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Die
Erfindung betrifft den Nanodruck (auch NanoImprint Lithographie
oder NIL genannt), der eine Lithographietechnik durch Pressen von
Substraten in den Mikrotechnologien ist.
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Diese
Technik besitzt verschiedene Vorteile gegenüber den bekannten Methoden:
sie gestattet es, dieselbe Auflösungen
wie die elektronische Lithographie zu erhalten, wobei sie gleichzeitig
viel schneller und kostengünstiger
ist. Das Ziel ist in der Praxis, Nanostrukturen (also in einem Maßstab von weniger
als 1 Mikron, typischerweise einige zehn bis einige hundert Nanometer)
auf großen
Flächen
herzustellen. Sie kann insbesondere auch bei der Herstellung von
Elementen zur magnetischen Speicherung hoher Dichte, von optischen
Bauelementen auf der Basis von Photonenkristallen und in den Biotechnologien
verwendet werden.
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Der
Nanodruck besteht darin, dass eine Form in ein Polymer gepresst
wird, das ein Substrat aus Silicium oder aus einem anderen geeigneten Werkstoff
bedeckt. Die Form wird typischerweise aus Silicium durch Lithographie/Gravur-Standardtechniken
hergestellt. Diese Form wird in eine Schicht aus Polymer gepresst,
das über
seine Glasübergangstemperatur
hinaus erhitzt wird, so dass es verformbar ist. Nach Abkühlung und
Entformung sind die Muster der Form in das Polymer als Negativ eingedrückt.
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Um
einen Kontakt zwischen der Form und dem das Polymer tragenden Substrat,
der destruktiv sein kann, zu vermeiden, wird am Boden der vorstehenden
Muster der Form absichtlich eine Restschicht Polymer belas sen. Die
auf die Form ausgeübten
Drücke
sind nämlich
so beschaffen, dass, wenn die Form und das Substrat in direkten
Kontakt kämen,
die beiden Platten geschwächt
wären und
brechen könnten. Um
das Vorhandensein dieser Restschicht zu gewährleisten, wird die Anfangsdicke
des Polymers so gewählt,
dass das Polymer nach dem Pressen die Vertiefungen der Muster der
Form ausfüllt.
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Die
Polymerrestdicke wird dann durch ein Sauerstoffplasma entfernt,
was das Substrat örtlich blank
legt. Die Muster der Polymerschicht werden dann in dem Substrat
durch Plasmagravur (typischerweise die Technik, die unter der Abkürzung RIE für "Reactive Ion Etching" bekannt ist) reproduziert (man
sagt, sie werden übertragen),
wie im Fall einer herkömmlichen
Lithographie/Gravur.
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Eine
solche Technik wird in der Schrift "Imprint of sub-25 nm vias and trenches
in polymers" von S.
Y. CHOU, P. R. KRAUSS und P. J. RENSTROM, erschienen in Appl. Phys.
Lett. 67 (21) 20. November 1995, S. 3114–3316, beschrieben.
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Die
Hauptschwierigkeit dieser Technik ist es, unabhängig von der Größe und der
Dichte der gepressten Muster eine gleichförmige Restdicke zu erhalten.
Wenn nämlich
die Restdicke am Musterboden nicht homogen ist, erzeugt das Sauerstoffplasma, das
die Aufgabe hat, sie zu entfernen, eine örtliche Änderung der Größe der Muster
dort, wo diese Schicht am dünnsten
ist; nun kann diese Größenverringerung
bei Mustern, die von vornherein unbekannt sind, bei der Dimensionierung
der Muster der Form nicht in Rechnung gebracht werden. Daraus ergibt sich
eine Ungenauigkeit in der Steuerung der Abmessungen der Muster,
die mit einer industriellen Verwendung dieser Technik nicht kompatibel
ist.
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Diese
ungesteuerte Änderung
der Größe der Muster
der Polymerschicht kann folgendermaßen erklärt werden.
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Zunächst haben
die örtlichen
Unterschiede in der Restdicke folgende Ursache: je näher die
Vorsprünge
und die Vertiefungen des Musters der Form beieinander liegen, umso
mehr bringt das Eindringen der Form in die Polymerschicht die Bewegung
einer großen
Materialmenge mit sich und umso mehr hat die Form Schwierigkeit,
in die Polymerschicht "einzutreten".
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Bei
dem Schritt der Sauerstoffplasmagravur dieser Restschicht am Musterboden
findet an jeder Stelle eine Entfernung des Polymermaterials in Richtung
des Substrats statt. Wenn aber an einer Stelle, an der die Restschicht
anfangs sehr dünn
ist, die darunter liegende Oberfläche des Substrats blank gelegt wurde, äußert sich
die Weiterführung
des Anlegens des Plasmas (was nötig
ist, um die Restschicht dort zu entfernen, wo sie am dicksten ist)
in einem nun seitlichen Angriff des Polymers, was sich örtlich in
einer Vergrößerung der
Vertiefungen des Musters äußert. Infolgedessen
werden die am stärksten
vereinzelten Muster (wo die Restschicht am dünnsten gewesen war) bezüglich der
Erhebungen der Form verkleinert, während die dichtesten Muster
(wo die Restschicht am dicksten war) bezüglich der Erhebungen der Form
gleich gehalten werden.
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Diese
Dickendisparität
ist sehr schwer zu vermeiden. In der Tat sind die Hauptparameter
der Pressung der Druck, die Temperatur und die Presszeit. Versuche
haben gezeigt, dass, wenn man Linien von einer Breite von 500 nm
mit einem Raum zwischen den Zeilen, der zwischen 650 nm und 10.000 nm
variiert, unter einem Druck von 50 bar bei 120°C gravieren möchte, die
Restdicke zwischen 55 und 120 nm bei eine Pressdauer von 5 Minuten,
zwischen 40 bis 75 nm bei einer Dauer von 30 Minuten und zwi schen
65 und 75 nm bei einer Dauer von 60 Minuten variiert. Dies zeigt
einerseits die Dickendisparität (das
Maximum wird im Allgemeinen bei einem Abstand zwischen den Zeilen
beobachtet, der von der Größenordnung
von 1000 nm ist), aber auch, dass diese Disparität abnimmt, wenn man die Presszeit
erhöht.
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So
scheint es, dass es möglich
ist, dass man eine im Wesentlichen gleichförmige Pressung in einem Netz
erhalten kann, dass dies jedoch Temperaturen und Zeiten impliziert
(je höher
die Temperatur ist, umso weniger lang muss die Presszeit sein),
die sich als zu hoch und damit zu kostspielig herausstellen können.
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Dies
macht diese Technik weniger schnell und damit weniger vorteilhaft
als die Standardverfahren.
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Das
Vorstehende betrifft jedoch ein Netz von einer gegebenen Größe, das
besondere Muster hat (nur Zeilen, von derselben Breite), so dass
geschlossen werden kann, dass, wenn es unter genau angepassten Bedingungen
möglich
ist, ein Netz von gleichförmig
gepressten Linien in gegebenen Größen zu erhalten, es praktisch
unmöglich
ist, unter denselben Bedingungen eine Restdicke vom selben Wert
in Netzen mit einer anderen Mustergröße und Musterdichte und erst
recht bei Mustern von verschiedenen Formen zu erhalten. Infolgedessen
ist die vollständige
Untersuchung der Pressungshomogenisierung in Abhängigkeit von den drei genannten
Parametern neu vorzunehmen, sobald man die Netzgröße oder die
Pressmuster ändert.
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Um
Eindrücke
von guter Qualität
zu erhalten, wurde insbesondere mit der Schrift "Tri-layer systems for nanoimprint lithography
with an improved process latitude" von A. LEBIB, Y. CHEN, F. CARCENAC,
E. CAMBRIL, L. MANIN, L. COURAUD und H. LAUNOIS, erschienen in
Microelectronic engineering 53 (2000) 175–178, vorgeschlagen, eine Technik
zu verwenden, bei der auf dem Substrat, das man gravieren möchte, drei
Schichten vorgesehen werden: dieses Substrat ist mit einer unteren
Schicht aus bei 270°C
gebranntem Harz PMGI bedeckt, die ihrerseits mit einer dünnen Germaniumschicht
bedeckt ist, die ihrerseits mit einer oberen Schicht aus Harz PMMA oder
S1805 bedeckt ist. Das Verfahren umfasst mehrfache Schritte: Pressen
der Form nur in die obere Schicht, Entfernung des Rückstands
des eingedrückten
Teils der oberen Schicht, Übertragung
des Musters in die Germaniumschicht durch Ätzen dieser Zwischenschicht
unter Verwendung der oberen Schicht als Maske, und diese Germaniumschicht dient
dann als Maske für
die Ätzung
der unteren Schicht. Dann findet ein Auftrag einer Metallschicht auf
die untere Schicht statt und dann die Entfernung dieser unteren
Schicht: die Teile dieser Metallschicht, die auf der Oberfläche des
Substrats am Boden der Vertiefungen dieser Schicht gewesen waren,
sind die einzigen, die bestehen zu lassen sind, und dienen schließlich als
Maske für
die Ätzung
des Substrats. Es ist zu bemerken, dass dies ein Verfahren von anderer
Natur als das oben beschriebene ist, da nicht die untere Schicht
mit ihren vorstehenden Teilen als Maske für die Ätzung des Substrats dient,
sondern die direkt auf dieses Substrat aufgetragenen Metallteile,
die den Vertiefungen dieser unteren Schicht entsprechen. Diese Technik,
die einen Auftrag am Boden der Vertiefungen der unteren Schicht
beinhaltet, wird häufig
mit der englischen Bezeichnung "lift-off" bezeichnet.
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Gegenstand
der Erfindung ist ein Lithographieverfahren durch Pressen eines
Substrats, das in der Lage ist, im industriellen Maßstab mit
einer moderaten Anzahl von Arbeitsgängen verwendet zu werden, und
das zu einer guten Genauigkeit der lithographierten und dann gepressten
Muster führt,
und zwar bei moderaten Drücken,
Zeiten und Presstemperaturen.
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Die
Erfindung schlägt
zu diesem Zweck ein Verfahren zum Pressen eines Substrats vor, umfassend
einen Vorbereitungsschritt, in dem dieses Substrat mit einer Schicht
bedeckt wird, einen Schritt des Pressens einer Form, die mit einem
aus Vertiefungen und Erhebungen bestehenden Muster versehen ist, nur
auf einem Teil der Dicke der Schicht, mindestens einen Schritt des Ätzens dieser
Schicht, bis Teile der Oberfläche
des Substrats freigelegt werden, und einen Schritt des Gravierens
des Substrats nach einem ausgehend von dem Muster der Form gebildeten Gravurmuster,
dadurch gekennzeichnet, dass der Vorbereitungsschritt einen Unterschritt
der Bildung einer unteren Unterschicht aus einem härtbaren Werkstoff,
einen Schritt des Härtens
dieser Unterschicht und einen Unterschritt der Bildung einer äußeren Unterschicht
umfasst, die an diese gehärtete Unterschicht
angrenzt, wobei der Pressschritt das Eindringen der Erhebungen der
Form in diese äußere Unterschicht
bis zum Kontakt mit dieser gehärteten Unterschicht
umfasst.
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Man
kann bemerken, dass die Verwendung einer Schicht aus härtbarem
Werkstoff, der einer Härtungsbehandlung
unterzogen worden war, im Bereich des Nanodrucks nicht neu ist,
da die oben genannte Schrift von LEBIB und Mitarbeiter die Stapelung
von drei Schichten lehrte, deren untere Schicht Gegenstand einer
Glühbehandlung
war. Dagegen wurde noch nicht vorgeschlagen, die Härte eines
solchen Schritts dazu zu benutzen, daraus eine Sperrschicht bei
der Pressung der Form zu machen, da in dieser Schrift angegeben
wird, dass, um zu vermeiden, dass die Form mit dem Substrat in Kontakt kommt,
die Dicke der oberen Schicht etwas größer als die Tiefe der Form
ist, und sogar angegeben wird, wie bereits erwähnt wurde, dass man den Rest
der oberen Schicht entfernt, bevor man sich ihrer als Maske für den Schritt
des Ätzens
der darunter liegenden Schicht bedient; diese Schrift lehrt also
nicht die Verwendung einer Sperr schicht für die Pressung (auch nicht
einer aus Germanium) und erst recht nicht die Verwendung einer Sperrschicht
aus gehärtetem
Polymer.
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Die
Erfindung führt
zu einer Vereinfachung im Verhältnis
zu den bekannten Lösungen
einschließlich
in dem Fall der Techniken vom Typ "lift-off", da sie die genaue Steuerung der Tiefe
des Eindringens der Form an jeder Stelle der Schicht gestattet,
was dazu beiträgt,
dass man bei der Reproduktion bei der Gravur des Musters der Form
eine hohe Genauigkeit erhält.
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Die
Erfindung ist jedoch ganz besonders interessant, wenn die gedruckte
Schicht wie bei der eingangs beschriebenen Technik als Maske für die Gravur
des Substrats dient, was einem Verfahren entspricht, das einfacher
und schneller als die Verfahren vom Typ "lift-off" sind. Ein vorteilhafter Fall der Erfindung
ist also derjenige, bei dem man diese untere Unterschicht im Kontakt
mit der Oberfläche
des Substrats bildet und im Schritt des Ätzens die untere Unterschicht
durch die Vertiefungen der äußeren Unterschicht
hindurch aushöhlt
und man in dem Gravierschritt das Substrat durch eben diese Vertiefungen
hindurch angreift.
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Eine
zusätzliche
Vereinfachung wird erhalten, wenn die untere Unterschicht und die äußere Unterschicht
aus dem gleichen Material hergestellt sind, wobei in diesem Fall
nur ein einziger Werkstoff vorzusehen ist, wobei die beiden Unterschichten
dadurch unterschieden sind, dass eine von ihnen gehärtet ist, die
andere nicht. Dies vereinfacht außerdem die Wahl der Art des Ätzens des
Substrats, da es genügt, zu überprüfen, ob
sie mit diesem gemeinsamen Werkstoff kompatibel ist.
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Die
Härtungsbehandlung
umfasst vorzugsweise eine thermische Behandlung der unteren Unterschicht
bei einer Temperatur, die höher
als ihre Härtungstemperatur
ist, wobei der Pressschritt bei einer Presstemperatur durchgeführt wird,
die etwas höher
als die Glasübergangstemperatur
der äußeren Unterschicht
ist. Dieser Werkstoff ist vorzugsweise ein Polymer, beispielsweise
ein vernetzbares Harz. Beispielsweise handelt es sich dabei um ein
negatives Harz; es kann sich dabei auch um ein positives Harz handeln.
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Die
Mindestdicke der unteren Unterschicht, damit sie wirksam als Sperrschicht
dienen kann, variiert in Abhängigkeit
von verschiedenen Parametern, darunter dem Pressdruck und der Natur
des Polymermaterials; im Übrigen
wird empfohlen, dass diese Dicke nicht viel größer als dieses Minimum ist,
damit die Zeit des Angriffs dieser Unterschicht nicht unnötig verlängert wird,
um die Oberfläche
des Substrats örtlich
bloßzulegen.
Angesichts dieser Bemerkungen ist es vorteilhaft, wenn diese untere
Unterschicht eine Dicke zwischen 0,01 und 1 Mikron hat.
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Um
das Eindringen der Form in die äußere Unterschicht
bis zur inneren Unterschicht zu erleichtern, ist diese Dicke der äußeren Unterschicht
vorteilhafterweise kleiner als die Tiefe der Vertiefungen des Musters
der Form.
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Das
Substrat besteht vorzugsweise aus Silicium, was ein in den mikroelektronischen
Anwendungen sehr bekanntes Material ist. Der das Substrat bildende
Werkstoff (zumindest was seinen zu gravierenden Teil betrifft) kann
aus einer langen Liste von Werkstoffen ausgewählt werden, die in den Mikrotechnologien
verwendbar sind, von denen Germanium oder die Legierungen SiGe (in
unterschiedlichen Verhältnissen),
InP, AsGa, usw. ... zu nennen sind.
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Ziele,
Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden
Beschreibung, in der auf die beiliegende Zeichnung Bezug genommen wird.
In dieser Zeichnung zeigen:
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1 eine
schematische Ansicht eines ersten Schritts des erfindungsgemäßen Verfahrens,
in dem eine Form auf einer auf einem Substrat gebildeten Schicht
positioniert wird,
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2 eine
schematische Ansicht eines zweiten Schritts, bei dem man die Form
in die Schicht bis zu einer Sperrunterschicht presst,
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3 eine
schematische Ansicht eines dritten Schritts, bei dem man nach Abnahme
der Form die Sperrunterschicht ätzt,
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4 eine
schematische Ansicht eines vierten Schritts, bei dem man das Substrat
graviert, und
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5 ein
Diagramm, das die Restdicke nach Pressen der Form in Abhängigkeit
von den Merkmalen des zu reproduzierenden Musters korreliert.
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Die 1 bis 4 zeigen
vier Phasen des erfindungsgemäßen Verfahrens,
bei dem ein Substrat 1 verwendet wird, auf dem eine Schicht 2 gebildet wurde,
sowie eine Form 3, die mit einem Muster versehen ist, das
aus Erhebungen 4 und Vertiefungen 5 gebildet ist,
die ein Muster ergeben, gemäß welchem das
Substrat graviert werden soll. Das Substrat und die Form bestehen
in diesem Fall aus dem gleichen Werkstoff, beispielsweise aus Silicium.
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1 zeigt
einen Schritt, bei dem die Schicht 2 bereits auf dem Substrat
in der Form von zwei Unterschichten gebildet wurde, und zwar eine
innere Unterschicht 2A und eine äußere Unterschicht 2B, und
bei dem die Form auf dieser Schicht positioniert ist, zum Zeitpunkt
des Beginns der Pressung.
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Die
innere Schicht ist aus einem härtbaren Werkstoff
gebildet. Diese Schicht wird zuvor auf der freien Oberfläche des
Substrats gebildet (mit einer Schicht natürlichen Oxids oder nicht) und
dann so behandelt, dass sie härtet.
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Dieser
Werkstoff kann ein Polymer oder jeder andere Werkstoff sein, der
weicher als der Werkstoff des Substrats ist (zumindest in seinem
Oberflächenteil).
Wenn es sich um ein Polymer handelt, ist die Härtungsbehandlung eine thermische
Behandlung bei einer Temperatur, die höher als seine Härtungstemperatur
ist. Dieses Polymer ist vorzugsweise so gewählt, dass es eine Glasübergangstemperatur
besitzt, die höher
als die Temperatur ist, bei der die Pressung vorgenommen wird. Es
ist ferner so gewählt,
dass es nach dem Pressen so geätzt
werden kann, dass die Oberfläche
des Substrats örtlich
bloßgelegt
wird, beispielsweise durch Sauerstoffplasma. Vorteilhafterweise
handelt es sich um ein vernetzbares Harz.
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Nach
Härtungsbehandlung
dieser unteren Unterschicht 2A bildet man auf dieser gehärteten Schicht
die Unterschicht 2B, die dazu bestimmt ist, den äußeren Teil
der Beschichtung des Substrats zu bilden.
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Diese äußere Unterschicht
ist aus jedem geeigneten bekannten Werkstoff hergestellt, beispielsweise
aus einem thermoplastischen Polymer, das in der Lage ist, gegebenenfalls
nach Erhitzen über
eine Erweichungsschwelle hinaus verformt zu werden. Es kann sich
um ein Polymer oder ein vernetzbares Harz handeln.
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Auf
vollkommen vorteilhafte Weise ist diese äußere Unterschicht aus demselben
Werkstoff hergestellt, wie er zur Bildung der unteren Unterschicht verwendet
wird, nur davon abgesehen, dass man an dieser äußeren Unterschicht keine Härtungsbehandlung
vornimmt, und zwar einschließlich
bei der eventuellen Erhitzung für
die Pressung.
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Der
diese beiden Schichten bildende Werkstoff ist vorteilhafterweise
ein negatives Harz, das gewöhnlich
in der Mikroelektronik verwendet wird und das ein thermisch aktiviertes
Vernetzungsmittel besitzt. Wenn man das Harz über seine Vernetzungstemperatur
hinaus erhitzt, wird das Vernetzungsmittel aktiv und verbindet die
Makromoleküle
miteinander. Da diese sich nicht mehr bewegen können, wird das Polymer hart,
und zwar auf irreversible Weise.
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Gleichgültig, ob
die äußere Unterschicht
aus demselben Werkstoff besteht wie die untere Unterschicht oder
nicht, wird sie vorteilhafterweise einer Standardbehandlung unterzogen,
die eine thermische Behandlung beinhaltet, die nicht ausreicht,
um eine Härtung
zu bewirken, jedoch ausreicht, um das Polymer zu stabilisieren.
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2 zeigt
eine Phase, in der die Pressung (nach eventueller Erhitzung) stattgefunden
hat und durchgeführt
wurde, bis die Erhebungen der Form mit der Sperrschicht 2A in
Kontakt kommen. Bei dieser Pressung spielt die Sperrschicht eine
Dämpfungsrolle.
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Man
stellt fest, dass die Vertiefungen der Form zwischen den Erhebungen
mit dem die äußere Unterschicht
bildenden Material unvollständig
gefüllt sind.
Die Vertiefungen der Form haben nämlich eine Tiefe, die größer als
die Dicke der äußeren Unterschicht
ist, wodurch vermieden wird, dass das Eindringen der Erhebungen
dieser Form in diese Unterschicht durch die in diese Vertiefungen
gestauchten Materialwülste 2C blockiert
wird. Auf diese Weise kann also die Pressung, unabhängig von
der Dichte der Muster der Formen, die vereinzelt oder dicht sind, leicht
auf der Gesamtheit des Substrats stattfinden, selbst wenn dieses
von großen
Abmessungen ist. Nach ihrer Härtung
ist die Sperrschicht ausreichend hart, um einem Eindringen der Erhebungen
Stand zu halten, wobei sie gleichzeitig ausreichend elastisch bleibt,
um den angelegten Druck zu absorbieren. Man gewährleistet gut, dass alle Erhebungen
in einen gegebenen Abstand von der Oberfläche des Substrats gelangen
(Dicke dieser Sperrschicht – siehe
auch 5), ohne dass dadurch die Gefahr eines Kontakts
zwischen der Form und dem Substrat und damit einer Beschädigung zwischen
diesen Elementen besteht.
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Es
ist bemerken, dass die Gefahr, dass örtlich eine vollständige Füllung dieser
Vertiefungen stattfindet umso geringer ist und die spätere Formabnahme
umso leichter ist, je größer die
Differenz zwischen der Dicke der Unterschicht und der Tiefe der Vertiefungen
der Form ist. Hinzu kommt, dass, da die Vertiefungen sich nicht
füllen,
bei der Pressung die mechanischen Spannungen im Inneren der Form
im Wesentlichen gleichmäßig bleiben,
so dass diese Form sich so gut wie nicht verformt, was ihre Dauerhaftigkeit
erhöht.
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Es
hat sich gezeigt, dass es möglich
ist, einen guten Kontakt zwischen den Erhebungen der Form und der
Sperrschicht ohne deren Beschädigung
zu erhalten.
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Die 3 und 4 zeigen
den Ablauf des Verfahrens des Gravierens des Substrats, in dem an sich
bekannte Schritte aufgenommen sind.
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In 3 wurde
die Form entfernt und lässt nur
die Wülste
des Materials der Unterschicht bestehen, die sich in den Vertiefungen
der Form gebildet haben. Unter Verwendung dieser Wülste als Ätzmaske
hat man die Sperrschicht beispielsweise durch Sauerstoffplasma (wobei
das Substrat aus Silicium besteht) geätzt, bis das Substrat örtlich bloßgelegt wird.
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In 4 wurden
die in der Sperrschicht gebildeten Vertiefungen als Maske für die Ätzung des Substrats
verwendet, für
die jedes geeignete bekannte Mittel verwendet wird, wie die in der
Lithographie gewöhnlich
verwendete Plasmaätzung,
und zwar gemäß einem
Muster, das durch dasjenige der Form definiert ist, und zwar in
dem Sinn, dass die Vertiefungen des Substrats sehr genau den Erhebungen
der Form entsprechen.
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Auf
diese Weise ist es möglich,
hinsichtlich Genauigkeit die gewünschten
Leistungen mit kleineren Drücken
als bei den bekannten Lösungen
zu erreichen, und zwar beispielsweise 5 Minuten anstelle von 30
Minuten unter 15 bar anstelle von 50 bar. Die Dimensionierung der
Pressanlage wird dadurch vereinfacht und ihr Platzbedarf reduziert.
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5 zeigt
die bei verschiedenen Konfigurationen erhaltenen Ergebnisse: eine
Gruppe von Linien in der Form, deren Breite L zwischen 0,35 und
0,5 Mikron variiert, eine Dicke E zwischen den Linien, die zwischen
0,35 und 0,5 Mikron variiert, nach einer Pressung von 10 Minuten
bei 140°C
unter 15 bar, wobei die äußere und
die untere Unterschicht aus demselben negativen Harz bestehen. Wenn
man die Restdicke der Sperrunterschicht, die schließlich nach Kontakt
der Form mit ihr erhalten wird, misst, so stellt man fest, dass
diese trotz einiger Schwankungen, die möglichen ver schiedenen örtlichen
Stauchungen zwischen den betrachteten Zonen zugeschrieben werden
können,
im Wesentlichen von einer Linie zur anderen gleichförmig bleibt,
und in allen Fällen
in einen Bereich von etwa 40 bis 60 Nanometer bleibt. Dies zeigt
auch, dass die Dicke dieser Sperrunterschicht nur von der Größenordnung
von einigen zehn Nanometern sein kann, was sehr dünn ist.
In diesem Beispiel:
- Dicke der ursprünglichen Außenschicht: 100 nm
- Tiefe der Muster der Form: 250 nm