DE3912800A1 - Flaechenstrahler - Google Patents
FlaechenstrahlerInfo
- Publication number
- DE3912800A1 DE3912800A1 DE3912800A DE3912800A DE3912800A1 DE 3912800 A1 DE3912800 A1 DE 3912800A1 DE 3912800 A DE3912800 A DE 3912800A DE 3912800 A DE3912800 A DE 3912800A DE 3912800 A1 DE3912800 A1 DE 3912800A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- grating
- radiator
- grid
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Flächenstrahler, eine Flächen
strahlergruppe und ein Verfahren zum Überwachen des Aus
gangs eines licht-emittierenden Geräts.
Es gibt Flächenstrahler mit einer Gitteroberfläche in einem
indexgesteuerten Laser mit großem optischem Hohlraum. Ge
räte dieser Art können auf einem einzigen Substrat zum Er
zeugen einer Flächenstrahlergruppe hergestellt werden. Eine
solche Flächenstrahlergruppe gibt ein Strahlungsmuster ab,
das typisch etwa senkrecht zu der Gitteroberfläche ver
läuft. Der Strahlungsausgang solcher Gruppen wird durch
Einfügen eines Detektors, beispielsweise einer Gruppe von
ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtungen, in dieses Strah
lungsmuster überwacht. Die Überwachung wird zunächst zum
Einstellen der Ansteuerströme zum Erzeugen eines gewünsch
ten Fernfeldmusters gefordert; eine weitere Überwachung
ist typisch erforderlich zum Einstellen der Ansteuerströme
zum Kompensieren von Änderungen von Umgebungsbedingungen
und zum Kompensieren der Alterung des Geräts.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein licht-emittie
rendes Gerät und ein Verfahren zum Überwachen des Geräts zu
schaffen, wobei die Überwachungseinrichtung nicht in das
primäre Strahlungsmuster eingefügt werden soll.
Für den Flächenstrahler ist die erfindungsgemäße Lösung
gekennzeichnet durch eine auf einem Substrat liegende,
große optische Hohlraumzone mit einem freigelegten und ei
nem nicht freigelegten Bereich, durch eine über dem nicht
freigelegten Bereich angeordnete Aktivzone und eine auf
letzterer liegende Deckschicht, durch Mittel zum elektri
schen Kontaktieren des Substrats und der Deckschicht, fer
ner durch eine auf dem freigelegten Bereich der großen
optischen Hohlraumzone liegende erste Gitterzone mit einem
eine erste Gitterperiode aufweisenden ersten Gitter und
durch eine zweite Gitterzone mit einer von der ersten
verschiedenen, zweiten Gitterperiode.
Durch die Erfindung wird also ein Flächenstrahler geschaf
fen, zu dem ein Substrat und eine darüber liegende große
optische Hohlraumzone gehören. Die Hohlraumzone soll frei
gelegte und nicht freigelegte Bereiche besitzen. Über den
nicht freigelegten Bereichen wird eine Aktivzone und dar
über eine Deckschicht gelegt. Über dem freigelegten Bereich
der Hohlraumzone wird eine Gitterzone gebildet, die aus
einem ersten Gitter mit einer ersten Gitterperiode und ei
nem zweiten Gitter mit einer zweiten, von der ersten ver
schiedenen Gitterperiode besteht.
Gemäß weiterer Erfindung wird der Flächenstrahler bevorzugt
als Laser ausgebildet. Ferner kann es günstig sein, den
Flächenstrahler als Gruppe strahlender Elemente bzw. als
Gruppe von Einzelstrahlern auszubilden.
Die Gitterperiode der zweiten Gitterzone wird vorzugsweise
größer als die Gitterperiode der ersten Gitterzone gemacht;
die beiden Gitterzonen können überlagert werden, es hat
jedoch auch Vorteile, wenn die zweite Gitterzone räumlich
neben der ersten Gitterzone liegt. Die erfindungsgemäße
Lösung ist für die Flächenstrahlergruppe, insbesondere als
Kombination einzelner Flächenstrahler, gekennzeichnet durch
ein Substrat, eine auf dem Substrat liegende, große op
tische Hohlraumzone, eine erste Aktivzone auf einem ersten
Teil der großen optischen Hohlraumzone, eine zweite Aktiv
zone auf einem zweiten Teil der großen optischen Hohlraum
zone, eine erste Deckschicht auf der ersten Aktivzone, eine
zweite Deckschicht auf der zweiten Aktivzone, Mittel zum
elektrischen Kontaktieren des Substrats sowie der ersten
und zweiten Deckschicht, durch eine auf der großen opti
schen Hohlraumzone zwischen der ersten und zweiten Aktiv
zone liegende erste Gitterzone bestehend aus mehreren im
wesentlichen mit gleichem, gegenseitigem Abstand angeordne
ten Gitterelementen und durch eine auf der großen optischen
Hohlraumzone liegende zweite Gitterzone bestehend aus mehre
ren Elementen mit einem vom gegenseitigen Abstand der Ele
mente der ersten Gitterzone abweichenden gegenseitigen Ab
stand.
Eine solche Flächenstrahlergruppe kann vorzugsweise aus
zwei oder mehr Einzelstrahlern des zuvor beschriebenen Typs
bestehen. Gegebenenfalls sollen alle Einzelstrahler auf ein
und demselben Substrat gebildet werden und insgesamt die
Strahlergruppe darstellen.
Schließlich ist die erfindungsgemäße Lösung für das Verfah
ren zum Überwachen des Ausgangs eines licht-emittierenden
Geräts, nämlich eines Flächenstrahlers oder einer Flächen
strahlergruppe der vorgenannten Art durch folgende Schritte
gekennzeichnet: Emittieren einer Strahlung mit Hilfe des
ersten und zweiten Gitters durch Anlegen eines Stroms an
das Gerät; Empfangen des Strahlungsausgangs des zweiten
Gitters; und Einstellen des am Gerät anliegenden Stroms in
Abhängigkeit vom gemessenen Strahlungsausgang des zweiten
Gitters.
Allgemein wird durch die Erfindung erreicht, daß ein Gitter
zum Erzeugen der jeweils gewünschten Arbeitsstrahlung und
ein zweites Gitter zum Erzeugen einer für das Überwachen
des Gesamtgeräts vorgesehenen Meßstrahlung auf dem Substrat
aufgebaut werden. Die beiden Gitter, die auch überlagert
sein können, stören sich gegenseitig nicht und erzeugen
unterschiedliche Strahlung, so daß die Meßstrahlung ohne
Störung der Arbeitsstrahlung und insbesondere von deren
Fernfeld zur Überwachung der Arbeitsstrahlung gemessen und
dem Meßergebnis entsprechend der Ansteuerstrom eingestellt
werden können.
Anhand der schematischen Darstellung in der
Zeichnung werden Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Flächenstrahlergruppe in perspektivischer
Ansicht;
Fig. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 von Fig. 1;
Fig. 3 nebeneinander angeordnete Gitter und
Fig. 4 überlagerte Gitter.
Fig. 1 zeigt eine insgesamt mit 10 bezeichnete Flächenstrah
lergruppe, zu der mehrere Halbleiter-Dioden-Abschnitte 11
gehören. Nach Fig. 2 enthalten diese Dioden-Abschnitte 11
ein Substrat 12 mit darauf aufgebrachter erster Überzugs
zone 14. Auf der ersten Überzugszone 14 liegt eine große
optische Hohlraumzone 16 und auf dieser eine Aktivzone 18.
Über der Aktivzone 18 liegt eine zweite Überzugszone 20
und auf dieser eine Deckschicht 22. Die Mittel zum elektri
schen Kontaktieren des Geräts umfassen einen ersten elektri
schen Kontakt 30 auf der der ersten Überzugszone 14 gegen
überliegenden Oberfläche des Substrats 12 und einen zweiten
elektrischen Kontakt 32 auf der Deckschicht 22.
In der Gruppe von Fig. 1 werden die Dioden-Abschnitte 11
über die sich zwischen den Dioden-Abschnitten erstrecken
de Hohlraumzone 16 miteinander verbunden, während über der
Hohlraumzone 16 zwischen den Dioden-Abschnitten eine Gitter
zone 40 vorgesehen wird. Die Gitterzone 40 wird typisch
aus einer Vielzahl von im wesentlichen parallel zueinander
verlaufenden Elementen 41 auf der Oberfläche der Hohlraum
zone 16 gebildet.
Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 besteht die Gitterzone
40 aus einem ersten Gitter bzw. Arbeitsgitter 42, dessen
Gitterlinien 41 eine im wesentlichen überall gleiche Gitter
periode 43 besitzen und aus einem zweiten Gitter, nämlich
einem Überwachungsgitter 44, wobei die Gitterperiode 45
jedes Überwachungsgitters 44 verschieden von der Periode 43
des Arbeitsgitters 42 ist. Es versteht sich, daß die
Arbeits- und Überwachungsgitter 42, 44 sowohl nebeneinan
der, wie in Fig. 3, liegen, als auch andere Gittersysteme
benutzt werden können. Infrage kommt beispielsweise eine
Gitterkombination gemäß Fig. 4, in der das Arbeitsgitter 42
auf dem Überwachungsgitter 44 so gelagert bzw. überlagert
ist, daß das Arbeitsgitter 42 als Modulation des Über
wachungsgitters 44 erscheint.
Das Substrat 12 besteht typisch aus N-leitendem GaAs von
etwa 250 Mikrometern Dicke. Eine erste Hauptfläche des Sub
strats 12 soll parallel zu einer (100)-Kristallebene verlau
fen oder schwach in Bezug auf diese Kristallebene mißorien
tiert sein. Die erste Überzugszone 14 ist etwa 1,26 Mikro
meter dick und aus N-leitendem Al x Ga1-x As zusammengesetzt,
wobei x im allgemeinen zwischen etwa 0,2 und 0,4 liegt,
vorzugsweise etwa 0,27 beträgt. Die Hohlraumzone 16 wird
typisch etwa 0,25 bis 0,60 Mikrometer dick gemacht und aus
N-leitendem Al x Ga1-x As aufgebaut, wobei x im allgemeinen
zwischen 0,15 und 0,25, vorzugsweise bei etwa 0,18 liegen
soll. Die Aktivzone 18 wird typisch etwa 0,08 Mikrometer
dick und aus N-leitendem Al x Ga1-x As zusammengesetzt, wobei
x etwa 0,06 betragen soll. Die zweite Überzugszone 20 wird
zwischen etwa 1,2 und 1,7 Mikrometer dick gemacht und aus
Al x Ga1-x As aufgebaut, wobei x etwa 0,4 betragen soll. Der
erste elektrische Kontakt 30 wird vorzugsweise aus einer
Folge von niedergeschlagenen Schichten von Germanium, Gold-
Nickel und Gold zusammengesetzt. Der zweite elektrische
Kontakt 32 wird vorzugsweise aus einer Folge von Titan-,
Platin- und Goldschichten zusammengesetzt, wobei die Schich
tenfolge auf eine Zn- oder Cd-diffundierte Oberfläche nie
dergeschlagen werden soll. Es versteht sich, daß die Erfin
dung auch auf andere Flächenstrahlerstrukturen mit Oberflä
chengitter Anwendung finden kann.
Die Flächenstrahlergruppe 10 kann unter Verwendung von Stan
dardtechniken der Flüssigphasenepitaxie zum Abscheiden von
Schichten und Zonen hergestellt werden. Geeignete Flüssig
phasenepitaxieverfahren werden in der US-PS 37 53 801 ange
geben. Nach Erzeugen der Flächenstrahlergruppe 10 wird auf
die Dioden-Abschnitte 11 ein Fotolack aufgebracht; der zwei
te elektrische Kontakt 32 wird dann durch Ionenfräsen außer
halb der Dioden-Abschnitte 11 entfernt. Ebenfalls außerhalb
der Dioden-Abschnitte 11 werden anschließend die Deck
schicht 22, die zweite Überzugsschicht 20 und die Aktivzone
11, typisch durch chemisches Abtragen, z.B. mit gepufferter
HF-Lösung und H2SO4:H2O2:H2O, entfernt. Die Gitterzone wird
gebildet, indem zuerst das Arbeitsgitter 42 durch Her
stellen eines periodischen Gitters unter Verwendung von
standardisierten Holografie- oder Ätztechniken erzeugt
wird. Alternativ kann das Gitter auch durch Ionenfräsen
gebildet werden. Typisch soll die Periode 43 des Arbeits
gitters 42 etwa 240 Nanometer (nm) betragen. Es versteht
sich, daß es wünschenswert sein kann, zuerst das Überwa
chungsgitter 44 zu erzeugen, wenn andere Konfigurationen,
etwa wie in Fig. 4, hergestellt werden sollen.
Das Überwachungsgitter 44 wird nach derselben Technik so
gebildet, daß es eine andere Periode als das Arbeitsgitter
42 erhält. Dadurch wird erreicht, daß der in Bezug auf die
Ebene der Schichten gemessene Winkel der optischen Achse
der von dem Überwachungsgitter 44 abgegebenen Strahlung von
dem entsprechenden Winkel der optischen Achse der von dem
Arbeitsgitter 42 abgegebenen Strahlung abweicht. Vorzugs
weise wird die Gitterperiode des Überwachungsgitters 44
größer als die Gitterperiode des Arbeitsgitters 42 gemacht.
Typisch wird der Winkel Φ der Ausgangsstrahlung des Über
wachungsgitters - gemessen an der Oberfläche - etwa
Φ=cos-1[(n e Λ-λ m c)/(n₀Λ)]
betragen, wobei λ die Wellenlänge der Strahlung, m c eine
ganzzahlige Konstante (1, 2, 3 ...), Λ die Periode des
Überwachungsgitters, n e der effektive Brechungsindex in der
großen optischen Hohlraumzone und n₀ der effektive Bre
chungsindex in Luft bedeuten. Λ kann etwa 375 nm betra
gen, so daß Φ etwa 10° beträgt.
Bei Betrieb wird eine Vorspannung passender Polarität zwi
schen dem ersten und zweiten elektrischen Kontakt 30 und
32 angelegt, so daß eine Strahlung in der Aktivzone 18 er
zeugt wird. Diese Strahlung wird teilweise durch das Ar
beitsgitter 42 emittiert. Die optische Achse der emittier
ten Strahlung verläuft typisch senkrecht zu der Ebene der
Schichten. Ein Teil der Strahlung wird auch durch das Über
wachungsgitter emittiert. Eine Meßvorrichtung, beispiels
weise eine Gruppe von bekannten CCD-Detektoren (Charge Coup
led Device, ladungsgekoppeltes Bauelement) wird so angeord
net, daß sie Strahlung des Überwachungsgitters empfängt;
die Ebene des Meßgerätes wird typisch senkrecht zur opti
schen Achse der emittierten Strahlung des Überwachungsgit
ters angeordnet. Das Meßgerät überträgt elektrische Signale
auf ein Sichtgerät, das die Ausgangsstrahlung des Überwa
chungsgitters darstellt. Diese Ausgangsstrahlung des Über
wachungsgitters 44 steht in einer eindeutigen Beziehung
zu der Ausgangsstrahlung des Arbeitsgitters 42, da die bei
den Strahlungen denselben Interferenzbedingungen unterlie
gen. In einigen Gerätekonfigurationen würde also beispiels
weise ein einziger Strahlungszipfel des Ausgangs des Über
wachungsgitters 44 einem einzigen Strahlungszipfel des Aus
gangs des Arbeitsgitters 42 entsprechen. Es sei darauf hin
gewiesen, daß diese eindeutige Beziehung nicht notwendig
für dasselbe Muster des Arbeits- und Überwachungsgitters
42 bzw. 44 gilt und daß die Beziehung daher experimentell
durch Annäherungsverfahren ermittelt werden muß, indem zu
nächst die Ausgänge der beiden Gitter überwacht werden.
Unter Anwendung der Erfindung ist es daher möglich, den
auf das Gerät geschalteten Strom auf einen ursprünglich
gewünschten Ansteuerstrom einzustellen, indem die Ausgangs
strahlung des Überwachungsgitters 44 beobachtet und dann
zum Kompensieren einer Alterung oder von Änderungen der
Umgebungsbedingungen verstellt wird.
Claims (14)
1. Flächenstrahler, gekennzeichnet durch eine auf einem
Substrat (12) liegende, große optische Hohlraumzone
(16) mit einem freigelegten und einem nicht freigeleg
ten Bereich, durch eine über dem nicht freigelegten
Bereich angeordnete Aktivzone (18) und eine auf letz
terer liegende Deckschicht (22), durch Mittel (30,
32) zum elektrischen Kontaktieren des Substrats (12)
und der Deckschicht (22), ferner durch eine auf dem
freigelegten Bereich der großen optischen Hohlraumzone
(16) liegende erste Gitterzone (40) mit einem eine
erste Gitterperiode (43) aufweisenden ersten Gitter
(42) und durch eine zweite Gitterzone (44) mit einer
von der ersten (43) verschiedenen, zweiten Gitterperio
de (45).
2. Flächenstrahler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
die Ausbildung als Laser.
3. Flächenstrahler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
die Ausbildung als Gruppe strahlender Elemente.
4. Flächenstrahler nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterperio
de (45) der zweiten Gitterzone (44) größer als die
Gitterperiode (43) der ersten Gitterzone (42) ist.
5. Flächenstrahler nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Git
terzone (44) neben der ersten Gitterzone (42) angeord
net ist (Fig. 3).
6. Flächenstrahler nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein
Teil der ersten Gitterzone (42) auf wenigstens einem
Teil der zweiten Gitterzone (44) liegt (Fig. 4).
7. Flächenstrahlergruppe, insbesondere als Kombination
von Flächenstrahlern nach einem oder mehreren der An
sprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch ein Substrat
(12); eine auf dem Substrat (12) liegende, große opti
sche Hohlraumzone (16); eine erste Aktivzone (18) auf
einem ersten Teil der großen optischen Hohlraumzone
(16); eine zweite Aktivzone (18) auf einem zweiten
Teil der großen optischen Hohlraumzone (16); eine er
ste Deckschicht (22) auf der ersten Aktivzone (18);
eine zweite Deckschicht (22) auf der zweiten Aktivzone
(18); Mittel (30, 32) zum elektrischen Kontaktieren
des Substrats (12) sowie der ersten und zweiten Deck
schicht (22); durch eine auf der großen optischen Hohl
raumzone (16) zwischen der ersten und der zweiten Ak
tivzone (18) liegende erste Gitterzone (42) bestehend
aus mehreren im wesentlichen mit gleichem, gegenseiti
gem Abstand angeordneten Gitterelementen (41); und
durch eine auf der großen optischen Hohlraumzone (16)
liegende zweite Gitterzone (44) bestehend aus mehre
ren Elementen mit einem vom gegenseitigen Abstand der
Elemente (41) der ersten Gitterzone (42) abweichenden
gegenseitigen Abstand.
8. Flächenstrahlergruppe nach Anspruch 7, gekennzeichnet
durch die Ausbildung als Laser-Gruppe.
9. Flächenstrahlergruppe nach Anspruch 7 oder 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Gitterzone (42) benach
bart zur zweiten Gitterzone (44) liegt (Fig. 3).
10. Flächenstrahlergruppe nach Anspruch 7 oder 8, dadurch
gekennzeichnet daß wenigstens ein Teil der ersten
Gitterzone (42) auf wenigstens einem Teil der zweiten
Gitterzone (44) liegt (Fig. 4).
11. Flächenstrahlergruppe nach einem oder mehreren der
Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der
Abstand (45) zwischen Elementen der zweiten Gitterzone
(44) größer als der Abstand (43) zwischen Elementen
(41) der ersten Gitterzone (42) ist.
12. Verfahren zum Überwachen des Ausgangs eines licht-emit
tierenden Geräts, insbesondere eines Flächenstrahlers,
vorzugsweise nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 11, mit einem ersten, Strahlung emittierenden
Gitter (42) mit einer ersten Gitterperiode (43) von
Gitterelementen (41) und mit einem zweiten Gitter (44)
mit einer von der ersten Gitterperiode (43) abweichen
den zweiten Gitterperiode (45), ferner mit einer Aktiv
zone (18) und mit Mitteln (30, 32) zum elektrischen
Kontaktieren des Geräts, wobei folgende Schritte durch
geführt werden:
Emittieren einer Strahlung mit Hilfe des ersten und zweiten Gitters (42, 44) durch Anlegen eines Stroms an das Gerät; Empfangen des Strahlungsausgangs des zweiten Gitters (44); und Einstellen des am Gerät an liegenden Stroms in Abhängigkeit vom gemessenen Strah lungsausgang des zweiten Gitters (44).
Emittieren einer Strahlung mit Hilfe des ersten und zweiten Gitters (42, 44) durch Anlegen eines Stroms an das Gerät; Empfangen des Strahlungsausgangs des zweiten Gitters (44); und Einstellen des am Gerät an liegenden Stroms in Abhängigkeit vom gemessenen Strah lungsausgang des zweiten Gitters (44).
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß als Flächenstrahler eine Strahlergruppe verwendet
wird und daß der Ausgang der Strahlergruppe erfaßt
wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß unter Verwendung eines Strahlers, bei
dem der Ausgang des zweiten Gitters (44) eine optische
Strahlungsachse besitzt, beim Empfangen des Ausgangs
des zweiten Gitters (44) ein eine im wesentlichen ebe
ne Empfangsfläche aufweisender Detektor mit seiner
Empfangsfläche etwa senkrecht zu der optischen Strah
lungsachse positioniert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/184,843 US4872176A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Device and method for monitoring a light-emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3912800A1 true DE3912800A1 (de) | 1989-11-02 |
Family
ID=22678590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3912800A Withdrawn DE3912800A1 (de) | 1988-04-25 | 1989-04-19 | Flaechenstrahler |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4872176A (de) |
JP (1) | JPH0221687A (de) |
CA (1) | CA1302477C (de) |
DE (1) | DE3912800A1 (de) |
FR (1) | FR2630593A1 (de) |
GB (1) | GB2219134A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4334525A1 (de) * | 1993-10-09 | 1995-04-13 | Deutsche Bundespost Telekom | Optoelektronisches Bauelement mit verteilter Rückkopplung und variierbarem Kopplungskoeffizienten |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4976539A (en) * | 1989-08-29 | 1990-12-11 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Diode laser array |
US5003550A (en) * | 1990-03-09 | 1991-03-26 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Integrated laser-amplifier with steerable beam |
US5109386A (en) * | 1990-09-10 | 1992-04-28 | Tacan Corporation | Rugate filter on grating coupled surface emitting laser array |
US5111467A (en) * | 1990-09-10 | 1992-05-05 | Tacan Corporation | Hybrid rugate filter assembly for temperature stabilized emission of grating coupled surface emitting lasers |
US5131001A (en) * | 1990-12-21 | 1992-07-14 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Monolithic semiconductor light emitter and amplifier |
JP2830591B2 (ja) * | 1992-03-12 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 半導体光機能素子 |
US7468710B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-12-23 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting display device |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE788374A (fr) * | 1971-12-08 | 1973-01-02 | Rca Corp | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat |
GB1513573A (en) * | 1974-08-22 | 1978-06-07 | Xerox Corp | Electrically pumpable feedback solid-state diode laser |
US4047124A (en) * | 1975-12-31 | 1977-09-06 | International Business Machines Corporation | Planar solid state laser array |
US4156206A (en) * | 1976-12-30 | 1979-05-22 | International Business Machines Corporation | Grating coupled waveguide laser apparatus |
JPS5821888A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Omron Tateisi Electronics Co | 可変波長半導体レ−ザ |
JPS6079788A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Nec Corp | 光双安定素子 |
JPS6147685A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
JPS6150386A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
DE3586174D1 (de) * | 1985-01-07 | 1992-07-09 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer integriert - optischen anordnung. |
GB2197122B (en) * | 1986-11-03 | 1990-01-24 | Stc Plc | Injection laser and monitor photosensor combination |
-
1988
- 1988-04-25 US US07/184,843 patent/US4872176A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-04-06 CA CA000595894A patent/CA1302477C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-19 FR FR8905205A patent/FR2630593A1/fr not_active Withdrawn
- 1989-04-19 DE DE3912800A patent/DE3912800A1/de not_active Withdrawn
- 1989-04-21 GB GB8909113A patent/GB2219134A/en not_active Withdrawn
- 1989-04-25 JP JP1103614A patent/JPH0221687A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4334525A1 (de) * | 1993-10-09 | 1995-04-13 | Deutsche Bundespost Telekom | Optoelektronisches Bauelement mit verteilter Rückkopplung und variierbarem Kopplungskoeffizienten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0221687A (ja) | 1990-01-24 |
GB8909113D0 (en) | 1989-06-07 |
CA1302477C (en) | 1992-06-02 |
FR2630593A1 (fr) | 1989-10-27 |
GB2219134A (en) | 1989-11-29 |
US4872176A (en) | 1989-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4025144C2 (de) | ||
DE69434745T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Aggregats von Mikro-Nadeln aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem solchen Aggregat | |
DE3880234T2 (de) | Ausrichten von glasfaser-arrays. | |
DE69221751T2 (de) | Optischer Strahlablenker mit Adressierung durch unterteilte Öffnungen | |
DE3390103C2 (de) | ||
DE60224273T2 (de) | Mehrstrahlhalbleiterlasereinrichtung | |
EP1014043B1 (de) | Abtastkopf | |
DE69637167T2 (de) | LED-Anordnung mit hoher Auflösung und ihr Herstellungsverfahren | |
DE2754923A1 (de) | Selbstausrichtende optische traegeranordnung fuer optische bauelemente | |
DE3531734A1 (de) | Einrichtung zur positionierung eines halbleiterlasers mit selbstjustierender wirkung fuer eine anzukoppelnde glasfaser | |
DE4436661A1 (de) | Halbleiterlasermodul und Verfahren zum Zusammenbau des Halbleiterlasermoduls | |
DE3919462A1 (de) | Mehrfach-halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3644380C2 (de) | Lichtemittierende einrichtung mit einem scheibenfoermigen halbleiterkoerper | |
DE3536738A1 (de) | Halbleiterlaseranordnung und verfahren zu ihrer ueberpruefung | |
DE2829548A1 (de) | Traeger fuer eine lichtemittierende vorrichtung | |
DE2260229B2 (de) | ||
DE69733682T2 (de) | Mehrstrahllichtquelle und optisches Mehrstrahlabtastsystem unter Verwendung dieser Quelle | |
DE3912800A1 (de) | Flaechenstrahler | |
DE3545896C2 (de) | ||
DE10132167A1 (de) | Optischer Codierer und Verfahren zur Herstellung seines Sensorkopfes | |
DE3586196T2 (de) | Lichtemittierende diodenanordnung. | |
DE19823914B4 (de) | Anordnung Licht emittierender Dioden | |
DE4435135A1 (de) | Optischer Modulator auf Halbleiterbasis | |
DE3883421T2 (de) | Verfahren zum Ätzen eines Halbleiterkörpers. | |
DE3923177A1 (de) | Elektro-optische signalmessung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8130 | Withdrawal |