DE112008000485T5 - Platine und Herstellungsverfahren derselben - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920005678 polyethylene based resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005673 polypropylene based resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
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- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/207—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
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- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
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- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
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- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
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- Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
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Abstract
Verfahren zur Herstellung einer Platine, aufweisend ein Substrat mit einer Oberfläche, auf der erwünschte Metallverdrahtungen ausgebildet sind, aufweisend mindestens die Schritte:
Verwenden einer Form, welche Vorsprünge besitzt, die auf einer Oberfläche in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet sind, und Auftragen einer leitfähige Materialschicht auf Stirnabschnitte der Vorsprünge der Form;
Druckschweißen der Form, welche die Vorsprünge mit den Stirnabschnitten besitzt, auf welche die leitfähige Materialschicht aufgetragen worden ist, auf die Oberfläche des Substrats, und Übertragen eines Musters, aufweisend die Vorsprünge und die leitfähige Materialschicht, auf die Oberfläche des Substrats; und
Ausbilden von Metallverdrahtungen in Ausnehmungen, welche im vorherigen Schritt beim Übertragen des Musters unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschicht als Basismaterial ausgebildet sind.
Verwenden einer Form, welche Vorsprünge besitzt, die auf einer Oberfläche in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet sind, und Auftragen einer leitfähige Materialschicht auf Stirnabschnitte der Vorsprünge der Form;
Druckschweißen der Form, welche die Vorsprünge mit den Stirnabschnitten besitzt, auf welche die leitfähige Materialschicht aufgetragen worden ist, auf die Oberfläche des Substrats, und Übertragen eines Musters, aufweisend die Vorsprünge und die leitfähige Materialschicht, auf die Oberfläche des Substrats; und
Ausbilden von Metallverdrahtungen in Ausnehmungen, welche im vorherigen Schritt beim Übertragen des Musters unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschicht als Basismaterial ausgebildet sind.
Description
- Technisches Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Platine und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine Platine einschließlich eines Dünnfilmsubstrats, das aus einem Harzmaterial und dergleichen ausgebildet ist und die Oberfläche besitzt, auf der Metallverdrahtungen in einem erwünschten Muster ausgebildet sind, und sie auch ein Herstellungsverfahren derselben betrifft.
- Hintergrund der Erfindung
- Trockenprozesse mit Vakuumverdampfung, Zerstäubung und dergleichen sind als Verfahren zum Ausbilden einer mikrofabrizierten Platine auf der Oberfläche eines Dünnfilmharzsubstrats bekannt. Zudem ist auch ein subtraktives Verfahren weit verbreitet, wobei dieses Verfahren einschließt: Bedecken der gesamten Oberfläche eines Substrats einschließlich, zum Beispiel, eines Polyimidharzes mit einem Metallfilm einschließlich, zum Beispiel, einer Kupferfolie um ein Metallbeschichtungsmaterial herzustellen; und Entfernen von unnötigen Metallfilmabschnitten durch einen Ätzvorgang mit Photolithographie oder dergleichen. Im Falle von diesem subtraktiven Verfahren ist es jedoch schwierig, eine mikrofabrizierte Verdrahtung mit einer Breite von circa 30 μm oder weniger auszubilden. Daher wurden weitere technologische Innovationen für die Herstellung von Platinensubstrate hoher Dichte der nächsten Generation erwartet.
- Dieser Nachfrage zur Folge offenbart Patentdokument 1 ein Verfahren zur Herstellung für eine Metallverdrahtung auf einem Polyimidfilm. In dem Verfahren wird eine Chemikalie, die Polyimid zersetzen kann, bei ausgewählten Abschnitten unter Verwendung eines Lithographieapparates oder dergleichen auf einem Polyimidfilm derart aufgetragen, dass ausgewähltes Ätzen für eine Ausnehmungsausbildung ausgeführt wird. Zu diesem Zeitpunkt sind übrige Polyimidabschnitte auf der Filmoberfläche so modifiziert, dass sie in der Lage sind, Metallionen zu adsorbieren. Anschließend treten eine Metallionen beinhaltende Lösung und die Polyimidabschnitte so miteinander in Kontakt, dass Metallionen ausschließlich an den modifizierten Abschnitten adsorbiert werden. Dann tritt ein Metallionen reduzierender Mittler mit den Metallionen derart in Kontakt, dass Metall(oxid)nanopartikelverbindungen in Polyimidausnehmungen, die durch Ätzen wie obenstehend beschrieben ausgebildet wurden, aufgebracht werden. Schließlich wird ein stromloser oder elektrolytischer Plattiervorgang derart ausgeführt, dass ein Metallfilm in jeder Ausnehmung aufgebracht wird, was in einer Ausbildung einer mikrofabrizierten Schaltung resultiert. Das Dokument beschreibt, dass das Verfahren eine preiswertere Produktion einer mikrofabrizierten Verdrahtung in einem größerem Umfang erlaubt, als der, der durch ein allgemein bekanntes subtraktives Verfahren erhalten wird.
- [Patentdokument 1]
JP Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2005-29735 A - Offenbarung der Erfindung
- Aufgabenstellung der Erfindung
- Im obenstehenden Verfahren sind Ausnehmungen für Verdrahtungen auf der Oberfläche eines Polyimidfilms ausgebildet, der durch chemisches Ätzen als Substrat dient. In diesem Fall wird das Ätzen auf isotropische Weise ausgeführt. Daher, wenn die notwendige Verdrahtungsfilmstärke 10 μm oder dünner ist, kann davon ausgegangen werden, dass eine mikrofabrizierte Platine ausgebildet wird. Wenn jedoch eine große Verdrahtungsfilmstärke notwendig ist, sind Ausbildungen von Ausnehmungen mit großer Breite unumgänglich. Demzufolge wird es schwierig, eine Mikrofabrikation und eine Ausbildung von Verdrahtungen hoher Dichte zu erreichen. Es ist auch schwierig, Verdrahtungen mit einem Seitenverhältnis von 1 und mehr auszubilden. Dies macht es auch schwierig, eine Mikrofabrikation für Verdrahtungen zu erreichen. Weiter, im obenstehenden Fall, werden Chemikalien auf einem Polyimidfilm auf sequentielle Weise aufgetragen, was in einem Anstieg der Anzahl von Vorgangsschritten resultiert und zu einem unumgänglichen Anstieg der Kosten führt.
- Die vorliegende Erfindung ist in Hinblick auf die obenstehenden Probleme gemacht worden. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Herstellungsverfahren, einschließlich der Herstellung einer Platine mit einer weiter mikrofabrizierten Platine in weiter vereinfachten Schritten bereitzustellen. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Platine bereitzustellen, die durch das obenstehende Herstellungsverfahren erhalten wird.
- Mittel zum Lösen des Problems
- Das Verfahren zur Herstellung einer Platine mit einem Substrat mit einer Oberfläche, auf der erwünschte Metallverdrahtungen gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind, umfasst zumindest die Schritte: Verwenden einer Form, die Vorsprünge auf einer Oberfläche in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet hat, und Auftragen einer leitfähigen Materialschicht auf Stirnabschnitten der Vorsprünge der Form; Druckschweißen der Form, welche die Vorsprünge mit den Stirnabschnitten besitzt, auf welche die leitfähige Materialschicht aufgetragen worden ist, auf die Oberfläche des Substrats und Übertragen eines Musters, einschließlich der Vorsprünge und der leitfähigen Materialschicht auf die Oberfläche des Substrats; und Ausbilden von Metallverdrahtungen in Ausnehmungen, die im vorherigen Schritt bei der Übertragung des Musters unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschicht als Basismaterial ausgebildet sind.
- Im obenstehenden Herstellungsverfahren wird das auf der Form ausgebildete Vorsprungmuster direkt auf die Substratseite übertragen, und somit kann eine Ausnehmung mit einem beliebigen Seitenverhältnis (d. h., das Verhältnis von Tiefe zu Breite) auf der Substratoberfläche ausgebildet werden. Demzufolge kann ein Ausnehmungsmuster das bei höherer Dichte mikrofabriziert ist auf der Substratoberfläche ausgebildet werden. Zudem resultiert das Druckschweißen der Form auf die Substratoberfläche in einer zeitgleichen Übertragung des Vorsprungmusters auf die Substratoberfläche und einer leitfähigen Substratschicht auf die Bodenseite jeder ausgebildeten Ausnehmung. Daher können Verfahren zur Herstellung vereinfacht werden. Weiter resultiert dieses Druckschweißen in stabilen Übertragungsbedingungen der leitfähigen Materialschicht auf die Substratseite.
- Eine leitfähige Materialschicht, die auf den Bodenabschnitt jeder Ausnehmung, die auf einem Substrat ausgebildet ist, übertragen wird, wird als Basismaterial genutzt, um eine Metallverdrahtung in jeder Ausnehmung auszubilden. Somit kann die Platine der vorliegenden Erfindung erhalten werden. Wie obenstehend beschrieben, ist das Ausnehmungsmuster, das auf der Substratoberfläche ausgebildet ist, in hoher Dichte mikrofabriziert und es kann somit eine Platine mit einer hohen Verdrahtungsdichte erhalten werden. Im Falle der Platine der vorliegenden Erfindung kann der Hochstromfluss durch die Verdrahtungsabschnitte, durch Festlegen eines Musters einschließlich einer Verdrahtung mit hohen Seitenverhältnissen, aufgelöst werden. Somit wird die Platine der vorliegenden Erfindung in Bezug auf Isolationszuverlässigkeit nicht beeinträchtigt, wenn sie als Montageplatte verwendet wird, selbst wenn die Platine mikrofabriziert ist (Ausbildung hoher Dichte).
- Im Verfahren zur Herstellung einer Platine der vorliegenden Erfindung enthalten die, die leitfähige Materialschicht bildenden Beispiele von Materialien, welche verwendet werden können, eine Metallpaste einschließlich einer Mischung aus anorganischen Metallpartikeln und einer Lösung, und eine Resinatpaste einschließlich einer Mischung aus einer organischen Metallkomponente und einer Lösung, sind darauf aber nicht beschränkt. Eine Metallpaste ist nicht beschränkt bzw. beschränkend; jedoch ist insbesondere eine Kupferpaste, welche ein Niedrig-Widerstand Material ist, vorzuziehen. Zusätzlich zum Obenstehenden kann auch eine Silberpaste, eine Goldpaste, eine Nickelpaste und dergleichen verwendet werden. In diesem Fall sind die Partikelgrößen von Metallpartikeln vorzugsweise circa mehrere bis mehrere hundert Nanometer groß. Beispiele einer Resinatpaste enthalten ein Kupferresinat, ein Silberresinat, ein Goldresinat und ein Nickelresinat. Im Falle einer Metallpaste, wird die Übertragung auf das Substrat über Hitze und Druckschweißen ausgeführt. Demgemäß findet ein Sintervorgang von Metallpartikeln statt, und es wird somit ein Metallfilm erhalten. Manche Abschnitte des Films sind in die Substratseite eingebettet und zeigen an, dass die Übertragung des Metallfilms auf die Substratseite sicher stattfindet. Die Sintertemperatur kann abhängig von dem verwendeten Material für das Substrat festgelegt werden; vorzugsweise ist sie jedoch 100°C bis 500°C.
- Im Verfahren zur Herstellung einer Platine der vorliegenden Erfindung kann ein beliebiges Material als Material für eine Form verwendet werden, vorausgesetzt dass Vorsprünge auf der Form ausgebildet werden können und die Form resistent auf metallische und thermische Beanspruchungen ist, wenn sie auf die Substratseite übertragen wird. Bevorzugte Beispiele eines Materials, dass verwendet werden kann, enthalten Glas, Silikon, Quarz, Edelstahl, Harze und Metalle. Beispiele eines Metallmaterials enthalten: Nickel und dessen Legierungen; und Edelstahl. In Hinblick auf die Langlebigkeit und Positionsgenauigkeit sind jedoch insbesondere Nickel und dessen Legierungen zu bevorzugen.
- Um Ausbildungen in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters auf der Oberfläche der Form auszubilden, können allgemein bekannte Verfahren wie Mikroätzen, Elektroformen (electrocasting) und mikrokontakt Drucken verwendet werden. Ein geeignetes Verfahren wird abhängig vom verwendeten Material verwendet. Zwischen diesen Verfahren ist mikrokontakt Drucken vorzuziehen. Die Verwendung von diesem Verfahren erlaubt die Ausbildung eines Vorsprung(schaltungs-)musters mit einer Vorsprungbreite von zum Beispiel 30 μm oder weniger.
- Die Breiten und die Höhen von Vorsprüngen, die in einer Form ausgebildet werden, und der Abstand zwischen jedem der zwei Vorsprünge, sind abhängig vom Schaltungsmuster festgelegt, das zum Erlangen einer Platine benötigt wird. In einem Beispiel ist die Vorsprungbreite circa 5 μm bis 300 μm, die Vorsprunghöhe circa 5 μm bis 500 μm und der Abstand zwischen jedem der zwei Vorsprünge circa 5 μm bis 300 μm. Bei allen Vorsprüngen kann eine identische Breite und eine identische Höhe aufgetragen werden, oder manche Vorsprünge unterschiedliche Breiten und Höhen besitzen.
- Im Verfahren zur Herstellung einer Platine der vorliegenden Erfindung kann ein beliebiges Material für eine Substanz verwendet werden, so lange es ein nichtleitfähiges Material ist. Materialien, die für gewöhnlich für diese Arten von Platinen verwendet werden, können in geeigneter Weise verwendet werden. Dieses Material ist vorzugsweise ein dünner Film mit einer Stärke von circa 10 μm bis 1000 μm. Im Hinblick auf die Einfachheit von Übertragung und Aufrechterhaltung eines Musters einschließlich durch Übertragung ausgebildete Ausnehmungen, ist insbesondere ein thermoplastisches Harz oder ein aushärtbares Harz zu bevorzugen. Beispiele von diesem Harz enthalten auf Polypropylen basierende Harze, auf Polystyren basierende Harze, auf Polyethylen basierende Harze, Polyacrylonitril, Vinylchlorid, Polycarbonat, Polyethylenterephthalat, Polytetrafluorethylen, Polyetheretherketon, Polyethylennaphthalat und Polyamidsäureharze welche Polyimidausgangsstoffe sind. Davon sind Polyamidharze mit hohen thermischen, mechanischen und chemischen Eigenschaften zu bevorzugen.
- Im Verfahren zur Herstellung einer Platine der vorliegenden Erfindung ist ein spezielles Beispiel des Schrittes der Ausbildung von Metallverdrahtungen unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschicht als Basismaterial ein Schritt, der die Ablagerung eines Metallfilms in jeder Ausnehmung unter Verwendung der leitfähigen Materialschicht als Kern über einen bekannten stromlosen oder elektrolytischen Vorgang verursacht. Wenn ein elektrolytischer Plattiervorgang durchgeführt wird, funktioniert die obenstehende übertragene leitfähige Materialschicht als Saatschicht. Wenn ein stromloser Plattiervorgang durchgeführt wird, funktioniert die obenstehende übertragene leitfähige Materialschicht als Plattierkatalysatorkern. Stromloses plattieren wird vorzugsweise zur Ausbildung einer Verdrahtung mit einer dünnen Filmstärke (z. B., circa 50 μm oder weniger) verwendet. Elektrolytisches Plattieren wird vorzugsweise zur Ausbildung einer Verdrahtung mit einer stärkeren Filmstärke als im obenstehenden Fall verwendet.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch ein anderes Beispiel einer Platine offenbart, dass durch das obenstehende Herstellungsverfahren hergestellt ist. Diese Platine ist dadurch gekennzeichnet, dass Ausnehmungen auf der Oberfläche eines Substrats in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet sind, dass eine leitfähige Materialschicht auf der Bodenfläche jeder Ausnehmung ausgebildet ist, und dass eine Metallverdrahtung in jeder Ausnehmung als Resultat einer Ablagerung eines Metallfilms unter Verwendung der leitfähigen Materialschicht als Kern über einen stromlosen oder elektrolytischen Plattiervorgang ausgebildet ist.
- In der obenstehenden Platine können manche Metallverdrahtungen ein sich von denen der Anderen unterscheidendes Seitenverhältnis besitzen, oder alle Metallverdrahtungen identische Seitenverhältnisse besitzen. In der Platine kann eine Metallverdrahtung mit einem Seitenverhältnis von 1 oder mehr enthalten sein.
- Im Falle der obenstehenden Platine ist die Metallverdrahtungsbreite circa 5 μm bis 300 μm, die Metallverdrahtungshöhe circa 5 μm bis 500 μm und der Metallverdrahtungsabstand circa 5 μm bis 300 μm, obwohl es keine Beschränkung gibt. Die Platine weist vorzugsweise einen Harzfilm auf. Die Filmstärke beträgt circa 10 μm bis 1000 μm, ist darauf aber nicht beschränkt. Ein Material für ein Substrat und ein Material das als leitfähiges Material verwendet wird, betreffen wie obenstehend beschrieben das Herstellungsverfahren.
- Die Platine der vorliegenden Erfindung ist eine Montageplatte hoher Dichte mit exzellenter Beständigkeit und kann somit effektiv als Interposer bzw. Zwischenstück, fest-flexibel-Platine oder dergleichen verwendet werden.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird es möglich, eine Platine mit einem weiter mikrofabrizierten Schaltungsmuster in weiter vereinfachten Schritten herzustellen.
- Kurze Beschreibung der Figuren
-
1 zeigt eine Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Platine der vorliegenden Erfindung in Reihenfolge der Herstellungsschritte. -
2 zeigt eine andere Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Platine der vorliegenden Erfindung in der Reihenfolge der Herstellungsschritte. - Erklärung der Bezugszeichen
-
10 : Form;11 : Vorsprung;13 : Leitfähige Materialschicht (Metallpaste);20 : Substrat;30 : Harzformteil;31 : Ausnehmung;32 : Metallverdrahtung; und35 : Platine - Beste Form zum Ausführen der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung ist nachstehend in den folgenden Ausführungsformen mit Bezug zu den Zeichnungen detailreicher beschrieben. Es ist jedoch als selbstverständlich zu verstehen, dass der technische Umfang der vorliegenden Erfindung nicht auf die Ausführungsformen beschränkt ist.
- (Ausführungsform 1)
-
1 stellt eine erste Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Platine der vorliegenden Erfindung in der Reihenfolge der Herstellungsschritte dar. In1 bezeichnet Bezugszeichen „10 ” eine Form. Vorsprünge11 wurden auf der flachen Flächenseite einer Nickellegierungsplatte mit mindestens einer flachen Fläche durch einen allgemein bekannten Elektroformvorgang derart ausgebildet, dass sie in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet wurden, das auf der Oberfläche einer Platine, die erhalten wird, ausgebildet wird. Im Falle einer Form10 , dargestellt in1a , wurden Vorsprünge11a und11b mit verschiedenen Höhen in einer derartigen Weise ausgebildet, dass ein Vorsprung11b1 eine größere Breite als die Breiten der anderen Vorsprünge11b besitzt. - Die Breiten der Vorsprünge
11a und11b wurden jeweils auf 5 μm festgelegt. Die Breite eines Vorsprungs11b1 wurde auf 20 μm festgelegt. Der Abstand zwischen jedem der zwei Vorsprünge wurde auf 5 μm festgelegt. Die Höhen der Vorsprünge11a und11b wurden auf 15 μm bzw. 5 μm festgelegt. - Als nächstes, wie in
1b dargestellt, wurde eine Kupferpaste, die hauptsächlich aus Kupfernanopartikeln mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 10 nm bestehen, in einer Stärke von circa 3 μm auf den Stirnabschnitten der Vorsprünge11 der erhaltenen Form10 aufgetragen. Somit wurde eine leitfähige Materialschicht13 erhalten. - Anschließend, wie in
1c gezeigt, wurde ein Polyamidsäureharzfilm20 mit einer Stärke von 50 μm auf einer flachen Glasplatte (nicht dargestellt), die als Basis dient, platziert. Die obenstehende Form10 , welche die Vorsprünge11 mit den Stirnabschnitten, auf die eine leitfähige Materialschicht13 einschließlich einer Metallpaste aufgetragen worden ist, besitzt, wurde mit der Oberfläche des Films unter Verwendung eines Mikrokontaktdruckapparates bei 400°C und 20 Minuten in einem Vakuumumfeld hitze- und druckverbunden. Durch Hitze- und Druckverbindung wurden die Vorsprünge11 der Form10 auf die Oberfläche eines Substrats20 derart übertragen, dass Ausnehmungen31 darauf ausgebildet wurden. Während diesem Prozess, fand das Sintern von Kupfernanopartikeln, die in der Kupferpaste enthalten sind, statt, und somit wurden die Partikel in einem kontinuierlichen Kupferdünnfilm derart ausgebildet, dass sie auf die Bodenfläche jeder Ausnehmung31 übertragen wurden. - Die somit übertragene leitfähige Materialschicht (Kupferdünnfilm)
13 wurde in separate Abschnitte Substrat-20 -seitig durch Druckschweißen eingebettet. Zudem wurde das Lösungsmittelentfernen von der Kupferpaste unterstützt, da der Prozess in einem Vakuumumfeld ausgeführt wurde. - Die Form
10 wurde von der Glasplatte bei gewöhnlichen Temperaturen und Drücken entfernt. Demgemäß, wie in1d dargestellt, wurde ein Harzformteil30 erhalten, wobei dieses Formteil Ausnehmungen31 besitzt, die auf dessen Oberfläche ausgebildet sind, und diese Ausnehmungen Bodenabschnitte besitzen, auf welchen die aus Kupfer bestehende leitfähige Materialschicht13 übertragen worden ist. - Das Harzformteil
30 wurde für circa 20 Minuten für einen elektrolytischen Plattiervorgang in ein Kupfersulfatplattierbad eingetaucht. Während diesem Prozess wurden Kupferionen im Plattierbad in jeder Ausnehmung31 aufgebracht, während die leitfähige Materialschicht13 als Kern für diese Aufbringung verwendet wurde. Demgemäß wurde eine erwünschte Kupferverdrahtung32 in jeder Ausnehmung31 durch Füllen ausgebildet. Schließlich wurden Metallabschnitte, die außen an den Ausnehmungen ausgebildet worden sind, durch Polieren entfernt. Somit wurde die Platine35 der vorliegenden Erfindung fertig gestellt. - (Ausführungsform 2)
-
2 stellt eine zweite Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Platine der vorliegenden Erfindung in Reihenfolge der Herstellungsschritte dar. Hierbei wurde eine Glasplatte mit einer flachen Fläche als Material für eine Form10 verwendet, und ein allgemein bekannter Sandstrahlvorgang auf der flachen Flächenseite der Glasplatte durchgeführt. Demgemäß wurden die Vorsprünge11 wie in2a dargestellt ausgebildet. Die Breite und die Höhe jedes Vorsprungs11 wurde auf 5 μm bzw. 10 μm festgelegt, außer wenn die Breite eines Vorsprungs11c auf 10 μm festgelegt worden ist. Zudem wurde der Abstand zwischen jedem der zwei Vorsprünge auf 5 μm festgelegt. - Nachfolgend wurde eine Silberpaste, die hauptsächlich aus Silbernanopartikeln mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 20 nm besteht, gestreckt und mit einer Stärke von 2 μm auf die Oberfläche einer PET Platte unter Verwendung einer Streichmaschine (bar coater) oder dergleichen aufgetragen. Die Vorsprung-
11 -Seite einer Form10 wurde darauf gedrückt. Demgemäß, wie in2b dargestellt, wurde eine Form10 erhalten, eine Form mit den Vorsprüngen11 und den Stirnabschnitten, auf denen die Silberpaste13 aufgetragen worden war. - Zur Vorbereitung wurde Polyamidsäure, die in einem Substrat
20 ausgebildet wird, gestreckt und in einer Stärke von 30 μm auf die Oberfläche einer flachen Glasplatte (nicht dargestellt) unter Verwendung einer Streichmaschine oder dergleichen aufgetragen. Dann, wie in2c dargestellt, wurde die Vorsprung-11 -Seite einer Form10 darauf gedrückt und anschließend im Vakuum bei 350°C für 20 Minuten hitzebehandelt. - Die Form
10 wurde von der Glasplatte bei gewöhnlichen Temperaturen und Drücken entfernt. Wie in2d dargestellt, wurde eine Harzform30 erhalten, ein Formteil das das obenstehende Substrat20 auf der Oberfläche aufweist, auf die ein Muster einschließlich Vorsprüngen11 der Form10 übertragen wurde um Ausnehmungen31 auszubilden. Ein kontinuierlicher Silberdünnfilm, welcher durch Sintern von in der Silberpaste enthaltenen Kupfernanopartikeln erhalten wurde, wurde auf den Bodenabschnitt jeder der Ausnehmungen31 , die obenstehend durch Übertragen ausgebildet ist, übertragen, so dass der Film als leitfähige Materialschicht (Kupferdünnfilm)13 dienen konnte. Zudem wurde das Lösungsmittelentfernen von der Silberpaste unterstützt, da der Prozess in einem Vakuumumfeld ausgeführt wurde. - Das Harzformteil
30 wurde für 20 Minuten für einen elektrolytischen Plattiervorgang in ein Kupfersulfatplattierbad eingetaucht. Während diesem Prozess wurden Kupferionen in dem Plattierbad in jeder Ausnehmung31 aufgebracht, während die leitfähige Materialschicht13 als Kern für die Aufbringung verwendet wurde. Demgemäß wurde eine erwünschte Kupferverdrahtung32 in jeder Ausnehmung31 durch Füllen ausgebildet. Somit wurde die Platine35 der vorliegenden Erfindung fertig gestellt. - (Ausführungsform 3)
- Vorsprünge mit jeweils einer Breite von 50 μm und einer Höhe von 50 μm wurden unter Verwendung einer Quarzplatte mit einer flachen Fläche (nicht dargestellt) als Material für eine Form
10 in gleicher Weise wie in Ausführungsform 2 ausgebildet. Der Abstand zwischen jedem der zwei Vorsprünge wurde auf 10 μm festgelegt. - Als nächstes wurde eine Silberpaste, die hauptsächlich aus Silbernanopartikeln mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 5 nm besteht, gestreckt und unter Verwendung einer Streichmaschine oder dergleichen in einer Stärke von 5 μm auf die Oberfläche einer PET Platte aufgetragen. Die Vorsprung-
11 -Seite der Form10 wurde darauf gedrückt. Demgemäß wurde eine Form10 erhalten, eine Form mit den Vorsprüngen11 und Stirnabschnitten, auf welche die Silberpaste13 aufgetragen worden ist. - Ein Polycarbonatharzfilm mit einer Stärke von 80 μm wurde auf einer Glasplatte platziert. Dann wurde die Vorsprung-
11 -Seite der Form10 darauf gedrückt und anschließend im Vakuum bei 170°C für 10 Minuten hitzebehandelt. - Die Form
10 wurde von der Glasplatte bei gewöhnlichen Temperaturen und Drücken entfernt. Demgemäß wurde ein Harzformteil30 erhalten, ein Formteil das ein Substrat20 (aus einem Polycarbonatharzfilm hergestellt) auf der Oberfläche aufweist, auf der ein Muster einschließlich der Vorsprünge11 der Form10 übertragen wurde, um Ausnehmungen31 auszubilden. Ein kontinuierlicher Silberdünnfilm mit einer Stärke von 2 μm, welcher durch Sintern von in der Silberpaste enthaltenen Kupfernanopartikeln erhalten wurde, wurde auf den Bodenabschnitt jeder der Ausnehmungen31 , die obenstehend durch Übertragen ausgebildet ist, übertragen, so dass der Film als leitfähige Materialschicht (Kupferdünnfilm)13 dienen konnte. Zudem wurde das Lösungsmittelentfernen von der Silberpaste unterstützt, da der Prozess in einem Vakuumumfeld ausgeführt wurde. - Wie im Falle von Ausführungsform 2 wurde das Harzformteil
30 für 20 Minuten für einen elektrolytischen Plattiervorgang in ein Kupfersulfatplattierbad eingetaucht. Während diesem Prozess wurden Kupferionen in dem Plattierbad in jeder Ausnehmung31 aufgebracht, während die leitfähige Materialschicht13 als Kern für diese Aufbringung verwendet wurde. Demgemäß wurde eine erwünschte Kupferverdrahtung32 in jeder Ausnehmung31 durch Füllen ausgebildet. Somit wurde die Platine35 der vorliegenden Erfindung fertig gestellt. - Im Falle der Platine
35 der vorliegenden Erfindung, Beispiele sind obenstehend in den Ausführungsformen 1, 2 und 3 dargestellt, sind Ausnehmungen31 auf Substrat-20 - Seite in einem Muster entsprechend einem Muster einschließlich Vorsprüngen11 , die in einer Form10 ausgebildet sind, ausgebildet. Daher können beliebige Seitenverhältnisse, abhängig von den auszubildenden Höhen der Vorsprünge11 , für in Ausnehmungen31 auszubildende Metallverdrahtungen32 festgelegt werden. Eine Metallverdrahtung mit einem hohen Seitenverhältnis wird bei einem Abschnitt mit einer hohen Stromdichte bereitgestellt. Dies erlaubt eine Reduzierung der Abstände zwischen zwei benachbarten Metallverdrahtungen während Hochisolationseigenschaften aufrechterhalten werden. Demgemäß kann eine Platine35 mit einem mikrofabrizierten Schaltungsmuster hoher Dichte fertig ausgebildet werden. Außerdem erfordert die Herstellung nur eine Druckverbindung einer Form und einen Plattiervorgang und kann somit mit weniger Schritten erreicht werden. - Abhängig von den Breiten und den Tiefen der obenstehenden Ausnehmungen
31 würde die Stärke eines Metallfilms, der in jeder Ausnehmung nach dem Ablauf einer bestimmten Zeitdauer ausgebildet ist, variieren. Daher könnte die Metallaufbringung in manchen Ausnehmungen31 bis zu einer Stärke, welche die Oberflächenhöhe des Substrats20 übersteigt, auftreten, während eine Metallfilmausbildung in manchen anderen Ausnehmungen31 bis zu einer erwünschten Stärke nicht erreicht werden würde. Zum Beispiel kann selbst in diesem Fall eine kurzschaltungsfreie Platine hoher Dichte durch Polieren der Substratoberfläche im letzten Schritt erhalten werden. - Diese Platinen können nicht nur über einen elektrolytischen Plattiervorgang erhalten werden, sondern auch über einen stromlosen Plattiervorgang. Außerdem kann eine leitfähige Materialschicht, die ähnlich der ist, die für das elektrolytische Plattieren verwendet wird, für einen elektrolytischen Plattiervorgang verwendet werden.
- Zusammenfassung
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Platine mit einem weiter mikrofabrizierten Schaltungsmuster, das in weiter vereinfachten Schritten hergestellt werden kann, erhalten. Für diesen Zweck wird eine Form
10 , welche Vorsprünge11 in einem Muster entprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet hat, verwendet, um eine leitfähige Materialschicht (Metallpaste)13 auf Stirnabschnitte der Vorsprünge11 der Form10 aufzutragen. Die Form ist auf die Oberfläche eines Substrats20 , das aus einem Harzfilm oder desgleichen hergestellt ist, hitze- und druckgeschweißt. Demgemäß werden ein Muster einschließlich der Vorsprünge11 und die leitfähige Materialschicht (Metallpaste)13 auf das Substrat20 übertragen. Nach dem Transfer wird das Harzsubstrat (Harzformteil30 ) für einen elektrolytischen Plattiervorgang in ein Kupfersulfatplattierbad eingetaucht. Kupferionen im Plattierbad wurden in jede Ausnehmung31 aufgebracht, während die leitfähige Materialschicht13 als Basismaterial für die Ausbildung einer Metallverdrahtung32 verwendet wird. Ein Muster der auf die Substrat-20 -Seite übertragenen Ausnehmungen31 wird abhängig von einem Muster einschließlich den Vorsprüngen11 auf der Form10 festgelegt. Somit kann eine mikrofabrizierte Platine hoher Dichte mit Metallverdrahtungen32 und verschiedenen Seitenverhältnissen erlangt werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - JP 2005-29735 A [0003]
Claims (7)
- Verfahren zur Herstellung einer Platine, aufweisend ein Substrat mit einer Oberfläche, auf der erwünschte Metallverdrahtungen ausgebildet sind, aufweisend mindestens die Schritte: Verwenden einer Form, welche Vorsprünge besitzt, die auf einer Oberfläche in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet sind, und Auftragen einer leitfähige Materialschicht auf Stirnabschnitte der Vorsprünge der Form; Druckschweißen der Form, welche die Vorsprünge mit den Stirnabschnitten besitzt, auf welche die leitfähige Materialschicht aufgetragen worden ist, auf die Oberfläche des Substrats, und Übertragen eines Musters, aufweisend die Vorsprünge und die leitfähige Materialschicht, auf die Oberfläche des Substrats; und Ausbilden von Metallverdrahtungen in Ausnehmungen, welche im vorherigen Schritt beim Übertragen des Musters unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschicht als Basismaterial ausgebildet sind.
- Verfahren zur Herstellung einer Platine nach Anspruch 1, wobei eine Metallpaste oder eine Resinatpaste als Material verwendet wird, das die leitfähige Materialschicht bildet.
- Verfahren zur Herstellung einer Platine nach Anspruch 1, wobei Glas, Silikon, Quarz, Edelstahl, ein Harz, oder ein Metall als Material für die Form verwendet wird.
- Verfahren zur Herstellung einer Platine nach Anspruch 1, wobei ein Harzmaterial als Material für das Substrat verwendet wird.
- Verfahren zur Herstellung einer Platine nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Schritt zur Ausbildung von Metallverdrahtungen unter Verwendung der übertragenen leitfähigen Materialschichten als Basismaterial durch Bewirken von Aufbringung eines Metallfilms in jeder Ausnehmung unter Verwendung der leitfähigen Materialschicht als Kern, über einen bekannten stromlosen oder elektrolytischen Plattiervorgang ausgeführt wird.
- Platine, dadurch gekennzeichnet, dass Ausnehmungen auf der Oberfläche eines Substrats in einem Muster entsprechend eines Schaltungsmusters ausgebildet sind, dass eine leitfähige Metallschicht auf der Bodenfläche jeder Ausnehmung ausgebildet ist, und dass eine Metallverdrahtung in jeder Ausnehmung durch Aufbringung eines Metallfilms unter Verwendung der leitfähigen Metallschicht als Kern, über einen bekannten stromlosen oder elektrolytischen Plattiervorgang ausgeführt wird.
- Platine nach Anspruch 6, wobei manche der Metallverdrahtungen Seitenverhältnisse besitzen, die sich von denen der anderen unterscheiden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-049447 | 2007-02-28 | ||
JP2007049447A JP4697156B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 回路基板の製造方法 |
PCT/JP2008/053900 WO2008105561A1 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-27 | 回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112008000485T5 true DE112008000485T5 (de) | 2010-01-28 |
Family
ID=39721381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112008000485T Ceased DE112008000485T5 (de) | 2007-02-28 | 2008-02-27 | Platine und Herstellungsverfahren derselben |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8261437B2 (de) |
JP (1) | JP4697156B2 (de) |
KR (1) | KR101038351B1 (de) |
CN (1) | CN101578928B (de) |
DE (1) | DE112008000485T5 (de) |
WO (1) | WO2008105561A1 (de) |
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KR101039330B1 (ko) | 2009-10-19 | 2011-06-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2011100796A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路基板 |
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2007
- 2007-02-28 JP JP2007049447A patent/JP4697156B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-27 WO PCT/JP2008/053900 patent/WO2008105561A1/ja active Application Filing
- 2008-02-27 CN CN2008800021725A patent/CN101578928B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-27 DE DE112008000485T patent/DE112008000485T5/de not_active Ceased
- 2008-02-27 US US12/525,967 patent/US8261437B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-27 KR KR1020097020018A patent/KR101038351B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101578928A (zh) | 2009-11-11 |
KR20090115223A (ko) | 2009-11-04 |
US8261437B2 (en) | 2012-09-11 |
US20100270057A1 (en) | 2010-10-28 |
WO2008105561A1 (ja) | 2008-09-04 |
JP4697156B2 (ja) | 2011-06-08 |
KR101038351B1 (ko) | 2011-06-01 |
CN101578928B (zh) | 2011-11-30 |
JP2008218459A (ja) | 2008-09-18 |
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