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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Lasermarkierung eines Siliziumcarbid-Halbleiterwafers.
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Ein Halbleiterelement unter Verwendung von Siliziumcarbid (SiC) wird als vielversprechendes Element betrachtet, um als Schaltelement der nächsten Generation zu funktionieren, das in der Lage ist, eine hohe Durchbruchspannung, einen niedrigen Verlust und eine hohe Wärmebeständigkeit zu verwirklichen, wobei erwartet wird, dass es in einer Leistungshalbleitervorrichtung wie z. B. einem Inverter angewendet wird.
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Um in großen Mengen herzustellende Halbleiterwafer bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung leicht zu identifizieren und zu managen, wird im Allgemeinen eine Markierung verwendet, in der Identifizierer auf Oberflächen der Halbleiterwafer in einer Anfangsstufe der Waferbearbeitung eingraviert werden. Markierungstechniken eines Siliziumhalbleiterwafers (Si-Halbleiterwafers) (nachstehend ”Si”-Wafer genannt) umfassen beispielsweise das Markieren (Lasermarkieren) unter Ausbildung einer vertieften Bestrahlungsmarkierung durch Bestrahlen des Si-Wafers mit einem Laser und das Markieren mit Schneiden einer Oberfläche des Si-Wafers mit einem Diamantschleifer und andere.
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Ein gepulster Laser, der wiederholt in bestimmten Intervallen ein- und ausgeschaltet wird, wird bei der Lasermarkierung des Si-Wafers verwendet, wobei er eine Bestrahlungsmarkierung (impulsbestrahlte Markierung) unter Anwendung eines Impulses bildet, das heißt eine relativ große Markierung mit einem Größenbereich von einigen zehn bis einigen hundert Mikrometer. Um Sichtbarkeit zu schaffen, werden mehrere impulsbestrahlte Markierungen teilweise überlagert, um eine kontinuierliche Bestrahlungsmarkierung auszubilden, und die Bestrahlungsmarkierung wird durch Anwendung eines Lasers mit hoher Ausgangsleistung in eine große Tiefe ausgebildet.
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Ein Basis-YAG-Laser (λ = 1064 nm) und ein grüner Laser (λ = 532 nm) werden hauptsächlich als Laser für die Lasermarkierung des Si-Wafers verwendet. Die Markierung mit dem Basis-YAG-Laser (λ = 1064 nm) wird ”harte Markierung” genannt, die die Bildung einer Bestrahlungsmarkierung mit hoher Sichtbarkeit ermöglicht, während sie eine hohe Wahrscheinlichkeit für die Erzeugung von Partikeln verursacht. Die Markierung mit dem grünen Laser (λ = 532 nm), der wegen seines hohen Absorptionsgrades (wegen seines niedrigen Durchlassgrades) in der Lage ist, die Ausgangsleistung niedrig zu machen, wird ”weiche” Markierung genannt, die die Erzeugung von Partikeln unterdrückt, während eine resultierende Bestrahlungsmarkierung eine geringere Sichtbarkeit aufweist.
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Wie vorstehend beschrieben, werden bei der Lasermarkierung mehrere impulsbestrahlte Markierungen teilweise überlagert, um eine kontinuierliche Bestrahlungsmarkierung auszubilden, um die Sichtbarkeit der Markierung zu verbessern. Das Überlappen der impulsbestrahlten Markierungen führt jedoch zur Ausbildung von Vorsprüngen bei der Erzeugung von Spritzern im überlappenden Abschnitt. Mehr Partikel werden erzeugt, wenn die Vorsprünge zerstreut werden. Somit beinhaltet die Lasermarkierung einen Kompromiss zwischen der Unterdrückung von Partikeln und der Bereitstellung von Sichtbarkeit.
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JP 2005-101305-A offenbart ein Beispiel der Verwendung einer Oberwelle (λ = 266 nm) einer Wellenlänge, die viermal jene eines YAG-Lasers ist, während der Markierung eines anorganischen Nitridmaterials wie z. B. eines Galliumnitridsubstrats.
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Das Management von Partikeln in beliebigen Umgebungen wie z. B. jenen in einem Reinraum, in einer Halbleiterherstellungsvorrichtung und auf einem Wafer ist eine wichtige Angelegenheit bei der Halbleiterwaferbearbeitung. Viele nachteilige Effekte wie z. B. sekundäre Verunreinigung innerhalb des Reinraums und der Herstellungsvorrichtung, ein Ausfall des Herstellungsprozesses und die resultierende charakteristische Verschlechterung einer Halbleitervorrichtung können aufgrund von Partikeln erzeugt werden, wenn die Partikel nicht streng gemanagt werden. Somit sind die Verringerung der Menge an Partikelerzeugung und das Unternehmen von Gegenmaßnahmen gegen erzeugte Partikel wichtige Angelegenheiten, die in jeder Herstellungsvorrichtung zu erreichen sind.
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Die Markierung eines Halbleiterwafers erzeugt insbesondere Partikel in großen Mengen, da sie den Halbleiterwafer mit einem Laser und dergleichen direkt bearbeitet. Die durch die Markierung erzeugten Partikel werden in einer Markierungseinheit gesammelt oder in einem Schritt zur Bearbeitung des Halbleiterwafers entfernt. Zurückgelassene Partikel können jedoch die vorstehend erwähnten Probleme erzeugen.
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Ein SiC-Halbleiterwafer (nachstehend ”Sic-Wafer” genannt) weist einen höheren Durchlassgrad für einen Laser als der Si-Wafer auf. Um die Sichtbarkeit einer Bestrahlungsmarkierung vorzusehen, erfordert der SiC-Wafer somit eine Laserbestrahlung mit einer höheren Ausgangsleistung, selbst wenn der SiC-Wafer einer Markierung mit einem Laser wie z. B. einem grünen Laser mit einer relativ kurzen Wellenlänge unterzogen werden soll. Dies führt beispielsweise zum Bruch der kristallinen Struktur von SiC, wenn der SiC-Wafer derselben Markierungstechnik wie jener unterzogen wird, die für den Si-Wafer angewendet wird, was übermäßig Partikel erzeugt.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Markieren zu schaffen, das in der Lage ist, eine hohe Sichtbarkeit eines eingravierten Musters aufrechtzuerhalten, und in der Lage ist, die Erzeugung von Partikeln während der Lasermarkierung eines SiC-Wafers zu unterdrücken.
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Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren nach Anspruch 1 und einen SiC-Halbleiterwafer nach Anspruch 7 gelöst.
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Das Verfahren zum Markieren eines SiC-Halbleiterwafers der vorliegenden Erfindung umfasst die Schritte (a) und (b). In Schritt (a) wird ein SiC-Halbleiterwafer vorbereitet. In Schritt (b) wird ein Laser von einem Laserkopf auf den SiC-Halbleiterwafer aufgebracht, während der Laserkopf relativ zum SiC-Halbleiterwafer bewegt wird. Das vorbestimmte Muster weist Bestrahlungsmarkierungen infolge der Bestrahlung mit dem Laser auf. Der Laser ist ein gepulster Laser mit einer Wellenlänge, die viermal jene eines YAG-Lasers ist. In Schritt (b) bewegt sich der Laserkopf mit einer Geschwindigkeit, die eine Überlappung zwischen Bestrahlungsmarkierungen durch kontinuierliche Impulse des gepulsten Lasers verhindert und in einer Bahn, die verhindert, dass eine der vorher ausgebildeten Bestrahlungsmarkierungen erneut mit dem gepulsten Laser bestrahlt wird.
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Der gepulste Laser unter Verwendung einer Oberwelle einer Wellenlänge, die viermal jene eines YAG-Lasers ist, und der einen hohen Absorptionsgrad (niedrigen Durchlassgrad) aufweist, wird auf den SiC-Halbleiterwafer aufgebracht, was ermöglicht, dass die Ausgangsleistung des gepulsten Lasers niedrig gemacht wird. Ferner überlappen Bestrahlungsmarkierungen, die infolge der Bestrahlung mit entsprechenden Impulsen ausgebildet werden, nicht. Somit werden den Bestrahlungsmarkierungen stabile Formen verliehen (Vorsprünge in Form von Spritzern werden nicht erzeugt), wodurch die Erzeugung von Partikeln unterdrückt wird. Die mit niedriger Ausgangsleistung ausgebildeten Bestrahlungsmarkierungen stellen keine hohe Sichtbarkeit bereit, wenn sie allein betrachtet werden. Die Bestrahlungsmarkierungen werden jedoch dicht angeordnet, wenn sie kontinuierlich ausgebildet werden, indem der Laserkopf so bewegt wird, dass das Muster als Gesamtheit der Bestrahlungsmarkierungen mit Sichtbarkeit bereitgestellt wird.
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Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Diese und weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen besser ersichtlich.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
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1A eine beispielhafte Struktur eines SiC-Wafers einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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1B einen auf dem SiC-Wafer eingravierten beispielhaften Identifizierer;
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2 eine Beziehung zwischen einer Richtung, in der sich ein Laserkopf bewegt, und impulsbestrahlten Markierungen der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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3 einen Punkt in einer vergrößerten Weise, der den Identifizierer des SiC-Wafers der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet;
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4 eine Beziehung zwischen der Ausgangsleistung eines gepulsten Lasers und der Tiefe von impulsbestrahlten Markierungen;
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5 eine Beziehung zwischen einer Geschwindigkeit, mit der sich der Laserkopf bewegt, und einem Abstand zwischen impulsbestrahlten Markierungen; und
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6 eine Beziehung zwischen der Güteschaltfrequenz eines gepulsten Lasers, der Tiefe von impulsbestrahlten Markierungen und einem Abstand zwischen den impulsbestrahlten Markierungen.
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1A zeigt eine beispielhafte Struktur eines SiC-Wafers 100 einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in 1A gezeigt, ist das Muster eines Identifizierers 101 durch Lasermarkierung auf einer Oberfläche des SiC-Wafers 100 eingraviert. In dem hier gezeigten Beispiel umfasst der Identifizierer 101 die Zeichen ”ABC123...”.
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1B zeigt einen Bereich 101a in einer vergrößerten Weise, der das Muster eines Zeichens ”A” des Identifizierers 101 umfasst. Das Muster des Identifizierers 101 ist eine Gesamtheit von mehreren Punkten 10, die einander nicht überlappen. Wie in dem Beispiel von 1B gezeigt, ist das Zeichen ”A” eine Gesamtheit von 16 Punkten 10. Die Punkte 10 werden durch Bestrahlung mit einem gepulsten Laser ausgebildet. Bestrahlungsmarkierungen (impulsbestrahlte Markierungen) 1 in jedem der Punkte 10, die durch Bestrahlung mit entsprechenden Impulsen des gepulsten Lasers ausgebildet werden, überlappen einander nicht. Das heißt, die Punkte 10 sind jeweils eine Gesamtheit von dicht angeordneten impulsbestrahlten Markierungen 1, die voneinander getrennt sind.
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In der bevorzugten Ausführungsform weisen die impulsbestrahlten Markierungen 1 einen relativ kleinen Durchmesser von etwa 10 μm auf. Die kleinen impulsbestrahlten Markierungen 1 schaffen keine hohe Sichtbarkeit, wenn sie allein betrachtet werden. Die Sichtbarkeit der Punkte 10 (nämlich die Sichtbarkeit des Identifizierers 101) wird jedoch bereitgestellt, wenn die impulsbestrahlten Markierungen 1 dicht angeordnet werden, um die Punkte 10 auszubilden.
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Ein Verfahren zum Markieren des SiC-Wafers der bevorzugten Ausführungsform wird nachstehend beschrieben. Die vorliegende Erfindung verwendet einen gepulsten Laser (UV-Laser) unter Verwendung einer Oberwelle (λ = 266 nm) einer Wellenlänge, die viermal jene eines YAG-Lasers ist, der einen relativ hohen Absorptionsgrad (niedrigen Durchlassgrad) aufweist.
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Zuerst wird der SiC-Wafer 100, der auf die Markierung gerichtet ist, vorbereitet, und der SiC-Wafer 100 wird an einer Markierungseinheit befestigt, die in der Lage ist, einen gepulsten Laser unter Verwendung eines UV-Lasers auszugeben. Dann wird der gepulste Laser eines UV-Lasers von einem Laserkopf der Markierungseinheit auf den SiC-Wafer 100 aufgebracht, während der Laserkopf relativ zum SiC-Wafer 100 bewegt wird, während dadurch die Markierung erreicht wird, um das Muster des Identifizierers 101 mit den impulsbestrahlten Markierungen 1 auf einer Oberfläche des SiC-Wafers 100 einzugravieren.
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Dieser Markierungsschritt umfasst erste und zweite Markierungsschritte. Im ersten Markierungsschritt werden mehrere impulsbestrahlte Markierungen 1, die einander nicht überlappen ausgebildet, um einen Punkt 10 wiederzugeben. Im zweiten Markierungsschritt wird das Muster des Identifizierers 101 (wie z. B. das Muster des Zeichens ”A”) mit mehreren Punkten 10 durch Wiederholen des ersten Markierungsschritts wiedergegeben.
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Um einen Punkt 10 als Gesamtheit von getrennten impulsbestrahlten Markierungen 1 im ersten Markierungsschritt auszubilden, sollte ein gepulster Laser auf eine vorbestimmte Position des SiC-Wafers 100 aufgebracht werden, während der Laserkopf mit einer Geschwindigkeit, die eine Überlappung zwischen kontinuierlichen impulsbestrahlten Markierungen 1 verhindert, und in einer Weise, die verhindert, dass eine vorher ausgebildete impulsbestrahlte Markierung 1 erneut mit einem Laser bestrahlt wird, bewegt wird.
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Wie vorstehend beschrieben, ist ein gepulster Laser ein intermittierender Laser, der wiederholt ein- und ausgeschaltet wird. Die bevorzugte Ausführungsform macht eine Anhalteperiode (Impulsintervall) ausreichend länger als eine Periode der Laserbestrahlung (Impulsbreite). Folglich bewegt sich der Laserkopf um einen Abstand, der länger ist als der Durchmesser einer impulsbestrahlten Markierung in der Anhalteperiode, um eine Überlappung zwischen kontinuierlichen impulsbestrahlten Markierungen zu verhindern, wenn sich der Laserkopf mit einer Geschwindigkeit (Laserkopfgeschwindigkeit) bewegt, die höher ist als eine bestimmte Geschwindigkeit. Genauer werden getrennte impulsbestrahlte Markierungen 1 in eine Richtung ausgerichtet, in der sich der Laserkopf bewegt, wie in 2 gezeigt. Eine Länge d1 von 2 ist der Durchmesser der impulsbestrahlten Markierungen 1 und eine Länge d2 von 2 ist ein Abstand zwischen den Zentren von kontinuierlichen impulsbestrahlten Markierungen 1.
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Die Bewegung des Laserkopfs in einer Bahn, die nicht mehr als einmal durch dieselbe Stelle verläuft, ist die leichteste Möglichkeit im ersten Markierungsschritt, um zu verhindern, dass eine vorher ausgebildete impulsbestrahlte Markierung 1 erneut mit einem Laser bestrahlt wird. 3 zeigt den Punkt 10 in einer vergrößerten Weise. In der bevorzugten Ausführungsform wird der Punkt 10 wiedergegeben, indem der Laserkopf in einer spiralförmigen Bahn (gestrichelte Linie mit Pfeilkopf) bewegt wird. Die spiralförmige Bahn verläuft nicht mehr als einmal durch dieselbe Stelle, wodurch verhindert wird, dass eine vorher ausgebildete impulsbestrahlte Markierung 1 erneut mit einem Laser bestrahlt wird.
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Verschiedene Parameter (Bestrahlungsparameter) in Bezug auf die Bestrahlung mit einem gepulsten Laser werden zur Vorbereitung auf den ersten Markierungsschritt festgelegt. Die Bestrahlungsparameter umfassen beispielsweise die Ausgangsleistung [W], die Laserkopfgeschwindigkeit [mm/s] und die Güteschaltfrequenz (Q-SW-Frequenz) [Hz]. Diese Bestrahlungsparameter werden nachstehend beschrieben.
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Die Ausgangsleistung ist ein Parameter, der der Bestrahlungsintensität eines gepulsten Lasers entspricht und der zur Tiefe der auszubildenden impulsbestrahlten Markierungen 1 beiträgt. 4 zeigt eine Beziehung zwischen der Ausgangsleistung eines gepulsten Lasers und der Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1. Die Energie eines Impulses (Impulsenergie) [J] wird größer, wenn die Ausgangsleistung eines gepulsten Lasers erhöht wird, während die Güteschaltfrequenz auf einem konstanten Pegel gehalten wird, was veranlasst, dass die impulsbestrahlten Markierungen 1 mit einer größeren Tiefe ausgebildet werden. Den Punkten 10 wird eine verbesserte Sichtbarkeit verliehen, wenn die impulsbestrahlten Markierungen 1 mit einer größeren Tiefe ausgebildet werden. Dies erzeugt jedoch während der Ausbildung der impulsbestrahlten Markierungen 1 leicht Partikel.
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Die Geschwindigkeit, mit der sich der Laserkopf bewegt (Laserkopfgeschwindigkeit), ist ein Parameter, der zum Abstand zwischen den kontinuierlich ausgebildeten impulsbestrahlten Markierungen 1 beiträgt. 5 zeigt eine Beziehung zwischen der Laserkopfgeschwindigkeit und einem Abstand zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1. Der Abstand zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 wird vergrößert, wenn die Laserkopfgeschwindigkeit erhöht wird, während die Güteschaltfrequenz auf einem konstanten Pegel gehalten wird. Die Herstellung des Abstandes zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 verhindert eine Überlappung zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1, um die Erzeugung von Partikeln zu unterdrücken. Die Sichtbarkeit der Punkte 10 wird jedoch verringert, wenn die impulsbestrahlten Markierungen 1 spärlich angeordnet werden, indem der Abstand zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 zu groß festgelegt wird.
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Die Güteschaltfrequenz ist ein Parameter, der zur Impulsperiode [s] eines gepulsten Lasers und zur Energie eines Impulses (Impulsenergie) [J] beiträgt. 6 zeigt eine Beziehung zwischen der Güteschaltfrequenz eines gepulsten Lasers, der Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 und einem Abstand zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1. Die Impulsperiode des gepulsten Lasers wird verlängert und die Energie eines Impulses vergrößert, wenn die Güteschaltfrequenz gesenkt wird, während die Ausgangsleistung und die Laserkopfgeschwindigkeit auf ihren konstanten Pegeln gehalten werden, was zur Erhöhung der Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 und zur Vergrößerung des Abstandes zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 führt. Dagegen wird die Impulsperiode des gepulsten Lasers verkürzt und die Energie eines Impulses verkleinert, wenn die Güteschaltfrequenz erhöht wird, was zur Verringerung der Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 und zur Verringerung des Abstandes zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 führt.
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Die folgende Beziehung wird zwischen der Ausgangsleistung eines gepulsten Lasers [W/s], der Güteschaltfrequenz [Hz] und der Impulsenergie [J] festgelegt: (Impulsenergie) = (Ausgangsleistung)/(Güteschaltfrequenz) (1)
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Wie vorstehend beschrieben, ist in der bevorzugten Ausführungsform der auf den SiC-Wafer 100 eingravierte Identifizierer 101 eine Gesamtheit von getrennten impulsbestrahlten Markierungen 1 (insbesondere sind die Punkte 10, die den Identifizierer 101 bilden, eine Gesamtheit der impulsbestrahlten Markierungen 1). Die impulsbestrahlten Markierungen 1 weisen jeweils eine stabile Form auf, da die impulsbestrahlten Markierungen 1 einander nicht überlappen (Vorsprünge in Form von Spritzern werden nicht erzeugt), wodurch die Erzeugung von Partikeln unterdrückt wird.
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Der hohe Absorptionsgrad (niedrige Durchlassgrad) eines UV-Lasers (λ = 266 nm), der als gepulster Laser für die Markierung verwendet wird, steuert eine Ausgangsleistung auf einen niedrigen Pegel. Dies schafft auch die stabile Form von impulsbestrahlten Markierungen, um die Erzeugung von Partikeln zu unterdrücken.
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Die impulsbestrahlten Markierungen 1 der bevorzugten Ausführungsform weisen eine relativ kleine Größe von etwa 10 μm auf. Ein Laser erfordert eine hohe Ausgangsleistung für die Bildung einer großen impulsbestrahlten Markierung, was zu einer instabilen Form der impulsbestrahlten Markierung führt. Dagegen können die kleinen impulsbestrahlten Markierungen 1 mit einem Laser mit niedriger Ausgangsleistung ausgebildet werden, so dass die Erzeugung von Partikeln wirksamer unterdrückt wird. Die kleinen impulsbestrahlten Markierungen 1 schaffen eine schlechte Sichtbarkeit, wenn sie allein betrachtet werden. Die Punkte 10 mit jeweils den dicht angeordneten impulsbestrahlten Markierungen 1 und der Identifizierer 101 als Gesamtheit der Punkte 10 werden jedoch zu Mustern mit ausreichend Sichtbarkeit ausgebildet.
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Folglich verringert die bevorzugte Ausführungsform die Wahrscheinlichkeit für die Erzeugung, Verteilung, das Verweilen, Tropfen und dergleichen von Partikeln, während die Sichtbarkeit des Identifizierers 101, der auf dem SiC-Wafer 100 ausgebildet wird, geschaffen wird, so dass anschließende Prozesse vor dem Effekt einer Verunreinigung aufgrund von Partikeln geschützt werden.
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Die im ersten Markierungsschritt festgelegten Bestrahlungsparameter können keine konstanten Parameter sein, sondern können geändert werden, wenn es erforderlich ist. Als Beispiel verringert das Vergrößern eines Abstandes zwischen den impulsbestrahlten Markierungen 1 die Sichtbarkeit der Punkte 10. Das Vergrößern des Abstandes zwischen impulsbestrahlten Markierungen 1 verringert jedoch auch vorteilhafterweise die Menge an Partikelerzeugung, um einen Durchsatz zu erhöhen. Es besteht ein Kompromiss zwischen der für den Identifizierer 101 erforderlichen Sichtbarkeit und der Menge an Partikelerzeugung und einem Durchsatz. Somit macht es die geeignete Steuerung von jedem der Bestrahlungsparameter unter Berücksichtigung dieser Kompromissbeziehung möglich, einen Laser in Reaktion auf ein Objekt zur Markierung effektiv anzuwenden.
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Das Festlegen eines Bestrahlungsparameters unter Berücksichtigung einer Ungleichmäßigkeit der Positionen oder Größen der impulsbestrahlten Markierungen 1 ist eine effektive Möglichkeit hinsichtlich der Leistung der Markierungseinheit. Mit Bezug auf 2 kann der Abstand d2 zwischen den Zentren von kontinuierlichen impulsbestrahlten Markierungen 1 beispielsweise zweimal der Durchmesser d1 der impulsbestrahlten Markierungen 1 oder mehr sein. In diesem Fall überlappen die impulsbestrahlten Markierungen 1 einander nicht, selbst wenn eine Ungleichmäßigkeit in einem Maßstab von etwa dem halben Durchmesser d1 in den Positionen oder Durchmessern der impulsbestrahlten Markierungen 1 erzeugt wird.
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Die vorliegenden Erfinder haben durch ein Experiment bestätigt, dass der auf den SiC-Wafer 100 einzugravierende Identifizierer 101 mit ausreichend Sichtbarkeit geschaffen wird, wenn die Energie eines Impulses (Impulsenergie) 5 μJ oder höher ist. Die vorliegenden Erfinder haben auch bestätigt, dass die Impulsenergie von mehr als 10 μJ eine Kristallbeschädigung des SiC-Wafers 100 erzeugt oder aufgrund einer übermäßig großen Tiefe der resultierenden impulsbestrahlten Markierungen 1 Partikel vermehrt. Um sowohl die Bereitstellung von Sichtbarkeit als auch die Unterdrückung von Partikeln zu erreichen, werden somit die Ausgangsleistung und die Güteschaltfrequenz vorzugsweise derart bestimmt, dass die Impulsenergie in einen Bereich von 5 bis 10 μJ fällt.
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Mit Bezug auf die Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 wurde bestätigt, dass der auf den SiC-Wafer 100 einzugravierende Identifizierer 101 mit ausreichend Sichtbarkeit geschaffen wird, wenn die Tiefe 0,1 μm oder mehr ist. Es wurde auch bestätigt, dass die Vermehrung der Partikel merklich wird, wenn die Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 0,7 μm oder mehr ist. Um sowohl die Bereitstellung von Sichtbarkeit als auch die Unterdrückung von Partikeln zu erreichen, werden somit die Ausgangsleistung und die Güteschaltfrequenz vorzugsweise derart bestimmt, dass die Tiefe der impulsbestrahlten Markierungen 1 in einen Bereich von 0,1 bis 0,7 μm fällt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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