DE112007002751T5 - UV-Bestrahlungsvorrichtung und UV-Bestrahlungsverfahren - Google Patents

UV-Bestrahlungsvorrichtung und UV-Bestrahlungsverfahren Download PDF

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Abstract

UV-Bestrahlungsvorrichtung mit einem UV-Leuchtkörper, der an einer Position vorgesehen ist, die einem zu bestrahlenden Körper entspricht, wobei:
der UV-Leuchtkörper mehrere Typen von UV-LEDs mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen umfasst.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine UV-Bestrahlungsvorrichtung und ein UV-Bestrahlungsverfahren sowie insbesondere eine UV-Bestrahlungsvorrichtung und ein UV-Bestrahlungsverfahren, die eine LED verwenden.
  • Stand der Technik
  • In einer Verarbeitungsvorrichtung für einen Halbleiterwafer (nachfolgend einfach als „Wafer” bezeichnet) werden Verarbeitungen wie etwa das Kleben einer Schutzfolie auf einen Wafer für ein Schleifen der Rückseite und das Kleben einer Würfelfolie auf einen Wafer für das Unterteilen desselben in mehrere Chips durchgeführt. Für die vorstehend genannten Verarbeitungen wird ein unter UV-Licht aushärtender Kleber an der Folie verwendet, sodass die Folie einfach abgelöst werden kann, ohne den Wafer zu berechen, indem der Kleber nach den oben genannten Verarbeitungen durch eine UV-Bestrahlungsvorrichtung ausgehärtet wird, um seine Haftung zu vermindern.
  • Die oben genannte UV-Bestrahlungsvorrichtung kann zum Beispiel eine Vorrichtung sein, die in einem Lampengehäuse an einer Position angeordnet ist, die einer Waferfläche entspricht, und eine Hochdruck-Quecksilberlampe, eine Metallhalogenlampe oder ähnliches in dem Lampengehäuse umfasst (Patentdokument 1).
  • Als Lichtquelle für die Bestrahlung mit UV-Strahlen wurde durch den Anmelder der vorliegenden Anmeldung eine UV-Bestrahlungsvorrichtung vorgeschlagen, die eine LED verwendet (Patentdokument 2).
    • Patentdokument 1: offen gelegte japanische Patentanmeldung Nr. 9-162141
    • Patentdokument 2: offen gelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2006-40944
  • Beschreibung der Erfindung
  • Problemstellung der Erfindung
  • Weil jedoch die in dem Patentdokument 1 angegebene UV-Bestrahlungsvorrichtung eine Hochdruck-Quecksilberlampe als Lichtquelle verwendet, ist der Nachteil gegeben, dass ein Hochspannungstransformator erforderlich ist, wodurch die Gerätegröße vergrößert wird und der Stromverbrauch erhöht wird. Außerdem sind wegen der kurzen Lebensdauer der Lampen häufige Wartungen erforderlich. Weiterhin wird eine längere Zeitdauer benötigt, bis die UV-Strahlungsbedingungen erreicht werden (so genannte Anstiegszeit), sodass die Lampe während der Betriebszeit kontinuierlich eingeschaltet bleiben muss, was einen hohen Stromverbrauch mit sich bringt. Weil eine Strahlungssteuerung in Übereinstimmung mit der Ebenenfläche des zu bestrahlenden Körpers nicht durchgeführt werden kann, ist eine Stromverschwendung unvermeidlich. Und weil Quecksilber für die Lampe verwendet wird, ist ein Umweltproblem hinsichtlich der Entsorgung gegeben.
  • Weil das Patentdokument 2 eine Anordnung aufweist, in der eine LED als Lichtquelle verwendet wird, können eine Verkleinerung der Vorrichtung, eine Vereinfachung der Wartung und des Betriebs und eine Verminderung des Stromverbrauchs für die UV-Bestrahlung erzielt werden.
  • Bei der Verwendung einer LED tritt jedoch das Problem auf, dass der durch UV-Licht aushärtbare Kleber unter Umständen nicht ausgehärtet werden kann.
  • Viele durch UV-Licht aushärtbare Kleber sind derart aufgebaut, dass ihre Initiatoren bei einer Wellenlänge von ungefähr 365 nm mit der Aushärtung beginnen. Im Gegensatz dazu umfassen die Initiatoren für die UV-Aushärtung viele Typen, wobei einige der Initiatoren ihre Reaktion bei einer anderen Wellenlänge als 365 nm beginnen. Das Emissionsspektrum der Hochdruck-Quecksilberlampe weist wie in 6 gezeigt eine höchste Spitze bei ungefähr 365 nm und mehrere niedrigere Spitzen in anderen Wellenlängenbereichen auf. In einer Hochdruck-Quecksilberlampe können also Initiatoren verwendet werden, die ihre Reaktion bei einer anderen Wellenlänge als 365 nm beginnen. Das Emissionsspektrum der UV-LED weist jedoch wie in 7 gezeigt nur eine Spitze bei einer spezifischen Wellenlänge auf. Wenn sich also die Wellenlänge für das Einleiten der Reaktion des Initiators von der Lichtemissionswellenlänge der UV-LED unterscheidet, kann das Aushärten des Klebers unter Umständen unmöglich werden.
  • [Aufgabe der Erfindung]
  • Die vorliegende Erfindung nimmt auf die oben beschriebenen Eigenschaften einer Hochdruck-Quecksilberlampe und die Eigenschaften einer LED Bezug, um die Probleme bei der Nutzung der LED auf der Basis des derzeitigen Wissensstandes und auf der Basis von durch Experimente gewonnenen Erkenntnissen zu lösen. Dabei ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine UV-Bestrahlungsvorrichtung und ein UV-Bestrahlungsverfahren anzugeben, das die Vorteile der Nutzung der LED erhält, aber das Auftreten eines nicht ausgehärteten Bereichs in einem durch UV-Licht aushärtbaren Klebers verhindert.
  • Problemlösung
  • Um die oben genannten Aufgaben zu lösen, verwendet die vorliegende Erfindung einen Aufbau mit einem UV-Bestrahlungsvorrichtung einschließlich eines UV-Leuchtkörpers, der an einer Position vorgesehen ist, die einem zu bestrahlenden Körper entspricht, wobei
    der UV-Leuchtkörper mehrere Typen von UV-LEDs mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen umfasst.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Anordnung verwendet werden, die eine Basisplatte umfasst, die im wesentlichen parallel zu dem zu bestrahlenden Körper ist und relativ zu dem zu bestrahlenden Körper bewegt werden kann, wobei der im wesentlichen parallele Zustand aufrechterhalten wird, wobei
    die LEDs durch die Basisplatte gehalten werden und mit im wesentlichen gleichmäßigen beabstandeten Intervallen in einer Reihe entlang einer geraden Linie angeordnet sind, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung ist, wobei mehrere Reihen entlang der Richtung der relativen Bewegung vorgesehen sind, und
    die Spitzenwellenlängen der LEDs in jeder Reihe im wesentlichen gleich gewählt sind, während die Spitzenwellenlängen in benachbarten Reihen nicht notwendigerweise gleich gewählt sind.
  • Und die LEDs in benachbarten Reihen sind vorzugsweise derart angeordnet, dass sie aus der Richtung der relativen Bewegung betrachtet zwischen benachbarten LEDs der jeweils anderen Reihen angeordnet sind.
  • Es kann eine derartige Anordnung verwendet werden, dass die LEDs an der Basisplatte befestigt und von derselben gelöst werden können.
  • Außerdem können die LEDs jeweils in Einheiten von zwei oder mehr LEDs kombiniert werden und in diesen Einheiten an der Basisplatte befestigt und von derselben gelöst werden.
  • Weiterhin kann eine Anordnung verwendet werden in der die LEDs derart vorgesehen sind, dass der dass der beleuchtete Bereich in Übereinstimmung mit der Ebenenfläche des zu bestrahlenden Körpers gesteuert werden kann.
  • Weiterhin können Beleuchtungssensoren mit gleichmäßig beabstandeten Intervallen entlang der Richtung, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung ist, auf einem Tisch angeordnet werden, der den zu bestrahlenden Körper hält.
  • Weiterhin kann eine Anordnung verwendet werden, in der die Strahlungskapazität der LEDs in Bezug auf jede Einheit von zwei oder mehr LEDs oder in Bezug auf jede einzelne LED durch einen Stromwert und/oder einen Spannungswert erfasst wird.
  • Die vorliegende Erfindung verwendet eine derartige Anordnung in Verbindung mit einem UV-Bestrahlungsverfahren, in dem mehrere UV-LEDs an einer Position angeordnet sind, die einem zu bestrahlenden Körper entspricht, um UV-Licht aus den UV-LEDs auf den zu bestrahlenden Körper zu strahlen, wobei
    mehrere Typen von US-Strahlen mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen auf einen UV-Bestrahlungsbereich des zu bestrahlenden Körpers gestrahlt werden.
  • In dem oben genannten Verfahren kann der zu bestrahlende Körper eine Schicht sein, die mittels eines durch UV-Licht aushärtbaren Klebers auf einen Halbleiterwafer geklebt ist.
  • [Vorteile der Erfindung]
  • Weil gemäß der vorliegenden Erfindung die UV-Bestrahlungsvorrichtung mehrere Typen von LEDs mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen umfasst, können auch bei Verwendung von unter UV-Licht aushärtenden Klebern, deren Initiatoren verschiedene Eigenschaften aufweisen, UV-Strahlen mit unterschiedlichen Wellenlängen gestrahlt werden und kann eine UV-Aushärtung über den gesamten Bereich erzielt werden. Und weil LEDs als Lichtquelle verwendet werden, sind im Gegensatz zu einer herkömmlichen Lampe wie etwa einer Quecksilberlampe keine voluminösen Einrichtungen wie etwa ein Transformator erforderlich, wodurch eine Verkleinerung der Vorrichtung erzielt wird. Wenn außerdem die LEDs an der Basisplatte befestigt und von derselben gelöst werden können, kann eine Wartung mit einem teilweisen Austausch einfach durchgeführt werden, wodurch der Kostenaufwand auf ein Minimum beschränkt wird. Wenn weiterhin der UV-Leuchtbereich gesteuert werden kann, kann die Lebensdauer der LEDs über eine lange Zeitdauer hinweg sichergestellt werden und kann der Stromverbrauch vermindert werden. Und weil im Gegensatz zu der Hochdruck-Quecksilberlampe keine Anstiegszeit erforderlich ist, können die LEDs direkt vor der Durchführung einer UV-Bestrahlung eingeschaltet und direkt nach Beendigung der Bestrahlung ausgeschaltet werden, wodurch eine große Energieeinsparung im Vergleich zu der Hochdruck-Quecksilberlampe, die kontinuierlich eingeschaltet bleiben muss, erzielt werden kann. Und wenn die Beleuchtungssensoren vorgesehen sind, kann die Leistung der LEDs zuverlässig erfasst werden, wodurch eine unzureichende UV-Bestrahlung vermieden werden kann. Indem weiterhin der Stromwert und/oder der Spannungspegel unter Verwendung eines Amperemeters und/oder eines Voltmeters gesteuert werden, kann ein Ausfall einer LED erfasst werden, sodass eine fehlerhafte UV-Bestrahlung verhindert werden kann.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein Konfigurationsdiagramm, das schematisch eine UV-Bestrahlungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform zeigt.
  • 2 ist eine Draufsicht auf ein Anordnungsbeispiel der LEDs aus der Richtung des Pfeils A von 1
  • 3 ist eine Draufsicht, die schematisch einen Zustand zum Steuern eines anfänglichen Leuchtbereichs der LEDs zeigt.
  • 4 ist eine Draufsicht, die schematisch einen Zustand zeigt, in dem der gesamte Bereich der LEDs Licht emittiert.
  • 5 ist eine Draufsicht, die schematisch einen Zustand zeigt, in dem die LEDs in Entsprechung zu der Ebenenfläche eines zu bestrahlenden Körpers gesteuert werden.
  • 6 ist ein Kurvendiagramm, das ein Emissionsspektrum einer Hochdruck-Quecksilberlampe zeigt.
  • 7 ist ein Kurvendiagramm, das ein Emissionsspektrum einer UV-LED zeigt.
  • Bevorzugte Ausführungsform der Erfindung
  • Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine schematische Vorderansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer Waferverarbeitungsvorrichtung, auf die eine UV-Bestrahlungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet ist. Wie in der Figur gezeigt, umfasst die UV-Bestrahlungsvorrichtung 10: einen Waferhalteteil 11 zum Ansaugen und Halten eines Wafers W als zu bestrahlendem Körper; einen UV-Bestrahlungsteil 12, der über dem Waferhalteteil 11 im wesentlichen parallel zu dem Wafer W angeordnet ist, und eine Kammer 13, die den Waferhalteteil 11 und den UV-Bestrahlungsteil 12 umgibt.
  • Der Waferhalteteil 11 umfasst eine Führung 15, die sich im wesentlichen parallel zu dem Wafer W erstreckt; einen Tisch 16, der entlang der Führung 15 bewegt werden kann und in der Draufsicht im wesentlichen rechteckig geformt ist; und mehrere Beleuchtungssensoren 17, die auf dem Tisch 16 mit gleichmäßig beabstandeten Intervallen entlang der Richtung, die senkrecht zu der Vorderansicht von 1 ist, angeordnet sind. Die obere Fläche des Tisches 16 ist als eine Adsorptionsebenenfläche zum Ansaugen und Fixieren des Wafers W ausgebildet. In dieser Anordnung kann der Tisch 16 durch eine Antriebseinrichtung (nicht in der Figur gezeigt) nach links und rechts (Pfeilrichtung in 1) in der Ebene bewegt werden, wobei der parallele Zustand zu der Oberfläche des Wafers W im wesentlichen beibehalten wird. Der zu bestrahlende Körper umfasst den Wafer W und eine Schutzfolie S, die auf die obere Fläche (die Schaltungsfläche) des Wafers W mittels einer durch UV-Licht aushärtbaren Kleberschicht 18 geklebt ist. Indem die Klebeschicht 18 der Schutzfolie S ausgehärtet wird, kann die Schutzfolie S einfach von dem Wafer W gelöst werden.
  • Wie in 2 gezeigt, ist der UV-Bestrahlungsteil 12 mit einer aus der Draufsicht gesehen im wesentlichen rechteckigen Form ausgebildet und umfasst eine Basisplatte 20, die im wesentlichen parallel zu dem Wafer 20 angeordnet ist, und eine große Anzahl von UV-LEDs 21, die mit gleichmäßig beabstandeten Intervallen auf der unteren Seite der Basisplatte 20 von 1 angeordnet sind. Wie in 2 gezeigt, sind die LEDs 21 entlang einer geraden Linie (in der vertikalen Richtung der Figur) im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung angeordnet, sodass die LEDs 21 in benachbarten Reihen derart angeordnet sind, dass sie aus der Richtung der relativen Bewegung gesehen zwischen benachbarten LEDs 21 der anderen Reihen positioniert sind. Die LEDs 21 sind in dem gezeigten Beispiel in ersten bis neunten Reihen angeordnet, die sich in der Richtung erstrecken, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung ist, wobei jede Reihe neu LEDs enthält. Außerdem werden drei LEDs 21 in jeder Reihe durch entsprechende Sockel 23 gehalten, wobei die Sockel 23 an der Basisplatte 20 befestigt und von derselben gelöst werden können. Optional können die LEDs 21 einzeln an den Sockeln 23 oder der Basisplatte 20 befestigt und von denselben gelöst werden.
  • In der Ausführungsform werden in jeder Reihe LEDs 21 mit im wesentlichen gleicher Spitzenwellenlänge verwendet, wobei die Spitzenwellenlängen der verschiedenen Reihen jeweils unterschiedlich gewählt sind. Um die Beziehung zu verdeutlichen, sind die LEDs 21 in der Draufsicht jeweils kreisrund gezeigt und werden durch kreisförmige, dreieckige, quadratische, kreuzförmige oder rautenförmige Markierungen voneinander unterschieden. Die Grundwellenlänge der Bestrahlung hängt von der Zusammensetzung der Kleberschicht 18 ab. Wenn zum Beispiel ein durch UV-Licht aushärtbarer Kleber durch UV-Strahlen mit einer Wellenlänge von 365 nm verwendet wird, können LEDs 21 für Strahlen mit einer Wellenlänge von 365 nm für die erste, dritte, fünfte, siebte und neunte Reihe verwendet werden (jeweils durch Kreise in 2 markiert), während die LEDs 21 für Strahlen mit einer anderen Wellenlänge als 365 nm für die anderen Reihen neben der ersten, dritten, fünften, siebten und neunten Reihe verwendet werden.
  • Indem in der oben beschriebenen Anordnung der Waferhalterteil 11 und der UV-Bestrahlungsteil 12 in einem Zustand bewegt werden, in dem die LEDs 21 UV-Strahlen emittieren, kann der durch UV-Licht aushärtbare Kleber der Klebeschicht 18 ausgehärtet werden. Also auch wenn ein Initiator mit einem anderen Wert als dem vorgesehenen Wert in der Klebeschicht 18 vorhanden ist, ergänzen die LEDs 21 mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen einander, wodurch der ausgehärtete Bereich in der Klebeschicht 18 vergrößert werden kann.
  • Die LEDs 21 werden bei jeder Bestrahlung des Wafers mit UV-Strahlen durch Beleuchtungssensoren 17 geprüft. Und wenn eine verminderte Beleuchtung festgestellt wird, wird die Spannung in Bezug auf jede Einheit von einer oder mehr als einer LED erhöht, sodass eine erforderliche Beleuchtung sichergestellt werden kann. Also auch dann, wenn die Spannung den oberen Grenzwert erreicht und eine unzureichende Bestrahlung erfasst wird, kann die UV-Strahlung konstant mit einer gleichmäßigen Leistung vorgesehen werden, indem einzelne Einheiten von einer oder mehr LEDs ausgetauscht erden.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform bieten die UV-Bestrahlungsvorrichtung und das UV-Bestrahlungsverfahren hervorragende Funktionen und Effekte, wobei die im Stand der Technik gegebenen Probleme wie das Auftreten eines unausgehärteten Bereichs durch die Verwendung der UV-LEDs 21 verhindert werden können.
  • Vorstehend wurden eine bevorzugte Anordnung, ein bevorzugtes Verfahren usw. zum Ausführen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die vorliegende Erfindung wurde mit Bezug auf eine spezifische Ausführungsform beschrieben und gezeigt. Der Fachmann kann jedoch verschiedene Modifikationen an der oben beschriebenen Ausführungsform hinsichtlich der Form, der Position und/oder der Anordnung vornehmen, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird.
  • Zum Beispiel kann die UV-Bestrahlung wie in 3 gezeigt in einer anderen Ausführungsform derart durchgeführt werden, dass die Lichtemissionszeiten der LEDs 21 jeweils einzeln gesteuert werden könne, um eine zeitliche Emissionsabfolge in Übereinstimmung mit dem Durchgang des Wafers W unter dem UV-Bestrahlungsteil 12 vorzusehen.
  • Diese Steuerung kann erzielt werden, indem Adressdaten jeder LED 21 oder jeder Einheit und die Geschwindigkeit der oben beschriebenen relativen Bewegung zuvor in eine Steuereinrichtung (nicht in der Figur gezeigt) eingegeben werden. In dem Beispiel von 3 werden nur die LEDs in dem Bereich, in dem der Wafer F direkt unter den LEDs 21 positioniert ist, eingeschaltet, während gleichzeitig eine Gruppe von LEDs 21 oder alle Gruppen auf der oberen und unteren Seite der Figur ausgeschaltet werden. Wenn sich also der Wafer W von der Position von 3 zu der Position von 4 bewegt, werden die LEDs 21 in dem gesamten Bereich eingeschaltet. Und wenn sich der Wafer W weiter bewegt, wird der ausgeschaltete Bereich allmählich verbreitert.
  • Und wenn wie in 5 gezeigt die Größe des Wafers W kleiner als der Anordnungsbereich der LEDs 21 ist, kann der restliche Bereich der LEDs 21, die keine UV-Bestrahlung auf dem Wafer W durchführen können, kontinuierlich ausgeschaltet bleiben, während die UV-Bestrahlung durchgeführt wird.
  • Weiterhin können der Stromwert und/oder der Spannungspegel in Bezug auf jede Einheit von zwei oder mehr LEDs gemessen werden, um festzustellen, ob die LEDs 21 Licht emittieren. Es kann natürlich auch eine Anordnung zum Messen des Stromwerts und/oder des Spannungspegels in Bezug auf jede LED verwendet werden.
  • Außerdem ist in der vorliegenden Erfindung der zu bestrahlende Körper nicht auf einen Halbleiterwafer beschränkt. Es können auch andere Materialien verwendet werden, bei denen eine Reaktion durch eine lückenlose UV-Bestrahlung eines vollständigen Bereichs ausgelöst werden soll.
  • Die LEDs 21 sind in der Ausführungsform derart angeordnet, dass die LEDs 21 einer Reihe im wesentlichen gleiche Spitzenwellenlängen aufweisen, wobei aber auch LEDs 21 mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen in einer beliebigen Anordnung in den Reihen angeordnet sein können. Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung genügt es, wenn mehrere Typen von LEDs verwendet werden und nicht nur ein Typ von LEDs mit einer spezifischen Spitzenwellenlänge verwendet wird. Die Anzahlen, Reihen und Anordnungen sind nicht auf die gezeigten Anordnungsbeispiele beschränkt.
  • Es wurde eine Anordnung beschriene, in der die relative Bewegung durch die Bewegung des Tisches 16 vorgesehen wird, der den Wafer W in Bezug auf die Basisplatte 20 hält, auf der wiederum die LEDs 21 vorgesehen sind. Dabei kann die Basisplatte 20 durch einen geeigneten Führungsmechanismus bewegt werden, während der Tisch 16 fixiert ist. Es können aber auch der Tisch 16 und die Basisplatte 20 bewegt werden.
  • Weiterhin kann während der UV-Bestrahlung das Innere der Kammer 13 um den Waferhalteteil 11 und den UV-Bestrahlungsteil 12 herum mit einem Stickstoffgas gefüllt sein oder dekomprimiert sein, damit die Aushärtung unter dem UV-Licht nicht durch das Vorhandensein von Sauerstoff behindert wird.
  • Zusammenfassung
  • Ein UV-Bestrahlungsteil 12 ist mit mehreren UV-LEDs 21 versehen, die auf einer Basisplatte 20 angeordnet sind, die sich an einer Position befindet, die einem Halbleiterwafer entspricht, an dem eine Schutzfolie S mittels einer durch UV-Licht aushärtbaren Kleberschicht 18 als zu bestrahlendem Körper angebracht ist. Die LEDs 21 sind mit im wesentlichen gleichmäßig beabstandeten Intervallen entlang der Richtung angeordnet, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung in Bezug auf einen Wafer W ist. Und die LEDs 21 in jeder Reihe weisen im wesentlichen die gleiche Spitzenwellenlänge auf, während die Spitzenwellenlängen der LEDs 21 in benachbarten Reihen nicht notwendigerweise gleich sind.
  • 10
    UV-Bestrahlungsvorrichtung
    11
    Waferhalteteil
    12
    UV-Bestrahlungsteil
    17
    Beleuchtungssensor
    21
    LED
    W
    Halbleiterwafer (zu bestrahlender Körper)
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 9-162141 [0004]
    • - JP 2006-40944 [0004]

Claims (10)

  1. UV-Bestrahlungsvorrichtung mit einem UV-Leuchtkörper, der an einer Position vorgesehen ist, die einem zu bestrahlenden Körper entspricht, wobei: der UV-Leuchtkörper mehrere Typen von UV-LEDs mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen umfasst.
  2. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach Anspruch 1, die eine Basisplatte umfasst, die im wesentlichen parallel zu dem zu bestrahlenden Körper angeordnet ist und relativ in Bezug auf den zu bestrahlenden Körper bewegt werden kann, wobei der im wesentlichen parallele Zustand aufrechterhalten wird, wobei die LEDs durch die Basisplatte gehalten werden und mit im wesentlichen gleichmäßigen beabstandeten Intervallen in einer Reihe entlang einer geraden Linie angeordnet sind, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung ist, wobei mehrere Reihen entlang der Richtung der relativen Bewegung vorgesehen sind, und die Spitzenwellenlängen der LEDs in jeder Reihe im wesentlichen gleich gewählt sind, während die Spitzenwellenlängen in benachbarten Reihen nicht notwendigerweise gleich gewählt sind.
  3. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die LEDs in benachbarten Reihen aus der Richtung der relativen Bewegung betrachtet zwischen benachbarten LEDs der jeweils anderen Reihen angeordnet sind.
  4. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei die LEDs an der Basisplatte befestigt und von derselben gelöst werden können.
  5. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die LEDs jeweils in Einheiten von zwei oder mehr LEDs kombiniert sind und in diesen Einheiten an der Basisplatte befestigt und von derselben gelöst werden können.
  6. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die LEDs derart vorgesehen sind, dass der beleuchtete Bereich in Übereinstimmung mit der Ebenenfläche des zu bestrahlenden Körpers gesteuert werden kann.
  7. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Beleuchtungssensoren mit vorbestimmten Intervallen entlang der Richtung, die im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der relativen Bewegung ist, auf einem Tisch angeordnet sind, der den zu bestrahlenden Körper hält.
  8. UV-Bestrahlungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Strahlungskapazität der LEDs in Bezug auf jede Einheit von zwei oder mehr LEDs oder in Bezug auf jede einzelne LED durch einen Stromwert und/oder einen Spannungspegel erfasst wird.
  9. UV-Bestrahlungsverfahren, in dem mehrere UV-LEDs an einer Position angeordnet sind, die einem zu bestrahlenden Körper entspricht, um UV-Licht aus den UV-LEDs auf den zu bestrahlenden Körper zu strahlen, wobei mehrere Typen von UV-Strahlen mit unterschiedlichen Spitzenwellenlängen auf einen UV-Bestrahlungsbereich des zu bestrahlenden Körpers gestrahlt werden.
  10. UV-Bestrahlungsverfahren nach Anspruch 9, in dem der zu bestrahlende Körper eine Schicht ist, die mittels eines durch UV-Licht aushärtbaren Klebers auf einen Halbleiterwafer geklebt ist.
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