasst. Für die Zweite Zeile ergibt sich ein Binärcode von 0011, für die dritte Zeile 0100 und für die vierte Zeile 1000. Nach einer Aneinanderreihung der Binärcodes für die Zeilen ergibt sich ein Gesamtcode 1011001101001000, was zu einer Dezimalzahl 45896 umgerechnet werden kann. Falls bekannt ist, an welcher Position auf dem Träger die Gruppe G mit dem Code 45896 angeordnet ist, kann bei einer Betrachtung der Gruppe diese auf dem Träger lokalisiert werden, ohne weitere Gruppen oder eine Markierung auf dem Träger zu sehen, von welcher Koordinaten auf dem Träger abgelesen werden könnten. Auf diese Weise kann vorteilhaft jeder Gruppe G ein eigener Binärcode zur Positionsbestimmung zugeordnet werden und jedes Halbleiterstrukturelement dieser Gruppe auf dem Träger lokalisiert werden.
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Die 3 zeigt vier Gruppen G von Halbleiterstrukturelementen 2 in einer Draufsicht, wobei die Gruppen jeweils einen Abstand D zwischen einander aufweisen. Der Abstand D ist vorteilhaft größer als der Abstand der Halbleiterstrukturelemente 2 untereinander innerhalb einer Gruppe G. Jede Gruppe umfasst eine Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2 in vier Zeilen und vier Spalten. Ein Teil der Halbleiterstrukturelemente 2 innerhalb einer Gruppe G weist vorteilhaft eine Eigenschaft E auf. Gemäß der Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2 mit der Eigenschaft E in einer Gruppe G kann jeder Gruppe ein Binärcode zugeteilt werden, wobei sich die Codes der Gruppen gegenseitig unterscheiden. Durch den Abstand D ist vorteilhaft eine Zuordnung eines jeden Halbleiterstrukturelements 2 zu einer Gruppe G möglich.
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Die 4 zeigt die vier Gruppen G von Halbleiterstrukturelementen 2 aus der 3, wobei der Abstand D zwischen den Gruppen G nicht größer ist als der Abstand der Halbleiterstrukturelemente 2 untereinander innerhalb einer Gruppe G. Auf diese Weise wird vorteilhaft eine platzsparende Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2 auf einem Träger erzielt, allerdings ist die Abgrenzung der Gruppen G untereinander erschwert. Die Gruppe weist eine Markierung M auf, welche vorteilhaft den Beginn einer Gruppe G von Halbleiterstrukturelementen 2 anzeigt. Beispielsweise umfasst jeweils das erste Halbleiterstrukturelement 2, welches in der linken oberen Ecke der Matrix einer Gruppe angeordnet ist, die Markierung M. Die Markierung kann alternativ auch auf einem beliebigen Halbleiterstrukturelement 2 angeordnet sein. Die Markierung M kann einen Schriftzug, einen vertikalen Strich oder ähnliches umfassen. Es ist vorteilhaft nicht notwendig, dass das Halbleiterstrukturelement 2, welches mit der Markierung M versehen ist, die Eigenschaft E umfasst. Allerdings ist es auch denkbar, dass das Halbleiterstrukturelement 2 mit der Markierung auch die Eigenschaft E umfasst.
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Die 5a zeigt die vier Gruppen G von Halbleiterstrukturelementen 2 aus der 3, wobei zwischen den Gruppen G ein Abstand D vorhanden ist und eine Abgrenzung 4 zwischen den Gruppen angeordnet ist. In der 5a ist der Abstand D wegen der Abgrenzung 4 nicht verbreitert, hierbei ist allerdings eine Verkleinerung oder Vergrößerung des Abstands D denkbar. Durch die Abgrenzung 4 sind die Gruppen G deutlich voneinander abgegrenzt.
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Die 5b zeigt vier Gruppen G von Halbleiterstrukturelementen 2, wobei eine Markierung einer Gruppe mit Halbleiterstrukturelementen 2 erfolgt, welche die Eigenschaft E aufweisen. Eine 2x2 Matrix in der linken oberen Ecke einer jeden Gruppe G umfasst vorteilhaft Halbleiterstrukturelemente 2, welche alle dunkel erscheinen, wobei ein dunkel erscheinendes Halbleiterstrukturelement 2 als die Eigenschaft E aufweisend registriert wird. Dadurch erfolgt vorteilhaft eine klare Kennzeichnung einer Gruppe G. Es ist vorteilhaft nicht nötig, dass die Gruppen G Abgrenzungen oder vergrößerte Abstände zueinander aufweisen. In der 5b ist eine Gruppe G nur zur Illustration mit einer gestrichelten Linie gekennzeichnet. Zur Kennzeichnung einer Gruppe wird vorteilhaft die 2x2 Matrix mit den dunkel erscheinenden Halbleiterstrukturelementen 2 nicht an anderen Positionen innerhalb derselben Gruppe G wiederholt und auch nicht innerhalb derselben Gruppe zuzüglich den am Rand der benachbarten Gruppen befindlichen Halbleiterstrukturelementen wiederholt. Alternativ sind auch andere bestimmte Anordnungen von Chips mit Eigenschaft E denkbar, die nur am Beginn einer Gruppe vorkommen.
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Die 6a zeigt eine Anordnung von Halbleiterstrukturelementen 2 in einer Matrix einer Gruppe G. Die Eigenschaft E zur Positionsbestimmung umfasst ein Halbleiterstrukturelement 2, welches von einer geraden Anordnung in einer Zeile der Matrix verschoben ist. Die Verschiebung ist vorteilhaft geringer als der gegenseitige Abstand der Halbleiterstrukturelemente 2 innerhalb der Matrix und groß genug, damit die Verschiebung bei einer Betrachtung der Matrix sofort erkannt werden kann. Die Verschiebung der Halbleiterstrukturelemente 2 mit der Eigenschaft E erfolgt in der 6a aus der Zeile, in welcher das jeweilige Halbleiterstrukturelement 2 angeordnet ist, zur darunter benachbarten Zeile.
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Die 6b zeigt Halbleiterstrukturelemente 2, wobei die Halbleiterstrukturelemente 2 eine Eigenschaft E zur Positionsbestimmung aufweisen, wenn sie gegenüber einem gerade angeordneten Halbleiterstrukturelement 2, wie dem äußerst linken Halbleiterstrukturelement der 6b, verdreht sind. Die Richtung der Rotation ist vorteilhaft beliebig und kann unterschiedliche Drehwinkel umfassen. Es ist vorteilhaft möglich, dass allein die Verdrehung eines Halbleiterstrukturelements 2 ausreicht, um ihm die Eigenschaft E zuzuordnen. So müssen die jeweiligen Halbleiterstrukturelemente nicht alle genau um den gleichen Drehwinkel in die gleiche Richtung gedreht sein um die Eigenschaft E aufzuweisen. Weiterhin ist es möglich, dass bestimmte Drehwinkel die Eigenschaften E ausmachen und den Halbleiterstrukturelementen zugeordnet werden.
