JPH04339581A - レーザマーキング装置 - Google Patents
レーザマーキング装置Info
- Publication number
- JPH04339581A JPH04339581A JP3141129A JP14112991A JPH04339581A JP H04339581 A JPH04339581 A JP H04339581A JP 3141129 A JP3141129 A JP 3141129A JP 14112991 A JP14112991 A JP 14112991A JP H04339581 A JPH04339581 A JP H04339581A
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- JP
- Japan
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- basic
- data
- laser
- laser marking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はレーザマーキング装置に関し、特
にＱスイッチＹＡＧレーザパルスを用いて、ドットによ
る文字、記号等を含む図形をマーキングするレーザマー
キング装置に関する。
にＱスイッチＹＡＧレーザパルスを用いて、ドットによ
る文字、記号等を含む図形をマーキングするレーザマー
キング装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＱスイッチＹＡＧレーザパルスを用
いて、ドットからなる文字や記号等の図形を、半導体ウ
ェハー上に描く場合、１つの図形に対して１つのフォト
パターンデータを準備している。
いて、ドットからなる文字や記号等の図形を、半導体ウ
ェハー上に描く場合、１つの図形に対して１つのフォト
パターンデータを準備している。
【０００３】例えば、文字を描く場合は、図２（Ａ）に
示す様なドットマトリックスフォトパターンを形成し、
このパターンの各ドットのｘｙ座標位置を座標データと
したものを準備する。
示す様なドットマトリックスフォトパターンを形成し、
このパターンの各ドットのｘｙ座標位置を座標データと
したものを準備する。
【０００４】ＱスイッチＹＡＧレーザの１パルスを図形
の１ドットとして、この座標データの各座標位置におい
て、レーザパルスを照射しつつ文字Ｅをウェハー上に描
画している。
の１ドットとして、この座標データの各座標位置におい
て、レーザパルスを照射しつつ文字Ｅをウェハー上に描
画している。
【０００５】図（Ａ）ではレーザパルス径がｒ１ であ
るが、図（Ｂ）ではレーザパルス径がそれより小さいｒ
２ の場合を示している。これから分るように、パルス
径が小さい発振器を光源として用いた場合、パルス径の
大きい発振器のときのフォトパターンデータをそのまま
採用すると、図形を構成する各ドットの径が小となるの
で、目視しづらい図形となる。
るが、図（Ｂ）ではレーザパルス径がそれより小さいｒ
２ の場合を示している。これから分るように、パルス
径が小さい発振器を光源として用いた場合、パルス径の
大きい発振器のときのフォトパターンデータをそのまま
採用すると、図形を構成する各ドットの径が小となるの
で、目視しづらい図形となる。
【０００６】そこで、見栄を良くするために、ｘｙの各
方向に各ドット位置を夫々ずらし複数のパルスで１ドッ
トを形成する方法がある。しかしながら、この場合には
、そのためのフォトパターンデータを別に準備する必要
が生じる。
方向に各ドット位置を夫々ずらし複数のパルスで１ドッ
トを形成する方法がある。しかしながら、この場合には
、そのためのフォトパターンデータを別に準備する必要
が生じる。
【０００７】すなわち、従来のレーザマーキング装置で
は、光源となる発振器に応じて、夫々異なる別のフォト
パターンデータを準備して使い分けなければ、最適な見
栄えの良いマーキング図形を得ることができないという
欠点がある。
は、光源となる発振器に応じて、夫々異なる別のフォト
パターンデータを準備して使い分けなければ、最適な見
栄えの良いマーキング図形を得ることができないという
欠点がある。
【０００８】
【発明の目的】そこで、本発明はこの様な従来技術の欠
点を解消すべくなされたものであって、その目的とする
ところは、光源となる発振器に応じて夫々異なる別のフ
ォトパターンデータを準備しておく必要がなく、極めて
簡単に見栄えの良いマーキング図形を得ることが可能な
レーザマーキング装置を提供することにある。
点を解消すべくなされたものであって、その目的とする
ところは、光源となる発振器に応じて夫々異なる別のフ
ォトパターンデータを準備しておく必要がなく、極めて
簡単に見栄えの良いマーキング図形を得ることが可能な
レーザマーキング装置を提供することにある。
【０００９】
【発明の構成】本発明によれば、ドットからなる文字、
記号等を含む図形をマーキングするレーザマーキング装
置であって、前記図形データを構成するための基本とな
る各ドットの座標を示す基本座標データを格納する手段
と、前記基本座標データの座標におけるｘ方向及びｙ方
向の各ずらし量と前記ｘ方向及びｙ方向のドット数とを
示す補座標データを格納する手段と、前記基本座標デー
タと前記補座標データとに応じてレーザ光の照射制御を
行いつつレーザマーキングをなす手段とを含むことを特
徴とするレーザマーキング装置が得られる。
記号等を含む図形をマーキングするレーザマーキング装
置であって、前記図形データを構成するための基本とな
る各ドットの座標を示す基本座標データを格納する手段
と、前記基本座標データの座標におけるｘ方向及びｙ方
向の各ずらし量と前記ｘ方向及びｙ方向のドット数とを
示す補座標データを格納する手段と、前記基本座標デー
タと前記補座標データとに応じてレーザ光の照射制御を
行いつつレーザマーキングをなす手段とを含むことを特
徴とするレーザマーキング装置が得られる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照しつつ詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】図１は本発明の実施例に用いるフォトパタ
ーンデータの例を示す図であり、図２の場合と同様に文
字Ｅの例である。尚、本例は、５×９のドットマトリッ
クス図形Ｅのマーキング例を示すが５×９以外及びＥ以
外にも同様に適用される。
ーンデータの例を示す図であり、図２の場合と同様に文
字Ｅの例である。尚、本例は、５×９のドットマトリッ
クス図形Ｅのマーキング例を示すが５×９以外及びＥ以
外にも同様に適用される。
【００１２】従来のフォトパターンデータに相当するデ
ータを基本座標データと呼び、主に各ドットをｘｙ座標
系上の位置座標（ｘ，ｙ）として数値化した形式のデー
タであり、図２（Ａ），（Ｂ）に示す各ドットの中心位
置データである。
ータを基本座標データと呼び、主に各ドットをｘｙ座標
系上の位置座標（ｘ，ｙ）として数値化した形式のデー
タであり、図２（Ａ），（Ｂ）に示す各ドットの中心位
置データである。
【００１３】この基本座標データのみを用いて、パルス
径ｒ１ を有する光源にてマーキングを行えば、当然に
図２（Ａ）の図形が、ウェハー上にマーキングされ、パ
ルス径ｒ２ を有する光源にてマーキングを行えば、図
２（Ｂ）の図形となることは明らかである。
径ｒ１ を有する光源にてマーキングを行えば、当然に
図２（Ａ）の図形が、ウェハー上にマーキングされ、パ
ルス径ｒ２ を有する光源にてマーキングを行えば、図
２（Ｂ）の図形となることは明らかである。
【００１４】しかし、本実施例では、この基本座標デー
タの他に更に補座標データと称する概念を新たに導入し
、基本座標データをベースにこの補座標データのみを変
えて図１（Ａ）や（Ｂ）に示す如きパターンを得ようと
するものである。
タの他に更に補座標データと称する概念を新たに導入し
、基本座標データをベースにこの補座標データのみを変
えて図１（Ａ）や（Ｂ）に示す如きパターンを得ようと
するものである。
【００１５】この補座標データについて、図１を参照し
て説明する。この補座標データは次の４つの数値からな
る。すなわち、ｘ方向のパルス数ｊと、ｙ方向のパルス
数ｉと、ｘ方向のずらし量ｘｎ と、ｙ方向のずらし量
ｙｍ からなっている。
て説明する。この補座標データは次の４つの数値からな
る。すなわち、ｘ方向のパルス数ｊと、ｙ方向のパルス
数ｉと、ｘ方向のずらし量ｘｎ と、ｙ方向のずらし量
ｙｍ からなっている。
【００１６】これ等４つの数値からなる補座標データと
基本座標データとを用いることにより、図１（Ａ）、（
Ｂ）のフォトパターンによるマーキングが実現でき、そ
のシステムブロック図が図３に、またその動作処理フロ
ーが図４に夫々示されている。
基本座標データとを用いることにより、図１（Ａ）、（
Ｂ）のフォトパターンによるマーキングが実現でき、そ
のシステムブロック図が図３に、またその動作処理フロ
ーが図４に夫々示されている。
【００１７】図３において、制御部１はレーザマーキン
グ装置全体の動作制御を行うＣＰＵであり、各文字（例
に掲げたＥの文字のみならず、マーキングに必要な他の
全ての文字、記号）の基本座標データ２と、これ等全て
の基本座標データ２に共通の補座標データ３とに従って
、ウェハー７上にレーザマーキングを行うものである。
グ装置全体の動作制御を行うＣＰＵであり、各文字（例
に掲げたＥの文字のみならず、マーキングに必要な他の
全ての文字、記号）の基本座標データ２と、これ等全て
の基本座標データ２に共通の補座標データ３とに従って
、ウェハー７上にレーザマーキングを行うものである。
【００１８】これ等基本座標データ２及び補座標データ
３は予めメモリ等の記憶手段に書込まれているものとす
る。
３は予めメモリ等の記憶手段に書込まれているものとす
る。
【００１９】ビームスキャナ制御部４はＣＰＵ１からの
制御によりビームスキャナ光学系部６を駆動してレーザ
ビーム９のウェハー７上における位置制御を行うもので
ある。
制御によりビームスキャナ光学系部６を駆動してレーザ
ビーム９のウェハー７上における位置制御を行うもので
ある。
【００２０】レーザ発振器５はＣＰＵ１の制御によりレ
ーザ光をオンオフするものであり、ウェハー搬送機構部
８はウェハー７の搬送を行うものである。
ーザ光をオンオフするものであり、ウェハー搬送機構部
８はウェハー７の搬送を行うものである。
【００２１】図４の動作フローを参照し本発明の実施例
の動作を説明する。先ず、第１文字目の第１ドットの基
本座標データを、現在座標（ｘ´，ｙ´）とする。（ス
テップ４３，４５）。そして、ＣＰＵ１からビームスキ
ャナ制御部４へ指令を出し、ビームスキャナ光学系６を
駆動する。
の動作を説明する。先ず、第１文字目の第１ドットの基
本座標データを、現在座標（ｘ´，ｙ´）とする。（ス
テップ４３，４５）。そして、ＣＰＵ１からビームスキ
ャナ制御部４へ指令を出し、ビームスキャナ光学系６を
駆動する。
【００２２】スキャナ光学系６の位置決め完了後、レー
ザ発振器５よりレーザ光９をウェハー７上へ１ショット
または数ショット照射する（ステップ４７）。
ザ発振器５よりレーザ光９をウェハー７上へ１ショット
または数ショット照射する（ステップ４７）。
【００２３】次に、現在座標ｘ´に、補座標データのｘ
方向のずらし量ｘｎ を加えたものを、新らしい現在座
標ｘ´とし（ステップ４８）、再びこの現在座標（ｘ´
，ｙ´）へスキャナ光学系６を移動し、マーキングを実
行する。この作業を補座標データのｘ方向のパルス数ｊ
の回数だけ繰返す（ステップ４６）。
方向のずらし量ｘｎ を加えたものを、新らしい現在座
標ｘ´とし（ステップ４８）、再びこの現在座標（ｘ´
，ｙ´）へスキャナ光学系６を移動し、マーキングを実
行する。この作業を補座標データのｘ方向のパルス数ｊ
の回数だけ繰返す（ステップ４６）。
【００２４】ｘ方向のパルス数ｊの回数だけ終了したら
、現在座標ｙ´に、補座標データのｙ方向のずらし量ｙ
ｍ を加えたものを、新らしい現在座標ｙ´とし（ステ
ップ４９）、上記の処理ステップ４５〜４８を実行する
。この作業を補座標データのｙ方向のパルス数ｉの回数
だけ繰返す（ステップ４４）。
、現在座標ｙ´に、補座標データのｙ方向のずらし量ｙ
ｍ を加えたものを、新らしい現在座標ｙ´とし（ステ
ップ４９）、上記の処理ステップ４５〜４８を実行する
。この作業を補座標データのｙ方向のパルス数ｉの回数
だけ繰返す（ステップ４４）。
【００２５】上記の処理ステップ４３〜４９をマーキン
グすべき文字の基本座標データ量だけ繰返す（ステップ
４２）ことで、１文字のマーキングが完了する。マーキ
ング文字が複数のときは、マーキング文字数だけ同様の
処理ステップ４２〜４９を繰返すことになる（ステップ
４１）。
グすべき文字の基本座標データ量だけ繰返す（ステップ
４２）ことで、１文字のマーキングが完了する。マーキ
ング文字が複数のときは、マーキング文字数だけ同様の
処理ステップ４２〜４９を繰返すことになる（ステップ
４１）。
【００２６】図１（Ａ）の例では、補座標データとして
、ｉ＝２，ｊ＝２，ｘｎ ，ｙｍ 共にパルス径に等し
い値となっている。尚、基本座標データは５×９のドッ
トマトリックス図形（黒丸で示す）データである。
、ｉ＝２，ｊ＝２，ｘｎ ，ｙｍ 共にパルス径に等し
い値となっている。尚、基本座標データは５×９のドッ
トマトリックス図形（黒丸で示す）データである。
【００２７】図１（Ｂ）の例では、（Ａ）と同様に５×
９のドットマトリックス図形（黒丸で示す）データを基
本座標データとしており、補座標データとして、ｙｍ
＝（５×９のｙ方向のドット間距離／２），ｘｎ ＝（
５×９のｘ方向のドット間距離／２），ｉ＝２，ｊ＝２
となっている。
９のドットマトリックス図形（黒丸で示す）データを基
本座標データとしており、補座標データとして、ｙｍ
＝（５×９のｙ方向のドット間距離／２），ｘｎ ＝（
５×９のｘ方向のドット間距離／２），ｉ＝２，ｊ＝２
となっている。
【００２８】尚、基本座標データのみによる図形（図１
の黒丸のみや図２の図形）をマーキングするには、補座
標データの各値を、ｉ＝１，ｊ＝１，ｘｎ ＝０，ｙｍ
＝０とすることで実現できる。
の黒丸のみや図２の図形）をマーキングするには、補座
標データの各値を、ｉ＝１，ｊ＝１，ｘｎ ＝０，ｙｍ
＝０とすることで実現できる。
【００２９】各記号や文字の基本座標データに対し、補
座標データを必要に応じて指定追加することにより、図
１（Ａ），（Ｂ）に示す如きパターンの生成ができるこ
とになるので、レーザ発振器のレーザパルスの径に応じ
て、単に補座標データの数値のみを設定し直すだけで、
基本座標データは従来のものを用いることができるよう
になる。
座標データを必要に応じて指定追加することにより、図
１（Ａ），（Ｂ）に示す如きパターンの生成ができるこ
とになるので、レーザ発振器のレーザパルスの径に応じ
て、単に補座標データの数値のみを設定し直すだけで、
基本座標データは従来のものを用いることができるよう
になる。
【００３０】
【発明の効果】叙上の如く、本発明によれば、ドットに
よる図形を補正する基本座標データと、全ての基本座標
データに共通の補座標データとを準備し、レーザ発振器
のパルス径に応じて補座標データのみを可変するように
することで、最適のドットマトリックスパターンを発生
することが可能となるという効果がある。
よる図形を補正する基本座標データと、全ての基本座標
データに共通の補座標データとを準備し、レーザ発振器
のパルス径に応じて補座標データのみを可変するように
することで、最適のドットマトリックスパターンを発生
することが可能となるという効果がある。
【図１】本発明の実施例によるドットマトリックスフォ
トパターンの発生例を示す図である。
トパターンの発生例を示す図である。
【図２】基本座標データによるドットマトリックスフォ
トパターンの例を示す図である。
トパターンの例を示す図である。
【図３】本発明の実施例のシステムブロック図である。
【図４】本発明の実施例の動作を示すフローチャートで
ある。
ある。
１ ＣＰＵ
２ 基本座標データ
３ 補座標データ
４ ビームスキャナ制御部
５ レーザ発振器
６ ビームスキャナ光学系部
７ ウェハー
８ ウェハー搬送機構部
Claims (1)
- 【請求項１】 ドットからなる文字、記号等を含む図
形をマーキングするレーザマーキング装置であって、前
記図形データを構成するための基本となる各ドットの座
標を示す基本座標データを格納する手段と、前記基本座
標データの座標におけるｘ方向及びｙ方向の各ずらし量
と前記ｘ方向及びｙ方向のドット数とを示す補座標デー
タを格納する手段と、前記基本座標データと前記補座標
データとに応じてレーザ光の照射制御を行いつつレーザ
マーキングをなす手段とを含むことを特徴とするレーザ
マーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141129A JPH04339581A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | レーザマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141129A JPH04339581A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | レーザマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04339581A true JPH04339581A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=15284843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3141129A Pending JPH04339581A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | レーザマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04339581A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821497A (en) * | 1993-01-29 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Seisakusho | Laser marking system and laser marking method |
| JP2007274508A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
| JP2008221301A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Hitachi Via Mechanics Ltd | プリント基板加工機 |
| CN102653035A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 三菱电机株式会社 | SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片 |
| JP2013151010A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Nireco Corp | マーキング装置及びマーキング方法 |
| CN108620730A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-09 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光打标机及其打标方法 |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP3141129A patent/JPH04339581A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821497A (en) * | 1993-01-29 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Seisakusho | Laser marking system and laser marking method |
| JP2007274508A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
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| CN102653035A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 三菱电机株式会社 | SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片 |
| JP2012183549A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | ＳｉＣ半導体ウェハのマーキング方法およびＳｉＣ半導体ウェハ |
| JP2013151010A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Nireco Corp | マーキング装置及びマーキング方法 |
| CN108620730A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-09 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光打标机及其打标方法 |
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