JP6460706B2 - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、弾性表面波素子を含む弾性表面波デバイスの製造方法に関する。
近年において、高機能化した携帯電話などのコンシューマ向け製品における機器、自動車に関連する機器、GPS(Global Positioning System)に関連する機器など、多品種の機器に無線通信を行う機能が搭載されるようになっている。そのように無線通信を行う機器に搭載される周波数選択デバイスとしては、弾性表面波フィルタが広く使用されており、上記のような事情で、弾性表面波フィルタは様々な用途に用いられる各種の機器に各々対応して設計されることが必要となっている。さらに、各機器の製造メーカにおいて製品の開発期間が短縮されていることから、弾性表面波フィルタについても短期間で多品種の開発を行うことが求められている。それに加えて弾性表面波フィルタの低価格化が進んでおり、より合理化された弾性表面波フィルタの開発が必要となっている。
一般的に、低損失を要求される高周波部品に使用される弾性表面波フィルタには、縦結合共振子型フィルタやラダー型フィルタを構成する弾性表面波素子が多く用いられている。弾性表面波フィルタの構成について説明すると、前記弾性表面波素子を構成する圧電基板からなるチップが、ベース基板(パッケージベース)上に実装される。前記ベース基板はチップを囲むパッケージの一部を構成し、弾性表面波フィルタは、当該パッケージによりチップが封止された状態で製品として、上記の各機器の製造メーカに供給される。
前記ベース基板におけるチップの実装面の電極(接続パッド)と圧電基板におけるフィルタの形成面の電極(接続パッド)との電気接続にはワイヤボンディングが用いられる場合があるが、チップ及びベース基板の両方にワイヤを接続するエリアが必要になるので、実装可能なチップのサイズが小さくなってしまう。そこで小型の弾性表面波フィルタにおいては、ワイヤボンディングの代わりに、例えば金やはんだからなるバンプを介してチップの接続パッドとベース基板の接続パッドとが互いに対向するように接続される、いわゆるフリップチップ実装による製造が主流になっている。特許文献1には、前記フリップチップ実装により製造される弾性表面波フィルタについて記載されている。
特開2013−46084
ところで、上記のように弾性表面波フィルタは様々な用途の機器に搭載されるが、搭載される機器に応じてチップを設計することが求められ、チップにおける接続パッドの位置は、チップによって異なる場合がある。例えば、縦結合共振子型フィルタを構成するためのチップとラダー型フィルタを構成するためのチップとの間では、弾性表面波を励振するIDT電極の数や配置が互いに異なるので、互いに接続パッドの配置も異なる。つまり弾性表面波フィルタにおいては、チップの設計が変更されると当該チップの接続パッドの位置が変更される場合がある。この位置変更に伴いベース基板の接続パッドの位置も変更する必要があるので、チップを設計するごとに、パッケージの設計も行わなければならない。従って、弾性表面波フィルタの開発工数が増えてしまうし、パッケージの製作による初期費用及び量産によるパッケージの単価を低く抑えることが難しいという問題が有る。このような問題によって、既述した多種の弾性表面波フィルタの開発の短縮化、及び弾性波表面波フィルタの低価格化の要請に十分に対応できないおそれがある。前記特許文献1には、このような問題を解決できる手法については記載されていない。
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、製造コストを抑えることができる弾性表面波フィルタの製造方法を提供することである。
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板の一面側に形成された複数の櫛形電極を有する弾性表面波素子と、前記圧電基板の一面側に各々設けられた、前記弾性表面波素子への入力信号を印加する入力電極、弾性表面波素子からの信号を取り出す出力電極及び前記櫛歯電極を接地させるための接地電極と、前記弾性表面波素子が他面側に搭載されるベース基板と、を備える弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記圧電基板における前記入力電極、出力電極及び接地電極のうち少なくともいずれかの位置が互いに異なる第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子の一方から選択したものを前記弾性表面波素子として前記ベース基板に搭載する工程を備え、
前記ベース基板の一面側には、前記入力電極、出力電極、接地電極に夫々電気的に接続される入力端、出力端、接地端が、前記第1の弾性表面波素子を搭載した前記弾性表面波デバイスと、前記第2の弾性波表面波素子を搭載した前記弾性表面波デバイスと、で互いに共通の位置に設けられ、
搭載される前記弾性表面波素子が第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子のうちのいずれであっても前記入力電極、出力電極、接地電極を夫々前記入力端、出力端、接地端に電気的に接続するために、当該ベース基板の他面側に、第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子の入力電極、出力電極、接地電極に夫々対応する位置に設けられると共に、各々入力端、出力端、接地端のいずれかに電気的に接続される複数の接続用電極を備えることを特徴とする。

本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板における入力電極、出力電極、接地電極のうち少なくともいずれかの位置が互いに異なる第1の弾性表面波素子、第2の弾性表面波素子から選択されてベース基板に搭載される。搭載される前記弾性表面波素子が第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子のうちのいずれであっても、その入力電極、出力電極、接地電極を、ベース基板の他面側の入力端、出力端、接地端に夫々接続できるように、ベース基板の一面側にはこれらの第1及び第2の弾性表面波素子の各電極に対応する位置に、複数の接続用電極が各々設けられる。従って、複数の弾性表面波素子についてベース基板が共用できるので、弾性表面波フィルタの製造コストを抑えることができる。
本発明の実施形態に係る弾性表面波フィルタの概略縦断側面図である。 前記弾性表面波フィルタを構成するチップ及びベース基板の表面図である。 前記ベース基板を構成する各層の平面図である。 前記チップに設けられる共振子の説明図である。 前記チップを前記ベース基板に実装した状態を示す平面図である。 前記弾性表面波フィルタを構成する他のチップ及びベース基板の表面図である。 前記他のチップを構成する縦結合型フィルタの説明図である。 前記他のチップを前記ベース基板に実装した状態を示す平面図である。 前記弾性表面波フィルタの製造工程を示す斜視図である。 前記弾性表面波フィルタの他の製造工程を示す斜視図である。 比較例の弾性表面波フィルタを構成するチップ及びベース基板の表面図である。 前記比較例に係るベース基板を構成する各層の平面図である。 比較例の弾性表面波フィルタを構成するチップ及びベース基板の表面図である。 前記比較例に係るベース基板を構成する各層の平面図である。 比較例の弾性表面波フィルタを構成するチップ及びベース基板の表面図である。
先ず、本発明の実施の形態について概略的に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスである弾性表面波フィルタ1の概略縦断側面図である。この弾性表面波フィルタ1は、ベース基板11と、当該ベース基板11の表面にフリップチップ実装された弾性表面波素子であるチップ3と、ベース基板11上に設けられたキャップ51と、により構成されている。キャップ51及びベース基板11により、チップ3を囲むパッケージ5が構成される。チップ3として、この例ではチップ3A及びチップ3Bのうちのいずれかが選択されてベース基板11に実装される。チップ3Aはラダー型フィルタを含むチップであり、チップ3Bは縦結合型フィルタを含むチップである。詳しくは後述するが、チップ3A、3B間で入力電極、出力電極及び接地電極の配置が互いに異なっている。
ベース基板11の裏面には、電極として入力端子(入力端)12、出力端子(出力端)13及び端子14〜16が設けられている。ただし端子14〜16は、チップ3の接地電極に対して電気的に接続されることで接地電極(接地端)として機能する場合と、チップ3のダミーの電極に接続され、電気的に浮いた状態となる場合とがある。図1では端子15、16の図示を省略している。
弾性表面波フィルタ1を使用するにあたっては、これら端子12〜16が外部の機器の電極をなす端子に接続される。ところで、背景技術の項目で説明したように外部の機器は様々であるが、これらの外部の機器の多くでは、端子12〜16に接続される各端子の配置は共通化されている。これは、各製造メーカによる弾性表面波フィルタを自由に選択して使用可能にするためである。つまり、市場の要求によりベース基板11におけるこれらの端子12〜16の配置は決められている。このような状況下で、チップ3A及び3Bのうちの一方を選択して当該ベース基板11に実装可能であるように、当該ベース基板11が構成されている。
ベース基板11は矩形であり、例えばセラミックスあるいはガラスエポキシ樹脂により構成されている。また、ベース基板11は、上側から順に第1層21、第2層22、第3層23が積層されることで構成されている。第1層21の表面がベース基板11の表面(一面)をなす。そして、第3層23の裏面が前記ベース基板11の裏面(他面)をなし、当該第3層の裏面に上記の端子12〜16が設けられている。前記第1層21の表面には、多数の接続用電極である接続パッド17が設けられている。この接続パッド17と端子12〜16とが、各層21〜23の表面に設けられた金属のパターンからなる配線及びビアホールに埋め込まれた配線により構成される導電路によって、互いに結線されている。
図2中の右側、図3中の左側、図3中の中央、図3中右側は、夫々所定の向きにベース基板11を向けたときの第1層21の表面、第2層22の表面、第3層23の表面、第3層23を表面側から見たときの端子12〜16のレイアウトを夫々示している。つまり、これらの各図には各層21〜23の平面図が示されており、互いに各層21〜23の向きは互いに揃っている。以降、各層について説明するが、説明の便宜上、図の上側、下側を、夫々基板の上側、基板の下側として説明し、図の左右方向を基板の左右方向として説明する場合がある。
図2に示すように第1層21の表面には、接続電極である前記接続パッド17が15個、第1層21の短辺及び長辺に沿って、グリッドアレイ状に設けられている。さらに詳しくは、接続パッド17は、行数5、列数3の行列状に設けられている。以降、説明の便宜上、図中、上からa番目、左からb番目に位置する接続パッド17を(a,b)の接続パッド17として書き表す場合がある。図2では任意の接続パッド17について、そのように表記している。この例では接続パッド17は円板状に構成されている。第1層21には、接続パッド17に重なる位置に夫々、当該第1層21の表裏を貫通するビアホールが形成されている。つまり合計15個のビアホールが形成されており、各ビアホールには接続パッド17に接続されるように配線18が埋め込まれている。
第1層21の各部の寸法の一例を示しておくと、その短辺L1が1.1mm、長辺L2が1.4mmである。なお、第1層21〜第3層23は、平面で見て互いに同じ大きさに構成されているため、前記L1、L2はベース基板11の短辺、長辺の大きさでもある。また、前記短辺に沿った互いに隣接する接続パッド17の間隔L3は、0.35mm、前記長辺に沿った互いに隣接する接続パッド17の間隔L4は、0.25mmである。
続いて第2層22について説明すると、図3に示すように第2層22の表面には、左右方向に伸びるパターン24A、上下方向に伸びるパターン24B、リング状に形成されたパターン24C、24D、上下方向に伸びるパターン24Eが夫々設けられている。パターン24Aは、第1層21の接続パッド17のうち(1,1)、(1,2)の下方を通過するように設けられ、これらの接続パッド17(1,1)、(1,2)は、前記配線18及び当該パターン24Aを介して、互いに電気的に接続される。
パターン24Bは、接続パッド17のうち(1,3)、(2,3)、(3,3)の下方を通過するように設けられ、これらの接続パッド17(1,3)、(2,3)、(3,3)は前記配線18及び当該パターン24Bを介して、互いに電気的に接続される。パターン24Cは、接続パッド17のうち(2,1)、(2,2)、(3,1)、(3,2)の下方を通過するように設けられ、これらの接続パッド17(2,1)、(2,2)、(3,1)、(3,2)は、前記配線18及び当該パターン24Cを介して、互いに電気的に接続される。パターン24Dは、接続パッド17のうち(4,2)、(4,3)、(5,2)、(5,3)の下方を通過するように設けられ、これらの接続パッド17(4,2)、(4,3)、(5,2)、(5,3)は、前記配線18及び当該パターン24Dを介して、互いに電気的に接続される。パターン24Eは、接続パッド17のうち(5,1)、(4,1)の下方を通過するように設けられ、配線18及び当該パターン24Eを介して、これらの接続パッド17(5,1)、(4,1)が、互いに電気的に接続される。
第2層22においては、接続パッド17のうち(1,2)、(3,1)、(5,1)、(3,3)、(5,3)に重なる位置に夫々、当該第2層22の表裏を貫通するビアホールが設けられ、当該ビアホール内に配線25が形成されている。各配線25の上部は、パターン24A〜24Eに夫々接続されるように形成されている。
第3層23の表面には、接続パッド17のうち(1,2)、(3,1)、(5,1)、(3,3)、(5,3)に重なる位置に各々円形のパターン26が設けられている。第3層23には、各パターン26に重なる位置に当該第3層23の表裏を貫通するビアホールが設けられ、当該ビアホール内に配線27が形成されている。そして第3層23の裏面には、上記の端子12〜16が矩形状に形成されている。入力端子12、出力端子13、端子14、端子15、端子16は、夫々上記の接続パッド17の(1,2)、(5,3)、(3,3)、(3,1)、(5,3)に重なる位置に設けられており、配線27を介してパターン26に接続されている。
上記のように各層21〜23が構成されることで、接続パッド17のうち(1,1)、(1,2)が入力端子12に電気的に接続され、(4,2)、(4,3)、(5,2)、(5,3)が出力端子13に電気的に接続される。また、接続パッド17のうち(2,1)、(2,2)、(3,1)、(3,2)が端子15に、接続パッド17のうち(5,1)、(4,1)が端子16に、接続パッド17のうち(1,3)、(2,3)、(3,3)が端子14に、夫々電気的に接続される。
図2に戻って、左側に示すチップ3Aについて説明する。図2はチップ3Aの表面(一面)を示しており、この表面が図中に鎖線の矢印で示すように、ベース基板11の表面に対向するように反転されて、チップ3Aがベース基板11に実装される。つまりフリップチップ実装される。チップ3Aは圧電基板30により構成され、当該圧電基板30の表面に導電路をなす金属のパターン31が形成されている。このパターン31により、圧電基板30上に11個の1ポートSAW(surface acoustic wave)共振子32が構成されており、これらの1ポートSAW共振子32がラダー状に接続されることで、ラダー型フィルタが構成されている。図2では、図の複雑化を避けるため詳細な記載を省略しているが、1ポートSAW共振子32は図4に示すように、上下方向に配置された一対のIDT(Interdigital Transducer)電極33A、33Bと、左右からIDT電極33A、33Bを挟む反射器34A、34Bと、により構成される。
前記パターン31上には金属のバンプである接続パッド41〜46が設けられている。接続パッド41は入力電極であり、このチップ3Aではラダー型フィルタの入力信号が印加され、図中にINとして示している。また接続パッド42は、このチップ3Bにおいては前記ラダー型フィルタからの出力信号が取り出される出力電極であり、図中にOUTとして示している。また、接続パッド43〜46は、櫛形電極であるIDT電極33Aまたは33Bを接地させるための接地電極として構成され、図中にGとして示している。この例ではバンプである接続パッド41〜46は、圧電基板30の周縁部に沿って配置され、圧電基板30の中央から見て上下に対称、且つ左右に対称に設けられている。このような配置によって、各接続パッド41〜46に加わる応力の均一性を高め、製品である弾性表面波フィルタ1の信頼性を高くしている。
図5では、チップ3Aをベース基板11に実装した状態を示している。チップ3Aの入力電極である接続パッド41は、ベース基板11の接続パッド17のうち(1,1)に接続され、それによってベース基板11の入力端子12に電気的に接続されている。チップ3Aの出力電極である接続パッド42は、ベース基板11の接続パッド17のうち(5,3)に接続され、それによってベース基板11の出力端子13に電気的に接続されている。
また、チップ3Aの接地電極である接続パッド43、44は、ベース基板11の接続パッド17のうち(3,1)、(5,1)に夫々接続され、それによってベース基板11の端子15、16に夫々電気的に接続されている。また、チップ3Aの接地電極である接続パッド45、46は、ベース基板11の接続パッド17のうち(3,3)、(1,3)に夫々接続されており、それによってベース基板11の端子14に電気的に接続されている。このようにチップ3Aが実装された状態において、ベース基板11の接続パッド17のうち、上記の(1,1)、(3,1)、(5,1)、(1,3)、(3,3)、(5,3)以外の接続パッドは、チップ3Aの接続パッドに接続されない。
続いて、チップ3Bについて説明する。図6の左側には当該チップ3Bの表面を、図6の右側にはベース基板11の表面を夫々示している。チップ3Aと同様にチップ3Bは、図中鎖線の矢印で示すように、図で示した状態から表裏反転されてベース基板11の表面に実装される。図6を参照しながらチップ3Bについて、チップ3Aとの差異点を中心に説明する。
チップ3Bを構成する圧電基板30の表面には、当該表面に形成されるパターン31によって、1ポートSAW共振子32と縦結合型弾性表面波フィルタ37とが形成されており、これら1ポートSAW共振子32と縦結合型弾性表面波フィルタ37とが互いに縦続接続されている。図6では便宜上、縦結合型弾性表面波フィルタ37を簡略化して示しているが、図7に示すように縦結合型弾性波表面波フィルタ37は、上記のIDT電極33A、33Bからなる対が3つと、反射器34A、34Bと、により構成されている。IDT電極33A、33Bの各対は左右方向に配置され、これらのIDT電極33A、33Bの対を左右から挟むように反射器34A、34Bが配置されている。
3つのIDT電極の対のうちの中央の対を構成するIDT電極33B、33Aは、夫々パターン31を介して出力電極を構成する接続パッド42、接地電極を構成する接続パッド43に夫々接続されている。また、左右のIDT電極の対を構成するIDT電極33Aは、パターン31及び1ポートSAW共振子32を介して入力電極を構成する接続パッド41に接続され、左右のIDT電極の対を構成するIDT電極33Bは、パターン31を介して接地電極を構成する接続パッド44に接続されている。
チップ3Bの表面の各部のレイアウトについて、より詳しく説明すると、1ポートSAW共振子32は圧電基板30の上側に設けられ、縦結合型弾性表面波フィルタ37は上下の中央部に配置されている。縦結合型弾性表面波フィルタ37の下方においてはパターン31が環状に形成され、この環状に形成されたパターン31(便宜上、31Aと表記する)上に前記接続パッド44が形成されている。そして、この環状のパターン31Aとは接触せずに縦結合型弾性表面波フィルタ37から下方に引き出されるようにパターン31が形成され、この引き出されたパターン(便宜上、31Bと表記する)上に、前記出力電極をなす接続パッド42が設けられている。つまり、接続パッド42は、圧電基板30の上下の中央部よりも若干下側に設けられる。
また、1ポートSAW共振子32と縦結合型弾性表面波フィルタ37とを接続するように、圧電基板30を上下方向に伸びるパターン31が形成されている。当該上下方向に伸びるパターン31を便宜上、31C、31Dと記載している。そして、パターン31C、31D及び1ポート共振子32に囲まれる領域の中央部へ向けて縦結合型弾性表面波フィルタ37から上方に、パターン31が伸びるように形成されている。便宜上、当該上方に伸びるパターンを32Eとすると、パターン31Eは、パターン31C、31D、1ポートSAW共振子32に接触しないように形成され、当該パターン31E上に接地電極である接続パッド43が形成されている。つまり、接続パッド43は圧電基板30の中央部よりも若干上側に設けられる。このようにパターン31B、31Eのレイアウトが制限されるため、これらパターン31B、31E上に設けられる接続パッド42、43のレイアウトも制限される。
このようにチップ3Bにおいては、パターン31の形状によって接続パッドの配置が制限される一方で、上記のチップ3Aにおいては多数の1ポートSAW共振子32が配置されることによって各接続パッドの配置について制限を受ける。このようにチップ3A、3Bで接続パッドの配置が夫々制限される事情から、ベース基板11をチップ3A、3Bに共用可能に構成することが、チップ3毎にパッケージを設計する必要が無くなるため有効となる。
チップ3Bの説明に戻る。チップ3Bには、バンプであり、且つベース基板11上に圧電基板30を支持するための支持部である接続パッド61〜64が設けられており、これらの接続パッド61〜64は、パターン31によって1ポートSAW共振子32及び縦結合型弾性表面波フィルタ37に接続されていない。従って、接続パッド61〜64はこれら1ポートSAW共振子32及び縦結合型弾性表面波フィルタ37に対して電気的に浮いたダミーの電極であり、図6中にfloatと表示している。これら接続パッド61〜64と、入力電極及び接地電極をなす接続パッド41、44とは、圧電基板30の周縁部に沿って配置されている。圧電基板30の中央から見て上下に対称、且つ左右に対称に接続パッド61〜64、41〜44が配置され、チップ3Aと同様に、各接続パッドに加わる応力の均一性を高め、製品である弾性表面波フィルタ1の強度を高くし、信頼性を高くしている。
図8では、チップ3Bをベース基板11に実装した状態を示している。チップ3Bの入力電極である接続パッド41は、ベース基板11の接続パッド17のうち(1,1)に接続されており、それによってベース基板11の入力端子12に電気的に接続されている。チップ3Bの出力電極である接続パッド42、電気的に浮いた接続パッド62は、ベース基板11の接続パッド17のうち(4,2)、(5,3)に夫々接続される。それによって、これら接続パッド42、52は、ベース基板11の出力端子13に電気的に接続されている。
また、チップ3Bの接地電極である接続パッド43、電気的に浮いた接続パッド61は、ベース基板11の接続パッド17のうち(2,2)、(3,1)に夫々接続されている。それによってこれらの接続パッド43、61は、ベース基板11の端子15に電気的に接続されている。また、電気的に浮いた接続パッド63、64は、ベース基板11の接続パッド17のうち(3,3)、(1,3)に夫々接続されている。それによってこれらの接続パッド63、64は、ベース基板11の端子14に電気的に接続されている。また、接地電極である接続パッド44は、ベース基板11の接続パッド17のうち(5,1)に接続されている。それによってこの接続パッド44は、ベース基板11の端子16に電気的に接続されている。このようにチップ3Bが実装された状態において、ベース基板11の接続パッド17のうち、上記の(1、1)、(3、1)、(5、1)、(2、2)、(4、2)、(1、3)、(3、3)、(5、3)以外の接続パッドは、チップ3Bの接続パッドに接続されない。
上記のベース基板11は1つの基板10が切断されることにより、多数形成されるものとする。この基板10を用いた弾性表面波フィルタ1の製造工程について簡単に説明すると、先ず基板10におけるベース基板11の形成領域毎に夫々、既述のようにチップ3を実装する。すなわち、当該形成領域には接続パッドが形成されており、この接続パッドとチップ3の接続パッドとを電気的に接続する。然る後、基板10を切断して、基板10からベース基板11を形成した後、各ベース基板11について、図9に示すように個別にキャップ51を接着してパッケージ5を形成し、弾性表面波フィルタ1が製造される。キャップ51は、例えば金属や樹脂により構成される。
また、基板10におけるベース基板11の形成領域毎に夫々、既述のようにチップ3を実装した後、モールド成形用の樹脂53を基板10の周囲に供給して各チップ3を一括して封止し、然る後、樹脂53及び基板10を切断して、弾性表面波フィルタ1を製造してもよい。図10は、そのような切断を行う前に封止された状態のチップ3を示している。この場合は、パッケージ5は樹脂53とベース基板11とにより構成される。
上記の例では、異なる種類のフィルタとして構成されたチップ3A、3Bを選択してベース基板11に搭載する例について説明したが、同一の種類のフィルタが構成されたチップを選択して使用する場合にも、ベース基板11を用いることができる。例えば図2に示すチップ3Aでは、接地電極である接続パッド43はベース基板11の(3,1)の接続パッド17に重なるように配置されている。しかし、チップ3Aの上下の中央部に配置された1ポートSAW共振子32のIDT電極を比較的大きく形成した場合は、接続パッド43を図2に示す位置に設けることができないことが考えられ、そのために例えば当該接続パッド43を(4,1)の接続パッド17に重なるように上方へずらしたものとする。当該(4,1)の接続パッド17は、(3,1)の接続パッド17と同じくベース基板11の裏面の端子15に電気的に接続される。つまり、そのように接続パッド43の位置が互いにずらされたチップ3A間で、ベース基板11を共用することができる。このように1ポートSAW共振子32の大きさを変更することの他に、1ポートSAW共振子32の個数が変更され、それによって、チップ3Aの各接続パッドの配置を変更が必要となる場合がある。そのような場合も、各チップ間でベース基板11を共用する本発明が有効である。
上記のようにベース基板11の表面には多数の接続パッド17が設けられ、これら多数の接続パッド17は、ベース基板11の裏面の互いに異なる位置に形成された端子に接続されるように、いわばグループ分けされている。そして、グループ内の一部の接続パッド17がチップ3の接続パッドとの接続に使用され、グループ内の他の接続パッド17はチップ3の接続パッドとの接続に使用されないようにする。つまり、接続パッド17のうち、必要な箇所の接続パッドのみをチップ3との接続に使用する。これによって、ベース基板11を複数のチップ3に対して共用化することができる。結果として、チップ3ごとにベース基板11について設計を行い、ベース基板11ひいては当該ベース基板11により形成されるパッケージ5の構成を変更する必要が無い。従って、弾性表面波フィルタ1の製造コストを低く抑えることができる。
なお、上記したベース基板11の構成は一例であり、例えば接続パッド17はグリッドアレイ状に整然と配列されていなくてもよいし、配置される個数も上記の例から変更してよい。一般的には、接続パッド17の数が多いほど、チップ3の接続パッドの細かな配置変更に柔軟に対応することができる。つまり、より多くの互いに異なる構成のチップに対して、ベース基板11の共用化を図ることができる。ただし、隣接する接続パッド17の間隔が小さくなるほど、パッケージ5の設計が難しく、当該パッケージ5の強度や信頼性などが低下するおそれがあるため、接続パッド17の数量及び配置は、そのような事情と、実際にベース基板11が使用されるにあたっての必要な数量及び配置とを考慮して決定される。
本発明の有効性についてより明確に説明するために、比較例の各弾性表面波フィルタについて説明する。比較例1の弾性表面波フィルタは、パッケージを構成するベース基板として、ベース基板11の代わりに、チップ3Aを実装できるベース基板101を備えるものとする。ベース基板101は、ベース基板11と同じく第1層21〜第3層23により構成されるが、形成される配線はベース基板11と異なっている。図11の右側、図12の左側、図12の中央、図12の右側は、夫々所定の向きにベース基板101を向けたときの第1層21の表面、第2層22の表面、第3層23の表面、第3層23を表面側から見たときの端子12〜16のレイアウトを夫々示している。図11の左側は、図2の左側と同様に、チップ3Aについて示している。図11の左側はチップ3Aの表面を示しており、当該チップ3Aの表面は、鎖線の矢印で示すように反転されてベース基板101上に実装される。
このベース基板101の第1層21の表面には、チップ3Aの各接続パッド41〜46に対応する位置に接続パッド17が設けられる。従って、接続パッド17は計6個設けられている。各接続パッド17には第1層21を貫通して形成される配線18が接続される。ベース基板101の第3層23は、ベース基板11の第3層23と同様に構成されている。つまり、ベース基板101の第3層23における配線27及び端子12〜16のレイアウトは、ベース基板11の第3層23における配線27及び端子12〜16のレイアウトと同じである。そして、ベース基板101の第2層22には、第1層の配線18を第3層の配線27に結線できるように、その表面において導電路のパターン102が形成されると共にその表裏を貫通する配線25が形成されている。従って、ベース基板101の第2層22の導電路のパターン102は、ベース基板11の第2層22の導電路のパターン24A〜24Eと異なる形状とされている。
次に比較例2の弾性表面波フィルタについて説明する。比較例2の弾性表面波フィルタは、パッケージを構成するベース基板として、ベース基板11の代わりにベース基板111を備えるものとする。ベース基板111は、上記のチップ3Bを実装できるように構成される。ベース基板111も、ベース基板11と同じく第1層21〜第3層23により構成されるが、形成される配線はベース基板11と異なっている。
図13の右側、図14の左側、図14の中央、図14の右側は、夫々所定の向きにベース基板111を向けたときの第1層21の表面、第2層22の表面、第3層23の表面、第3層23を表面側から見たときの端子12〜16のレイアウトを夫々示している。図13の左側は、図6の左側と同様に、チップ3Bの表面について示しており、当該チップ3Bは鎖線の矢印で示すように反転されて、ベース基板111上に実装される。
このベース基板111の第1層21の表面には、チップ3Bの各接続パッド41〜44、61〜64に対応する位置に、接続パッド17が計8個設けられる。各接続パッド17には第1層21を貫通して形成される配線18が接続される。また、ベース基板111の第3層23は、ベース基板11の第3層23と同様に構成されている。つまり、ベース基板111の第3層23における配線27及び端子12〜16のレイアウトは、ベース基板11の第3層23における配線27及び端子12〜16のレイアウトと同じである。そして、ベース基板111の第2層22には、第1層の配線18を第3層の配線27に接続できるように、その表面において導電路のパターン112が形成されると共にその表裏を貫通する配線25が形成されている。つまり、ベース基板111の第2層22の導電路のパターン112は、ベース基板11の第2層22の導電路のパターン24A〜24Eと異なる形状とされている。
比較例1、2のベース基板101及びベース基板111について見ると、第1層21では接続パッド17及び配線18の配置及び数が互いに異なる。第2層22では、そのように第1層21の構成が異なることで、その表面のパターン112の構成が異なる。つまり、背景技術の項目で述べたように、一般的にはチップ3の構成が互いに異なる場合、ベース基板の構成はチップの構成に合わせたものとなるので、チップの構成が変更されることによって、ベース基板の構成も変更する必要がある。
続いて、図15を参照して比較例3の弾性表面波フィルタについて説明する。図15には、この弾性表面波フィルタを構成するチップ3Cの表面と、上記のベース基板101の表面とを示している。チップ3Cは、チップ3Bの変形例である。チップ3Cのチップ3Bに対する差異点を挙げると、パターン31の形状が若干異なること、電気的に浮いた接続パッド61、62が設けられていないこと、出力電極である接続パッド42、接地電極である接続パッド43の配置が異なることである。チップ3Cにおける接続パッド42、43は、チップ3Bにおいて接続パッド62、61が設けられている位置に配置されている。
上記のように、チップ3Bにおいては接続パッド42、43が設けられる位置に制約があるが、チップ3Cにおいては層間絶縁膜を介してパターン31同士を積層させて立体配線を形成することで、縦結合型弾性表面波フィルタ37から引き出されるパターン31B、31Eを圧電基板30の周縁部へ向けて形成し、上記のように接続パッド42、43を圧電基板30の周縁部に配置することが可能になっている。それによって、チップ3Cでは、入力電極である接続パッド41、出力電極である接続パッド42、接地電極である接続パッド44が、チップ3Aと同じ位置に配置されている。このような構成を有することによってチップ3Cは、チップ3Aと同様にベース基板101へ実装することができる。
ただし、前記層間絶縁膜の形成、及びパターン31の積層を行うことで、チップ3Cの製造工程においては、チップ3Bの製造工程に比べてフォトリソグラフィを行う回数が増えることで、製造工程が複雑化する。結果として、チップ3Cの製造コスト、ひいては弾性表面波フィルタの製造コストが高くなってしまう。つまり比較例3と比べると、上記の実施形態の弾性表面波フィルタ1は、製造コストが抑えられる利点がある。なお、このように圧電基板30に立体的な配線を形成しても、上記のようにIDT電極の大きさが変更されたり、1ポートSAW共振子32の数量が変化することで、圧電基板30における各接続パッドの位置が変更される場合があり、それによってベース基板101の接続パッドや配線の構成を変更ことが必要となる場合がある。従って、ベース基板11を用いることが有利である。
1 弾性表面波フィルタ
11 ベース基板
12 入力端子
13 出力端子
14〜16 端子
17 接続パッド
3A、3B チップ
31 パターン
32 1ポートSAW共振子
37 縦結合型弾性表面波フィルタ

Claims (5)

  1. 圧電基板の一面側に形成された複数の櫛形電極を有する弾性表面波素子と、前記圧電基板の一面側に各々設けられた、前記弾性表面波素子への入力信号を印加する入力電極、弾性表面波素子からの信号を取り出す出力電極及び前記櫛歯電極を接地させるための接地電極と、前記弾性表面波素子が他面側に搭載されるベース基板と、を備える弾性表面波デバイスの製造方法において、
    前記圧電基板における前記入力電極、出力電極及び接地電極のうち少なくともいずれかの位置が互いに異なる第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子の一方から選択したものを前記弾性表面波素子として前記ベース基板に搭載する工程を備え、
    前記ベース基板の一面側には、前記入力電極、出力電極、接地電極に夫々電気的に接続される入力端、出力端、接地端が、前記第1の弾性表面波素子を搭載した前記弾性表面波デバイスと、前記第2の弾性波表面波素子を搭載した前記弾性表面波デバイスと、で互いに共通の位置に設けられ、
    搭載される前記弾性表面波素子が第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子のうちのいずれであっても前記入力電極、出力電極、接地電極を夫々前記入力端、出力端、接地端に電気的に接続するために、当該ベース基板の他面側に、第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子の入力電極、出力電極、接地電極に夫々対応する位置に設けられると共に、各々入力端、出力端、接地端のいずれかに電気的に接続される複数の接続用電極を備えることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法
  2. 前記ベース基板には、前記入力電極、出力電極または接地電極のうち第1の弾性表面波素子と第2の弾性表面波素子とで互いに位置が異なる電極を、前記入力端、出力端及び接地端のうち対応する端に接続するための導電路として、
    前記位置が異なる電極に対応する複数の接続用電極から当該ベース基板の一面側へ向かうように各々設けられる第1の導電路と、
    前記第1の導電路に対して当該ベース基板の一面側に設けられ、ベース基板の面方向に沿って形成されると共に、前記各第1の導電路に互いに接続される第2の導電路と、
    前記第2の導電路から当該ベース基板の一面側に向かって設けられる第3の導電路と、
    が設けられることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイスの製造方法
  3. 前記接続用電極は、グリッドアレイ状に多数設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性表面波デバイスの製造方法
  4. 前記第1の弾性表面波素子または第2の弾性表面波素子の圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極に対して電気的に浮くと共に、前記接続用電極に対して接続されることで圧電基板を支持する支持部が設けられ、
    搭載される弾性表面波素子の入力電極、出力電極、接地電極及び支持部の合計数よりも多くの数の前記接続用電極が前記ベース基板に設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の弾性表面波デバイスの製造方法
  5. 第1の弾性表面波素子及び第2の弾性表面波素子のうちの一方はラダー型フィルタにより構成され、他方は縦結合型弾性表面波フィルタを含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の弾性表面波デバイスの製造方法
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