-
Die
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von regelmäßigen
Nanostrukturen auf einer Festkörperoberfläche
durch Bestrahlen dieser Oberfläche mit beschleunigten Ionen
und daraus resultierendes Abtragen von Material des Festkörpers
aus der Oberfläche. Ein derartiges Verfahren ist aus
DE 199 32 880 A1 vorbekannt.
-
Ziel
ist ein Herstellen von regelmäßigen Strukturen
im Nanometerbereich, insbesondere periodisch angeordneten Erhebungen.
Typische Größen derartiger Strukturen liegen im
Bereich einiger nm bis einiger 10 nm. Die Strukturen können
außergewöhnliche elektronische und/oder optische
Eigenschaften zeigen. Hierzu gehören auch Quantenpunkte,
die etwa durch Anwenden des Verfahrens der eingangs genannte Art
auf einen Halbleiter erhalten werden, der zuvor mit einer dünnen
vergrabenen Schicht (buried layer) versehen wurde, welche nach dem
Bestrahlen eine Schicht innerhalb der Erhebung bildet.
-
Nach
dem Bestrahlen mit beschleunigten Ionen, auch als Sputtern und Ionen-Bombardieren
bezeichnet, liegt in der Oberfläche des Festkörpers
ein charakteristisches Muster vor. Wie hierzu im Einzelnen vorgegangen
wird, ergibt sich aus den folgenden Aufsätzen:
- 1.) T.
Bobek et al., "Temporal evolution of dot patterns during
ion sputtering", Phys. Rev. B 68, 85323 (2003).
- 2.) T. Bobek et al., "Self Organized Hexagonal
Patterns of Independent Magnetic Nanodots", Advanced Materials
19, Issue 24, p4375 (2007).
- 3.) Malherbe, J. B.; Lakner, H.; Gries, W. H.: Composition
and Structure of Ion-bombardment-induced Growth Cones an InP In:
Surface and Interface Analysis, Vol. 17, 719–725 (1991).
- 4.) Chini, T. K. et al.: Monocrystalline InP Surface
normally sputtered with Ar+: SEM and TEM observations In: Nuclear
Instruments and Methods in Physics Research B 95 (1995) 313–318.
- 5.) Demanet C. M.; Vijaya Sankar, K.; Malherbe, J. B.: Atomic
Force Microscopy Investigation of Ion-Bombarded InP : Effect of
Angle of Ion Bombardment: In: Surface and Interface Analysis, Vol.
24, 503–510 (1996).
-
In
der eingangs genannten DE-Schrift und diesen Aufsätzen
sind auch typische Verfahrensparameter angegeben, die Stand der
Technik sind. Diese gehören zum Offenbarungsgehalt der
vorliegenden Anmeldung.
-
Die
daraus ersichtlichen Methoden verwenden Selbstorganisations-Prozesse,
um Nanostrukturen zu erzeugen. Durch großflächige
Bestrahlung unter gezielten Bedingungen von Festkörperoberflächen,
insbesondere Halbleiteroberflächen, mit beschleunigten
Ionen ist man in der Lage, durch Ionen-Erosion ein regelmäßiges
Muster von Erhebungen zu generieren mit Strukturgrößen
von etwa 15 bis 80 nm. Es wird eine Nahordnung erreicht, zumeist eine
hexagonale Nahordnung, sie erstreckt sich etwa über 10
Perioden der Nanostrukturen. Es wurde auch schon eine Fernordnung
der Nanomuster gezeigt, eine Kontrolle über die Position
einzelner oder weniger Strukturen ist allerdings nicht möglich.
Die Größe und die Periodenlänge des regelmäßigen
Musters der Nanostruktur lassen sich separat über die Strahldauer
und die verwendete Ionen-Energie einstellen.
-
Eine
Ionenbestrahlung wirkt abrasiv, also abtragend. Sie wird daher manchmal
auch als Sandstrahlverfahren im Nanobereich angesehen. Zudem kann
eine Ionenbestrahlung einen Selbstorganisationsprozeß hervorrufen,
allerdings führt nicht jede Ionenbestrahlung zu einem Selbstorganisationsprozess.
Um diesen zu erreichen, müssen mehrer Parameter aufeinander
abgestimmt werden, so im Allgemeinen: Die Ionenenergie der verwendeten
Ionen, die Flussdichte dieser Ionen, das Material des Festkörpers
und seine Temperatur, die Atomsorte der verwendeten Ionen, denn
je näher die Masse der bombardierenden Ionen der Masse
der Atome des Festkörpers ist, umso effektiver erfolgt
das Herausschlagen der Atome des Festkörpers. Man kann
somit ätzen, ohne Nanostrukturen zu erzeugen. Werden jedoch
konkrete Verfahrensparameter eingehalten, so erreicht man, neben
dem Abtragen von Material, auch Selbstorganisations-Prozesse.
-
Insgesamt
ist man z. Zt. nicht in der Lage, mit Selbstorganisations-Methoden
eine Nanostruktur auszubilden, die in größerem
Maßstab regelmäßig ist. Insbesondere
ist man nicht in der Lage, eine möglichst auch noch getrennte
Kontrolle über die Größe der Strukturen,
die Ordnung untereinander und die absoluten Positionen zu erreichen.
Zudem können die bisher bekannten Prozesse nur in einer
sehr speziellen Materialklasse angewendet werden.
-
Aufgabe
der Erfindung ist es, eine massiv parallele Herstellungsmethode
anzugeben, die in der Lage ist, Oberflächen mit geordneten
Mustern von Nanostrukturen zu erstellen. Dabei soll möglichst auch
eine räumliche Eingrenzung der zu strukturierenden Flächen
erreicht werden, um eine Kontrolle über die Position der
einzelnen Nanostrukturen zu erhalten.
-
Ausgehend
von dem Verfahren der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe
dadurch gelöst, dass vor dem Bestrahlen auf die Festkörperoberfläche
ein Relief aufgebracht wird, das Abmessungen im Submikrometerbereich
aufweist.
-
Mit
Hilfe dieses Verfahrens ist eine massiv parallele Herstellung von
Nanostrukturen (Erhebungen) auf insbesondere Halbleiteroberflächen
möglich, es werden laterale Abmessungen ≤ 50 nm
und Höhen von etwa 10–50 nm erreicht.
-
Wie
im Stand der Technik wird ein Selbstorganisations-Prozess durchgeführt,
der aber nun auf das zuvor aufgebrachte Relief angewendet wird.
Dieser Ionen-Erosions-Prozess besteht wie im Stand der Technik in
der großflächigen Bestrahlung der Oberfläche
mit beschleunigten Ionen, beispielsweise Argon-Ionen unter Bedingungen,
für die man einen Selbstorganisations-Prozess erwarten
kann und wie er auf glatten Oberflächen in bekannter Weise
zur Entstehung von Nanomustern führt, die aus hexagonal
angeordneten Erhebungen mit einer Höhe von etwa 20 nm und
einer Breite von etwa 15–80 nm bestehen. Der Abstand der
einzelnen Erhebungen untereinander lässt sich bekanntlich
durch die Variation der Ionen-Energie einstellen.
-
Erfindungsgemäß wird
diese Ionen-Bestrahlung nun auf die mit dem Relief versehene Oberfläche
angewandt. Durch die Ionen-Bestrahlung wird auch das Relief mit
der Zeit mehr und mehr abgetragen und wird das Profil des Reliefs
mehr oder weniger in das darunter liegende Festkörpermaterial übertragen.
Dabei werden die vom Relief vorgegebenen Linien bzw. Streifen aufgespalten
mit derselben charakteristischen Periodenlänge, die bei
der Bestrahlung von nicht mit einem Relief versehenen Oberflächen
beobachtet wird. Die zuvor geschlossenen Linien des Reliefs werden
zu Ketten aus Nanostrukturen umgewandelt, die je nach Wahl der Breite der
Linien eine oder mehrere Nanostrukturen nebeneinander aufweisen.
-
Das
Relief liegt vorzugsweise als festes Material auf der Oberfläche
des Festkörpers und ist mit dieser verbunden. Vorzugsweise
wird die Bestrahlung mit Ionen so durchgeführt, dass nach
der Bestrahlung das Material des Reliefs vollständig entfernt
ist. Zumindest ist das Relief nach der Bestrahlung in den dünneren
Bereich entfernt, während dickere Bereiche noch in allerdings
reduzierter Dicke weiter vorliegen können.
-
Das
Relief hat vorzugsweise eine erste Oberfläche und eine
zweite Oberfläche. Die erste Oberfläche hat einen
größeren Abstand von der Oberfläche des
Festkörpers als die zweite Oberfläche. Es ist
in einer Verbesserung möglich, dass die zweite Oberfläche
mit der Oberfläche des Festkörpers zusammenfällt.
Die zweite Oberfläche kann sich in einer geringen Entfernung
von der Oberfläche des Festkörpers befinden. Die
erste Oberfläche befindet sich dagegen in einem Abstand
von mindestens 30 nm, vorzugsweise mindestens 50 nm.
-
Bei
der Bestrahlung mit Ionen werden die Bereiche unterhalb der ersten
Oberfläche länger geschützt als die Bereiche
unterhalb der zweiten Oberfläche. Sobald das Material des
Reliefs unterhalb der zweiten Oberfläche mehr oder weniger
abgetragen ist, werden zweite Bereiche, die sich zuvor unterhalb der
zweiten Oberfläche befanden, strukturiert. Mit zeitlicher
Verzögerung werden anschließend erste Bereiche
strukturiert, unter denen sich die erste Oberfläche befunden
hat, nämlich dann, wenn auch dort das Material des Reliefs
ausreichend weit abgetragen ist. Wenn dies der Fall ist, ist die
Reliefstruktur in das Volumen des Festkörpers eingearbeitet.
Die zweiten Bereiche liegen nun aufgrund der Bestrahlung tiefer
als vor der Bestrahlung, sie liegen nun unterhalb der ungestörten
Oberfläche des Festkörpers. Es liegt dann ein
Höhenunterschied zwischen den zweiten Bereichen und den
ersten Bereichen vor.
-
Zur
Herstellung des Reliefs können beliebige Materialien auf
die Oberfläche des Festkörpers aufgebracht werden.
Das Relief sollte Abmessungen im Submikrometerbereich haben. Vorzugsweise
hat es Linien bzw. Streifen, die eine geringe Breite von z. B. 100
nm und eine demgegenüber deutlich größere Länge
haben. Damit sind Verfahren zur Aufbringung des Reliefs notwendig,
die dies leisten. In besonders vorzugsweiser Weiterbildung der Erfindung
wird das Relief durch ein so genanntes Nano-Imprint-Verfahren hergestellt.
Hierzu wird verwiesen auf die Offenbarungen in:
- [1] M.
Otto, H. Kurz, et al., „Dimensional stability in Step & repeat UV-nanoimprint
lithography", Microelectronic Engineering 84, p980 (2007).
- [2] Namil Koo, Heinrich Kurz et al., „Improved
mold fabrication for the definition of high quality nanopatterns
by Soft UV-Nanoimprint lithography using diluted PDMS material",
Microelectronic Engineering 84, Issues 5–8, p904 (2007).
-
Diese
Offenbarungen gehören zu Inhalt der Anmeldung. Zudem wird
vollinhaltlich auf den Inhalt der älteren
DE-Anmeldung 10 2008 041 623 vom
27. August 2008, angemeldet für die AMO GmbH, verwiesen,
der dortige Offenbarungsgehalt gehört vollinhaltlich zum
Offenbarungsgehalt der vorliegenden Anmeldung.
-
Bei
dem Nanoprint-Verfahren wird ein spezieller Stempel verwendet, der
im Wesentlichen ein Negativrelief des zu erstellenden Reliefs aufweist. Jedenfalls
soll der Stempel höher liegende und tiefer liegende Flächen
aufweisen, die möglichst dem zu erstellenden Relief ähnlich
sind. Es wird dann ein fließfähiges Resist, beispielsweise
ein UV-härtbarer Lack, auf die Oberfläche des
Festkörpers, auf die strukturierte Oberfläche
des Stempels oder auf die Oberfläche eines Trägers
aufgebracht. Der Stempel wird auf die Oberfläche des Festkörpers
aufgedrückt, dabei wird das Resist-Material ggf. übertragen,
jedenfalls strukturiert. Nachdem der Kontakt zwischen Stempel und
Festkörperoberfläche festgestellt ist, wird das
Resist-Material ausgehärtet. Der Stempel wird danach entfernt.
Das Relief ist erstellt.
-
-
Aus
der
US 2007059497
A1 ist bekannt, ein derart hergestelltes Relief, also eine
Nano-Struktur, durch Ätzen in das Volumen des Festkörper
zu übertragen. Gegebenenfalls wird verbleibendes Resist-Material
durch ein geeignetes Lösungsmittel oder dergleichen entfernt.
Es liegt dann ein Relief in der Oberfläche des Festkörpers
vor, allerdings nun in einem Material, das mit dem des Festkörpers
identisch ist. Auf den so strukturierten Festkörper kann nun
der nachfolgende Schritt des Bestrahlens mit Ionen angewendet werden,
man erhält ein Ergebnis, wie es zuvor für ein
Relief aus einem Photolack beschrieben wurde.
-
Weitere
Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den übrigen
Ansprüchen sowie der nun folgenden Beschreibung von nicht
einschränkend zu verstehenden Ausführungsbeispielen
des Verfahrens, die unter Bezugnahme auf die Zeichnung im Folgenden
näher erläutert werden. In dieser Zeichnung zeigen:
-
1:
eine schematische, schnittbildliche Ansicht eines mit Resist beschichteten
Trägers und darüber eines Stempels,
-
2:
die Darstellung wie 1, jedoch ist nunmehr der Stempel
in die Oberfläche des flüssigen Resists eingetaucht,
-
3:
die Darstellung wie 2, jedoch ist nunmehr der Stempel,
der nun mit Resist gefüllt ist, vom Träger, auf
dem sich ebenfalls Resist befindet, getrennt,
-
4:
eine Darstellung wie 3, jedoch ist der Stempel nach 3 nunmehr
oberhalb eines Festkörpers,
-
5:
die Darstellung wie 4, jedoch ist nunmehr der mit
Resist gefüllte Stempel mit der Oberfläche des
Festkörpers in Kontakt gebracht, weiterhin erfolgt eine
UV-Bestrahlung, wodurch das Resist-Material gehärtet wird,
-
6:
eine Darstellung gemäß 5, jedoch
ist nunmehr der Stempel nach oben abgezogen, es verbleit ein Relief
an Resist auf dem Festkörper,
-
7:
eine Darstellung wie 6, jedoch nunmehr ohne Stempel,
die Reliefstruktur mit darunter befindlichem Festkörper
wird nun mit Argon-Ionen großflächig bestrahlt,
gezeigt ist der Zustand zu Beginn der Bestrahlung,
-
8:
eine Darstellung des Festkörpers nach 8 nach
der Bestrahlung, der nun eine nanostrukturierte Oberfläche
mit ersten Bereichen und den zweiten Bereichen aufweist.
-
9:
eine Darstellung ähnlich 8, jedoch
ist nunmehr der Schritt des Ionenätzens nicht so weit durchgeführt
worden, dass das Resist-Material vollständig entfernt wurde,
also auch oberhalb der ersten Bereiche entfernt wurde, vielmehr
ist lediglich das Resist-Material oberhalb der zweiten Bereiche entfernt,
dort liegt ein moduliertes Oberflächenprofil vor, auch
als Erhebungen bzw. Berge bezeichnet, weiterhin ist eine vergrabene
Schicht gezeigt und
-
10:
eine Draufsicht auf die Oberfläche des Festkörpers ähnlich
wie in 9, nunmehr liegen die ersten Oberflächen
und zweiten Oberflächen als Ringe vor.
-
Die
Figuren sind schematisch, sie sind nicht maßstäblich.
-
In
der Darstellung nach 1 ist ein Träger 20 mit
einem fließfähigen, UV-härtbarem Lack,
im Folgenden Resist genannt, gleichmäßig beschichtet, für
die Beschichtung kommen Verfahren nach dem Stand der Technik in
Betracht, beispielsweise ein Schleuderverfahren. Die Schicht 22 befindet
sich auf dem Träger 20. Oberhalb ist ein Stempel 24 dargestellt,
der herangeführt wird, siehe Pfeil, er hat ein Negativrelief
mit Erhöhungen und Vertiefungen, es ist im Nanobereich
strukturiert. Beispielsweise liegt die lichte Weite zwischen den
streifenförmig vorliegenden Erhöhungen bei 100
nm oder 200 nm.
-
2 zeigt
nun den Kontakt des Stempels 24 mit der Schicht 22.
Der Stempel 24 wird ist diese Schicht 22 hineingedrückt,
dadurch wird das Negativrelief gefüllt, wie aus 2 ersichtlich
ist.
-
Anschließend
wird nun, wie in 3 dargestellt, der Stempel 24 wieder
vom Träger 20 getrennt, siehe Pfeil, bei diesem
Trennschritt verbleibt am Stempel 24 ein erster Teil 26 der
Schicht 22. Der Rest der Schicht 22 verbleibt
als zweiter Teil 28 auf dem Träger 20.
Der Träger 20 wird nun entfernt, er wird nicht
weiter benötigt.
-
Der
im Schritt 3 erhaltene, gefüllte Stempel 24,
der den ersten Teil 26 trägt, wird nun einer Oberfläche
(40) eines Festkörpers 30 genähert,
siehe Pfeil, es handelt sich beispielsweise um GaSb.
-
Im
nächsten Schritt gemäß 5 ist
der Kontakt zwischen dem gefüllten Stempel 24 und
dem Festkörpers 30 hergestellt, es wird durch
den Stempel 24, der entsprechend ausgebildet ist, UV-Licht
auf den ersten Teil 26 zur Wirkung gebracht, wodurch dieser
aushärtet. Er ist in Kontakt mit der Oberfläche des
Festkörpers 30.
-
Im
nächsten Schritt, wie die 6 zeigt,
ist nun der Stempel 24 entfernt, siehe Pfeil, er ist im
Zustand wie in 1. Auf dem Festkörper 30 befindet sich
nun ein Relief 34. Es ist definiert durch eine erste Oberfläche 36 und
eine zweite Oberfläche 38 und möglichst
steilwandige Übergänge dazwischen, hier idealisiert
vertikal dargestellt. Die zweite Oberfläche 38 ist
einer Oberfläche 40 des Festkörpers 30 näher als
die erste Oberfläche 36. Vorzugsweise beträgt der
Abstand zwischen der zweiten Oberfläche 38 und der
Oberfläche 40 etwa 10 nm. Der Abstand der Oberfläche 40 zur
ersten Oberfläche 36 beträgt beispielsweise
50 nm. Die lichte Weite zwischen benachbarten Erhebungen liegt bei
etwa 100 nm. Die Erhebungen liegen als Streifen vor, die sich beispielsweise
geradlinig oder, wie in 10 gezeigt,
auf Kreislinien verlaufen.
-
Zusätzlich
zeigt 7 noch den Zustand bei Beginn der Bestrahlung
mit Argon-Ionen, alternativ können andere Edelgasionen
verwendet werden. Sie haben eine Energie von beispielsweise 400
eV. Die Temperatur des Festkörpers 30 ist Zimmertemperatur.
-
Durch
den Beschuss mit Ionen wird das Material des Reliefs 34 mehr
und mehr abgetragen. Das Material des Reliefs ist so gewählt,
dass ein allmähliches Abtragen erreicht wird. Dabei kommen
die erste Oberfläche 36 und die zweite Oberflächen 38 der
ungestörten Oberfläche 40 des Festkörpers 30 näher. Zuerst
erreichen die zweiten Oberflächen 38 im Wesentlichen
das Niveau der Oberfläche 40. Es wird dann ein
charakteristisches Muster in entsprechende Bereiche der Oberfläche 40,
im Folgenden zweite Bereiche 42 genannt, eingeprägt.
Da die Abtragung weitergeführt wird, wird nun Material
aus dem Festkörper abgetragen, die zweiten Bereiche kommen zunehmend
tiefer zu liegen. Wenn auch die erste Oberfläche 36 so
weit der Oberfläche 40 angenähert ist,
dass diese mehr oder weniger erreicht ist, setzt auch in ersten
Bereichen 44, die sich unterhalb der ersten Oberfläche 36 befinden,
das Ausbilden der Nanostrukturen ein. Da die Nanostrukturen sich
immer nur in engen Grenzenbereichen bilden können, erfolgt
ihre Ausbildung regelmäßig, wie dies insbesondere 10 zeigt.
-
8 zeigt
den Zustand, in dem das Material des Reliefs 34 vollständig
entfernt ist. Es liegt nun ein Relief im Volumen des Festkörpers 30 vor.
Die streifenförmigen ersten Bereiche 44 und die
streifenförmigen zweiten Bereiche 42, die sich
quer zur Zeichenebene erstrecken, weisen nun regelmäßig
angeordnete Erhebungen (Nanopunkte) 46 auf.
-
In
der zweiten Ausführung nach 9 ist der Prozess
des Bestrahlens mit Ionen abgebrochen worden, bevor die erste Oberfläche 36 die
Oberfläche 40 des Festkörpers 30 erreicht
hat. Dadurch liegen nur in den zweiten Bereichen 42 Erhebungen 46 vor,
in den ersten Bereichen 44 konnten sich noch keine Erhebungen
bilden.
-
10 zeigt
ein drittes Ausführungsbeispiel. Die Darstellung ist nun
in Draufsicht, dadurch ist der streifenförmige Verlauf
der Linien des Reliefs 34 sichtbar. Die Strukturen, wie
sie 10 zeigt, eignen sich beispielsweise für
Festplatten von Computern.
-
Regelmäßige
Strukturen erreicht man insbesondere dann, wenn man die Breite der
zweiten Bereiche 42 und/oder der ersten Bereiche 44 an
mindestens einen Parameter der Erhebungen bzw. Nanopunkte 46 anpaßt.
Wählt man beispielswei se die Breite der zweiten Bereiche 42 in 9 so,
dass sie ein ganzzahliges Vielfaches der Größe
der Erhebungen 46 ist, so werden regelmäßig
geordnete Anordnungen der Erhebungen 46 erreicht, wie sie
in den Figuren dargestellt sind. Durch geeignete Wahl der Dicke
des Resist-Materials und der Bestrahlungsdauer und sonstiger Parameter
lassen sich die erzeugten Strukturen vom Resist-Material in das
darunter liegende Material des Festkörpers 30 übertragen.
-
Hervorzuheben
ist hier die Einschränkung des Wachstumsgebietes für
die Erhebungen 46 durch Definition der Bereiche 42 und 44 bzw.
der Strukturen im Relief 34. Nur in den Regionen des Reliefs 34,
wo das Relief praktisch abgetragen ist, entstehen Erhebungen 46.
-
Schließlich
zeigt 9 zudem auch noch die Ausbildung von Quantenpunkten
im Bereich der Erhebungen 46. Hierzu ist in den Festkörper 30 vor dem
Aufbringen des Reliefs 34 eine sogenannte vergrabene Schicht 48 eingebracht
worden. Sie ist quer zur Oberfläche etwa 5 nm dick. Sie
kann beispielsweise eindiffundiert sein. Vorzugsweise wird sie wie folgt
hergestellt: Auf eine primäre Oberfläche des Festkörpers 30 wird
die vergrabene Schicht 48 aufgetragen. Anschließend
wird weiteres Halbleitermaterial auf diese Schicht aufgebracht,
beispielsweise epitaktisch. Diese definiert dann die tatsächliche Oberfläche 40.
Auf dieser wird nun das Relief 34 aufgedruckt und das sonstige
Verfahren, das oben beschrieben wurde, durchgeführt. Die
Bestrahlung mit Ionen und das daraus resultierende Ätzen
muss nun genau soweit durchgeführt werden, dass sich die
vergrabene Schicht 48 zwischen der Basis und der Spitze
der Erhebungen 46 befindet, wie dies in 9 dargestellt
ist.
-
Ein
derartiges Halbleitermaterial mit einer vergrabenen Schicht kann
man auch als Dreischichtsystem ansehen. Das oben genannte Verfahren
kann auch mit einem Zweischichtsystem durchgeführt werden,
dabei ist die obere Schicht, die auch die echte Oberfläche 40 bildet,
nun deutlich dicker als die vergrabene Schicht. Der Ätzvorgang
wird soweit durchgeführt, dass wiederum die Grenze zwischen
der ersten Schicht und der zweiten Schicht zwischen der Basis und
der Spitze der Erhebungen 46 liegt.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 19932880
A1 [0001]
- - DE 102008041623 [0017, 0019]
- - US 2007059497 A1 [0020]
-
Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - T. Bobek et
al., ”Temporal evolution of dot patterns during ion sputtering”,
Phys. Rev. B 68, 85323 (2003) [0003]
- - T. Bobek et al., ”Self Organized Hexagonal Patterns
of Independent Magnetic Nanodots”, Advanced Materials 19,
Issue 24, p4375 (2007) [0003]
- - Malherbe, J. B.; Lakner, H.; Gries, W. H.: Composition and
Structure of Ion-bombardment-induced Growth Cones an InP In: Surface
and Interface Analysis, Vol. 17, 719–725 (1991) [0003]
- - Chini, T. K. et al.: Monocrystalline InP Surface normally
sputtered with Ar+: SEM and TEM observations In: Nuclear Instruments
and Methods in Physics Research B 95 (1995) 313–318 [0003]
- - Demanet C. M.; Vijaya Sankar, K.; Malherbe, J. B.: Atomic
Force Microscopy Investigation of Ion-Bombarded InP : Effect of
Angle of Ion Bombardment: In: Surface and Interface Analysis, Vol. 24,
503–510 (1996) [0003]
- - M. Otto, H. Kurz, et al., „Dimensional stability
in Step & repeat
UV-nanoimprint lithography”, Microelectronic Engineering
84, p980 (2007) [0016]
- - Namil Koo, Heinrich Kurz et al., „Improved mold fabrication
for the definition of high quality nanopatterns by Soft UV-Nanoimprint
lithography using diluted PDMS material”, Microelectronic
Engineering 84, Issues 5–8, p904 (2007) [0016]