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[Technisches Gebiet]
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Ultraviolettbestrahlungseinrichtung,
und speziell eine Ultraviolettbestrahlungseinrichtung, die eine
Lichtemitterdiode verwendet.
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[Technischer Hintergrund]
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In
einer Bearbeitungseinrichtung für
beispielsweise Halbleiterwafer (nachstehend einfach als "Wafer" bezeichnet) werden
vorbestimmte Prozesse in einem Zustand durchgeführt, in welchem ein Schutzstreifen
auf einer Schaltungsoberfläche
des Wafers anhaftet. Dieser Schutzstreifen weist ein bei Ultraviolettbestrahlung
aushärtendes
Harz als Klebeschicht auf, und dessen Klebekraft wird durch Aushärten des
bei Ultraviolettbestrahlung aushärtenden Harzes
durch die Ultraviolettbestrahlungseinrichtung geschwächt, so
dass der Schutzstreifen einfach abgeschält werden kann.
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Es
ist als Ultraviolettbestrahlungseinrichtung eine derartige Einrichtung
bekannt, die so ausgebildet ist, dass beispielsweise ein Leuchtengehäuse an einem
Ort angeordnet ist, welcher der Waferoberfläche zugewandt ist, und in dem Leuchtengehäuse Hochdruck-Quecksilberlampen,
Metallhalogenidlampen oder dergleichen angeordnet sind (vgl. Patentdokument
1).
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- [Patentdokument 1: Japanische offen gelegte Patentanmeldung
Nr. 9-162141]
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[Beschreibung der Erfindung]
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[Durch die Erfindung zu
lösende
Probleme]
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Allerdings
ist die im Patentdokument 1 beschriebene Ultraviolettbestrahlungseinrichtung
so ausgebildet, dass Hochdruck-Quecksilberlampen als Lichtaussendequelle
eingesetzt werden, welche einen Hochspannungstransformator benötigen. Dies führt dazu,
dass die Einrichtung insoweit nachteilig ist, dass sie große Abmessungen
aufweist, und auch eine beträchtliche
Menge an Energie verbraucht. Zusätzlich
zu der Tatsache, dass häufige
Wartungsarbeiten infolge der kurzen Lebensdauer der Lampen erforderlich
sind, ist eine so genannte Anlaufzeit zur Anpassung an einen Ultraviolettbestrahlungszustand lang,
und daher werden Lampen zwangsweise während der Arbeitsstunden eingeschaltet
gehalten, was zu einem beträchtlichen
Energieverbrauch führt.
Weiterhin kann eine effiziente Bestrahlungssteuerung nicht entsprechend
einer ebenen Fläche
eines zu bestrahlenden Gegenstands durchgeführt werden, und daher ist eine
Energieverschwendung unvermeidlich, und darüber hinaus kann infolge der
Tatsache, dass bei der Lampe Quecksilber verwendet wird, beim Entsorgen
ein Umweltproblem hervorgerufen werden.
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Daher
hat der vorliegende Erfinder versucht, eine Ultraviolettbestrahlungseinrichtung
zu entwickeln, die eine Ultraviolett-Lichtemitterdiode als Lichtaussendequelle
für Ultraviolettstrahlung
verwendet. Für
die Einrichtung wurde in einer Forschungs- und Entwicklungsstufe,
wie in den 10 und 11 gezeigt,
eine derartige Anordnung eingesetzt, dass zahlreiche Lichtemitterdioden 51 so
angeordnet wurden, dass sie gleichmäßig voneinander entlang einer
im wesentlichen gitterförmigen
Spur auf einem Substrat 50 angeordnet waren, und andererseits
wurde ein Schutzfilm S, der eine Klebeschicht 53 aufwies,
die aus einem bei Ultraviolettbestrahlung aushärtenden Harz bestand, auf der
Oberfläche
eines Wafers W angeordnet, den Dioden 51 zugewandt, und
war sowohl bei dem Schutzfilm S als auch den Dioden 51 eine
Relativbewegung in Richtung eines Pfeils B in 10 vorhanden,
während
Ultraviolettstrahlung auf den Schutzfilm S von den Lichtemitterdioden 51 aufgestrahlt
wurden. Es stellte sich heraus, dass nach Abschälen des Schutzfilms S nach der
Ultraviolettbestrahlung der Bereich A, in welchem die Aushärtung der
Klebeschicht 53 nicht ausreichend durchgeführt wurde,
geradlinig entlang der Richtung senkrecht zur Blattebene von 11 auftauchte,
wodurch das Abschälen
des Schutzfilms S verhindert wurde.
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Es
stellte sich heraus, dass dies daran lag, wie in 11 gezeigt,
dass die Lichtemitterdioden 51 so angeordnet waren, eine
Ultraviolettbestrahlung bei dem Schutzfilm S in sehr kurzer Entfernung
von diesen durchzuführen,
und dass keine Lichtemitterdioden 51 vorhanden waren, welche
den Bereich A mit Ultraviolettbestrahlung, in komplementärer Weise vorhanden
waren, infolge der Entfernung und des Richtungswinkels der Ultraviolettstrahlen.
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In
diesem Fall lässt
sich überlegen,
eine Entfernung zwischen den Lichtemitterdioden 51 und dem
Schutzfilm S ausreichend groß auszubilden.
Jedoch führt
eine derartige große
Entfernung zu einer Abschwächung
der Ultraviolettstrahlung, wodurch ein anderes Problem entsteht,
nämlich
dass die Klebeschicht nicht wie erwartetet ausgehärtet werden kann.
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[Vorteil der Erfindung]
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Die
vorliegende Erfindung wurde angesichts der voranstehend geschilderten
Nachteile vorgeschlagen, und anhand von Erkenntnissen, die bei verschiedenen
Versuchen erhalten wurden, die zur Lösung von Problemen durchgeführt wurden,
die beim Einsatz der Ultraviolett-Lichtemitterdioden auftreten.
Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung
einer Ultraviolettbestrahlungseinrichtung, welche eine deutliche
Verkleinerung erzielen kann, einfache Wartungs- und Inspektionsarbeiten,
sowie Bearbeitbarkeit mit Ultraviolettbestrahlung, und Energieeinsparung.
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[Maßnahmen zur Lösung der
Probleme]
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Um
den Vorteil zu erreichen, ist eine Ultraviolettbestrahlungseinrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung so ausgebildet, dass mehrere Ultraviolett-Lichtemitterdioden
an einem Ort zugewandt einem zu bestrahlenden Gegenstand angeordnet
sind, und der Gegenstand und die Lichtemitterdioden relativ zueinander
bewegbar sind, wobei die Lichtemitterdioden so angeordnet sind,
dass sie gleichmäßig beabstandet
voneinander auf geraden Linien mehrerer Reihen im wesentlichen senkrecht
zur Richtung der Relativbewegung angeordnet sind, und zwischen benachbarten
Lichtemitterdioden in jeder Reihe ein Teil der Lichtemitterdiode
in der benachbarten Reihe angeordnet ist.
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Die
vorliegende Erfindung kann vorzugsweise so ausgebildet sein, dass
die Lichtemitterdioden abnehmbar auf dem Substrat vorgesehen sind.
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Die
vorliegende Erfindung kann ebenfalls so ausgebildet sein, dass mehrere
Lichtemitterdioden als eine Einheit vereinigt sind, und jede Einheit
der mehreren Lichtemitterdioden abnehmbar auf dem Substrat vorgesehen
ist.
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Weiterhin
können
die Lichtemitterdioden so ausgebildet sein, dass ihre Lichtaussendebereiche
in Abhängigkeit
von einer ebenen Fläche
des Gegenstands steuerbar sind.
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Die
vorliegende Erfindung ist vorzugsweise so ausgebildet, dass Beleuchtungssensoren
auf einem Tisch angeordnet sind, der den Gegenstand haltert, mit
einer vorbestimmten Erstreckung entlang einer Richtung im wesentlichen
senkrecht zur Richtung der Relativbewegung.
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Weiterhin
können
die mehreren Lichtemitterdioden als eine Einheit vereinigt sein,
und kann eine solche Ausbildung vorhanden sein, dass die Bestrahlungsleistung
jeder Einheit oder jeder Lichtemitterdiode durch den Wert eines
Stroms und/oder einer Spannung erfasst werden kann.
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[Auswirkungen der Erfindung]
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird die Lichtemitterdiode als die Lichtaussendequelle
für Ultraviolettstrahlung
eingesetzt, welche daher ein derartig großes Gerät wie einen Transformator im
herkömmlichen
Falle des Einsatzes von Quecksilberlampen ausschalten kann, wodurch
eine Verkleinerung der Einrichtung ermöglicht wird. Infolge des Einsatzes
einer derartigen Ausbildung, dass ein Teil jeder der Lichtemitterdioden
in einer Reihe zwischen den benachbarten Lichtemitterdioden in einer
anderen Reihe angeordnet ist, kann das Auftreten unbestrahlter Bereiche vermieden
werden, für
dessen Auftreten eine Neigung beim Einsatz der Lichtemitterdioden
bestand, die nahe an dem Gegenstand angeordnet waren. Die Lichtemitterdioden
sind abnehmbar auf dem Substrat vorgesehen, wodurch ein Ersatz nur
eines Teils der Lichtemitterdioden zu einer einfachen Wartungsarbeit
beitragen kann, so dass die Kosten für die Wartungsarbeiten minimiert
werden können.
Weiterhin können
die Lichtaussendebereiche gesteuert werden, wodurch die verbrauchte Energie
verringert wird, und gleichzeitig die Produktlebensdauer der Lichtemitterdiode über lange
Zeiten sichergestellt werden kann. Weiterhin kann, da die Lichtemitterdiode
keine Anlaufzeit benötigt,
im Gegensatz zur Hochdruck-Quecksilberlampe, die Lichtemitterdiode
unmittelbar vor Beginn der Bestrahlung eingeschaltet werden, und
kann die Stromversorgungsquelle ausgeschaltet werden, wenn die Bestrahlung
zu Ende ist, so dass eine erhebliche Energiemenge eingespart werden
kann, im Vergleich zum Fall der Quecksilberlampe, die immer eingeschaltet bleiben
muss. Die Bereitstellung des Bestrahlungssensors ermöglicht die
sichere Leistungsbewertung der Lichtemitterdiode, wodurch eine unzureichende Ultraviolettbestrahlung
vermieden wird. Da Störungen
der Lichtemitterdiode durch Steuern des Wertes des Stroms und der
Spannung der Lichtemitterdiode mit Hilfe eines Amperemeters und/oder
eines Voltmeters erfasst werden können, können darüber hinaus Bestrahlungsfehler
der Ultraviolettstrahlen verhindert werden.
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[Kurzbeschreibung der
Zeichnungen]
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1 ist
eine schematische Ansicht einer Ultraviolettbestrahlungsanordnung
bei einer bevorzugten Ausführungsform;
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2 ist
eine schematische Aufsicht, die ein Beispiel für die Anordnung von Lichtemitterdioden zeigt;
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3 ist
eine schematische Vorderansicht, welche Ultraviolettbestrahlungsbereiche
zeigt;
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4 ist
eine schematische Aufsicht, die einen Zustand zeigt, in welchem
anfängliche
Lichtaussendebereiche der Lichtemitterdiode gesteuert werden;
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5 ist
eine schematische Aufsicht, die einen Zustand zeigt, in welchem
Licht aus gesamten Bereichen der Lichtemitterdioden ausgesandt wird;
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6 ist
eine schematische Aufsicht, die einen Zustand zeigt, in welchem
die Lichtemitterdioden entsprechend einem ebenen Bereich eines zu
bestrahlenden Gegenstands gesteuert werden;
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7 ist
eine schematische Vorderansicht, die eine Anordnung zeigt, bei welcher
die Lichtemitterdioden abnehmbar auf dem Substrat vorgesehen sind;
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8 ist
eine Ansicht einer Schaltungsausbildung zur Messung von Strom in
jeder Einheit, welche mehrere Lichtemitterdioden als eine Einheit
festlegt;
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9 ist
eine Ansicht auf eine Schaltungsausbildung zur Messung der Spannung
in jeder Einheit, welche mehrere Lichtemitterdioden als eine Einheit
festlegt;
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10 ist
eine schematische Vorderansicht in einem Fall, in welchem die Lichtemitterdioden
parallel angeordnet sind, in Längsrichtung
und Querrichtung; und
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11 ist
eine schematische Vorderansicht zur Erläuterung von Problemen infolge
der in 10 gezeigten Anordnung von Lichtemitterdiode.
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- 10
- Ultraviolettbestrahlungseinrichtung
- 11
- Waferhalterungsteil
- 12
- Ultraviolettbestrahlungsteil
- 17
- Beleuchtungssensor
- 21
- Lichtemitterdiode
- w
- Halbleiterwafer
(zu bestrahlender Gegenstand)
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[Beste Art und Weise zur
Ausführung
der Erfindung)
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Nachstehend
wird eine Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben.
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1 ist
eine schematische Vorderansicht, die eine bevorzugte Ausführungsform
betrifft, bei welcher eine Ultraviolettbestrahlungseinrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung bei einer Waferbearbeitungseinrichtung eingesetzt wird.
In der Figur ist die Ultraviolettbestrahlungseinrichtung 10 mit
einem Waferhalterungsteil 11 versehen, das einen Wafer
als einen zu bestrahlenden Gegenstand aufnimmt und haltert, mit
einem Ultraviolettbestrahlungsteil 12, das im wesentlichen
parallel zum Wafer W oberhalb des Waferhalterungsteils 11 angeordnet
ist, und mit einer Kammer 13, welche das Waferhalterungsteil 11 und das
Ultraviolettbestrahlungsteil 12 umgibt.
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Das
Waferhalterungsteil 11 ist mit einer Führung 15 versehen,
die sich in 1 in Richtung nach rechts und
links erstreckt, einem Tisch 16, der sich entlang der Führung 15 bewegen
kann, wobei die ebene Form des Tisches 16 im wesentlichen
quadratisch ist, und mehreren Beleuchtungssensoren 17, die
in gleichen Abständen
voneinander entlang der Richtung senkrecht zu einer Ebene in 1 angeordnet
sind. Der Tisch 16 ist so ausgebildet, dass seine obere
Oberfläche
als eine Aufnahmeoberfläche festgelegt
ist, und die Position des Wafers W festgelegt ist, wenn der Wafer
W auf der Aufnahmeoberfläche
aufgenommen ist. Ein Schutzfilm S haftet an der Seite einer oberen
Oberfläche
(der Seite der Schaltungsoberfläche)
des Wafers W an. Eine Klebeschicht 18 des bei Ultraviolettbestrahlung
aushärtenden
Typs ist auf der Seite der unteren Oberfläche des Schutzfilms S angeordnet.
Der Schutzfilm S kann einfach von dem Wafer W in einem nachfolgenden Prozess
abgeschält
werden, durch Aushärten
der Klebeschicht 18.
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Das
Ultraviolettbestrahlungsteil 12 ist, wie in 2 gezeigt,
mit einem Substrat 20 versehen, dessen ebene Form im wesentlichen
quadratisch ist, und mit zahlreichen Ultraviolett-Lichtemitterbestrahlungsdioden 21,
die an der Seite der unteren Oberfläche des Substrats 20 in 1 angeordnet
sind. Das Ultraviolettbestrahlungsteil 12 ist so ausgebildet,
dass es eine Relativbewegung zu einer Oberfläche des Wafers W in einer ebenen
Oberfläche
durchführen kann.
Die Lichtemitterdioden 21 sind so angeordnet, dass sie
gleichmäßig voneinander
auf geraden Linien mehrerer im wesentlichen paralleler Reihen entlang
den Richtungen der Relativbewegung (den Richtungen nach oben und
unten in 2) angeordnet sind, wobei zwischen
den benachbarten Lichtemitterdioden 21 in jeder Reihe ein
Teil der Lichtemitterdiode 21 der benachbarten Reihe angeordnet
ist. Eine detailliertere Beschreibung erfolgt nachstehend. Hierbei
ist jede Lichtemitterdiode 21 in Aufsicht im wesentlichen quadratförmig, und
ist ein Ultraviolettlichtaussendeteil 21A in dem zentralen
Abschnitt angeordnet. Die Lichtemitterdioden 21 sind so
angeordnet, dass Ecken C der Lichtemitterdioden auf den ersten Linien
L1 entsprechend seitlichen Reihen von Reihe Nr. 1 bis Reihe Nr.
8 angeordnet sind, die sich entlang der Richtung im wesentlichen
senkrecht zu den Richtungen der Relativbewegung erstrecken, und
auf den zweiten Linien L2 entsprechend Reihen in Längsrichtung
von Reihe Nr. bis Reihe Nr. 14, die sich entlang der Richtung im
wesentlichen senkrecht zu den ersten Linien L1 in derselben Ebene
erstrecken (Richtung der Waferbewegung). Die Abstände zwischen
den jeweiligen ersten Linien L1 sind im wesentlichen gleich eingestellt,
und auch die Abstände zwischen
den jeweiligen zweiten Linien L2 sind im wesentlichen gleich eingestellt.
Bei einem Beispiel in 2 ist beispielsweise zwischen
den Lichtemitterdioden 21 in der Seitenreihe Nr. 1 ein
Teil oder ein oberer Halbabschnitt der Lichtemitterdiode in der
seitlichen Reihe Nr. 2 angeordnet, und ist auf die gleiche Weise
danach ein oberer Halbabschnitt jeder der Lichtemitterdioden in
der seitlichen Reihe Nr. 3 zwischen den benachbarten Lichtemitterdioden
in der seitlichen Reihe Nr. 2 angeordnet. Die voranstehend geschilderte
Korrelation der Anordnung von Dioden ist ebenso im Falle der Längsreihen.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Anzahl an Längs- und Seitenreihen in 2 zur
Vereinfachung dargestellt ist, und dass die Anzahl dieser Reihen
je nach Erfordernis zunimmt oder abnimmt.
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Wenn
bei der voranstehenden Ausbildung die Richtung der Relativbewegung
zwischen dem Waferhalterungsteil 11 und dem Ultraviolettbestrahlungsteil 12 mit
einer der Linien L1 oder L2 übereinstimmt,
oder in enger Nähe
zu diesen liegt, wird möglich,
unbestrahlte Bereiche der Ultraviolettbestrahlung auszuschalten.
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Es
wird darauf hingewiesen, dass eine solche Ausbildung eingesetzt
wird, dass die Lichtemitterdiode 21 in Bezug auf ihre Beleuchtung
bewertet wird, durch einen Beleuchtungssensor 17, zu jedem Zeitpunkt
der Ultraviolettbestrahlung auf dem Wafer. Demzufolge wird, wenn
festgestellt wird, dass die Beleuchtung abgesunken ist, die Spannung
für jede
einzelne Diode oder für
jede Einheit erhöht,
welche mehrere Lichtemitterdioden aufweist, so dass die erforderliche
Beleuchtung sichergestellt werden kann (in diesem Fall muss die
Obergrenze für
die Spannung eingestellt werden). Wenn festgestellt wird, dass die
Beleuchtung unzureichend ist, trotz der Tatsache, dass die Spannung
die Obergrenze erreicht, kann jede einzelne Diode oder jede Einheit,
welche mehrere Lichtemitterdioden enthält, ausgetauscht werden, wodurch
regelmäßig eine
stabilisierte Leistung der Ultraviolettbestrahlung erzielt werden
kann.
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Gemäß der bevorzugten
Ausführungsform werden
keine Bereiche auf dem Schutzfilm S hervorgerufen, auf welche die
Ultraviolettstrahlen nicht aufgestrahlt werden, so dass die Klebeschicht 18 vollständig über sämtliche
Bereiche ausgehärtet
werden kann, so dass das Abschälen
des Schutzfilms S in einem nachfolgenden Prozess sicher durchgeführt werden
kann.
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Wie
bislang beschrieben, sind die beste Ausbildung und das beste Verfahren
zur Ausführung
der vorliegenden Erfindung in der voranstehenden Beschreibung beschrieben,
jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt.
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Zwar
wird die vorliegende Erfindung dargestellt und erläutert speziell
in Bezug auf die spezielle, bevorzugte Ausführungsform, jedoch wissen Fachleute
auf diesem Gebiet, dass verschiedene Abänderungen von Formen, Positionen,
Ausbildungen oder dergleichen der geschilderten, bevorzugten Ausführungsform
innerhalb des Umfangs des technischen Konzepts und des Vorteils
der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden können.
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So
kann beispielsweise, wie in 4 gezeigt,
das Lichtaussendetiming der Lichtemitterdioden 21 individuell
so gesteuert werden, dass die Ultraviolettbestrahlung aufeinanderfolgend
in Abhängigkeit
von dem Timing durchgeführt
wird, wenn der Wafer W unter dem Ultraviolettbestrahlungsteil 12 hindurchgelangt.
Diese Steuerung kann dadurch durchgeführt werden, dass Adressdaten
jeder Lichtemitterdiode 21 oder jeder Einheit, und die
Geschwindigkeit der Relativbewegung vorher in eine Steuerung (nicht
gezeigt) eingegeben werden. Bei einem Beispiel in 4 werden
die Lichtemitterdioden innerhalb der Bereiche, in welchen der Wafer
W überlappend
unmittelbar unter den Lichtemitterdioden 21 angeordnet
ist, eingeschaltet, und werden Gruppen von Lichtemitterdioden 21 oder
Gruppen von Einheiten an der oberen und unteren Seite ausgeschaltet. Wenn
daher der Wafer W von einer Position in 4 zu einer
Position in 5 vorgestellt wird, werden die Lichtemitterdioden
in den gesamten Bereichen eingeschaltet, und werden, wenn der Wafer
W weiter vorgestellt wird, ausgeschaltete Bereiche allmählich erweitert.
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Wie
in 6 gezeigt wird in einem Fall ermöglicht,
in welchem die Größe des Wafers
W kleiner ist im Vergleich zu der Bereichsfläche, die von den Lichtemitterdioden 21 eingenommen
wird, eine Ultraviolettbestrahlung durchzuführen, während die Lichtemitterdioden 21 in
den Bereichen ausgeschaltet sind, die nicht wesentlich an der Bestrahlung
beteiligt sind.
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Weiterhin
kann, wie in 7 gezeigt, wenn die Lichtemitterdioden 21 so
ausgebildet sind, dass sie abnehmbar auf dem Substrat 20 befestigt
sind, wenn ein Teil der Lichtemitterdioden aus irgendeinem Grund
ausfällt,
der Austauschvorgang für
das betreffende Teil auf extrem einfache Weise durchgeführt werden.
Da es nicht erforderlich ist, sämtliche
Lichtemitterdioden zu ersetzen, können die Wartungskosten minimiert
werden. Die mehreren Lichtemitterdioden können zur Ausbildung einer Einheit
angeordnet sein, so dass sie einheitsweise ausgetauscht werden.
Die Erfassung, ob bei den Lichtemitterdioden 21 eine Störung auftritt
oder nicht, wie in 8 und 9 gezeigt,
kann dadurch erfolgen, dass der Wert des Stroms oder der Spannung
jeder Einheit gemessen wird, welche mehrere der Lichtemitterdioden
umfasst. Hierbei kann der Wert des Stroms oder der Spannung für jede einzelne
Lichtemitterdiode in einem derartigen Fall gemessen werden, in welchem die
Anzahl der Lichtemitterdioden bei einer Anwendung klein ist.
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Bei
der vorliegenden Erfindung ist ein zu bestrahlender Gegenstand nicht
auf einen Halbleiterwafer beschränkt,
sondern kann die vorliegende Erfindung überall dort eingesetzt werden,
wo eine Ultraviolettbestrahlungsreaktion benötigt wird, ohne irgendwelche
Bereiche hervorzurufen, die nicht mit Ultraviolettstrahlung bestrahlt
werden.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Ein
Halbleiterwafer dient als ein zu bestrahlender Gegenstand, an welchem
ein Schutzfilm S über
eine bei Ultraviolettstrahlung aushärtenden Klebeschicht haftet,
und es ist ein Ultraviolettbestrahlungsteil 12 so angeordnet,
dass es dem Schutzfilm S zugewandt ist, wobei das Ultraviolettbestrahlungsteil 12 mit
mehreren Ultraviolett-Lichtemitterdioden 21 versehen
ist, die auf dem Substrat 20 angeordnet sind. Die Lichtemitterdioden 21 sind
so angeordnet, dass sie gleichmäßig beabstandet
voneinander auf den geraden Linien L1 mehrerer Reihen im wesentlichen
senkrecht zur Richtung der Relativbewegung des Wafers angeordnet
sind, und zwischen den benachbarten Lichtemitterdioden in jeder
Reihe ein Teil der Lichtemitterdiode der benachbarten Reihe angeordnet
ist.
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FIGURENBESCHRIFTUNG:
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2:
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WAFER MOVEMENT DIRECTION:
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Waferbewegungsrichtung
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LATERAL ROW: Seitenreihe
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- Seitenreihe Nr. 1
- Seitenreihe Nr. 2
- Seitenreihe Nr. 3
- Seitenreihe Nr. 4
- Seitenreihe Nr. 5
- Seitenreihe Nr. 6
- Seitenreihe Nr. 7
- Seitenreihe Nr. 8
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LONGITUDINAL ROW: Längsreihe
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- Längsreihe
Nr. 1
- Längsreihe
Nr. 2
- Längsreihe
Nr. 3
- Längsreihe
Nr. 4
- Längsreihe
Nr. 5
- Längsreihe
Nr. 6
- Längsreihe
Nr. 7
- Längsreihe
Nr. 8
- Längsreihe
Nr. 9
- Längsreihe
Nr. 10
- Längsreihe
Nr. 11
- Längsreihe
Nr. 12
- Längsreihe
Nr. 13
- Längsreihe
Nr. 14
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4:
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- OFF: AUS
- ON: EIN
- OFF: AUS
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5:
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6:
-
- OFF: AUS
- ON: EIN
- OFF: AUS