DE19922124A1

DE19922124A1 - Oberflächenwellenfilter, Duplexer und Kommunikationsvorrichtung

Info

Publication number: DE19922124A1
Application number: DE19922124A
Authority: DE
Inventors: Michio Kadota; Hideya Horiuchi; Mamoru Ikeura
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-05-14
Filing date: 1999-05-12
Publication date: 1999-12-02
Anticipated expiration: 2019-05-13
Also published as: KR19990088150A; JPH11330905A; US6150900A; SG79252A1; GB9910176D0; GB2337383A; DE19922124B4; TW448616B; JP3206548B2; KR100396824B1; GB2337383B

Abstract

Ein Oberflächenwellenfilter umfaßt Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die als Serien- und Parallelarmresonatoren angeordnet sind und in eine Kettenkonfiguration geschaltet sind. Die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Serien- und Parallelarmresonatoren definieren, sind auf einem einzigen gemeinsamen Substrat angeordnet und sind angeordnet, um im wesentlichen parallel zu der Endoberfläche der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps zu sein.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächen wellenfilter, das eine Mehrzahl von Oberflächenwellenreso natoren des Kantenreflexionstyps umfaßt, die in eine Ketten anordnung geschaltet sind, und die vorliegende Erfindung be zieht sich insbesondere auf ein Oberflächenwellenfilter, ei nen Duplexer und eine Kommunikationsvorrichtung, die eine kleine Größe besitzen und die wesentlich weniger innere Bonddrähte (Verbindungsdrähte) als herkömmliche Vorrichtun gen verwenden.

Ein Oberflächenwellenfilter, das eine Mehrzahl von Oberflä chenwellenresonatoren umfaßt, die in eine Kettenanordnung geschaltet sind, wurde als ein Bandpaßfilter vorgeschlagen, das bei einer mobilen Kommunikationsvorrichtung, wie z. B. einem Zellulartelephon oder einer anderen derartigen Vor richtung, verwendet werden soll.

Beispielsweise offenbart die Japanische nicht geprüfte Pa tentveröffentlichung Nr. 53-123051 ein Oberflächenwellenfil ter, das als ein Beispiel des oben erwähnten Oberflächenwel lenfilters eine Mehrzahl von Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps aufweist, die eine SH-Typ-Oberflä chenwelle, wie z. B. eine Scherwelle, verwenden.

Fig. 18 zeigt schematisch ein Beispiel eines derartigen her kömmlichen Oberflächenwellenfilters. Ein Oberflächenwellen filter 101 umfaßt eine Mehrzahl von Resonatoren 102, 103 des Kantenreflexionstyps die in eine Kettenanordnung geschaltet sind und die eine piezoelektrische Oberflächenscherwelle als eine SH-Typ-Oberflächenwelle verwenden. Wie in Fig. 18 ge zeigt, sind zwischen Eingangs-Ausgangs-Toren 104, 105 drei Oberflächenwellenresonatoren 102 des Kantenreflexionstyps als ein Serienarm angeordnet, und drei Oberflächenwellenre sonatoren 103 des Kantenreflexionstyps sind als parallele Arme angeordnet.

Die Resonatoren 102 und 103 des Kantenreflexionstyps umfas sen piezoelektrische Substrate 102x und 103x, auf denen IDTs 102y bzw. 103y angeordnet sind, und jeder Resonator 102 und 103 des Kantenreflexionstyps ist über Bonddrähte verbunden, um eine Kettenschaltung zu definieren.

Das herkömmliche Oberflächenwellenfilter besitzt die folgen den Nachteile. Da insbesondere jeder IDT 102y und jeder IDT 103y auf getrennten piezoelektrischen Substraten 102x bzw. 103x angeordnet sind, ist es notwendig, die IDTs 102y mit einander elektrisch zu verbinden, oder die IDTs 103y mit einander elektrisch zu verbinden, oder die IDTs 102y und 103y über :Bonddrähte elektrisch zu verbinden, um eine Kettenschaltung zu bilden. Dies erfordert ein kompliziertes Bond- und Verbindungs-Verfahren.

Bei Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps ist es ferner erforderlich, daß die Kantenoberfläche zum Re flektieren einer SH-Welle mit einer sehr hohen Genauigkeit gebildet ist, um ordnungsgemäß zu funktionieren. Da die Kan tenoberflächen gebildet werden, wenn die piezoelektrischen Substrate 102x, 103x durch Dicing geschnitten werden, ist das Dicing-Verfahren für jedes der piezoelektrischen Sub strate erforderlich. Daher ist die Zahl der Dicing-Prozesse sehr groß und das Herstellungsverfahren ist ferner kompli ziert.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein kleines und nicht aufwendiges Oberflächenwellenfilter, das unter Verwendung von stark vereinfachten Drahtbond- und Dicing-Verfahren hergestellt werden kann, und einen Duplexer und eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, die dasselbe verwenden.

Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, einen Duplexer gemäß Anspruch 11 und eine Kom munikationsvorrichtung gemäß Anspruch 21 gelöst.

Ein Oberflächenwellenfilter umfaßt Oberflächenwellenresona toren des Kantenreflexionstyps, die als Serien- und Paral lelarmresonatoren angeordnet sind und in eine Kettenkonfi guration geschaltet sind, und die Oberflächenwellenresonato ren des Kantenreflexionstyps, die die Serien- und Parallel armresonatoren definieren, sind auf einem einzigen gemeinsa men Substrat angeordnet und sind derart angeordnet, um im wesentlichen parallel zu den Endoberflächen der Oberflächen wellenresonatoren des Kantenreflexionstyps zu sein. Gemäß dieser Struktur werden die Dicing-Prozessen, die für die Substratendoberflächen erforderlich sind, stark reduziert.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Oberflä chenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Se rienarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwellenre sonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmreso natoren definieren, wechselnd angeordnet. Gemäß dieser Struktur verbindet eine Elektrode ohne weiteres die Serien armresonatoren und die Parallelarmresonatoren, die auf dem gleichen Substrat angeordnet sind.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, durch Verbindungselek troden miteinander verbunden, die auf dein gleichen Substrat angeordnet sind, und die Verbindungselektrode ist von dem äußersten Elektrodenfinger der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren de finieren, durch einen Zwischenraum getrennt, der im wesent lichen gleich einem Zwischenraum zwischen der Kante der Elektrodenfinger, die die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps bilden, die die Parallelarmresonatoren definieren, und der Kante eines benachbarten der Elektroden finger, ist. Gemäß dieser einzigartigen Struktur wird die Zahl der Verbindungen über das Drahtbonden wesentlich ver ringert, und der Effekt der Verbindungselektroden auf die Resonanzcharakteristik der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps wird ebenfalls stark reduziert.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel umfassen zumindest entweder die Elektrodenfinger, die die Oberflä chenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps bilden, die die Serienarmresonatoren definieren, oder die Elektroden finger, die die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenre flexionstyps bilden, die die Parallelarmresonatoren defi nieren, Schlitzelektroden. Gemäß dieser Struktur wird eine Schmalbandfiltercharakteristik erreicht.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel sind Oberflächenresonatoren, die angeordnet sind, um als ein Sperresonator zu wirken, auf dem gleichen Substrat angeord net. Gemäß dieser Struktur wird der Dämpfungswert in einer gewünschten Bandbreite stark verbessert.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel sind Re aktanzelemente auf dem gleichen Substrat angeordnet. Gemäß der Struktur wird die Charakteristik der Oberflächenwellen resonatoren des Kantenreflexionstyps ohne weiteres durch die Reaktanzelemente geändert.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Breite des Übertragungsabschnitts der Elektrodenfinger, die die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps bilden, die die Parallelarmresonatoren definieren, größer als die Breite des Übertragungsabschnitts der Elektrodenfin ger, die die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenrefle xionstyps bilden, die die Serienarmresonatoren definieren. Gemäß der Struktur kann die Kapazität der Oberflächenwellen resonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarm resonatoren definieren, größer als die Kapazität der Ober flächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps gemacht werden, die die Serienarmresonatoren definieren.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Elektrodenstruktur der Oberflächenwellenresonatoren des Kan tenreflexionstyps, die die Serien- oder Parallelarmresona toren definieren, in zwei oder mehr Strukturen geteilt. Ge mäß dieser Struktur kann, sogar wenn die Zahl der Elektro denfingerpaare der Oberflächenwellenresonatoren des Kanten reflexionstyps erhöht wird, die Kapazität dennoch wesentlich reduziert werden.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Zahl der Einteilungen der Elektrodenstruktur der Oberflä chenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, kleiner als die Zahl der Einteilungen der Elektrodenstruktur der Oberflächenwellenre sonatoren des Kantenreflexionstyps gemacht, die die Serien armresonatoren definieren. Gemäß dieser Struktur kann die äquivalente Parallelkapazität der Oberflächenwellenresonato ren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, größer als die äquivalente Parallelkapazität der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps ge macht werden, die die Serienarmresonatoren definieren.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel sind Dum myelektroden (Pseudoelektroden) in der Nähe der Endoberflä che der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexions typs positioniert, die die Parallelarmresonatoren definie ren, oder in der Nähe der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps positioniert, die die Serienarmresona toren definieren. Gemäß dieser Struktur können die unter schiedlichen Abstände zwischen den Endoberflächen, die auf grund der unterschiedlichen Zahlen von Paaren zwischen Ober flächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, und Oberflächenwellenreso natoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresona toren definieren, erzeugt werden, eliminiert werden. Ferner können bei dem Dicing-Prozeß, da das Dicing in dem Abschnitt stattfindet, in dem die Dummyelektroden positioniert sind, eine Verschlechterung der Charakteristik, aufgrund der Tren nung, und weitere Probleme verhindert werden.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des Oberflä chenwellenfilters, das in Fig. 1 gezeigt ist;

Fig. 3 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer ersten Variation des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer zweiten Variation des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 5 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer dritten Variation des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 8 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer ersten Variation des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 9 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer zweiten Variation des dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 10 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem vierten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 11 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem fünften bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 12 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem sechsten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 13 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer ersten Variation des sechsten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 14 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einer zweiten Variation des sechsten bevorzug ten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfin dung;

Fig. 15 eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters ge mäß einem siebten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;

Fig. 16 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm eines Duplexers gemäß einem achten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 17 ein Blockdiagramm einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem neunten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 18 eine schematische Ansicht eines herkömmlichen Ober flächenwellenfilters.

Wie in Fig. 1 und 2 gezeigt, umfaßt ein Oberflächenwellen filter 1 eine Mehrzahl von Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c und 3a-3c des Kantenreflexionstyps, die auf einem einzi gen gemeinsamen piezoelektrischen Substrat 1x angeordnet sind.

Wie es am besten aus Fig. 2 offensichtlich ist, sind die Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps angeordnet, um Serienarmresonatoren und die Oberflächenwel lenresonatoren zu definieren, und die Oberflächenwellenre sonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps sind angeordnet, um Parallelarmresonatoren zu definieren. Das heißt zwischen den Eingangs-Ausgangs-Toren 4, 5 sind die Oberflächenwellenreso natoren des Kantenreflexionstyps 2a-2c, die die Serienarm resonatoren definieren, angeordnet, um einen Serienarm zu bilden, und die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenre flexionstyps 3a-3c, die die Parallelarmresonatoren definie ren, sind jeweils zwischen dem Serienarm und dem Massepoten tial angeordnet.

Wie es in Fig. 1 weiter gezeigt ist, sind die Oberflächen wellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwel lenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps, die die Se rienarmresonatoren definieren, wechselnd angeordnet, um im wesentlichen parallel zu einem Paar von Endoberflächen des piezoelektrischen Substrats 1x zu sein, derart, daß jedes Paar der Endoberflächen zum Reflektieren von Oberflächen wellen der Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c und 3a-3c des Kantenreflexionstyps ausgerichtet ist und das Paar der End oberflächen des piezoelektrischen Substrats definiert.

Eine Verbindungselektrode 6a ist angeordnet, um sich entlang einer der Endoberflächen des piezoelektrischen Substrats 1x zu erstrecken, um die Oberflächenwellenresonatoren 2a, 3b und 2b des Kantenreflexionstyps elektrisch zu verbinden. Ei ne Verbindungselektrode 6b ist angeordnet, um sich entlang der anderen Endoberfläche des piezoelektrischen Substrats 1x zu erstrecken, um die Oberflächenwellenresonatoren 2b, 3c und 2c des Kantenreflexionstyps elektrisch zu verbinden.

Außerdem weist jeder der Elektrodenfinger, die einen IDT der Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c und 3a-3c des Kantenre flexionstyps bilden, eine Elektrodenfingerbreite auf, die im wesentlichen gleich λ/4 ist, wobei λ eine Wellenlänge ei ner Oberflächenwelle darstellt, die in den Oberflächenwel lenresonatoren des Kantenreflexionstyps 2a-2c und 3a-3c an geregt wird. Ein Raum zwischen jedem Paar von benachbarten Elektrodenfingern ist ebenfalls im wesentlichen auf gleich λ/4 eingestellt.

Bei den Resonatoren 3b und 3c des Kantenreflexionstyps sind die Elektrodenfinger, die nahe zu den Verbindungselektroden 6a und 6b positioniert sind, derart eingestellt, um eine Breite aufzuweisen, die im wesentlichen gleich λ/4 ist, und die Elektrodenfinger, die mit den Endoberflächen ausgerich tet sind, die der Endoberfläche gegenüberliegen, an der die Verbindungselektroden 6a und 6b positioniert sind, besitzen eine Breite, die im wesentlichen gleich λ/8 ist. Bei den Resonatoren 2a-2c und 3a des Kantenreflexionstyps besitzen die Elektrodenfinger, die am nächsten zu den gegenüberlie genden Endoberflächen des piezoelektrischen Substrats 1x positioniert sind, eine Breite, die im wesentlichen gleich λ/8 ist.

Es sei bemerkt, daß Fig. 1 zeigt, daß die Zahl von Elek trodenfingerpaaren und die Breite der Elektrodenfinger der Oberflächenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps als Serienarmresonatoren zur Zweckmäßigkeit gleich denselben der Oberflächenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, sind. Die Zahl der Elektrodenfingerpaare und die Breite der Elektrodenfinger sollte sich jedoch zwischen den Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps und den Oberflächenwellenre sonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps unterscheiden, da die Resonanzfrequenzen zwischen den Oberflächenwellenreso natoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps und den Oberflächen wellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps unter schiedlich eingestellt werden. Insbesondere ist die Reso nanzfrequenz der Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c des Kan tenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, vorzugsweise eingestellt, um im wesentlichen identisch zu einer Antiresonanzfrequenz der Oberflächenwellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps zu sein.

Auf eine solche Art und Weise gibt es, da sich die Wellen länge und die Zahl der Elektrodenfingerpaare der Oberflä chenwellenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps von denselben der Oberflächenwellenresonatoren 3a-3c des Kanten reflexionstyps unterscheiden, viele Fälle, bei denen die Breiten der äußersten Elektrodenfinger der Oberflächenwel lenresonatoren 2a-2c und 3a-3b des Kantenreflexionstyps schwer einzustellen sind, um etwa λ/8 zu sein. Obwohl es ideal ist, die Breiten der äußersten Elektrodenfinger auf etwa λ/8 einzustellen, wird, selbst wenn die Breiten der äußersten Elektrodenfinger von dem Wert λ/8 abweichen, die Charakteristik nicht wesentlich verschlechtert, und als ein Resultat sind die Breiten auf den Wert von etwa λ/8 nicht besonders begrenzt.

Ferner ist die Breite der Verbindungselektroden 6a und 6b vorzugsweise im wesentlichen auf gleich etwa λ/8 einge stellt. Die Zwischenräume zwischen den Kanten der Verbin dungselektroden 6a und 6b und der Kante des Elektrodenfin gers, der benachbart zu den Verbindungselektroden 6a und 6b ist, sind jeweils im wesentlichen auf gleich λ/4 einge stellt.

Wie im vorhergehenden erwähnt, werden, da bei dem Ober flächenwellenfilter 1 die Oberflächenwellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps und die Oberflächenwellenresonato ren 2a-2c des Kantenreflexionstyps auf dem gleichen gemein samen piezoelektrischen Substrat 1x angeordnet sind, um im wesentlichen parallel zu der Endoberfläche zu sein, die Dicing-Prozesse für die Endoberflächen in zwei Schritten beendet, und die Dicing-Prozesse der Endoberflächen können im Vergleich zu herkömmlichen Strukturen reduziert werden.

Da ferner die Oberflächenwellenresonatoren 3a-3c des Kanten reflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c des Kantenrefle xionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, abwech selnd angeordnet sind, wird die Verbindung zwischen den Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c des Kantenreflexionstyps als Serienarmresonatoren ohne weiteres durch die Verbin dungselektroden 6 erreicht.

Ferner wird, da die Elektrodenfinger, die am nächsten zu der Endoberfläche unter den Elektrodenfingern positioniert sind, die die Oberflächenwellenresonatoren 2, 3 des Kantenrefle xionstyps bilden, auf eine Breite annähernd gleich λ/8 ein gestellt sind, die Welligkeit innerhalb des Durchlaßbereichs des Oberflächenwellenfilters 1 wesentlich reduziert.

Da zusätzlich der Zwischenraum von der Kante einer Verbin dungselektrode 6a oder 6b zu der Kante des Elektrodenfin gers, der benachbart zu der Verbindungselektrode 6 ist, vor zugsweise auf annähernd λ/4 eingestellt ist, gibt es keinen ungünstigen Effekt auf die Resonanzcharakteristik der Ober flächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, die benachbart zu der Verbindungselektrode 6a oder 6b sind.

Die Fig. 1 und 2 zeigen ferner ein Oberflächenwellenfilter 1, bei dem die Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c und 3a-3c des Kantenreflexionstyps in der Reihenfolge Parallelarmreso nator-Serienarmresonator-Parallelarmresonator-Serienarmreso nator-Parallelarmresonator-Serienarmresonator angeordnet sind.

Das bevorzugte Ausführungsbeispiel ist jedoch nicht auf die se Anordnung begrenzt. Wie in Fig. 3 gezeigt, können die Oberflächenwellenresonatoren 2a-2c und 3a-3c des Kantenre flexionstyps in der Reihenfolge Serienarmresonator (2a) - Parallelarmresonator (3a) - Serienarmresonator (2b) - Para llelarmresonator (3b) - Serienarmresonator (2c) - Parallel armresonator (3c) angeordnet sein. Fig. 4 zeigt ein Ober flächenwellenfilter 1b, bei dein die Oberflächenweilenresona toren 2a-2c und 3a-3b des Kantenreflexionstyps in der Reihenfolge Serienarmresonator (2a) - Parallelarmresonator (3a) - Serienarmresonator (2b) - Parallelarmresonator (3b) - Serienarmresonator (2c) angeordnet sind. Fig. 5 zeigt ein Oberflächenwellenfilter 1c, bei dem die Oberflächenwellen resonatoren 2a-2b und 3a-3c des Kantenreflexionstyps in der Reihenfolge Parallelarmresonator (3a) - Serienarmresonator (2a) - Parallelarmresonator (3b) - Serienarmresonator (2b) - Parallelarmresonator (3c) angeordnet sind.

Alternativ besitzt ein Aufbau, bei dem sowohl der Serien armresonator als auch der Parallelarmresonator oder die Se rienarmresonatoren und die Parallelarmresonatoren in dieser Reihenfolge angeordnet sind, den gleichen Effekt, wie bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel.

Als nächstes ist ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 6 ist eine Drauf sicht eines Oberflächenfilters, die das zweite bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Ferner werden die gleichen Bezugsziffern, die in den Fig. 1-5 ver wendet werden, verwendet, um die ähnliche Struktur in Fig. 6 zu bezeichnen, und daher ist eine detaillierte Erklärung von ähnlichen Elementen weggelassen.

Wie in Fig. 6 gezeigt, weist das Oberflächenwellenfilter 11 eine Struktur Serienarmresonator (2a) - Parallelarmresonator (3a) - Serienarmresonator (2b) - Parallelarmresonator (3b) - Serienarmresonator (2c) wie in Fig. 4 auf, und Reaktanzele mente 7 sind zwischen Oberflächenresonatoren 3a des Kanten reflexionstyps und dem Massepotential und zwischen Oberflä chenwellenresonatoren 3b des Kantenreflexionstyps und dem Massepotential angeordnet.

Folglich wird durch Hinzufügen von Reaktanzelementen 7 zu den Oberflächenwellenresonatoren 3a und 3b des Kantenrefle xionstyps der Unterschied zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz der Oberflächenwellenresonatoren 3a und 3b des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresona toren definieren, stark erhöht. Als ein Resultat ist es mög lich, die Frequenzcharakteristik der Oberflächenwellenfilter 11 wesentlich zu verbreitern und wesentlich den Außerband dämpfungswert zu verbessern.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden Induktoren vorzugsweise als Reaktanzelemente verwendet, dieselben sind jedoch nicht darauf begrenzt. Beispielsweise können Konden satoren, Widerstände etc. als Reaktanzelemente verwendet werden. Ferner sind die Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps, die zum mühelosen Verbessern der Fil tercharakteristika aufgebaut sind, nicht auf die Parallel armresonatoren begrenzt, und die Charakteristika der Ober flächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps als Se rienarmresonatoren können geändert werden, oder beide können geändert werden.

Als nächstes ist ein drittes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 7 ist eine Drauf sicht eines Oberflächenwellenfilters, die ein drittes bevor zugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Gleiche Bezugsziffern, die in Fig. 1-6 verwendet sind, wer den verwendet, um die Struktur von Fig. 7 zu beschreiben, und detaillierte Erklärungen der ähnlichen Struktur sind weggelassen.

Wie in Fig. 7 gezeigt, ist ein Oberflächenwellenfilter 21 im wesentlichen identisch zu dem Oberflächenwellenfilter 1c, das in Fig. 5 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß die Ober flächenwellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, durch Oberflächenwel lenresonatoren 23a-23c des Kantenreflexionstyps ersetzt sind, die Schlitzelektrodentyp-IDTs aufweisen.

Die Breite der Schlitzelektrode ist vorzugsweise auf etwa λ/8 eingestellt, und der Zwischenraum zwischen den Elek troden ist vorzugsweise auf etwa λ/8 eingestellt. Ferner ist die äußerste Schlitzelektrode, die am nächsten zu den Endoberflächen des piezoelektrischen Substrats 1x ist, vor zugsweise eine einzige Elektrode.

Mit diesem Aufbau wird die Bandbreite des Oberflächenwellen filters 21 im Vergleich zu der Frequenzcharakteristik des Oberflächenwellenfilters 1c, das in Fig. 5 gezeigt ist, wesentlich schmaler gemacht.

Das bevorzugte Ausführungsbeispiel ist nicht auf die in Fig. 7 gezeigte Struktur begrenzt, und beispielsweise können, wie bei dem Oberflächenwellenfilter 21a, das in Fig. 8 gezeigt ist, lediglich die Oberflächenwellenresonatoren 22a-22b des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definie ren, Schlitzelektroden sein. Ferner können, wie bei dem Oberflächenwellenfilter 21b, das in Fig. 9 gezeigt ist, so wohl die Oberflächenwellenresonatoren 22a-22b des Kanten reflexionstyps, die die Serienresonatoren definieren, als auch die Oberflächenwellenresonatoren 23a-23c des Kanten reflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, Schlitzelektroden sein.

Es sei bemerkt, daß bei beiden Oberflächenwellenfiltern 21a, 21b, die in den Fig. 8 und 9 gezeigt sind, die Elektroden breite von einer der Schlitzelektroden vorzugsweise auf etwa λ/8 eingestellt ist. Der Zwischenraum zwischen den Elektro den ist vorzugsweise auf etwa gleich λ/8 eingestellt, und der Zwischenraum zwischen der Kante der äußersten Schlitz elektrode, die benachbart zu der Endoberfläche ist, und der Endoberfläche ist vorzugsweise etwa auf λ/16 eingestellt.

Als nächstes ist ein viertes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 10 ist eine Drauf sicht eines Oberflächenwellenfilters, die das vierte bevor zugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Ferner werden die gleichen Bezugsziffern, die in den Fig. 1-9 verwendet sind, in der Fig. 10 verwendet, um ähnliche Elemente zu bezeichnen, und eine detaillierte Erklärung von ähnlichen Elementen ist weggelassen.

Wie in Fig. 10 gezeigt, weist ein Oberflächenwellenfilter 31 eine Struktur auf, die einen Serienarmresonator (2a) - Pa rallelarmresonator (3a) - Serienarmresonator (2b) - Typ um faßt, und Oberflächenwellenresonatoren 38a und 38b des Kan tenreflexionstyps, die als ein Sperresonator wirken, sind angeordnet, um jeweils im wesentlichen parallel zwischen den Eingangs/Ausgangs-Toren 4 und 5 und dem Massepotential zu sein. Die Oberflächenwellenresonatoren 38a und 38b des Kan tenreflexionstyps sind entworfen, um gewünschte Sperrcharak teristika aufzuweisen, um den Außerbanddämpfungswert des Filters 31 zu verbessern.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht der Oberflä chenwellenresonator 38a und 38b, der als ein Sperresonator wirkt, vorzugsweise aus einem Kantenreflexionstyp, dies ist jedoch für das bevorzugte Ausführungsbeispiel nicht begren zend. Derselbe kann derart aufgebaut sein, um die Zahl von von Oberflächenwellenresonatorpaaren zu reduzieren, und der selbe kann Reflektoren aufweisen, die auf beiden Seiten der Oberflächenwellenresonatoren positioniert sind. Ferner kön nen die Elektrodenfinger des Oberflächenwellenresonators 38a und 38b für einen Sperresonator aus Schlitzelektroden be stehen. Ferner sind bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel die Oberflächenwellenresonatoren 38a und 38b für Sperresona toren zwischen den Eingangs-Ausgangs-Toren und der Masse an geordnet, diese Anordnung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Wenn die Oberflächenwellenresonatoren 38a und 38b für Sperresonatoren eingefügt sind, um im wesentlichen parallel zu der Schaltung zu sein, liefern dieselben ausgezeichnete Sperrcharakteristika, und die Zahl der Oberflächenwellen resonatoren zum Ausführen eines Sperresonators bewirkt kein Problem.

Als nächstes ist ein fünftes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 11 ist eine Drauf sicht eines Oberflächenwellenfilters, die das bevorzugte fünfte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Ferner werden die gleichen Bezugsziffern, die in den Fig. 1 bis 10 verwendet sind, in Fig. 11 verwendet, um ähnliche Elemente zu bezeichnen, und eine detaillierte Erklärung von ähnlichen Elementen ist weggelassen.

Wie in Fig. 11 gezeigt, weist ein Oberflächenwellenfilter 41 im wesentlichen die gleiche Struktur wie das Oberflächenwel lenfilter 1c das in Fig. 5 gezeigt ist, auf, mit der Aus nahme, daß die Oberflächenwellenresonatoren 2a-2b des Kan tenreflexionstyps, die in Fig. 5 gezeigt sind, durch Ober flächenwellenresonatoren 42a-42b des Kantenreflexionstyps ersetzt sind, die eine Querlänge aufweisen, die kleiner als dieselbe der Oberflächenwellenresonatoren 3a-3c des Kanten reflexionstyps ist.

Bei einem derartigen Aufbau kann die Kapazität der Oberflä chenwellenresonatoren 3a-3c des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, wesentlich erhöht sein, und die Außerbanddämpfungscharakteristik des Oberflä chenwellenfilters wird stark verbessert.

Als nächstes ist ein sechstes bevorzugtes Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 12 ist eine Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters, die das sechste bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Ferner sind die gleichen Bezugsziffern, die in den Fig. 1 bis 11 verwendet sind, in Fig. 11 verwendet, um ähn liche Elemente zu bezeichnen, und eine detaillierte Erklä rung von ähnlichen Elementen ist weggelassen.

Wie in Fig. 12 gezeigt, umfaßt ein Oberflächenwellenfilter 51 Oberflächenwellenresonatoren 52a und 52b des Kantenrefle xionstyps, die seriell zwischen die Eingangs/Ausgangs-Tore 4 und 5 geschaltet sind, um einen Serienarm zu definieren, und Oberflächenwellenresonatoren 53a und 53b des Kantenrefle xionstyps, die zwischen den Serienarm und das Massepotential parallel geschaltet sind. Die Oberflächenwellenresonatoren 52a-52b und 53a-53b des Kantenreflexionstyps sind auf einem piezoelektrischen Substrat 1x in der Reihenfolge Serienarm resonator (52a) - Parallelarmresonator (53a) - Serienarmre sonator (52b) - Parallelarmresonator (53b) angeordnet. Eines der wesentlichen Merkmale des Oberflächenwellenfilters 51 besteht darin, daß die Elektrodenstrukturen der Oberflächen wellenresonatoren 52a und 52b des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, jeweils halbiert sind. Als ein Resultat sind die Oberflächenwellenresonatoren 52a und 52b des Kantenreflexionstyps äquivalent zu und besitzen die gleiche Struktur wie zwei Resonatoren der halben Zahl von Paaren, die seriell geschaltet sind. Daher kann die Ka pazität der Oberflächenwellenresonatoren 52a und 52b des Kantenreflexionstyps kleiner als die Kapazität der Oberflä chenwellenresonatoren 53a und 53b des Kantenreflexionstyps gemacht werden, die die Parallelarmresonatoren definieren.

Wie in Fig. 13 gezeigt, umfaßt ein Oberflächenwellenfilter 51' einen Oberflächenwellenresonator 52a' des Kantenrefle xionstyps, der eine andere Elektrodenstruktur als der Ober flächenwellenresonator 52a des Kantenreflexionstyps auf weist. Dies ermöglicht es, das Eingangs/Ausgangs-Tor 4 bei einer anderen Position in dem Oberflächenwellenresonator 52a' des Kantenreflexionstyps zu verbinden. Auf diese Art und Weise ist durch Verwenden einer derartigen geteilten Struktur, wie in Fig. 12 und 13 gezeigt, die nach außen ge hende Position des Eingangs/Ausgangs-Tors 4 nicht begrenzt und kann ohne weiteres geändert werden.

Ein Oberflächenwellenfilter 51a unterscheidet sich von dem Oberflächenwellenfilter 51, das in Fig. 12 gezeigt ist, da hingehend, daß die Elektrodenstrukturen der Oberflächenwel lenresonatoren 52a'' und 52b'' des Kantenreflexionstyps dreigeteilt sind, und daß die Elektrodenstrukturen der Ober flächenwellenresonatoren 53a, 53b'' des Kantenreflexionstyps zweigeteilt sind. Mit diesem Aufbau wird, sogar wenn die Zahl der Elektrodenfingerpaare der Oberflächenwellenresona toren des Kantenreflexionstyps erhöht wird, die äquivalente Parallelkapazität stark reduziert. Ferner kann, da die Zahl der Einteilungen der Oberflächenwellenresonatoren des Kan tenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definie ren, kleiner als die Zahl der Einteilungen der Oberflächen wellenresonatoren des Kantenreflexionstyps als Serienarmre sonatoren ist, die äquivalente Parallelkapazität der Pa rallelarmresonatoren größer als die äquivalente Parallel kapazität der Serienarmresonatoren gemacht werden. Dement sprechend werden die Außerbanddämpfungscharakteristika des Oberflächenwellenfilters stark verbessert.

Als nächstes ist ein siebtes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 15 ist eine Drauf sicht eines Oberflächenwellenfilters, die das siebte bevor zugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Ferner werden die gleichen Bezugsziffern, die in den Fig. 1-14 verwendet sind, in Fig. 15 verwendet, um ähnliche Ele mente zu bezeichnen, und eine detaillierte Erklärung der ähnlichen Elemente ist weggelassen.

Ein Oberflächenwellenfilter 16 weist im wesentlichen die gleiche Struktur wie das Oberflächenwellenfilter 51 auf, das in Fig. 12 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß die Oberflä chenwellenresonatoren 62a-62b und 63a-63b des Kantenrefle xionstyps Dummyelektroden zwischen den äußersten Elektroden fingern der Oberflächenwellenresonatoren des Kantenrefle xionstyps und den Endoberflächen des piezoelektrischen Sub strats 1x und zwischen den Verbindungselektroden 6 und den Endoberflächen des piezoelektrischen Substrats 1x aufweisen.

Das heißt, wie in Fig. 15 gezeigt, die Dummyelektroden 69 sind auf beiden Seiten der Oberflächenwellenresonatoren 62a, 62b, 63a und 63b des Kantenreflexionstyps angeordnet. Da die Verbindungselektrode 6 auf einer Seite der Oberflächen wellenresonatoren 63a des Kantenreflexionstyps vorgesehen ist, ist die Dummyelektrode 69 auf der Seite angeordnet, um benachbart zu und im wesentlichen parallel zu der Verbin dungselektrode 6 zu sein.

Gemäß dieser Struktur kann der Zwischenraum zwischen der Endoberfläche des piezoelektrischen Substrats 1x und der äußersten Elektrode, der notwendigerweise durch den Unter schied der Zahl von Elektrodenfingerpaaren zwischen dem Oberflächenwellenresonator des Kantenreflexionstyps für ei nen Serienarmresonator und für den Oberflächenwellenresona tor des Kantenreflexionstyps für einen Parallelarmresonator bewirkt wird, durch Vorsehen der Dummyelektrode 69 einge stellt oder eliminiert sein.

Ferner können bei dem Dicing-Verfahren, da das Dicing in dem Abschnitt stattfindet, in dem die Dummyelektroden gebildet sind, eine Verschlechterung der Charakteristik aufgrund der Trennung und weitere Probleme verhindert werden.

Obwohl Fig. 15 zeigt, daß eine Dummyelektrode 69 auf jeder Seite des Oberflächenwellenresonators des Kantenreflexions typs angeordnet ist, kann eine Mehrzahl von Dummyelektroden 69 vorgesehen sein. Bei diesem Fall ist es wünschenswert, die Zahl der Dummyelektroden kleiner als die Zahl von Paaren von Oberflächenwellenresonatoren des Kantenreflexionstyps zu machen, um nicht die Charakteristika der Oberflächenwellen resonatoren des Kantenreflexionstyps zu beeinflussen.

Es ist ferner nicht notwendig, die Dummyelektroden 69 auf beiden Seiten der Oberflächenwellenresonatoren des Kanten reflexionstyps anzuordnen, die Dummyelektroden können jedoch lediglich in dem Abschnitt angeordnet sein, in dem die Tren nung wahrscheinlich auftritt.

Als nächstes ist ein achtes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 16 ist ein äqui valentes Schaltungsdiagramm eines Duplexers gemäß einem ach ten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung. Ferner werden gleiche Bezugsziffern, die in den Fig. 1-15 verwendet sind, in Fig. 16 verwendet, um ähnliche Ele mente zu bezeichnen, und eine detaillierte Beschreibung von ähnlichen Elementen ist weggelassen.

Wie in Fig. 16 gezeigt, sind in einem Duplexer 71, Ein gangs/Ausgangs-Tore 4 eines Oberflächenwellenfilters 1' zum Definieren eines Empfängers und ein Oberflächenwellenfilter 1 zum Definieren eines Senders mit einem gemeinsamen An schluß 74 verbunden, um mit einer Antenne (nicht gezeigt) verbunden zu sein. Ein Eingangs/Ausgangs-Tor 5 des Oberflä chenwellenfilters 1' zum Definieren eines Empfängers ist mit einem Ausgangsanschluß 75 _OUT verbunden, der mit einer Emp fängerschaltung (nicht gezeigt) verbunden werden soll, und ein Eingangs/Ausgangs-Tor 5 des Oberflächenwellenfilters 1 zum Definieren eines Senders ist mit einem Eingangsanschluß 75 _IN, der mit einer Senderschaltung (nicht gezeigt) verbun den werden soll, verbunden.

Als nächstes ist ein neuntes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Fig. 17 ist ein Block diagramm einer Kommunikationsvorrichtung, das das neunte be vorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden zeigt, und ein Beispiel, bei dem der Duplexer 71, der in Fig. 16 gezeigt ist, in der Kommunikationsvorrichtung verwendet wird.

Wie in Fig. 17 gezeigt, ist in einer Kommunikationsvorrich tung 81 der gemeinsame Anschluß 74 eines Duplexers 71, der ein Oberflächenwellenfilter 1', das einen Empfänger defi niert, und ein Oberflächenwellenfilter 1, das einen Sender definiert, aufweist, mit einer Antenne 90 verbunden. Ein Ausgangsanschluß 75 _OUT ist mit einer Empfängerschaltung ver bunden, und ein Eingangsanschluß 7 _IN ist mit einer Sende schaltung verbunden.

Bei dem ersten bis zu dem neunten bevorzugten Ausführungs beispiel wird für die Endoberfläche zum Reflektieren der Oberflächenwellen der Oberflächenwellenresonatoren des Kan tenreflexionstyps eine Oberfläche verwendet, die durch Di cing eines ursprünglichen Substrats geschnitten ist, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Nachdem Kerben und Löcher durch Abarbeiten eines derartigen Dicings gebildet sind, etc., kann jedes der piezoelek trischen Substrate geschnitten und durch Dicing oder andere geeignete Verfahren getrennt werden.

Claims

1. Oberflächenwellenfilter (1; 11; 21; 21a; 21b; 31; 41; 51; 51'; 51a; 61), mit folgenden Merkmalen:
einem Substrat (1x); und
einer Mehrzahl von Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b) des Kantenreflexionstyps, die angeordnet sind, um Se rien- und Parallelarmresonatoren zu definieren, und die in eine Kettenkonfiguration geschaltet sind; wobei
die Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b) des Kan tenreflexionstyps, die die Serien- und Parallelarmreso natoren definieren, alle auf dem Substrat (1x) angeord net sind und angeordnet sind, um im wesentlichen paral lel zu Endoberflächen der Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b) des Kantenreflexionstpys zu sein.

2. Oberflächenwellenfilter (1; 21; 21a; 21b; 31; 41; 51; 51'; 51a; 61) gemäß Anspruch 1, bei dem die Ober flächenwellenresonatoren (2a, b, c; 22a, b, c; 42a, b; 52a, b, 52a', b; 52a'', b''; 62a, b) des Kantenrefle xionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c, 23a, b, c; 53a, b; 53a', b'; 63a, b) des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, abwechselnd auf dem Substrat (1x) angeordnet sind.

3. Oberflächenwellenfilter (1) gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner Verbindungselektroden (6a, b) aufweist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind, wobei die Ober flächenwellenresonatoren (2a, b, c) des Kantenrefle xionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, miteinander durch die Verbindungselektroden (6a, b) auf dem Substrat (1x) verbunden sind, und wobei mindestens eine der Verbindungselektroden (6a, b) von einem äußersten Elektrodenfinger der Oberflächenwellenresona toren (3a, b, c) des Kantenreflexionstyps, die die Pa rallelarmresonatoren definieren, durch einen Abstand getrennt ist, der im wesentlichen gleich zu einem Ab stand zwischen den Kanten der Elektrodenfinger, die die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c) des Kantenre flexionstyps bilden, die die Parallelarmresonatoren de finieren, und der Kante eines benachbarten der Elektro denfinger ist.

4. Oberflächenwellenfilter (21b) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem sowohl die Oberflächenwellenresonatoren (22a, b) des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonato ren definieren, als auch die Oberflächenwellenresonato ren (23a, b) des Kantenreflexionstyps, die die Paral lelarmresonatoren definieren, Schlitzelektroden auf weisen.

5. Oberflächenwellenfilter (31) gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner Oberflächenwellenresonatoren (38a, b) auf weist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind, um als Sperresonatoren zu wirken.

6. Oberflächenwellenfilter (11) gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner Reaktanzelemente (7) aufweist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind.

7. Oberflächenwellenfilter (41) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem eine Breite eines Übertragungsabschnitts der Elektrodenfinger, die die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c) des Kantenreflexionstyps bilden, die die Pa rallelarmresonatoren definieren, größer als eine Breite eines Übertragungsabschnitts der Elektrodenfinger ist, die die Oberflächenwellenresonatoren (42a, b) des Kan tenreflexionstyps bilden, die die Serienarmresonatoren definieren.

8. Oberflächenwellenfilter (51; 51'; 51a) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem eine Elektrodenstruktur der Ober flächenwellenresonatoren (52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b') des Kantenreflexionstyps, die die Serienresonatoren und die Parallelarmresonatoren definieren, in mindestens zwei Strukturen geteilt ist.

9. Oberflächenwellenfilter (51; 51'; 51a) gemäß Anspruch 8, bei dem die Elektrodenstruktur der Oberflächenwel lenresonatoren (53a, b; 53a', b') des Kantenreflexions typs, die die Parallelarmresonatoren definieren, unter teilt ist, um kleiner als eine Zahl von Unterteilungen der Elektrodenstruktur der Oberflächenwellenresonatoren (52a, b; 52a', b; 52a'', b'') des Kantenreflexionstyps zu sein, die die Serienarmresonatoren definieren.

10. Oberflächenwellenfilter (61) gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner Dummyelektroden (69) aufweist, die nahe zu Endoberflächen der Oberflächenwellenresonatoren (63a, b) des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresona toren definieren, oder der Oberflächenwellenresonatoren (62a, b) des Kantenreflexionstyps angeordnet sind, die die Serienarmresonatoren definieren.

11. Duplexer (71), mit folgenden Merkmalen:
einem Oberflächenwellenfilter, das folgende Merkmale aufweist:
ein Substrat (1x); und
eine Mehrzahl von Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b) des Kantenreflexionstyps, die angeordnet sind, um Se rien- und Parallelarmresonatoren zu definieren, und die in eine Kettenkonfiguration geschaltet sind; wobei
die Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b)) des Kan tenreflexionstyps, die die Serien- und Parallelarmreso natoren definieren, alle auf dem Substrat (1x) angeord net sind und angeordnet sind, um zu Endoberflächen der Oberflächenwellenresonatoren (2a, b, c, 3a, b, c; 2a, b, c, 23a, b, c; 22a, b, c, 3a, b, c; 22a, b, c, 23a, b, c; 42a, b, 3a, b, c; 52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b'; 63a, b, 62a, b) des Kantenre flexionstyps im wesentlichen parallel zu sein.

12. Duplexer (71) gemäß Anspruch 11, bei dem die Ober flächenwellenresonatoren (2a, b, c; 22a, b, c; 42a, b; 52a, b, 52a', b; 52a'', b''; 62a, b) des Kantenrefle xionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c, 23a, b, c; 53a, b; 53a', b'; 63a, b) des Kantenreflexionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, abwechselnd auf dem Substrat (1x) angeordnet sind.

13. Duplexer (71) gemäß Anspruch 11, der ferner Verbin dungselektroden (6a, b) aufweist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind, wobei die Oberflächenwellenreso natoren (2a, b, c) des Kantenreflexionstyps, die die Serienarmresonatoren definieren, durch die Verbindungs elektroden (6a, b) auf dem Substrat (1x) miteinander verbunden sind, und mindestens eine der Verbindungs elektroden (6a, b) von einem äußersten Elektrodenfinger der Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c) des Kanten reflexionstyps um einen Abstand getrennt ist, der im wesentlich gleich einem Abstand zwischen Kanten der Elektrodenfinger, die die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c) des Kantenreflexionstyps definieren, und der Kante eines benachbarten der Elektrodenfinger ist.

14. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, bei dem die Ober flächenwellenresonatoren (22a, b) des Kantenreflexions typs, die die Serienarmresonatoren definieren, und die Oberflächenwellenresonatoren (23a, b) des Kantenrefle xionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, Schlitzelektroden aufweisen.

15. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, der ferner Ober flächenwellenresonatoren (38a, b) aufweist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind, um als ein Sperresonator zu wirken.

16. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, der ferner Reak tanzelemente (7) aufweist, die auf dem Substrat (1x) angeordnet sind.

17. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, bei dem eine Breite eines Übertragungsabschnitts von Elektrodenfingern, die die Oberflächenwellenresonatoren (3a, b, c) des Kanten reflexionstyps bilden, die die Parallelarmresonatoren definieren, größer als eine Breite eines Übertragungs abschnitts der Elektrodenfinger ist, die die Ober flächenwellenresonatoren (42a, b) des Kantenreflexions typs bilden, die die Serienarmresonatoren definieren.

18. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, bei dem eine Elek trodenstruktur der Oberflächenwellenresonatoren (52a, b, 53a, b; 52a', b, 53a, b; 52a'', b'', 53a', b') des Kantenreflexionstyps, die die Serienresonatoren und die Parallelarmresonatoren definiert, in wenigstens zwei Strukturen geteilt ist.

19. Duplexer gemäß Anspruch 18, bei dem die Elektroden struktur der Oberflächenwellenresonatoren (53a, b; 53a', b') des Kantenreflexionstyps, die die Parallel armresonatoren definieren, unterteilt ist, um kleiner als eine Zahl von Unterteilungen der Elektrodenstruktur der Oberflächenwellenresonatoren (52a, b; 52a', b; 52a'', b'') des Kantenreflexionstyps zu sein, die die Serienarmresonatoren definieren.

20. Duplexer gemäß Anspruch 11 oder 12, der ferner Dummy elektroden (69) aufweist, die nahe Endoberflächen der Oberflächenwellenresonatoren (63a, b) des Kantenrefle xionstyps, die die Parallelarmresonatoren definieren, oder der Oberflächenwellenresonatoren (62a, b) des Kan tenreflexionstyps angeordnet sind, die die Serienarmre sonatoren definieren.

21. Kommunikationsvorrichtung (81), die mindestens ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1 aufweist.