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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Vorrichtung
und ein Beugungsgitter zum Trennen von Halbleiterelementen, die
auf einem Substrat gebildet werden, wie Halbleiterelementen, die
auf einem Wafer aus Halbleitermaterial unter Verwendung eines Lasers
gebildet werden, und insbesondere auf eine Vorrichtung und ein Beugungsgitter zum
Trennen von Halbleiterelementen, die auf einem Wafer eines Halbleitermaterials
unter Verwendung eines Lasers, der einen primären Laserstrahl produziert,
gebildet werden, wobei besagter erster Laserstrahl in eine Vielzahl
von sekundären
Laserstrahlen unter Verwendung eines ersten Beugungsgitters aufgetrennt
wird, das mindestens eine erste Gitterstruktur aufweist und durch
Auftreffen lassen des besagten ersten Laserstrahls auf besagte erste
Gitterstruktur, und wobei mindestens eine erste Rille durch Bewegen
des besagten Lasers relativ zu besagtem Wafer in eine erste Richtung
gebildet wird, wobei mindestens eine zweite Rille durch Bewegen
des besagten Lasers relativ zu besagtem Wafer in eine zweite Richtung
gebildet wird.
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Hintergrund der Erfindung
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Es
in der Industrie üblich,
Halbleiterelemente, wie Dioden, Transistoren, integrierte Schaltkreise, die
eine Vielzahl von Dioden und Transistoren und passiven Bauelementen,
wie Kondensatoren auf Wafern aus Halbleitermaterial zu bilden. Diese
Halbleiterelemente werden im Allgemeinen durch Diamantschneiden
oder andere mechanische Schneideverfahren von einander getrennt;
in einigen Fällen werden
Laser-Dicing oder Laserschneidetechniken verwendet. Andere Trennungstechniken
sind, zum Beispiel, zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen wie
CCD-Vorrichtungen, wobei Halbleiterelemente (z.B. Halbleiterzellen)
mit einem keramischen Material (Glas) beschichtet werden, und als
Ganzes abgetrennt werden.
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U.S.
Patent 5,922,224, von dem der Inhaber der vorliegender Erfindung
Inhaber ist, offenbart eine Lasertrennungstechnik, bei der eine
Rille auf der Oberfläche
eines Wafers aus Halbleitermaterial durch lokale Verdampfung und/oder
Schmelzejektion des Halbleitermaterials durch Erhitzen mittels Strahlung,
die durch einen Laser erzeugt wird, gebildet wird. Daher wird ein
primärer
Laserstrahl auf ein Beugungsgitter gerichtet, um den Strahl in eine
Vielzahl von sekundären
Laserstrahlen aufzuteilen. Diese sekundären Laserstrahlen werden auf
den Wafer gerichtet und werden in einem oder mehreren Brennpunkten
fokussiert. Durch relative Bewegung zwischen dem Wafex und dem Laserstrahl
werden abhängig
von der Zahl der Brennpunkte eine oder mehrere Rillen gebildet.
Jede Rille, die gebildet wird, entspricht einem Brennpunkt auf der
Oberfläche
des Wafers. Die relative Bewegung kann, wie gewürdigt werden wird, durch Bewegen
des Lasers, Bewegen des Wafers oder Bewegen sowohl des Wafers als auch
des Lasers erreicht werden.
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Es
sollte zur Kenntnis genommen werden, dass in einem wie oben beschriebenen
Verfahren, mehr als ein sekundärer
Laserstrahl auf einen Brennpunkt gerichtet werden kann. Die Tiefe
und die räumliche
Form der Rille oder Grube, die im Wafer gebildet wird, kann von
der Orientierung der ein oder mehreren sekundären Laserstrahlen relativ zur
Oberfläche des
Wafers abhängen.
Ein sekundärer
Laserstrahl, der auf die Oberfläche
schräg
auftrifft, kann Gruben mit zu der Oberfläche schrägen (statt rechtwinkligen) Seitenwänden bilden.
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Im
Allgemeinen werden die Halbleiterelemente, die auf dem Wafer gebildet
werden, über
die Oberfläche
in einem bestimmten Oberflächenmuster verteilt,
das geradliniges Schneiden durch Bereitstellen einer geeigneten
relativen Bewegung zwischen dem Laser und dem Wafer ermöglicht.
Solch ein Muster kann, zum Beispiel, ein Matrixmuster sein, wobei
der Wafer durch Bildung einer Vielzahl von parallelen Rillen in
einer ersten Richtung, zum Beispiel, zwischen jeder Zeile der Halbleiterelemente
und nachfolgend durch Bildung einer Vielzahl von Rillen in einer
zweiten Richtung, zum Beispiel, zwischen jeder Spalte der Halbleiterelemente,
gediced werden. Es versteht sich, dass für eine Matrixverteilung der Halbleiterelemente,
wenn der Wafer mit Schneiden in der ersten Richtung fertig ist,
eine relative Bewegung zwischen dem Wafer und dem Laser in der dazu rechtwinkligen
Richtung notwendig ist, um die Rillen in der zweiten Richtung zu
bilden.
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Als
Ergebnis des Aufteilens des primären
Laserstrahls in die Vielzahl an sekundären Laserstrahlen und des Refokussierens
dieser sekundären
Laserstrahlen auf die Wafer Oberfläche, wird das Muster der Brennpunkte
und der Orientierung des sekundären
Laserstrahls relativ zur Wafer Oberfläche von der Schneiderichtung
abhängig.
Wenn, zum Beispiel, zwei Brennpunkte auf der Oberfläche gebildet
werden, um zwei Rillen auf dem Wafer in einem vorgegebenen Abstand
von einander in der ersten Richtung zu bilden, muss das Muster der
zwei Brennpunkte auf der Wafer Oberfläche in der zweiten Richtung
angepasst werden, um den vorgegebenen Abstand zwischen den Rillen
beizubehalten. Ähnlich
muss, in dem Fall, dass einer oder mehrere sekundäre Laserstrahlen
auf die Wafer Oberfläche
schräg
auftreffen, die Orientierung des sekundären Strahls angepasst werden,
um die Orientierung des sekundären
Strahls relativ zu der zu bildenden Rille in der zweiten Richtung
beizubehalten.
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Dies
kann durch Rotieren des Wafers relativ zu dem Laser erreicht werden,
um den sekundären Laserstrahl
und einen oder mehrere Brennpunkte so auszurichten, dass eine gewünschte Vielzahl
an parallelen Rillen in der zweiten Richtung durch Bewegung des
Lasers relativ zum Wafer gebildet werden kann. In dem Beispiel einer
Matrix Verteilung von Halbleiterelementen kann dies durch Rotieren
des Wafers um einen Winkel von 90 Grad vor der Bildung der Rillen
in der zweiten Richtung erreicht werden.
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Rotation
des Wafers muss ausreichend genau um einen gewünschten Winkel ausgeführt werden.
Bis zu einem bestimmten Grad sind Variationen des Rotationswinkels
unvermeidlich. Diese Variationen bestimmen die Effizienzgrenzen
dieses Verfahrens, da es verstanden werden wird, dass Variationen
des Rotationswinkels des Wafers in Variationen der Schneiderichtung
resultieren werden. Da der Laser relativ zu dem Wafer bewegt wird,
wird die tatsächlich
gebildete Rille von der gewünschten
oder beabsichtigten Rille abweichen, und diese Abweichung wird über die
Entfernung, die vom Laser relativ zu dem Wafer zurückgelegt
wird, zunehmen.
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In
der Industrie kann dies verhindert werden durch zur Verfügung stellen
einer so genannten Schreibbahn, die ein Bereich ist zwischen jeder
der Zeilen und Spalten der auf dem Wafer gebildeten Halbleiterelemente,
in dem die Rille gebildet werden kann. Eine Variation der Schneiderichtung
wird nicht direkt im Verlust von Halbleiterelementen resultieren, wenn
die Schreibbahn ausgewählt
ist, breit genug zu sein. Die Dimensionen der Schreibbahn (Breite)
bestimmt jedoch zu einem bestimmten Maß die Anzahl der Halbleiterelemente,
die auf der Oberfläche
gebildet werden kann. Wie eingesehen werden wird, müssen die
Schreibbahnen daher so klein wie möglich sein. Es versteht sich
daher, dass viel Aufwand auf die genaue Rotation des Wafers verwendet
wird, so dass Variationen des Rotationswinkels so klein wie möglich sind.
Dies verlangsamt den Trennungsprozess.
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Ein
weiterer Nachteil ist, dass die Muster der Brennpunkte und die Orientierung
des sekundären Laserstrahls
relativ zur Wafer Oberfläche
durch die Eigenschaften des Beugungsgitters bestimmt sind. Es ist
daher nicht möglich
diese Muster während
des Prozesses zu ändern,
ohne den Prozess zu unterbrechen und das Beugungsgitter zu ersetzen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung bereitzustellen
zum Trennen von Halbleiterelementen, das die oben erwähnten Problem
verringert, das die genaue Bildung von Rillen in jede Richtung ermöglicht und
das das Ändern
der Muster der Brennpunkte der sekundären Laserstrahlen durch diesen
Prozess ermöglicht.
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Dies
wird durch die vorliegende Erfindung erreicht, indem eine Vorrichtung
gemäß Anspruch
1 bereitgestellt wird.
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Durch Ändern der
ersten Gitterstruktur zu einer zweiten Gitterstruktur für die Verwendung
in der zweiten Richtung, ist es nicht länger notwendig die gleiche
Beugungsgitterstruktur sowohl für
die erste als auch die zweite Richtung zu verwenden. Daher kann
eine geeignete Gitterstruktur für
die erste Richtung und eine andere geeignete Gitterstruktur für die zweite
Richtung verwendet werden; jede der ersten und zweiten Gitterstrukturen
ist angepasst an die Anforderungen der Richtung, bei denen sie verwendet werden.
Die zweite Gitterstruktur kann, zum Beispiel, einfach ein rotiertes
mathematisches Abbild der ersten Gitterstruktur seien, oder kann
alternativ eine vollkommen andere Gitterstruktur sein. Dies ermöglicht es,
den Wafer (oder den Laser) in eine andere Richtung zu rotieren (z.B.
seitwärts
statt vor und zurück), ohne
den Wafer erst relativ zu dem Laser bewegen zu müssen und ohne das Beugungsgitter
ersetzen zu müssen.
Variationen des Rotationswinkels und/oder der Schneiderichtung,
die durch Rotation irgendeines Elements relativ zu einem anderen
Element in dem Prozess verursacht werden, werden dadurch verhindert.
Die durch die Wafer-Dicing
Vorrichtung zu bildenden Rillen können daher genauer platziert
werden, und die benötigten
Schreibbahnen können
kleiner gemacht werden als durch konventionelle Wafer-Dicing Vorrichtungen.
Als Ergebnis kann die Dichte der Halbleiterelemente auf der Wafer
Oberfläche erhöht werden,
was die Kosten der Produktion reduziert.
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Die
Vorrichtung kann auf eine Vorrichtung zum Abtrennen von Halbleiterelementen
von einem Wafer aus Halbleitermaterial angewandt werden. Zusätzlich kann
die Vorrichtung für
die Herstellung von CCD-Vorrichtungen verwendet werden. Alternativ kann
die Vorrichtung der Erfindung, zum Beispiel, auf das Trennen anderer
Substrate, die Halbleiterelemente umfassen, wie Halbleiterelementen,
die auf Substraten aus einem isolierendem Material gebildet werden,
angewandt werden.
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Ändern der
ersten Gitterstruktur in eine zweite Gitterstruktur kann auf verschiedenen
Wegen erreicht werden. In einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung umfasst besagtes Ändern
besagter erster Gitterstruktur das Verschieben besagten ersten Beugungsgitters,
so dass besagter erster Laserstrahl auf besagte zweite Gitterstruktur
trifft.
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Wie
von Fachleuten geschätzt
werden wird, kann das Ändern
der ersten Gitterstruktur in eine zweite Gitterstruktur vergleichsweise
einfach durchgeführt
werden, indem eine Verschiebungsbewegung des Beugungsgitters bereitgestellt
wird. Das Muster der Brennpunkte und die Orientierung des sekundären Laserstrahls
kann genau angepasst werden, da das Ausrichten der ersten und zweiten
Gitterstruktur in der Ebene rechtwinklig zu dem Laser genau voreingestellt werden
kann. Eine Verschiebung besagten Beugungsgitters in besagter Ebene
wird nicht die Ausrichtung der ersten und zweiten Gitterstruktur
relativ zueinander und relativ zu der Wafer Oberfläche ändern.
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Die
zweite Gitterstruktur kann entweder auf dem ersten Beugungsgitter
bereitgestellt werden, zum Beispiel, wenn das erste Beugungsgitter
andere Oberflächenbereiche
mit anderen Gitterstrukturen bereitstellt, oder durch Bereitstellen
besagter zweiter Gitterstruktur auf einem zweiten Beugungsgitter.
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Besagte
zweite Gitterstruktur kann eine andere Gitterstruktur sein als besagte
erste Gitterstruktur, oder alternativ in einer Ausführungsform
der Erfindung, sind besagte erste und zweite Gitterstrukturen so
ausgewählt,
dass besagte zweite Gitterstruktur ein mathematisches Abbild besagter
erster Gitterstruktur ist, indem besagte erste Gitterstruktur um
einen Rotationswinkel rotiert wird.
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Dies
hat den Nutzen, dass, wenn ähnliche Rillen
in der ersten und zweiten Richtung gebildet werden sollen, mit,
zum Beispiel, ähnlichen
Abständen
zwischen jeder Rille, einer ähnlichen
Tiefe, etc., ein mathematisches Abbild der ersten Gitterstrukturen
als die zweite Gitterstruktur verwendet werden kann, zum Beispiel,
eine mathematische Rotation der ersten Gitterstruktur um einen bestimmten
Winkel in der Ebene des Gitters. Ein klares Beispiel ist der Fall, bei
dem die Halbleiterelemente auf dem Wafer in einer Matrix Verteilung
verteilt sind, mit Elementen in gleichen Abständen in jeder Spalte und jeder
Zeile der Matrix. In der Tat kann die Gitterstruktur, die zur Bildung
der Rillen zwischen jede der Spalten (in der ersten Richtung) verwendet
wird, verwendet werden, um Rillen zwischen jede der Zeilen (in der
zweiten Richtung) zu bilden, indem die erste Gitterstruktur um einen
Winkel von 90 Grad in der Ebene des Beugungsgitters mathematisch
rotiert wird (es sollte angemerkt werden, dass dieser Rotationswinkel
gleich dem Winkel zwischen der ersten und zweiten Richtung ist).
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Es
gibt zahlreiche Möglichkeiten,
die obige Ausführungsform
zu implementieren. Eine kann, zum Beispiel, ein einzelnes Beugungsgitter
mit einer ersten und einer zweiten Beugungsgitterstruktur verwenden,
wobei die erste und die zweite Gitterstruktur die Gleichen sind
aber unter einem Winkel ausgerichtet sind (z.B. rechtwinklig). Ein
Beispiel dafür
kann eine Fischgrätenstruktur
sein, wobei die erste Gitterstruktur aus einer Vielzahl von parallelen
Linien in eine Richtung besteht und die zweite Gitterstruktur aus
einer Vielzahl von Linien in der zweiten Richtung rechtwinklig zu
der ersten Richtung besteht.
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In
einer anderen Ausführungsform
wird das erste Beugungsgitter um eine Rotationsachse rotiert, die
quer ist zu dem ersten Laserstrahl. Das Beugungsgitter wird mit
anderen Worten „umgedreht".
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Es
wird gewürdigt
werden, dass die Rotationsachse, die quer gegenüber dem primären Laserstrahl
ist, so gewählt
werden kann, dass das Rotieren des ersten Beugungsgitters um diese
Rotationsachse um 180 Grad eine zweite Gitterstruktur bereitstellt, wobei
die Gitterlinien rechtwinklig zu den Linien der ersten Gitterstruktur
in der Ebene sind, die rechtwinklig ist gegenüber dem primären Laserstrahl.
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Es
wird gewürdigt
werden, dass eine andere Möglichkeit
zum Ändern
der ersten Gitterstruktur in die zweite Gitterstruktur das Rotieren
besagten ersten Beugungsgitter relativ zu einer Rotationsachse parallel
zu besagtem erstem Laserstrahl umfasst. Die besagte Rotation um
den gewünschten
Rotationswinkel sollte genau ausgeführt werden.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Beugungsgitter
gemäß Anspruch
5 zur Verfügung
gestellt.
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Die
vorliegende Erfindung wird nun weiter durch die Beschreibung und
Zeichnungen erläutert, die
sich auf bevorzugte Ausführungsformen
davon beziehen, gerichtet auf eine Anordnung und ein Beugungsgitter
zum Trennen eines Halbleiterelements, das auf der Oberfläche eines
Wafers gebildet wird, wobei die Halbleiterelemente über den
Wafer in einer Matrix Verteilung so verteilt sind, dass die erste
und zweite Richtung, wie oben beschrieben, rechtwinklig zueinander
sind. Die Erfindung wird nicht durch die offenbarten Ausführungsformen
eingeschränkt;
die Ausführungsformen
werden nur zur Erläuterung
bereitgestellt.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 zeigt
eine Anordnung gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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2A–C zeigt
zahlreiche Beugungsgitter für
die Verwendung mit der vorliegenden Erfindung.
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3 zeigt
einen Rotationsschritt eines Beugungsgitters zum Ändern einer
ersten Gitterstruktur in eine zweite Gitterstruktur.
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Ausführliche
Beschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt
eine Anordnung gemäß der vorliegenden
Erfindung, wobei ein Laser 1 eine Vielzahl von primären Laserstrahlen 2 bereitstellt,
die unter Verwendung eines Spiegels 3 ausgerichtet werden auf
ein Beugungsgitter 4 zu treffen. Das Beugungsgitter 4 teilt
den primären
Laserstrahl 2 in eine Vielzahl von sekundären Laserstrahlen 5.
Die sekundären
Laserstrahlen 5 werden durch ein optisches Element (Objektiv)
in eine Vielzahl von Brennpunkten 10 und 11 auf
die Oberfläche
eines Wafers 12 fokussiert. Der Wafer 12 wird
durch einen Tisch 13 gestützt. Anzumerken ist, dass Achse 15 die
optische Achse rechtwinklig zu dem Wafer zeigt, parallel zu dem
primären
Laserstrahl.
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Um
die Halbleiterelemente von der Wafer Oberfläche abzutrennen, wird eine
Vielzahl an Rillen, die in Brennpunkten 10 und 11 gebildet
werden, durch Bewegen der primären
Laserstrahlen 2 relativ zu dem Wafer 12, der durch
Tisch 13 gestützt
wird, gebildet. Dies kann entweder durch Bewegen des Tisches 13 mit
dem Wafer 12 und Beibehaltung der optischen Komponenten
(1, 3, 4, 6 und 14)
am Ort, oder durch Bewegen der optischen Komponenten und Beibehaltung
des Tisches 13 am Ort, oder durch Bewegen sowohl des Tisches 13 als
auch der optischen Komponenten erreicht werden. Wenn eine Vielzahl von
Rillen in einer ersten Richtung auf der Wafer Oberfläche gebildet
werden, und der Laser aufgehört hat
sich relativ zu dem Wafer in der ersten Richtung zu bewegen, können die
primären
Laserstrahlen 2 relativ zu der Wafer Oberfläche 12 in
einer zweiten Richtung bewegt werden, rechtwinklig zu der ersten Richtung,
um eine Vielzahl an Rillen in der zweiten Richtung zu bilden. Es
ist klar, dass die Brennpunkte 10 und 11, wegen
der Änderung
der Richtung, irgendwie an verschiedenen Orten gebildet werden müssen. Wenn
zum Beispiel die erste Richtung des Wafers 12 relativ zu
dem primären
Laserstrahlen 2 in der zu dem Papier rechtwinkligen Richtung
ist, und die zweite Richtung parallel zu dem Papier ist, wird durch
Pfeil 17 angezeigt, ist es klar, dass Brennpunkt 11 in
der ersten Richtung der Spur von Brennpunkt 10 folgt, während Brennpunkte 10 und 11 in
der zweiten Richtung Bahnen folgen, die parallel zu einander in
einem bestimmten Abstand von einander sind. Es versteht sich, dass
dies eine nicht gewünschte
Situation sein kann; zum Beispiel, kann es gewünscht sein, dass Brennpunkt 11 dem
Brennpunkt 10 in genau der gleichen Weise folgt, während der
Laser relativ zu dem Wafer in der zweiten Richtung bewegt wird,
wie es in der ersten Richtung gemacht wird. Alternativ kann eine
Orientierung, des sekundären
Laserstrahls 5, die vollkommen verschieden gegenüber der
ersten Richtung ist, und die in einem anderen Muster von Brennpunkten
auf der Wafer Oberfläche resultiert,
in der zweiten Richtung gewünscht
sein.
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Verändern der
Positionen der Brennpunkte 10 und 11 kann zum
Beispiel erreicht werden, indem ein zweites Beugungsgitter 14 mit
einer zweiten Gitterstruktur bereitgestellt wird, und indem die
erste Gitterstruktur 4 von den primären Laserstrahlen 2 weg
verschoben wird, während
Beugungsgitter 14 in die primären Laserstrahlen 2 geschoben
wird, so dass die primären
Laserstrahlen 2 auf die zweite Gitterstruktur treffen.
Die zweite Gitterstruktur, die auf einem zweiten Beugungsgitter 14 gebildet
wird, kann von der ersten Gitterstruktur auf dem Beugungsgitter 4 verschieden
sein. Daher kann die Vielzahl an sekundären Laserstrahlen 5,
die durch das Auftreffen der primären Laserstrahlen 2 auf
das Beugungsgitter 14 gebildet wird, in Folge der zweiten
Gitterstruktur in verschiede Richtungen orientiert und gerichtet
sein. Die zweite Gitterstruktur, gebildet auf Beugungsgitter 14,
kann so ausgewählt
sein, dass die damit gebildeten Brennpunkte angeordnet sind eine
Vielzahl an (äquidistanten)
Rillen in der zweiten Richtung zu bilden.
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Die
Beugungsgitter 4 und 14, umfassend die erste bzw.
zweite Gitterstruktur, können
aus zwei verschiedenen Beugungsgittern bestehen, wie in 1 gezeigt,
oder können
alternativ durch ein Brechungsgitter gebildet werden, das die erste
und die zweite Gitterstruktur in verschiedenen Regionen der Oberfläche davon
umfasst. Einige Beispiele solche eines Brechungsgitters sind in 2A, 2B und 2C gezeigt.
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2A zeigt
ein so genanntes Fischgrätengitter,
bestehend aus zwei Gitterstrukturen auf der Oberfläche davon.
Die erste Gitterstruktur 21 und die zweite Gitterstruktur 22 auf
der Oberfläche
des Fischgrätengitters 20 sind
einander ähnlich,
was den Abstand zwischen der Vielzahl der parallelen Gitterlinien
betrifft. Die zweite Gitterstruktur 22 bildet jedoch ein
mathematisches Abbild der ersten Gitterstruktur 21, bei
dem die zweite Gitterstruktur 22 um genau 90 Grad gedreht
ist.
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Ein
Fischgrätengitter,
wie in 2A gezeigt, kann verwendet werden,
um eine Vielzahl von Halbleiterelementen, die auf der Oberfläche eines Wafers
gebildet sind, dessen Halbleiterelemente in einem Matrixverteilungsmuster
verteilt sind, zu trennen.
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Jedes
dieser Halbleiterelemente kann die Form eines Quadrats haben, und
jede Spalte und jede Zeile der Matrix enthält eine Vielzahl dieser Halbleiterelemente.
Zwischen jeder dieser Zeilen und jeder dieser Spalten ist eine Schreibspur
zum Bilden einer Rille enthalten. Es wird gewürdigt werden, dass bei Verwendung
eines Fischgrätengitters 20,
wie gezeigt in 2A, es nicht notwendig ist den
Wafer relativ zu dem primären
Laserstrahlen zu rotieren, wenn die Anordnung in der ersten Richtung
zu Ende bewegt ist. Gitter 20 kann verschoben werden, so dass
die primären
Laserstrahlen auf jede gewünschte
Gitterstruktur 21 oder 22 auftreffen.
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2B zeigt
eine alternative Ausführungsform
eines Beugungsgitters, das mit der vorliegenden Erfindung verwendet
werden kann, wobei eine erste Gitterstruktur 25 und eine
zweite Gitterstruktur 26 auf der Oberfläche eines Beugungsgitters 24 gebildet
werden. Es wird gewürdigt
werden, dass das Muster der sekundären Laserstrahlen, gebildet
durch die erste Gitterstruktur 25, vollkommen verschieden ist
von dem Muster der sekundären
Laserstrahlen, gebildet mit der zweiten Gitterstruktur 26.
Es wird ferner gewürdigt
werden, das verschiedene Beugungsgitter für verschiedene Wafer-Dicing
Anforderungen konstruiert werden können. Falls ein Wafer eine
Vielzahl von Halbleiterelementen umfasst, die nicht in einer Matrixverteilung
verteilt sind, wie unter Bezug auf 2A beschrieben
wurde, kann jede Kollektion an ersten und zweiten (und möglicherweise
dritten, vierten...nten) Gitterstrukturen
auf der Oberfläche
eines Beugungsgitters gebildet werden, um ein geeignetes Muster
von sekundären
Laserstrahlen bereitzustellen, die angeordnet sind, in jeder gewünschten
Richtung Schnitte durchzuführen.
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In 2C wird
eine andere Ausführungsform
eines Fischgrätengitters 28 gezeigt,
wobei eine erste Gitterstruktur 29 eine Vielzahl an parallelen
Gitterlinien umfasst, und eine zweite Gitterstruktur 30 eine
Vielzahl von Gitterlinien umfasst, die rechtwinklig zu der ersten Gitterstruktur
sind. Es ist zu beachten, dass die Gitterstrukturlinien in der ersten
Gitterstruktur viel näher
aneinander sind als die Gitterlinien in der zweiten Gitterstruktur.
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Ändern der
ersten Gitterstruktur in eine zweite Gitterstruktur kann auch erreicht
werden, indem ein konventionelles Beugungsgitter umgedreht wird, wie
in 3 der Anmeldung gezeigt. Der obere Teil von 3 zeigt
ein konventionelles Beugungsgitter 35, das eine erste Gitterstruktur 36 umfasst.
Eine Rotationsachse 37 parallel zu der Oberfläche des
Gitters ist so gewählt,
dass der Winkel α der
Rotationsachse 37 und die Linien der Gitterstruktur 36 der
Hälfte
des Winkels entspricht, um den die erste Gitterstruktur 36 in
der Papierebene gedreht werden muss, um eine zweite Gitterstruktur 40 zu
bilden. Die zweite Gitterstruktur 40 wird dann durch Rotieren
des Beugungsgitters 35 um einen Winkel θ, gleich 180 Grad, um die Rotationsachse 37 erreicht.
Diese wird durch Pfeil 38 angezeigt. Der untere Teil von 3 zeigt das
Ergebnis dieser Rotation. Hier wird das gleiche Gitter (als 35' bezeichnet)
gezeigt umfassend eine zweite Gitterstruktur 40. Tatsächlich wird
die zweite Gitterstruktur 40 durch Rotieren des Brechungsgitters 35 um
eine Rotationsachse 37, erhalten, so dass die „Rückseite" des Gitters die „Vorderseite" wird und umgekehrt.
Als Referenz wird die Rotationsachse 37 auch im unteren
Teil von 3 gezeigt.
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Zum
Zwecke des Verständnisses
wird hier angemerkt, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen
der vorliegenden Erfindung angesichts der obigen Lehr möglich sind.
Es versteht sich daher, dass, innerhalb des Schutzbereichs der Patentansprüche, die
Erfindung auf andere Weise, als hier im Speziellen beschrieben,
ausgeübt
werden kann.