CN108831961A - 一种便于激光打标的Mark点图形结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种便于激光打标的Mark点图形结构，包括Mark点，所述Mark点为螺旋形，所述Mark点用于单晶PERC叠加选择性发射极技术。一种制备方法，调整激光参数，在硅片的四个角区域镭射出螺旋形Mark点。本发明的Mark点图形是螺旋式图形，可以避免常规同心圆图形遇到的问题，该螺旋式新图形可以和现有激光掺杂设备完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，制作时间为0.1‑0.2s，缩短了整个SE结构制作的时间，提升了产能，增加企业收入，非常值得推广。
Description
技术领域
本发明涉及激光打标技术领域，具体为一种便于激光打标的Mark点图形结构及其制备方法。
背景技术
随着晶硅电池科学与技术的发展，PERC电池已经逐渐成为市场主流，在未来几年的发展中PERC电池及PERC叠加新技术电池会逐渐成熟，走向工业化生产，PERC叠加SE技术是一种有效的提升电池效率的技术路径，也是一种容易实现，耗费成本较低的一种技术手段，其中叠加SE技术是通过激光掺杂技术实现的，其中激光掺杂图形Mark点是该技术的一个关键点。
在用激光制作选择性发射极结构中，需要打出电池在印刷时的对位Mark点，一般需要四个在固定位置的圆点，如说明书附图1所示，分别位于硅片的四个角区域，这四个Mark点是相互独立的，制作过程中需要激光器单独打标，Mark点打标时间的长短影响整台设备的产量，因此选择合适的Mark图形是提高产能，增加收入的很重要一部分。
常规的对准Mark点制作图形是一组同心圆，如说明书附图2所示，该图形虽然可以实现圆形Mark点，但是缺陷是：容易重复打标损伤硅片，同时制作Mark点需耗费0.5s时间，严重影响产线产能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种便于激光打标的Mark点图形结构及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种便于激光打标的Mark点图形结构，包括Mark点，所述Mark点为螺旋形。
优选的，所述Mark点用于单晶PERC叠加选择性发射极技术。
一种制备方法，调整激光参数，在硅片的四个角区域镭射出螺旋形Mark点。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的Mark点图形是螺旋式图形，可以避免常规同心圆图形遇到的问题，该螺旋式新图形可以和现有激光掺杂设备完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，制作时间为0.1-0.2s，缩短了整个SE结构制作的时间，提升了产能，增加企业收入，非常值得推广。
附图说明
图1为硅片与Mark点分布位置示意图；
图2为现有技术中Mark点形状结构示意图；
图3为本发明的Mark点形状结构示意图。
图中：1硅片、2Mark点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：
一种便于激光打标的Mark点图形结构，包括Mark点2，Mark点2为螺旋形。
该螺旋形Mark点2用于单晶PERC叠加选择性发射极技术。
一种制备便于激光打标的Mark点图形结构的方法，调整激光参数，在硅片1的四个角区域镭射出螺旋形Mark点2。
目前行业内制作SE结构采用的激光都是方形光斑且光斑宽度为120um，同心圆图形外圆直径为500um，内部共有4个圆，激光打标的时候会在内部两圆交界处重叠打标，这样同一位置经过两次激光达标之后会出现损伤Mark点2的情况，Mark点2损伤在丝印相机下就容易被不识别造成设备报警。
但是本发明的螺旋图形Mark点2就可以避免这个问题，打标过程中外圆内部就不会重叠打标，不会造成Mark点2损伤，印刷时设备相机更容易识别，减少报警次数，同时螺旋图形打标时间更短，更能提升产能。
上述该Mark点2在单晶PERC叠加选择性发射极技术所起到的作用，用于激光制作选择性发射极结构，也便于后续Mark点2的印刷对位，Mark点2的具体功能如下步骤：
步骤一、硅片预处理：对硅片1进行预清洗和绒面制备。
步骤二、P-N结的制备：调整N2量、通氧量、磷源量以及扩散温度，利用热扩散工艺制备出磷扩散层，且控制扩散层的方阻为160Ω。
步骤三、SE激光掺杂：采用激光对硅片1正面预备印刷金属细栅线的位置即预先设置的图形进行选择性掺杂，通过激光局部熔融，使得激光扫描位置的磷进一步扩散，从而形成局部高浓度磷掺杂，使得该区域的方阻值降为80Ω,所有线段均为激光需扫面位置。
步骤四、Mark点2的制备：在激光Mark点2时需要对激光参数进行单独的选择，调整激光参数，在说明书附图1所示的四个角区域处，激光镭射出四个Mark点2，以得到更好的对位点形貌和方便识别。
Mark点2位螺旋形Mark点2，如说明书附图3所示，打标过程中外圆内部就不会重叠打标，不会造成Mark点2损伤，印刷时设备相机更容易识别，减少报警次数，同时螺旋图形打标时间更短，更能提升产能。
步骤五、硅片1再处理：对硅片1进行背面刻蚀去PSG，退火，氧化铝钝化膜以及正背面SiNx层工艺制备。
步骤六、背面丝网印刷：在硅片1背面进行激光开槽，对背面进行背电极和背电场的印刷。
步骤七、正面对位丝网印刷：经过背电极和背电场印刷后，180°翻转硅片1，以激光扫描制备的四个螺旋形Mark点2为印刷对位点，调节正电极印刷机台相机成功抓取四个螺旋形Mark点2的位置，使得金属细栅线能对应的印在步骤三所形成的高浓度磷掺杂区域上，开始批量性SE电池的印刷。
步骤八、烧结测试：烘干、烧结正背面金属浆料，测试分档，完成SE电池制备。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种便于激光打标的Mark点图形结构，包括Mark点(2)，其特征在于：所述Mark点(2)为螺旋形。
2.根据权利要求1所述的一种便于激光打标的Mark点图形结构，其特征在于：所述Mark点(2)用于单晶PERC叠加选择性发射极技术。
3.一种制备权利要求1所述的便于激光打标的Mark点图形结构的方法，其特征在于：调整激光参数，在硅片(1)的四个角区域镭射出螺旋形Mark点(2)。
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