DE112011104502T5 - Multichip-Montageeinheit mit einem Substrat mit mehreren vertikal eingebetteten Plättchen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents
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- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/82001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
- H01L2224/82005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
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- H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
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- H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
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Abstract
Eine Vorrichtung umfasst ein Substrat, welches eine Anschlussfleckseite mit mehreren Kontaktflecken und eine Plättchenseite gegenüber der Anschlussfleckseite aufweist. Die Vorrichtung umfasst ein erstes Plättchen und ein zweites Plättchen, wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen derart in das Substrat eingebettet sind, dass das zweite Plättchen zwischen dem ersten Plättchen und der Anschlussfleckseite des Substrats angeordnet ist.
Description
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- 1. GEBIET DER ERFINDUNG
- Offenbarte Ausführungsformen betreffen Halbleiter-Mikroelektronik-Montageeinheiten und Herstellungsverfahren.
- 2. BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
- Der heutige Markt der Verbraucherelektronik verlangt oft nach komplexen Funktionen, welche sehr komplizierte Schaltungen erforderlich machen. Die Maßstabsverkleinerung zu immer kleineren Grundbaublöcken, z. B. Transistoren, hat mit jeder weiteren Generation den Einbau von noch komplizierteren Schaltungen auf einem Einzelplättchen ermöglicht. Andererseits werden, obwohl die Maßstabsverkleinerung typischerweise als Verringerung der Größe betrachtet wird, für eine fortgeschrittene Funktionalität und Leistung in einem Computersystem zunehmend mehrere montierte Plättchen miteinander verbunden. Auch kann die Größe einer speziellen Halbleiter-Montageeinheit in der Tat heraufgesetzt werden, um mehrere Plättchen in eine einzige Halbleiter-Montageeinheit einzubauen.
- Es können jedoch strukturelle Probleme entstehen, wenn versucht wird, mehrere montierte Plättchen zu verbinden. Zum Beispiel kann die Auswirkung von Unterschieden der Wärmeausdehnungskoeffizienten (Coefficients of Thermal Expansion, CTE) zwischen Komponenten, die in den Halbleiter-Montageeinheiten verwendet werden, zu schädlichen Defekten führen, wenn montierte Plättchen zusammengefügt werden. In ähnlicher Weise kann die Auswirkung von Unterschieden der Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen Komponenten, die in einer einzelnen Halbleiter-Montageeinheit verwendet werden, als Ergebnis der Durchführung eines Halbleiterplättchen-Montageverfahrens für mehr als ein Plättchen in der einzelnen Montageeinheit zu schädlichen Defekten führen.
- Halbleiter-Montageeinheiten werden verwendet, um einen Chip oder ein Plättchen einer integrierten Schaltung (Integrated Circuit, IC) zu schützen, und auch, um das Plättchen mit einer elektrischen Schnittstelle zu externen Schaltungen versehen. Mit steigendem Bedarf für kleinere elektronische Einheiten werden Halbleiter-Montageeinheiten so ausgestaltet, dass sie noch kompakter sind und eine größere Schaltungsdichte unterstützen müssen. Zum Beispiel wird bei einigen Halbleiter-Montageeinheiten nun ein kernloses Substrat verwendet, welches nicht die dicke Harzkernschicht umfasst, die man üblicherweise in herkömmlichen Substraten findet. Ferner führt der Bedarf für Einheiten höherer Leistung dazu, dass eine verbesserte Halbleiter-Montageeinheit benötigt wird, welche eine Mischtechnologie-Plättchenstapelung ermöglicht oder eine Plättchenstapelungsmöglichkeit bereitstellt, wobei ein dünnes Montageprofil und eine niedrige Gesamtverformung bewahrt werden, um mit einem anschließenden Verfahren des Zusammenbauens kompatibel zu sein.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Um die Art und Weise zu verstehen, wie Ausführungsformen erhalten werden, wird eine speziellere Beschreibung verschiedener Ausführungsformen, die nachstehend kurz beschrieben sind, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen gegeben. Diese Zeichnungen zeigen Ausführungsformen, welche nicht notwendigerweise maßstabsgetreu sind und nicht als im Umfang beschränkt anzusehen sind. Einige Ausführungsformen werden durch die Verwendung der begleitenden Zeichnungen mit zusätzlicher Ausführlichkeit und in zusätzlichen Einzelheiten beschrieben und erläutert, in welchen:
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1A und1B eine Multichip-Montageeinheit (Multi-Chip Package, MCP), welche mehrere Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet und vertikal darin angeordnet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen; -
2A bis2L ein Verfahren zum Bilden einer Multichip-Montageeinheit (MCP), welche mehrere Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet und vertikal darin angeordnet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen; -
3 ein Computersystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt; -
4 eine Multichip-Montageeinheit, welche mehr als zwei Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet und vertikal darin angeordnet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; -
5 eine Multichip-Montageeinheit, welche mehr als zwei Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet und vertikal darin angeordnet sind, gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Es wird eine Multichip-Montageeinheit (MCP), welche mehrere vertikal eingebettete Plättchen aufweist, und ihr Herstellungsverfahren beschrieben. Es wird nun auf Zeichnungen Bezug genommen, wobei gleiche Strukturen mit gleichen Suffix-Bezugszeichen versehen sein können. Um die Struktur verschiedener Ausführungsformen deutlicher zu zeigen, sind die hierin enthaltenen Zeichnungen diagrammartige Darstellungen der IC-Strukturen. Daher kann das tatsächliche Aussehen der hergestellten IC-Strukturen, zum Beispiel in einer Mikroaufnahme, anders sein, wobei es immer noch die beanspruchte Struktur der veranschaulichten Ausführungsformen beinhaltet. Überdies zeigen die Zeichnungen möglicherweise nur Strukturen, die geeignet sind, um die veranschaulichten Ausführungsformen zu verstehen. Weitere Strukturen, die auf dem Fachgebiet bekannt sind, sind möglicherweise nicht enthalten, um die Klarheit der Zeichnungen zu bewahren. Außerdem sind in der vorliegenden Beschreibung zahlreiche spezielle Einzelheiten ausgeführt, um für ein gründliches Verständnis der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu sorgen. In anderen Fällen sind wohlbekannte Halbleiterverarbeitungs- und Montagetechniken nicht in speziellen Einzelheiten ausgeführt worden, um Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht unnötig zu verschleiern.
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen eine Multichip-Montageeinheit, welche ein Substrat mit mehreren vertikal angeordneten darin eingebetteten Plättchen aufweist. Das Substrat umfasst eine Anschlussfleckseite und eine Plättchenseite. Ein erstes Plättchen und ein zweites Plättchen sind derart in das Substrat eingebettet, dass sich das zweite Plättchen zwischen dem ersten Plättchen und der Anschlussfleckseite des Substrats befindet. Das Substrat der Montageeinheit umfasst mehrere Leitungsschichten, isolierende Schichten und Durchkontaktierungen zum Erzeugen einer Zwischenverbindungsstruktur in dem Substrat, welche für eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen sorgt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung befindet sich zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen mindestens eine Leitungsschicht. Die Multichip-Montageeinheit, welche ein Substrat mit einem vertikal angeordneten und darin eingebetteten Plättchen aufweist, kann gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung über ein Bumpless-Build-up-Layer(BBUL)-Verfahren gebildet werden. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das erste Plättchen an einem temporären Träger befestigt, und eine isolierende Schicht und eine Leitungsschicht werden über dem ersten Plättchen und um dieses herum gebildet und betten das erste Plättchen darin ein. Anschließend wird ein zweites Plättchen an einer der isolierenden Schichten befestigt, und weitere isolierende Schichten und Leitungsschichten werden auf dem zweiten Plättchen und um dieses herum gebildet, wodurch sie das zweite Plättchen ebenso in dem Substrat einbetten. Auf diese Weise werden sowohl das erste als auch das zweite Plättchen in das Substrat. eingebettet, und elektrische Zwischenverbindungen werden in dem Substrat gebildet (Substratleitung), welche das erste und das zweite Plättchen elektrisch verbinden. Der Träger kann anschließend entfernt werden, um ein kernloses Substrat zu erzeugen.
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ermöglichen die Bildung der Multichip-Montageeinheit mit einer dünnen Konfiguration der Montageeinheit und einer kleinen Standfläche, wodurch wertvoller Raum auf Hauptplatinen von Einheiten eingespart wird. Außerdem ermöglichen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die elektrische Verbindung von zwei Plättchen ohne die Anwendung der Montageeinheit-auf-Montageeinheit(Package-on-Package, POP)-Technologie, welche die Oberflächenmontagetechnologie (Surface Mount Technology, SMT) erforderlich macht, welche aufgrund von Substratverformung für Zuverlässigkeitsprobleme anfällig sein kann. Außerdem wird in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ein Niedertemperatur-Bumpless-Build-up-Layer(BBUL)-Verfahren angewendet, um das Substrat zu bilden, um die Auswirkungen nicht zueinander passender Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen den eingebetteten Plättchen und dem Substrat zu verringern oder zu eliminieren, wodurch die Herstellung einer sehr ebenen Multichip-Montageeinheit ermöglicht wird.
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1A ist eine Darstellung einer Querschnittsansicht einer Halbleiter-Montageeinheit100 , welche ein Substrat102 mit mehreren vertikal darin angeordneten Plättchen aufweist. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Substrat102 ein kernloses Substrat. Das Substrat102 weist eine Plättchenseite120 und eine Anschlussfleckseite122 gegenüber der Plättchenseite auf. Die Montageeinheit100 enthält ein erstes Plättchen104 und ein zweites Plättchen106 . Das erste Plättchen104 weist eine aktive Fläche108 und eine Rückfläche110 gegenüber der aktiven Fläche108 auf. In ähnlicher Weise weist das zweite Plättchen106 eine aktive Fläche112 und eine Rückfläche114 gegenüber der aktiven Fläche112 auf. Das erste Plättchen und das zweite Plättchen können aus einem beliebigen wohlbekannten Halbleitermaterial gebildet werden, einschließlich, ohne darauf beschränkt zu sein, Silicium (Si), Siliciumgermanium (SiGe), Germanium (Ge) sowie ein beliebiger III-V-Halbleiter, wie z. B. Galliumarsenid (GaAs) und Indiumantimonid (InSb). Die aktiven Flächen108 und112 umfassen mehrere Halbleitereinheiten, einschließlich, ohne darauf beschränkt zu sein, Transistoren, Kondensatoren und Widerständen, die durch eine Plättchen-Zwischenverbindungsstruktur untereinander zu funktionellen Schaltungen verbunden sind, um dadurch eine integrierte Schaltung zu bilden. Wie auf dem Fachgebiet wohlbekannt ist, kann die Plättchen-Zwischenverbindungsstruktur eine beliebige Anzahl von Metallisierungsschichten umfassen, z. B. M1 bis M11, deren Anzahl und Dicken in Abhängigkeit von einer gegebenen Anwendung variieren können. Die erste Metallisierungsebene (M1) steht mit den Halbleitereinheiten der aktiven Fläche in Kontakt, während die letzte Metallisierungsebene (z. B. M11) elektrische Kontakte zur Herstellung einer Verbindung zur Außenwelt umfasst. Das erste Plättchen104 ist mit den elektrischen Kontakten116 dargestellt, und das zweite Plättchen106 ist mit den elektrischen Kontakten118 dargestellt. In einer Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind die aktive Fläche108 des ersten Plättchens104 und die aktive Fläche112 des zweiten Plättchens106 einander zugewandt oder zeigen als mehrere externe leitfähige Kontakte140 , die auf dem Substrat102 ausgebildet sind, in dieselbe Richtung, wie in1A veranschaulicht. Das heißt, das erste Plättchen104 und das zweite Plättchen106 sind in einer „nach unten zeigenden” Konfiguration im Substrat102 angeordnet. - Das erste Plättchen
104 weist eine erste Standfläche oder einen ersten Flächenbereich105 auf, und das zweite Plättchen106 weist eine zweite Standfläche oder einen zweiten Flächenbereich107 auf. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das erste Plättchen104 eine größere Standfläche als das zweite Plättchen106 auf. Das zweite Plättchen106 ist in das Substrat102 eingebettet und ist zwischen dem ersten Plättchen104 und der Anschlussfleckseite122 des Substrats102 angeordnet. Auf diese Weise sind das erste Plättchen104 und das zweite Plättchen106 vertikal in dem Substrat102 angeordnet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegt mindestens ein Abschnitt der Standfläche107 des zweiten Plättchens106 innerhalb der Standfläche105 des ersten Plättchens104 . In einer Ausführungsform, wie sie in1A veranschaulicht ist, liegt die gesamte Standfläche107 des zweiten Plättchens106 innerhalb der Standfläche105 des ersten Plättchens104 . In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung handelt es sich bei dem ersten Plättchen104 um eine Speichereinheit, z. B., ohne darauf beschränkt zu sein, einen statischen Direktzugriffsspeicher (Static Random Access Memory, SRAM), einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (Dynamic Random Access Memory, DRAM), einen nichtflüchtigen Speicher (Nonvolatile Memory, NVM), und bei dem zweiten Plättchen106 um eine Logikeinheit, z. B., ohne darauf beschränkt zu sein, einen Mikroprozessor oder einen digitalen Signalprozessor. - Die Anschlussfleckseite
122 umfasst mehrere leitfähige Kontaktflecken und/oder Leitungsspuren, mit welchen mehrere externe leitfähige Kontakte140 verbunden sind. Externe leitfähige Kontakte140 sorgen für eine elektrische Verbindung der Montageeinheit100 mit anderen Einheiten. Das Substrat102 umfasst mehrere Leitungsschichten, eine Isolierungsschicht und Durchkontaktierungen, welche zusammen eine Substrat-Zwischenverbindungsstruktur erzeugen. Die Substrat-Zwischenverbindungsstruktur stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 sowie eine elektrische Verbindung des ersten und zweiten Plättchens mit externen elektrischen Kontakten140 bereit, die auf der Anschlussfleckseite122 ausgebildet sind. - Die Substrat-Zwischenverbindungsstruktur stellt direkte elektrische Verbindungen des ersten Plättchens
104 mit dem zweiten Plättchen106 bereit, so dass Signale direkt zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen ausgetauscht werden können. Die Substrat-Zwischenverbindungsstruktur kann auch elektrische Verbindungen zwischen dem zweiten Plättchen106 und externen leitfähigen Kontakten140 umfassen. In einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellt die Substrat-Zwischenverbindungsstruktur auch eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten Plättchen104 und externen leitfähigen Kontakten140 bereit. In anderen Ausführungsformen gibt es keine elektrischen Verbindungen zwischen den externen leitfähigen Kontakten140 und dem ersten Plättchen104 . Das heißt, in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung führen alle externen Verbindungen zu dem ersten Plättchen104 durch das zweite Plättchen106 . In einer speziellen Ausführungsform werden alle anderen elektrischen Signale zu dem ersten Plättchen104 außer Spannungsversorgungssignalen durch das zweite Plättchen106 bereitgestellt. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Substrat
102 eine erste isolierende Schicht130 , wie in1A veranschaulicht. Das erste Plättchen104 ist in die erste isolierende Schicht130 eingebettet. Das heißt, die aktive Fläche108 und Seitenwände101 des ersten Plättchens stehen mit der isolierenden Schicht130 in Kontakt. Eine erste Leitungsschicht150 , welche mehrere leitfähige Spuren umfasst, ist auf der ersten isolierenden Schicht130 angeordnet. Mehrere leitfähige Durchkontaktierungen160 befinden sich in der ersten isolierenden Schicht130 und verbinden leitfähige Spuren der ersten Leitungsschicht150 elektrisch mit elektrischen Kontakten116 des ersten Plättchens104 . Eine oder mehrere der leitfähigen Spuren151 der ersten Leitungsschicht150 leiten Signale aus der Standfläche105 des ersten Plättchens104 heraus zu einem Rand des Substrats102 . Eine zweite isolierende Schicht132 ist auf der ersten isolierenden Schicht130 und auf der ersten Leitungsschicht150 angeordnet, wie in1A veranschaulicht. Die erste Leitungsschicht150 ist zwischen der ersten isolierenden Schicht130 und der zweiten isolierenden Schicht132 eingebettet. Die Rückfläche114 des zweiten Plättchens106 ist auf der zweiten isolierenden Schicht132 angeordnet. Eine dritte isolierende Schicht134 ist auf der zweiten isolierenden Schicht132 und auf dem zweiten Plättchen106 und um dieses herum angeordnet, wie in1A veranschaulicht. Das zweite Plättchen106 ist in die dritte isolierende Schicht134 eingebettet und vollständig zwischen der zweiten isolierenden Schicht132 und der dritten isolierenden Schicht134 eingekapselt und eingebettet. - Eine zweite Leitungsschicht
152 , welche mehrere leitfähige Spuren umfasst, ist auf der dritten isolierenden Schicht134 angeordnet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung leiten eine oder mehrere leitfähige Spuren153 der zweiten Leitungsschicht152 Signale vom Rand des Substrats102 in die Standfläche107 des zweiten Plättchens106 hinein, um eine elektrische Verbindung zu dem zweiten Plättchen106 bereitzustellen. Mehrere leitfähige Durchkontaktierungen162 sind in der dritten isolierenden Schicht134 zwischen leitfähigen Spuren der zweiten Leitungsschicht152 und elektrischen Kontakten118 des zweiten Plättchens106 ausgebildet, um Spuren der zweiten Leitungsschicht152 elektrisch mit elektrischen Kontakten118 auf dem zweiten Plättchen zu verbinden. Außerdem sind mehrere leitfähige Durchkontaktierungen164 durch die zweite isolierende Schicht132 und die dritte isolierende Schicht134 hindurch ausgebildet, um elektrisch Spuren der zweiten Leitungsschicht152 mit Spuren der ersten Leitungsschicht150 zu verbinden, wie in1A veranschaulicht. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen die leitfähigen Durchkontaktierungen
164 einen größeren Durchmesser als die leitfähigen Durchkontaktierungen162 auf. Es sei angemerkt, dass sich die leitfähigen Durchkontaktierungen164 tiefer in das Substrat hinein erstrecken als die leitfähigen Durchkontaktierungen162 . In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen die Durchkontaktierungen164 einen Durchmesser von 100 μm bis 150 μm auf, während die Durchkontaktierungen162 einen Durchmesser von 30 μm bis 50 μm aufweisen. Dementsprechend wird durch Erhöhen des Durchmessers der leitfähigen Durchkontaktierungen164 das Seitenverhältnis (Höhe:Breite) der leitfähigen Durchkontaktierungen164 verringert, wodurch die zuverlässige Füllung der leitfähigen Durchkontaktierungen ermöglicht wird. Es versteht sich, dass, obwohl die Durchkontaktierung164 als vollständig mit einem leitfähigen Film gefüllt dargestellt ist, die Durchkontaktierung164 so gebildet werden kann, dass nur die Seitenwände der Durchkontaktierung164 einen darin ausgebildeten leitfähigen Film aufweisen und die Mitte ungefüllt bleibt. Die nachfolgende Bildung einer isolierenden Schicht kann genutzt werden, um das ungefüllte Volumen der Durchkontaktierung zu füllen, vgl. zum Beispiel2J . - Eine vierte isolierende Schicht
136 ist auf der dritten isolierenden Schicht134 und auf Spuren der zweiten Leitungsschicht152 und um diese herum angeordnet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden nur zwei Leitungsschichten150 und152 bereitgestellt, eine Leitungsschicht (150 ) zum Bereitstellen leitfähiger Spuren zum Leiten von Signalen aus der Standfläche105 des ersten Plättchens104 heraus und eine Leitungsschicht152 zum Bereitstellen leitfähiger Spuren zum Leiten von Signalen in die Standfläche107 des zweiten Plättchens106 hinein. Wenn die Leitungsschicht152 die letzte Leitungsschicht des Substrats ist, können in der vierten isolierenden Schicht136 mehrere Kontaktflecköffnungen ausgebildet sein, um Kontaktflecken auf Spuren153 der zweiten Leitungsschicht zu definieren, zu welchen anschließend externe elektrische Kontakte140 gebildet werden. - Falls erwünscht, können jedoch in Abhängigkeit von speziellen Leitungserfordernissen zusätzliche Leitungsschichten, isolierende Schichten und Durchkontaktierungen eingebaut werden. Zum Beispiel kann auf der vierten isolierenden Schicht
136 eine dritte Leitungsschicht154 angeordnet sein, welche mehrere leitfähige Spuren umfasst. Mehrere leitfähige Durchkontaktierungen166 können durch die vierte isolierende Schicht hindurch ausgebildet sein, um eine elektrische Verbindung zwischen leitfähigen Spuren der zweiten Leitungsschicht152 und leitfähigen Spuren der dritten Leitungsschicht154 bereitzustellen. Auf der vierten isolierenden Schicht136 und auf leitfähigen Spuren der dritten Leitungsschicht154 und um diese herum kann eine fünfte isolierende Schicht138 ausgebildet sein. - Ferner kann auf der fünften isolierenden Schicht
138 eine vierte Leitungsschicht156 angeordnet sein. Wenn die vierte Leitungsschicht156 die letzte Leitungsschicht ist, kann sie mehrere Leitungsschichten/leitfähige Kontaktflecken157 umfassen, mit welchen elektrische Kontakte140 verbunden sind. Die vierte Leitungsschicht156 kann auch Leitungsspuren157 umfassen, um den Ort der Kontaktflecken umzuverteilen. Mehrere Durchkontaktierungen168 sind durch die fünfte isolierende Schicht138 hindurch ausgebildet, um Spuren/Kontaktflecken der vierten Leitungsschicht156 elektrisch mit Spuren der dritten Leitungsschicht154 zu verbinden. Eine letzte, sechste isolierende Schicht139 , z. B. eine Lötmaskenschicht, kann auf der fünften isolierenden Schicht138 und auf der vierten Leitungsschicht156 und um diese herum ausgebildet sein. In der Lötmaskenschicht139 sind Öffnungen ausgebildet, um zu ermöglichen, dass externe elektrische Kontakte140 an den Kontaktflecken der Leitungsschicht156 befestigt werden. - In Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Montageeinheit
100 einen Plättchenbefestigungsfilm (Die Attach Film, DAF)124 umfassen, z. B. einen Die-Bonding-Film (DBF) auf Epoxidbasis, der an der Rückfläche110 des ersten Plättchens104 befestigt ist. In anderen Ausführungsformen wird der Plättchenbefestigungsfilm (DAF)124 entfernt, um einen Zugang zu der Rückfläche110 des ersten Plättchens104 ermöglichen. Der DAF124 wird nicht als Teil des Substrats102 angesehen. Außerdem kann das Substrat102 in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ein kernloses Substrat sein, weil es durch ein Aufbauschichtverfahren auf einem Träger gebildet wird, wobei der Träger schließlich von dem Substrat102 entfernt wird. Ferner kann das Substrat102 als kernloses Substrat angesehen werden, weil es keinen dicken Kern wie z. B. ein Epoxidharz mit faserverstärktem Glas umfasst. - Wie in
1A veranschaulicht, umfasst das Substrat102 mindestens eine Leitungsschicht150 , welche zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 angeordnet ist. Außerdem umfasst das Substrat102 in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mindestens eine leitfähige Spur, z. B. die leitfähige Spur151 , welche einen Abschnitt aufweist, der zwischen der Standfläche105 des ersten Plättchens104 und der Standfläche107 des zweiten Plättchens106 angeordnet ist, und einen Abschnitt aufweist, welcher sich außerhalb der Standfläche107 des zweiten Plättchens106 erstreckt. Außerdem erkennt der Fachmann, obwohl in1A nur eine einzige Leitungsschicht132 so dargestellt ist, dass sie zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 ausgebildet ist, dass zwei oder mehr Leitungsschichten zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 angeordnet sein können. Außerdem versteht es sich, obwohl drei Leitungsschichten dargestellt sind, welche zwischen den externen Kontakten140 und dem zweiten Plättchen106 ausgebildet sind, dass dies nur der Veranschaulichung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dient und dass in Abhängigkeit von Leitungserfordernissen mehr oder weniger Leitungsschichten zwischen dem zweiten Plättchen106 und den externen Kontakten140 ausgebildet sein können. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung handelt es sich bei den externen leitfähigen Kontakten
140 um Lötkugeln, welche in einer Matrixform angeordnet sind, um ein Ball Grid Array bereitzustellen. Die externen leitfähigen Kontakte140 müssen jedoch nicht notwendigerweise die Form von Kugeln annehmen und können andere Formen oder Strukturen aufweisen, z. B., ohne darauf beschränkt zu sein, Säulen, Bumps, Anschlussflecken und Stifte. Externe Kontakte140 ermöglichen die elektrische Verbindung und Kommunikation der Halbleiter-Montageeinheit100 mit einem Verankerungssubstrat170 . Wenn zum Beispiel die Halbleiter-Montageeinheit100 ein Teil eines Computers oder eines Handgeräts, z. B. eines Smartphones oder eines Handlesegeräts ist, ist das Verankerungssubstrat170 eine Hauptplatine. In anderen Ausführungsformen kann das Verankerungssubstrat170 eine andere Halbleiter-Montageeinheit sein, um eine Montageeinheit-auf-Montageeinheit(POP)-Einheit herzustellen. -
1B ist eine Veranschaulichung des in1A dargestellten Substrats der Montageeinheit100 , welche spezielle elektrische Verbindungen weiter umreißt, die gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in dem Substrat102 enthalten sein können. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Substrat102 mindestens eine elektrische Verbindung182 , welche eine direkte elektrische Verbindung zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 bereitstellt, wobei die elektrische Verbindung182 nicht mit einem externen Kontakt140 elektrisch verbunden ist. Solche Verbindungen sind für Signale geeignet, welche nur zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 ausgetauscht werden. Wenn zum Beispiel das erste Plättchen104 eine Speichereinheit ist und das zweite Plättchen106 eine Logikeinheit ist, können Signale wie Adressierungssignale, Datensignale, Schreibfreigabesignale und Lesefreigabesignale über direkte elektrische Verbindungen wie die elektrische Verbindung182 zwischen dem ersten Plättchen104 und dem zweiten Plättchen106 ausgetauscht werden. Außerdem kann das Substrat102 der Montageeinheit in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine oder mehrere elektrische Verbindungen184 umfassen, welche sowohl das erste Plättchen104 als auch das zweite Plättchen106 mit einem externen leitfähigen Kontakt140 verbinden. Auf diese Weise wird das Signal, das der Montageeinheit100 durch den elektrischen Kontakt140 bereitgestellt wird, sowohl dem ersten Plättchen als auch dem zweiten Plättchen bereitgestellt. Ein Beispiel für ein solches Signal können Versorgungsspannungssignale wie z. B. VCC und VSS sein. In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Substrat102 der Montageeinheit eine oder mehrere elektrische Verbindungen186 , welche eine direkte elektrische Verbindung zwischen externen Kontakten140 und dem zweiten Plättchen106 bereitstellen, ohne dass das Signal direkt dem ersten Plättchen104 bereitgestellt wird. Wenn zum Beispiel das zweite Plättchen106 eine Logikeinheit ist, z. B. ein Mikroprozessor, können Befehle über mehrere elektrische Verbindungen186 nur dem zweiten Plättchen bereitgestellt werden. Außerdem, wenngleich in1B nicht dargestellt, kann das Substrat102 eine oder mehrere elektrische Verbindungen zwischen dem ersten Plättchen104 und einem externen elektrischen Kontakt140 bereitstellen, um zu ermöglichen, dass Signale direkt dem ersten Plättchen104 bereitgestellt werden, ohne dass sie dem zweiten Plättchen106 bereitgestellt werden. Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen ein Substrat102 der Montageeinheit, welches alle oder einige der oben beschriebenen elektrischen Verbindungen enthalten kann, z. B. die elektrischen Verbindungen182 ,184 und186 . - Die Halbleiter-Montageeinheit
100 , welche ein Substrat mit mehreren vertikal eingebetteten Plättchen aufweist, umfasst ein vollständig eingebettetes und umgebenes zweites Plättchen106 . Wie in dieser Beschreibung verwendet, bedeutet „vollständig eingebettet und umgeben”, dass alle Flächen des zweiten Plättchens106 mit einem isolierenden Film des Substrats102 in Kontakt stehen. Die Halbleiter-Montageeinheit100 umfasst auch ein vollständig eingebettetes erstes Plättchen104 . Wie in dieser Beschreibung verwendet, bedeutet „vollständig eingebettet”, dass die aktive Fläche108 und die gesamten Seitenwände des ersten Plättchens104 mit einem isolierenden Film des Substrats102 in Kontakt stehen. Das erste Plättchen104 ist jedoch nicht „umgeben”, da die Rückfläche110 des ersten Plättchens104 nicht mit einem isolierenden Film des Substrats102 in Kontakt steht. Zwei Ausführungsformen eines „vollständig eingebetteten” ersten Plättchens104 werden hierin beschrieben. In einer ersten Ausführungsform, wie in1A dargestellt, gibt es eine Fläche (z. B. die Rückfläche110 ) des ersten Plättchens, welche aus der globalen Planaritätsfläche der Plättchenseite des Substrats102 hervorsteht, z. B. aus der Fläche109 des Substrats102 hervorsteht, welche in1A dargestellt ist. In einer Ausführungsform steht keine Fläche des ersten Plättchens104 aus der globalen Planaritätsfläche der Plättchenseite des Substrats102 hervor, z. B. kein Hervorstehen aus der Fläche109 des Substrats102 . - Im Gegensatz zu den obigen Definitionen eines „vollständig eingebetteten und umgebenen” und „vollständig eingebetteten” Plättchens ist ein „teilweise eingebettetes” Plättchen ein Plättchen, bei welchem eine vollständige Fläche, jedoch nur ein Teil der Seitenwände mit einem isolierenden Film eines Substrats
102 in Kontakt steht. Im weiteren Gegensatz ist ein „nicht eingebettetes” Plättchen ein Plättchen, bei welchem höchstens eine Fläche und kein Teil der Seitenwände mit einem verkapselnden Film eines Substrats in Kontakt steht. -
2A bis2L veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Montageeinheit, welche mehrere Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet sind, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Es wird ein Träger201 bereitgestellt. Der Träger201 weist eine Ätzstoppschicht202 auf. Eine zweite Schicht206 , z. B. eine Kupferfolie, kann geätzt werden, um eine Aussparung oder Vertiefung205 um eine Plättchenbefestigungsfläche204 herum zu erzeugen. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst der Träger201 keine zweite Schicht206 , so dass in dem Träger201 keine Aussparung oder Vertiefung ausgebildet ist. -
2B veranschaulicht eine Querschnittsansicht während der weiteren Verarbeitung bei der Herstellung einer Montageeinheit, welche mehrere Plättchen aufweist, die in ein Substrat eingebettet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Während der Verarbeitung kann der Träger201 an eine identische Struktur201' angepasst werden, um einen Rückseite-an-Rückseite-Träger210 für Verarbeitungszwecke zu bilden. Dadurch wird der Verarbeitungsdurchsatz effektiv verdoppelt. Bei der Beschreibung der Verarbeitung auf den Trägern201 und201' kann auf die Bezugszahlen der Verarbeitung des Trägers201 verwiesen werden, aber es versteht sich, dass auf dem Träger201' eine kopierte Verarbeitung durchgeführt wird und kopierte Strukturen hergestellt werden. Der Träger210 umfasst Haftungstrennschichten212 ,212' und ein Klebstoff-Bindemittel214 . Eine Schneidezone216 ist an jedem Ende des Trägers210 für die Trennungsverarbeitung bereitgestellt, wie noch weiter veranschaulicht wird. Der Rückseite-an-Rückseite-Träger210 kann einen Teil eines größeren Feldes bilden, wobei mehrere identische Zonen den Querschnitt des Rückseite-an-Rückseite-Trägers210 aufweisen, um eine Massenverarbeitung zu ermöglichen. In einer Ausführungsform weist ein solches Feld ungefähr 1.000 Vertiefungen205 auf, wo ein Plättchen angeordnet werden kann. -
2C ist eine Querschnittsansicht des in2B abgebildeten Rückseite-an-Rückseite-Trägers210 nach der weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Rückseite-an-Rückseite-Träger210 ist durch Anordnen eines ersten Plättchens222 auf der Ätzstoppschicht204 weiter verarbeitet worden. Das erste Plättchen222 weist eine aktive Fläche224 gegenüber einer Rückfläche226 auf. Die aktive Fläche224 umfasst mehrere Kontaktflecken225 zur Herstellung elektrischer Kontakte zu dem ersten Plättchen222 . Das erste Plättchen222 weist eine erste Standfläche229 auf. In einer Ausführungsform ist die Rückfläche226 des ersten Plättchens222 unter Verwendung einer Haftschicht228 , z. B. eines Materials auf Epoxidbasis oder eines Die-Bonding-Films (DBF), an der Ätzstoppschicht202 befestigt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Plättchen mit der größeren Standfläche der beiden Plättchen, die in das Substrat eingebettet werden sollen, das befestigte erste Plättchen (also das erste Plättchen222 ). Durch das Befestigen des größeren Plättchens wird ein größerer Flächenkontakt mit dem Träger201 bereitgestellt, was dabei hilft, eine Verformung zu verhindern und während des Aufbauverfahrens die Planarität zu bewahren. In einer alternativen Ausführungsform ist das kleinere der beiden Plättchen das erste Plättchen.2C veranschaulicht auch das Anbringen des Plättchens222' auf dem Träger201' , um die Vorrichtung220 zu bilden. -
2D ist eine Querschnittsansicht der Vorrichtung220 nach der weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung220 ist verarbeitet worden, dass sie einen ersten isolierenden Film232 erhalten hat. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der erste isolierende Film232 durch Laminieren eines isolierenden Films auf den Träger201 und das erste Plättchen222 gebildet. Nachdem der Film auf den Träger201 und das erste Plättchen222 laminiert ist, wird er bei einer geeigneten Temperatur, z. B. etwa 180°C, gehärtet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der erste isolierende Film232 ein Ajinomoto-Aufbaufilm (Ajinomoto Build-up Film, ABF). In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird, wenn der Träger201 eine zweite Schicht206 , welche eine Vertiefung205 bildet, und eine Ätzstoppschicht202 umfasst, die erste isolierende Schicht232 in direktem Kontakt mit der zweiten isolierenden Schicht und der Ätzstoppschicht gebildet. Die isolierende Schicht232 wird auf und in direktem Kontakt mit der aktiven Fläche224 sowie Seitenwänden223 des ersten Plättchens222 gebildet. Auf diese Weise wird das Plättchen222 in die isolierende Schicht232 eingebettet. In einer Alternative zum Laminieren kann die isolierende Schicht232 durch Aufschleudern und Härten eines isolierenden Films gebildet werden. In ähnlicher Weise kann ein erster isolierender Film232' auf dem Plättchen222' und um dieses herum gebildet werden, um die Vorrichtung230 herzustellen, die in2D veranschaulicht ist. -
2E ist eine Veranschaulichung der Vorrichtung230 in2D nach einer weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mehrere Durchkontaktierungsöffnungen242 sind durch die erste isolierende Schicht232 hindurch gebildet worden, um elektrische Kontakte225 des ersten Plättchens222 freizulegen. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Durchkontaktierungsöffnungen242 durch Laserbohren gebildet. Das Laserbohren kann unter Verwendung eines Kohlendioxid(CO2)-Gas-Laserstrahls, eines Ultraviolett(UV)-Laserstrahls oder eines Excimer-Laserstrahls durchgeführt werden. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden Durchkontaktierungsöffnungen242 gebildet, welche einen Durchmesser von 30 bis 50 Mikrometer aufweisen. Durch das Laserbohren wird gemäß einigen Ausführungsformen eine höhere Verbindungsdichte als bei Bohrverfahren des Standes der Technik ermöglicht, so dass kleine Durchkontaktierungsgrößen und Abstände ermöglicht werden, was auf diese Weise zu einem verbesserten Design und einer skalierbaren Miniaturisierung bei geringen Kosten führt. Außerdem werden durch das Laserbohren eine hohe Ausrichtungsgenauigkeit (z. B. 10 bis 15 Mikrometer) und ein hoher Durchsatz (etwa 2.000 Durchkontaktierungen/Sekunde) und ein weiter Bereich möglicher Durchkontaktierungsgrößen (z. B. 30 Mikrometer bis etwa 300 Mikrometer) und niedrige Kosten (etwa 2 Cent je 1.000 Durchkontaktierungen) ermöglicht. Die Kombination aus hoher Ausrichtungsgenauigkeit und kleiner Durchkontaktierungsgröße macht Durchkontaktierungsabstände von bis zu 60 Mikrometern möglich, wobei diese Abstände viel kleiner als typische Abstände von plattierten Durchgangsöffnungen von etwa 400 Mikrometern sind, die auf Montageeinheiten verwendet werden, die Kerne enthalten. Die Durchkontaktierungsöffnungen242' können in ähnlicher Weise in der isolierenden Schicht232' gebildet werden, um eine Vorrichtung240 bereitzustellen, die in2E veranschaulicht ist. -
2F ist eine Veranschaulichung der Vorrichtung240 , die in2E dargestellt ist, nach einer weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in2F veranschaulicht, werden Durchkontaktierungsöffnungen242 mit einem leitfähigen Material wie Kupfer gefüllt, um mehrere leitfähige Durchkontaktierungen252 zu bilden, welche mit Kontaktflecken225 des ersten Plättchens222 elektrisch verbunden sind. Außerdem wird auf der ersten isolierenden Schicht232 und in Kontakt mit den leitfähigen Durchkontaktierungen252 eine erste Leitungsschicht254 gebildet, welche mehrere leitfähige Spuren256 , z. B. Kupferspuren, umfasst, wie in2F veranschaulicht. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mindestens eine leitfähige Spur256 gebildet, welche elektrisch mit dem Kontakt225 verbunden ist und welche sich aus der Standfläche229 des ersten Plättchens222 heraus in Richtung des Randes des Substrats erstreckt. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Durchkontaktierungen
242 unter Anwendung eines semiadditiven Verfahrens (Semi-Additive Process, SAP) gleichzeitig mit der Bildung der leitfähigen Spuren256 der ersten Leitungsschicht254 gefüllt, um die leitfähigen Durchkontaktierungen252 zu bilden. Bei einem semiadditiven Verfahren wird über der Fläche des isolierenden Films232 sowie in den Durchkontaktierungsöffnungen242 und den Seitenwänden der Durchkontaktierungsöffnungen242 eine stromlose Keimschicht, z. B. eine stromlose Kupferkeimschicht, gebildet, welche zum Beispiel eine Dicke von weniger als 1 Mikrometer aufweist. Anschließend wird auf der stromlosen Keimschicht eine Photoresistschicht gebildet und belichtet und entwickelt, wodurch eine Resiststruktur gebildet wird, welche entsprechend der Struktur unmaskierte Bereiche frei lässt, wo leitfähige Spuren256 erwünscht sind. Die leitfähigen Spuren256 und leitfähigen Durchkontaktierungen252 werden dann durch elektrolytisches Plattieren z. B. einer Kupferschicht unter Verwendung des stromlosen Kupferplattierungsfilms als Keimschicht gebildet. Die Elektroplattierung wird fortgesetzt, bis die Durchkontaktierungen252 vollständig gefüllt sind und die ersten leitfähigen Spuren256 in einer gewünschten Dicke gebildet sind, z. B. 2 bis 20 Mikrometer. Die Photoresistmaske wird anschließend entfernt, und es wird ein Kurzkontakt-Ätzverfahren angewendet, um die verbleibende Keimschicht zu entfernen. - Die oben beschriebene SAP-Technik kann angewendet werden, um Durchkontaktierungen zu füllen und leitfähige Spuren bei einer Temperatur von weniger als 100°C und typischerweise von 50°C bis 80°C zu bilden. Die Anwendung eines semiadditiven Ansatzes ermöglicht, dass dünne leitfähige Spuren mit feinen Leitungs- und Zwischenraumelementen gebildet werden, z. B. Leitungs- und Zwischenraumelementen von weniger als 30 Mikrometern. Die Anwendung eines semiadditiven Verfahrens (SAP) zum Füllen der Durchkontaktierungen
252 und zum Bilden der ersten Leitungsschicht254 ermöglicht, dass das erste Plättchen222 elektrisch mit dem Substrat der Montageeinheit verbunden wird, ohne ein Hochtemperaturverfahren anzuwenden, z. B. Wärmekompressions-Bonding oder eine Oberflächenbefestigungstechnologie unter Verwendung bleifreier Lötmetalle, welche bei anderen Montagetechnologien, z. B. Flip-Chip-Bonding und Wire-Bonding, typischerweise angewendet werden, um ein Plättchen elektrisch mit Substrat der Montageeinheit zu verbinden. Durch Anwendung eines Niedertemperaturverfahrens, z. B. eines Verfahrens bei weniger als 100°C, um das erste Plättchen222 elektrisch mit dem Substrat zu verbinden, werden das Substrat und das Plättchen keinen hohen Temperaturen ausgesetzt, welche aufgrund der CTE-Fehlanpassung zwischen dem ersten Plättchen222 und schichten der Vorrichtung240 zu einer Verformung der Montageeinheit führen können. Es kann eine ähnliche Verarbeitung angewendet werden, um die leitfähigen Durchkontaktierungen252' und die Leitungsschicht254' zu bilden, um die Vorrichtung250 bereitzustellen, welche in2F veranschaulicht ist. -
2G veranschaulicht die Vorrichtung250 der2F nach einer weiteren Verarbeitung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung250 ist weiter verarbeitet worden, so dass sie eine zweite isolierende Schicht261 und ein zweites Plättchen262 umfasst, welches eine aktive Fläche264 und eine gegenüberliegende Rückfläche266 aufweist. Die aktive Fläche264 des zweiten Plättchens262 umfasst mehrere elektrische Kontakte265 zum Bereitstellen einer elektrischen Verbindung zu dem zweiten Plättchen262 . Die zweite isolierende Schicht261 wird über Spuren256 der ersten Leitungsschicht254 und auf der ersten isolierenden Schicht232 gebildet, wie in2F veranschaulicht. Die Rückfläche266 des zweiten Plättchens262 wird an der zweiten isolierenden Schicht261 befestigt. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Rückfläche
266 des zweiten Plättchens262 unter Nutzung der Klebrigkeit der zweiten isolierenden Schicht261 an der zweiten isolierenden Schicht261 befestigt. Zum Beispiel wird in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein isolierender Film wie z. B. ABF über die Leitungsschicht254 und die erste isolierende Schicht laminiert, der isolierende Film wird dann nur teilweise gehärtet, zum Beispiel bei einer Temperatur von 70°C, um die Klebrigkeit des isolierenden Films zu bewahren. As zweite Plättchen262 wird dann auf dem teilweise gehärteten isolierenden Film angeordnet, wobei das zweite Plättchen262 durch die Klebrigkeit des teilweise gehärteten isolierenden Films befestigt wird. Nach dem Befestigen des zweiten Plättchens262 kann die teilweise gehärtete isolierende Schicht vollständig gehärtet werden, zum Beispiel durch Erwärmen auf eine Temperatur von etwa 180°C, um die zweite isolierende Schicht261 zu bilden. Auf diese Weise ist kein Klebstoff oder Plättchenbefestigungsfilm notwendig, um das zweite Plättchen262 an der zweiten isolierenden Schicht261 zu befestigen. Durch das Weglassen eines Plättchenbefestigungsfilms wird die Stufenhöhe des befestigten zweiten Plättchens verringert, was dazu beiträgt, die Topographie des zweiten Plättchens262 zu reduzieren, und ermöglicht, dass nachfolgende Aufbauschichten planarer gebildet werden. - In einer Ausführungsform ist das zweite Plättchen
262 so angeordnet, dass wenigstens ein Abschnitt der Standfläche269 des zweiten Plättchens262 innerhalb der Standfläche229 des ersten Plättchens222 liegt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das zweite Plättchen262 eine Standfläche269 auf, welche kleiner als die Standfläche229 des ersten Plättchens222 ist, und das zweite Plättchen262 ist auf der isolierenden Schicht261 angeordnet, so dass die gesamte Standfläche269 des zweiten Plättchens262 innerhalb der Standfläche229 des ersten Plättchens222 liegt, wie in2G veranschaulicht. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das zweite Plättchen262 eine Logikeinheit, z. B. ein Mikroprozessor, der von der Intel Corporation hergestellt wird, oder ein digitaler Signalprozessor. - Als Nächstes wird auf der zweiten isolierenden Schicht
261 und der aktiven Fläche des zweiten Plättchens262 eine dritte isolierende Schicht268 gebildet, wie in2G dargestellt. Das zweite Plättchen ist vollständig in die dritte isolierende Schicht268 und die zweite isolierende Schicht261 eingebettet und von diesen umgeben, wie in2G dargestellt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die dritte isolierende Schicht268 durch Laminieren eines isolierenden Films auf den zweiten isolierenden Film261 und das zweite Plättchen262 und Härten des laminierten Films wie oben beschrieben gebildet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das zweite Plättchen262 ein dünnes Plättchen, z. B. ein Plättchen, welches auf eine Dicke von 50 bis 150 Mikrometern verdünnt worden ist. Es ist vorteilhaft, ein dünnes Plättchen262 bereitzustellen, so dass die isolierende Schicht268 nicht zu dick gebildet werden muss, um das zweite Plättchen262 vollständig zu verkapseln. In einer Ausführungsform wird die dritte isolierende Schicht268 in einer Dicke gebildet, die ungefähr 20 bis 30 Mikrometer dicker als die Dicke des zweiten Plättchens ist, um für eine ausreichende Isolierung des zweiten Plättchens von nachfolgend gebildeten Leitungsschichten zu sorgen. Es versteht sich, dass, wenn das zweite Plättchen262 zu dick ist, die dritte isolierende Schicht268 dick gebildet werden muss, wodurch es schwierig wird, zuverlässige Durchkontaktierungsverbindungen zu leitfähigen Spuren256 der ersten Leitungsschicht254 zu konstruieren. Ein zweites Plättchen262' kann in ähnlicher Weise auf einer zweiten isolierenden Schicht258' und einer dritten isolierenden Schicht268' befestigt werden, welche über dem zweiten Plättchen268 gebildet werden, um die Vorrichtung260 herzustellen, die in2G veranschaulicht ist. -
2H ist eine Veranschaulichung der Vorrichtung260 der2G nach einer weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Es sind mehrere Durchkontaktierungsöffnungen272 durch die isolierende Schicht268 hindurch gebildet worden, um elektrische Kontakte265 des zweiten Plättchens262 freizulegen, wie in2H veranschaulicht. In einer Ausführungsform weisen die Durchkontaktierungsöffnungen272 einen Durchmesser von 30 μm bis 50 μm auf. Außerdem sind durch die dritte isolierende Schicht268 und die zweite isolierende Schicht258 hindurch mehrere Durchkontaktierungsöffnungen274 gebildet worden, um Teile der leitfähigen Spuren256 der ersten Leitungsschicht254 freizulegen. In einer Ausführungsform weisen die Durchkontaktierungsöffnungen274 einen größeren Durchmesser als die Durchkontaktierungsöffnungen272 auf, z. B. einen Durchmesser von 100 bis 150 Mikrometern. In einer Ausführungsform weisen die Durchkontaktierungsöffnungen274 einen Durchmesser auf, der mindestens das Doppelte des Durchmessers der Durchkontaktierungsöffnungen272 beträgt. Es versteht sich, dass der Durchmesser der Durchkontaktierungsöffnungen274 in einigen Ausführungsformen zumindest teilweise durch die Kombination der Dicken der zweiten isolierenden Schicht261 und der isolierenden Schicht268 über den leitfähigen Spuren254 bestimmt wird, so dass die Durchkontaktierungsöffnungen274 mit einem herstellbaren Seitenverhältnis (Höhe:Breite) gebildet werden. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen die Durchkontaktierungsöffnungen274 einen größeren Durchmesser als die Durchkontaktierungsöffnungen272 auf. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Durchkontaktierungsöffnungen274 mit einem solchen Durchmesser gebildet, dass die Durchkontaktierungsöffnungen ein Seitenverhältnis von etwa 2:1 oder weniger aufweisen. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Durchkontaktierungsöffnungen272 und274 unter Anwendung eines Laserbohrverfahrens gebildet, wie oben ausgeführt. Die Durchkontaktierungsöffnungen272' und274' können in ähnlicher Weise in isolierenden Schichten268' und258' gebildet werden, um die Vorrichtung270 herzustellen, die in2H veranschaulicht ist. -
2I ist eine Veranschaulichung der Vorrichtung270 der2H nach einer weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Durchkontaktierungsöffnungen272 werden mit einem leitfähigen Material wie Kupfer gefüllt, um leitfähige Durchkontaktierungen282 zu bilden, die mit Kontaktflecken265 des zweiten Plättchens262 in Kontakt stehen. Außerdem werden die Durchkontaktierungsöffnungen274 mit einem leitfähigen Material wie Kupfer gefüllt, um mehrere leitfähige Durchkontaktierungen284 bereitzustellen, die mit leitfähigen Spuren256 der ersten Leitungsschicht254 in Kontakt stehen. - Außerdem ist die Vorrichtung
270 weiter verarbeitet worden, so dass sie eine zweite Leitungsschicht286 umfasst, welche mehrere leitfähige Spuren288 aufweist. Die zweite Leitungsschicht286 ist auf der dritten isolierenden Schicht268 angeordnet, wie in2H dargestellt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mindestens eine leitfähige Spur288 gebildet, die sowohl mit einer leitfähigen Durchkontaktierung282 als auch mit einer leitfähigen Durchkontaktierung284 in Kontakt steht. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein semiadditives Verfahren (SAP) wie oben beschrieben angewendet, um gleichzeitig die Durchkontaktierungen282 und die Durchkontaktierungen284 zu füllen und die Leitungsschicht286 zu bilden. - In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das semiadditive Verfahren so ausgestaltet, dass eine leitfähige Schicht gebildet wird, welche dick genug ist, um kleine Durchkontaktierungen
272 vollständig zu füllen, um vollständig gefüllte leitfähige Durchkontaktierungen282 zu bilden, welche aber nicht dick genug ist, um große Durchkontaktierungsöffnungen274 vollständig zu füllen. In einem solchen Fall bildet sich der plattierte Film formangepasst auf den Seitenwänden der Durchkontaktierung274 , wodurch eine „becherförmige” leitfähige Durchkontaktierung284 mit einem ungefüllten Mittelteil285 gebildet wird. Durch die Anwendung eines semiadditiven Verfahrens wird ermöglicht, dass das zweite Plättchen262 elektrisch mit Leitungsschichten des Substrats verbunden wird, ohne Hochtemperatur-Lötverbindungsverfahren anzuwenden, die normalerweise angewendet werden, um ein Plättchen elektrisch mit einem Substrat einer Montageeinheit zu verbinden. Die leitfähigen Durchkontaktierungen282' und284' und zweite Leitungsschichten286 können in ähnlicher Weise gebildet werden, um die Vorrichtung280 herzustellen, die in2I veranschaulicht ist. -
2J ist eine Veranschaulichung der Vorrichtung280 der2I nach einer weiteren Verarbeitung gemäß einer Ausführungsform. Auf der zweiten Leitungsschicht286 und auf der dritten isolierenden Schicht268 wird eine vierte isolierende Schicht292 gebildet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die vierte isolierende Schicht292 durch Laminieren eines isolierenden Films auf die dritte isolierende Schicht268 und die zweite Leitungsschicht286 gebildet. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ragt die vierte isolierende Schicht292 in ungefüllte Mittelteile285 der Durchkontaktierung284 , wie in2J dargestellt. Eine vierte isolierende Schicht292' kann in ähnlicher Weise bereitgestellt werden, um die Vorrichtung290 herzustellen, die in2J veranschaulicht ist. Wenn die zweite Leitungsschicht286 die letzte Leitungsschicht ist, kann die Herstellung des Substrats durch Bilden von Öffnungen in der isolierenden Schicht292 abgeschlossen werden, um Kontaktflächen oder -flecken in der Leitungsschicht286 zu definieren, zu welchen externe elektrische Kontakte gebildet werden können. - Wenn jedoch weitere Leitungsfunktionalitäten benötigt werden, können eine oder mehrere weitere Leitungsschichten und isolierende Schichten zusammen mit Zwischenverbindungs-Durchkontaktierungen gebildet werden, wie oben beschrieben. Zum Beispiel kann die Vorrichtung
290 der2J gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weiter verarbeitet werden, um weitere Leitungsschichten und isolierende Schichten zu bilden. Zum Beispiel kann auf der vierten isolierenden Schicht292 eine dritte Leitungsschicht295 gebildet werden, welche mehrere Spuren aufweist, und mehrere leitfähige Kontakte296 können zwischen Spuren der dritten Leitungsschicht295 und der zweiten Leitungsschicht286 gebildet werden. Außerdem kann über der dritten Leitungsschicht295 eine fünfte isolierende Schicht296 gebildet werden. Eine vierte Leitungsschicht297 , welche mehrere leitfähige Spuren aufweist, kann auf der fünften isolierenden Schicht296 gebildet werden, und mehrere leitfähige Durchkontaktierungen298 können durch die isolierende Schicht296 hindurch gebildet werden, um Spuren der vierten Leitungsschicht297 elektrisch mit der dritten Leitungsschicht295 zu verbinden, wie in2K veranschaulicht. Wenn die vierte Leitungsschicht297 die letzte Leitungsschicht ist, kann auf der vierten Leitungsschicht297 und auf der fünften isolierenden Schicht296 eine letzte isolierende Schicht299 gebildet werden. Anschließend werden durch die letzte isolierende Schicht298 hindurch mehrere Öffnungen gebildet, um Teile leitfähiger Spuren der vierten Leitungsschicht297 freizulegen, um darauf Kontaktflecken zu definieren. Eine ähnliche Verarbeitung kann für die Vorrichtung290 bereitgestellt werden, um die Vorrichtung294 herzustellen, die in2K veranschaulicht ist. -
2L ist eine Querschnittsansicht der Vorrichtung295 der2K nach einer weiteren Verarbeitung. Die Rückseite-an-Rückseite-Vorrichtungen sind durch Entfernen von Abstandsmaterial in der Schneidezone216 (2B ) sowie der Haftungstrennschichten212 und der Ätzstoppschicht204 auseinandergezogen worden. Es ist eine hergestellte Multichip-Montageeinheit400 dargestellt. Mehrere externe elektrische Kontakte, z. B. leitfähige Bumps410 , können für eine elektrische Kommunikation mit einem Verankerungssubstrat (1A ) bereitgestellt werden. Externe elektrische Kontakte410 sind auf Kontaktflecken der letzten Leitungsschicht297 angeordnet. - Obwohl die vorliegende Erfindung in Bezug auf eine Multichip-Montageeinheit beschrieben worden ist, welche ein Substrat
102 mit zwei eingebetteten Plättchen aufweist, kann das Substrat auch drei oder mehr eingebettete Plättchen umfassen, falls erwünscht. Zum Beispiel kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Multichip-Montageeinheit450 gebildet werden, welche ein Substrat460 mit drei eingebetteten Plättchen aufweist, indem ein drittes Plättchen470 in einer weiteren einbettenden isolierenden Schicht480 eingebettet wird, welche über der ersten isolierenden Schicht130 gebildet wird, wie in4 veranschaulicht. Eine weitere Leitungsschicht492 , welche mehrere leitfähige Spuren umfasst, und eine weitere isolierende Schicht490 können zwischen der weiteren einbettenden isolierenden Schicht480 und der dritten isolierenden Schicht130 angeordnet werden, wie in4 dargestellt. Mehrere leitfähige Durchkontaktierungen494 können zwischen elektrischen Kontakten des dritten Plättchens470 und einer weiteren Leitungsschicht492 gebildet werden, um das dritte Plättchen470 elektrisch mit dem Substrat460 zu verbinden. Außerdem können mehrere große leitfähige Durchkontaktierungen496 , von denen eine in4 dargestellt ist, in der weiteren isolierenden Schicht490 und der ersten isolierenden Schicht130 gebildet werden, um Spuren der ersten Leitungsschicht150 elektrisch mit Spuren der weiteren Leitungsschicht492 zu verbinden. Mehrere direkte elektrische Verbindungen können unter Verwendung großer leitfähiger Durchkontaktierungen164 und496 und der Leitungsschichten492 ,150 und152 und kleiner Durchkontaktierungen162 und492 zwischen dem dritten Plättchen470 und dem zweiten Plättchen106 gebildet werden. Eine innere elektrische Verbindung kann in dem Substrat460 gebildet werden, um das dritte Plättchen470 entweder mit dem zweiten Plättchen106 oder dem ersten Plättchen105 oder sowohl mit dem ersten Plättchen104 als auch mit dem zweiten Plättchen106 zu verbinden sowie um elektrische Verbindungen zwischen dem dritten Plättchen470 und externen leitfähigen Kontakten140 bereitzustellen. Weitere Plättchen, z. B. ein viertes, ein fünftes und ein sechstes Plättchen, können in ähnlicher Weise eingebettet werden, falls erwünscht. - Außerdem kann in einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Multichip-Montageeinheit
500 gebildet werden, welche ein Substrat502 mit einem dritten eingebetteten Plättchen aufweist, indem ein drittes Plättchen560 benachbart zu dem ersten Plättchen104 im Substrat102 angeordnet wird, wie in5 veranschaulicht. In der ersten isolierenden Schicht130 können Durchkontaktierungen580 enthalten sein, um eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Leitungsschicht150 und dem dritten Plättchen560 bereitzustellen, um das dritte Plättchen560 elektrisch mit dem Substrat502 zu verbinden. Auf diese Weise wird das dritte Plättchen560 zusammen mit dem ersten Plättchen104 in die isolierende Schicht130 eingebettet, wie in5 veranschaulicht. Die erste Leitungsschicht150 , die Durchkontaktierungen160 und die Durchkontaktierungen580 können verwendet werden, um eine oder mehrere direkte elektrische Verbindungen570 zwischen dem ersten Plättchen104 und dem dritten Plättchen560 bereitzustellen, wie in5 veranschaulicht. Außerdem die erste Leitungsschicht150 und die zweite Leitungsschicht152 und die Durchkontaktierungen164 ,162 und580 verwendet werden, um eine oder mehrere direkte elektrische Verbindungen zwischen dem zweiten Plättchen106 und dem dritten Plättchen560 bereitzustellen, wie in5 veranschaulicht. - Die Multichip-Montageeinheiten
450 und500 können auf eine Weise hergestellt werden, wie sie in Bezug auf2A bis2L beschrieben ist. -
3 zeigt ein Computersystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das System300 umfasst einen Prozessor310 , eine Speichereinheit320 , eine Speichersteuerung330 , eine Graphiksteuerung340 , eine Ein- und Ausgabe-Steuerung (E/A-Steuerung)350 , ein Display352 , eine Tastatur354 , eine Zeigereinheit356 und eine Peripherieeinheit358 , welche in einigen Ausführungsformen alle über einen Bus360 kommunikativ miteinander verbunden sein können. Der Prozessor310 kann ein Universalprozessor oder eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC) sein. Die E/A-Steuerung350 kann ein Kommunikationsmodul für die drahtgebundene oder drahtlose Kommunikation umfassen. Die Speichereinheit320 kann eine dynamische Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Einheit, eine statische Direktzugriffsspeicher(SRAM)-Einheit, eine Flash-Speicher-Einheit oder eine Kombination dieser Speichereinheiten sein. Somit muss die Speichereinheit320 im System300 in einigen Ausführungsformen keine DRAM-Einheit umfassen. - Eine oder mehrere der im System
300 dargestellten Komponenten können in einer oder mehreren IC-Montageeinheiten, wie zum Beispiel der Montageeinheitsstruktur100 der1A , enthalten sein und/oder können solche umfassen. Zum Beispiel können der Prozessor310 oder die Speichereinheit320 oder zumindest ein Teil der E/A-Steuerung350 oder eine Kombination dieser Komponenten in einer IC-Montageeinheit enthalten sein, welche mindestens eine Ausführungsform einer Struktur umfasst, die in den verschiedenen Ausführungsformen beschrieben sind. - Diese Elemente erfüllen ihre herkömmlichen Funktionen, die auf dem Fachgebiet wohlbekannt sind. Insbesondere kann die Speichereinheit
320 in einigen Fällen verwendet werden, um eine Langzeitspeicherung für die ausführbaren Befehle für ein Verfahren zum Bilden montierter Strukturen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bereitzustellen, und kann in anderen Ausführungsformen verwendet werden, um die ausführbaren Befehle eines Verfahrens zum Bilden von Montageeinheitsstrukturen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung während der Ausführung durch den Prozessor310 auf einer kürzeren Zeitbasis zu speichern. Außerdem können die Befehle mit maschinenzugänglichen Medien, die mit dem System kommunikativ verbunden sind, zum Beispiel Compact-Disc-Nur-Lese-Speichern (Compact Disc Read Only Memories, CD-ROMs), Digital Versatile Discs (DVDs) und Floppy-Discs, Trägerwellen und/oder sich ausbreitenden Signalen, gespeichert oder auf andere Weise verbunden werden. In einer Ausführungsform kann die Speichereinheit320 dem Prozessor310 die ausführbaren Befehle zur Ausführung zuführen. - Das System
300 kann Computer (z. B. Tischcomputer, Laptops, Handcomputer, Server, Web-Geräte, Router usw.), drahtlose Kommunikationseinheiten (z. B. Mobiltelefone, schnurlose Telefone, Pager, persönliche digitale Assistenten usw.), computerbezogene Peripheriegeräte (z. B. Drucker, Scanner, Monitore), Unterhaltungseinheiten (z. B. Fernsehgeräte, Radios, Stereoanlagen, Cassetten- und Compact-Disc-Abspielgeräte, Videorecorder, Camcorder, Digitalkameras, MP3(Motion Picture Experts Group, Audio Layer 3)-Player, Videospiele, Armbanduhren usw.) und Ähnliches umfassen. - Somit sind eine Multichip-Montageeinheit, welche ein Substrat mit mehreren vertikal angeordneten darin eingebetteten Plättchen aufweist, und ihr Herstellungsverfahren beschrieben worden.
Claims (20)
- Vorrichtung, welche das Folgende aufweist: ein Substrat, welches eine Plättchenseite und eine Anschlussfleckseite gegenüber der Plättchenseite aufweist, wobei die Anschlussfleckseite mehrere Kontaktflecken aufweist; ein erstes Plättchen, welches eine erste aktive Fläche und eine Rückfläche gegenüber der aktiven Fläche aufweist; ein zweites Plättchen, welches eine aktive Fläche und eine Rückfläche gegenüber der aktiven Fläche aufweist; und wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen derart in das Substrat eingebettet sind, dass das zweite Plättchen zwischen dem ersten Plättchen und der Anschlussfleckseite des Substrats angeordnet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Plättchen eine erste Standfläche aufweist und wobei das zweite Plättchen eine zweite Standfläche aufweist und wobei zumindest ein Teil der ersten Standfläche des ersten Plättchens innerhalb der zweiten Standfläche des zweiten Plättchens angeordnet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Standfläche größer als die zweite Standfläche ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Standfläche des zweiten Plättchens vollständig innerhalb der ersten Standfläche des ersten Plättchens angeordnet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die aktive Fläche des ersten Plättchens und die aktive Fläche des zweiten Plättchens der Anschlussfleckseite des Substrats zugewandt sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Plättchen durch eine elektrische Verbindung mit dem zweiten Plättchen verbunden ist, welche vollständig in das Substrat eingebettet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die elektrische Verbindung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen keine vertikale Verbindung umfasst, welche einen Durchmesser von mehr als 150 Mikrometern aufweist.
- Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das erste Plättchen durch eine elektrische Verbindung, die in das Substrat eingebettet ist, mit einem der Anschlussflecken verbunden ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 2, welche eine Leitungsschicht umfasst, die zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen in das Substrat eingebettet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Plättchen in eine erste isolierende Schicht des Substrats eingebettet ist und das zweite Plättchen in eine zweite isolierende Schicht des Substrats eingebettet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 10, welche ferner das Folgende umfasst: eine dritte isolierende Schicht, welche zwischen der ersten isolierenden Schicht und der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist; und eine erste Leitungsschicht, welche mehrere erste Spuren umfasst, welche in die dritte isolierende Schicht eingebettet sind, und wobei eine der ersten Spuren der ersten Zwischenverbindungsschicht zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen ausgebildet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 11, welche ferner eine vierte isolierende Schicht zwischen dem zweiten Plättchen und den mehreren Kontaktflecken umfasst, wobei die vierte isolierende Schicht eine zweite Leitungsschicht aufweist, welche mehrere darin eingebettete zweite Spuren umfasst.
- Vorrichtung nach Anspruch 12, welche ferner mehrere erste Durchkontaktierungen mit einem ersten Durchmesser in dem vierten Dielektrikum zwischen der zweiten Leitungsschicht und dem zweiten Plättchen umfasst; und mehrere zweite Durchkontaktierungen mit einem zweiten Durchmesser in der dritten Dielektrikumsschicht und der zweiten Dielektrikumsschicht und zwischen der ersten Leitungsschicht und der zweiten Leitungsschicht umfasst, wobei der zweite Durchmesser größer als der erste Durchmesser ist.
- Verfahren zum Bilden einer Multichip-Montageeinheit, welches das Folgende umfasst: Befestigen eines ersten Plättchens an einem Träger; Bilden einer ersten isolierenden Schicht über dem ersten Plättchen und dem Träger, so dass das erste Plättchen in die erste isolierende Schicht eingebettet ist; Anordnen eines zweiten Plättchens über der ersten isolierenden Schicht; und Bilden einer zweiten isolierenden Schicht über dem zweiten Plättchen, so dass das zweite Plättchen in die zweite isolierende Schicht eingebettet ist.
- Verfahren nach Anspruch 14, welches ferner das Bilden einer Leitungsschicht zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 14, welches ferner das Bilden einer dritten isolierenden Schicht zwischen der ersten isolierenden Schicht und der zweiten isolierenden Schicht und das Befestigen des zweiten Plättchens an der dritten isolierenden Schicht umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 16, welches ferner das Folgende umfasst: Teilhärten der dritten isolierenden Schicht nach dem Bilden der dritten isolierenden Schicht und vor dem Befestigen des ersten Plättchens, um eine teilweise gehärtete dritte isolierende Schicht zu bilden; Befestigen des zweiten Plättchens an der teilweise gehärteten dritten isolierenden Schicht; und vollständiges Härten der teilweise gehärteten dritten isolierenden Schicht nach dem Befestigen des zweiten Plättchens.
- Verfahren nach Anspruch 17, welches ferner das Bilden einer ersten Leitungsschicht zwischen der ersten isolierenden Schicht und der dritten isolierenden Schicht umfasst, wobei die dritte Leitungsschicht eine erste Spur aufweist, die mit dem ersten Plättchen in elektrischem Kontakt steht.
- Verfahren nach Anspruch 18, welches ferner das Bilden einer zweiten Leitungsschicht auf der zweiten isolierenden Schicht umfasst, wobei die zweite isolierende Schicht eine zweite Spur aufweist, welche mit dem zweiten Plättchen und der ersten Spur in elektrischem Kontakt steht.
- Multichip-Montageeinheit, welche das Folgende umfasst: ein erstes Plättchen, welches eine aktive Fläche gegenüber einer Rückfläche aufweist; eine erste isolierende Schicht, wobei das erste Plättchen in die erste isolierende Schicht eingebettet ist; eine erste Durchkontaktierung in der ersten isolierenden Schicht und in elektrischem Kontakt mit der aktiven Fläche des ersten Plättchens; eine erste Leitungsschicht, welche eine erste leitfähige Spur aufweist, auf der ersten isolierenden Schicht, wobei die erste leitfähige Spur mit der ersten Durchkontaktierung in Kontakt steht; eine zweite isolierende Schicht auf der ersten Leitungsschicht und der ersten isolierenden Schicht; ein zweites Plättchen, welches eine aktive Fläche gegenüber einer Rückfläche aufweist, wobei sich die Rückfläche des zweiten Plättchens auf der zweiten isolierenden Schicht befindet; eine dritte isolierende Schicht auf der aktiven Fläche des zweiten Plättchens und der zweiten isolierenden Schicht; eine dritte leitfähige Durchkontaktierung in der isolierenden Schicht und in Kontakt mit der aktiven Fläche des zweiten Plättchens; eine vierte leitfähige Durchkontaktierung in der dritten isolierenden Schicht und der zweiten isolierenden Schicht und in Kontakt mit der ersten leitfähigen Spur der ersten Leitungsschicht; eine zweite Leitungsschicht, welche eine zweite leitfähige Spur aufweist, auf der dritten isolierenden Schicht, wobei die zweite leitfähige Spur mit der zweiten leitfähigen Durchkontaktierung und der dritten leitfähigen Durchkontaktierung in Kontakt steht; und eine vierte isolierende Schicht auf der dritten isolierenden Schicht und der zweiten Leitungsschicht.
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