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Technisches
Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächenwellenbauelement
und insbesondere auf ein Oberflächenwellenbauelement,
das ein Oberflächenwellenelement
beinhaltet.
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Stand der
Technik
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Bisher
ist in einem Symmetrisch-Typ-SAW-Filter (SAW = akustische Oberflächenwelle),
das ein Unsymmetrisch-zu-Symmetrisch-Typ-Filter
einer ersten Stufe und ein Symmetrisch-zu-Symmetrisch-Typ-Filter
einer zweiten Stufe, die in Kaskade geschaltet sind, aufweist, eine
Struktur, in der Signalverdrahtungen zum Verbinden der symmetrischen
Anschlüsse
der Filter zwischen den Stufen angeordnet sind und eine Masseanschlussfläche, die
mit dem anderen Anschluss eines unsymmetrischen Anschluss-IDT (Interdigitalwandler,
kammförmige
Elektrode) der ersten Stufe verbunden ist, zwischen den Signalverdrahtungen
angeordnet ist, vorgeschlagen worden.
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5 ist
eine Draufsicht eines Substrats, das in einem Oberflächenwellenbauelement
eines verwandten Beispiels beinhaltet ist. Das Substrat 1210 ist
ein LiTaO3-Einkristallsubstrat und auf dessen Hauptoberfläche 1212 ist,
wie in 5 gezeigt ist, ein Metallfilm mit einer festen
Struktur gebildet. Das bedeutet, dass ein Symmetrisch-Typ-SAW-Filter,
in dem ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilter 1210 der
ersten Stufe und ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellen filter 1230 der
zweiten Stufe in Kaskade geschaltet sind, eine Anschlussfläche 1251 als
ein unsymmetrischer Anschluss verwendet wird und Anschlussflächen 1252 und 1253 als
symmetrische Anschlüsse
verwendet werden, gebildet wird. In einem Bereich, der durch die
Filter 1220 und 1230 und Verdrahtungen 1241 und 1242 für ein Kaskadenverschalten
der Filter 1220 und 1230 umschlossen ist, ist
eine Masseanschlussfläche 1256,
die mit einem IDT 1223 verbunden ist, der den unsymmetrischen Anschluss 1251 umfasst,
angeordnet (siehe z. B. Patentdokument 1).
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Ferner
ist in den letzten Jahren die Anforderung, dass eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion
oder eine sogenannte Balun-Funktion vorliegt, die in einem Oberflächenwellenfilter
enthalten ist, das in der HF-Stufe eines tragbaren Telefons verwendet
wird, stark geworden. In letzter Zeit ist insbesondere ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilter,
das mit einer Hochfrequenzwelle umgehen kann und auch ohne weiteres
mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion umgehen
kann, als ein Bandpassfilter der HF-Stufe eines tragbaren Telefons Standard
geworden.
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Das
Oberflächenwellenfilter
mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion ist
mit einer Mischer-IC (im Folgenden als eine Symmetrisch-Typ-Mischer-IC
bezeichnet) verbunden, die einen symmetrischen oder differentiellen
Eingang und Ausgang aufweist. Wenn diese Symmetrisch-Typ-Mischer-IC verwendet
wird, wird die Wirkung eines Rauschens reduziert und die Ausgabe kann
stabilisiert werden und so wurde das Oberflächenwellenfilter in den letzten
Jahren oft für
eine Verbesserung von Charakteristika tragbarer Telefone eingesetzt.
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In
Bezug auf ein derartiges Oberflächenwellenfilter,
in dem eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion beinhaltet
ist, können verschiedene
Strukturen betrachtet werden und viele derselben wurden bereits
vorgeschlagen.
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Diese
besitzen gemäß jeder
Struktur Vorteile und Nachteile und werden entsprechend gemäß den beabsichtigten
Verwendungen und Anforderungen des Benutzers verwendet. Eine von
diesen ist z. B. eine Struktur, bei der symmetrische Anschlüsse mit beiden
Anschlüssen
eines IDT verbunden sind.
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In 6 z.
B. ist ein Elementchip 30 eines derartigen Oberflächenwellenfilters
schematisch gezeigt. Das Oberflächenwellenfilter
ist hergestellt, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen,
in einer derartigen Weise, dass beide Enden des mittleren IDT 1 eines
Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelements 6,
das drei IDTs 1, 2 und 3 und zwei Reflektoren 4 und 5 beinhaltet,
mit symmetrischen Signalanschlüssen 11 bzw. 12 verbunden
sind, und dass ein Ende jedes des linken und rechten IDT 2 und 3 mit
einem unsymmetrischen Signalanschluss 13 durch einen IDT 7 eines
Oberflächenwellenresonators 10 verbunden
ist, bei dem Reflektoren 8 und 9 auf beiden Seiten
des IDT 7 angeordnet sind. In dem Oberflächenwellenfilter
sind die anderen Enden der IDTs 2 und 3 mit einem
Masseanschluss verbunden.
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Der
Elementchip 30 ist in einem Gehäuse gehäust, das in einen oberen Abschnitt
und einen unteren Abschnitt in dem Unterteilabschnitt unterteilt sein
kann. 7 zeigt die obere Oberfläche des oberen Abschnitts 33 des
Gehäuseunterteilabschnitts 31,
in dem der Elementchip 30 befestigt ist, 8 zeigt
die obere Oberfläche
des unteren Abschnitts 36 des Gehäuseunterteilabschnitts 31 und 9 zeigt die
untere Oberfläche
(Unterteiloberfläche
des Gehäuses)
des unteren Abschnitts 36 des Gehäuseunterteilabschnitts 31.
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Wie
in 7 gezeigt ist, liegen Verdrahtungsstrukturen (Anschlussbereiche) 42 – 45 in
dem Formbefestigungsabschnitt 41 des oberen Abschnitts 33 des
Gehäuseunterteilabschnitts 31 frei und
sind mit den Anschlüssen
(Anschlussflächen) des
Elementchips 30 durch einen Höcker bzw. Bump 39,
der in den 6 und 7 durch
einen weißen Kreis
ge zeigt ist, höckermäßig verbunden.
In 7 laufen Durchgangslöcher 46 und 47,
die durch schwarze Kreise gezeigt sind, durch den oberen Abschnitt 33 des
Gehäuseunterteilabschnitts 31 und
die Verdrahtungsstrukturen 45 und 44 und Verdrahtungsstrukturen 61 und 63 des
unteren Abschnitts 36, der in 8 gezeigt
ist, sind verbunden. Unter externen Anschlüssen, die in 9 gezeigt
sind, ist der rechte mittlere externe Anschluss 56 ein
unsymmetrischer Signalanschluss, der linke obere und untere externe
Anschluss 52 und 53 sind symmetrische Signalanschlüsse und
die anderen externen Anschlüsse 54 und 55 sind
Masseanschlüsse.
Der externe Anschluss 56 als ein unsymmetrischer Signalanschluss ist
durch eine Kronierung 48 mit der unsymmetrischen Signalverdrahtungsstruktur 42 verbunden.
Die externen Anschlüsse 52 und 53 als
symmetrische Signalanschlüsse
sind durch Kronierungen 49 und 50 mit den symmetrischen
Signalverdrahtungsstrukturen 43 und 44 verbunden.
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Schließlich ist
entsprechend der Anordnung des ersten und des zweiten symmetrischen
Signalanschlusses (Anschlussflächen) 11 und 12 auf
dem in 6 gezeigten Elementchip 30, wie in 7 gezeigt
ist, in dem Flip-Chip-Befestigungsgehäuse des Elementchips 30 die
erste symmetrische Signalanschlussverdrahtungsstruktur (Anschlussfläche) 43 in der
Mitte einer Seite des Gehäuses
gebildet und die zweite symmetrische Signalanschlussverdrahtungsstruktur
(Anschlussbereich) 44 ist in dem Eckabschnitt nahe an der
ersten symmetrischen Signalanschlussverdrahtungsstruktur (Anschlussbereich) 43 gebildet.
In dem Elementchip 30 werden eine Signalleitung 1a zum
Verbinden eines Endes des IDT 1 und eines ersten symmetrischen
Signalanschlusses 11 und eine Signalleitung 1b zum
Verbinden des anderen Endes des symmetrischen IDT 1 und
eines zweiten symmetrischen Signalanschlusses 12 unsymmetrisch
und wenn dieselben so, wie sie sind, unverändert bleiben, verschlechtert
sich die Symmetrierung. Dann sind, wie in 9 gezeigt
ist, die externen Anschlüsse 52 und 53 als
der erste und der zweite symmetrische Signalanschluss so angeordnet,
um symmetrisch um die Mittelachse des Gehäuses zu sein, und die Symmetrierung
wird durch ein Verändern
der Pfaddifferenz in dem Gehäuse
zwischen einer Signalleitung, die mit dem externen Anschluss 52 als dem
ersten symmetrischen Signalanschluss verbunden ist, und einer Signalleitung,
die mit dem externen Anschluss 53 als dem zweiten symmetrischen
Signalanschluss verbunden ist, eingestellt (z. B. Patentdokument
2).
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Das
Oberflächenwellenfiltergehäuse in den 6 – 9 kann
auch zum Befestigen eines Elementchips 60 verwendet werden,
der eine Struktur mit zwei Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelementen 66 und 68 mit
drei IDTs 66a, 66b und 66c bzw. 68a, 68b und 68c und
zwei Reflektoren 66s und 66t bzw. 68s und 68t,
wie in 22 gezeigt ist, aufweist. Dies
bedeutet, dass der in 1 gezeigte Elementchip 30 und
der in 22 gezeigte Elementchip 60 die
gleichen externen Abmessungen und die gleiche Anschluss- (Anschlussflächen-) Konfiguration
aufweisen.
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Im
Patentdokument 3 ist ein Float-Symmetrisch-Typ-Oberflächenwellenfilter
offenbart, bei dem die Symmetrierung auf eine derartige Weise verbessert
wird, dass zwei Anschlüsse,
die sich auf beiden Seiten in der Richtung senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle des
mittleren IDT eines Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelements
erstrecken, mit symmetrischen Signalanschlüssen verbunden sind, dass IDTs
auf beiden Seiten mit unsymmetrischen Signalanschlüssen durch
ein Verwenden zweier unsymmetrischer Signalleitungen verbunden sind,
und dass eine symmetrische Signalleitung und eine unsymmetrische
Signalleitung sich in drei Dimensionen bei einem Isolierfilm schneiden.
Patentdokument
1: japanische ungeprüfte
Patentanmeldung Veröffentlichungsnummer
2002-300004
Patentdokument 2: japanische ungeprüfte Patentanmeldung
Veröffentlichungsnummer
2002-271168
Patentdokument 3: japanische ungeprüfte Patentanmeldung
Veröffentlichungsnummer
2002-204243
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Wie
in dem verwandten Beispiel in 5 gibt es,
wenn zwei Elemente in Kaskade geschaltet sind und eine Masseanschlussfläche zwischen
Stufen angeordnet ist, da eine Streukapazität zwischen der Verdrahtung
für die
Kaskadenverschaltung und der Masseanschlussfläche groß ist, dahingehend ein Problem,
dass der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband groß ist.
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Unter
Betrachtung derartiger Faktoren besteht eine erste Aufgabe der vorliegenden
Erfindung darin, ein Oberflächenwellenbauelement
bereitzustellen, bei dem zwei Elemente in Kaskade geschaltet sind,
bei dem ein Einfügungsverlust
in dem Durchlassband reduziert werden kann.
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Ferner
wird in einem Oberflächenwellenfilter mit
einer Struktur, die eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion
aufweist, die durch ein Verbinden symmetrischer Signalanschlüsse mit den
Anschlüssen
auf beiden Seiten eines IDT durch ein Verfahren, das im Patentdokument
2 offenbart ist, beinhaltet ist, das Gehäuse, da die Struktur des Gehäuses kompliziert
und spezifisch ist, auf die Elementstruktur beschränkt. Entsprechend
können
z. B. ein Oberflächenwellenfilter 70,
das die in 10 gezeigte Struktur aufweist,
bei der zwei Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Filterelemente 71 und 72, die
drei IDTs 71a, 71b und 71c und 72a, 72b und 72c und
zwei Reflektoren 71s und 71t und 72s und 72t aufweisen,
in Kaskade geschaltet sind, ein Ende des mittleren IDT 71a eines
Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Filterelements 71 mit
einem unsymmetrischen Anschluss 73 verbunden ist, und ein
Ende (eine Sammelschiene) des mittleren IDT 72a des anderen
Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Filterelements 72 in
zwei unterteilt ist und die zwei mit symmetrischen Signalanschlüssen 74 und 75 verbunden sind,
ein Oberflächenwellenfilter 80,
das die in 11 gezeigte Struktur aufweist,
bei der in Bezug auf zwei Sätze
von Oberflächenwellenfilterelementen 81, 82, 83 und 84,
die drei IDTs 81a, 81b und 81c; 82a, 82b und 82c; 83a, 83b und 83c und 84a, 84b und 84c und
zwei Reflektoren 81s und 81t; 82s und 82t; 83s und 83t und 84s und 84t aufweisen,
die in Kaskade geschaltet sind, ein Ende jedes der mittleren IDTs 81a und 83a eines
Oberflächenwellenfilterelements 81 und 83 mit
symmetrischen Anschlüssen 85 und 86 verbunden
ist und ein Ende jedes der anderen Oberflächenwellenfilterelemente der
Sätze mit einem
unsymmetrischen Anschluss 87 verbunden ist, und weitere
Oberflächenwellenfilter
nicht das Gehäuse
gemeinsam mit einem Oberflächenwellenfilter verwenden,
das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion mit einer
weiteren Struktur aufweist, die sich in Bezug auf die Weise, wie
die Oberflächenwellenelemente
gekoppelt sind, unterscheidet.
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Ferner
wird, da die Signalleitungen innerhalb des Gehäuses unsymmetrisch werden,
die Beeinflussung einer parasitären
Kapazität
usw. zwischen symmetrischen Signalanschlüssen unterschiedlich und als
ein Ergebnis besteht dahingehend ein Problem, dass sich die Symmetrierung
zwischen symmetrischen Signalanschlüssen verschlechtert.
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In
einem Oberflächenwellenfilter
im Patentdokument 3 wird ein Schnittpunkt durch ein Bilden einer
symmetrischen Signalleitung auf einem piezoelektrischen Substrat
und ein Bilden einer unsymmetrischen Signalleitung auf einem isolierenden
Film, der auf der symmetrischen Signalleitung gebildet ist, durchgeführt. Entsprechend
nimmt die Differenz zwischen der parasitären Kapazität und der Brückenkapazität, die in
die beiden symmetrischen Signalanschlüsse gelangt, zu und die Symmetrierung
kann nicht vollständig
verbessert werden.
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Unter
Berücksichtigung
derartiger Faktoren besteht eine zweite Aufgabe der vorliegenden
Erfindung darin, ein Oberflächenwellenfilter
bereitzustellen, das ohne weiteres ein Gehäuse gemeinschaftlich mit einem
Oberflächenwellenfilter
einer anderen Struktur verwenden kann, und bei dem die Symmetrierung
zwischen symmetrischen Signalanschlüssen verbessert ist.
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Dies
bedeutet, dass die vorliegende Erfindung ein Oberflächenwellenbauelement
schaffen soll, bei dem Charakteristika verbessert werden können.
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Offenbarung
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung stellt ein Oberflächenwellenbauelement bereit,
das die folgende Struktur aufweist.
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Ein
Oberflächenwellenbauelement
weist ein Substrat; eine Mehrzahl von Anschlüssen, die auf dem Substrat
angeordnet sind und zumindest einen unsymmetrischen Anschluss und
zwei symmetrische Anschlüsse
beinhalten; und zumindest ein Oberflächenwellenelement, das zwischen
dem unsymmetrischen Anschluss und den symmetrischen Anschlüssen auf
dem Substrat angeordnet ist, auf. In dem Oberflächenwellenbauelement schneiden
sich unterschiedliche Signalleitungen, die mit dem gleichen Oberflächenwellenelement
verbunden sind, bei einem isolierenden Film.
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Bei
der obigen Struktur könnte
das Substrat ein piezoelektrisches Substrat sein, bei dem das gesamte
Substrat aus einem piezoelektrischen Material oder einem piezoelektrischen
Substrat hergestellt ist, bei dem ein Dünnfilm aus einem piezoelektrischen Material
(piezoelektrischer Dünnfilm)
auf dem Hauptkörper
eines Substrats gebildet ist, das aus einem nichtpiezoelektrischen
Material hergestellt ist. In dem letzteren Fall ist zumindest ein
piezoelektrischer Dünnfilm
in dem Abschnitt eines Oberflächenwellenelements gebildet.
Ein symmetrisches Signal wird in einen symmetrischen Anschluss eingegeben
oder aus demselben ausgegeben und ein unsymmetrisches Signal wird
in einen unsymmetrischen Anschluss eingegeben oder aus demselben
ausgegeben.
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Wie
bei der obigen Struktur können,
wenn sich unterschiedliche Signalleitungen, die mit den Oberflächenwellenelementen
verbunden sind, bei einem isolierenden Film schneiden, die Signalleitungen
kürzer
sein als in dem Fall, in dem die Signalleitungen eingestellt sind,
um sich nicht zu schneiden, und die Beschränkungen einer Einstellung der
Signalleitungen können
gelockert werden.
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Auf
diese Weise kann z. B., wenn ein Symmetrisch-Typ-Oberflächenwellenfilter
durch ein Verbinden zweier Oberflächenwellenelemente unter Verwendung
von Signalleitungen aufgebaut ist, der Einfügungsverlust auf eine derartige
Weise reduziert werden, dass die Signalleitungen, die Verbindungen zwischen
den Oberflächenwellenelementen
herstellen, verkürzt
sind, indem der Raum zwischen den beiden Oberflächenwellenelementen verschmälert wird, ohne
Anschlussflächen
zwischen den Oberflächenwellenelementen
zu beinhalten.
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Ferner
wird es in Bezug auf die Signalleitungen, die Verbindungen zwischen
den Oberflächenwellenelementen
herstellen, und den Signalleitungen, die Verbindungen zwischen den
Oberflächenwellenelementen
und den Anschlüssen
herstellen, da die Beschränkungen
eines Einstellens der Leitungen gelockert sind, einfach, dass das
Gehäuse
zur gemeinsamen Verwendung dient.
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Vorzugsweise
ist der isolierende Film ein Polyimid-Harz.
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Da
die relative Dielektrizitätskonstante
des Polyimid-Harzes im Vergleich zu der relativen Dielektrizitätskonstante
des piezoelektrischen Substrats ausreichend klein ist, kann eine
Streukapazität
reduziert werden.
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Als
ein bevorzugter erster Modus sind zumindest zwei der Oberflächenwellenelemente
beinhaltet. Eines der beiden Oberflächenwellenelemente (hierin als
erstes Element bezeichnet) ist mit dem unsymmetrischen Anschluss
und einem Masseanschluss (im Folgenden als Masseanschlussfläche bezeichnet) zum
Erden mit den unterschiedlichen Signalleitungen verbunden. Zumindest
zwei Signalleitungen (im Folgenden als eine Signalverdrahtung bezeichnet)
zum Verbinden des anderen der beiden Oberflächenwellenelemente (im Folgenden
als ein zweites Element bezeichnet) und des ersten Elements sind
gebildet. Zumindest eine der Signalverdrahtung und der Signalleitung
(im Folgenden als eine Masseverdrahtung bezeichnet) zum Verbinden
der Masseanschlussfläche
und des ersten Elements schneidet den isolierenden Film. Die Masseanschlussfläche ist
außerhalb
eines Bereichs angeordnet, der durch das erste Element, das zweite
Element und die Signalverdrahtungen umschlossen ist.
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In
der verwandten Vorrichtung ist die Masseanschlussfläche innerhalb
eines Bereichs gebildet, der durch das erste Element, das zweite
Element und die Signalverdrahtungen umschlossen ist, und der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband nimmt zu. Gemäß dem obigen Aufbau wird jedoch
die Streukapazität
zwischen der Masseanschlussfläche
und den Signalleitungen reduziert und als ein Ergebnis kann der
Einfügungsverlust
in dem Durchlassband auf eine derartige Weise reduziert werden,
dass die Masseanschlussfläche
außerhalb
eines Bereichs gebildet ist, der durch das erste Element, das zweite
Element und die Signalverdrahtungen umschlossen ist.
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Vorzugsweise
beinhaltet das erste Element drei IDTs, die so angeordnet sind,
um die gleiche Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
aufzuweisen, und der unsymmetrische Anschluss und die Masseanschlussfläche sind
mit dem mittleren IDT verbunden. Das zweite Element beinhaltet drei
IDTs, die so angeordnet sind, um die gleiche Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
aufzuweisen, und zwei symmetrische Anschlüsse sind mit dem mittleren
IDT verbunden. Die IDTs auf beiden Seiten des ersten Elements und
die IDTs auf beiden Seiten des zweiten Elements sind durch die Signalverdrahtungen
verbunden.
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Gemäß der obigen
Struktur kann der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband eines Symmetrisch-Typ-SAW-Filters, bei dem
die Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filterelemente (erstes Element
und zweites Element) in Kaskade geschaltet sind, reduziert werden.
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Vorzugsweise
sind zwei Sätze
des ersten Elements, der Signalverdrahtungen und des zweiten Elements
auf dem Substrat gebildet. Das erste Element jedes Satzes beinhaltet
drei IDTs, die so angeordnet sind, um die gleiche Ausbreitungsrichtung
einer akustischen Oberflächenwelle
aufzuweisen, und der unsymmetrische Anschluss und die Masseanschlussfläche sind
mit dem mittleren IDT verbunden. Das zweite Element jedes Satzes
beinhaltet einen IDT, der mit einem der symmetrischen Anschlüsse verbunden
ist, der sich von denjenigen in den anderen Sätzen unterscheidet. In jedem
Satz verbinden die beiden Signalverdrahtungen die IDTs auf beiden Seiten
des ersten Elements und den IDT des zweiten Elements. Die ersten
Elemente der beiden Sätze
sind in entgegengesetzter Phase zueinander.
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Gemäß der obigen
Struktur sind das Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filter
(erstes Element), das mit einer symmetrischen Anschlussfläche verbunden
ist, und der Ein-Port-SAW-Resonator (zweites
Element) in Serie geschaltet, zwei Sätze derselben sind parallel
geschaltet, das Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filter (erstes
Element) ist hergestellt, um in entgegengesetzter Phase zu sein,
und der Ein-Port-SAW-Resonator (zweites Element) wird als eine Falle
verwendet. So kann in einem Symmetrisch-Typ-SAW-Filter, das verbesserte Filtercharakteristika
aufweist, der Einfügungsverlust in
dem Durchlassband reduziert werden.
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Vorzugsweise
beinhaltet die Masseverdrahtung eine erste Schicht, die unter Ausschluss
des isolierenden Films und dessen Umgebung gebildet ist, und eine
zweite Schicht, die unter Beinhaltung des isolierenden Films und
dessen Umgebung gebildet ist.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur wird in Bezug auf die Masseverdrahtung, da
zwei Schichten um den isolierenden Film herum aufeinander gelegt
sind, die Masserestimpedanz gesenkt und die Dämpfung außerhalb des Bandes wird verbessert.
Ferner kann die Signalverdrahtung unter Verwendung von nur einer
Schicht gebildet werden; da zwei Schichten um den isolierenden Film
herum nicht aufeinander gelegt werden müssen, kann die Signalverdrahtung
verkürzt
werden; und die Größe kann durch
ein Verkürzen
der Entfernung zwischen dem ersten Element und dem zweiten Element
reduziert werden.
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Als
ein vorzuziehender zweiter Modus sind zumindest zwei Oberflächenwellenelemente,
die miteinander verbunden sind, beinhaltet. Eines der beiden Oberflächenwellenelemente
(im Folgenden als ein erstes Oberflächenwellenelement bezeichnet)
ist ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenelement,
das drei IDTs aufweist, die entlang der Ausbreitungsrichtung einer
akustischen Oberflächenwelle
angeordnet sind, und der mittlere IDT von den drei IDTs ist mit
den zwei symmetrischen Signalanschlüssen durch die beiden Signalleitungen (im
Folgenden als erste und zweite Signalleitung bezeichnet) verbunden.
Die beiden symmetrischen Signalanschlüsse sind auf beiden Seiten
der Mittelachse des Substrats im Wesentlichen parallel zu der Richtung,
in der die beiden Oberflächenwellenelemente angeordnet
sind, angeordnet. Zumindest eine der ersten und der zweiten Signalleitung
ist auf dem isolierenden Film, der auf dem Substrat gebildet ist,
angeordnet.
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In
der oben beschriebenen Struktur wird, wenn zumindest eine der ersten
und der zweiten Signalleitung und die Signalleitung, die eine Verbindung
zwischen den Oberflä chenwellenelementen herstellt,
sich schneiden, in diesem Schnittabschnitt ein dreidimensionaler
Schnittpunkt durch einen isolierenden Film durchgeführt.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur kann das Gehäuse durch ein Anordnen der
symmetrischen Signalanschlüsse
an den gleichen Orten wie in einem Oberflächenwellenfilter einer weiteren Struktur,
die sich in der Bedingung zum Koppeln des Oberflächenwellenelements unterscheidet,
gemeinschaftlich verwendet werden. Ferner wird in Bezug auf die
parasitäre
Kapazität
und die Brückenkapazität, die in
jeden der beiden symmetrischen Signalanschlüsse gelangt, die Differenz
zwischen denselben dadurch reduziert, dass die Signalleitungen,
die mit den symmetrischen Signalanschlüssen verbunden sind, auf einem
isolierenden Film angeordnet werden, und so kann die Symmetrierung
verbessert werden.
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Vorzugsweise
sind die beiden symmetrischen Signalanschlüsse so angeordnet, um im Wesentlichen
symmetrisch um die Mittelachse des Substrats zu sein.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur ist, da die symmetrischen Signalanschlüsse im Wesentlichen
an dem gleichen Ort wie in einem Oberflächenwellenfilter einer weiteren
Struktur angeordnet sind, bei der die symmetrischen Signalanschlüsse symmetrisch
angeordnet sind, dies hervorragend bei einer gemeinsamen Verwendung
des Gehäuses.
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Vorzugsweise
ist das zweite Oberflächenwellenelement
in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet und ist ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelement,
das drei IDTs aufweist, die in Kaskade mit dem ersten Oberflächenwellenelement geschaltet
sind.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur kann die Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes erhöht werden.
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Vorzugsweise
ist das zweite Oberflächenwellenelement
eines oder eine Mehrzahl von Oberflächenwellenresonatorelementen,
die miteinander verbunden sind.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur kann die Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes erhöht werden.
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Als
ein vorzuziehender dritter Modus ist das Oberflächenwellenelement ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelement, das
drei IDTs beinhaltet, die entlang der Ausbreitungsrichtung einer
akustischen Oberflächenwelle angeordnet
sind, und der mittlere IDT von den drei IDTs ist mit den beiden
symmetrischen Anschlüssen durch
die Signalleitungen (im Folgenden als erste und zweite Signalleitung
bezeichnet) verbunden. Die beiden symmetrischen Signalanschlüsse sind
auf beiden Seiten der Mittelachse des Substrats im Wesentlichen
senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet. Zumindest eine der ersten und der zweiten Signalleitung
ist auf dem isolierenden Film, der auf dem Substrat gebildet ist,
angeordnet.
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Bei
der oben beschriebenen Struktur wird, wenn zumindest eine der ersten
und der zweiten Signalleitung die Signalleitung und die Verbindungsleitung
schneidet, die eine Verbindung zwischen dem IDT und den Anschlüssen unter
Ausschluss der symmetrischen Anschlüsse herstellt, in diesem Schnittabschnitt
ein dreidimensionaler Schnittpunkt durch einen isolierenden Film
durchgeführt.
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Gemäß der oben
beschriebenen Struktur kann das Gehäuse durch ein Anordnen der
symmetrischen Signalanschlüsse
an den gleichen Orten wie in einem Oberflächenwellenfilter einer weiteren Struktur,
die sich in dem Modus zum Koppeln der Oberflächenwellenelemente unterscheidet,
gemeinschaftlich verwendet werden. Ferner wird in Bezug auf die
parasitäre
Kapazität
und eine Brückenkapazität, die in
jedes der beiden symmetrischen Signalanschlüsse gelangt, die Diffe renz
zwischen denselben durch ein Anordnen der Signalleitungen, die mit
den symmetrischen Signalanschlüssen
verbunden sind, auf dem isolierenden Film reduziert und so kann
die Symmetrierung verbessert werden.
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Bei
einem Oberflächenwellenbauelement der
vorliegenden Erfindung können
die Charakteristika verbessert werden. In dem Fall des oben beschriebenen
ersten Modus z. B. kann der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband reduziert werden. Ferner wird in dem Fall des
zweiten und des dritten Modus die Differenz einer parasitären Kapazität, die in
jeden symmetrischen Signalanschluss gelangt, mehr reduziert als
in der Struktur, die in dem Patentdokument 2 beschrieben ist, und
die Symmetrierung zwischen den symmetrischen Signalanschlüssen wird
verbessert. Ferner wird es möglich,
das Gehäuse
gemeinschaftlich mit einem Oberflächenwellenfilter, das eine
Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion einer weiteren
Struktur aufweist, wie in 10, 11 usw.
gezeigt ist, zu verwenden, und entsprechend ist es nicht mehr nötig, ein
Gehäuse
für eine
ausschließliche
Verwendung herzustellen.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
eine Draufsicht eines Symmetrisch-Typ-SAW-Filters (Ausführungsbeispiel 1).
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2 ist
eine Schnittansicht an einer Linie II-II aus 1 (Ausführungsbeispiel
1).
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3 ist
eine Draufsicht eines Symmetrisch-Typ-SAW-Filters (Ausführungsbeispiel 2).
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4 ist
eine Schnittansicht an einer Linie IV-IV aus 3 (Ausführungsbeispiel
2).
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5 ist
eine Draufsicht eines Symmetrisch-Typ-SAW-Filters (verwandtes Beispiel).
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6 zeigt
die Struktur eines piezoelektrischen Substrats (verwandtes Beispiel
2).
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7 ist
eine Draufsicht des oberen Abschnitts eines Gehäuses (verwandtes Beispiel 2).
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8 ist
eine Draufsicht des unteren Abschnitts eines Gehäuses (verwandtes Beispiel 2).
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9 zeigt
die Unterteiloberfläche
eines Gehäuses
(verwandtes Beispiel 2).
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10 zeigt
die Struktur eines Oberflächenwellenfilters
(Referenzbeispiel 1).
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11 zeigt
die Struktur eines Oberflächenwellenfilters
(Referenzbeispiel 2).
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12 zeigt
die Struktur eines Oberflächenwellenfilters
(Referenzbeispiel 3).
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13 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Ausführungsbeispiel
3).
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14 ist
ein Diagramm, das Charakteristika eines Oberflächenwellenfilters zeigt (Ausführungsbeispiel
3).
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15 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Vergleichsbeispiel).
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16 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Ausführungsbeispiel
4).
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17 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Ausführungsbeispiel
5).
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18 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Referenzbeispiel
1).
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19 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Referenzbeispiel
2).
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20 ist
eine Unterteilansicht eines Gehäuses
(Ausführungsbeispiel
3).
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21 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Ausführungsbeispiel
6).
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22 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (verwandtes Beispiel
2).
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23 ist
eine Draufsicht eines piezoelektrischen Substrats (Ausführungsbeispiel
7).
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- 100
- piezoelektrisches
Substrat
- 101
- Oberflächenwellenfilterelement
(zweites
-
- Oberflächenwellenelement)
- 102
- Oberflächenwellenfilterelement
(erstes
-
- Oberflächenwellenelement)
- 103,
104 und 105
- IDTs
- 108,
109 und 110
- IDTs
- 118
und 119
- symmetrische
Signalanschlüsse
- 123
und 124
- Signalleitungen
- 150
- Oberflächenwellenresonatorelement
-
- (zweites
Oberflächenwellenelement)
- 250,
251 und 252
- isolierende
Filme
- 500
- piezoelektrisches
Substrat
- 502
- Oberflächenwellenfilterelement
(Ober
-
- flächenwellenelement)
- 508,
509 und 510
- IDTs
- 518
und 519
- symmetrische
Signalanschlüsse
- 523
und 524
- Signalleitungen
- 650
und 652
- isolierende
Filme
- 1010
- Substrat
- 1014
und 1016
- isolierende
Filme
- 1020
- Filter
(erstes Element)
- 1022,
1023, 1024
- IDTs
- 1030
- Filter
(zweites Element)
- 1032,
1033, 1034
- IDTs
- 1041
und 1042
- Verdrahtungen
(Signalverdrahtungen)
- 1048
- Verdrahtung
(Masseverdrahtung)
- 1048a,
1048b und 1048c
- erstes
Schichten
- 1048s
- zweite
Schicht
- 1051
- Anschlussfläche (unsymmetrischer
An
-
- schluss)
- 1052
und 1053
- Anschlussflächen (symmetrische
An
-
- schlüsse)
- 1054
und 1055
- Masseanschlussflächen
- 1100
- Substrat
- 1106
und 1107
- isolierende
Filme
- 1110
- Filter
(erstes Element)
- 1114,
1116, 1118
- IDTs
- 1120
- Filter
(erstes Element)
- 1124,
1126, 1128
- IDTs
- 1130
- Falle
(zweites Element)
- 1134
- IDT
- 1140
- Falle
(zweites Element)
- 1144
- IDT
- 1153
- Verdrahtung
(Masseverdrahtung)
- 1153a
- erste
Schicht
- 1153s
- zweite
Schicht
- 1154
- Verdrahtung
(Masseverdrahtung)
- 1154a
- erste
Schicht
- 1154s
- zweite
Schicht
- 1155,
1156, 1157 und 1158
- Verdrahtungen
(Signalverdrahtungen)
- 1172
- Masseanschlussfläche (Masseanschluss)
- 1173
- Anschlussfläche (unsymmetrischer
An
-
- schluss)
- 1174
und 1175
- Anschlussflächen (symmetrische
An
-
- schlüsse)
-
Bester Modus
zur Ausführung
der Erfindung
-
Im
Folgenden sind die Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die 1 – 23 beschrieben.
-
Zuerst
sind die Ausführungsbeispiele
1 und 2 Bezug nehmend auf die 1 – 4 beschrieben.
-
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 1
-
Ein
Oberflächenwellenbauelement
eines Ausführungsbeispiels
1 ist Bezug nehmend auf die 1 und 2 beschrieben. 1 ist
eine Draufsicht eines Substrats 1010, das in dem Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
1 beinhaltet ist, und 2 ist eine Schnittansicht entlang
einer Linie II-II aus 1.
-
Das
Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
1 ist ein EGSM-Empfangsbandfilter. Die Eingangsimpedanz beträgt z. B.
50 Ω, die Ausgangsimpedanz
beträgt
150 Ω,
das Durchlassfrequenzband beträgt
925 – 960
MHz und die Mittenfrequenz beträgt
942,5 MHz.
-
Das
Substrat 1010 ist aus einem piezoelektrischen LiTaO3-Einkristallsubstrat
gebildet und ein Metallfilm mit einer festen Struktur ist auf dessen Hauptoberfläche 1012 gebildet,
wie in 2 gezeigt ist. Dies bedeutet, dass ein Symmetrisch-Typ-SAW-Filter
gebildet wird, bei dem ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilter 1020 (im
Folgenden als ein Filter 1020 bezeichnet) einer ersten
Stufe und ein Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilter 1030 (im
Folgenden als ein Filter 1030 bezeichnet) einer zweiten
Stufe in Kaskade geschaltet sind, eine Anschlussfläche 1051 ein
unsymmetrischer Anschluss ist und Anschlussflächen 1052 und 1053 symmetrische
Anschlüsse
sind. Verdrahtungen, d. h. Signalverdrahtungen 1041 und 1042,
durch die das Filter 1020 als ein erstes Element und das
Filter 1030 als ein zweites Element in Kaskade geschaltet
sind, schneiden eine Masseverdrahtung 1048, die mit einem
IDT 1023 verbunden ist, der einen unsymmetrischen Anschluss 1051 umfasst,
in drei Dimensionen. Die Masseverdrahtung 1048 zu dem unsymmetrischen
Anschluss 1051 ist mit Masseanschlussflächen 1054 und 1055 verbunden,
die an einem Ort außerhalb
zwischen den Stufen enthalten sind. Die Masseanschlussflächen 1054 und 1055 sind
Masseanschlüsse
zum Erden. Die Filter 1020 und 1030 sind parallel
angeordnet, so dass die Ausbreitungsrichtung der akustischen Oberflächenwellen
parallel zueinander sein könnte.
-
Im
Detail sind in dem Filter 1020 der ersten Stufe drei IDTs 1022, 1023 und 1024 in
einer Linie mit der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet und zwei Reflektoren 1021 und 1025 sind
auf beiden Seiten der IDTs 1022, 1023 und 1024 angeordnet.
Eine Elektrodenseite des mittleren IDT 1023 ist mit der
Anschlussfläche 1051 als einem
unsymmetrischen Anschluss durch eine Verdrahtung 1047 verbunden.
Die andere Elektrodenseite ist mit den Masseanschlussflächen 1054 und 1055 von
den Verdrahtungen 1040 und 1048 durch Verdrahtungen 1043 und 1046 verbunden.
Die Seiten einer Elektrode der anderen IDTs 1022 und 1024 sind außerdem mit
den Masseanschlussflächen 1054 und 1055 durch
Verdrahtungen 1044 und 1045 verbunden.
-
In
dem Filter 1030 der zweiten Stufe sind drei IDTs 1032, 1033 und 1034 in
einer Linie in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet und zwei Reflektoren 1031 und 1035 sind
auf beiden Seiten der IDTs 1032, 1033 und 1034 angeordnet.
-
Eine
Elektrodenseite des mittleren IDT 1033 ist mit den Anschlussflächen 1052 und 1053 als
symmetrischen Anschlüssen
verbunden und die andere Elektrode ist zu einer floatenden bzw.
schwebenden Elektrode gemacht. Die Seiten einer Elektrode der IDTs 1032 und 1034,
die auf beiden Seiten des IDT 1033 angeordnet sind, sind
mit den Seiten der anderen Elektrode der IDTs 1022 und 1024 des
Filters der ersten Stufe verbunden. Die Seiten der anderen Elektrode
der IDTs 1032 und 1034 sind mit den Masseanschlussflächen 1054 und 1055 durch
Verdrahtungen 1043 und 1046 verbunden.
-
Rechteckige
isolierende Filme 1014 und 1016 sind so gebildet,
um Teile der Verdrahtungen 1041 und 1042 einer
Signalleitung abzudecken, die die Filter 1020 und 1030 verbindet,
die Verdrahtung 1048 ist auf den isolierenden Filmen 1014 und 1016 gebildet
und die Verdrahtungen 1041 und 1042 und die Verdrahtung 1048 schneiden
sich bei den isolierenden Filmen 1014 und 1016 in
drei Dimensionen bzw. Abmessungen.
-
Bei
den Messungen der isolierenden Filme 1014 und 1016 beträgt die Abmessung
in der Querrichtung (in der Erstreckungsrichtung der Verdrahtung 1048)
in der Zeichnung 50 μm,
die Abmessung in der Longitudinalrichtung (in der Erstreckungsrichtung
der Verdrahtungen 1041 und 1042) in der Zeichnung
beträgt
1.040 bis 50 μm
und die Dicke beträgt
2 μm. Die
Breite der unteren Verdrahtungen 1041 und 1042 beträgt etwa
30 μm und
die Breite der oberen Verdrahtung 1048 beträgt 20 – 30 μm, wobei
die Verdrahtungen sich in drei Dimensionen schneiden. Der Raum zwischen
den Filtern 1020 und 1030 beträgt 60 – 70 μm. Die Abmessungen der Masseanschlussflächen 1054 und 1055 betragen
100 μm × 100 μm. In dem
verwandten Beispiel, bei dem die Masseanschlussflächen mit
den gleichen Abmessungen zwischen den beiden in Kaskade geschalteten
Longitudinalkopplungsresona tor-Typ-Oberflächenwellenfiltern enthalten
sind, ist, da die Entfernung zwischen den Filtern etwa 200 μm beträgt, bei
dem Ausführungsbeispiel
1 die Entfernung zwischen den Filterelementen so verkürzt, um
etwa ein Drittel oder weniger als in dem verwandten Beispiel zu
sein. Ein photoempfindliches Harz (Polyimid, relative Dielektrizitätskonstante:
etwa 2) wird z. B. für
die isolierenden Filme 1014 und 1016 verwendet.
-
Bei
dem Ausführungsbeispiel
1 ist, wenn die Verdrahtung 1048 (auch als Masseverdrahtung 1048 bezeichnet)
für die
Verbindung zu den Masseanschlussflächen 1054 und 1055 und
die Verdrahtungen 1041 und 1042 (auch als Signalverdrahtungen 1041 und 1042 bezeichnet)
für die
Verbindung zwischen den Filtern 1020 und 1030 sich
schneiden, der Schnittbereich von oben gesehen ausreichend klein, die
relative Dielektrizitätskonstante
der isolierenden Filme 1014 und 1016 ist im Vergleich
zu der relativen Dielektrizitätskonstante
des LiTaO3-Substrats 10, die etwa
50 beträgt,
ausreichend klein und die Dicke der isolierenden Filme 1014 und 1016 ist
ausreichend groß.
Entsprechend kann die Streukapazität im Vergleich zu der Struktur,
bei der zwei Elemente in Kaskade geschaltet sind und Masseanschlussflächen zwischen
Stufen angeordnet sind, wie in dem verwandten Beispiel, reduziert
werden.
-
Als
Nächstes
ist das Herstellungsverfahren für
das Substrat 1010 beschrieben.
-
Zuerst
wird eine Aluminiumfilmstruktur der ersten Schicht auf der Hauptoberfläche 1012 des Substrats 1010 durch
Trockenätzen
oder Abheben gebildet. Die Aluminiumfilmstruktur der ersten Schicht
passt im Wesentlichen mit der letztendlichen Metallstruktur der
IDTs, Anschlussflächen,
Verdrahtungen usw. zusammen. Wie in 2 gezeigt
ist, ist jedoch in Bezug auf die Verdrahtung 1048 die Struktur
der ersten Schicht nicht in dem Abschnitt gebildet, in dem die isolierenden
Filme 1014 und 1016 gebildet sind, sowie in deren
Umgebung, so dass die isolierenden Schichten 1014 und 1016 zwischen
den ersten Schichten 1048a, 1048b und 1048c angeordnet sein
könnten.
Die Dicke des Aluminiumfilms der ersten Schicht wird gleich der
Filmdicke der IDTs 1022 – 1024 und 1032 – 1034 gemacht
und die Dicke in einem 800-MHz-Band-SAW-Filter
beträgt
z. B. 300 – 400
nm und die Dicke in einem 2-GHz-Band-SAW-Filter beträgt 150 – 200 nm.
-
Als
Nächstes
wird ein photoempfindliches Harz beschichtet und die isolierenden
Filme 1014 und 1016 werden in dem Schnittabschnitt
der Verdrahtungen 1041 und 1042 zwischen den Filtern 1020 und 1030 und
der Masseverdrahtung 1048 durch ein Verwenden von Photolithographie
gebildet.
-
Als
Nächstes
wird eine Resistmaske, die eine Öffnung
aufweist, die der letztendlichen Metallfilmstruktur ausschließlich des
freiliegenden Abschnitts der Filter 1020 und 1030 und
der Verdrahtungen 1041 und 1042 entspricht, gebildet
und die Aluminiumfilmstruktur der zweiten Schicht wird durch ein Verwenden
eines Abhebens gebildet. Ti oder NiCr als ein Haftmittel könnte zwischen
dem Aluminium der ersten Schicht und dem Substrat 1010 oder
zwischen dem Aluminium der zweiten Schicht und dem Aluminium der
ersten Schicht gebildet sein.
-
Auf
diese Weise ist, wie in 2 gezeigt ist, die zweite Schicht 1048s der
Verdrahtung 1048 auf die ersten Schichten 1048a, 1048b und 1048c gelegt und
verbunden. In dem Verbindungsabschnitt zwischen der zweiten Schicht 1048s und
den ersten Schichten 1048a, 1048b und 1048c muss
der Verbindungsabschnitt eine feste Fläche oder eine Fläche, die
größer ist
als erforderlich, aufweisen, um den Verbindungswiderstand zwischen
der zweiten Schicht 1048s und den ersten Schichten 1048a, 1048b und 1048c ausreichend
zu reduzieren. Entsprechend ist in der Verdrahtung 1048 die überlappende
Fläche zwischen
den ersten Schichten 1048a, 1048b und 1048c und
der zweiten Schicht 1048s zu einer Fläche von 20 μm oder mehr pro Seite gemacht.
-
Es
ist erforderlich, die obere Verdrahtung (zweite Schicht) des dreidimensionalen
Schnittpunkts mit der ersten Schicht, die mit den IDTs verbunden
ist, an einem bestimmten Ort zu verbinden. Wenn die Signalleitung
zum Verbinden der beiden Elemente auf der Oberseite des dreidimensionalen Schnittpunkts
angeordnet ist, wird ein Verbindungsabschnitt zum Verbinden der
ersten Schicht und der zweiten Schicht zwischen einem Element und
dem dreidimensionalen Schnittpunkt und zwischen dem anderen Element
und dem dreidimensionalen Schnittpunkt benötigt. Dies bedeutet, dass es
nötig ist,
die Entfernung zwischen den beiden Elementen zu erhöhen, um
nicht nur den isolierenden Film des dreidimensionalen Schnittpunkts
zu umfassen, sondern auch den Verbindungsabschnitt zwischen der ersten
Schicht und der zweiten Schicht.
-
Andererseits
kann, wenn die Signalleitungen (Verdrahtungen 1041 und 1042)
zum Verbinden der beiden Elemente (Filter 1020 und 1030)
auf der unteren Seite des dreidimensionalen Schnittpunkts angeordnet
sind, wie im Ausführungsbeispiel
1, da es nicht nötig
ist, den Verbindungsabschnitt zwischen den Elementen und dem dreidimensionalen
Schnittpunkt bereitzustellen, die Entfernung zwischen den beiden
Elementen durch lediglich die Abmessungen des isolierenden Films
des dreidimensionalen Schnittpunkts bestimmt werden.
-
Insbesondere
ist bei dem Ausführungsbeispiel
1 der mittlere IDT 1033 in der zweiten Stufe unterteilt
und aufgebaut, um mit einer symmetrischen Ausgabe (oder symmetrischen
Eingabe) umzugehen, und keine Masseverdrahtung ist in dem mittleren
IDT 1033 in der zweiten Stufe erforderlich. Entsprechend
ist bezüglich
der Masseverdrahtungen zwischen den Filtern 1020 und 1030 nur
die Masseverdrahtung 1048 für den mittleren IDT 1023 in
der ersten Stufe erforderlich.
-
Bei
dem Ausführungsbeispiel
1 sind die Signalverdrahtungen 1041 und 1042 zwischen
den Filtern 1020 und 1030 nur in der ersten Schicht
enthalten und der spezifische elektrische Widerstand der Leitungen
nimmt zu. Die Entfernung zwischen den Filtern 1020 und 1030 jedoch
wird verkürzt
und die Verschlechterung des Einfügungsverlustes in dem Band
kann verhindert werden.
-
In
dem Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
1 wird die Streukapazität
zwischen der Signalleitung und den Masseanschlussflächen durch
die Bewegung der Masseanschlussflächen 1054 und 1055 von
einem Ort zwischen den Filtern 1020 und 1030 reduziert
und der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband kann dadurch, dass die Zwischenstufenentfernung
kleiner gemacht wird (d. h. Verkürzen
der Signalverdrahtungen 1041 und 1042 zwischen
den Filtern 1020 und 1030), gesenkt werden.
-
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 2
-
Als
Nächstes
ist ein Oberflächenwellenbauelement
eines Ausführungsbeispiels
2 der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die 3 und 4 beschrieben. 3 ist
eine Draufsicht eines Substrats 1100, das in dem Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
2 beinhaltet ist, und 4 ist eine Schnittansicht an
einer Linie IV-IV aus 3.
-
Das
Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
2 ist eine Vorrichtung, bei der das Substrat 1100, das
einen Metallfilm einer festen Struktur aufweist, die auf der Hauptoberfläche 1102 gebildet
ist, in einem Gehäuse
(nicht dargestellt) gehäust
ist und durch das gleiche Verfahren wie bei dem Ausführungsbeispiel
1 hergestellt werden kann. Im Folgenden sind hauptsächlich die
unterschiedlichen Punkte zu dem Ausführungsbeispiel 1 beschrieben.
-
Das
Oberflächenwellenbauelement
des Ausführungsbeispiels
2 ist ein DCS-Empfangsband-Oberflächenwellenfilter. Die Ein gangsimpedanz
beträgt
z. B. 50 Ω,
die Ausgangsimpedanz beträgt
150 Ω und
das Durchlassfrequenzband beträgt 1.805 – 1.880
MHz.
-
Wie
in 3 gezeigt ist, sind zwei Sätze von Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filtern 1110 und 1120 (im
Folgenden auch als Filter 1110 und 1120 bezeichnet)
als erste Elemente parallel zu einer Anschlussfläche 1173 als einem
unsymmetrischen Anschluss geschaltet und Anschlussflächen 1174 und 1175 werden
als symmetrische Anschlüsse verwendet.
Ein-Port-SAW-Resonatoren 1130 und 1140 (im Folgenden
als Fallen 1130 und 1140 bezeichnet) als zweite
Elemente sind in Serie zu den Filtern 1110 und 1120 geschaltet.
-
Die
Zwei-Element-Kaskadenverschaltung in den Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filtern
wie in dem Ausführungsbeispiel
1 weist den Vorteil auf, dass eine hohe Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes
realisiert werden kann, ist jedoch dahingehend von Nachteil, dass
der Einfügungsverlust
in dem Durchlassband ansteigt. Wie in dem Ausführungsbeispiel 2 kann eine
hohe Dämpfung
in der Umgebung des Durchlassbandes durch die Serienschaltung der
Ein-Port-SAW-Resonatoren 1130 und 1140 mit
den Longitudinalkopplungsresonator-Typ-SAW-Filtern 1110 und 1120 realisiert
werden. Die Ein-Port-SAW-Resonatoren 1130 und 1140 werden
als Fallen verwendet, wo eine Antiresonanzfrequenz auf der höherfrequenten
Seite als das Durchlassband der Resonator-Typ-SAW-Filter 1110 und 1120 positioniert
ist.
-
Im
Detail sind in den Filtern 1110 und 1120 drei
IDTs 1114, 1116 und 1118 bzw. 1124, 1126 und 1128 in
einer Linie in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet und zwei Reflektoren 1112 und 1122 sind
auf beiden Seiten der IDTs angeordnet. Die einen Elektrodenseiten
der mittleren IDTs 1116 und 1026 sind mit einer
Anschlussfläche 1173 als
einem unsymmetrischen Anschluss durch Verdrahtungen 1151 bzw. 1152 verbunden.
Die anderen Elektrodenseiten sind mit einer Masseanschlussfläche 1172 als
einem Masseanschluss durch Verdrahtungen 1153a und 1153 und 1154a und 1154 verbunden.
Die einen Elektrodenseiten der anderen IDTs 1114 und 1118 und 1124 und 1128 sind
ebenso durch Verdrahtungen 1150 und 1159 mit der
Masseanschlussfläche 1172 verbunden.
-
Das
Filter 1110 ist phasenmäßig entgegengesetzt
zu dem Filter 1120. Ferner wird in den IDTs 1124 und 1128 eines
Filters 1120 der Schnittpunkt zur Einstellung der Symmetrierung
gewichtet.
-
In
den Fallen 1130 und 1140 sind Reflektoren 1132 und 1142 auf
beiden Seiten der IDTs 1134 und 1144 angeordnet.
Die einen Elektrodenseiten der IDTs 1134 und 1144 sind
mit der anderen Elektrodenseite der IDTs 1114 und 1118 und 1124 und 1128 der Filter 1110 und 1120 durch
Verdrahtungen 1155 und 1156 bzw. 1157 und 1158 verbunden.
Die anderen Elektrodenseiten der IDTs 1134 und 1144 sind
mit Anschlussflächen 1174 und 1175 als
symmetrischen Anschlüssen
durch Verdrahtungen 1160 bzw. 1162 verbunden.
-
Die
Verdrahtungen 1156 und 1157 von den Verdrahtungen 1155 und 1156 und 1157 und 1158, durch
die die Filter 1110 und 1120 longitudinal mit den
Fallen 1130 und 1140 verbunden sind, schneiden die
Verdrahtungen 1153 und 1154, durch die die Masseanschlussfläche 1172,
die in der Mitte angeordnet ist, mit den Filtern 1110 und 1120 verbunden
ist, durch isolierende Filme 1106 und 1107 in
drei Dimensionen. Ferner schneiden die Verdrahtungen 1151 und 1152 auch
die Verdrahtung 1150 bei den isolierenden Filmen 1104 und 1105.
-
Wie
für die
Dimensionen der isolierenden Filme 1104, 1105, 1106 und 1107 beträgt das Maß in der
Querrichtung (Erstreckungsrichtung der Verdrahtungen 1150, 1153 und 1154)
in 3 70 μm,
das Maß in
der Longitudinalrichtung (Erstreckungsrichtung der Verdrahtungen 1151 und 1152 und
senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der Verdrahtungen 1153 und 1154)
in 3 beträgt
40 bis 50 μm
und die Dicke beträgt
2 μm. Die
Breite der unteren Verdrahtungen 1150, 1156 und 1157 in
dem dreidimensionalen Schnittpunkt beträgt etwa 30 μm und die Breite der oberen
Verdrahtungen 1151, 1152, 1153 und 1154 beträgt 20 – 30 μm. Der Raum
zwischen den Filtern 1110 und 1120 und den Fallen 1130 und 1140 beträgt 60 – 70 μm. Die Dimensionen
der Masseanschlussfläche 1172 betragen
100 μm × 100 μm. In dem
verwandten Beispiel, bei dem die Masseanschlussfläche mit
den gleichen Dimensionen zwischen dem Filter und der Falle beinhaltet
ist, beträgt der
Raum zwischen dem Filter und der Falle etwa 200 μm und bei dem Ausführungsbeispiel
2 kann der Raum zwischen den Filtern 1110 und 1120 und
den Fallen 1130 und 1140 zu etwa einem Drittel
oder weniger desjenigen in dem verwandten Beispiel gemacht werden.
-
Wie
in 4 gezeigt ist, sind zweite Schichten 1153s und 1154s der
Verdrahtungen 1153 und 1154 auf den isolierenden
Schichten 1106 und 1107 gebildet und die zweiten
Schichten 1153s und 1154s sind auf die erste Schicht 1172a der
Masseanschlussfläche 1172 und
Verdrahtungen 1153a und 1154a von nur der ersten
Schicht auf den beiden Seiten der isolierenden Filme 1106 und 1107 gelegt.
Die erste Schicht ist in einer Fläche von 20 μm oder mehr pro Seite auf die
zweite Schicht gelegt und beide sind verbunden.
-
Ferner
ist die zweite Schicht in den Anschlussflächen 1172, 1173, 1174 und 1175,
dem Mittelabschnitt der Verdrahtung 1150 und den Verdrahtungen 1151, 1152, 1153, 1154, 1159, 1160 und 1162 gebildet.
-
In
dem Ausführungsbeispiel
2 ist die dreidimensionale Verdrahtung zwischen den Filtern 1110 und 1120 und
den Fallen 1130 und 1140 durchgeführt, die
gleiche Wirkung wie in dem Ausführungsbeispiel
1 kann jedoch erhalten werden. Dies bedeutet, dass, da der Raum
zwischen den beiden Elementen der Filter 1110 und 1120 und
den Fallen 1130 und 1140 durch lediglich die Dimensionen
der isolierenden Filme 1106 und 1107 für einen
dreidimensionalen Schnittpunkt bestimmt werden kann, der Raum klein
gemacht werden kann.
-
Da
keine Masseverdrahtung in den Fallen 1130 und 1140 notwendig
ist, ist nur eine Masseverdrahtung zwischen den beiden Elementen
zum Erden der Filter 1110 und 1120 erforderlich.
Selbst wenn die Verdrahtungen 1155 und 1156 und 1157 und 1158 zwischen
den beiden Elementen durch nur die erste Schicht durchgeführt werden
und der spezifische elektrische Widerstand der Leitungen zunimmt,
kann, da die Entfernung zwischen den beiden Elementen verkürzt ist,
die Verschlechterung des Einfügungsverlustes
in dem Band verhindert werden.
-
Als
Nächstes
sind die Ausführungsbeispiele 3 – 7 Bezug
nehmend auf die 11 – 21 und 23 beschrieben.
Ferner sind in den Zeichnungen den Abschnitten der gleichen Struktur
die gleichen Bezugszeichen gegeben.
-
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 3
-
Ein
Oberflächenwellenfilter
eines Ausführungsbeispiels
3 ist Bezug nehmend auf die 12 – 19 und 22 beschrieben.
Das Oberflächenwellenfilter
des Ausführungsbeispiels
3 beinhaltet eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion. Hier ist als ein
Beispiel ein EGSM-Empfangsbandfilter
(EGSM = erweitertes globales System für Mobilkommunikationen) beschrieben,
bei dem die Impedanz eines unsymmetrischen Signalanschlusses 50 Ω beträgt und die
Impedanz eines symmetrischen Signalanschlusses 100 Ω beträgt.
-
Zuerst
ist die Struktur des Ausführungsbeispiels
3 Bezug nehmend auf die 12 und 13 beschrieben.
-
In
dem Oberflächenwellenfilter
des Ausführungsbeispiels
3 sind zwei Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächen wellenfilterelemente
(im Folgenden als Filterelemente bezeichnet) 101 und 102 auf
einem piezoelektrischen Substrat 100 gebildet und in Kaskade
geschaltet. Ein LiTaO3-40±5°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Substrat
wird in dem piezoelektrischen Substrat 100 verwendet und
die Filterelemente 101 und 102 sind durch ein Verwenden
von Aluminiumelektroden gebildet.
-
Wie
die Basisstruktur schematisch in 12 gezeigt
ist, beinhaltet ein Filterelement 101 drei IDTs 103, 104 und 105 und
zwei Reflektoren 106 und 107, die entlang der
Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet sind.
Die anderen IDTs 103 und 105 sind so gebildet,
um den mittleren IDT 104 sandwichartig zu umschließen, und
die Reflektoren 106 und 107 sind auf beiden Seiten
derselben gebildet. Ein Ende des mittleren IDT 104 ist mit
einem unsymmetrischen Signalanschluss 117 durch eine Signalleitung 122 verbunden.
-
In
der gleichen Weise beinhaltet auch das andere Filterelement 102 drei
IDTs 108, 109 und 110 und zwei Reflektoren 111 und 112,
die entlang der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle
angeordnet sind. Die anderen IDTs 108 und 110 sind
so gebildet, um den mittleren IDT 109 sandwichartig zu
umschließen,
und die Reflektoren 111 und 112 sind auf beiden
Seiten derselben gebildet. Beide Enden des mittleren IDT 109 sind
mit symmetrischen Signalanschlüssen 118 und 119 durch
Signalleitungen 123 bzw. 124 verbunden.
-
Die
beiden Filterelemente 101 und 102 sind in Kaskade
geschaltet. Dies bedeutet, dass ein Ende der IDTs 103 und 105 jedes
Filterelements 101 mit einem Ende der IDTs 108 und 110 jedes
anderen Elements 102 durch Signalleitungen 120 bzw. 121 verbunden
ist. Das andere Ende der IDTs 103 und 105 jedes
Filterelements 101 und das andere Ende der IDTs 108 und 110 jedes
anderen Filterelements 102 sind jeweils geerdet. Ferner
gibt es, selbst wenn die anderen Enden in der gleichen Weise miteinander verbunden
sind wie bei den einen Enden, anstatt einer Verbindung mit Masse,
kein Betriebsproblem.
-
Die
Richtung der IDTs 103, 104, 105, 108, 109 und 110 ist
jeweils so eingestellt, dass die Phase eines elektrischen Signals,
das auf einer Signalleitung 120 übertragen wird, die zwischen
die IDTs 103 und 108 geschaltet ist, sich um etwa
180° von
der Phase eines elektrischen Signals unterscheiden kann, das auf
einer Signalleitung 121 übertragen wird, die zwischen
die IDTs 105 und 110 geschaltet ist. So kann eine
hervorragende Amplitudensymmetrierung und Phasensymmetrierung als
Oberflächenwellenfilter
erhalten werden.
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In
den Abschnitten, die in 12 durch
die Bezugszeichen 113 – 116 gezeigt
sind (im Folgenden als Elektrodenfingerabschnitte mit schmaler Teilung bzw.
kleinem Abstand bezeichnet), d. h. in den Abschnitten zwischen den
IDTs 103 und 104 und zwischen den IDTs 104 und 105 eines
Filterelements 101 und zwischen den IDTs 108 und 109 und
zwischen den IDTs 109 und 110 des anderen Filterelements 102,
ist die Teilung einiger benachbarter Elektrodenfinger (Breite eines
Elektrodenfingers und Raum zwischen Elektrodenfingern) kleiner gemacht als
diejenige in dem anderen Abschnitt der IDTs 103, 104, 105, 108, 109 und 110.
Ferner ist in 12 zur Vereinfachung die Anzahl
von Elektrodenfingern so dargestellt, um kleiner als die tatsächlichen
zu sein. Ein breites Bandpassfilter kann in einer derartigen Weise
erhalten werden, dass die Unterbrechung an den Abschnitten, wo IDTs
benachbart zueinander sind, aufs Äußerste reduziert wird, indem
derartige Elektrodenfingerabschnitte mit schmaler Teilung 113 – 116 beinhaltet
sind, und dass der Raum zwischen den IDTs 103, 104, 105, 108, 109 und 110 eingestellt wird.
-
13 zeigt
den tatsächlichen
Entwurf auf einem piezoelektrischen Substrat 100. In 13 ist der
Schräglinienabschnitt
mit schmalem Raum eine Elektrodenstruktur (im Folgenden als eine
erste Schichtstruktur bezeichnet), die in einem ersten Photolithographievorgang
gebildet wird. Der Schräglinienabschnitt
mit weitem Raum ist eine Elektrodenstruktur (im Folgenden als eine
zweite Schichtstruktur bezeichnet), die in einem zweiten Photolithographievorgang
gebildet wird. Die Abschnitte ohne Schräglinie 250, 251 und 252 sind
ein isolierender Film, der durch ein Verwenden eines Harzes mit
einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
usw. gebildet wird, bevor die zweite Schichtstruktur gebildet wurde.
In 13 sind zur Kürze
die erste Schichtstruktur und die zweite Schichtstruktur so dargestellt,
um in Kontakt miteinander zu sein, tatsächlich jedoch ist zumindest eine
der ersten Schichtstruktur und der zweiten Schichtstruktur so gebildet,
um größer zu sein
als die Darstellung, und zwar in der Umgebung des Orts, wo beide
in Kontakt miteinander stehen und die zweite Schichtstruktur auf
die erste Schichtstruktur gelegt ist, um die beiden zu verbinden.
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Ein
unsymmetrischer Anschluss 117 ist in dem oberen Mittelabschnitt
des piezoelektrischen Substrats 100 in 13 angeordnet.
Die symmetrischen Signalanschlüsse 118 und 119 sind
in dem unteren linken bzw. rechten Abschnitt des piezoelektrischen
Substrats 100 in 13 angeordnet.
Masseanschlüsse 201 und 202 sind
in dem oberen linken bzw. rechten Abschnitt des piezoelektrischen
Substrats 100 in 13 angeordnet.
Dies bedeutet, dass die symmetrischen Signalanschlüsse 118 und 119 so angeordnet
sind, um symmetrisch um die imaginäre Mittelachse des piezoelektrischen
Substrats 100 zu sein.
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Ein
Anschluss des mittleren IDT 104 eines Filterelements 101 ist
mit dem unsymmetrischen Anschluss 117 verbunden und der
andere Anschluss ist mit dem Masseanschluss 202 verbunden.
Jeweils ein Ende der IDTs 103 und 105 auf beiden
Seiten eines Filterelements 101 ist mit den Masseanschlüssen 201 bzw. 202 verbunden
und das andere Ende ist mit jeweils einem Ende der IDTs 108 und 110 des
anderen Filter elements 102 durch die Signalleitungen 120 bzw. 121 verbunden.
Die Verbindungsleitung zum Verbinden des anderen Endes des mittleren
IDT 104 mit dem Masseanschluss 202 schneidet die
Signalleitung 201 in drei Dimensionen bei einem isolierenden
Film 251, der auf der Signalleitung 121 gebildet ist,
zum Verbinden zwischen den IDTs 105 und 110 in dem
Abschnitt, der durch das Bezugszeichen 203 gezeigt ist.
-
Das
andere Ende des IDT 108 des anderen Filterelements 102 ist
mit dem Masseanschluss 201 durch die Reflektoren 111 und 106 verbunden.
Dies bedeutet, dass das andere Ende des IDT 108 und der Reflektor 111 durch
eine Verbindungsleitung 130 verbunden sind, die Reflektoren 106 und 110 durch
eine Verbindungsleitung 131 verbunden sind und der Reflektor 106 und
der Masseanschluss 201 verbunden sind. Das andere Ende
des IDT 110 ist mit dem Masseanschluss 202 verbunden.
Ein Ende des mittleren IDT 109 ist durch eine Signalleitung 123 mit
einem symmetrischen Signalanschluss 118 verbunden. Ein Großteil der
Signalleitung 123 ist auf einem isolierenden Film 250 gebildet.
Die Signalleitung 123 schneidet die Verbindungsleitung
zum Verbinden der Reflektoren 106 und 111 in drei
Dimensionen bei dem isolierenden Film 250 in dem Abschnitt,
der durch das Bezugszeichen 204 gezeigt ist, und schneidet die
Signalleitung 120 zum Verbinden zwischen den IDTs 103 und 108 in
drei Dimensionen bei dem isolierenden Film 250 in dem Abschnitt,
der durch das Bezugszeichen 205 gezeigt ist. Das andere
Ende des IDT 109 ist mit dem anderen symmetrischen Signalanschluss 119 durch
eine Signalleitung 124 verbunden. Ein isolierender Film 252 ist
zwischen der Signalleitung 124 und dem Substrat 100 gebildet
und die Symmetrie zwischen den symmetrischen Signalanschlüssen bleibt
erhalten.
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Als
Nächstes
ist das Verfahren zum Bilden jeder Struktur auf dem Substrat 100 beschrieben.
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Zuerst
wird eine Aluminiumfilmstruktur einer ersten Schicht auf dem Substrat 100 durch
ein Trockenätzverfahren
oder ein Abhebeverfahren gebildet. Die Aluminiumfilmstruktur der
ersten Schicht beinhaltet die IDTs 103, 104 und 105; 108, 109 und 110, die
Reflektoren 106 und 107 und 111 und 112,
die Signalleitungen 120 und 121 und die Verbindungsleitungen 130 und 131.
Die Dicke des Aluminiumfilms der ersten Schicht ist in den IDTs 103, 104 und 105 und 108, 109 und 110 die
gleiche.
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Als
Nächstes
wird ein photoempfindliches Harz aufgebracht und die isolierenden
Filme 250, 251 und 252 werden unter Verwendung
eines Photolithographieverfahrens gebildet. Ein Polyimid-Harz (relative
Dielektrizitätskonstante:
2) wird z. B. als ein photoempfindliches Harz verwendet. In diesem
Fall kann, da die relative Dielektrizitätskonstante im Vergleich zu
der relativen Dielektrizitätskonstante
von etwa 50 des LiTaO3-Substrats 100 ausreichend
klein ist, wenn die Signalleitungen 123 und 124,
die mit den symmetrischen Signalanschlüssen 118 und 119 verbunden
sind, auf den isolierenden Filmen 250 und 251 gebildet
sind, die Streukapazität
im Vergleich mit dem Fall reduziert werden, bei dem eine Signalleitung,
die mit einem symmetrischen Signalanschluss verbunden ist, direkt
auf einem Substrat gebildet ist.
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Als
Nächstes
wird eine Resistmaske mit einer Öffnung,
die der zweiten Schichtstruktur entspricht, gebildet und eine Aluminiumfilmstruktur
der zweiten Schicht wird unter Verwendung eines Abhebeverfahrens
gebildet.
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Ferner
könnte
Ti oder NiCr als eine Haftschicht zwischen dem Aluminiumfilm der
ersten Schicht und dem Substrat 100 oder zwischen dem Aluminiumfilm
der zweiten Schicht und dem Aluminiumfilm der ersten Schicht gebildet
werden.
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In 20 ist
der Entwurf externer Anschlüsse 401 – 405 auf
der Unterteiloberfläche
eines Gehäuses
für das
Oberflächenwellenfilter
des Ausführungsbeispiels
3 gezeigt. In der Zeichnung ist der obere mittlere externe Anschluss 401 ein unsymmetrischer
Anschluss und ist mit dem Anschluss 117 in den 12 und 13 verbunden.
Die externen Anschlüsse 402 und 403 in
dem unteren rechten und unteren linken Eckabschnitt sind symmetrische
Signalanschlüsse
und mit den Anschlüssen 118 bzw. 119 in
den 12 und 13 verbunden.
Die externen Anschlüsse 404 und 405 in
den Mittelabschnitten sind Masseanschlüsse.
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In
dem Gehäuse
können,
wie in den 18 und 19 gezeigt
ist, Oberflächenwellenfilterelementchips,
die eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion anderer
Strukturen aufweisen, bei denen Oberflächenwellenelemente 71 und 72 und 81 – 84 auf
piezoelektrischen Substraten 70 und 80 mit der
gleichen Größe wie das
piezoelektrische Substrat 100 gebildet sind, gehäust werden. 18 entspricht
der Struktur in 10 und 19 entspricht
der Struktur in 11. In den Oberflächenwellenfiltern,
die eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion der anderen
Strukturen aufweisen, sind in der gleichen Weise wie das piezoelektrische
Substrat 100 des Ausführungsbeispiels
3 unsymmetrische Anschlüsse 73 und 87 in
dem oberen mittleren Abschnitt der piezoelektrischen Substrate 70 und 80 in
den Zeichnungen angeordnet, symmetrische Signalanschlüsse 74 und 75 und 86 und 85 sind
in dem unteren linken und rechten Abschnitt in den Zeichnungen angeordnet
und die Masseanschlüsse 76 und 77, 88 und 89 sind
in dem oberen linken und rechten Abschnitt in den Zeichnungen angeordnet.
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Entsprechend
können
das Oberflächenwellenfilter
des Ausführungsbeispiels
3 und die Oberflächenwellenfilter
mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion der anderen
Strukturen, wie in den 18 und 19 gezeigt
ist, das Gehäuse
zur gemeinsamen Verwendung haben.
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Ferner
sind in den 18 und 19 die erste
Schichtstruktur, die zweite Schichtstruktur und die Isolierfilmstruktur
in der gleichen Weise wie in 13 dargestellt.
In 18 schneiden die Signalleitungen zwischen den
IDTs 71b und 72b und zwischen den IDTs 71c und 72c und
die Verbindungsleitung zur Verbindung zwischen dem IDT 71a und
den zweiten Anschlüssen 76 und 77 in
drei Dimensionen isolierende Filme 78 und 79.
In 19 schneiden die Signalleitungen zum Verbinden
zwischen den IDTs 84a und 82a und dem Anschluss 87 und
die Verbindungsleitungen zum Verbinden zwischen den IDTs 84b und 82c und
den Anschlüssen 88 und 89 in
drei Dimensionen isolierende Filme 90 und 91 und
die Signalleitungen zum Verbinden zwischen den IDTs 83a und 81a und
den Anschlüssen 86 und 85 und
die Verbindungsleitungen zum Verbinden zwischen den IDTs 83b und 81c und
den Anschlüssen 88 und 89 schneiden
in drei Dimensionen isolierende Filme 92 und 93.
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Als
Nächstes
ist ein Beispiel des Entwerfens der Oberflächenwellenfilterelemente 101 und 102 gegeben.
Wenn die Wellenlänge,
die durch die Teilung von Elektrodenfingern bestimmt wird, wobei
die Teilung nicht verschmälert
ist, mit Ausnahme der Elektrodenfingerabschnitte mit schmaler Teilung 113 – 116,
durch λI dargestellt ist, kann die folgende Beziehung
erhalten werden.
Kreuzungsbreite: 48,1 λI
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Anzahl
von Elektrodenfingern des Filterelements 101 (in der Reihenfolge
der IDTs 103, 104 und 105) : 28 (6)/(6)
24 (6)/(6)28 (Anzahl von Elektrodenfingern mit schmaler Teilung
dargestellt durch die Zahl in Klammern) Anzahl von Elektrodenfingern
des Filterelements 102 (in der Reihenfolge der IDTs 108, 109 und 110):
28(6)/(3)24(3)/(6)28 (Anzahl von Elektrodenfingern mit schmaler
Teilung dargestellt durch die Zahl in Klammern) Anzahl von Reflektoren:
80
Metallisierungsverhältnis:
0,70
Elektrodenfilmdicke: 0,080 λI
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14 zeigt
die Beziehung zwischen den Frequenzcharakteristika und Gleichtaktdämpfungscharakteristika
des obigen Entwurfsbeispiels (Ausführungsbeispiel 3). Die Gleichtaktdämpfungscharakteristika
zeigen die Symmetrierung zwischen symmetrischen Signalanschlüssen und
mit ansteigender Dämpfung
wird die Symmetrierung zwischen symmetrischen Signalanschlüssen besser.
-
In 14 ist
als ein Vergleichsbeispiel die Beziehung zwischen den Frequenz-
und Gleichtaktdämpfungscharakteristika
in dem Fall, in dem eine zusätzliche
Verdrahtung für
symmetrische Signalanschlüsse
innerhalb eines Gehäuses
wie im Patentdokument 2 beinhaltet ist und der Entwurf der Anschlüsse auf
der Unterteiloberfläche
des Gehäuses
genau so wie in 20 gemacht ist, gezeigt. Der
Entwurf auf dem piezoelektrischen Substrat des Vergleichsbeispiels
ist in 15 gezeigt. Die Beschreibung
der Filterelemente 101 und 102 ist die gleiche
wie diejenigen des obigen Entwurfsbeispiels (Ausführungsbeispiel
3). In 15, die den Entwurf auf einem
piezoelektrischen Substrat 300 zeigt, ist ein unsymmetrischer
Signalanschluss 117' in
dem oberen mittleren Abschnitt angeordnet, ein symmetrischer Signalanschluss 118' ist auf der
leicht rechten Seite von der Mitte angeordnet und ein symmetrischer
Signalanschluss 119' ist
auf dem unteren rechten Abschnitt angeordnet. Ein Masseanschluss 301 ist
in dem oberen linken Abschnitt angeordnet, ein Masseanschluss 302 ist
in dem oberen rechten Abschnitt angeordnet, ein Masseanschluss 303 ist
auf der leicht linken Seite von der Mitte angeordnet und ein Masseanschluss 304 ist
in dem unteren linken Abschnitt angeordnet.
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Das
Durchlassband des EGSM-Empfangsfilters beträgt 925 – 960 MHz. In 14 beträgt, wenn die
größte Gleichtaktdämpfung in
dem Frequenzband verglichen wird, obwohl die Gleichtaktdämpfung bei
dem Vergleichsbeispiel etwa 24,0 dB beträgt, die Gleichtaktdämpfung bei
dem Ausführungsbeispiel etwa
27,5 dB und als ein Ergebnis verbessert sich die Gleichtaktdämpfung um
etwa 3,5 dB im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel.
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In
Bezug auf Hauptgründe,
warum eine derartige Wirkung erhalten werden kann, wird zum einen,
da die zusätzliche
Verdrahtung, die mit den symmetrischen Signalanschlüssen verbunden
ist, nicht unsymmetrisch gemacht ist, im Gegensatz zu dem Vergleichsbeispiel,
die Differenz der Beeinflussung der parasitären Kapazität usw. beseitigt und zum anderen
wird, da die Signalleitungen 123 und 124 zum Verbinden
zwischen den IDTs und den symmetrischen Signalanschlüssen auf
dem piezoelektrischen Substrat auf einer Isolierfilmstruktur vorgesehen sind,
die aus einem Harz mit einer geringen Dielektrizitätskonstante
hergestellt ist, selbst wenn die Länge der Signalleitungen 123 und 124 sich
voneinander auf dem piezoelektrischen Substrat unterscheidet, angenommen,
dass die Differenz der parasitären
Kapazität,
die in jeden symmetrischen Anschluss gelangt, klein ist.
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Wie
oben beschrieben wurde, kann gemäß dem Ausführungsbeispiel
3, wenn die Anschlüsse des
mittleren IDT in den drei IDTs in einem Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilter, das
drei IDTs aufweist, mit jeweiligen symmetrischen Signalanschlüssen verbunden
sind, in dem Oberflächenwellenfilter,
das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist,
ein Filter mit einer hervorragenden Symmetrierung zwischen den symmetrischen
Signalanschlüssen
im Vergleich zu dem verwandten Verfahren erhalten werden. Ferner
können
das obige Oberflächenwellenfilter
und ein Oberflächenwellenfilter
mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion einer
anderen Struktur das Gehäuse
gemeinschaftlich verwenden.
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Als
Nächstes
sind weitere Ausführungsbeispiele
4 – 7
beschrieben. Bei den Ausführungsbeispielen
4 – 7
kann die gleiche Wirkung wie bei dem Ausführungsbeispiel 3 erhalten werden.
Im Folgenden sind hauptsächlich
unterschiedliche Punkte zu dem Ausführungsbeispiel 3 beschrieben.
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AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 4
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Die
Signalleitungen 123 und 124 sind in dem Ausführungsbeispiel
3 auf den isolierenden Filmen 250 und 251 gebildet,
in dem Ausführungsbeispiel
4 jedoch ist, wie in 16 gezeigt ist, nur die längere Signalleitung 123 auf
dem isolierenden Film 250 beinhaltet.
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AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 5
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Wie
in 17 gezeigt ist, unterscheidet sich das Verbindungsverfahren
zwischen dem IDT 108 und dem Masseanschluss von demjenigen
bei dem Ausführungsbeispiel
3. Dies bedeutet, dass es keine Verbindungsleitung zum Verbinden
zwischen dem IDT 108 und dem Reflektor 111, zwischen
den Reflektoren 106 und 111 und zwischen dem Reflektor 106 und
dem Masseanschluss 201 gibt. Stattdessen ist für ein Verbinden
mit dem Masseanschluss 202 eine Verbindungsleitung 132 zur
Verbindung mit dem IDT 108 durch die erste Schichtstruktur
gebildet. Die Verbindungsleitung 132 ist mit einer Verbindungsleitung
der zweiten Schichtstruktur zum Verbinden zwischen dem IDT 110 und
dem Masseanschluss 202 verbunden. Der isolierende Film 225 ist
auf der Verbindungsleitung 132 gebildet und schneidet die
Signalleitung 124 zum Verbinden zwischen dem mittleren
IDT 109 und einem symmetrischen Signalanschluss 119 in
drei Dimensionen.
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AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 6
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Wie
in 21 gezeigt ist, ist ein Oberflächenwellenresonatorelement
(im Folgenden als ein Resonatorelement bezeichnet) 150 in
Serie zu dem Filterelement 102 geschaltet.
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Außerdem kann
in diesem Fall die Dämpfung außerhalb
des Durchlassbandes auf die gleiche Weise wie in den Ausführungsbeispielen
3 – 5
erhöht werden,
wo die zwei Longitudinalkopplungsresonator-Typ-Oberflächenwellenfilterelemente
in Kaskade geschaltet sind.
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In
dem Resonatorelement 150 sind Reflektoren 152 und 153 auf
beiden Seiten eines IDT 151 angeordnet. Ein Ende des IDT 151 ist
mit einem unsymmetrischen Signalanschluss 117 verbunden
und das andere Ende ist mit den einen Enden der IDTs 108 und 110 des
Filterelements 102 durch Signalleitungen 120' und 121' verbunden.
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Die
Struktur der ersten Schicht beinhaltet das Filterelement 102,
das Resonatorelement 150, die Signalleitungen 120' und 121', die Verbindungsleitung 130 zwischen
dem IDT und dem Reflektor 111 und eine Verbindungsleitung 131', die sich von
dem Reflektor 111 zu der Mitte auf der Seite des Resonatorelements 150 erstreckt.
Die Verbindungsleitung 131',
die sich zu der Mitte auf der Seite des Resonatorelements 150 erstreckt,
ist mit dem Masseanschluss 201 durch die Verbindungsleitung
der zweiten Schichtstruktur verbunden. Die Signalleitung 123 zum
Verbinden zwischen dem IDT 109 des Filterelements 102 und
dem symmetrischen Anschluss 118 schneidet die Signalleitung 120' und die Verbindungsleitung 131' in drei Dimensionen
bei dem isolierenden Film 250.
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In
dem Resonatorelement 150 ist ein Ende des IDT 151 mit
dem Masseanschluss 201 oder 202 verbunden, das
andere Ende, das mit dem Filter 102 verbunden ist, ist
mit dem unsymmetrischen Anschluss 117 durch die Signalleitungen 120' und 121' verbunden und
das Resonatorelement 105 könnte parallel zu dem Filterelement 102 geschaltet
sein.
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Ferner
könnte
in dem Resonator 150 eine Mehrzahl von Resonatorelementen
in Serie oder parallel geschaltet sein.
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AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 7
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Wie
in 23 gezeigt ist, ist nur ein Filterelement 502 auf
einem piezoelektrischen Substrat 500 angeordnet. Außerdem kann
in diesem Fall ein Filter mit einer hervorragenden Symmetrierung
zwischen symmetrischen Signalanschlüssen 518 und 519 im Vergleich
zu dem verwandten Verfahren in der gleichen Weise wie in den Ausführungsbeispielen
3 – 6 erhalten
werden. Ferner können
das Filter und ein Oberflächenwellenfilter
mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion einer weiteren Struktur
das Gehäuse
zur gemeinsamen Verwendung haben.
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Das
Filterelement 502 beinhaltet Reflektoren 511 und 512 auf
beiden Seiten von drei IDTs 508, 509 und 510.
Von den IDTs 508 und 510 auf beiden Seiten ist
ein Ende eines IDT 508 mit einer Signalleitung 520' verbunden und
ein Ende des anderen IDT 510 ist mit einer Signalleitung 521' verbunden.
Die Signalleitungen 520' und 521' sind durch
eine Verbindungsleitung der zweiten Schichtstruktur mit einem unsymmetrischen
Anschluss 517 verbunden.
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Die
Struktur der ersten Schicht beinhaltet das Filterelement 502,
die Signalleitungen 520' und 521' und eine Verbindungsleitung 530 zum
Verbinden zwischen dem anderen Ende des IDT 508 und dem
Reflektor 511. Eine Verbindungsleitung 531', die sich von
der Mitte von dem Reflektor 511 erstreckt, ist durch die
Verbindungsleitung der zweiten Schichtstruktur mit einem Masseanschluss 601 verbunden.
Das andere Ende des IDT 510 ist durch die Verbindungsleitung
der zweiten Schichtstruktur mit einem Masseanschluss 602 verbunden.
Eine Signalleitung 523 zum Verbinden zwischen einem Ende
des IDT 509 des Filterelements 502 und einem symmetrischen
Anschluss 518 schneidet die Signalleitung 520' und die Verbindungsleitung 531' in drei Dimensionen
bei einem isolierenden Film 650. Ein isolierender Film 652 ist
außerdem
zwischen einer Signalleitung 524 zum Verbinden zwischen
dem anderen Ende des IDT 509 des Filterelements 502 und
dem anderen symmetrischen Anschluss 519 und dem piezoelektrischen
Substrat 500 gebildet.
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Wie
oben beschrieben wurde, können
in dem Oberflächenwellenfilter
der Ausführungsbeispiele
3 – 7,
da der Entwurf jedes Anschlusses (Bump bzw. Höcker), der auf dem piezoelektrischen
Substrat gebildet ist, genau so hergestellt werden kann wie jeder Anschluss
(Bump bzw. Höcker)
in dem Elementchip eines Oberflächenwellenfilters
einer anderen Struktur, das obige Oberflächenwellenfilter und das Oberflächenwellenfilter
einer weiteren Struktur das Gehäuse
zur gemeinsamen Verwendung haben.
-
Ferner
kann, da die Differenz nach Route zwischen Signalleitungen in einem
Elementchip durch ein Bilden von Signalleitungen, die mit symmetrischen
Signalanschlüssen
auf einer Isolierfilmstruktur verbunden sind, die auf einem piezoelektrischen Substrat
gebildet ist, wesentlich reduziert werden kann, eine Symmetrierung
ohne Bereitstellung der Routendifferenz in einem Gehäuse verbessert
werden.
-
Gemäß den Ausführungsbeispielen
1 – 7 können Charakteristika
eines Oberflächenwellenbauelements
verbessert werden.
-
Ferner
ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele
eingeschränkt,
sondern verschiedene Modifizierungen können durchgeführt werden.
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Außer LiTaO3 z. B. kann ein Einkristallsubstrat aus
Quarz, LiNbO3 usw. als ein Substrat verwendet
werden. Ferner kann die vorliegende Erfindung unter Verwendung eines
piezoelektrischen Dünnfilms aus
ZnO, AlN usw. auf ein Oberflächenwellenbauelement
angewendet werden.
-
Obwohl
z. B. ein 40±5-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiTaO3-Substrat in den Ausführungsbeispielen 3 – 7 verwendet
wird, ist bei der vorliegenden Erfindung das Substrat nicht da rauf
eingeschränkt,
sondern die gleiche Wirkung kann durch ein Verwenden eines Substrats
aus 64-bis-72°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO3, 41°-Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO3 usw. erhalten werden.
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Ferner
kann die vorliegende Erfindung nicht nur auf ein Oberflächenwellenfilter
einer Struktur, die eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion
aufweist, angewendet werden, sondern auch auf ein Oberflächenwellenfilter
einer Struktur, die eine Symmetrisch-zu-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion
aufweist.
-
Zusammenfassung
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Zur
Bereitstellung eines Oberflächenwellenbauelements,
bei dem Charakteristika verbessert werden können.
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Ein
Oberflächenwellenbauelement
beinhaltet ein Substrat (1010), eine Mehrzahl von Anschlüssen (1051 bis 1055),
die zumindest einen unsymmetrischen Anschluss (1051) und
symmetrische Anschlüsse
(1052) und (1053) umfassen, und zumindest eines
von Oberflächenwellenelementen
(1020) und (1030), die zwischen dem unsymmetrischen
Anschluss (1051) und den beiden symmetrischen Anschlüssen (1052)
und (1053) angeordnet sind. Unterschiedliche Signalleitungen
(1048) und (1041) und (1042), die mit
dem gleichen Oberflächenwellenelement
(1020) verbunden sind, schneiden isolierende Filme (1014)
und (1016).