DE102014109230B4 - Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors - Google Patents

Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors Download PDF

Info

Publication number
DE102014109230B4
DE102014109230B4 DE102014109230.9A DE102014109230A DE102014109230B4 DE 102014109230 B4 DE102014109230 B4 DE 102014109230B4 DE 102014109230 A DE102014109230 A DE 102014109230A DE 102014109230 B4 DE102014109230 B4 DE 102014109230B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
detector
leadframe
emitter
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102014109230.9A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014109230A1 (de
Inventor
James Costello
Rani Ramamoorthy Saravanan
Boon Keat Tan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Original Assignee
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/934,132 external-priority patent/US9525093B2/en
Application filed by Avago Technologies International Sales Pte Ltd filed Critical Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Publication of DE102014109230A1 publication Critical patent/DE102014109230A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014109230B4 publication Critical patent/DE102014109230B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
    • G01D5/34707—Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
    • G01D5/34715—Scale reading or illumination devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/28—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication
    • G01D5/30—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication the beams of light being detected by photocells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

Verfahren zum Anfertigen eines optischen Sensors (10), aufweisend:
Montieren eines Lichtemitters (16) an ein Substrat (11), wobei der Lichtemitter (16) einen Halbleiteremitterchip (2116) aufweist, welcher eine Hauptemitteroberfläche hat;
Montieren eines Lichtdetektors (12) an das Substrat (11), wobei der Lichtdetektor (12) von dem Lichtemitter (16) an dem Substrat (11) beabstandet ist, wobei der Lichtdetektor (12) einen Halbleiterdetektorchip (2112) aufweist, welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat;
Formen oder Platzieren einer ersten Lichtpassage-Komponente (31) über zumindest Abschnitten des Lichtemitters (16), wobei die erste Lichtpassage-Komponente (31) erste externe Oberflächen (40, 42, 47) aufweist;
Formen oder Platzieren einer zweiten Lichtpassage-Komponente (32) über zumindest Abschnitten des Lichtdetektors (12), so dass zumindest Abschnitte der ersten Komponente (31) und der zweiten Komponente (32) mittels eines Spalts (34) separiert sind, wobei die zweite Lichtpassage-Komponente (32) zweite externe Oberflächen (41, 43, 46) aufweist, wobei der Spalt (34) aus einer Lücke von Material resultiert, wobei der Spalt (34) geformt ist mittels Erstreckens eines Einschnitts einwärts vorbei an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche bis zu einem Basisendpunkt des Einschnitts;
Formen oder Platzieren einer entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) über einer ersten Maskierungsregion (26A) und einer zweiten Maskierungsregion (26B) der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46);
Formen oder Platzieren einer Schicht (33) eines Licht-dämpfenden oder blockierenden Materials über zumindest Abschnitten der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46), welche angrenzend zu dem Spalt (34) angeordnet sind, wobei das Licht-dämpfende Material konfiguriert ist, Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren und dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) im Wesentlichen vermeidet; und
Entfernen der entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) von der ersten Maskierungsregion (26A) und der zweiten Maskierungsregion (26B) der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46);
wobei das Substrat (11) ein Leadframe ist, welcher einen ersten Abschnitt (1418A) hat, wo der Halbleiteremitterchip (2116) montiert ist, und einen zweiten Abschnitt (1418B) hat, wo der Halbleiterdetektorchip (2112) montiert ist, und
wobei der optische Sensor (10) ferner aufweist ein sequentielles Paar von komplementären gegenüberliegenden Biegungen in dem Leadframe angrenzend zu einem von dem ersten Abschnitt (1418A) und dem zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes.

Description

  • Hintergrund
  • Optische Nähesensoren, wie zum Beispiel der AVAGO TECHNOLOGIES® HSDL-9100 Oberflächenbefestigung-Nähesensor („surface-mount proximity sensor“), der AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9101 integrierte reflektierende Sensor („integrated reflective sensor“), der AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9120 integrierte optische Nähesensor („integrated optical proximity sensor“) und der AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9800 integrierte Umgebungslicht und Nähesensor („integrated ambient light and proximity sensor“) sind aus dem Stand der Technik bekannt. Solche Sensoren weisen üblicherweise einen integrierten Hochleistungsinfrarotemitter („integrated high efficiency infrared emitter“) oder eine Lichtquelle und eine korrespondierende Photodiode oder einen Lichtdetektor auf und werden in einer großen Anzahl von in der Hand gehaltenen elektronischen Vorrichtungen benutzt, wie zum Beispiel Mobiltelefone, Personal Digital Assistants („PDAs“), Laptop- und tragbare Computer, tragbare und in der Hand gehaltene Vorrichtungen, Unterhaltungs- und Warenautomaten, Industrieautomatisierungsanlagen und Ausrüstung, kontaktlose Schalter, Gesundheitsautomatisierungsanlagen und Ausrüstung und dergleichen.
  • Bezugnehmend auf 1, ist ein optischer Nähesensor 10 gemäß dem Stand der Technik gezeigt, welcher einen Infrarotlichtemitter 16, einen Lichtemittertreiberschaltkreis 51, einen Lichtdetektor oder eine Photodiode 12, einen Lichtdetektorabtastschaltkreis („light detector sensong circuit“) 53, ein Metallgehäuse oder Abschirmung 18 mit Blendenöffnungen 55 und 57 und ein abzutastendes Objekt 60 aufweist. Lichtstrahlen 15, welche mittels Emitter 16 emittiert werden und als Lichtstrahlen 19 von Objekt 60 reflektiert werden (welches in relativ naher Nähe vom optischen Nähesensor 10 ist), werden mittels Photodiode 12 detektiert und stellen dadurch eine Indikation dar, dass ein Objekt 60 dicht oder nahe bei Sensor 10 ist.
  • Wie ferner in 1 gezeigt, weist der optische Nähesensor 10 ferner Metallgehäuse oder Abschirmung 18 auf, welche aus Metall ausgebildet ist und die Blendenöffnungen 55 und 57 aufweist, welche über den Lichtemitter 16 bzw. den Lichtdetektor 12 lokalisiert sind, so dass zumindest ein erster Teil des Lichts 15, welches mittels Lichtemitter 12 emittiert wird, durch die Blendenöffnung 55 hindurch passiert und zumindest ein zweiter Teil des ersten Teils 19 des Lichts, welches von Objekt 50 in der Nähe von Sensor 10 reflektiert wird, durch die Blendenöffnung 57 hindurch, zum Detektieren mittels Lichtdetektor 12, passiert. Wie gezeigt, mögen Metallgehäuse oder Abschirmung 18 ferner erste und zweite Module 61 und 63 aufweisen, innerhalb welcher Lichtemitter 16 bzw. Lichtdetektor 12 angeordnet sind. Die ersten und zweiten Module 61 und 63 weisen angrenzende optisch opake Metallinnenseitenwände 25 auf, um eine optische Isolation zwischen ersten und zweiten Modulen 61 und 63 bereitzustellen.
  • Viele optische Nähesensoren umfassen im Allgemeinen eine Metallabschirmung, wie zum Beispiel Abschirmung oder Gehäuse 18 von der in 1 gezeigten Sorte, um optische Isolation zwischen Lichtemitter 16 und Lichtdetektor oder Photodiode 12 bereitzustellen, so dass unerwünschtes optisches Übersprechen zwischen Emitter 16 und Detektor 12 minimiert ist. Siehe zum Beispiel die Datenblätter korrespondierend zu dem AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9120 vorläufigen Datenblatt zu integrierten optischen Sensoren („Integrated Optical Sensors Preliminary Datasheet“) und zu dem AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9800 vorläufigen Datenblatt zu integrierten Umgebungslicht und Nähesensoren („Integrated Ambient Light and Proximity Sensors Preliminary Datasheet“), von denen jedes hiermit mittels Referenz hierin aufgenommen ist, jedes in seiner entsprechenden Gesamtheit.
  • Die Menge von reflektierter, gebeugter oder gebrochener Infrarotstrahlung und unerwünschtem Übersprechen oder Interferenz zwischen Lichtemitter 16 und Lichtdetektor 12 mag auch verschärft werden durch die Gegenwart eines über Sensor 10 angeordneten Fensters 10, das in manchen Anwendungen als Teil eines tragbaren oder anderen Sorte von elektronischer Vorrichtung bereitgestellt ist, in der Nähesensor 10 angeordnet und montiert ist.
  • 2 zeigt einen Nähesensor 10 gemäß dem Stand der Technik mit Metallabschirmung oder Gehäuse 18. Der in 2 gezeigte optische Nähesensor ist ein AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9120 integrierter optischer Nähesensor („Integrated optical Proximity Sensor“), der ein gemoldetes Kunststoffsubstrat 11 enthält, auf dem LED 16 und Lichtdetektor oder Photodiode 12 montiert sind. Die Einzelteilmetallabschirmung 18 bedeckt LED 16 und Lichtdetektor oder Photodiode 12 und enthält eine dazwischen angeordnete abwärts überstehende Lichtbarriere 65 (in 2 nicht gezeigt). Elektrische Kontakte 17 stellen ein Mittel bereit, elektrische Verbindungen zwischen Nähesensor 10 und externen Vorrichtungen zu schaffen. In dem APDS-9120 optischen Nähesensor ist die Metallabschirmung 18 unter Verwenden konventioneller Metallstanztechniken ausgebildet und gedünnt und ist an das unterliegende Plastiksubstrat 11 mittels Klebens befestigt. Der APDS-9120 Sensor hat eine Fläche von nur 4 mm auf 4 mm, und ist demnach recht klein.
  • 3 zeigt einen Nähesensor 10 gemäß dem Stand der Technik mit einer komplizierteren Metallabschirmung oder Gehäuse 18 als der aus 2. Der in 3 gezeigte optische Nähesensor ist ein AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9800 integrierter Umgebungslicht und Nähesensor, der ein gedruckte Leiterplatte („PCB“) Substrat 11 enthält, auf dem LED 16, Lichtdetektor oder Photodiode 12 und Umgebungslichtsensor 14 montiert sind. Die Einzelteilmetallabschirmung 18 bedeckt LED 16, Lichtdetektor oder Photodiode 12 und Umgebungslichtsensor 14 und enthält eine dazwischen angeordnete abwärts überstehende Lichtbarriere 65. In dem APDS-9800 optischen Nähesensor ist die Metallabschirmung 18, welche aus einer beträchtlich komplizierteren Form und Geometrie ist als die aus 2, unter Verwenden weiter fortgeschrittener progressiver Metallstanztechniken („metal stamping techniques“) ausgebildet und gedünnt und muss von Hand angeordnet und an die unterliegende PCB mittels Klebens angebracht werden, um eine exakte Ausrichtung und Passform sicherzustellen.
  • Wie jetzt verstanden wird, beruhen zumindest einige optische Nähesensoren gemäß dem Stand der Technik auf dem Verwenden einer extern montierten Metallabschirmung 18, die benötigt ist, um die Menge von Übersprechen oder Interferenz zu reduzieren, die sonst zwischen LED 16 und Lichtdetektor 12 auftritt, genauso wie um die Detektierentfernung der Vorrichtung zu erhöhen. Metallabschirmungen 18 sind recht klein, das macht es schwierig sie in großen Mengen herzustellen, und deshalb teuer zu fabrizieren. Solche Metallabschirmungen 18 benötigen auch im Allgemeinen teures automatisiertes Equipment, um dieselben in einem Massenproduktionsaufbau an Sensoren 10 zu befestigen. Zudem variiert die Qualität von Metallabschirmungen 18 oft und gewöhnlich treten Probleme mit Zulieferern auf, welche außer Stande sind die engen Dimensionstoleranzen einzuhalten, die für solche kleinen Vorrichtungen benötigt werden. Metallabschirmungen 18 können sich auch von Sensor 10 lösen, wodurch ein weiterer Fehlerpunkt von Sensor 10 hinzugefügt wird.
  • US 2011 / 0 204 233 A1 und US 2010 / 0 258 710 A1 offenbaren einen optischen Nähesensor mit einem IR Lichtemitter und einem IR Lichtdetektor. Der IR Lichtemitter und der IR Lichtdetektor sind jeweils von einer optisch durchlässigen Komponente bedeckt. Zwischen dem IR Lichtemitter mit der entsprechenden optisch durchlässigen Komponente und dem IR Lichtdetektor mit der entsprechenden optisch durchlässigen Komponente ist ein Einschnitt ausgebildet. Um ein unerwünschtes direktes Übersprechen zwischen dem IR Lichtemitter und dem IR Lichtdetektor zu vermeiden, sind Schichten aus einem optisch nicht durchlässigen Material an zumindest einigen externen Oberflächen ausgebildet, welche den Einschnitt bilden.
  • US 2012 / 0 070 145 A1 offenbart ein Kameramodul, welches einen Halbleiterchip, eine Bildererfassungsschaltung, eine Linse und eine Blende umfasst. Eine äußere Oberfläche des Kameramoduls ist mit einer lichtundurchlässigen Schicht versehen.
  • JP S63 308 973 A offenbart eine Reflex-Lichtschranke, bei der lichtemittierende Elemente und lichtdetektierende Elemente auf einem Leadframe montiert sind. Die verschiedenen Elemente sind mittels eines optisch transparenten Harzes monolithisch vergossen, wobei ein Teilbereich der Harz-Vergussmasse einem lichtemittierenden Element und ein anderer Teilbereich der Harz-Vergussmasse einem lichtdetektierenden Element zugeordnet ist. Die Oberflächen der verschiedenen Teilbereiche sind mit einem lichtundurchlässigen Film bedeckt.
  • DD 1 60 263 A1 offenbart einen Mikro-Reflexkoppler, bei dem auf einem waagrechten Einheitsträgerstreifen alternierend eine Senderchip und ein Empfängerchip angeordnet sind. Senderchip und Empfängerchip sind mittels eines für LED's ausgelegten Reflektors miteinander optisch entkoppelt. Die Tiefe des Reflektors ist größer oder gleich der Senderchiphöhe.
  • Was benötigt wird, ist ein optischer Nähesensor Design, das die Notwendigkeit, eine Metallabschirmung 18 zu beinhalten, beseitigt, aber das hohe Übersprechen- und Interferenz-Unterdrückungscharakteristika beibehält, so dass ein optischer Nähesensor bereitgestellt werden kann, der verbesserte Leistung, niedrigere Kosten, erhöhte Herstellbarkeit und verbesserte Funktionssicherheit hat.
  • Figurenliste
  • Teilaspekte illustrativer Ausführungsbeispiele, als Beispiel und nicht als Einschränkung, sind in den Zeichnungen illustriert. Durchgehend durch die Beschreibung und die Zeichnungen werden ähnliche Bezugszeichen verwendet, um ähnliche Elemente zu identifizieren. Die Zeichnungen dienen zu illustrativen Zwecken, um das Verständnis zu unterstützen und mögen nicht maßstabsgetreu gezeichnet sein.
    • 1 zeigt einen optischen Nähesensor und dazugehörigen Schaltkreis gemäß dem Stand der Technik;
    • 2 zeigt einen optischen Nähesensor gemäß dem Stand der Technik mit einer Metallabschirmung oder Gehäuse;
    • 3 zeigt einen optischen Nähesensor gemäß dem Stand der Technik mit einer komplizierteren als der in 2 gezeigten Metallabschirmung oder Gehäuse;
    • 4 zeigt eine perspektivische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines optischen Nähesensors;
    • 5 zeigt eine Querschnittansicht des optischen Nähesensors aus 4;
    • 6 und 7 zeigen ein Verfahren zum Anbringen von Schichten 33 an externe Oberflächen eines Nähesensors;
    • 8 zeigt vergleichende Ergebnisse optischer Isolation, welche mit einem optischen Nähesensor erlangt wurden, welcher optisch dämpfende Tinte an den externen Oberflächen angewendet hat und nicht angewendet hat;
    • 9 und 10 zeigen zwei unterschiedliche Testnähesensoren;
    • 11 zeigt ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Nähesensors gemäß einem Ausführungsbeispiel;
    • 12A bis 12G sind sequenzielle Folgen von Figuren, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel zum Anbringen von Schichten an externen Oberflächen eines Nähesensors zeigen;
    • 13A bis 13F sind weitere sequenzielle Folgen von Figuren, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel zum Anwenden von Schichten an externen Oberflächen eines Nähesensors zeigen;
    • 14 bis 18 zeigen Schnittseitenansichten von zusätzlichen Ausführungsbeispielen;
    • 19A und 19B sind eine Schnittseitenansicht und eine Schnittdraufsicht von einem weiteren zusätzlichen Ausführungsbeispiel;
    • 20 ist eine Schnittseitenansicht von noch einem weiteren zusätzlichen Ausführungsbeispiel;
    • 21 ist ein Blockdiagramm eines reflektierenden Encoders gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel; und
    • 22 ist ein Blockdiagramm eines Farbsensors gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Jetzt bezugnehmend auf 4 und 5, sind perspektivische Draufsichten und Querschnittansichten eines Ausführungsbeispiels eines optischen Nähesensors 10 gezeigt, welcher Lichtemitter 16, welcher an Substrat 11 montiert und mittels Spalt 34 vom Lichtdetektor 12 separiert ist, optisch durchlässige Materialien 31 und 32 (oder erste und zweite Komponenten 31 und 32), die vorzugsweise Einzelmold-Zweikomponentenepoxid („single mold two-part epoxy“) oder Transfermoldstoffe („transfer molding compounds“) sind, und Infrarot-opake, Licht-dämpfende oder blockierende Schichten 33 aufweist, welche über zumindest Abschnitten der Komponenten 31 und 32, welche angrenzend zu Spalt 34 lokalisiert sind, angeordnet sind und vorzugsweise andernorts an anderen externen Oberflächen des Sensors 10 angeordnet sind.
  • Lichtstrahlen, welche durch das optisch durchlässige Material oder erste Komponente 31 hindurch übertragen sind und von Lichtemitter 16 herstammen, und andere reflektierte, gebeugte oder gebrochene Infrarotstrahlung könnten, wenn nicht die Gegenwart der Schichten 33 wäre, durch optisch durchlässiges Material 32 (oder die zweite Komponente 32) zu Lichtdetektor 12 hinüber lecken, was sich als unerwünschtes Übersprechen oder Interferenz zwischen Lichtemitter 16 und Lichtdetektor 12 äußern würde und dadurch die Performance des Nähesensors 10 herabsetzen würde.
  • 4 und 5 zeigen ein Ausführungsbeispiel des Sensors 10, das Lösungen für die oben im Abschnitt Hintergrund beschriebenen Probleme bereitstellt, wo Metallbarriere 25 gänzlich beseitigt ist. Weiter sich auf 4 und 5 beziehend, wird dort optischer Nähesensor 10 gezeigt, welcher Infrarotlichtemitter 16 (der betriebsbereit an einen Lichtemittertreiberschaltkreis verbunden ist und mittels eines Lichtemittertreiberschaltkreis getrieben wird) und Lichtdetektor 12 (der betriebsbereit an einen Detektorabtastschaltkreis verbunden ist und mittels eines Detektorabtastschaltkreis getrieben ist, dessen Details in 7 nicht gezeigt sind) aufweist. In einem Ausführungsbeispiel ist eine erste gemoldete optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponente („infrared light pass component“) 31 über zumindest Abschnitten des Lichtemitters 16 angeordnet und bedeckt zumindest Abschnitte des Lichtemitters 16 und eine zweite gemoldete optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponente 32 ist über zumindest Abschnitten des Lichtdetektors 12 angeordnet und bedeckt zumindest Abschnitte des Lichtdetektors 12. Optische Linsen 27 und 28, welche vorzugsweise aus demselben Material ausgebildet sind und zum selben Zeitpunkt während des Herstellungsprozesses wie die ersten und zweiten gemoldeten optisch durchlässigen Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 ausgebildet werden, sind über Lichtemitter 16 bzw. Lichtdetektor 12 angeordnet. Zwischen Lichtemitter 16 und erstem gemoldeten optisch durchlässigen Infrarotlichtpassage-Material („infrared light pass material“) und erster Komponente 31; und Lichtdetektor 12 und zweitem gemoldeten optisch durchlässigen Infrarotlichtpassage-Material und zweiter Komponente 32 ist Spalt 34 (vorzugsweise ein Luftspalt, was aber auch ein Spalt sein kann, welcher mit einem geeigneten Material gefüllt ist) und Infrarot oder optisch opake, dämpfende oder blockierende Schichten 33, welche zum Beispiel an externen Oberflächen 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46 und 47 der ersten und zweiten Komponenten 31 und 32 angeordnet sind, lokalisiert, wo Schichten 33 vorzugsweise eine optisch opake nichtdurchlässige Infrarotlichtbarrieren-Komponente („infrared light barrier component“) oder Zusatzmittel aufweisen. Zumindest ein erster Teil des Lichts 15, welches mittels Lichtemitter 16 emittiert wird, passiert durch die erste Komponente 31 hindurch und zumindest ein zweiter Teil 19 des ersten Teils des Lichts 15, welches von einem Objekt von Interesse in Nähe des Nähesensors 10 reflektiert wird, passiert durch die zweite Komponente 32 hindurch zum Detektieren mittels Lichtdetektor 12. Infrarot oder optisch opake, dämpfende oder blockierende Schichten 33 dämpfen oder blockieren die Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen Lichtemitter 16 und Lichtdetektor 12 wesentlich und minimieren dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen Lichtemitter 16 und Lichtdetektor.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden erste und zweite gemoldete optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 unter Verwenden eines Infrarotpassage („infrared pass“) und optisch durchlässigen Transfermoldstoffs, wie zum Beispiel NITTO DENKO® NT-8506 Klar-Transfermoldstoff („clear transfer molding compound“) oder PENCHEM Technologies® OP 579 Infrarotpassage optoelektronisches Epoxid („infrared pass optoelectronic epoxy“), ausgebildet. Andere geeignete optisch durchlässige Epoxide, Kunststoffe, Polymere oder andere Materialien mögen auch verwendet werden. In manchen Ausführungsbeispielen und wie weiter unten detaillierter besprochen, werden optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 während desselben Herstellungsschritts gemoldet oder mögen separat gemoldet werden. Siehe technisches Datenblatt NT-8506, welches mit „Clear Transfer Molding Component NT-8506“ betitelt ist und auf 2001 datiert ist, und PENCHEM OP 579 Infrarotpassage optoelektronisches Epoxid-Datenblatt („IR Pass Optoelectronic Epoxy Data Sheet“), Revision 1, datiert auf April 2009, wobei beide Dokumente hiermit mittels Referenz in ihrer Gesamtheit aufgenommen sind.
  • Jetzt bezugnehmend auf 5, sind dritte und vierte Komponenten 51 und 52 gezeigt, welche über den ersten und zweiten Komponenten 31 und 32 lokalisiert sind. Dritte und vierte Komponenten 51 und 52 werden vorzugsweise auf die oberen Oberflächen der ersten und zweiten Komponenten 31 und 32 gemoldet und mögen gemäß einem Ausführungsbeispiel einen Infrarot-blockierenden, filternden oder transferabschneidenden Moldstoff („filtering or cutting transfer molding compound“), wie zum Beispiel NITTO DENKO® 198 NT-MB-IRL3801 Zweit-Komponenten-Epoxidharzmaterial („two-part epoxy resin material“) oder PENCHEM Technologies® OP 580 Infrarotfilter optoelektronisches Epoxid („infrared filter optoelectronic epoxy“),. aufweisen, wobei jeder von denen vorzugsweise ein Quantum von Infrarot-abschneidenden Material („infrared cutting material“), das vom Nutzer um akzeptable Infrarotlichtblockierleistung zu erreichen ausgewählt wurde, enthält, während die Menge eines solchen Infrarot-abschneidenden Materials minimiert wird, um die Kosten auf einem Minimum zu halten. Andere geeignete optisch nichtdurchlässigen Epoxide, Kunststoffe, Polymere oder andere Materialien mögen auch verwendet sein, um dritte und vierte Komponenten 51 und 52 auszubilden, während optisch transparente Materialien verwendet werden mögen, im Falle dass sich herausstellt, dass die Schichten 33 einen ausreichenden Grad von optischer Isolation bereitstellen. Siehe technisches Datenblatt NT-MB-IRL3801, veröffentlicht von DENKO ®, datiert auf 2008 und PENCHEM OP 580 Infrarotfilter optoelektronisches Epoxid Datenblatt („IR Filter Optoelectronic Epoxy Data Sheet“), Revision 1, datiert auf April 2009, wobei beide Dokumente hiermit mittels Referenz in ihrer Gesamtheit aufgenommen sind.
  • Weiterhin bezugnehmend auf 5, werden Infrarot-opake, Licht-dämpfende oder blockierende Schichten 33 über zumindest einigen der externen Oberflächen erster und zweiter Komponenten 31 und 32 und optional über zumindest Abschnitten dritter und vierter Komponenten 51 und 52 angeordnet, vorzugsweise, aber auch nicht notwendigerweise, nachdem erste und zweite Komponenten 31 und 32 und dritte und vierte Komponenten 51 und 52 an der Stelle oben auf Substrat 11 und über Lichtemitter 16 und Lichtdetektor 12 ausgebildet worden sind. Es ist besonders wichtig, dass zumindest Abschnitte der zu Spalt 34 angrenzenden externen Oberflächen 40 und 41 mit Schichten 33 bedeckt sind, um so die Transmission von Infrarotlicht über den Spalt 34 hinweg effektiv zu blockieren. Besser noch, und wie in 7 gezeigt, sind ein Großteil der externen Oberflächen des Sensors 10 mittels Schichten 33 bedeckt, um so unerwünschtes Übersprechen zwischen Emitter 16 und Detektor 12 zu minimieren. Bemerke, dass Substrat 11 zum Beispiel eine gedruckte Leiterplatte (PCB), ein Leadframe oder dergleichen sein mag. Zusätzlich und gemäß einem Ausführungsbeispiel wird, nachdem erste und zweite Komponenten 31 und 32 und dritte und vierte Komponenten 51 und 52 beispielsweise mittels Moldings an der Stelle ausgebildet worden sind, Spalt 34 mittels Einschneidens eines zu Spalt 34 korrespondierenden Einschnitts zwischen erster Komponente 31 und dritter Komponente 51 einerseits und zweiter Komponente 32 und vierter Komponente 52 andererseits ausgebildet. Dieser Einschnitteinschneide- und Spaltausbilde-Schritt mag während dem Vereinzelungsprozess ausgeführt werden, über welchen unten mehr gesagt wird. Bemerke, dass die externen Oberflächen 40 und 41 vorzugsweise Winkel in einem Bereich zwischen ungefähr 2 Grad und 30 Grad zur Vertikalen haben, um das Anbringen der Schichten 33 zu erleichtern.
  • Jetzt bezugnehmend auf 6 und 7, ist ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Anbringen von Schichten 33 an die externen Oberflächen des Sensors 10 gezeigt. Tintendispender („ink dispender“) 37 ist konfiguriert, eine geeignete optisch opake Infrarottinte kontrollierbar über Sensor 10 zu sprühen, so dass zum Beispiel Linsen 27 und 28 und elektronische Kontakte 17 nicht mit Schichten 33 bedeckt sind. In 6 ist der Sprühvorgang im Gang und noch nicht abgeschlossen. In 7 ist der Sprühvorgang abgeschlossen und der Großteil der externen Oberflächen des Sensors 10 ist mit Schichten 33 bedeckt. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen, mögen Schichten 33 ausgebildet sein, zum Beispiel unter Verwenden passender Infrarot opaker, dämpfender oder blockierender Anstriche, Tinten, Farbstoffen oder anderer Materialien. Solche Materialien mögen ferner Infrarotabschneide oder Blockierzusatzstoffe(„infrared cut or blocking additives“) aufweisen. Schichten 33 mögen ausgebildet sein, Dicken in einem Bereich zwischen ungefähr 2 Mikrometern und ungefähr 100 Mikrometern oder zwischen ungefähr 10 Mikrometern und etwa 40 Mikrometern zu haben. Schichten 33 mögen an zumindest Abschnitten der externen Oberflächen des Sensors 10 mittels einem oder mehreren von Sprühen, Eintauchen, Bürsten, Rollen, Galvanisieren und Sputtern eines geeigneten Infrarotlicht dämpfenden Materials angewendet werden.
  • Ein Material geeignet zum Anbringen an die externen Oberflächen des Sensors 10, um die Schichten 33 auszubilden, ist eine Tinte, welche in Singapur unter dem Namen „DIC® SCREEN INK“, Produktnummer 21-S175, welche die Bezeichnung „Safire Black“ hat, hergestellt wird. Dieses Material wurde mittels Anbringens desselben an die externen Oberflächen eines AVAGO TECHNOLOGIES® APDS-9900 Nähesensors, welcher in Übereinstimmung mit der vorausgehenden Beschreibung betreffend der ersten, zweiten, dritten und vierten Komponenten hergestellt ist, und dem Anbringen von Schichten 33 an die externen Oberflächen getestet. Ein Datenblatt, welches mit „APDS-9900 AND APDS-9901 Digital Proximity and Ambient Light Sensor“ betitelt ist, welches von Avago Technologies am 23. März 2011 veröffentlicht wurde, ist hierin mittels Referenz in seiner Gesamtheit aufgenommen. 8 zeigt Ergebnisse, welche mit und ohne auf Sensor 10 aufgetragene Schichten 33 erhalten wurden. 8 zeigt, dass die Effektivität der Schichten 33 optische Isolation bereitzustellen durchaus drastisch ist.
  • 9 und 10 zeigen Beispiele von Testvorrichtungen, die in Übereinstimmung mit den obigen Lehren gebaut wurden, wo Schichten 33, welche „DIC® SCREEN INK“ aufweisen, an die externen Oberflächen des Sensors 10 angebracht wurden (ausgenommen elektrische Kontakte 17 und Linsen 27 und 28). In der Beispielvorrichtung von 9, wo keine zusätzliche Lichtbarriere 38 zwischen Linse 27 und Linse 28 angeordnet war, ist ein Übersprechen von 299 Zählimpulsen gemessen worden (welches gemäß APDS-9900 Anforderung einen Zählimpuls von 200 nicht überschreiten sollte) und Signalwerte von 684 Zählimpulsen wurden gemessen (welche gemäß APDS-9900 Anforderung zwischen 440 bis 640 liegen sollten). In der Beispielvorrichtung in 10 war eine zusätzliche Lichtbarriere 38 zwischen Linse 27 und Linse 28 angeordnet und ein Übersprechen von 152 Zählimpulsen ist gemessen worden (welches gemäß APDS-9900 Anforderung einen Zählimpuls von 200 nicht überschreiten sollte) und Signalwerte von 619 wurden gemessen (welche gemäß APDS-9900 Anforderung zwischen 440 bis 640 liegen sollten). Diese Testergebnisse bestätigen weiter die Wirksamkeit und Effizienz von Schichten 33 beim Bereitstellen von optischer Isolation zwischen verschiedenen Abschnitten von Sensor 10.
  • 11 illustriert ein Verfahren 100 zum Herstellen eines optischen Nähesensors 10 gemäß einem Ausführungsbeispiels. Wie in 11 gezeigt, werden die Lichtemitter und Detektorchips in Schritt 110 unter Verwenden von Epoxid an das Substrat 11 befestigt. In einem Ausführungsbeispiel ist Substrat 11 eine gedruckte Leiterplatte oder PCB oder mag ein Leadframe sein. In Schritt 120 werden die Lichtemitter und Detektorchips Draht-gebondet an Substrat 11. Weiter in Schritt 130, werden erste und zweite Komponenten, welche optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 aufweisen, über Lichtemitter 16 und Lichtdetektor 12 gemoldet, unter Verwenden einer geeigneten Infrarotpassage und optisch durchlässigen Transfermoldkomponente („transfer molding compounds“). In einem nicht in 11 gezeigten optionalen Schritt, wird ein integrierter Schaltkreis an Substrat 11 befestigt, wobei der integrierte Schaltkreis 35 die elektronische Schaltung enthält, welcher benötigt wird, um Lichtemitter 16 zu treiben und Ausgabesignale zu verarbeiten, welche mittels Lichtdetektor 12 bereitgestellt sind, und optional einen Umgebungslichtsensor enthält. Ein solcher integrierter Schaltkreis 35 ist vorzugsweise Draht-gebondet an Substrat 11. In Schritt 130 mögen im Wesentlichen optisch nichtdurchlässige Infrarotlichtkomponenten 51 und 52 auch auf die oberen Oberflächen der ersten und zweiten optisch durchlässigen Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 gemoldet sein und sind vorzugsweise konfiguriert und fähig in Bezug auf die gemoldeten ersten und zweiten optisch durchlässigen Komponenten 31 und 32, daran zu bonden ohne unter normalen Betriebsbedingungen zu Delaminieren („delaminating“).
  • Bemerke, dass in 11 in Schritten 110 bis einschließlich 170, eine Mehrzahl von PCB Substraten 11 auf einem Panel bereitgestellt sein mögen, wobei Lichtemitterchips und Lichtdetektorchips daran befestigt und dann Draht-gebondet („wire-bonded“) werden. Lichtemitterchips und Lichtdetektorchips werden dann unter Verwenden von Cast- oder Transfermoldtechniken („cast or transfer molding techniques“) mit einem geeigneten optisch durchlässigen Material übermoldet, um erste und zweite optisch durchlässige Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32 und Linsen 27 und 28 auszubilden. Moldkanäle mögen bereitgestellt sein, um das Verteilen der verschiedenen Moldmaterialien zu den verschiedenen PCD-Substraten zu erleichtern. Lichtemittertreiber-integrierte-Schaltkreise, welche integrierte Umgebungslichtsensoren enthalten, mögen auch an solchen PCB Substraten 11 befestigt und dann daran Draht-gebondet werden. Das gesamte PCB Panel mag sheet-gecastet („sheet cast“) werden, unter Verwendung eines geeigneten Infrarotschnitt-, Filter- oder Blockiermaterials zum Ausbilden von im Wesentlichen optisch undurchlässigen Infrarot dritten und vierten Komponenten 51 und 52 oben auf der ersten und zweiten optisch durchlässigen Infrarotlichtpassage-Komponenten 31 und 32. Individuelle Nähesensoren 10 mögen dann, mittels zum Beispiel Verwendens von dem Fachmann bekannten Sägetechniken, vereinzelt werden, wobei die Moldkanäle auch entfernt werden. Siehe Schritt 140 in 11.
  • In Schritt 150 in 11 werden Schichten 33 an den gewünschten externen Oberflächen des Nähesensors mittels zum Beispiel Sprühens angebracht. Optional mögen, vor einem Sprühen in Schritt 170, eine oder mehr entfernbare Maskierungsschichten über ersten und zweiten Maskierungsregionen der ersten und zweiten externen Oberflächen der ersten und zweiten Lichtpassagekomponenten ausgebildet oder platziert werden.
  • Dem Spühschritt folgt Aushärten in Schritt 160. Optional folgt dem Aushärten in Schritt 160, in dem Fall, dass entfernbare Maskierungsschichten verwendet sein mögen, ein Entfernen solcher Maskierungsschichten. Anschließend mag es ein finales Testen des Sensors 10 in Schritt 170 geben.
  • 12A bis 12G sind eine sequentielle Folge von Figuren, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel vom Anbringen von Schichten an externen Oberflächen 41, 42, 44, 45, 46 und 47 des Nähesensors 10 zeigt. Das Substrat des Nähesensors 10 mag einen Leadframe, welcher elektrische Kontakte 17 hat, der verwendet werden mag, um elektrische Verbindungen zwischen Nähesensor 10 und externen Vorrichtungen bereitzustellen, aufweisen. In einem weiteren Ausführungsbeispiel mag das Substrat eine gedruckte Leiterplatte sein. Wie hierin vorausgehend besprochen, mag für den Nähesensor 10 ein Lichtdetektor an dem Substrat montiert sein und der Lichtdetektor mag von dem Lichtemitter an dem Substrat beabstandet sein.
  • Wie vorausgehend erwähnt, mag eine erste Lichtpassagekomponente integral mit der ersten Linse 27 über zumindest Abschnitten des Lichtemitters ausgebildet sein. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 42, 44, 47 aufweisen. Die zweite Lichtpassage-Komponente mag integral mit der zweiten Linse 28 über zumindest Abschnitten des Lichtdetektors ausgebildet sein. Die zweite Lichtpassagekomponente mag zweite externe Oberflächen 41, 45, 46 aufweisen. Erste und zweite Linsen 27 und 28 mögen aus demselben Material ausgebildet sein und mögen zum selben Zeitpunkt während des Herstellungsprozess, wenn erste und zweite Lichtpassage-Komponenten über dem Lichtemitter bzw. dem Lichtdetektor bereitgestellt werden, ausgebildet werden.
  • Zumindest Abschnitte der ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten mögen mittels eines Spalts 34 separiert sein. Für den Sensor 10, mag sein Lichtemitter einen Halbleiteremitterchip aufweisen, welcher eine Hauptemitteroberfläche hat, und sein Lichtdetektor mag einen Halbleiterdetektorchip aufweisen, welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat. Der Spalt 34, welcher die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten separiert, mag einen Einschnitt aufweisen, welcher sich einwärts an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektorfläche vorbei zu einem Basisendpunkt des Einschnitts erstreckt.
  • Wie in 12A und 12B gezeigt, zeigen imaginäre gestrichelte Linien erste und zweite Maskierungsregionen 26A und 16B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47 auf und kreisen diese ein. Wie in 12B gezeigt, mag eine oder mehr Schichten von entfernbaren Maskierungsmaterial 30A, 30B ausgebildet und/oder platziert sein über ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47. Zum Beispiel mag ein geeignetes entfernbares Maskierungsmaterial „Ultra Light-Weld™ 9-20479-B“ abziehbare Abdeckmaske sein, das von Dymax® Cooperation, welche einen Hauptgeschäftssitz in 318 Industrial Lane, Torrington, CT 06790 USA hat, erhältlich sein mag. Als ein weiteres Beispiel mag ein weiteres geeignetes entfernbares Maskierungsmaterial „Chemask™ W“ wasserlösliche Abdeckmaske sein, was von ITW Chemtronics®, welche einen Hauptgeschäftssitz in 8125 Cobb Center Drive, Kennesaw, GA 30152 USA hat, erhältlich sein mag.
  • Die eine oder mehr Schichten des entfernbaren Maskierungsmaterials 30A, 30B mögen auf verschiedene Arten ausgebildet und/oder platziert sein. Zum Beispiel mag ein druckbeaufschlagter Dispenser mit einer geeignet dimensionierten Applikatorspitze zum Ausbilden und/oder Platzieren der einen oder mehr Schichten des entfernbaren Maskierungsmaterials 30A, 30B über der ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47 verwendet werden. Alternativ oder zusätzlich mag ein Siebdruck („silk screening“) oder Druckschablonenprozess („screen printing process“) zum Ausbilden und/oder Platzieren der einen oder mehr Schichten des entfernbaren Maskierungsmaterials 30A, 30B über der ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47 verwendet werden. Die entfernbare Maskierungsschicht mag an der Stelle getrocknet und/oder ausgehärtet werden. Zum Beispiel mag in manchen Fällen ultraviolettes Licht zum Aushärten verwendet werden.
  • 12C, 12D und 12E zeigen Initial-, Zwischen- und Endphasen vom Ausbilden und/oder Platzieren einer Schicht 33 von Licht-dämpfenden oder blockierenden Material über zumindest Abschnitten der ersten und zweiten externen Oberflächen 41, 46, 47, welche angrenzend zu dem Spalt 34 lokalisiert sind. Die Schicht 33 von Licht-dämpfendem Material mag im Wesentlichen über den Großteil der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47 ausgebildet und/oder platziert sein. Die Schicht 33 von Licht-dämpfendem Material mag eine von einem Anstrich, einer Tinte und einem Farbstoff sein. Das Licht-dämpfende Material mag konfiguriert sein, die Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten öder reflektierten Licht zwischen dem Lichtemitter und dem Lichtdetektor wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren, und dadurch mag optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Lichtemitter und dem Lichtdetektor im Wesentlichen vermieden werden.
  • Tintendispender 37A mag konfiguriert sein, eine geeignete optisch opake Infrarottinte in einer oder mehr Schichten 33 über den Sensor zu sprühen, während erste und zweite Linsen 27, 28 (und/oder erste und zweite Maskierungsregionen 26A, 26B) davor mittels einer oder mehr Schichten von Maskierungsmaterial 30A, 30B geschützt sein mögen. Mit anderen Worten mag das Licht-dämpfende Material über die eine oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B ausgebildet und/oder platziert sein, so dass die eine oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B zwischen zumindest einem Abschnitt der Schicht 33 des Licht-dämpfenden Materials und der ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B eingeschoben sein mögen.
  • In manchen Ausführungsbeispielen, wie zum Beispiel was in 12C und 12D gezeigt ist, mag der Tintendispender sich in einer Abtastbewegung bewegen, wenn er sprüht. Wie in sequentiellen Folgen gezeigt, sind in der Initial- und Zwischenphase, welche in 12C und 12D gezeigt sind, der Sprühbetrieb im Gang und noch nicht abgeschlossen. In 12E, ist der Sprühvorgang abgeschlossen und der Großteil der externen Oberflächen des Sensors 10 wurde mit einer oder mehr Schichten 33 bedeckt. Trotz dem Vorhergehenden, sollte verstanden werden, dass in anderen Ausführungsbeispielen, der Tintendispender sich nicht notwendigerweise in einer Abtastbewegung bewegt, wie im Weiteren für Tintendispender 37B bezugnehmend auf die 13A bis 13F detaillierter besprochen werden wird.
  • Ferner sollte während Sprühen in den Figuren gezeigt ist, verstanden werden, dass verschiedene Techniken verwendet werden mögen, um eine Schicht 33 des Licht-dämpfenden oder blockierenden Materials auszubilden und/oder zu platzieren. Zum Beispiel mag die Schicht Licht-dämpfenden Materials über den zumindest Abschnitten der ersten und zweiten externen Oberflächen mittels einem von Sprühen, Eintauchen, Bürsten, Rollen, Galvanisieren und/oder Sputtern des Licht-dämpfenden Materials ausgebildet und/oder platziert sein.
  • 12F und 12G in sequenzieller Folge zeigen Initial- und Endphasen vom Entfernen der einen oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B von den ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47. Da die einen oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B zwischen zumindest einem Abschnitt der Schicht 33 des Licht-dämpfenden Materials und der ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B eingeschoben sein mögen, sollte verstanden werden, dass die ersten und zweiten Linsen 27, 28 (und/oder ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B) vor der Schicht 33 des Licht-dämpfenden Materials mittels der einen oder mehr Schichten des Maskierungsmaterials 30A, 30B geschützt sein mögen. Außerdem, angesichts des vorhergehenden Einschiebens, mag Entfernen der einen oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B, wie in 12F und 12G gezeigt, gleicherweise einen Abschnitt der Schicht 33 des Licht-dämpfenden Materials von über den ersten und zweiten Linsen 27, 28 (und/oder von über ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B) entfernen.
  • Wie insbesondere in 12F gezeigt, mag die eine oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B abziehbar sein. Das Entfernen mag ein Abziehen der entfernbaren Maskierungsschicht von den ersten und zweiten Maskierungsregionen 26A, 26B der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47 aufweisen. In manchen Ausführungsbeispielen mag ein gerichteter Strahl von komprimierter Luft verwendet werden, um das Abziehen zu vereinfachen.
  • Während ein Abziehen in 12F gezeigt ist, sollte verstanden werden, dass verschiedene Techniken zum Entfernen der einen oder mehr entfernbaren Maskierungsschichten 30A, 30B verwendet werden mögen. Die jeweilig verwendete Technik mag sich auf Eigenschaften des entfernbaren Maskierungsmaterials beziehen, welches für die Schichten 30A, 30B verwendet wird. Zum Beispiel mag die entfernbare Maskierungsschicht in einem Lösungsmittel (z.B. Wasser) lösbar bzw. auflösbar sein. In einem solchen Fall, mag das Entfernen ein Lösen der entfernbaren Maskierungsschicht in dem Lösungsmittel (z.B. Wasser) aufweisen.
  • Der in 12G gezeigte Sensor 10 mag ein Substrat aufweisen, auf dem der Lichtemitter und der Lichtdetektor funktionsfähig montiert sind. Erste Linse 27 mag integral mit der ersten Lichtpassage-Komponente ausgebildet sein, die über zumindest Abschnitten des Lichtemitters angeordnet sein mag und zumindest Anschnitte des Lichtemitters abdecken mag. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 47 aufweisen. Die zweite Linse 28 mag integral mit der zweiten Lichtpassage-Komponente ausgebildet sein, die über zumindest Abschnitten des Lichtdetektors ausgebildet sein mag und zumindest Abschnitte des Lichtdetektors abdecken mag. Die zweite Lichtpassage-Komponente mag zweite externe Oberflächen aufweisen.
  • In 12G mögen zumindest Abschnitte der ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten mittels eines Spalts. 34 separiert sein. Für den Sensor 10, mag sein Lichtemitter einen Halbleiteremitterchip aufweisen, welcher eine Hauptemitteroberfläche hat, und sein Lichtdetektor mag einen Halbleiterdetektorchip aufweisen, welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat. Der Spalt 34, welcher die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten separiert, mag einen Einschnitt aufweisen, welcher sich einwärts vorbei an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche bis zu einem Basisendpunkt des Einschnitts erstreckt. Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten mögen zumindest teilweise mittels des Einschnitts separiert sein, welcher den Basisendpunkt dazwischen anordnet hat.
  • Das Substrat des Nähesensors 10 mag einen Leadframe aufweisen, welcher elektrische Kontakte 17 hat, welche verwendet werden mögen, um elektrische Verbindungen zwischen Nähesensor 10 und externen Vorrichtungen bereitzustellen. In einem Ausführungsbeispiel mag das Substrat 10 ein PCB sein. Der Leadframe mag einen ersten Abschnitt des Leadframes haben, wo der Halbleiteremitterchip montiert ist, und einen zweiten Abschnitt des Leadframes haben, wo der Halbleiterdetektorchip montiert ist. Der Einschnitt des Spalts 34 mag sich einwärts vorbei an zumindest einem von dem ersten Abschnitt des Leadframes, wo der Halbleiteremitterchip montiert ist, und dem zweiten Abschnitt des Leadframes, wo der Halbleiterdetektorchip montiert ist, bis zu dem Basisendpunkt des Einschnitts erstrecken.
  • Die Schicht 33 von Licht-dämpfenden und/oder blockierenden Material mag über zumindest Abschnitten der ersten und zweiten externen Oberflächen 46, 47, welche angrenzend zu dem Einschnitt lokalisiert sind, angeordnet sein. Die Schicht 33 von Licht-dämpfenden und/oder blockierenden Material mag konfiguriert sein, um die Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Lichtemitter und dem Lichtdetektor wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren und dadurch mag optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen Lichtemitter und Lichtdetektor wesentlich vermieden werden.
  • Der Sensor 10 mag konfiguriert sein, so dass zumindest ein erster Teil Licht L1, welches mittels des Lichtemitters emittiert wird, durch eine erste Maskierungsregion 26A der ersten Lichtpassage-Komponente hindurch passieren mag, die vor der Schicht 33 von Licht-dämpfenden und/oder blockierenden Material geschützt wurde. Der Sensor 10 mag konfiguriert sein, so dass zumindest ein zweiter Teil L2 des ersten Teils L1 des Lichts, welches von einem Objekt von Interesse in der Nähe des Sensors reflektiert wird, welches mittels des Lichtdetektors zu detektieren ist, durch eine zweite Maskierungsregion 26B der zweiten Lichtpassage-Komponente hindurch passiert, die vor der Schicht 33 von Licht-dämpfenden und/oder blockierenden Material geschützt wurde.
  • Erste und zweite Linsen 27, 28 mögen erste und zweite gemoldete optisch durchlässige Linsen 27, 28 sein und mögen über dem Lichtemitter bzw. dem Lichtdetektor ausgebildet sein. Die ersten und zweiten gemoldeten optisch durchlässigen Linsen 27, 28 mögen vor der Schicht 33 von Licht-dämpfenden und/oder blockierenden Material geschützt sein. Der optische Sensor 10 mag in eine tragbare elektronische Vorrichtung eingebaut sein.
  • 13A bis 13F sind eine weitere sequentielle Folge von Figuren, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Anbringens der Schichten an externe Oberflächen eines Nähesensors zeigt. 13A bis 13F sind im Allgemeinen gleich zu 12A bis 12G, welche gerade besprochen wurden, jedoch ist in der Folge der 13A bis 13F der Tintendispender 37B im Wesentlichen stationär und bewegt sich nicht in einer Abtastbewegung. Abgesehen von dem vorhergehenden Unterschied, sind die in den 13A bis 13F gezeigten Elemente und ihre Lehren im Wesentlichen dieselben wie, was gerade detailliert mit Bezug auf die 12A bis 12G besprochen wurde.
  • 14 ist eine Schnittseitenansicht („cut away side view“) eines weiteren Ausführungsbeispiels. 14 zeigt einen optischen Sensor 1410. Der optische Sensor 1410 mag zumindest einen Abschnitt eines Nähesensors, wie vorausgehend besprochen, ausbilden. Der optische Sensor 1410 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors mag einen Basisabschnitt 1430 aufweisen, welcher über einem Leadframe gemoldet ist.
  • Der optische Sensor 1410 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1416 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1412 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einen ersten Abschnitt 1418A des Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einen zweiten Abschnitt 1418B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1417A, 1417B des Leadframes mögen elektrische Kontakte 1417A, 1417B bereitstellen, welche verwendet werden mögen, um elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 1410 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Wie in 14 gezeigt, mag der Leadframe ein sequentielles Paar von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen („bends“) angrenzend zu einem der ersten und zweiten Abschnitte des Leadframes 1418A, 1418B haben. Zum Beispiel zeigt 14 ein erstes sequentielles Paar A1, A2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem ersten Abschnitt 1418A des Leadframes, wo der Halbleiterlichtemitterchip an den Leadframe montiert ist. Zum Beispiel zeigt 14 ferner ein zweites sequentielles Paar B1, B2 von im Wesentlichen.gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem zweiten Abschnitt 1418B des Leadframes, wo der Halbleiterlichtdetektorchip an den Leadframe montiert ist. Die ersten und zweiten sequentiellen Paare A1, A2, B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen mögen konfiguriert sein, die Position der Halbleiterchips relativ zu dem Basisabschnitt 1430 anzuheben.
  • Wie in 14 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1431 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente 1431 mag eine erste externe Oberfläche 1427 aufweisen. Die erste externe Oberfläche 1427 der ersten Lichtpassage-Komponente 1431 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1427 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1432 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 1432 mag zweite externe Oberflächen 1428 aufweisen. Zweite externe Oberfläche 1428 der zweiten Lichtpassage-Komponente 1432 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1428 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie vorausgehend besprochen, mögen die ersten und zweiten sequentiellen Paare A1, A2, B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen konfiguriert sein, die Position der Halbleiterlichtemitter und Receiverchips relativ zu den ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1431, 1432 anzuheben. Als Folge davon mögen die Halbleiterlichtemitter und Receiverchips weiter von dem Basisabschnitt 1430 angeordnet sein und dadurch mag ein Übersprechen reduziert werden, das sonst durch den Basisabschnitt 1430 hindurch auftreten mag.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1431, 1432 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1434A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1434B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 1434A mag mittels Sägens ausgebildet sein. Der Einschnitt 1434A mag sich einwärts vorbei an zumindest einem von den ersten und zweiten Abschnitten 1418A, 1418B des Leadframes bis zu dem Basisendpunkt 1434B des Einschnitts erstrecken.
  • Der Einschnitt 1434A mag konfiguriert sein, im Wesentlichen die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip zu dämpfen und/oder zu blockieren, und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich vermeiden. Insbesondere da Übersprechen sonst durch Transmission durch den Basisabschnitt 1430 des Substrats hindurch auftritt, mag ein Vermeiden von Übersprechen mittels eines Anhebens der Emitter und Detektorchips durch die ersten und zweiten sequentiellen Paare A1, A2, B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen und/oder Vertiefungseinschnitt 1434A unterstützt werden.
  • 15 ist eine Schnittseitenansicht eines zusätzlichen Ausführungsbeispiels. 15 zeigt einen optischen Sensor 1510. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Optischer Sensor 1510 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1516 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1512 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einem ersten Abschnitt 1518A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einem zweiten Abschnitt 1518B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1517A, 1517B des Leadframes mögen, elektrische Kontakte 1517A, 1517B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 1510 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Der.optische Sensor 1510 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 1510 mag einen Basisabschnitt 1530 aufweisen, welcher über den ersten und zweiten Abschnitten 1518A, 1518B des Leadframes gemoldet ist.
  • Wie in 15 gezeigt, mag der Leadframe ein sequentielles Paar von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu einem der ersten und zweiten Abschnitte des Leadframes 1518A, 1518B haben. Zum Beispiel zeigt 15, ein sequentielles Paar A1, A2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem ersten Abschnitt 1518A des Leadframes, wo der Halbleiterlichtemitterchip an den Leadframe montiert ist. Zum Beispiel zeigt 15 ferner ein zweites sequentielles Paar B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem zweiten Abschnitt 1518B des Leadframes, wo der Halbleiterlichtdetektorchip an den Leadframe montiert ist.
  • Wie in 15 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1531 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 1527 aufweisen.
  • Erste externe Oberfläche 1527 der ersten Lichtpassage-Komponente 1531 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1527 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 15 gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der ersten optisch durchlässigen Linse 1528 im Wesentlichen gestreckt sein.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1532 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 1532 mag zweite externe Oberflächen 1528 aufweisen. Zweite externe Oberfläche 1528 der zweiten Lichtpassage-Komponente 1532 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1528 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 15 gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der zweiten optisch durchlässigen Linse 1528 gleichfalls im Wesentlichen gestreckt sein.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1531, 1532 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1534A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1534B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 1534A mag mittels Sägens ausgebildet sein. Der Einschnitt 1534A mag sich einwärts vorbei an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 1518A, 1518B des Leadframes bis zu dem Basisendpunkt 1534B des Einschnitts erstrecken. Der Einschnitt mag konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip im Wesentlichen vermeiden. Einschnitt 1534A mag sich um eine Basis der ersten Kuppellinse 1527 herum und um eine Basis der zweiten Kuppellinse 1528 herum erstecken, sodass zusätzliche Umfangsvertiefungen 1540A, 1540B bereitgestellt sind. Zusätzlich, mögen die ersten und zweiten Abschnitte 1518A, 1518B des Leadframes größer gemacht sein, so dass Bodenabschnitte der ersten und zweiten optisch durchlässigen Linsen 1527, 1528 bedeckt sind, welche mittels der Umfangsvertiefungen 1540A, 1540B umgeben sind, so dass Licht, welches auf die ersten und zweiten Abschnitte 1518A, 1518B fällt, im Wesentlichen am Eindringen in den Basisabschnitt 1530 gehindert wird. Das Vorhergehende mag ferner Vermeidung von Übersprechen ermöglichen.
  • 16 ist eine Schnittseitenansicht eines zusätzlichen Ausführungsbeispiels. 16 zeigt einen optischen Sensor 1610. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Optischer Sensor 1610 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1616 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1612 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einen ersten Abschnitt 1618A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einen zweiten Abschnitt 1618B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1617A, 1617B des Leadframes mögen elektrische Kontakte 1617A, 1617B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 1610 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Der optische Sensor 1610 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 1610 mag einen Basisabschnitt 1630 aufweisen, welcher über den ersten und zweiten Abschnitten 1618A, 1618B des Leadframes gemoldet ist. Das Substrat mag ferner einen dritten Abschnitt 1638A des Leadframes, welcher in der Nähe einer Seite des optischen Sensors angeordnet ist, welche dem Einschnitt 1634A und dem Basisendpunkt 1634B des Einschnitts gegenüberliegt. Der gemoldete Basisabschnitt 1630 mag zwischen dem dritten Abschnitt 1638A des Leadframes und dem Einschnitt 1634A eingeschoben sein. Wie in 16 gezeigt, mag in manchen Ausführungsbeispielen der Basisendpunkt des Einschnitts 1634B nicht flach sein.
  • Wie in 16 gezeigt, mag der Leadframe ein sequentielles Paar von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu einem der ersten und zweiten Abschnitte des Leadframes 1618A, 1618B haben. Zum Beispiel zeigt 16 ein sequentielles Paar A1; A2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem ersten Abschnitt 1618A des Leadframes, wo der Halbleiterlichtemitterchip an den Leadframe montiert ist. Zum Beispiel zeigt 16 ferner ein zweites sequentielles Paar B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem zweiten Abschnitt 1618B des Leadframes, wo der Halbleiterlichtdetektorchip an den Leadframe montiert ist.
  • Wie in 16 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1631 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 1627 aufweisen. Die erste externe Oberfläche 1627 der ersten Lichtpassage-Komponente 1631 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1627 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1632 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassagekomponente 1632 mag zweite externe Oberflächen 1628 aufweisen. Die zweite externe Oberfläche 1628 der zweiten Lichtpassagekomponente 1632 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1628 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1631, 1632 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1634A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1634B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 1634A mag mittels Vormoldens der ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1631, 1632 und gefolgt vom Hinzufügen der ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1631, 1632 gebildet sein, um einen spitz zulaufenden Basisendpunkt 1634B, wie in 16 gezeigt, auszubilden. Der Einschnitt 1634A mag sich einwärts vorbei an zumindest einem von den ersten und zweiten Abschnitten 1618A, 1618B des Leadframes bis zu dem Basisendpunkt 1634B des Einschnitts erstrecken. Der Einschnitt 1634A mag sich tiefer und/oder weniger tief relativ zu dem ersten und zweiten Abschnitten des Leadframes 1618A, 1618B erstrecken und mag somit konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip im Wesentlichen vermeiden. Da der Einschnitt 1634A sich weiter an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 1618A, 1618B vorbei erstreckt, mag weitere strukturelle Verstärkung des gemoldeten Basisabschnitts 1630 erwünscht sein. Wie in 16 gezeigt, mag der dritte Abschnitt 1638A des Leadframes eine strukturelle Verstärkung des gemoldeten Basisabschnitts 1630 bereitstellen. Der dritte Abschnitt 1638A des Leadframes mag sich von der Nähe des ersten Abschnitts 1618A des Leadframes an dem Basisendpunkt 1634B des Einschnitts 1634A vorbei bis in die Nähe des zweiten Abschnitts 1618B des Leadframes erstrecken.
  • 17 ist eine Schnittseitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels. 17 zeigt einen optischen Sensor 1710. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Optischer Sensor 1710 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1716 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1712 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einem ersten Abschnitt 1718A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einem zweiten Abschnitt 1718B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1717A, 1717B des Leadframes mögen, elektrische Kontakte 1717A, 1717B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen optischen Sensor 1710 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Der optische Sensor 1710 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 1710 mag einen Basisabschnitt 1730 aufweisen, welcher über den ersten und zweiten Abschnitten 1718A, 1718B des Leadframes gemoldet ist.
  • Wie in 17 gezeigt, mag der Leadframe ein sequentielles Paar von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu einem der ersten und zweiten Abschnitte des Leadframes 1718A, 1718B haben. Zum Beispiel zeigt 17 ein erstes sequentielles Paar A1, A2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem ersten Abschnitt 1718A des Leadframes, wo der Halbleiterlichtemitterchip an den Leadframe montiert ist. Zum Beispiel zeigt 17 ferner ein zweites sequentielles Paar B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem zweiten Abschnitt 1718B des Leadframes, wo der Halbleiterlichtdetektorchip an den Leadframe montiert ist.
  • Wie in 17 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1731 über zumindest Abschnitten der Halbleiterlichtemitterdiode angeordnet sein und zumindest Abschnitte der Halbleiterlichtemitterdiode abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 1727 aufweisen. Die erste externe Oberfläche 1727 der ersten Lichtpassagekomponente 1731 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1727 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 17 gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der ersten optisch durchlässigen Linse 1728 im Wesentlichen gestreckt sein.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1732 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 1732 mag zweite externe Oberflächen 1728 aufweisen. Die zweite externe Oberflächen 1728 der zweiten Lichtpassage-Komponente 1732 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1728 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 17 gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der zweiten optisch durchlässigen Linse 1728 im Wesentlichen gestreckt sein. Mittels Anhebens der Position der Halbleiterlichtemitter- und Detektorchips mag der Abstand zwischen den Chips und externen Oberflächen der ersten und zweiten Linsen 1727, 1728 Designherausforderungen zur Effizienz des Betriebs der Linsen darstellen. Dies mag durch die im Wesentlichen gestreckte Form überwunden werden.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1731, 1732 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1734A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1734B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 1734A mag sich einwärts vorbei an zumindest einer von der ersten Hauptemitteroberfläche 1716 und der Hauptdetektoroberfläche 1712 bis zu dem Basisendpunkt 1734B des Einschnitts erstrecken. Der Einschnitt mag konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, um dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip im Wesentlichen zu vermeiden.
  • 18 ist eine Schnittseitenansicht eines zusätzlichen Ausführungsbeispiels. 18 zeigt einen optischen Sensor 1810. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Optischer Sensor 1810 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1816 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1812 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einem ersten Abschnitt 1818A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einem zweiten Abschnitt 1818B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1817A, 1817B des Leadframes mögen elektrische Kontakte 1817A, 1817B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 1810 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Wie in 18 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1831 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 1827 aufweisen. Erste externe Oberfläche 1827 der ersten Lichtpassage-Komponente 1831 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1827 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1832 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 1832 mag zweite externe Oberflächen 1828 aufweisen. Die zweite externe Oberfläche 1828 der zweiten Lichtpassagekomponente 1832 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1828 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1831,1832 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1834A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1834B dazwischen angeordnet hat.
  • Der optische Sensor 1810 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 1810 mag einen Basisabschnitt 1830 aufweisen, welcher über den ersten und zweiten Abschnitten 1818A, 1818B des Leadframes gemoldet ist. Ein dritter Abschnitt 1838 des Leadframes mag zwischen den Chips eingefügt sein, genauer zwischen der Hauptemitteroberfläche 1816 und der Hauptdetektoroberfläche 1812. Der dritte Abschnitt 1838 des Leadframes mag gebogen sein, um einen reflektierenden Abschnitt, um Licht, welches darauf einfällt, zurück auf die entsprechenden ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1831, 1832 zu richten, zu definieren. Somit mag der dritte Abschnitt 1838 des Leadframes konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen der Hauptemitteroberfläche 1816 und der Hauptdetektoroberfläche wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, um dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen der Hauptemitteroberfläche 1816 und der Hauptdetektoroberfläche 1812 im Wesentlichen zu vermeiden.
  • 19A und 19B sind eine Schnittseitenansicht und eine Schnittdraufsicht von einem weiteren zusätzlichen Ausführungsbeispiel. 19A und 19B zeigen einen optischen Sensor 1910. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Optischer Sensor 1910 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 1916 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 1912 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einem ersten Abschnitt 1918A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einem zweiten Abschnitt 1918B des Leadframes montiert sein. Endabschnitte 1917A, 1917B des Leadframes mögen elektrische Kontakte 1917A, 1917B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 1910 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Der optische Sensor 1910 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 1910 mag einen Basisabschnitt 1930 aufweisen, welcher über den ersten und zweiten Abschnitten 1918A, 1918B des Leadframes gemoldet ist.
  • Wie insbesondere in 19A gezeigt, mag der Leadframe ein sequentielles Paar von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu einem der ersten und zweiten Abschnitte des Leadframes 1918A, 1918B haben. Zum Beispiel zeigt 19A ein sequentielles Paar A1, A2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem ersten Abschnitt 1918A des Leadframes, wo der Halbleiterlichtemitterchip an den Leadframe montiert ist. Zum Beispiel zeigt 19A ferner ein zweites sequentielles Paar B1, B2 von im Wesentlichen gleichen gegenüberliegenden Biegungen angrenzend zu dem zweiten Abschnitt 1918B des Leadframes, wo der Halbleiterlichtdetektorchip an den Leadframe montiert ist.
  • Wie in 19A gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 1931 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 1927 aufweisen. Erste externe Oberfläche 1927 der ersten Lichtpassage-Komponente 1931 mag eine erste optisch durchlässige Linse 1927 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 19A gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der ersten optisch durchlässigen Linse 1927 im Wesentlichen gestreckt sein.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 1932 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 1932 mag zweite externe Oberflächen 1928 aufweisen. Zweite externe Oberfläche 1928 der zweiten Lichtpassagekomponente 1932 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 1928 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Wie in 19A gezeigt, mag die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform der zweiten optisch durchlässigen Linse 1928 gleichfalls im Wesentlichen gestreckt sein.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 1931, 1932 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 1934A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 1934B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 1934A mag sich einwärts vorbei an zumindest einem von ersten und zweiten Abschnitten 1918A, 1918B des Leadframes bis zu dem Basisendpunkt 1934B des Einschnitts erstrecken. Der Einschnitt mag konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip im Wesentlichen zu vermeidet.
  • Da der Einschnitt 1934A sich weiter an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 1918A, 1918B vorbei erstreckt, mag weitere strukturelle Verstärkung des gemoldeten Basisabschnitts 1930 erwünscht sein. Wie in der Schnittdraufsicht in 19B gezeigt, mögen die dritten und vierten Abschnitte 1917C, 1917D des Leadframes eine strukturelle Verstärkung des gemoldeten Basisabschnitts 1930 bereitstellen. Die dritten und vierten Abschnitte 1917C, 1917D des Leadframes mögen sich jeder von der Nähe des ersten Abschnitts 1918A des Leadframes, an dem Basisendpunkt 1934B des Einschnitts 1934A vorbei, bis in die Nähe des zweiten Abschnitts 1918B des Leadframes erstrecken. Die dritten und vierten Abschnitte 1917C, 1917D des Leadframes mögen in der Nähe eines Umfangs und/oder Randgebiets des optischen Sensors 1910 angeordnet sein, was eine strukturelle Verstärkung des gemoldeten Basisabschnitts 1930 bereitstellen mag, während im Wesentlichen die Gegenwart der dritten und vierten Abschnitte 1917C, 1917D des Leadframes in der Nähe eines zentralen Bereichs des gemoldeten Basisabschnitts 1930 vermieden sein mag.
  • 20 ist eine Schnittseitenansicht eines noch zusätzlichen Ausführungsbeispiels. 20 zeigt einen optischen Sensor 2010. Der optische Sensor mag zumindest einen Abschnitt eines wie vorausgehend besprochenen Nähesensors ausbilden.
  • Der optische Sensor 2010 mag ein Substrat aufweisen. Das Substrat des optischen Sensors 2010 mag eine gedruckte Leiterplatte 2050 aufweisen, welche einen oder mehr Schaltkreisanschlüsse hat, welche einen Leadframe darauf angeordnet einschließen. Optischer Sensor 2010 mag einen Halbleiterlichtemitterchip, welcher eine Hauptemitteroberfläche 2016 hat, und einen Halbleiterlichtdetektorchip, welcher eine Hauptdetektoroberfläche 2012 hat, aufweisen. Der Halbleiterlichtemitterchip mag an einen ersten Abschnitt 2018A von einem der Schaltkreisanschlüsse montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip mag an einem zweiten Abschnitt 2018B eines weiteren der Schaltkreisanschlüsse montiert sein. Endabschnitte 2017A, 2017B des Leadframes mögen elektrische Kontakte 2017A, 2017B bereitstellen, die verwendet werden mögen, elektrische Verbindungen zwischen dem optischen Sensor 2010 und externen Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Wie in 20 gezeigt, mag eine erste Lichtpassage-Komponente 2031 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips abdecken. Die erste Lichtpassage-Komponente mag erste externe Oberflächen 2027 aufweisen. Die erste externe Oberfläche 2027 der ersten Lichtpassage-Komponente 2031 mag eine erste optisch durchlässige Linse 2027 aufweisen, welche eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  • Ebenso mag eine zweite Lichtpassage-Komponente 2032 über zumindest Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips angeordnet sein und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips abdecken. Die zweite Lichtpassage-Komponente 2032 mag zweite externe Oberflächen 2028 aufweisen. Die zweite externe Oberfläche 2028 der zweiten Lichtpassage-Komponente 2032 mag eine zweite optisch durchlässige Linse 2028 aufweisen, welche gleicherweise eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat. Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 2031, 2032 mögen vorgemoldet und durch Epoxid an das Substrat 2050 befestigt sein. Bei manchen Gelegenheiten mag das Epoxid die ersten Lichtpassage-Komponenten 2031 an die zweiten Lichtpassage-Komponenten 2032 optisch koppeln, wobei eine unerwünschte optische Brücke bereitgestellt wird.
  • Die ersten und zweiten Lichtpassage-Komponenten 2031, 2032 mögen zumindest teilweise mittels eines Einschnitts 2034A separiert sein, welcher einen Basisendpunkt 2034B dazwischen angeordnet hat. Der Einschnitt 2034A mag sich einwärts vorbei an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 2018A, 2018B der Anschlüsse bis zu dem Basisendpunkt 2034B des Einschnitts erstrecken. Der Basisendpunkt 2034B des Einschnitts mag sich bis in die gedruckte Leiterplatte 2050 hinein erstrecken, was im Wesentlichen die Möglichkeiten beseitigt, eine unerwünschte optische Brücke zu haben. Der Einschnitt mag konfiguriert sein, die Transmission von ungewünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren, und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip im Wesentlichen vermeidet.
  • 21 ist ein Blockdiagramm eines reflektierenden Encoders 2110 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Reflektierender Encoder 2110 mag einen Halbleiterlichtemitterchip 2116 und einen Halbleiterlichtdetektorchip 2112 aufweisen. Ein erster Teil des Lichts mag mittels des Lichtemitterchips 2116 zu einem Coderad („code wheel“) oder einem Codestreifen („code stripe“) 2160 emittiert werden. Der reflektierende Encoder 2110 mag so konfiguriert sein, dass zumindest ein zweiter Teil des ersten Teils des Lichts vom Coderad oder Codestreifen 2160 reflektiert werden mag, um mittels des Halbleiterlichtdetektorchips 2160 detektiert zu werden.
  • Der Halbleiterlichtemitterchip 2116 mag an einen ersten Abschnitt 2188A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip 2112 mag an einen zweiten Abschnitt 2118B des Leadframes montiert sein. Ein Einschnitt 2134A und/oder ein dritter Leadframeabschnitt mag eingerichtet sein, um zumindest teilweise erste und zweite Lichtpassage-Komponenten (nicht gezeigt) zu separieren. Der Einschnitt 2134A und/oder der dritte Leadframeabschnitt mögen sich bis an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 2118A, 2118B des Leadframes vorbei erstrecken. Der Einschnitt 2134A und/oder der dritte Leadframeabschnitt mag konfiguriert sein, um die Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip 2116 und dem Halbleiterlichtdetektorchip 2112 im Wesentlichen vermieden werden.
  • 22 ist ein Blockdiagramm eines Farbsensors gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Farbsensor 2210 mag einen Halbleiterlichtemitterchip 2216 und einen Halbleiterlichtdetektorchip 2212 aufweisen. Ein erster Teil des Lichts mag mittels des Lichtemitterchips 2216 auf ein externes farbiges Objekt emittiert sein. Der Farbsensor 2210 mag so konfiguriert sein, dass zumindest ein zweiter Teil des ersten Teils des Lichts von dem externen farbigen Objekt reflektiert werden mag, um mittels des Halbleiterlichtdetektorchips 2212 durch den Farbfilter 2270 hindurch detektiert zu werden.
  • Der Halbleiterlichtemitterchip 2216 mag an einen ersten Abschnitt 2218A eines Leadframes montiert sein. Der Halbleiterlichtdetektorchip 2212 mag an einen zweiten Abschnitt 2218B des Leadframes montiert sein. Ein Einschnitt 2234 und/oder ein dritter Leadframeabschnitt mögen eingerichtet sein, um, zumindest teilweise, erste und zweite Lichtpassage-Komponenten (nicht gezeigt) zu separieren. Der Einschnitt 2234 und/oder der dritte Leadframeabschnitt mögen sich bis an zumindest einem der ersten und zweiten Abschnitte 2218A, 2218B des Leadframes vorbei erstrecken. Der Einschnitt 2234 und/oder der dritte Leadframeabschnitt mag konfiguriert sein, um die Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip und dem Halbleiterlichtdetektorchip wesentlich zu dämpfen und/oder zu blockieren und mag dadurch optisches Übersprechen und/oder Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip 2216 und dem Halbleiterlichtdetektorchip 2212 im Wesentlichen vermieden werden.
  • Unterschiedliche Aspekte, Ausführungsbeispiele oder Ausformungen mögen entweder individuell und/oder in Kombination, müssen aber nicht, einen oder mehr der folgenden Vorteile bringen. Zum Beispiel mögen Merkmale wie zum Beispiel ein Anheben der Position der Halbleiterchips mittels Versehens von sequentiellen Paaren A1, A2, B1, B2 von im Wesentlichen gleichen entgegengesetzten Biegungen; die gestreckte Linse; die Abschnitte des Leadframes, welche zwischen den Halbleiterlichtemitter und Detektorchips eingesetzt sind; ein Abdecken des Lichtsensors mit Licht-dämpfenden oder blockierenden Schichten Übersprechen verringern. Auch wenn in jedem Ausführungsbeispiel unterschiedliche Aspekte präsentiert worden sind, können alle oder ein Teil der unterschiedlichen Aspekte, welche in jedem Ausführungsbeispiel illustriert sind, kombiniert werden. Zum Beispiel können die Licht-dämpfenden oder blockierenden Schichten auf die Ausführungsbeispiele, welche in den 14 bis 22 gezeigt sind, angewendet werden.

Claims (19)

  1. Verfahren zum Anfertigen eines optischen Sensors (10), aufweisend: Montieren eines Lichtemitters (16) an ein Substrat (11), wobei der Lichtemitter (16) einen Halbleiteremitterchip (2116) aufweist, welcher eine Hauptemitteroberfläche hat; Montieren eines Lichtdetektors (12) an das Substrat (11), wobei der Lichtdetektor (12) von dem Lichtemitter (16) an dem Substrat (11) beabstandet ist, wobei der Lichtdetektor (12) einen Halbleiterdetektorchip (2112) aufweist, welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat; Formen oder Platzieren einer ersten Lichtpassage-Komponente (31) über zumindest Abschnitten des Lichtemitters (16), wobei die erste Lichtpassage-Komponente (31) erste externe Oberflächen (40, 42, 47) aufweist; Formen oder Platzieren einer zweiten Lichtpassage-Komponente (32) über zumindest Abschnitten des Lichtdetektors (12), so dass zumindest Abschnitte der ersten Komponente (31) und der zweiten Komponente (32) mittels eines Spalts (34) separiert sind, wobei die zweite Lichtpassage-Komponente (32) zweite externe Oberflächen (41, 43, 46) aufweist, wobei der Spalt (34) aus einer Lücke von Material resultiert, wobei der Spalt (34) geformt ist mittels Erstreckens eines Einschnitts einwärts vorbei an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche bis zu einem Basisendpunkt des Einschnitts; Formen oder Platzieren einer entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) über einer ersten Maskierungsregion (26A) und einer zweiten Maskierungsregion (26B) der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46); Formen oder Platzieren einer Schicht (33) eines Licht-dämpfenden oder blockierenden Materials über zumindest Abschnitten der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46), welche angrenzend zu dem Spalt (34) angeordnet sind, wobei das Licht-dämpfende Material konfiguriert ist, Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren und dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) im Wesentlichen vermeidet; und Entfernen der entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) von der ersten Maskierungsregion (26A) und der zweiten Maskierungsregion (26B) der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46); wobei das Substrat (11) ein Leadframe ist, welcher einen ersten Abschnitt (1418A) hat, wo der Halbleiteremitterchip (2116) montiert ist, und einen zweiten Abschnitt (1418B) hat, wo der Halbleiterdetektorchip (2112) montiert ist, und wobei der optische Sensor (10) ferner aufweist ein sequentielles Paar von komplementären gegenüberliegenden Biegungen in dem Leadframe angrenzend zu einem von dem ersten Abschnitt (1418A) und dem zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Schicht von Licht-dämpfendem Material eine von einem Anstrich, einer Tinte und einem Farbstoff ist.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend Formen oder Platzieren zumindest eines Abschnitts des Licht-dämpfenden Materials über der entfernbaren Maskierungsschicht, so dass die entfernbare Maskierungsschicht zwischen zumindest einem Abschnitt des Licht-dämpfenden Materials und der ersten Maskierungsregion (26A) und der zweiten Maskierungsregion (26B) eingeschoben ist.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Verfahren ferner aufweist Aushärten der Maskierungsschicht (30A, 30B).
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei: die entfernbare Maskierungsschicht (30A, 30B) abziehbar ist; und das Entfernen ein Abziehen der entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) von der ersten Maskierungsregion (26A) und der zweiten Maskierungsregion (26B) der ersten externen Oberflächen (40., 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46) aufweist.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei: die entfernbare Maskierungsschicht (30A, 30B) in einem Lösungsmittel lösbar ist; und das Entfernen ein Lösen der entfernbaren Maskierungsschicht (30A, 30B) aufweist.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend Formen oder Platzieren des Licht-dämpfenden Materials über dem Großteil der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46).
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Schicht (33) von Licht-dämpfenden Material über den zumindest Abschnitten der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46) geformt oder platziert ist mittels einem von Sprühen, Eintauchen, Bürsten, Rollen, Galvanisieren und Sputtern des Licht-dämpfenden Materials darauf.
  9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der optische Sensor (10) in eine tragbare elektronische Vorrichtung eingebaut ist.
  10. Optischer Sensor (10) aufweisend: einen Lichtemitter (16), der einen Halbleiteremitterchip (2116) aufweist, welcher eine Hauptemitteroberfläche hat; einen Lichtdetektor (12), der einen Halbleiterdetektorchip (2112) aufweist, welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat; eine erste Komponente (31), welche zumindest über Abschnitten des Lichtemitters (16) angeordnet ist und zumindest Abschnitte des Lichtemitters (16) bedeckt und erste externe Oberflächen (40, 42, 47) aufweist, und eine zweite Komponente (32), welche zumindest über Abschnitten des Lichtdetektors (12) angeordnet ist und zumindest Abschnitte des Lichtdetektors (12) bedeckt und zweite externe Oberflächen (41, 43, 46) aufweist, wobei die erste Komponente (31) und die zweite Komponente (32) zumindest teilweise mittels eines Einschnitts (34) separiert sind, welcher einen Basisendpunkt dazwischen angeordnet hat, wobei der Einschnitt aus einer Lücke von Material zwischen der ersten Komponente (31) und der zweiten Komponente (32) resultiert, wobei der Einschnitt geformt ist mittels Erstreckens des Einschnitts einwärts vorbei an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche bis zu einem Basisendpunkt des Einschnitts ; und eine Schicht (33) von Licht-dämpfenden oder blockierenden Material, welches über zumindest Abschnitten der ersten externen Oberflächen (40, 42, 47) und der zweiten externen Oberflächen (41, 43, 46) angeordnet ist, welche angrenzend zu dem Einschnitt lokalisiert sind, und wobei das Licht-dämpfende oder blockierende Material konfiguriert ist, eine Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren und dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen dem Lichtemitter (16) und dem Lichtdetektor (12) im Wesentlichen vermeidet, wobei der Sensor (10) so konfiguriert ist, so dass zumindest ein erster Teil des Lichts, welches mittels des Lichtemitters (16) emittiert wird, durch eine erste Region der ersten Komponente (31) hindurch passiert, die vor dem Licht-dämpfenden oder blockierenden Material geschützt wurde, und wobei der Sensor (10) so konfiguriert ist, dass zumindest ein zweiter Teil des ersten Teils des Lichts, welches von einem Objekt von Interesse in der Nähe des Sensors (10) reflektiert wird, und mittels des Lichtdetektors (12) zu detektieren ist, durch eine zweite Region der zweiten Komponente (32) hindurch passiert, die vor dem Licht-dämpfenden oder blockierenden Material geschützt wurde, wobei der optische Sensor (10) ferner einen Leadframe aufweist, welcher einen ersten Abschnitt (1418A) des Leadframes hat, wo der Halbleiteremitterchip (2116) montiert ist, und einen zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes hat, wo der Halbleiterdetektorchip (2112) montiert ist, und wobei der optische Sensor (10) ferner aufweist ein sequentielles Paar von komplementären gegenüberliegenden Biegungen in dem Leadframe angrenzend zu einem von dem ersten Abschnitt (1418A) und dem zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes.
  11. Optischer Sensor (10) gemäß Anspruch 10, wobei: eine gemoldete optisch durchlässige Linse (27, 28) über den Lichtemitter (16) oder den Lichtdetektor (12) ausgebildet ist; und die gemoldete optisch durchlässige Linse (27, 28) vor dem Licht-dämpfenden oder blockierenden Material geschützt wurde.
  12. Optischer Sensor (10) gemäß Anspruch 10 oder 11, ferner aufweisend ein Substrat (11) auf dem der Lichtemitter (16) und der Lichtdetektor (12) betriebsbereit montiert sind.
  13. Optischer Sensor (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der optische Sensor (10) in eine tragbare elektronische Vorrichtung eingebaut ist.
  14. Optischer Sensor (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei: der Einschnitt sich einwärts an zumindest einem von dem ersten Abschnitt des Leadframes, wo der Halbleiteremitterchip (2116) montiert ist, und dem zweiten Abschnitt des Leadframes, wo der Halbleiterdetektorchip (2112) montiert ist, vorbei zu dem Basisendpunkt des Einschnitts erstreckt.
  15. Optischer Sensor (10) aufweisend: einen Leadframe; einen Halbleiterlichtemitterchip (2116), welcher an einem ersten Abschnitt (1418A) des Leadframes montiert ist, wobei der Halbleiterlichtemitterchip (2116) eine Hauptemitteroberfläche hat; einen Halbleiterlichtdetektorchip (2112), welcher an einem zweiten Abschnitt des Leadframes montiert ist, wobei der Halbleiterlichtdetektorchip (2112) eine Hauptdetektoroberfläche hat; eine erste Komponente (31), welche zumindest über Abschnitten des Halbleiterlichtemitterchips (2116) angeordnet ist und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips (2116) bedeckt und welche erste externe Oberflächen (40, 42, 47) aufweist; und eine zweite Komponente (32), welche zumindest über Abschnitten des Halbleiterlichtdetektorchips (2112) angeordnet ist und zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtdetektorchips (2112) bedeckt und welche zweite externe Oberflächen (41, 43, 46) aufweist, wobei die erste Komponente (31) und die zweite Komponente (32) zumindest teilweise mittels eines Einschnitts, welcher einen Basisendpunkt dazwischen angeordnet hat, separiert sind, wobei der Einschnitt aus einer Lücke von Material resultiert, wobei der Einschnitt sich einwärts an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche zu dem Basisendpunkt des Einschnitts vorbei erstreckt, und wobei der Einschnitt konfiguriert ist, eine Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip (2116) und dem Halbleiterlichtdetektorchip (2112) wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren und dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen dem Halbleiterlichtemitterchip (2116) und dem Halbleiterlichtdetektorchip (2112) im Wesentlichen vermeidet, wobei der optische Sensor (10) ferner aufweist ein sequentielles Paar von komplementären gegenüberliegenden Biegungen in dem Leadframe angrenzend zu einem von dem ersten Abschnitt (1418A) und dem zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes.
  16. Optischer Sensor (10) gemäß Anspruch 15, wobei die erste Komponente (31) und die zweite Komponente (32) eine erste optisch durchlässige Linse (27) bzw. eine zweite optisch durchlässige Linse (28) aufweisen, welche jede eine im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform hat.
  17. Optischer Sensor (10) gemäß Anspruch 16, wobei die im Wesentlichen halbkugelförmige Kuppelform im Wesentlichen gestreckt ist.
  18. Optischer Sensor (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei der optische Sensor (10) zumindest einen Abschnitt von einem Nähesensor, einem reflektierenden Encoder oder einem Farbsensor ausbildet.
  19. Optischer Sensor (10) aufweisend: einen Halbleiterlichtemitterchip (2116), welcher eine Hauptemitteroberfläche hat; einen Halbleiterlichtdetektorchip (2112), welcher eine Hauptdetektoroberfläche hat; und einen Leadframe, wobei der Halbleiterlichtemitterchip (2116) an einen ersten Abschnitt (1418A) des Leadframes montiert ist und der Halbleiterlichtdetektorchip (2112) an einen zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes montiert ist, wobei ein dritter Abschnitt (1838) des Leadframes zwischen die Hauptemitteroberfläche und die Hauptdetektoroberfläche eingefügt ist, und der dritte Abschnitt (1638A) des Leadframes konfiguriert ist, eine Transmission von unerwünschtem direkten, gestreuten oder reflektierten Licht zwischen der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche wesentlich zu dämpfen oder zu blockieren und dadurch optisches Übersprechen und Interferenz zwischen der Hauptemitteroberfläche und der Detektoroberfläche im Wesentlichen vermeidet, wobei zumindest Abschnitte des Halbleiterlichtemitterchips (2116) und des Halbleiterlichtdetektorchips (2112) mittels eines Spalts (34) separiert sind, wobei der Spalt (34) aus einer Lücke von Material resultiert, wobei der Spalt (34) geformt ist mittels Erstreckens eines Einschnitts einwärts vorbei an zumindest einer von der Hauptemitteroberfläche und der Hauptdetektoroberfläche bis zu einem Basisendpunkt des Einschnitts, wobei der optische Sensor (10) ferner aufweist ein sequentielles Paar von komplementären gegenüberliegenden Biegungen in dem Leadframe angrenzend zu einem von dem ersten Abschnitt (1418A) und dem zweiten Abschnitt (1418B) des Leadframes,
DE102014109230.9A 2013-07-02 2014-07-01 Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors Active DE102014109230B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/934,132 2013-07-02
US13/934,132 US9525093B2 (en) 2009-06-30 2013-07-02 Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014109230A1 DE102014109230A1 (de) 2015-01-22
DE102014109230B4 true DE102014109230B4 (de) 2019-10-31

Family

ID=52131478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014109230.9A Active DE102014109230B4 (de) 2013-07-02 2014-07-01 Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20150004294A (de)
DE (1) DE102014109230B4 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10139619B2 (en) 2015-02-12 2018-11-27 Optiz, Inc. Back side illumination image sensor with non-planar optical interface
WO2017142288A1 (ko) * 2016-02-15 2017-08-24 크루셜텍(주) 센서 패키지
CN113467016A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 武汉光迅科技股份有限公司 一种光接收组件及光模块

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD160263A1 (de) * 1981-06-30 1983-05-18 Guenter Heymann Mikro-reflexkoppler und verfahren zu seiner herstellung
JPS63308973A (ja) * 1987-06-11 1988-12-16 Nec Corp 光反射型センサ−の製造方法
US20100258710A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce spectral reflections
US20110204233A1 (en) * 2009-06-30 2011-08-25 Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. Infrared Attenuating or Blocking Layer in Optical Proximity Sensor
US20120070145A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. Method and system for shielding semiconductor devices from light

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD160263A1 (de) * 1981-06-30 1983-05-18 Guenter Heymann Mikro-reflexkoppler und verfahren zu seiner herstellung
JPS63308973A (ja) * 1987-06-11 1988-12-16 Nec Corp 光反射型センサ−の製造方法
US20100258710A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce spectral reflections
US20110204233A1 (en) * 2009-06-30 2011-08-25 Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. Infrared Attenuating or Blocking Layer in Optical Proximity Sensor
US20120070145A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. Method and system for shielding semiconductor devices from light

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150004294A (ko) 2015-01-12
DE102014109230A1 (de) 2015-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010030625B4 (de) Optische Nährungssensor-Baugruppe mit geformter Infrarotlicht-Zurückweisungsbarriere und Infrarotlicht-Durchlass-Komponenten
EP2215657B1 (de) Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden halbleiterbauelementen und herstellungsverfahren dafür
DE102011105374B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund
DE102018114186A1 (de) Optischer Fingerabdrucksensor und Verfahren zum Herstellen eines entsprechenden Erfassungsmoduls dafür
DE102010040011A1 (de) Package-on-Package (POP)-optischer-Näherungssensor
DE102013212928A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102014109571B4 (de) Verfahren zum packaging integrierter schaltungen und ein geformtes substrat mit in eine formmasse eingebetteten nicht funtionalen platzhaltern
EP2606510B1 (de) Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2014048832A1 (de) Optoelektronische vorrichtung
EP2649647B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zu dessen herstellung und verwendung eines derartigen bauelements
DE112013002559B4 (de) Spektralsensor
WO2008040324A1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
DE102014109230B4 (de) Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors
DE112013002560B4 (de) Spektralsensor
DE102012107578A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015002389B4 (de) Verfahren zum herstellen strahlungsundurchlässiger mittel für eine funktionseinheit
EP2406828B1 (de) Strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und optoelektronisches bauteil
DE102015118433A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1597774B1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einer leuchtdiode und einer mehrzahl von lichtsensoren
DE102004013077B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors
DE102014112818A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
WO2015154941A1 (de) Optoelektronisches halbleiterelement, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von optoelektronischen halbleiterelementen
DE102006039073A1 (de) Vorrichtung zur Untersuchung der spektralen und örtlichen Verteilung einer elektromagnetischen, von einem Gegenstand ausgehenden Strahlung
DE102017124319A1 (de) Halbleiterbauteil
EP2957876A1 (de) Baugruppe für einen optoelektronischen Sensor und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031167000

Ipc: H01L0031120000

R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LI, SG

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG

R082 Change of representative

Representative=s name: DILG, HAEUSLER, SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESE, DE

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final