DE102013223846B4 - Packungsanordnung für Logikchip und andere in Aufbauschichten eingebettete Komponenten, Herstellungsverfahren dafür und System diese umfassend - Google Patents
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Abstract
Packungsanordnung, umfassend:ein Substrat (106), das eine Mehrzahl von Aufbauschichten (108) umfasst;elektrische Leitbahnführungsmerkmale (110), die auf einer Außenfläche des Substrats (106) angeordnet sind;einen primären Logikchip (102), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet ist, wobei der primäre Logikchip (102) ein oder mehrere Kontaktlöcher (116) zwischen einer ersten, aktiven Oberfläche (112) des primären Logikchips (102) und einer zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche (114) des primären Logikchips (102) umfasst;einen zweiten Chip oder Kondensator (104), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet ist, wobei der zweite Chip oder Kondensator (104) einen sekundären Logikchip oder einen Speicherchip umfasst;einen ersten elektrischen Pfad (122), der in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) definiert ist, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal zwischen dem zweiten Chip (104) oder Kondensator und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen (110) zu übertragen, wobei der erste elektrische Pfad (122) den primären Logikchip umgeht; undeinen zweiten elektrischen Pfad (118), der in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) von einer aktiven Oberfläche (120) des sekundären Logikchips oder Speicherchips (104) zu dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern (116) definiert ist, um Eingangs-/Ausgangs (E-/A)-Signale zwischen dem primären Logikchip (102) und dem sekundären Logikchip oder Speicherchip (104) zu übertragen.
Description
- Gebiet
- Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen im Allgemeinen das Gebiet von integrierten Schaltungen und insbesondere Techniken und Konfigurationen für eine Packungsanordnung mit einem Logikchip und anderen Komponenten, die in eine Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sind.
- Hintergrund
- Aufkommende Packungsanordnungen können mehrere Chips in verschiedenen gestapelten und/oder eingebetteten Konfigurationen umfassen. Die Packungsanordnungen können auf immer kleinere Abmessungen weiter verkleinert werden, um einen kleineren Formfaktor für verschiedene Anwendungen bereitzustellen, die zum Beispiel mobile Computergeräte, wie beispielsweise Telefone oder Tablets, umfassen. Die Wegleitung von elektrischen Signalen durch die Packungsanordnung für jeden der mehreren Chips ist für aktuelle Konfigurationen von Packungsanordnungen schwierig, da die Abmessungen der Chips und der Packungsanordnung immer kleiner werden. Zum Beispiel können gegenwärtige Techniken strenge Entwurfsregeln verwenden, welche die Abstandsgrenzen von Zwischenverbindungsstrukturen, wie beispielsweise Breite/Abstand von Leiterbahnen, überschreiten, oder sie können Leitbahnauslegungstechniken anwenden, welche die Zuverlässigkeit eines oder mehrerer der mehreren Chips beeinträchtigen.
- Aus
US 2012 / 0 161 331 A1 ist eine Vorrichtung bekannt, die ein Substrat mit einer Landseite mit mehreren Kontaktflächen und einer der Landseite gegenüberliegenden Chipseite umfasst. Die Vorrichtung umfasst einen ersten Chip und einen zweiten Chip, wobei der erste Chip und der zweite Chip in das Substrat eingebettet sind, so dass der zweite Chip zwischen dem ersten Chip und der Landseite des Substrats angeordnet ist. - In US 2006 / 0 049 995 A1 ist eine integrierte Antennenschaltungsvorrichtung beschrieben, eine Isolierbasis, eine Halbleiterschaltungsvorrichtung, Chipteile, ein Formharz, einen Antennenleiter, einen Erdungsleiter und externe Leitelektroden umfasst. Die mehreren Chipteile sind auf der Isolierbasis montiert und zur elektrischen und physikalischen Verbindung mit Elektroden von Verdrahtungsleitern auf der Oberseite der Isolierbasis verlötet. Die Isolierbasis weist eine Mehrschichtstruktur auf, die durch Laminieren mehrerer Isolatorschichten gebildet wird. Der Antennenleiter ist am Boden der Isolierbasis ausgebildet. Ein dem Antennenleiter benachbarter Verdrahtungsleiter ist mit dem Erdungsleiter versehen, so dass er mit dem Antennenleiter überlappt.
- In US 2012 / 0 056 316 A1 ist eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten Halbleiterchip, der über einem Träger montiert ist beschrieben. Über dem Träger können benetzbare Kontaktflächen gebildet werden. Ein zweiter Halbleiterchip ist über dem ersten Halbleiterchip montiert. Der zweite Chip ist seitlich gegenüber dem ersten Chip versetzt. Eine elektrische Verbindung wird zwischen einem überlappenden Abschnitt des ersten Chips und des zweiten Chips gebildet. Über dem ersten Chip sind mehrere erste leitende Säulen angeordnet. Über dem zweiten Chip sind mehrere zweite leitende Säulen angeordnet. Eine Einkapselung wird über dem ersten und zweiten Chip sowie der ersten und zweiten leitenden Säule abgeschieden. Eine erste Verbindungsstruktur wird über der Einkapselung, den ersten leitenden Säulen und dem zweiten Chip gebildet. Der Träger wird entfernt. Eine zweite Verbindungsstruktur wird über der Einkapselung, den zweiten leitenden Säulen und dem ersten Chip gebildet. Eine dritte leitende Säule ist zwischen der ersten und der zweiten aufgebauten Verbindungsstruktur gebildet.
- Aus US 2012 / 0 074 580 A1 ist ein Verfahren zur Bildung einer mikroelektronischen Verpackungsstruktur und damit verbundene Strukturen bekannt. Diese Verfahren können einen in ein kernloses Substrat eingebetteten Chip umfassen, wobei eine Formverbindung den Chip umgibt und wobei der Chip TSV-Verbindungen auf einer ersten Seite und C4-Pads auf einer zweiten Seite des Chips, ein dielektrisches Material auf einer ersten Seite und auf einer zweiten Seite der Formverbindung umfasst sowie Verbindungsstrukturen, die mit den C4-Pads und den TSV-Pads gekoppelt sind.
- Figurenliste
- Die Ausführungsformen sind anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen leicht zu verstehen. Zur Erleichterung dieser Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Strukturelemente. Die Ausführungsformen sind in den Figuren der beiliegenden Zeichnungen beispielhaft und nicht einschränkend veranschaulicht.
-
1 veranschaulicht eine Seitenansicht im Querschnitt einer beispielhaften Packungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen, die einen primären Logikchip und einen sekundären Chip umfasst, die in eine Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sind. -
2 veranschaulicht eine Seitenansicht im Querschnitt einer beispielhaften Packungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen, die einen primären Logikchip und einen Kondensator umfasst, die in eine Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sind. -
3 veranschaulicht eine Seitenansicht im Querschnitt einer beispielhaften Packungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen, die einen primären Logikchip und einen Kondensator umfasst, die nebeneinander in eine Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sind. -
4 stellt ein Ablaufdiagramm für ein Verfahren zur Fertigung einer Packungsanordnung gemäß einigen Ausführungsformen schematisch dar. -
5 bis15 stellen verschiedene Stufen der Fertigung einer Packungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen schematisch dar. -
16 stellt ein Computergerät gemäß einer Implementierung der Erfindung schematisch dar. - Ausführliche Beschreibung
- In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Aspekte der veranschaulichenden Implementierungen unter Verwendung von Begriffen beschrieben, die von den Fachleuten für gewöhnlich verwendet werden, um anderen Fachleuten das Wesentliche ihrer Arbeit zu vermitteln. Für Fachleute ist jedoch zu erkennen, dass die vorliegende Erfindung mit nur einigen der beschriebenen Aspekte realisiert werden kann. Zu Erklärungszwecken sind spezifische Zahlen, Materialien und Konfigurationen dargelegt, um ein umfassendes Verständnis der veranschaulichenden Implementierungen vermitteln. Für Fachleute ist jedoch zu erkennen, dass die vorliegende Erfindung ohne die spezifischen Einzelheiten realisiert werden kann. In anderen Fällen werden allgemein bekannte Merkmale weggelassen oder vereinfacht, um die veranschaulichenden Implementierungen verständlicher zu machen.
- In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, wobei gleiche Bezugszeichen durchgehend gleiche Teile bezeichnen, und in welchen Ausführungsformen, in welchen der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung realisiert werden kann, veranschaulichend dargestellt sind.
- Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet der Ausdruck „A und/oder B“ (A), (B) oder (A und B). Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung bedeutet der Ausdruck „A, B und/oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C) oder (A, B und C).
- Die Beschreibung kann Beschreibungen auf perspektivischer Basis verwenden, wie beispielsweise oben/unten, innen/außen, oberhalb/unterhalb und dergleichen. Solche Beschreibungen werden lediglich verwendet, um die Erörterung zu erleichtern, und sind nicht dazu gedacht, die Anwendung von hierin beschriebenen Ausführungsformen auf eine bestimmte Orientierung zu beschränken.
- Die Beschreibung kann die Ausdrücke „in einer Ausführungsform“ oder „in Ausführungsformen“ verwenden, welche sich jeweils auf eine oder mehrere der gleichen oder verschiedenen Ausführungsformen beziehen können. Außerdem sind die Begriffe „umfassend“, „aufweisend“ und dergleichen, wie in Bezug auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet, bedeutungsgleich.
- Hierin wird möglicherweise der Begriff „gekoppelt mit“ zusammen mit seinen Ableitungen verwendet. „Gekoppelt“ kann eines oder mehr von Folgendem bedeuten. „Gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente in direktem physischem oder elektrischem Kontakt stehen. „Gekoppelt“ kann jedoch auch bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente indirekt miteinander in Kontakt stehen, aber trotzdem miteinander zusammenwirken oder interagieren, und es kann bedeuten, dass ein oder mehrere andere Elemente zwischen die Elemente, die als miteinander gekoppelt bezeichnet werden, gekoppelt oder geschaltet sind. Der Begriff „direkt gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente in direktem Kontakt stehen.
- In verschiedenen Ausführungsformen kann der Ausdruck „ein erstes Merkmal, das auf einem zweiten Merkmal ausgebildet, angeordnet oder anderweitig darauf aufgebracht ist“ bedeuten, dass das erste Merkmal über dem zweiten Merkmal ausgebildet, angeordnet oder darüber aufgebracht ist und mindestens ein Teil des ersten Merkmals in direktem Kontakt (z. B. direktem physischem und/oder elektrischem Kontakt) oder indirektem Kontakt (z. B. mit einem oder mehreren anderen Merkmalen zwischen dem ersten Merkmal und dem zweiten Merkmal) mit mindestens einem Teil des zweiten Merkmals stehen kann.
-
1 stellt eine Seitenansicht im Querschnitt einer beispielhaften Packungsanordnung100 schematisch dar, die einen primären Logikchip102 und einen zweiten Chip104 umfasst, die in ein Substrat106 eingebettet sind. In verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat106 eine Mehrzahl von Aufbauschichten108 umfassen, in welche andere Komponenten eingebettet sind. In einigen Ausführungsformen kann die Mehrzahl von Aufbauschichten eine Mehrzahl von „bondhügellosen“ Aufbauschichten („BBUL“) umfassen. Wie hierin verwendet, kann sich „bondhügellose Aufbauschichten“ auf Schichten von Substrat oder darin eingebetteten Komponenten ohne die Verwendung von Lot oder anderen Befestigungsmitteln beziehen, die als „Bondhügel“ angesehen werden können. - In verschiedenen Ausführungsformen kann der primäre Logikchip
102 ein Prozessorkern mit Transistoren und anderen Komponenten sein, die zusammen die Gesamtheit oder einen Teil des „Hirns“ eines Computergeräts bilden können, in dem die Packungsanordnung100 installiert ist. In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Chip104 ein sekundärer Logikchip (z. B. ein anderer Prozessorkern) sein, der so konfiguriert ist, dass er die Verarbeitungsleistung des primären Logikchips ergänzt. In verschiedenen anderen Ausführungsformen kann der zweite Chip104 ein beliebiger Typ von Chip sein, der auf der Packungsanordnung100 enthalten sein kann, um ein System bzw. eine Plattform zu vereinfachen, in welche/s die Packungsanordnung eingebaut wird, wie beispielsweise ein Speicherchip oder ein Energieverwaltungschip. - Ein elektrisches Leitbahnführungsmerkmal
110 kann auf einer Oberfläche des Substrats106 angeordnet sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann das elektrische Leitbahnführungsmerkmal110 ein Ball Grid Array („BGA“) oder andere elektrische Komponenten umfassen, die elektrische Signale zum/vom primären Logikchip102 und/oder zweiten Chip104 zu anderen Komponenten leiten können, die in1 nicht dargestellt sind, wie beispielsweise eine gedruckte Leiterplatte („PCB“), an welche die Packungsanordnung100 angeschlossen ist. - Der primäre Logikchip
102 kann eine erste, „aktive“ Oberfläche112 und eine zweite, gegenüberliegende Oberfläche114 umfassen. Der primäre Logikchip102 kann außerdem ein oder mehrere Kontaktlöcher, wie beispielsweise Kontaktlöcher durch das Silicium (TSVs für engl. throughsilicon vias) 116, zwischen der ersten Oberfläche112 und der zweiten Oberfläche114 umfassen. Obwohl in1 zwei TSVs116 dargestellt sind, ist dies nicht als einschränkend zu verstehen, sondern es können auch mehr oder weniger TSVs116 enthalten sein. Obwohl die Kontaktlöcher in den Zeichnungen so dargestellt sind, dass sie einheitlich gerade Seiten aufweisen, können Kontaktlöcher auch andere Formen aufwiesen. Zum Beispiel können Kontaktlöcher, die durch Laser gebohrt sind, dazu neigen, konisch zulaufende Formen aufzuweisen, wobei z. B. ein Ende größer als das gegenüberliegende Ende ist. - In verschiedenen Ausführungsformen kann ein elektrischer Pfad
118 in der Mehrzahl von Aufbauschichten108 von einer aktiven Oberfläche120 des zweiten Chips104 zu den TSVs116 des primären Logikchips102 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann der elektrische Pfad118 Eingangs-/Ausgangs („E-/A“)-Signale zwischen dem primären Logikchip102 und dem zweiten Chip104 übertragen. Andere elektrische Signale zum oder vom zweiten Chip104 , wie beispielsweise elektrische Leistungs- und/oder Erdungssignale, können durch einen zweiten elektrischen Pfad122 direkt zu den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen110 geleitet werden. In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite elektrische Pfad122 ein oder mehrere Kontaktlöcher124 umfassen, die eine oder mehrere leitende Schichten126 , die zwischen Schichten der Mehrzahl von Aufbauschichten108 angeordnet sind, miteinander verbinden. - In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite elektrische Pfad
122 auch nicht durch den primären Logikchip102 verlaufen, was eine Verminderung der Entwurfsbeschränkungeri des primären Logikchips102 ermöglicht. Zum Beispiel kann der primäre Logikchip102 weniger THVs116 benötigen. Dadurch kann Raum auf dem primären Logikchip102 für andere technische Merkmale erhalten bleiben, die Zuverlässigkeit des primären Logikchips102 erhöht werden und/oder der primäre Logikchip102 kleiner ausgeführt sein. Ein kleinerer primärer Logikchip102 kann ermöglichen, dass auch andere Komponenten kleiner sind, wodurch die Gesamtgröße der Packungsanordnung100 verkleinert wird. Eine Packungsanordnung100 mit reduzierter Größe kann wiederum die Erzeugung kleinerer Computergeräte, wie beispielsweise Smartphones und Tablet-Computer, ermöglichen. - In verschiedenen Ausführungsformen kann der primäre Logikchip
102 in der Mehrzahl von Aufbauschichten108 zwischen den zweiten Chip104 und die elektrischen Leitbahnführungsmerkmale110 eingebettet sein. In einigen solchen Ausführungsformen kann der zweite elektrische Pfad122 mindestens eine leitende Schicht126 zwischen zweien der Mehrzahl von Aufbauschichten108 umfassen, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal, die/das zwischen dem zweiten Chip102 und elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen110 durchfließt bzw. -läuft, vom primären Logikchip102 entfernt zu übertragen. Ein Beispiel dafür ist in1 rechts und links vom primären Logikchip102 dargestellt, wobei die Kontaktlöcher124 und die leitenden Schichten126 in der Mehrzahl von Aufbauschichten108 in einer Weise definiert sind, die sich vom primären Logikchip102 „auffächert“, während der zweite elektrische Pfad122 die Seite entlang nach unten vorrückt. In anderen Ausführungsformen kann der zweite elektrische Pfad122 Erdungssignale und Leistung auch nicht den gesamten Pfad vom zweiten Chip104 zu den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen110 entfernt vom primären Logikchip102 auffächern. - In verschiedenen Ausführungsformen kann ein dritter elektrischer Pfad
128 in der Mehrzahl von Aufbauschichten108 zwischen der ersten Oberfläche112 des primären Logikchips102 und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen110 definiert sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann der dritte elektrische Pfad128 elektrische Signale (z. B. E/A, Erdung, Leistung) zwischen dem primären Logikchip102 und anderen Komponenten übertragen, die in1 nicht dargestellt sind, wie beispielsweise einer Leiterplatte (z. B. der gedruckten Leiterplatte1602 von16 ). In verschiedenen Ausführungsformen können der erste elektrische Pfad118 , der zweite elektrische Pfad122 und/oder der dritte elektrische Pfad128 kein Lötmittel umfassen, da sie mit anderen Komponenten unter Verwendung eines BBUL-Prozesses gefertigt sein können. - In verschiedenen Ausführungsformen kann die Packungsanordnung
100 eine Packung-auf-Packung („POP“ für engl. package-on-package)-Kontaktstelle 130 umfassen. In verschiedenen Ausführungsformen kann die POP-Kontaktstelle130 auf einer Oberfläche der Packungsanordnung100 , wie beispielsweise auf einer oberen Oberfläche, angeordnet sein, um elektrische Signale zwischen der Packungsanordnung100 und anderen Packungen (nicht dargestellt) zu übertragen, die auf die Packungsanordnung100 gestapelt sein können. Dies ist jedoch nicht erforderlich, und hierin werden Beispiele von anderen Packungsanordnungen ohne POP-Kontaktstellen beschrieben. -
2 stellt eine Packungsanordnung200 mit vielen der gleichen Komponenten wie1 dar, welche in ähnlicher Weise nummeriert sind. In diesem Beispiel ist anstelle des zweiten Chips104 (z. B. eines Logik-, Speicher- oder Energieverwaltungschips) ein Kondensator230 (oder eine Reihe von Kondensatoren) in die Mehrzahl von Aufbauschichten208 eingebettet. In verschiedenen Ausführungsformen kann der Kondensator230 ein Entkopplungskondensator sein, der in der Nähe zum primären Logikchip202 positioniert ist, um Rauschen zu reduzieren. Das Einbetten von Kondensatoren, wie beispielsweise des Kondensators230 , in die Packungsanordnung200 kann die Platzierung von weniger Kondensatoren auf einer PCB, wie beispielsweiser einer Mutterleiterplatte, ermöglichen, um z. B. ihre Lötfläche zu verringern. -
3 stellt eine andere Ausführungsform einer Packungsanordnung300 ähnlich der Packungsanordnung200 von2 dar. Komponenten, die den Komponenten in1 und2 entsprechen, sind ähnlich bezeichnet. In3 ist der Kondensator330 jedoch im Gegensatz zu2 , in der er auf einer gegenüberliegenden Seite des primären Logikchips302 von den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen310 angeordnet dargestellt ist, seitlich versetzt vom primären Logikchip302 und ungefähr koplanar dazu eingebettet. Außerdem kann der elektrische Pfad vom eingebetteten Kondensator330 zu den elektrischen Leitbahnführungselementen310 mehr leitende Schichten326 umfassen, als in Verbindung mit1 oder2 dargestellt sind, obwohl dies nicht als einschränkend zu verstehen ist. In verschiedenen Ausführungsformen können mehr oder weniger leitende Schichten (126 ,226 ,326 ) in Packungsanordnungen enthalten sein. In verschiedenen Ausführungsformen können mehr leitende Schichten eine bessere Leistungszuführung ermöglichen. -
4 stellt einen beispielhaften Fertigungsprozessablauf400 dar.5 bis15 stellen eine beispielhafte Packungsanordnung500 in verschiedenen Fertigungsstufen dar, die Punkten im Fertigungsprozessablauf400 entsprechen. Demgemäß wird im Verlauf der Beschreibung des Prozessablaufs400 auf die entsprechenden Stufen in5 bis15 Bezug genommen. - Unter Bezugnahme auf
4 und5 können bei Block402 Strukturen, die als „L0 Justiermarken“ 540 bezeichnet sind, auf einem blanken Fertigungsnutzen542 gebildet (z. B. strukturiert und plattiert) werden. In verschiedenen Ausführungsformen können die Justiermarken540 verkupferte Merkmale sein, die zu Justierungszwecken enthalten sind. In vielen Fällen können sie während verschiedener Fertigungsschritte, wie beispielsweise der Nutzentrennung, entfernt werden, so dass sie kein Teil der endgültigen Packungsanordnung500 werden. - In verschiedenen Ausführungsformen kann der blanke Fertigungsnutzen
542 ein abziehbarer Kern sein, und er kann mit verschiedenen Materialien, wie beispielsweise Kupfer (Cu), gebildet sein. Bei Block404 können in Vorbereitung für die Aufnahme eines dielektrischen Films, z. B. Ajinomoto-Aufbaufilm- oder „ABF“-Laminats, eine erste Oberfläche544 und eine zweite Oberfläche546 des blanken Kupfernutzens542 aufgeraut werden. Bei Block406 kann ein zweiter Chip504 an die erste Oberfläche544 und die zweite Oberfläche546 des blanken Kupfernutzens542 gebondet werden. Ein primärer Logikchip502 wird später hinzugefügt.5 stellt das, was zwei Packungsanordnungen500 (eine auf jeder Seite des blanken Kupfernutzens542 ) werden, auf dieser Fertigungsstufe dar. - Bei Block
408 kann eine erste Aufbauschicht548 auf jeder Seite gebildet (z. B. hinzugefügt und ausgehärtet) und ausgehärtet werden, um den zweiten Chip504 im ABF-Laminat einzubetten. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in6 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsformen können die erste Aufbauschicht548 und andere Aufbauschichten, die hierin beschrieben werden, Materialeigenschaften aufweisen, die für Zuverlässigkeit, Wölbungsreduktion und so weiter geändert und/oder optimiert werden können. - Bei Block
410 können Kontaktlöcher550 in der ersten Aufbauschicht548 , z. B. auf der Oberseite von E-/A-Kontaktstellen (nicht dargestellt) und/oder Leistungserdungs-Kontaktstellen (nicht dargestellt) des zweiten Chips504 , gebildet werden. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Laser, wie beispielsweise ein Ultraviolett- und/oder Kohlendioxid-Laser, zum Bohren der Kontaktlöcher550 verwendet werden. Bei Block412 kann eine erste leitende Schicht552 , welche hierin als „SL1“ bezeichnet sein kann, gebildet (z. B. strukturiert und plattiert) werden. „Leitende Schichten“, die hierin beschrieben werden, erstrecken sich möglicherweise nicht über eine ganze Oberfläche einer darunter liegenden Aufbauschicht. Zum Beispiel kann die erste leitende Schicht552 unter Verwendung einer Lithografiemaske, die eine „Verbotszone“ oder „KOZ“ (für engl. keep out zone) definiert, um sicherzustellen, dass keine Plattierung in E-/A-Kontaktlöchern erfolgt, selektiv auf der Oberseite der ersten Aufbauschicht548 gebildet werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in7 dargestellt. Andere leitende Schichten, die hierin beschrieben werden, können ebenfalls selektiv gebildet werden, um verschiedene elektrische Leitbahnführungsziele zu erreichen. - Bei Block
414 kann eine zweite Aufbauschicht554 , z. B. von ABF-Laminat, gebildet werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in8 dargestellt. Bei Block416 kann eine zweite leitende Schicht556 auf der Oberseite der zweiten Aufbauschicht554 gebildet (z. B. strukturiert und plattiert) werden, wobei Kontaktlöcher558 zwischen der zweiten leitenden Schicht556 und der ersten leitenden Schicht552 verlaufen. In verschiedenen Ausführungsformen kann diese zweite leitende Schicht556 als „SL2“-Schicht bezeichnet sein. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in9 dargestellt. Bei Block418 kann eine dritte Aufbauschicht560 , z. B. von ABF-Laminat, gebildet werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in10 dargestellt. - Bei Block
420 kann eine Kavität562 zur Aufnahme des primären Logikchips502 gebildet werden. In verschiedenen Ausführungsformen kann zuerst ein fotodefinierbares Trockenfilmresist (DFR)-Material aufgetragen werden, um zu definieren, wo die Kavität562 angeordnet wird. Anschließend kann ein Nassstrahlwerkzeug verwendet werden, um die Kavität562 zu bilden. Das ABF-Laminat kann in Bereichen entfernt werden, in welchen z. B. aufgrund einer Differenz der Ätzraten für DFR gegenüber ABF nach der Entwicklung kein DFR vorhanden ist. In verschiedenen Ausführungsformen kann die erste leitende Schicht552 , die mit Kupfer ausgebildet sein kann, als ein Ätzstopp verwendet werden, da das ABF-Ätzen enden kann, sobald das Kupfer erreicht wird. Solch eine Technik kann eine dünne Scheibe der zweiten Aufbauschicht554 zwischen den leitenden Schichten552 auf jeder Seite erhalten. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in11 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsformen kann das verbleibende DFR nach der Ausbildung der Kavität562 chemisch abgelöst werden. - Bei Block
422 können Kontaktlöcher564 (hierin als Logik-Logik-Verbindungskontaktlöcher oder „LLI-Kontaktlöcher“ (für engl. logic-logic interconnect vias) bezeichnet) durch den Rest der zweiten Aufbauschicht554 gebildet (z. B. unter Verwendung eines Lasers oder anderen, ähnlichen Mitteln gebohrt) werden. Die LLI-Kontaktlöcher564 können in einigen Ausführungsformen verwendet werden, um E-/A-Signale zwischen dem zweiten Chip504 und dem primären Logikchip502 zu übertragen. Bei Block424 können die Lochwände der LLI-Kontaktlöcher564 zum Entfernen von Rückständen und zum Aufrauen gereinigt werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in12 dargestellt. - Bei Block
426 kann der primäre Logikchip502 in der Kavität562 platziert werden. In verschiedenen Ausführungsformen können vor der Platzierung des primären Logikchips502 Lötmittel auf einer Oberfläche des primären Logikchips502 oder durch Drucken von Paste auf dem zweiten Chip504 angeordnet werden. Der primäre Logikchip502 kann derart erwärmt werden, dass die Lötmittel566 in die LLI-Kontaktlöcher564 schmelzen, wodurch LLI-Verbindungen und eine elektrische Verbindung zwischen dem zweiten Chip504 und dem primären Logikchip502 gebildet werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in13 dargestellt. In anderen Ausführungsformen können die beiden Chips anders gebondet werden. Zum Beispiel können anisotrope, elektrisch leitende Klebstoffe, welche eine elektrische Verbindung unter Druck erzeugen, zum Bonden der beiden Chips eingesetzt werden. - Bei Block
428 kann eine vierte Aufbauschicht568 , z. B. von ABF-Laminat, gebildet werden. In einigen Ausführungsformen, wie beispielsweise der in14 dargestellten, kann der primäre Logikchip502 vollständig eingebettet sein. In anderen Ausführungsformen kann der primäre Logikchip502 nur teilweise eingebettet sein. - Bei Block
430 können Kontaktlöcher570 von der zweiten leitenden Schicht556 durch verschiedene Aufbauschichten gebildet werden. Wie zum Beispiel in14 dargestellt, sind die Kontaktlöcher570 durch die vierte Aufbauschicht568 und die dritte Aufbauschicht560 ausgebildet. In verschiedenen Ausführungsformen können diese Kontaktlöcher570 als „V0“-Logikzwischenverbindungen bezeichnet sein. In den in5 bis15 dargestellten Ausführungsformen sind die Kontaktlöcher570 so konfiguriert, dass sie Erdungssignale und Leistung etwas näher am primären Logikchip502 (wenn auch ohne Kontakt mit demselben) übertragen, während sie zu elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen (in5 bis15 nicht dargestellt, Beispiele sind in1 bis3 bei110 ,210 ,310 dargestellt) fortschreiten, die auf einer Oberfläche der Packungsanordnung500 angeordnet sind. In verschiedenen anderen Ausführungsformen, wie beispielsweise in den in1 und2 dargestellten, und allgemeiner können elektrische Pfade zwischen dem zweiten Chip (z. B.104 ,504 ) oder Entkopplungskondensator230 und den Leitbahnführungselementen (110 ,210 ) auf der Oberfläche schrittweise vom primären Logikchip (102 ,202 ,502 ) wegführen. - In verschiedenen Ausführungsformen können Kontaktlöcher zum Übertragen von Nicht-E-/A-Signalen, wie beispielsweise Erdungssignalen und/oder elektrischer Leistung, größer als in herkömmlichen Packungsanordnungen ausgebildet sein, da sie durch das Substrat statt durch den primären Logikchip
502 verlaufen. Dies ist in7 bis15 zu sehen, wo die Kontaktlöcher550 ,558 und570 (welche dem ersten elektrischen Pfad120 in1 entsprechen können) breiter als andere Kontaktlöcher sein können, die nur E-/A-Signale übertragen, wie beispielsweise die Kontaktlöcher564 . TSVs in herkömmlichen Packungsanordnungen können einen Durchmesser von ungefähr ~10 bis 20 µm aufweisen. Die Kontaktlöcher550 ,558 ,570 können dagegen in Abhängigkeit von der Höhe der Kontaktlöcher und anderen elektrischen Überlegungen größer sein, z. B. 100 µm in einigen Ausführungsformen. Solche größeren Kontaktlöcher können mehr Strom und/oder Leistung transportieren. - Bei Block
432 kann eine dritte leitende Schicht572 , welche als L1-Schicht bezeichnet sein kann, auf der Oberseite der vierten Aufbauschicht568 gebildet (z. B. strukturiert und plattiert) werden. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in14 dargestellt. - Bei Block
434 können nachfolgende Aufbauschichten (z. B. 574) gebildet werden. Bei Block436 kann der blanke Kupfernutzen542 getrennt und weggeätzt werden, um einen vollständigen Stapel von Packungsanordnungen500 mit eingebetteten Chips zu erzeugen. Ein Beispiel der Packungsanordnung500 auf dieser Stufe ist in15 dargestellt. Die untere Packungsanordnung500 ist vom blanken Fertigungsnutzen542 entfernt dargestellt. Die äußerste Substratschicht576 (manchmal als „Lötresistschicht“ bezeichnet) mit Spalten578 (manchmal als „Lötresistöffnungen“ bezeichnet) kann so ausgebildet sein, dass elektrische Leitbahnführungsmerkmale (z. B.110 ,210 ,310 ), wie beispielsweise Lötresistkugeln, darin eingefügt werden können. - In einigen Ausführungsformen, wie beispielsweise in den in
1 bis3 dargestellten, sind der primäre Logikchip (102 ,202 ,302 ) und der zweite Chip (204 ) oder der Kondensator (230 ,330 ) vollständig mit der Mehrzahl von Aufbauschichten (108 ,208 ,308 ) eingebettet. In anderen Ausführungsformen jedoch, wie beispielsweise der in15 dargestellten, ist der primäre Logikchip502 vollständig mit den Aufbauschichten eingebettet, und der zweite Chip504 ist so eingebettet, dass eine inaktive Oberfläche574 des zweiten Chips bündig (wie in15 dargestellt) mit der oberen Oberfläche576 der Packungsanordnung500 oder etwas darüber ist. - Verschiedene Vorgänge werden auf eine Weise, die für das Verständnis des beanspruchten Gegenstands am hilfreichsten ist, als mehrere getrennte Vorgänge der Reihe nach beschrieben. Die Reihenfolge der Beschreibung ist jedoch nicht dahingehend auszulegen, dass diese Vorgänge unbedingt von einer Reihenfolge abhängig sind. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unter Verwendung jeder geeigneten, nach Wunsch zu konfigurierenden Hardware und/oder Software in ein System implementiert werden.
-
16 veranschaulicht ein beispielhaftes Computergerät1600 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Packungsanordnungen100 ,200 ,300 und500 , wie hierin beschrieben, können in ein Computergerät, wie beispielsweise das Computergerät1600 , eingebaut werden. Zum Beispiel ist eine Packungsanordnung1100 dargestellt, welche eine Kombination der Packungsanordnung100 von1 und der Packungsanordnung300 von3 umfassen kann. Die Packungsanordnung1110 kann einen vollständig eingebetteten zweiten Chip1104 , einen unterhalb des zweiten Chips1104 eingebetteten primären Logikchip1102 und einen Entkopplungskondensator1330 umfassen, der seitlich versetzt von den beiden Chips eingebettet ist. - In verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens ein Kommunikationschip
1606 physisch und elektrisch mit der Packungsanordnung1100 gekoppelt sein. In weiteren Ausführungsformen kann der Kommunikationschip1606 ein Teil der Packungsanordnung1100 sein, z. B. als ein zusätzlicher Chip, der in Aufbauschichten in der Packungsanordnung1100 eingebettet ist. In verschiedenen Ausführungsformen kann das Computergerät1600 eine PCB1602 umfassen. Für diese Ausführungsformen können die Packungsanordnung1100 und der Kommunikationschip1606 auf der PCB1602 angeordnet sein. In alternativen Ausführungsformen können die verschiedenen Komponenten ohne den Einsatz der PCB1602 gekoppelt sein. - In Abhängigkeit von seinen Anwendungen kann das Computergerät
1600 andere Komponenten umfassen, die physisch und elektrisch mit der PCB1602 gekoppelt sein können oder nicht. Diese anderen Komponenten umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein, einen flüchtigen Speicher (z. B. den dynamischen Direktzugriffspeicher1608 , der auch als „DRAM“ bezeichnet wird), einen nichtflüchtigen Speicher (z. B. den Festwertspeicher1610 , der auch als „ROM“ bezeichnet wird), einen Flash-Speicher1612 , eine Eingabe-/Ausgabe-Steuerung1614 , einen Digitalsignalprozessor (nicht dargestellt), einen Kryptoprozessor (nicht dargestellt), einen Grafikprozessor1616 , eine oder mehrere Antennen1618 , eine Anzeige (nicht dargestellt), ein Touchscreen-Display1620 , eine Touchscreen-Steuerung1622 , eine Batterie1624 , einen Audio-Codec (nicht dargestellt), einen Video-Codec (nicht dargestellt), ein Gerät mit globalem Positionsbestimmungssystem („GPS“)1628 , einen Kompass1630 , einen Beschleunigungsmesser (nicht dargestellt), ein Gyroskop (nicht dargestellt), einen Lautsprecher1632 , eine Kamera1634 und ein Massenspeichergerät (wie beispielsweise ein Festplattenlaufwerk, ein Festkörperlaufwerk, eine Kompaktspeicherplatte („CD“), eine digitale Video-Disk („DVD“) (nicht dargestellt) und so weiter. In verschiedenen Ausführungsformen können verschiedene Komponenten mit anderen Komponenten integriert sein, um einen Systemchip („SoC“ für engl. System on Chip) zu bilden. In weiteren Ausführungsformen können einige Komponenten, wie beispielsweise der DRAM1608 , in die oder innerhalb der Packungsanordnung1100 eingebettet sein. - Die Kommunikationschips
1606 können drahtgebundene und/oder drahtlose Kommunikation für die Übertragung von Daten zu und vom Computergerät1600 ermöglichen. Der Begriff „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, um Schaltungen, Bauelemente, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung von modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nicht festes Medium kommunizieren können. Der Begriff bedeutet nicht, dass die dazugehörigen Geräte keine Drähte enthalten, obwohl dies in einigen Ausführungsformen der Fall sein könnte. Der Kommunikationschip1606 kann einen beliebigen von einer Anzahl von Drahtlosstandards oder -protokollen implementieren, die ohne darauf beschränkt zu sein, umfassen: IEEE 702.20, allgemeinen paketvermittelten Funkdienst („GPRS“), Evolution Data Optimized („Ev-DO“), evolvierten Hochgeschwindigkeits-Packetzugang („HSPA+“), evolvierten Hochgeschwindigkeits-Abwärts-Packetzugang („HSDPA+“), evolvierten Hochgeschwindigkeits-Aufwärts-Packetzugang („HSUPA+“), globales System für mobile Kommunikationen („GSM“), erhöhte Datenrate für GSM-Evolution („EDGE“), Codemultiplexzugriff („CDMA“), Zeitmultiplexzugriff („TDMA“), Digital Enhanced Cordless Telecommunications („DECT“), Bluetooth, Ableitungen davon sowie alle andere Drahtlosprotokolle, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden. Das Computergerät1600 kann eine Mehrzahl von Kommunikationschips1606 umfassen. Zum Beispiel kann ein erster Kommunikationschip1606 drahtlosen Kommunikationen mit kürzerer Reichweite zugeordnet sein, wie beispielsweise Wi-Fi und Bluetooth, und ein zweiter Kommunikationschip1606 kann drahtlosen Kommunikation mit einer größeren Reichweite zugeordnet sein, wie beispielsweise GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, Ev-DO und anderen. - In verschiedenen Implementierungen kann das Computergerät
1600 ein Laptop, ein Netbook, ein Notebook, ein Ultrabook, ein Smartphone, ein Tablet-Computer, ein persönlicher digitaler Assistent („PDA“), ein Ultra-Mobile PC, ein Mobiltelefon, ein Tischcomputer, ein Server, ein Drucker, ein Scanner, ein Monitor, eine Set-Top-Box, eine Unterhaltungssteuereinheit (z. B. eine Spielkonsole), eine Digitalkamera, ein tragbares Musikabspielgerät oder ein digitaler Videorekorder sein. In weiteren Implementierungen kann das Computergerät1600 ein beliebiges anderes elektronisches Gerät sein, welches Daten verarbeitet. - In verschiedenen Ausführungsformen werden hierin Packungsanordnungen sowie Verfahren zur Bildung von Packungsanordnungen und Systeme beschrieben, welche Packungsanordnungen umfassen. Eine Packungsanordnung kann ein Substrat umfassen, das eine Mehrzahl von Aufbauschichten, wie beispielsweise BBUL, umfasst. In verschiedenen Ausführungsformen können elektrische Leitbahnführungsmerkmale auf einer Außenfläche des Substrats angeordnet sein. In verschiedenen Ausführungsformen können ein primärer Logikchip und ein zweiter Chip oder Kondensator in die Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein elektrischer Pfad in der Mehrzahl von Aufbauschichten definiert sein, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal zwischen dem zweiten Chip oder Kondensator und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen unter Umgehung des primären Logikchips zu übertragen.
- In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Chip oder Kondensator ein sekundärer Logikchip oder ein Speicherchip sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann der primäre Logikchip ein oder mehrere Kontaktlöcher zwischen einer ersten Oberfläche des primären Logikchips und einer zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche des primären Logikchips umfassen. In verschiedenen Ausführungsformen ist der elektrische Pfad ein erster elektrischer Pfad, und die Packungsanordnung kann ferner einen zweiten elektrischen Pfad umfassen, der in der Mehrzahl von Aufbauschichten von einer aktiven Oberfläche des sekundären Logikchips oder Speicherchips zu dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern definiert ist, um E-/A-Signale zwischen dem primären Logikchip und dem sekundären Logikchip oder Speicherchip zu übertragen. In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Chip oder Kondensator ein Energieverwaltungschip sein.
- In verschiedenen Ausführungsformen können der erste Chip und der zweite Chip oder Kondensator vollständig in die Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Außenfläche des Substrats eine erste Außenfläche sein, der erste Chip kann vollständig innerhalb der Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet sein, und eine Oberfläche des zweiten Chips kann mit einer zweiten Außenfläche des Substrats gegenüber der ersten Außenfläche bündig sein. In verschiedenen Ausführungsformen können der primäre Logikchip und der zweite Chip oder Kondensator ungefähr koplanar sein. In verschiedenen Ausführungsformen kann der primäre Logikchip in der Mehrzahl von Aufbauschichten zwischen den zweiten Chip oder Kondensator und die elektrischen Leitbahnführungsmerkmale eingebettet sein.
- In verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite elektrische Pfad eine leitende Schicht zwischen zweien der Mehrzahl von Aufbauschichten umfassen, um das elektrische Leistungs- oder Erdungssignal, das zwischen dem zweiten Chip und elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen durchläuft, vom primären Logikchip entfernt zu übertragen. In verschiedenen Ausführungsformen kann die leitende Schicht eine erste leitende Schicht sein, und der elektrische Pfad kann eine zweite leitende Schicht zwischen zweien der Mehrzahl von Aufbauschichten umfassen. In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite leitende Schicht parallel zur ersten leitenden Schicht und näher zu den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen als die erste leitende Schicht sein.
Claims (10)
- Packungsanordnung, umfassend: ein Substrat (106), das eine Mehrzahl von Aufbauschichten (108) umfasst; elektrische Leitbahnführungsmerkmale (110), die auf einer Außenfläche des Substrats (106) angeordnet sind; einen primären Logikchip (102), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet ist, wobei der primäre Logikchip (102) ein oder mehrere Kontaktlöcher (116) zwischen einer ersten, aktiven Oberfläche (112) des primären Logikchips (102) und einer zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche (114) des primären Logikchips (102) umfasst; einen zweiten Chip oder Kondensator (104), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet ist, wobei der zweite Chip oder Kondensator (104) einen sekundären Logikchip oder einen Speicherchip umfasst; einen ersten elektrischen Pfad (122), der in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) definiert ist, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal zwischen dem zweiten Chip (104) oder Kondensator und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen (110) zu übertragen, wobei der erste elektrische Pfad (122) den primären Logikchip umgeht; und einen zweiten elektrischen Pfad (118), der in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) von einer aktiven Oberfläche (120) des sekundären Logikchips oder Speicherchips (104) zu dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern (116) definiert ist, um Eingangs-/Ausgangs (E-/A)-Signale zwischen dem primären Logikchip (102) und dem sekundären Logikchip oder Speicherchip (104) zu übertragen.
- Packungsanordnung nach
Anspruch 1 , wobei der zweite Chip oder Kondensator (104) einen Energieverwaltungschip umfasst. - Packungsanordnung nach
Anspruch 1 , wobei der primäre Logikchip (102) und der zweite Chip oder Kondensator (104) ungefähr koplanar sind. - Packungsanordnung nach
Anspruch 1 , wobei der primäre Logikchip (102) in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) zwischen den zweiten Chip oder Kondensator (104) und die elektrischen Leitbahnführungsmarkmale (110) eingebettet ist. - Packungsanordnung nach
Anspruch 4 , wobei der erste elektrische Pfad (122) eine leitende Schicht zwischen zweien der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) umfasst, um das elektrische Leistungs- oder Erdungssignal, das zwischen dem zweiten Chip oder Kondensator (104) und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen (110) durchläuft, vom primären Logikchip (102) entfernt zu übertragen. - Packungsanordnung nach
Anspruch 5 , wobei die leitende Schicht (126) eine erste leitende Schicht ist, und der erste elektrische Pfad (122) eine zweite leitende Schicht zwischen zweien der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) umfasst, wobei die zweite leitende Schicht parallel zur ersten leitenden Schicht (126) und näher zu den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen (110) als die erste leitende Schicht ist. - Packungsanordnung nach
Anspruch 1 , wobei der erste Chip (102) und der zweite Chip oder Kondensator (104) vollständig innerhalb der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet sind. - Packungsanordnung nach
Anspruch 1 , wobei die Außenfläche des Substrats (106) eine erste Außenfläche ist, der erste Chip (102) vollständig innerhalb der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) eingebettet ist, und eine Oberfläche des zweiten Chips (104) mit einer zweiten Außenfläche des Substrats (106) gegenüber der ersten Außenfläche bündig ist. - Verfahren, umfassend: Bilden eines Substrats, das eine Mehrzahl von Aufbauschichten umfasst; Bilden von elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen auf einer Außenfläche des Substrats; Einbetten eines primären Logikchips in die Mehrzahl von Aufbauschichten, wobei der primäre Logikchip ein oder mehrere Kontaktlöcher zwischen einer ersten, aktiven Oberfläche des primären Logikchips und einer zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche des primären Logikchips umfasst; Einbetten eines zweiten Chips oder Kondensators in die Mehrzahl von Aufbauschichten, wobei der zweite Chip oder Kondensator einen sekundären Logikchip oder einen Speicherchip umfasst; und Bilden eines ersten elektrischen Pfades in der Mehrzahl von Aufbauschichten, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal zwischen dem zweiten Chip oder Kondensator und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen zu übertragen, wobei der erste elektrische Pfad den primären Logikchip umgeht. Bilden eines zweiten elektrischen Pfades, der in der Mehrzahl von Aufbauschichten von einer aktiven Oberfläche des sekundären Logikchips oder Speicherchips zu dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern definiert ist, um Eingangs-/Ausgangs (E-/A)-Signale zwischen dem primären Logikchip und dem sekundären Logikchip oder Speicherchip zu übertragen.
- System, umfassend: eine gedruckte Leiterplatte [PCB] (1602); und eine Packungsanordnung (1100), die über elektrische Leitbahnführungsmerkmale, die auf einer Außenfläche der Packungsanordnung (1100) angeordnet sind, mit der PCB (1602) gekoppelt ist, wobei die Packungsanordnung (1100) umfasst: ein Substrat, das eine Mehrzahl von Aufbauschichten umfasst; einen primären Logikchip (1102), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet ist, wobei der primäre Logikchip (102) ein oder mehrere Kontaktlöcher (116) zwischen einer ersten, aktiven Oberfläche (112) des primären Logikchips (102) und einer zweiten, gegenüberliegenden Oberfläche (114) des primären Logikchips (102) umfasst; einen zweiten Chip oder Kondensator (1104), der in die Mehrzahl von Aufbauschichten eingebettet ist, wobei der zweite Chip oder Kondensator (104) einen sekundären Logikchip oder einen Speicherchip umfasst; einen ersten elektrischen Pfad, der in der Mehrzahl von Aufbauschichten definiert ist, um elektrische Leistung oder ein Erdungssignal zwischen dem zweiten Chip oder Kondensator und den elektrischen Leitbahnführungsmerkmalen zu übertragen, wobei der erste elektrische Pfad den primären Logikchip umgeht; und einen zweiten elektrischen Pfad (118), der in der Mehrzahl von Aufbauschichten (108) von einer aktiven Oberfläche (120) des sekundären Logikchips oder Speicherchips (104) zu dem einen oder den mehreren Kontaktlöchern (116) definiert ist, um Eingangs-/Ausgangs (E-/A)-Signale zwischen dem primären Logikchip (102) und dem sekundären Logikchip oder Speicherchip (104) zu übertragen.
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Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10283443B2 (en) * | 2009-11-10 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip package having integrated capacitor |
US9202782B2 (en) * | 2013-01-07 | 2015-12-01 | Intel Corporation | Embedded package in PCB build up |
US9331054B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-05-03 | Mediatek Inc. | Semiconductor package assembly with decoupling capacitor |
US9595526B2 (en) * | 2013-08-09 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Multi-die fine grain integrated voltage regulation |
US10468381B2 (en) | 2014-09-29 | 2019-11-05 | Apple Inc. | Wafer level integration of passive devices |
JP2017204511A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
US10660208B2 (en) * | 2016-07-13 | 2020-05-19 | General Electric Company | Embedded dry film battery module and method of manufacturing thereof |
JP6692258B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2020-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI765944B (zh) * | 2016-12-14 | 2022-06-01 | 成真股份有限公司 | 標準大宗商品化現場可編程邏輯閘陣列(fpga)積體電路晶片組成之邏輯驅動器 |
JP6936584B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2021-09-15 | 株式会社アムコー・テクノロジー・ジャパン | 電子デバイス及びその製造方法 |
WO2018182595A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Intel Corporation | Embedded die microelectronic device with molded component |
JP2019071393A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-09 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
KR102450580B1 (ko) | 2017-12-22 | 2022-10-07 | 삼성전자주식회사 | 금속 배선 하부의 절연층 구조를 갖는 반도체 장치 |
JP7157028B2 (ja) * | 2019-09-17 | 2022-10-19 | アオイ電子株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR102596756B1 (ko) * | 2019-10-04 | 2023-11-02 | 삼성전자주식회사 | PoP 구조의 반도체 패키지 |
CN111293078B (zh) * | 2020-03-17 | 2022-05-27 | 浙江大学 | 一种转接板正反两面空腔嵌入芯片的方法 |
KR20220059722A (ko) | 2020-11-03 | 2022-05-10 | 삼성전자주식회사 | Bs-pdn 구조를 가진 집적회로 칩 |
US11973057B2 (en) * | 2020-12-15 | 2024-04-30 | Analog Devices, Inc. | Through-silicon transmission lines and other structures enabled by same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060049995A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Toshikazu Imaoka | Integrated antenna type circuit apparatus |
US20120056316A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Different Height Conductive Pillars to Electrically Interconnect Stacked Laterally Offset Semiconductor Die |
US20120074580A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Nalla Ravi K | Methods of forming fully embedded bumpless build-up layer packages and structures formed thereby |
US20120161331A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Javier Soto Gonzalez | Multi-chip package having a substrate with a plurality of vertically embedded die and a process of forming the same |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227013A (en) * | 1991-07-25 | 1993-07-13 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Forming via holes in a multilevel substrate in a single step |
JP2001230515A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装体、電子部品の実装体の製造方法、および実装体の二次実装構造。 |
JP2002270712A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Sony Corp | 半導体素子内蔵多層配線基板と半導体素子内蔵装置、およびそれらの製造方法 |
FI115285B (fi) | 2002-01-31 | 2005-03-31 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja kontaktin muodostamiseksi |
JP4381269B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2009-12-09 | 三洋電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US20070013080A1 (en) | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Intel Corporation | Voltage regulators and systems containing same |
JP5245209B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2013-07-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4976840B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-07-18 | 株式会社東芝 | プリント配線板、プリント配線板の製造方法および電子機器 |
JP5138277B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-02-06 | 京セラSlcテクノロジー株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
KR100885924B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | 삼성전자주식회사 | 묻혀진 도전성 포스트를 포함하는 반도체 패키지 및 그제조방법 |
US20090072382A1 (en) | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Guzek John S | Microelectronic package and method of forming same |
US7834464B2 (en) * | 2007-10-09 | 2010-11-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip package, semiconductor chip assembly, and method for fabricating a device |
JPWO2009048154A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2011-02-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその設計方法 |
WO2009097489A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Innovent Technologies, Llc | Method and apparatus for manufacture of via disk |
US8035216B2 (en) | 2008-02-22 | 2011-10-11 | Intel Corporation | Integrated circuit package and method of manufacturing same |
JP2010004028A (ja) | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法、及び半導体装置 |
JP5001903B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-08-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8093704B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-01-10 | Intel Corporation | Package on package using a bump-less build up layer (BBUL) package |
US10251273B2 (en) | 2008-09-08 | 2019-04-02 | Intel Corporation | Mainboard assembly including a package overlying a die directly attached to the mainboard |
JP5471605B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2014-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102439719B (zh) * | 2009-05-14 | 2015-06-24 | 高通股份有限公司 | 系统级封装 |
US8110920B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-02-07 | Intel Corporation | In-package microelectronic apparatus, and methods of using same |
JP5715334B2 (ja) | 2009-10-15 | 2015-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8742561B2 (en) | 2009-12-29 | 2014-06-03 | Intel Corporation | Recessed and embedded die coreless package |
US8810008B2 (en) * | 2010-03-18 | 2014-08-19 | Nec Corporation | Semiconductor element-embedded substrate, and method of manufacturing the substrate |
US8754516B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-06-17 | Intel Corporation | Bumpless build-up layer package with pre-stacked microelectronic devices |
US8786066B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-07-22 | Intel Corporation | Die-stacking using through-silicon vias on bumpless build-up layer substrates including embedded-dice, and processes of forming same |
US8466559B2 (en) * | 2010-12-17 | 2013-06-18 | Intel Corporation | Forming die backside coating structures with coreless packages |
US8421245B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-04-16 | Intel Corporation | Substrate with embedded stacked through-silicon via die |
JP2012248754A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
-
2012
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2016
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- 2016-11-08 US US15/346,568 patent/US10453799B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060049995A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Toshikazu Imaoka | Integrated antenna type circuit apparatus |
US20120056316A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Different Height Conductive Pillars to Electrically Interconnect Stacked Laterally Offset Semiconductor Die |
US20120074580A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Nalla Ravi K | Methods of forming fully embedded bumpless build-up layer packages and structures formed thereby |
US20120161331A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Javier Soto Gonzalez | Multi-chip package having a substrate with a plurality of vertically embedded die and a process of forming the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10453799B2 (en) | 2019-10-22 |
GB2509384A (en) | 2014-07-02 |
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