JP2012183549A - SiC半導体ウェハのマーキング方法およびSiC半導体ウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiCウェハ100への識別子101のマーキングは、YAGレーザの4倍高調波を用いたパルスレーザの照射によって行われる。その際、パルスレーザのパルス毎のパルス照射痕1が、互いに重ならないように、レーザヘッドが移動する速度および軌道、照射するパルスレーザの出力パワーおよびQスイッチ周波数等が設定される。
【選択図】図1
Description
(パルスエネルギー)=(出力パワー)÷(Qスイッチ周波数) …(1)
の関係が成り立つ。
Claims (9)
- SiC半導体ウェハを用意する工程と、
レーザヘッドから前記SiC半導体ウェハにレーザを照射しつつ、前記レーザヘッドを前記SiC半導体ウェハに対して移動させることにより、前記SiC半導体ウェハの表面に前記レーザの照射痕から成る所定パターンを刻印するマーキング工程とを備え、
前記レーザは、YAGレーザの4倍高調波を用いたパルスレーザであり、
前記マーキング工程において、前記レーザヘッドは、前記パルスレーザの連続するパルスの照射痕が重ならない速度で、且つ、先に形成された前記照射痕に重ねて前記パルスレーザが照射されない軌道で移動する
ことを特徴とするSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記所定パターンは、互いに重ならないドットの集合体であり、
前記マーキング工程は、
互いに重ならない複数の前記照射痕により1つのドットを描画する第1マーキング工程と、
前記第1マーキング工程を繰り返し行うことで複数のドットから成る前記所定パターンを描画する第2マーキング工程とを含む
請求項1記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記レーザヘッドの移動速度および前記パルスレーザのQスイッチ周波数の少なくとも片方を調整することにより、連続して形成される前記照射痕の中心間の距離を設定する工程をさらに含む
請求項1または請求項2記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 連続して形成される前記照射痕の中心間の距離は、当該照射痕の直径の2倍以上になるように設定される
請求項3記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記パルスレーザの1パルス当たりのエネルギーは5〜10μJである
請求項1から請求項4のいずれか一項記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 前記照射痕の深さは0.1〜0.7μmである
請求項1から請求項4のいずれか一項記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。 - 表面にレーザの照射痕から成る所定パターンが刻印されたSiC半導体ウェハであって、
前記所定パターンは、互いに重ならない深さ0.1〜0.7μmの前記照射痕の集合体により構成されている
ことを特徴とするSiC半導体ウェハ。 - 前記所定パターンは、互いに重ならないドットの集合体であり、
前記ドットのそれぞれが前記照射痕の集合体である
請求項7記載のSiC半導体ウェハ。 - 隣接する前記照射痕の中心間の距離は、当該照射痕の直径の2倍以上である
請求項7または請求項8記載のSiC半導体ウェハ。
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