DE4025144C2

DE4025144C2 -

Info

Publication number: DE4025144C2
Application number: DE4025144A
Authority: DE
Inventors: Toshitaka Aoyagi; Kimio Itami Hyogo Jp Shigihara
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-08-17
Filing date: 1990-08-08
Publication date: 1993-05-06
Also published as: DE4025144A1; JP2768988B2; JPH0376189A; US5185290A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß den Oberbegriffen der neben geordneten Patentansprüche 1, 8 und 16 zum selektiven Aufbringen von einer oder mehreren Beschichtungen auf Flächen bzw. Kristallflächen von lichtemittierenden Bereichen bei Halbleitereinrichtungen. Die Erfindung eignet sich insbesondere zum gleichzeitigen Beschichten einer großen Anzahl von nahe benachbarten lichtemittierenden Bereichen bzw. Kristallflächen, die in derselben Ebene bzw. Oberfläche liegen, z. B. zum Beschichten einer Mehrzahl von Halbleiterlaserarrays in einem Halbleiterwafer, bevor der Wafer in individuelle Arrays zerteilt wird.

Aus dem JP-Buch: "VLST-TECHNOLOGY", Ed.: S. M. Sze, McGraw-Hill, Ja pan, 1983, Seiten 431 bis 435 ist es bereits bekannt, ein Verfahren zum se lektiven Beschichten einer Halbleiteroberfläche so einzusetzen, daß der Strahl des Beschichtungsmaterials über eine Kante unter einem bestimm ten Winkel zur Frontoberfläche auftrifft, wobei auch Abschattungseffekte auftreten.

Aus der DE 36 36 336 A1 ist ferner ein Verfahren zum selektiven Beschich ten gemäß dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 bzw. 8 bekannt, wobei zusätzlich noch die Herstellung einer Mehrzahl von Schichten benachbart zu einer Frontoberfläche eines Halbleiterwafers zur Bildung einer Mehr zahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen aus dem Halbleiter wafer ersichtlich ist, wobei jede lichtemittierende Halbleitereinrichtung einen ersten und einen zweiten lichtemittierenden Bereich aufweist, die voneinander beabstandet sind, und wobei jeder lichtemittierende Bereich eine Facette besitzt, durch die hindurch Licht emittiert wird. Die Facetten liegen dabei in einer gemeinsamen Oberfläche.

Ein entsprechender Sachverhalt ist auch der DE 36 11 167 A1 zu entneh men.

Die Fig. 8 zeigt ein konventionelles Verfahren zum selektiven Beschichten einander abwechselnder lichtemittierender Flächen bzw. Facetten (Kri stallflächen), die in derselben Oberfläche eines Arrays von Halbleiterla sern liegen. Gemäß Fig. 8 enthält eine Lasereinrichtung 1 zwei Laser, wobei ein Laser einen lichtemittie renden Bereich 2 aufweist, der einen Lichtstrahl mit relativ hoher Leistung ab strahlt. Der andere Laser der Lasereinrichtung 1 weist einen lichtemittierenden Bereich 3 auf, der Licht mit relativ geringer Leistung abstrahlt, und darüber hin aus mit relativ geringem Rauschen. Die Stirn- bzw. Kristallflächen der lichtemit tierenden Bereiche an der Oberfläche 4, durch die das Licht hindurch emittiert wird, sind selektiv mit unterschiedlichen Schichten bedeckt. Wie die Fig. 8 zeigt, liegt auf dem lichtemittierenden Kristallflächenbereich 2 in der Oberfläche 4 ein relativ niedrig reflektierender Film (Film mit niedrigem Reflexionsvermögen), während keine Beschichtung vorgesehen ist im lichtemittierenden Kristallflä chenbereich 3 in der Oberfläche 4, durch den Licht mit niedriger Leistung hin durch abgestrahlt wird. Die einzelne Lasereinrichtung 1 wird als eine von vielen Einrichtungen hergestellt, die sich auf einem Halbleiterwafer oder Grundsub strat 6 in Fig. 8 befinden. Dabei ist es erwünscht, in einem einzigen Schritt alle Kristall- bzw. Stirnflächen zu beschichten, durch die hindurch Strahlung mit re lativ hoher Leistung emittiert wird.

Wie die Fig. 8 zeigt, werden alle lichtemittierenden Kristallflächenbereiche 2 in der Oberfläche 4 gleichzeitig beschichtet, und zwar durch Positionierung einer Maske 8, die ein regelmäßiges Muster von Öffnungen aufweist, wobei jeweils eine der Öffnungen auf einen der Kristallflächenbereiche ausgerichtet ist, über den Licht mit hoher Leistung abgestrahlt wird. Eine Beschichtungsmaterialquelle wird erhitzt, die das Bezugszeichen 7 trägt. Verdampftes Beschichtungsmaterial 9 durchdringt dann die Öffnungen in der Maske 8 und bildet Beschichtungen 5 auf der Oberfläche 4, wobei diese Beschichtungen 5 nur in den Bereichen 2 zu liegen kommen und nicht in den Bereichen 3, über die Licht mit niedriger Leistung emit tiert wird. Beim Prozeß nach Fig. 8 ist es erforderlich, die Öffnungen in der Maske 8 genau auf die lichtemittierenden Stirn- bzw. Kristallflächenbereiche 2 auszu richten. Dies ist relativ schwierig, da die lichtemittierenden Bereiche typischer weise nur einige Mikrometer breit sind. Darüber hinaus beträgt der Abstand zwi schen den lichtemittierenden Bereichen 2 und 3 ebenfalls nur einige wenige Mi krometer. Eine leichte Fehlpositionierung der Maske relativ zu den lichtemit tierenden Bereichen kann daher zu einer fehlerhaften Beschichtung von vielen oder allen gleichzeitig zu beschichtenden, lichtemittierenden Bereichen führen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum selektiven Be schichten ausgewählter lichtemittierender Bereiche zu schaffen, die in derselben Oberfläche liegen, welche eine Vielzahl von lichtemittierenden Bereichen ent hält, wobei die ausgewählten Bereiche gleichzeitig beschichtet werden sollen, oh ne daß es erforderlich ist, eine separate Maske auf die ausgewählten, lichtemit tierenden Bereiche mechanisch ausrichten zu müssen.

Lösungen der gestellten Aufgaben sind in den kennzeichnenden Teilen der neben geordneten Patentansprüche 1, 8 und 16 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den jeweils nachgeordneten Unteransprüchen gekenn zeichnet.

In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung werden auf einem Halbleiterwafer mehrere übereinanderliegende Schichten hergestellt, die zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen die nen, von denen jede wenigstens zwei im Abstand zueinanderliegende, lichtemit tierender Facettenbereiche aufweist, die sich in derselben Oberfläche befinden. Sobald die Herstellung der genannten Schichten beendet ist, wird ein erster Kanal eingebracht, der sich ausgehend von der Frontoberfläche der Schichtstruktur bis zu einer ersten Tiefe hinab erstreckt. Anschließend wird ein zweiter Kanal einge bracht, der quer zum ersten Kanal verläuft und diesen schneidet. Dieser zweite Ka nal ist tiefer als der erste Kanal und dringt bis in den Wafer vor, um die lichtemit tierenden Facettenbereiche an einer Seitenwandoberfläche des zweiten Kanals zu bilden bzw. freizulegen. Der erste Kanal ist auf einen der lichtemittierenden Fa cettenbereiche ausgerichtet. Die Oberfläche des Wafers und eine Seitenwandober fläche des zweiten Kanals schneiden sich, so daß eine Kante erhalten wird, die den ersten Kanal schneidet. Nach Bildung dieser Struktur wird ein Strom eines ver dampften Beschichtungsmaterials über die erste Kante geleitet, und zwar unter ei nem solchen Winkel relativ zur Waferoberfläche, daß die Kante einen der lichte mittierenden Facettenbereiche an der gegenüberliegenden Seitenwandober fläche abschattet und verhindert, daß Beschichtungsmaterial diesen lichtemit tierenden Facettenbereich erreicht. Dagegen strömt das Beschichtungsmaterial durch den ersten Kanal, der an der genannten Kante liegt, hindurch und beschich tet den lichtemittierenden Facettenbereich an der Seitenwandoberfläche, die dem ersten Kanal gegenüberliegt.

Nach einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung werden zunächst meh rere Schichten benachbart zu einer Frontoberfläche eines Halbleiterwa fers gebildet, um mehrere lichtemittierende Halbleitereinrichtungen zu schaf fen, von denen jede wenigstens zwei im Abstand zueinander liegende, lichtemit tierende Facettenbereiche aufweist, die sich in derselben Oberfläche befinden. Nach Bildung der genannten Schichten wird ein erster Kanal mit einer ersten Tie fe im Wafer bzw. in der Schichtstruktur erzeugt. Anschließend wird ein zweiter Kanal gebildet, der quer zum ersten Kanal verläuft und diesen schneidet. Dieser zweite Kanal ist tiefer als der erste Kanal. Der zweite Kanal dient dazu, lichtemit tierende Facettenbereiche an einer Seitenwandoberfläche des zweiten Kanals zu schaffen bzw. freizulegen. Der ersten Kanal ist auf einen der lichtemittierenden Fa cettenbereiche ausgerichtet. Die Oberfläche des Wafers und die Seitenwandober fläche des zweiten Kanals schneiden sich, so daß eine Kante gebildet wird, die den ersten Kanal schneidet. Ein Strom von verdampftem ersten Beschichtungsmate rial wird über die erste Kante unter einem ersten und relativ großen Winkel bezüg lich der Oberfläche des Wafers geleitet, so daß das erste Beschichtungsmaterial beide lichtemittierenden Facettenbereiche an der gegenüberliegenden Seiten wandoberfläche erreicht und beschichtet. Sodann wird ein Strom eines zweiten verdampften Beschichtungsmaterials über die Kante unter einem zweiten und re lativ kleinem Winkel bezüglich der Oberfläche des Wafers geleitet, so daß die Kan te einen der lichtemittierenden Facettenbereiche an der gegenüberliegenden Seitenwandoberfläche abschattet und verhindert, daß das zweite Beschichtungs material diesen lichtemittierenden Facettenbereich erreicht. Gleichzeitig strömt das zweite Beschichtungsmaterial durch den ersten Kanal an der genann ten Kante hindurch und erreicht den lichtemittierenden Facettenbereich, der ge genüber dem ersten Kanal an der Seitenwandoberfläche liegt, so daß dieser lichtemittierender Facettenbereich beschichtet wird.

Nach einem dritten Aspekt der Erfindung wird nur ein Teil einer Facette eines re lativ weiten lichtemittierenden Bereichs von einer oder mehreren Halbleiterein richtungen beschichtet, die in einem Wafer vorhanden sind. Nach Bildung einer Mehrzahl von Schichten in bzw. auf einem Halbleiterwafer zur Herstellung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen, die jeweils einen re lativ weiten lichtemittierenden Facettenbereich aufweisen, wird ein erster Kanal gebildet, der sich bis zu einer ersten Tiefe von der Oberfläche des Halbleiterwafers in diesen hinein erstreckt. Anschließend wird ein zweiter Kanal gebildet, der quer zum ersten Kanal verläuft und diesen schneidet. Der zweite Kanal ragt tiefer in den Halbleiterwafer hinein als der erste Kanal und weist eine Seitenwandfläche auf, in der sich wenigstens einer der relativ weiten lichtemittierenden Facettenberei che der Einrichtung befindet. Der erste Kanal ist schmaler als und ausgerichtet auf einen Teil des relativ weiten lichtemittierenden Facettenbereichs und liegt an der diesem Facettenbereich gegenüberliegenden Seitenwandoberfläche des zwei ten Kanals. Diese Seitenwandoberfläche des zweiten Kanals schneidet die Wafer oberfläche und definiert eine Kante, die den ersten Kanal schneidet. Nach Bildung dieser Struktur wird ein Strom eines verdampften Beschichtungsmaterials über die Kante unter einem ersten und relativ kleinen Winkel bezüglich der Oberfläche des Wafers geleitet, so daß die Kante wenigstens einen Teil des relativ weiten licht emittierenden Facettenbereichs an der gegenüberliegenden Seitenwandober fläche abschattet und verhindert, daß das Beschichtungsmaterial diesen Teil des lichtemittierenden Facettenbereichs an dieser Seitenwandoberfläche erreicht. Gleichzeitig strömt das erste Beschichtungsmaterial durch den ersten Kanal an der genannten Kante hindurch und erreicht den Rest des lichtemittierenden Fa cettenbereichs an dieser Seitenwandoberfläche, um diesen Rest bzw. verbleiben den Teil zu beschichten.

In Übereinstimmung mit der Erfindung sind die ersten Kanäle auf die jeweiligen lichtemittierenden Facettenbereiche ausgerichtet, was unter Verwendung kon ventioneller Herstellungstechniken für Halbleitereinrichtungen geschieht. Es ist daher nicht mehr erforderlich, eine separate Maske mechanisch auf die meh reren lichtemittierende Facettenbereiche, die in derselben Ebene liegen, auszu richten. Im Gegensatz zur herkömmlichen Technik lassen sich somit viele licht emittierende Facettenbereiche gleichzeitig und selektiv beschichten.

Als Facetten werden solche Flächen bezeichnet, durch die hindurch Licht aus ei ner lichterzeugenden Einrichtung austritt, oder durch die hindurch Licht in ei ne Einrichtung eintritt, das außerhalb der Einrichtung erzeugt worden ist. Facetten können demzufolge Stirnflächen von Halbleiterlasern, Halbleiterdetektoren, usw., sein, beispielsweise Kristallflächen oder andere Flächen.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Teils eines Halbleiterwafers zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Einrichtungen, der zur Beschichtung in Übereinstimmung mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung vorbereitet worden ist,

Fig. 2(a) und 2(b) Querschnittsansichten entlang entsprechender Linien in Fig. 1 zur Illustrierung des Beschichtungsverfahrens nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Teils eines Halbleiterwafers zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierender Einrichtungen, der zur Beschichtung in Übereinstimmung mit einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung vorbe reitet worden ist,

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer phasengesteuerten Anordnung von Lasern, die in Übereinstimmung mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung beschichtet worden sind,

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Teils eines Halbleiterwafers zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Einrichtungen, der zur Beschichtung in Übereinstimmung einem noch weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung vor bereitet worden ist,

Fig. 6(a) bis 6(d) Querschnittsansichten entsprechender Linien in Fig. 5 zur Illustrierung eines Beschichtungsverfahrens in Übereinstimmung mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers mit einem relativ aus gedehnten, aktiven Bereich, der partiell in Übereinstimmung mit einem noch an deren Ausführungsbeispiel der Erfindung beschichtet worden ist, und

Fig. 8 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines konventionellen Ver fahrens zur selektiven Beschichtung lichtemittierender Oberflächenbereiche von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungsarrays.

Die Fig. 1 zeigt einen Teil eines Wafers 20 mit darauf niedergeschlagenen Schich ten 21, 22, 23 und 24, in denen sich Kanäle (Gräben) 10 und 11 befinden, die sich schneiden bzw. quer zueinander verlaufen. Die Schichten 21, 22, 23 und 24 werden durch konventionelle Prozesse hergestellt, beispielsweise durch epitaktisches Aufwachsen und Diffusion, um eine Mehrzahl von Halbleiterlasereinrichtungen zu erhalten. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel schließt jede Halbleiterein richtung, nachdem sie vom Wafer getrennt worden ist, zwei lichtemittierende Be reiche 2 und 3 ein, die benachbart zueinander liegen, und die benachbarte Kri stallflächen (Seitenflächen) bzw. Facetten auf derselben Oberfläche besitzen. Das durch Oszillation in den jeweils lichtemittierenden Bereichen erzeugte Licht wird von diesen Einrichtungen durch die entsprechenden Kristall- bzw. Seitenflächen hindurch emittiert. Wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 8 beschrieben, kann der lichtemittierende Bereich 2 ein Laserteil mit relativ hoher Ausgangsleistung sein, während der benachbarte lichtemittierende Bereich 3 einen Laser mit rela tiv niedriger Ausgangsleistung darstellt, der auch ein niedriges Rauschen auf weist. Ein derartiger Halbleiterlaser mit zwei lichtemittierenden Kristallflä chenbereichen auf einer Oberfläche wird üblicherweise im Zusammenhang mit optischen Speicherplatten verwendet. Der Laser mit relativ hoher Ausgangslei stung bzw. leistungsstarkem Lichtstrahl wird dazu benutzt, Information in die Speicherplatte einzuschreiben, während der relativ leistungsschwache Aus gangslichtstrahl zum Auslesen von aufgezeichneter Information aus der Spei cherplatte dient. Typischerweise enthalten derartige Laserstrukturen Überzugs- bzw. Abdeckschichten 21 und 22 (cladding layers), zwischen denen eine aktive Schicht 22 liegt. Eine Kontaktschicht 24 befindet sich auf der Überzugsschicht 23 an der Frontoberfläche des Wafers. Wie die Fig. 1 erkennen läßt, sind viele licht emittierende Halbleitereinrichtungen auf dem Wafer 20 vorhanden, wobei jede Halbleitereinrichtung einen Hochleistungs-Lichtemissionsbereich 2 und einen Niederleistungs-Lichtemissionsbereich 3 aufweist, die Kristall- bzw. Seitenflä chen besitzen, die in derselben Oberfläche liegen. Die einzelnen Einrichtungen werden voneinander getrennt, nachdem ein Beschichtungsprozeß abgeschlossen ist, der nachfolgend näher beschrieben wird.

Nach Bildung der Schichten 21 bis 24 wird wenigstens ein Kanal 10 in die Front oberfläche des Wafers eingebracht, und zwar auf konventionelle Weise, beispiels weise durch ein Naß- oder Trockenätzverfahren. Entsprechend der Fig. 1 können mehrere lineare bzw. geradlinige und im allgemeinen parallel verlaufende Kanä le 10 gleichzeitig gebildet werden. Diese Kanäle 10 verlaufen in Bereichen, in de nen später die Kristall- bzw. Seitenflächen der lichtemittierenden Bereiche 2 zu liegen kommen.

Mit anderen Worten ist die Breite eines jeden Kanals 10 größer als diejenige einer Kristall- bzw. Seitenfläche eines lichtemittierenden Bereichs 2, wobei jeder Ka nal 10 in einem Bereich zu liegen kommt, der zwischen den lichtemittierenden Bereichen 3 und der Frontoberfläche des Wafers 20 liegt. Die Tiefe der Kanäle 10 wird so eingestellt, daß durch sie die lichtemittierenden Bereiche nicht beschä digt bzw. beeinträchtigt werden. Nach Bildung der Kanäle 10 wird eine Photore sistschicht 12 auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht. In die Photoresist schicht 12 wird ein Muster eingebracht, um einen Kanal 11 zu bilden, der die Kanä le 10 schneidet und quer zu diesen verläuft. Vor dem Aufbringen der Photoresist schicht 12 können Elektroden auf der Oberfläche des Wafers gebildet werden. Die ser Schritt erfolgt vorzugsweise vor der Belichtung der Oberflächen, die die licht emittierenden Kristall- bzw. Seitenflächenbereiche enthalten, und die beim Ät zen des Kanals 11 erzeugt werden, wie nachfolgend beschrieben.

Der Wafer wird anschließend geätzt, und zwar unter Verwendung des Photoresists als Maske, um innerhalb des Wafers den Kanal 11 zu bilden, der Seitenwandober flächen 4 aufweist. Die Seitenwandoberflächen 4 verlaufen im wesentlichen senkrecht zu der Frontoberfläche des Wafers und enthalten die Kristallflächen der lichtemittierenden Bereiche 2 und 3. Aufgrund der vorhergehenden Bildung der Kanäle 10 liegt die Bodenfläche des Kanals 11 im Schnittbereich zwischen den Kanälen 10 und 11 jeweils tiefer als außerhalb dieses Schnittbereichs. Im allge meinen ist die Tiefe des Kanals 11 größer als die des Kanals 10. Die Seitenwand oberflächen 4 schneiden die Frontoberfläche des Wafers, der die Kanäle 10 ent hält, so daß Kanten 13 definiert werden. Diese Kanten 13 weisen Kerben bzw. ei nen zinnenförmigen Verlauf auf, und zwar infolge des Vorhandenseins der Kanä le 10. Obwohl nur ein Kanal 11 in Fig. 1 dargestellt ist, lassen sich auch mehrere dieser Kanäle 11 bilden. Dies gilt auch für die Kanäle 10 in Fig. 1.

Unter Heranziehung der in Fig. 1 dargestellten Struktur wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 2(a) und 2(b) ein Verfahren näher beschrieben, mit dem sich verschiedene Beschichtungen auf den Kristallflächen der lichtemittieren den Bereiche 2 und 3, die in der Seitenwand liegen, erzeugen lassen. Diese Figuren stellen Querschnittsansichten entlang der Linien 2(a)-2(a) und 2(b)-2(b) von Fig. 1 dar. In beiden Fig. 2(a) und 2(b) wird ein Strahl bzw. Strom von verdampftem Beschichtungsmaterial 9 auf eine der Seitenwandoberflächen 4 gerichtet, und zwar über die Kante 13 an der gegenüberliegenden Seitenwandoberfläche hinweg. Zwischen der Strahlrichtung und der Frontoberfläche des Substrats liegt ein Winkel R. Bei diesem Winkel schattet ein relativ hoch liegender Teil der Kante 13 einen Teil der Seitenwandoberfläche 4 ab, auf die der Strahl 9 verdampften Be schichtungsmaterials auftrifft, während ein relativ niedrig liegender Teil der Kante 13 den gegenüberliegenden Seitenwandoberflächenteil nicht abschattet. Da die jeweiligen Tiefen der lichtemittierenden Bereiche 2 und 3 an der Seiten wandoberfläche 4 voreinander verschieden sind, und zwar bezüglich der benach barten Teile der Kante 13 (die Kante 13 weist hohe und niedrige Bereiche auf), wird das Beschichtungsmaterial selektiv auf die lichtemittierenden Kristall- bzw. Sei tenflächenbereiche an der Seitenwand 4 aufgebracht. Die Fig. 2(a) und 2(b) lassen erkennen, daß die relativ tief liegende Kristallfläche des lichtemittieren den Bereichs 3 an der Seitenwand 4, der gemessen von der Oberfläche des Wafers eine Tiefe h_A aufweist, nicht durch das Beschichtungsmaterial abgedeckt wird. Die nicht so tief liegende Kristallfläche des lichtemittierenden Bereichs 2, der ge messen vom Boden des Kanals 10 eine Tiefe h_B aufweist, wird dagegen durch das Beschichtungsmaterial überdeckt. Natürlich wird die aktive Schicht 22, in der sich die lichtemittierenden Bereiche befinden, im gesamten Wafer gleichzeitig er zeugt, wobei die aktive Schicht 22 überall dieselbe Tiefe aufweist, gemessen von der Frontoberfläche des Wafers. Infolge der Kanäle 10 und 11, die unterschiedli che Tiefen aufweisen, ändern sich jedoch die effektiven Tiefen der verschiedenen Bereiche der aktiven Schicht 22, wie in den Fig. 2(a) und 2(b) dargestellt ist.

Spezielle Abmessungen der in Fig. 1 gezeigten Strukturen können am besten unter Bezugnahme auf die Fig. 2(a) und 2(b) erläutert werden. Im dargestellten Ausfüh rungsbeispiel kann die Tiefe der Kanäle 10 drei Mikrometer betragen, und zwar gemessen von der Frontoberfläche des Wafers. Der Kanal 11 besitzt eine Breite 30 von 10 Mikrometern und eine Tiefe 32 von 8 Mikrometern, wobei letztere gemes sen ist von der Frontoberfläche des Wafers zu demjenigen Bodenteil des Kanals 11, der nicht im Schnittbereich mit einem Kanal 10 liegt. Der Kanal 11 legt in einem Teil der Seitenwandoberfläche 4 einen Teil des Wafers 20 frei, und zwar bis zu ei ner Tiefe 31 von einem Mikrometer in Fig. 2(a) und bis zu einer Tiefe 31′ von 4 Mi krometern in Fig. 2(b), da im zuletzt genannten Fall der Kanal 10 vorhanden ist. Im vorliegenden Beispiel weist die untere Überzugsschicht 21 eine Dicke 33 von et wa 1 Mikrometer auf, die aktive Schicht 22 eine Dicke 34 von etwa 0,07 Mikrome ter, die obere Überzugsschicht 23 eine Dicke 35 von etwa 1 Mikrometer und die Kontaktschicht 24 eine Dicke von etwa 5 Mikrometern. Der Kanal 10 mit der Tiefe von 3 Mikrometern dringt somit nicht in die obere Überzugsschicht 23 ein. Wird bei diesen Abmessungen der Winkel R auf etwa 22° eingestellt, so werden die Kri stallflächen der lichtemittierenden Bereiche 2 an der Seitenwandoberfläche 4 ge genüber entsprechenden Kanälen 10 beschichtet, während die Kristallflächen der lichtemittierenden Bereiche 3 an der Seitenwandoberfläche 4 nicht beschichtet werden.

Nach Abschluß der Beschichtung wird durch Entfernung der Photoresistschicht 12 das Beschichtungsmaterial abgehoben, das sich auf der Frontfläche der Struktur angesammelt hat. Wie die Fig. 2(a) und 2(b) erkennen lassen, werden für den Falll, daß der Winkel R hinreichend vergrößert wird, beispielsweise auf 32° oder mehr im vorgeschriebenen Ausführungsbeispiel, die Kristallflächen von beiden lichtemittierenden Bereichen an der Seitenwandoberfläche mit demsel ben Material beschichtet, und zwar vor oder nach der selektiven Beschichtung, die in den Fig. 2(a) und 2(b) dargestellt ist.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß es möglich ist, ausgewählte Teile einer großen Anzahl von Kristallflächen von lichtemittierenden Berei chen, die in derselben Oberfläche liegen, gleichzeitig zu beschichten. Wie die Fig. 1 erkennen läßt, werden durch Bildung des Kanals 11 mehrere solcher Kristallflä chen bzw. Facetten freigelegt. Durch Bildung mehrerer Kanäle 11 läßt sich eine sehr große Anzahl von lichtemittierenden Kristallflächenbereichen gleichzeitig freilegen. Eine ausgewählte Anzahl dieser Kristallflächen läßt sich gleichzeitig beschichten, und zwar durch Anwendung des in den Fig. 2(a) und 2(b) dargestell ten Verfahrens. Wird der Strom des verdampften Beschichtungsmaterials zuerst in eine Richtung und dann in eine gegenüberliegende Richtung gelenkt, so lassen sich ausgewählte Kristallflächen von lichtemittierenden Bereichen an gegen überliegenden Seitenwandoberflächen nacheinander und selektiv beschichten. Im Anschluß daran wird der Wafer unter Anwendung konventioneller Schneide- oder Frakturierungstechniken und unter Verwendung der bereits vorhandenen Kanäle 11 zerteilt, um individuelle, lichtemittierende Strukturen zu erhalten. Aufgrund der neuen Beschichtungstechnik ist es nicht mehr erforderlich, auf me chanischem Wege eine separate Maske relativ zu einigen lichtemittierenden Kri stallflächenbereichen auszurichten, wie dies zuvor im Zusammenhang mit Fig. 8 beschrieben worden ist.

Bei den speziellen Ausführungsbeispielen der Erfindung gemäß den Fig. 1, 2(a) und 2(b) kommen gerade, im allgemeinen parallele Gruppen von sich schneiden den Kanälen zum Einsatz, die einen im wesentlichen rechteckförmigen oder tra pezförmigen Querschnitt aufweisen. Allerdings ist es weder erforderlich, daß die Kanäle entlang gerader Linien verlaufen noch sich über die volle Breite des Wafers erstrecken. Die Kanäle können auch relativ kurz sein, so daß durch sie nur Aus sparungen erhalten werden, oder irgendeine andere Form oder einen anderen Querschnitt besitzen, solange sichergestellt ist, daß sie sich einander schneiden und Kanten gebildet werden, die eine variable Höhe relativ zur Frontoberfläche des Wafers aufweisen, so daß die Kanten selektiv einige der lichtemittierenden Kristallflächenbereiche während des Beschichtungsprozesses abschatten kön nen.

Ein Beispiel einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 3 dargestellt, die ähnlich zu Fig. 1 ist. Allerdings besitzen die in Fig. 3 gezeigten Ka näle 10′ Endwände, so daß Aussparungen erhalten werden. Die Kanäle 10′ er strecken sich also nicht über die gesamte Breite des Wafers. Ferner sind die Kanäle 10′ an beiden Seiten des Kanals 11 vorhanden, wobei es allerdings auch genügen würde, diese Kanäle 10′ nur an einer Seite des Kanals 11 vorzusehen, wenn eine se lektive Beschichtung nur entlang einer Seitenwandoberfläche 4 erfolgen soll, die den Kanälen 10′ gegenüberliegt.

Bei dem in Fig. 4 perspektivisch dargestellten, phasengesteuerten Laserdioden chip-Array 50, das aus einem Wafer mit mehreren derartigen Arrays herausge trennt worden ist, wurden die Kristallflächen unter Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung selektiv beschichtet. Das Laserdioden-Array 50 enthält eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bereichen, die Licht parallel aussenden, und die jeweils eine Kristall- bzw. Seitenfläche 51 aufweisen. Alle lichtemittierenden Kristallflächenbereiche 51 wurden mit einer ¹/₂-Wellenlängenbeschichtung be schichtet, also mit einer Beschichtung, die eine effektive Dicke aufweist, welche die Wellenlänge des emittierten Lichtes und den Brechungsindex der ¹/₂-Wellen längenbeschichtung berücksichtigt. In Übereinstimmung mit der Beschreibung der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 2(a) und 2(b) wird diese Beschich tung 52 unter Einstellung eines relativ großen Winkels R bezüglich der Frontober fläche des Wafers aufgebracht, so daß die gesamte Oberfläche 53 des Arrays, die die Facetten 51 enthält, mit der Beschichtung 52 versehen wird, und zwar von der Spitze des Arrays, also vom oberen Ende eines Kanals, bis zu einer Position in der Nähe des Bodens des Kanals, der dem Kanal 11 von Fig. 1 entspricht. Anschlie ßend wird eine zweite Beschichtung 54 selektiv aufgebracht, um die lichtemittie renden Kristallflächenbereiche 51 zu verändern. Diese Beschichtung 54 wird se lektiv niedergeschlagen unter Verwendung von Kanälen, die den Kanälen 10 in Fig. 1 entsprechen, und die gegenüber alternierenden, lichtemittierenden Kri stallflächenbereichen bzw. Facetten liegen, sowie durch Richten des Strahls des verdampften Beschichtungsmaterials über die entsprechenden Kanten unter ei nem Winkel, der kleiner ist, als der, der bei der Aufbringung der Beschichtung 52 verwendet worden ist. Der kleinere Winkel bewirkt, daß die relativ hoch liegen den Kanten zwischen den Kanälen, die den Kanälen 10 in Fig. 1 entsprechen, alter nierend die lichtemittierenden Kristallflächen abschatten, während die dazwi schenliegenden Bereiche beschichtet werden. Die zweite Beschichtung 54 kann aufgrund ihrer Dicke und optischen Eigenschaften eine gesteuerte Phasenver schiebung in demjenigen Licht hervorrufen, welches von den beschichteten, al ternierenden und lichtemittierenden Kristallflächenbereichen emittiert wird, um ein gewünschtes Lichtmuster zu erzeugen, wenn das von allen lichtemittieren den Bereichen 51 emittierte Licht in einem Abstand vom Array 50 zusammen kommt.

Im nachfolgenden wird unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6(a) bis 6(d) ein Ver fahren nach der Erfindung beschrieben, mit dem sich unterschiedliche Beschich tungen in unterschiedlichen lichtemittierenden Kristallflächenbereichen erzeu gen lassen. Fig. 5 entspricht praktisch der Fig. 1 mit der Ausnahme, daß die Kanä le 10′ Endwände aufweisen und daher nicht so lang sind wie die Kanäle 10 in Fig. 1. Die Kanäle 10′ sind in diesem Ausführungsbeispiel auch nur an einer Seitenwand oberfläche 4 vorhanden, die durch den Kanal 11 gebildet wird.

Im ersten Schritt des Beschichtungsprozesses gemäß den Fig. 6(a) und 6(b) wird ein Strahl bzw. Strom 9 von verdampftem erstem Beschichtungsmaterial gegen die Seitenwandoberfläche 4 des Kanals 11 gerichtet und zwar unter einem Winkel R₁ bezüglich der Oberfläche des Wafers 20. Dieser Winkel wird unter Berücksichti gung der Tiefe der Kanäle 10′ gewählt, so daß die resultierende Beschichtung 5 alle Kristallflächen der lichtemittierenden Bereiche 2 bedeckt, egal, wo sie an der Seitenwandoberfläche 4 liegen. Die Beschichtung 5 ist analog der Beschichtung 52 des Laserdioden-Arrays nach Fig. 4, die jede der lichtemittierenden Kristall flächen bedeckt. In einem zweiten Schritt des Beschichtungsverfahrens gemäß den Fig. 6(c) und 6(d) wird ein zweiter Strahl bzw. Strom 9′ von verdampftem zwei tem Beschichtungsmaterial über die Kante 13 geführt, und zwar unter einem Win kel R₂ bezüglich der Frontoberfläche des Substrats. Der Winkel R₂ ist kleiner als der Winkel R₁, so daß der Strahl 9′ nicht so weit wie der Strahl 9 an der Seitenwand oberfläche 4 herunterkommt. Im Ergebnis wird eine Beschichtung 5′ nur auf ei nem Teil der Beschichtung 5 erhalten. In einem Bereich, in welchem die aktive Schicht 22 einem Kanal 10′ gegenüberliegt, überdeckt die Beschichtung 5′ die Kri stallfläche des lichtemittierenden Bereichs. Anderswo dagegen schattet die Kante 13 den Strahl 9′ ab, so daß sich die Beschichtung 5′ nicht so tief in den Kanal 11 hineinerstrecken kann, was dazu führt, daß die aktive Schicht 22 und die Kristall flächen der entsprechenden lichtemittierenden Bereiche nicht nochmals be schichtet werden. Im Ergebnis ergibt sich eine selektive Schichtstruktur mit mehr als einer Schicht, wie auch schon im Zusammenhang mit dem Ausfüh rungsbeispiel nach Fig. 4 diskutiert worden ist.

Wie bei der Struktur nach Fig. 1 wird auch nach Beendigung des Beschichtungs prozesses gemäß den Fig. 4 und 6(a) bis 6(d) der Wafer in die individuellen Ein richtungen zerlegt, von denen jede eine oder mehrere lichtemittierende Kristall- bzw. Stirnflächenbereiche aufweist, die mit unterschiedlichen Beschichtungen versehen sind. Ebenfalls wie bei dem im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen Verfahren werden die Kanäle 10′ wie die Kanäle 10 in selbstausrichtender Weise hergestellt, so daß keine mechanische Maskenpositionierung wie beim Stand der Technik nach Fig. 8 erforderlich ist. Die zinnenförmig verlaufende Kante 13, die ein integraler Teil des Wafers ist, läßt sich auf diese Weise ebenso wie die genann ten Kristall- bzw. Stirnflächen der lichtemittierenden Bereiche einfach ausbil den. Der Mehrfachbeschichtungsprozeß nach den Fig. 5 und 6(a) bis 6(d) erlaubt ein selektives Aufbringen einer relativ hoch reflektierenden Beschichtung auf Teile einer relativ niedrig reflektierenden Beschichtung, die eine große Oberflä che bedeckt.

Die Fig. 7 zeigt eine andere Struktur, die in Übereinstimmung mit der Erfindung hergestellt worden ist. Gemäß Fig. 7 enthält ein Laserdiodenchip 60 einen relativ breiten bzw. weiten optischen Resonator 61, also einen lichtemittierenden Be reich. Um die Schwingungsmode der Laserdiode zu stabilisieren, ist es erwünscht, eine relativ hochreflektierende Beschichtung nur in einem Teil der Kristall- bzw. Stirnfläche des relativ weiten Resonators vorzusehen. Um jedoch eine Laser schwingung zu erhalten, ist es erforderlich, eine relativ niedrig reflektierende Be schichtung aufzubringen, beispielsweise eine Beschichtung 62, und zwar auf der gesamten Kristall- bzw. Stirnfläche. Das gewünschte Ergebnis läßt sich dadurch erzielen, daß dann, wenn sich die Laserdiode noch in der Waferform befindet, ein Kanal gegenüber einem Teil einer Seitenwandoberfläche gebildet wird, in der die Stirn- bzw. Kristallfläche des Resonators 61 freiliegt. Zunächst wird eine relativ niedrig reflektierende Beschichtung 62 auf die gesamte Seitenwandoberfläche aufgebracht, und zwar mit Hilfe desjenigen Verfahrens, das unter Bezugnahme auf die Fig. 6(a) und 6(b) beschrieben worden ist. Nach Abschluß der ersten Beschichtung wird eine relativ hoch reflektierende Beschichtung 63 nur auf ei nem Teil der Stirn- bzw. Kristallfläche des Resonators 61 niedergeschlagen, und zwar dadurch, daß ein Strahl bzw. Strom eines verdampften Beschichtungsmate rials unter einem zweiten, kleineren Winkel über die Kante geleitet wird, um den Film 63 selektiv niederzuschlagen.

Claims

1. Verfahren zum selektiven Beschichten einer von wenigstens zwei im Ab stand zueinander angeordneten Facetten jeweiliger lichtemittierender Bereiche, die in derselben Oberfläche einer Halbleitereinrichtung liegen, welche sich auf ei nem Halbleiterwafer befindet, und wobei

- eine Mehrzahl von Schichten (21, 22, 23, 24) benachbart zu ei ner Frontoberfläche eines Halbleiterwafers (20) zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen aus dem Halbleiterwafer (20) hergestellt wird, wobei jede lichtemittierende Halbleitereinrichtung einen ersten und einen zweiten lichtemittierenden Bereich (2, 3) aufweist, die voneinander beabstandet sind, und wobei jeder lichtemittierende Bereich (2, 3) eine Facette besitzt, durch die hin durch Licht emittiert wird, und die Facetten in einer gemeinsamen Oberfläche lie gen, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- Bilden wenigstens eines ersten Kanals (10) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20), wobei sich der erste Kanal (10) von der Frontoberfläche bis zu einer ersten Tiefe hinab er streckt,
- Bilden eines zweiten Kanals (11) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20) quer zum ersten Kanal (10) und diesen schneidend, wobei sich der zweite Kanal (11) von der Frontoberflä che tiefer in den Halbleiterwafer (20) hineinerstreckt als der erste Kanal (10), um erste und zweite Seitenwandoberflächen des zweiten Kanals (11) freizulegen, die allgemein quer zur Frontoberfläche verlaufen, und wobei die erste Seitenwand oberfläche die Facetten der ersten und zweiten lichtemittierenden Bereiche (2, 3) enthält, der erste Kanal (10) auf den ersten lichtemittierenden Bereich (2) ausgerichtet ist und gegenüber der ersten Seitenwandoberfläche liegt, und die zweite Seitenwandoberfläche die Frontoberfläche schneidet, um eine erste Kante (13) zu bilden, die den ersten Kanal (10) schneidet, und
- Richten eines Strahls (9) verdampften Beschichtungsmaterials über die erste Kante (13) unter einem solchen Winkel (R) bezüglich der Frontoberfläche, daß die erste Kante (13) den zweiten lichtemittierenden Bereich (3) an der ersten Sei tenwandoberfläche abschattet und damit verhindert, daß das Beschichtungsma terial die Facette des zweiten lichtemittierenden Bereichs (3) erreicht und beschich tet, während das Beschichtungsmaterial hinter den ersten Kanal (10) an der er sten Kante (13) strömt und die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2) an der ersten Seitenwandoberfläche erreicht und beschichtet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

- Bilden des zweiten Kanals (11) derart, daß sich der erste Kanal (10) ausgehend so wohl von der ersten als auch von der zweiten Seitenwandoberfläche erstreckt, wo bei die zweite Seitenwandoberfläche Facetten von ersten und zweiten lichtemit tierenden Bereichen einer zweiten Einrichtung enthält, und wobei die erste Sei tenwandoberfläche die Frontoberfläche schneidet, um eine zweite Kante (13) zu bilden, die den ersten Kanal (10) schneidet, und
- Richten eines Strahls (9) verdampften Beschichtungsmaterials über die zweite Kante (13) unter einem solchen Winkel (R) bezüglich der Frontoberfläche, daß die zweite Kante (13) die Facette des zweiten lichtemittierenden Bereichs (3) an der zwei ten Seitenwandoberfläche abschattet und damit verhindert, daß das Beschich tungsmaterial die Facette des zweiten lichtemittierenden Bereichs (3) an der zweiten Seitenwandoberfläche erreicht und beschichtet, während das Beschichtungsma terial hinter den ersten Kanal (10) an der zweiten Kante (13) strömt und die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (3) an der zweiten Seitenwandoberfläche er reicht und beschichtet.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Einrichtungen als Laser zur Erzeugung eines Ausgangs mit relativ hoher Lei stung an der Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (3) sowie zur Erzeugung eines Ausgangs mit relativ niedriger Leistung an der Facette des zweiten lichte mittierenden Bereichs (3) hergestellt wird, wobei nacheinander mehrere Schichten gebildet werden, zu denen eine erste Halbleiter-Überzugsschicht (21), eine aktive Schicht (22), eine zweite Halbleiter-Überzugsschicht (23) und eine Halbleiter- Kontaktschicht (24) gehören, und wobei der erste Kanal (10) nur in der Kontakt schicht (24) vorhanden ist, während der zweite Kanal (11) die Kontaktschicht (24), die aktive Schicht (22) und die erste und zweite Halbleiter-Überzugsschicht (21, 23) durchdringt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Niederschlagung ei nes Films mit relativ niedrigem Reflexionsvermögen auf die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2).

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Be schichten der Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs der Wafer (20) ent lang des zweiten Kanals (11) in individuelle Einrichtungen zerteilt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere der er sten und zweiten Kanäle (10, 11) im Wafer (20) gebildet werden, um eine Vielzahl von Facettenpaaren von ersten und zweiten lichtemittierenden Bereichen (2, 3) an den ersten Seitenwandoberflächen der jeweiligen zweiten Kanäle (11) freizulegen, die jeweiligen Facetten der ersten lichtemittierenden Bereiche (2) an den ersten Seiten wandoberflächen der jeweiligen zweiten Kanäle (11) selektiv beschichtet werden und der Wafer (20) entlang der jeweiligen zweiten Kanäle (11) in eine Mehrzahl von individuellen Einrichtungen zerteilt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Niederschlagung von Photoresist (12) auf die Frontoberfläche des Wafers (20) nach Bildung des er sten Kanals (10) aber vor Bildung des zweiten Kanals (11) sowie durch Entfernung der Photoresistschicht (12) nach Beschichtung der Facetten des ersten lichtemit tierenden Bereichs zwecks Entfernen des Beschichtungsmaterials von der Front oberfläche.

8. Verfahren zum selektiven Beschichten einer von wenigstens zwei im Ab stand zueinander angeordneten Facetten jeweiliger lichtemittierender Bereiche, die in derselben Oberfläche einer Halbleitereinrichtung liegen, welche sich auf ei nem Halbleiterwafer befindet, und wobei

- eine Mehrzahl von Schichten (21, 22, 23, 24) benachbart zu ei ner Frontoberfläche eines Halbleiterwafers (20) zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen aus dem Halbleiterwafer (20) hergestellt wird, wobei jede lichtemittierende Halbleitereinrichtung einen ersten und einen zweiten lichtemittierenden Bereich (2, 3) aufweist, die voneinander beabstandet sind, und wobei jeder lichtemittierende Bereich (2, 3) eine Facette besitzt, durch die hin durch Licht emittiert wird, und die Facetten in einer gemeinsamen Oberfläche lie gen, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- Bilden wenigstens eines ersten Kanals (10) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20), wobei sich der erste Kanal (10) von der Frontoberfläche bis zu einer ersten Tiefe hinab er streckt,
- Bilden eines zweiten Kanals (11) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20) quer zum ersten Kanal (10) und diesen schneidend, wobei sich der zweite Kanal (11) von der Frontoberflä che tiefer in den Halbleiterwafer (20) hineinerstreckt als der erste Kanal (10), um erste und zweite Seitenwandoberflächen des zweiten Kanals (11) freizulegen, die allgemein quer zur Frontoberfläche verlaufen, und wobei die erste Seitenwand oberfläche die Facetten der ersten und zweiten lichtemittierenden Bereiche (2, 3) enthält, der erste Kanal (10) auf den ersten lichtemittierenden Bereich (2) ausgerichtet ist und gegenüber der ersten Seitenwandoberfläche liegt, und die zweite Seitenwandoberfläche die Frontoberfläche schneidet, um eine erste Kante (13) zu bilden, die den ersten Kanal (10) schneidet,
- Richten eines Strahls (9) eines verdampften, ersten Beschichtungsmaterials über die erste Kante (13) unter einem ersten, relativ großen Winkel (R) bezüglich der Frontoberfläche, so daß das erste Beschichtungsmaterial die Facetten sowohl des ersten (2) als auch des zweiten lichtemittierenden Bereichs (2) auf der ersten Seiten wandoberfläche erreicht und beschichtet, und
- Richten eines Strahls (9) eines verdampften, zweiten Beschichtungsmaterials über die erste Kante (13) unter einem zweiten, relativ kleinen Winkel bezüglich der Frontoberfläche, so daß die erste Kante (13) den zweiten, lichtemittierenden Bereich (3) auf der ersten Seitenwandoberfläche abschattet und verhindert, daß das zweite Beschichtungsmaterial die Facette im zweiten lichtemittierenden Bereich (3) erreicht und beschichtet, während das zweite Beschichtungsmaterial hinter den ersten Kanal an der ersten Kante gelangt und die Facette im ersten licht emittierenden (2) Bereich an der ersten Seitenwandoberfläche erreicht und be schichtet.

9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

- Bilden des zweiten Kanals (11) derart, daß sich der erste Kanal (10) ausgehend so wohl von der ersten als auch von der zweiten Seitenwandoberfläche erstreckt, wo bei die zweite Seitenwandoberfläche Facetten von ersten und zweiten lichtemit tierenden Bereichen (2, 3) einer zweiten Einrichtung enthält, und wobei die erste Sei tenwandoberfläche die Frontoberfläche schneidet, um eine zweite Kante (13) zu bilden, die den ersten Kanal (10) schneidet, und
- Richten eines Strahls (9) verdampften Beschichtungsmaterials über die zweite Kante (13) unter einem solchen Winkel (R) bezüglich der Frontoberfläche, daß die zweite Kante (13) die Facette des zweiten lichtemittierenden Bereichs (3) an der zwei ten Seitenwandoberfläche abschattet und damit verhindert, daß das Beschich tungsmaterial die Facette des zweiten lichtemittierenden Bereichs (3) an der zweiten Seitenwandoberfläche erreicht und beschichtet, während das Beschichtungsma terial hinter den ersten Kanal (10) an der zweiten Kante (13) strömt und die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2) an der zweiten Seitenwandoberfläche er reicht und beschichtet.

10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Einrichtungen als Laser zur Erzeugung eines Ausgangs mit relativ hoher Lei stung an der Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2) sowie zur Erzeugung eines Ausgangs mit relativ niedriger Leistung an der Facette des zweiten lichte mittierenden Bereichs (3) hergestellt wird, wobei nacheinander mehrere Schichten gebildet werden, zu denen eine erste Halbleiter-Überzugsschicht (21), eine aktive Schicht (22), eine zweite Halbleiter-Überzugsschicht (23) und eine Halbleiter- Kontaktschicht (24) gehören, und wobei der erste Kanal (10) nur in der Kontakt schicht (24) vorhanden ist, während der zweite Kanal (11) die Kontaktschicht (24), die aktive Schicht (22) und die erste und zweite Halbleiter-Überzugsschicht (21, 23) durchdringt.

11. Verfahren nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch die Niederschlagung eines Films mit relativ niedrigem Reflexionsvermögen auf die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2).

12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Be schichten der Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2) mit dem zweiten Be schichtungsmaterial der Wafer (20) entlang des zweiten Kanals (11) in eine Mehr zahl individueller Einrichtungen zerteilt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere der er sten und zweiten Kanäle (10, 11) im Wafer (20) gebildet werden, um eine Vielzahl von Facettenpaaren von ersten und zweiten lichtemittierenden Bereichen (2, 3) an den ersten Seitenwandoberflächen der jeweiligen zweiten Kanäle (11) freizulegen, die jeweiligen Facetten der ersten lichtemittierenden Bereiche (2) an den ersten Sei tenwandoberflächen der jeweiligen zweiten Kanäle (11) selektiv beschichtet wer den und der Wafer (20) entlang der jeweiligen zweiten Kanäle (11) in eine Mehrzahl von individuellen Einrichtungen zerteilt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch die Niederschlagung von Photoresist (12) auf die Frontoberfläche des Wafers (20) nach Bildung des er sten Kanals (10) aber vor Bildung des zweiten Kanals (11) sowie durch Entfernung der Photoresistschicht (12) nach Beschichtung der Facetten des ersten lichtemit tierenden Bereichs (2) zwecks Entfernen des Beschichtungsmaterials von der Front oberfläche.

15. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Facetten so wohl der ersten als auch der zweiten lichtemittierenden Bereiche (2, 3) mit einer ersten Beschichtung versehen werden, die eine Dicke aufweist, die etwa der Hälfte der Wellenlänge des durch die Einrichtung emittierten Lichts entspricht, und daß die Facette des ersten lichtemittierenden Bereichs (2) mit einer zweiten Beschichtung versehen wird, um eine gesteuerte Phasenverschiebung des von der Einrichtung emittierten Lichts zu erzeugen, das durch die zweite Beschichtung hindurchtritt.

16. Verfahren zum Beschichten eines Teils einer Facette eines lichtemittieren den Bereichs in einer Oberfläche einer Halbleitereinrichtung, die auf einem Halb leiterwafer liegt, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

- Herstellen einer Mehrzahl von Schichten (21, 22, 23, 24) benachbart zu ei ner Frontoberfläche eines Halbleiterwafers (20) zur Bildung einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleitereinrichtungen aus dem Halbleiterwafer (20), wobei jede lichtemittierende Einrichtung einen relativ weiten lichtemittierenden Be reich aufweist, der eine Facette besitzt, durch die hindurch Licht emittiert wird,
- Bildung wenigstens eines Kanals (10) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20), wobei sich der Ka nal (10) von der Frontoberfläche bis zu einer ersten Tiefe hinab erstreckt,
- Bilden eines zweiten Kanals (11) in der Frontoberfläche im Halbleiterwafer (20) quer zum ersten Kanal (10) und diesen schneidend, wobei sich der zweite Kanal (11) von der Frontoberflä che tiefer in den Halbleiterwafer (20) hineinerstreckt als der erste Kanal (10), um erste und zweite Seitenwandoberflächen des zweiten Kanals (11) freizulegen, die allgemein quer zur Frontoberfläche verlaufen, und wobei die erste Seitenwand oberfläche wenigstens einen relativ weiten lichtemittierenden Bereich enthält, der erste Kanal (10) schmaler als und ausgerichtet auf einen ersten Teil des lichtemittierenden Bereichs auf der ersten Seitenwandoberfläche ist, und die zweite Seitenwandoberfläche die Frontoberfläche schneidet, um eine erste Kante (13) zu bilden, die den ersten Kanal (10) schneidet, und
- Richten eines Stromes eines verdampften ersten Beschichtungsmaterials (9) über die erste Kante (13) unter einem ersten, relativ kleinen Winkel bezüglich der Frontoberfläche, so daß die erste Kante (13) den lichtemittierenden Be reich außerhalb des ersten Teils des relativ weiten lichtemittierenden Bereichs auf der ersten Seitenwandoberfläche abschattet und verhindert, daß das erste Beschichtungsmaterial den lichtemittierenden Bereich außerhalb des ersten Teils erreicht und bedeckt, während das erste Beschichtungsmaterial hinter den ersten Kanal (10) an der ersten Kante (13) strömt und den ersten Teil des lichtemittierenden Bereichs in der ersten Seitenwandoberfläche er reicht und beschichtet.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß nach Beschich tung des ersten Teils des lichtemittierenden Facettenbereichs der Halbleiterwa fer (20) entlang des zweiten Kanals (11) in eine Mehrzahl von individuellen Ein richtungen zerteilt wird.

18. Verfahren nach Anspruch 16, gekennzeichnet durch die Niederschlagung von Photoresist (12) auf die Frontoberfläche des Wafers (20) nach Bildung des er sten Kanals (10) aber vor Bildung des zweiten Kanals (11) sowie durch Entfernung der Photoresistschicht (12) nach Beschichtung des ersten lichtemittierenden Fa cettenbereichs zwecks Entfernen des Beschichtungsmaterials von der Frontober fläche.

19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Nie derschlagen des ersten Beschichtungsmaterials ein Strom eines verdampften zweiten Beschichtungsmaterials über die erste Kante (13) gerichtet wird, und zwar unter einem zweiten, relativ hohen Winkel bezüglich der Frontoberfläche, so daß das zweite Beschichtungsmaterial den gesamten lichtemittierenden Be reich erreicht und beschichtet.