DE10393724B4 - Prüfkopfanordnungen, Prüfvorrichtung und dafür geeignetes Verfahren - Google Patents
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Abstract
Prüfkopfanordnung
(40), mit:
(a) einer leitenden Signalkontaktspitze (44), wobei die Signalkontaktspitze (44) zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46) einer zu testenden Vorrichtung (22) angeordnet ist;
(b) einem ersten Signaleingangsanschluss (48), der dazu eingerichtet ist, ein Modulationssignal zu empfangen;
(c) einem Widerstand (52) mit einem ersten Anschluss (53), der mit dem ersten Signaleingangsanschluss (48) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss (54), der mit der Signalkontaktspitze (44) verbunden ist; und
(d) einem zweiten Signaleingangsanschluss (42), der mit der Signalkontaktspitze (44) leitend verbunden ist, wobei der zweite Signaleingangsanschluss (42) dazu eingerichtet ist, einen Gleichstrom zu empfangen.
(a) einer leitenden Signalkontaktspitze (44), wobei die Signalkontaktspitze (44) zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46) einer zu testenden Vorrichtung (22) angeordnet ist;
(b) einem ersten Signaleingangsanschluss (48), der dazu eingerichtet ist, ein Modulationssignal zu empfangen;
(c) einem Widerstand (52) mit einem ersten Anschluss (53), der mit dem ersten Signaleingangsanschluss (48) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss (54), der mit der Signalkontaktspitze (44) verbunden ist; und
(d) einem zweiten Signaleingangsanschluss (42), der mit der Signalkontaktspitze (44) leitend verbunden ist, wobei der zweite Signaleingangsanschluss (42) dazu eingerichtet ist, einen Gleichstrom zu empfangen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Prüfkopfmeßsysteme zum Messen der elektrischen Eigenschaften integrierter Schaltkreise und anderer mikroelektronischer Vorrichtungen, die überprüft werden, indem an die zu testende Vorrichtung gleichzeitig ein Gleichstrom und ein Modulationssignal angelegt werden.
- Es gibt viele Typen von Prüfanordnungen, die zum Messen der Eigenschaften integrierter Schaltkreise und anderer Arten mikroelektronischer Vorrichtungen entwickelt worden sind. Ein repräsentativer Typ einer Anordnung verwendet eine Leiterplatte, auf der längliche leitende Bahnen ausgebildet sind, die als Signal- und Masseleitungen dienen. In der Platte ist eine zentrale Öffnung ausgebildet, und eine nadelähnliche Prüfkopfspitze ist an dem Ende jeder Bahn benachbart zu der Öffnung so angebracht, dass durch die Anordnung eine sich radial erstreckende Anordnung nach unten konvergierender nadelähnlicher Spitzen zur selektiven Verbindung mit den eng beabstandeten Kontaktanschlussflächen der getesteten mikroelektronischen Vorrichtung bereitgestellt ist. Eine Prüfanordnung dieses Typs ist beispielsweise in der
U.S. 3,445,770 gezeigt. Dieser Prüfanordnungstyp ist jedoch zur Verwendung bei höheren Frequenzen, einschließlich Mikrowellenfrequenzen im Gigahertzbereich, ungeeignet, weil bei derartigen Frequenzen die nadelähnlichen Spitzen als induktive Elemente wirken und weil es keine angrenzenden Elemente gibt, um dieser Induktivität auf geeignete Weise mit einem kapazitiven Effekt auf eine Weise entgegen zu wirken, die eine Breitbandeigenschaft mit mehr oder weniger widerstandsbehafteter Wirkung erzeugen würde. Dementsprechend ist eine Prüfanordnung des soeben beschriebenen Typs zur Verwendung bei Mikrowellenfrequenzen aufgrund der hohen Niveaus von Signalreflexion und wesentlicher induktiver Verluste ungeeignet, die an den nadelähnlichen Prüfkopfspitzen auftreten. - Ein Prüfanordnungstyp, der einen Pfad geringen Verlusts mit gesteuerter Impedanz zwischen seinen Eingangsanschlüssen und den Prüfkopfspitzen bereitzustellen ver mag, ist in der
U.S. 5,506,515 veranschaulicht. Der Prüfkopf weist eine Spitzenanordnung auf, die ein halbstarres Koaxialkabel mit einem TeflonTM-Dielektrikum und einem frei schwebenden Ende umfasst. Ein innerer Finger und ein äußeres Paar von Fingern sind an dem frei schwebenden Ende des Kabels befestigt. Jeder der Finger ist aus einem elastischen leitfähigen Material hergestellt, um eine koplanare Übertragungsleitung zu bilden. Freitragende Teile der Finger erstrecken sich über das Ende des Kabels hinaus, um trotz zahlreicher Kontaktzyklen einen Luft-Dielektrikum-Übertragungsweg gleichmäßiger und stabiler Eigenschaften zu bilden. Die Finger stellen eine geeignete Einrichtung bereit, um nicht ebene Waferkontaktanschlussflächen abzutasten und zugleich eine gute Sichtbarkeit in dem Bereich der Kontaktanschlussflächen zu unterstützen. Die charakteristische Impedanz typischer Mikrowellenprüfköpfe und -kabel beträgt etwa 50 Ohm, was der Impedanz der typischen zu testenden Mikrowellen-Vorrichtung (DUT; engl.: device-under-test) gut entspricht, so dass sich Breitbandsignale durch den Prüfkopf mit minimalem Verlust ausbreiten können. - Wenn bestimmte Vorrichtungen, wie zum Beispiel Laserdioden, überprüft werden, ist die Verwendung eines typischen Mikrowellenprüfkopfes jedoch problematisch. Ein Überprüfen von Laserdioden erfordert ein gleichzeitiges Anlegen eines Modulationssignals und eines elektrischen Gleichstroms an eine Kontaktanschlussfläche der Vorrichtung, um eine modulierte Lichtausgabe zu erzeugen. Zum Überprüfen ist das Modulationssignal typischerweise eine frequenzmodulierte Sinuskurve (AC) oder eine gepulste Wellenform mit großer Bandbreite. Die Gleichstrom- und Modulationssignale werden überlagert und die kombinierten Signale werden zu einer Kontaktspitze eines Prüfkopfes in selektiver Wirkverbindung mit der Kontaktanschlussfläche der DUT geleitet. Typischerweise ist die von dem Modulationssignal wahrgenommne Impedanz, beispielsweise der dynamische Widerstand einer aktiven Laserdiode, in der Größenordnung von fünf Ohm. Folglich gibt es eine beträchtliche Impedanzfehlanpassung mit dem typischen Mikrowellenprüfkopf und -kabel und die fehlangepasste Impedanz verzerrt das von dem Überprüfungsinstrumentarium gemessene Modulationssignal. Während einige Instrumentarien, wie zum Beispiel ein Vektor-Netzwerk-Analysator (VNA; engl.: Vector Network Analyzer) zur Korrektur der Verzerrung kalibriert werden können, kann die Verzerrung mit anderem Instrumentarium durchgeführte Messungen wesentlich beeinflussen. Ferner kann die Verzerrung eine Größe aufweisen, die ausreicht, um das Modulationssignal bei einigen Frequenzen zu dämpfen, was einen Verlust an dynamischem Bereich und Genauigkeit für die Messung, auch wenn sie mit einem VNA durchgeführt wird, verursacht.
- Um die Impedanzanpassung zu verbessern und eine Verzerrung des Modulationssignals zu reduzieren, kann ein Impedanzanpassungswiderstand in Reihe mit der Kontaktspitze eines Mikrowellenprüfkopfes eingebaut werden. Zum Überprüfen von Laserdioden hat ein typischer Reihenimpedanzanpassungswiderstand einen Wert von 45 Ohm, der in Reihe mit dem dynamischen fünf Ohm Widerstand einer typischen Laserdiode für eine zufriedenstellende Impedanzanpassung mit den Prüfköpfen und Kabeln (≈ 50 Ohm) sorgt, um eine Verzerrung der Testsignale deutlich zu reduzieren. Es können Widerstände mit anderen Werten in den Prüfkopf integriert werden, um die Impedanz anzupassen, wenn andere Typen von Vorrichtungen getestet werden. Da das Modulationssignal und der Gleichstrom auf dem gleichen Leiter überlagert sind, müssen jedoch beide Signale durch den Reihenimpedanzanpassungswiderstand hindurch gehen, der Leistung dissipiert, die dem Produkt des Widerstands und dem Quadrat des Stroms entspricht. Für DUTs, die höhere Strompegel erfordern, ist die Leistung, die von dem Widerstand dissipiert werden muss, beträchtlich. Andererseits muss der Widerstand klein bemessen sein, um Hochfrequenzsignale durchzulassen, und der Abstand zwischen dem Widerstand und der Kontaktspitze muss klein sein, um parasitäre Reiheninduktivitäten und Parallelkapazitäten zu minimieren. Die Leistung eines Prüfkopfes mit einem Reihenimpedanzanpassungswiderstand wird durch die konkurrierenden Notwendigkeiten eines ausreichenden Widerstands, um die Impedanz des Prüfkopfes und der Kabel anzupassen, und eines minimierten Widerstands, um den Spannungsabfall und die durch den Widerstand dissipierte Leistung zu minimieren, beeinträchtigt.
- Was daher erwünscht ist, ist ein Prüfsystem und -verfahren, die einen minimalen Widerstand zur Minimierung des Spannungsabfalls und der Leistungsdissipation kombiniert mit einem ausreichenden Widerstand aufweisen, um die Impedanz des Prüfkopfes und der Kabel anzupassen, um eine Modulationssignalverzerrung zu minimieren, wenn ein Gleichstrom und ein moduliertes Signal gleichzeitig an eine DUT angelegt werden. Diese Problemstellung wird durch die im Haupt- und in den Nebenansprüchen angegeben Gegenstände gelöscht. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine schematische Veranschaulichung einer ersten Ausführungsform eines Kombinationssignalprüfsystems. -
2 ist eine schematische Veranschaulichung einer zweiten Ausführungsform eines Kombinationssignalprüfsystems. -
3 ist eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform eines Kombinationssignalprüfkopfes. -
4 ist eine Schnittansicht des Kombinationssignalprüfkopfes aus3 längs der Linie A-A unmittelbar nachdem ein Kontakt zwischen der Prüfkopfspitze und einer Kontaktanschlussfläche einer zu testenden Vorrichtung hergestellt worden ist. -
5 ist eine4 entsprechende Teilansicht, die zeigt, wie sich die Prüfkopfspitze relativ zu dem Körper des Prüfkopfes in Antwort auf eine nach unten gerichtete Verlagerung des Körpers relativ zu der DUT bewegt. -
6 ist eine Schnittansicht des Kombinationssignalprüfkopfes aus3 längs der Linie B-B. -
7 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht der Prüfkopfspitze des Kombinationssignalprüfkopfes aus3 . -
8 ist eine Ansicht der Prüfkopfspitze aus7 von unten. -
9 ist eine schematische Veranschaulichung einer dritten Ausführungsform eines Kombinationssignalprüfsystems. -
10 ist eine perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform eines Prüfkopfes für kombinierte Signale, der getrennte Gleichstrom- und Modulationssignalkontaktspitzen aufweist. -
11 ist eine Unteransicht der Prüfkopfspitze des Prüfkopfes aus10 mit getrennten Kontaktspitzen. - BESCHREIBUNG von Ausführungsbeispielen
- Eine Überprüfung bestimmter Vorrichtungen auf einem Wafer erfordert das gleichzeitige Anlegen eines Gleichstroms und eines modulierten Signals an leitende Kontaktanschlussflächen auf dem Wafer, die der zu testenden Vorrichtung (DUT) entsprechen. Um beispielsweise eine Laserdiode auf einem Wafer zu überprüfen, werden ein Gleichstrom und Modulationssignal gleichzeitig an eine Kontaktanschlussfläche für die Diode angelegt. Der Gleichstrom stellt die Leistung zum Erzeugen von Licht bereit und das Modulationssignal variiert die Laserlichtabgabeintensität, um eine modulierte Lichtausgabe zu erzeugen. Zum Überprüfen ist das modulierte Signal typischerweise eine frequenzmodulierte Sinuskurve (AC) oder eine gepulste Wellenform mit großer Bandbreite. Wenn eine Laserdiode überprüft wird, ist der dynamische Widerstand der arbeitenden Diode, der typischerweise in der Größenordnung von fünf Ohm liegt, die von dem Modulationssignal wahrgenommene Impedanz. Andererseits weisen der typische Mikrowellenprüfkopf und -kabel eine Impedanz von näherungsweise 50 Ohm auf. Als Folge der beträchtlichen Impedanzfehlanpassung wird das Modulationssignal verzerrt. Einige Testinstrumentarien, wie zum Beispiel ein Vektor-Netzwerk-Analysator (VNA; engl.: Vector Network Analyzer), können einige Signalverzerrung kompensieren, aber mit anderem Instrumentarium ist eine Verzerrungskompensation nicht möglich. Ferner kann die Verzerrung eine Dämpfung des Signals bei bestimmen Frequenzen bewirken, was den dynamischen Bereich und die Genauigkeit von Messungen, auch wenn sie mit einem VNA durchgeführt werden, ungünstig beeinflusst.
- Um die Impedanzanpassung zu verbessern und eine Verzerrung des Modulationssignals zu reduzieren, kann ein Widerstand in die Spitze des Prüfkopfes integriert werden. Beispielsweise sorgt ein Impedanzanpassungswiderstand mit einem Wert von 45 Ohm in Reihe mit dem dynamischen fünf Ohm Widerstand einer typischen arbeitenden Laserdiode für eine zufriedenstellende Impedanzanpassung mit typischen Mikrowellenprüfköpfen und -kabeln und reduziert eine Signalverzerrung deutlich. Da das Modulationssignal und der Gleichstrom auf dem gleichen Leiter überlagert sind, müssen jedoch beide Signale durch den Reihenimpedanzanpassungswiderstand hindurchgehen, was zu einem Spannungsabfall und einer Dissipation von Leistung führt, die im Wesentlichen dem Produkt des Widerstands und dem Quadrat des Gleichstroms entspricht. Bei Vorrichtungen, die hohe Strompegel erfordern, ist die Leistung, die von dem Widerstand dissipiert wird, bedeutsam. Um parasitäre Reiheninduktivitäten und Parallelkapazitäten des Prüfkopfes zu minimieren, muss die Größe des Widerstands jedoch minimiert werden, was dessen Vermögen, Leistung zu dissipieren, einschränkt. Hinsichtlich der Prüfkopfleistung muss ein Kompromiss eingegangen werden, um die konkurrierenden Anforderungen, die an den Impedanzanpassungswiderstand gestellt werden, zu erfüllen. Ein Verringern des Widerstands reduziert die Menge an Leistung, die von dem Widerstand dissipiert wird, erhöht aber die Impedanzfehlanpassung und die Signalverzerrung. Andererseits erhöht ein Vergrößern der Größe des Widerstands dessen Fähigkeit, Leistung zu dissipieren, erhöht aber auch seine Induktivität und Kapazität und folglich die Verzerrung des modulierten Signals. Der vorliegende Erfinder folgerte, dass die Leistung eines Prüfkopfes, der ein kombiniertes Gleichstrom-Modulations-Signal an eine DUT anlegt, verbessert werden könnte, wenn die Signalwege getrennt werden könnten, so dass das modulierte Signal über einen Signalweg mit einer angepassten Impedanz übertragen wird, während der Gleichstromfluss über einen Signalweg mit minimalem Widerstand übertragen wird, um Verlust und Leistungsabfuhr zu minimieren.
- Im Einzelnen bezugnehmend auf die Zeichnungen, in denen gleiche Teile der Erfindung durch gleiche Bezugszeichen angegeben sind, und insbesondere auf
1 , weist ein System20 zum Abtasten von Wafern zur Überprüfung einer DUT22 (beispielsweise eine Laserdiode), die ein gleichzeitiges Anlegen eines Gleichstroms und eines modulierten Signals erfordert, eine Gleichstromleistungsversorgung24 und ein Hochgeschwindigkeitstestinstrument26 auf, wie zum Beispiel ein VNA oder ein Bitratenfehlertestgerät, das ein Modulationssignal zuführt. Die Gleichstromleistungsversorgung24 ist mit dem Gleichstromanschluss28 eines Vorspannungs-T-Stücks30 (eng.: biss tee) verbunden. Ein Vorspannung-T-Stück30 ist eine Vorrichtung, die verwendet wird, um einen Gleichstrom und ein Modulationssignal zu überlagern oder um eine Gleichstromkomponente aus einem kombinierten Signal zu extrahieren, ohne die Hochfrequenzkomponente des Signals zu beeinflussen. Der kombinierte DC/RF-(Gleichstrom/Hochfrequenz)-Anschluss des Vorspannungs-T-Stücks30 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss42 des Kombinationssignalprüfkopfes40 verbunden. Der Modulationssignal- oder Hochfrequenz-(RF; engl.: radio frequency)-Anschluss34 des Vorspannungs-T-Stücks30 ist mit einem Abschlusswiderstand36 verbunden, um einen impedanzangepassten Abschluss für das Modulationssignal bereitzustellen, das auf den Leiter aufgebracht ist, der das Vorspannungs-T-Stück und den Kombinationssignalprüfkopf verbindet. Der zweite Eingangsanschluss42 des Kombinationssignalprüfkopfes40 ist leitend mit einer Signalkontaktspitze44 verbunden, die dazu angeordnet ist, selektiv an einer Signalkontaktanschlussfläche46 der DUT22 (eine Laserdiode) anzugreifen. - Andererseits wird das Modulationssignal, das durch das Instrumentarium
26 des Prüfsystems20 erzeugt wird, zu einem Gleichstromblock50 übertragen. Der Gleichstromblock50 umfasst im Allgemeinen Reihenkapazitäten, die den Fluss von Gleichstrom in das Instrumentarium26 über den Leiter blockieren, der das Instrumentarium26 mit dem Prüfkopf40 für kombinierte Signale verbindet. Das Modulationssignal wird von dem Gleichstromblock50 zu dem ersten Eingangsanschluss48 des Kombinationssignalprüfkopfes40 übertragen, der leitend mit einem ersten Anschluss53 eines Impedanzanpassungswiderstands52 verbunden ist. Der zweite Anschluss54 des Impedanzanpassungswiderstands52 ist mit der Signalkontaktspitze44 des Prüfkopfes leitend verbunden. Eine zweite Kontaktanschlussfläche56 der DUT22 ist über eine Massekontaktspitze45 des Kombinationssignalprüfkopfes40 bei58 geerdet. Die Signalkontaktspitze44 und die Massekontaktspitze45 sind dazu angeordnet, jeweils gleichzeitig selektiv an der Signalanschlussfläche46 und der Masseanschlussfläche56 der DUT22 anzugreifen. - Bei dem Prüfsystem
20 nimmt das Modulationssignal einen Abschluss wahr, der den Impedanzanpassungswiderstand52 in Reihe mit der parallelen Kombination des dynamischen Widerstands der DUT und der Impedanz umfasst, die ausgehend von dem zweiten Eingangsanschluss42 zurück zu dem Vorspannungs-T-Stück30 wahrgenommen wird. Wenn der Abschlusswiderstand34 einen Widerstand aufweist, der die Impedanz der Verbindung zwischen dem Vorspannungs-T-Stück30 und dem Kombinationssignalprüfkopf40 anpasst, entspricht die Impedanz an der DUT der Impedanz der Verbindung zwischen dem Vorspannungs-T-Stück und dem Kombinationssignalprüfkopf40 . Typischerweise umfasst die Verbindung zwischen dem Vorspannungs-T-Stück30 und dem Kombinationssignalprüfkopf40 ein Koaxialkabel mit einer Impedanz von näherungsweise 50 Ohm. Da die Impedanz der DUT typischerweise deutlich kleiner (typischerweise fünf Ohm für eine Laserdiode) als die Impedanz bei Betrachtung der Koaxialkabelverbindung in Richtung zu dem Vorspannungs-T-Stück30 ist, wird die parallele Kombination von Impedanzen durch die kleinere Impedanz dominiert und der Modulationssignalweg näherungsweise angepasst abgeschlossen, was eine Verzerrung des Modulationssignals minimiert. Andererseits geht der Signalweg des die DUT mit Leistung versorgenden Gleichstroms nicht durch den Impedanzanpassungswiderstand52 , so dass Verluste in dem Impedanzanpassungswiderstand minimiert werden. Das Prüfsystem20 ermöglicht es, ein Modulationssignal zu der DUT22 über einen ersten Signalweg zu übertragen, der einen Impedanzanpassungswiderstand52 aufweist, während ein Gleichstrom gleichzeitig zu der DUT über einen zweiten Signalweg übertragen wird, der den Impedanzanpassungswiderstand nicht durchläuft. - Bezugnehmend auf
2 ist bei einer zweiten Ausführungsform des Prüfsystems60 das Instrumentarium62 die Quelle eines versetzten Modulationssignals. Das kombinierte Gleichstrom- und Modulationssignal wird zu einem Kombinationssignalanschluss eines ersten Vorspannungs-T-Stücks64 übertragen. In dem ersten Vorspannungs-T-Stück64 werden die Gleichstrom- und Modulationssignalkomponenten getrennt. Das Modulationssignal wird zu dem ersten Eingangsanschluss48 des Kombinationssignalprüfkopfes68 übertragen, der mit dem ersten Anschluss eines Impedanzanpassungswiderstands70 leitend verbunden ist. Der zweite Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands70 des Prüfkopfes68 ist mit einer Modulationssignalkontaktspitze72 verbunden, die dazu angeordnet ist, selektiv an der Signalkontaktanschlussfläche46 der DUT22 anzugreifen. - Der Gleichstrom wird von dem ersten Vorspannungs-T-Stück
64 zu einem zweiten Vorspannungs-T-Stück66 übertragen. Der Kombinationssignal-(DC/RF)-Anschluss des zweiten Vorspannungs-T-Stücks66 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss des Prüfkopfes42 verbunden, der mit einem Gleichspannungssignalprüfkopf76 leitend verbunden ist, der dazu angeordnet ist, an der Signalkontaktanschlussfläche46 der DUT22 anzugreifen, wenn der Modulationssignalprüfkopf72 in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche steht. Ein impedanzangepasster Abschluss für das Modulationssignal, das auf den Leiter, der das zweite Vorspannungs-T-Stück66 mit dem Gleichstromsignalprüfkopf76 verbindet, aufgebracht ist, ist durch einen Abschlusswiderstand74 bereitgestellt, der mit dem Hochfrequenzanschluss des zweiten Vorspannungs-T-Stücks66 verbunden ist. Wie bei der ersten Ausführungsform wird das Modulationssignal an die Signalkontaktanschlussfläche46 der DUT22 über einen verzerrungsminimierenden impedanzangepassten Signalweg angelegt, während der Gleichstrom gleichzeitig an die Signalkontaktanschlussfläche über einen Signalweg angelegt wird, der den Impedanzanpassungswiderstand nicht umfasst und daher die Leistungsdissipation minimiert. - Bezugnehmend auf
9 wird bei einer weiteren Ausführungsform des Prüfsystems80 der Gleichstrom durch eine Leistungsversorgung24 erzeugt und über einen Signalweg, der eine durch die Drosselspule82 angegebene Induktivität aufweist, zu der Gleichstromsignalkontaktspitze76 des Kombinationssignalprüfkopfes68 übertragen. Das von dem Instrumentarium26 erzeugte Modulationssignal wird durch den Gleichstromblock50 zu dem ersten Eingangsanschluss48 des Kombinationssignalprüfkopfes68 übertragen, der mit dem ersten Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands70 leitend verbunden ist. Der zweite Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands70 ist mit der Modulationssignalkontaktspitze72 leitend verbunden, die dazu angeordnet ist, an der Signalkontaktanschlussfläche46 der DUT22 anzugreifen, wenn die Gleichstromsignalkontaktspitze76 in Kontakt mit der Kontaktanschlussfläche steht. Der Fluss des Gleichstroms in Richtung zu dem Instrumentarium26 wird durch die Kapazität des Gleichstromblocks50 blockiert. Bei der Frequenz des Modulationssignals ist die durch die Induktivität82 bereitgestellte Impedanz deutlich größer als die Impedanz der DUT, was den Durchgang des Modulationssignals in Richtung zu der Leistungsversorgung im Wesentlichen blockiert, während dem Gleichstrom ermöglicht wird, im Wesentlichen ungehindert zu dem Kombinationssig nalprüfkopf68 über einen Signalweg zu fließen, der den Impedanzanpassungswiderstand70 umgeht. Eine Verzerrung des Modulationssignals wird durch die Impedanzanpassung in dem Modulationssignalweg minimiert, während ein Leistungsverlust vermieden wird, indem der Fluss von Strom durch den Impedanzanpassungswiderstand70 vermieden wird. - Bezugnehmend auf
3 ,4 ,5 und6 ist eine beispielhafte erste Ausführungsform eines Kombinationssignalwaferprüfkopfes100 , der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, dazu ausgelegt, auf einem Prüfkopfhaltebauteil102 einer Waferprüfkopfstation befestigt zu werden, um für eine Untersuchung einer DUT, wie zum Beispiel einer einzelnen Laserdiodenkomponente auf einem Wafer104 , in geeigneter Position zu sein. Bei diesem Anwendungstyp ist die DUT typischerweise unter Unterdruck auf der oberen Fläche eines Spannfutters106 abgestützt, das Teil der Prüfstation ist. Normalerweise ist ein X-Y-Z-Positioniermechanismus vorgesehen, wie zum Beispiel eine Mikrometerknopfanordnung, um eine Bewegung zwischen dem Haltebauteil und dem Spannfutter zu bewirken, so dass die Spitzenanordnung110 des Prüfkopfes in Druckverbindung mit Kontaktanschlussflächen108 auf der DUT gebracht werden kann, die der speziellen Komponente, die eine Messung erfordert, entspricht. - Hinsichtlich seines Gesamtaufbaus weist der Waferprüfkopf
100 einen primären Halteblock112 auf, der bei der veranschaulichten Ausführungsform aus Messing hergestellt ist und der zur Verbindung mit dem Prüfkopfhaltebauteil102 in geeigneter Weise aufgebaut ist. Um diese Verbindung zu bewirken, ist eine auf dem Block ausgebildete runde Öffnung114 verschiebbar satt anliegend auf einem Ausrichtungsstift (nicht gezeigt) angebracht, der von dem Prüfkopfhaltebauteil nach oben ragt, und ein Paar Befestigungsschrauben116 sind in ein entsprechendes Paar versenkter Öffnungen118 eingesetzt, die auf dem Block zur Schraubverbindung mit dem Prüfkopfhaltebauteil vorgesehen sind, jeweils mit einer entsprechenden mit einem Gewinde versehenen, auf diesem Bauteil ausgebildeten Öffnung. - Wie in
1 veranschaulicht, weist die erste Ausführungsform des beispielhaften Kombinationssignalwaferprüfkopfes100 einen ersten Eingangsanschluss120 und einen zweiten Eingangsanschluss122 auf, die bei der abgebildeten bevorzugten Ausführungsform elektrodenartige K-Verbindungsstücke umfassen. Dieses Verbindungsstück ermöglicht die externe Verbindung eines gewöhnlichen Koaxialkabels mit den Eingangsanschlüssen120 ,122 des Waferprüfkopfes. Die Verbindung eines Koaxialkabels mit dem ersten Eingangsanschluss120 erlaubt es, einen gut abgeschirmten Hochfrequenzübertragungskanal zwischen dem Prüfkopf und einem angebrachten Messinstrument26 aufzubauen. Auf vergleichbare Weise wird ein abgeschirmter Hochfrequenzübertragungskanal zwischen dem Vorspannungs-T-Stück66 und dem Kombinationssignalwaferprüfkopf100 aufgebaut, indem ein Koaxialkabel zwischen dem zweiten Eingangsanschluss122 des Prüfkopfes und dem kombinierten (DC/RF-) Anschluss des Vorspannungs-T-Stücks angeschlossen wird. Falls erwünscht, können andere Typen von Verbindungsstücken verwendet werden, wie zum Beispiel ein 2,4 mm Verbindungsstück, ein 1,85 mm Verbindungsstück oder ein 1 mm Verbindungsstück. Der Kombinationssignalwaferprüfkopf100 stellt Übertragungswege mit geringen Verlusten bereit, die eine gesteuerte Impedanzeigenschaft von den Eingangsanschlüssen120 ,122 hinunter bis zu der Kontaktspitzenanordnung110 aufweisen. Die Spitzenanordnung110 des Waferprüfkopfes ist von besonders robuster Bauform und in der Lage, mehr als 500000 getrennte Kontaktzyklen ohne Wartung oder Reparatur zu überstehen. Gleichzeitig ist die Spitzenanordnung in der Lage, sich einfach an nicht ebene Kontaktanschlussflächen einer DUT auf einem Wafer104 anzupassen. - Bei der in
4 gezeigten, bevorzugten Ausführungsform ist ein halbstarres koaxiales Kabel124 an seinem hinteren Ende mit dem K-Verbindungsstück des ersten Eingangsanschlusses120 elektrisch verbunden. Ebenfalls bezugnehmend auf7 weist dieses Koaxialkabel124 einen Innenleiter126 , ein inneres Dielektrikum128 und einen Außenleiter130 auf und ist vorzugsweise vom phasenstabilen Typ mit geringen Verlusten. Auf vergleichbare Weise, wie in6 veranschaulicht, ist ein halbstarres Koaxialkabel150 an seinem hinteren Ende mit dem K-Verbindungsstück an dem zweiten Eingangsanschluss122 verbunden. - Um die hinteren Enden der Kabel
124 ,150 zur Verbindung mit dem geeigneten K-Verbindungsstück vorzubereiten, wird das hintere Ende abisoliert, um den Innenleiter freizulegen, und dieser Innenleiter wird temporär in einem unechten Verbindungsstück gehalten, während der benachbarte Außenleiter in einer Bohrung140 ,152 , die in dem primären Halteblock112 ausgebildet ist, verlötet wird. Eine Ausnehmung142 , die in dem Block unter dieser Bohrung ausgebildet ist, sorgt für einen Zugang, um den Lötprozess zu erleichtern. Das unechte Verbindungsstück wird dann entfernt und die K-Verbindungsstücke werden durch Schrauben in die mit Gewinde versehenen Öffnungen144 , die an dem Block oberhalb der Bohrung ausgebildet sind, eingebaut, um so eine elektrische Verbindung zwischen den Verbindungsstücken und den Koaxialkabeln124 ,150 zu bewirken. Eine Gewindesicherungsmischung kann auf die Gewinde der K-Verbindungsstücke vor deren Einbau aufgebracht werden, um eine feste physikalische Verbindung zu gewährleisten. - Bezugnehmend auf
4 und5 gemeinsam bleibt das vordere Ende146 des Kabels124 frei aufgehängt und dient in diesem Zustand als bewegliche Halterung für das Messende110 des Prüfkopfes. Das Kabel124 wird, bevor es mit dem K-Verbindungsstück des ersten Eingangsanschlusses120 verbunden wird, entlang erster und zweiter dazwischenliegender Bereiche auf die in4 gezeigte Weise gebogen, so dass eine sich nach oben krümmende 90° Biegung bzw. eine sich nach unten krümmende 23° Biegung in dem Kabel gebildet werden. Eine Röhre154 aus halbflexiblem mikrowellenabsorbierendem Material ist über das vorstehende Ende des Koaxialkabels124 verschiebbar eingesetzt. Ein zum Herstellen der Röhre verwendetes Material umfasst Eisen und Urethan. Die Unterseite des starren Halteblocks112 ist mit einer weichen und flexiblen Lage156 , die aus mikrowellenabsorbierendem Material hergestellt ist, bedeckt, um so eine Pufferschicht entlang der Unterseite dieses Blocks bereitzustellen. Ein Beispiel eines Materials von einem für diesen Zweck geeigneten Typs ist ein gefüllter Siliziumgummi, der Eisen enthält. Die mikrowellenabsorbierenden Komponenten an dem beispielhaften Prüfkopf, d. h. der steife Halteblock112 , die flexible Lage156 und die halbflexible Röhre154 , dienen zusammen dazu, die Pegel von Mikrowellenenergie deutlich zu reduzieren, die sich längs des Außenleiters130 des halbstarren Kabels124 und anderen äußeren Prüfkopfstrukturen ausbreitet. - Wie in
4 veranschaulicht, ist der Kombinationssignalprüfkopf100 so positioniert, dass die Prüfkopfspitze110 in Kontakt mit der Kontaktanschlussfläche108 der DUT gebracht ist. Nachdem die Prüfkopfspitze110 in eine druckausübende Wirkverbindung mit ihrer entsprechenden Kontaktanschlussfläche gebracht worden ist, wird dann der vertikale Abstand zwischen dem Prüfkopf100 und der zu testenden Vorrichtung noch weiter reduziert, wie in5 abgebildet, womit bewirkt wird, dass sich das Koaxialkabel124 biegt, und womit bewirkt wird, dass die Kontaktspitze wie angegeben über die Oberfläche der entsprechenden Kontaktanschlussfläche108 schleift. - Vor seiner Verbindung mit dem K-Anschlussstück des Eingangsanschlusses
120 wird eine halbzylindrische Ausnehmung202 in jedem der Kabel124 ,150 benachbart zu ihren vorderen Enden ausgebildet, wie in7 gezeigt. Diese Ausnehmung wird hergestellt, indem ein längsverlaufender Schnitt durch das Kabel gemacht und indem ein querverlaufender Schnitt an dem Ende des Längsschnitts gemacht wird. Gemäß dieser Vorgehensweise werden ein halbzylindrischer Teil des Außenleiters130 , des inneren Dielektrikums128 und des Innenleiters126 entfernt, so dass die übrigen Teile dieser Elemente gemeinsam ein flaches Fach204 , das sich hin zu dem vorderen Ende des Kabels erstreckt, sowie eine hintere Stirnfläche206 bilden, die sich bezüglich der Länge des Kabels quer erstreckt. - Bezugnehmend auf
7 und8 , wird an dem Messende des beispielhaften Prüfkopfes ein innerer leitender Finger250 mit dem Innenleiter126 des Kabels124 verbunden und ein Paar äußerer leitender Finger252a ,252b werden mit dem benachbarten Außenleiter130 leitend verbunden, um eine Signal-Masse-Leiter-Konfiguration zu bilden. Obwohl die beispielhafte Prüfkopfspitze ein Paar äußerer leitender Finger aufweist, kann die Prüfkopfspitze mit einem einzelnen äußeren Finger aufgebaut sein. Ebenfalls bezugnehmend auf8 , die eine Ansicht des Messendes146 von unten zeigt, weist jeder entsprechende Finger einen freitragenden Teil254 auf, der sich über das vordere Ende256 des Kabels124 hinaus erstreckt. Die freitragenden Teile254 sind in einem quer zueinander beabstandeten Verhältnis zueinander angeordnet, um gemeinsam eine Übertragungsleitung mit gesteuerter Impedanz zu bilden, damit ein Übergang niedrigen Verlusts zwischen den entsprechenden Leitern130 und126 des Kabels124 und den entsprechenden Anschlussflächen der zu testenden Vorrichtung hergestellt werden kann. - In gewissem Grad ist der Abstand zwischen den entsprechenden Fingern
252a ,252b und250 durch die Geometrie der Vorrichtungskontaktanschlussflächen und des Kabels bestimmt. Beispielsweise ist bezüglich der distalen Enden der entsprechenden Finger die Teilung oder der Mittellinie-Mittellinie-Abstand270 zwischen benachbarten Paaren der Finger derart gewählt, dass er der Teilung270 der Kontaktanschlussflächen auf der zu testenden Vorrichtung entspricht. Die distalen Enden der Paare von Fingern können getrennt bei einer Teilung von 6 mils festgelegt sein, um der 6 mil Teilung von 2 mil2 Kontaktanschlussflächen auf einer zu testenden Vorrichtung zu entsprechen. (Es ist auch üblich, die Anschlussflächen-Anschlussflächen-Teilung auf andere Werte, wie zum Beispiel 4, 5, 8 oder 10 mils, festzulegen.) Andererseits ist die Teilung in der Nähe der hinteren Stirnfläche204 des Kabels124 zwischen benachbarten Fingern so gewählt, dass sie der Teilung zwischen der freigelegten Stirnfläche des Innenleiters126 und der benachbarten freigelegten Stirnfläche des Außenleiters130 des Kabels124 entspricht. - Abgesehen von den soeben genannten Abmessungen ist das Hauptkriterium, das beim Wählen der entsprechenden Abmessungen und relativen Abstände der Finger
250 ,252a ,252b verwendet wird, der gewünschte Aufbau einer Übertragungsleitung niedrigen Verlusts zwischen den entsprechenden Leitern126 und130 des Kabels und den entsprechenden Anschlussflächen auf der DUT. - Das distale Ende
272 des mittleren Fingers250 umfasst eine Signalkontaktspitze44 und die distalen Enden der äußeren Finger252a ,252b sind über den Außenleiter130 des Koaxialkabels124 mit Masse verbunden. Die drei Finger sind in der Nähe des Endes des Kabels124 mittels eines nicht leitenden Klebstoffs276 , wie zum Beispiel ein Epoxidklebstoff, mit dem Kabel verbunden. An dem von den Kontaktspitzen entfernten Ende der Finger ist der mittlere Finger250 an dem mittleren Leiter126 befestigt und die äußeren Kontaktspitzen252a ,252b sind an dem Außenleiter130 des Koaxialkabels befestigt. Bezugnehmend auf8 ist eine Öffnung280 in den Körper des mittleren Fingers252 an einer Position zwischen der gelöteten Verbindung278 und der nicht leitenden Befestigung276 des mittleren Fingers an dem Kabel gebohrt, um einen Impedanzanpassungswiderstand52 in Reihe zwischen dem mittleren Leiter126 des Koaxialkabels124 und der Signalkontaktspitze44 zu integrieren. Die Öffnung280 ist von solcher Größe und Tiefe, um den mittleren Finger250 und den mittleren Leiter126 des Kabels124 zu trennen. Ein auf einem keramischen Substrat abgeschiedener Widerstand282 ist in die Öffnung eingesetzt und in der Öffnung280 befestigt. Ein leitfähiger Klebstoff284 verbindet den vorderen Teil des mittleren Fingers250 mit dem hinteren Teil, der mit dem mittleren Leiter126 verlötet ist. - Wie in
6 veranschaulicht, folgt das Koaxialkabel150 , das mit dem zweiten Eingangsanschluss122 des Kombinationssignalprüfkopfes100 verbunden ist, einem Weg durch den Kombinationssignalprüfkopf im Wesentlichen parallel zu dem des Koaxialkabels124 , das mit dem ersten Eingangsanschluss120 verbunden ist. Das Koaxialkabel150 von dem zweiten Eingangsanschluss122 endet benachbart zu dem Prüfkopfende des Koaxialkabels124 . Ein Verbindungsleiter300 ist an dem mittleren Leiter302 des Koaxialkabels150 und an dem mittleren Finger25G befestigt, der aus dem Koaxialkabel124 hervorragt. Folglich wird über den zweiten Eingangsanschluss124 des Kombinationssignalprüfkopfes100 übertragener Gleichstrom von der Leistungsversorgung24 unmittelbar zu der Signalkontaktspitze44 an dem Ende272 des mittleren Fingers250 über einen Signalweg geleitet, der nicht durch den Impedanzanpassungswiderstand52 hindurch geht. - Bezugnehmend auf
10 umfasst eine zweite Ausführungsform des Kombinationssignalprüfkopfes500 allgemein den primären Halteblock112 zum Befestigen des Prüfkopfes und der K-Verbindungsstücke der Eingangsanschlüsse120 ,122 und die unterstützenden Koaxialkabel502 ,504 , die die Eingangsanschlüsse und die Spitzenanordnung506 des Prüfkopfes verbinden. Die Spitzenanordnung506 umfasst einzelne Kontaktspitzenanordnungen für jeden der Signalwege für Gleichstrom508 und das Modulationssignal510 . Bezugnehmend auf11 umfasst die Kontaktspitzen anordnung für das Modulationssignal510 eine Modulationssignalspitze512 und wenigstens eine Massekontaktspitze514 , die dazu angeordnet sind, gleichzeitig an den Signal- bzw. Massekontaktanschlussflächen der DUT anzugreifen. Der Impedanzanpassungswiderstand516 verbindet die Modulationssignalkontaktspitze512 mit dem Modulationssignalweg an dem mittleren Leiter des Koaxialkabels504 . Die Gleichstromspitzenanordnung508 umfasst eine mit dem mittleren Leiter520 des Koaxialkabels502 verbundene Kontaktspitze, die einen Signalweg für den Gleichstrom bereitstellt. Die Gleichstromkontaktspitze508 ist dazu angeordnet, die Signalkontaktanschlussfläche der DUT zu kontaktieren, wenn die Modulationssignalkontaktspitze510 und die Massesignalkontaktspitzen514 in Wirkverbindung mit den Signal- und Massekontaktanschlussflächen der DUT gebracht worden sind. Die Gleichstromkontaktspitze508 kann eine nadelähnliche Struktur aufweisen, um ein induktives Element82 bereitzustellen, das den Gleichstrom mit minimalem Widerstand hindurch lässt, aber für Signale mit der Frequenz des Modulationssignals einen hohen Widerstand darstellt. - Der Kombinationssignalprüfkopf, das Prüfsystem und das Prüfverfahren ermöglichen es, einen Gleichstrom und ein Modulationssignal parallel zur Kombination an der Prüfkopfsignalkontaktspitze so zu übertragen, dass eine Impedanzanpassung auf den Modulationssignalweg angewendet werden kann, um eine Signalverzerrung zu reduzieren, während der Widerstand in dem Weg des Gleichstromsignals minimiert wird, um einen Spannungsabfall und Leistungsabfuhr zu minimieren.
Claims (17)
- Prüfkopfanordnung (
40 ), mit: (a) einer leitenden Signalkontaktspitze (44 ), wobei die Signalkontaktspitze (44 ) zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) einer zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist; (b) einem ersten Signaleingangsanschluss (48 ), der dazu eingerichtet ist, ein Modulationssignal zu empfangen; (c) einem Widerstand (52 ) mit einem ersten Anschluss (53 ), der mit dem ersten Signaleingangsanschluss (48 ) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss (54 ), der mit der Signalkontaktspitze (44 ) verbunden ist; und (d) einem zweiten Signaleingangsanschluss (42 ), der mit der Signalkontaktspitze (44 ) leitend verbunden ist, wobei der zweite Signaleingangsanschluss (42 ) dazu eingerichtet ist, einen Gleichstrom zu empfangen. - Prüfkopfanordnung (
40 ) nach Anspruch 1, ferner mit einer leitenden Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (44 ) selektiv mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) in Wirkverbindung steht. - Prüfkopfanordnung (
68 ), mit: (a) einer leitenden ersten Signalkontaktspitze (72 ), wobei die erste Signalkontaktspitze (72 ) zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) einer zu testenden Vorrichtung angeordnet ist; (b) einem ersten Signaleingangsanschluss (48 ), der dazu eingerichtet ist, ein Modulationssignal zu empfangen; (c) einem Widerstand (70 ) mit einem ersten Anschluss, der mit dem ersten Signaleingangsanschluss (48 ) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, der mit der ersten Signalkontaktspitze (72 ) verbunden ist; (d) einer leitenden zweiten Signalkontaktspitze (76 ), wobei die zweite Signalkontaktspitze (76 ) zur Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die erste Signalkontaktspitze (72 ) mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) in Wirkverbindung steht; und (e) einem zweiten Signaleingangsanschluss (42 ), der mit der zweiten Signalkontaktspitze (76 ) leitend verbunden ist, wobei der zweite Signaleingansanschluss (42 ) dazu eingerichtet ist, einen Gleichstrom zu empfangen. - Prüfkopfanordnung (
68 ) nach Anspruch 3, ferner mit einer leitenden Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (72 ) selektiv mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) in Wirkverbindung steht. - Prüfvorrichtung (
60 ), wobei die Prüfvorrichtung (60 ) umfasst: (a) eine Signalquelle, wobei das Signal eine Modulationssignalkomponente und eine Gleichstromkomponente aufweist; (b) ein erstes Vorspannungs-T-Stück (64 ), das mit der Signalquelle verbunden ist, wobei das erste Vorspannungs-T-Stück (64 ) einen Gleichstromanschluss, der die Gleichstromkomponente des Signals überträgt, und einen Modulationssignalanschluss aufweist, der die Modulationssignalkomponente des Signals überträgt; (c) einen Impedanzanpassungswiderstand (70 ), wobei der Impedanzanpassungswiderstand (70 ) einen ersten Anschluss, der mit dem Modulationssignalanschluss des ersten Vorspannungs-T-Stücks (64 ) leitend verbunden ist, um die Modulationssignalkomponente zu empfangen, und einen zweiten Anschluss aufweist; (d) eine Signalkontaktspitze (72 ,76 ), die zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wobei die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) mit dem zweiten Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands (70 ) leitend verbunden ist; (e) ein zweites Vorspannungs-T-Stück (66 ), das einen Gleichstromanschluss, der mit dem Gleichstromanschluss des ersten Vorspannungs-T-Stücks (64 ) leitend verbunden ist, um die Gleichstromkomponente des Signals zu empfangen, einen Modulationsund Kombinationssignalanschluss aufweist, der mit der Signalkontaktspitze (72 ,76 ) leitend verbunden ist; und (f) einen Abschlusswiderstand (74 ), der mit dem Modulationssignalanschluss des zweiten Vorspannungs-T-Stücks (66 ) leitend verbunden ist und einen Signalweg für die Modulationssignalkomponente abschließt. - Prüfvorrichtung (
60 ) nach Anspruch 5, ferner mit: (a) einer Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht; (b) einer Masse (58 ); und (c) einer leitenden Verbindung zwischen der Massekontaktspitze (45 ) und der Masse (58 ). - Prüfvorrichtung (
60 ) nach Anspruch 5, bei der die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) umfasst: (a) eine erste Spitze (72 ), die mit dem zweiten Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands (70 ) leitend verbunden und zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist; und (b) eine zweite Kontaktspitze (76 ), die mit dem Kombinationssignalanschluss (46 ) des zweiten Vorspannungs-T-Stücks (66 ) leitend verbunden und dazu angeordnet ist, an der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) anzugreifen, wenn die erste Spitze (72 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht. - Prüfvorrichtung (
60 ) nach Anspruch 7, ferner mit: (a) einer Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht; (b) einer Masse (58 ); und (c) einer leitenden Verbindung zwischen der Massekontaktspitze (45 ) und der Masse (58 ). - Prüfvorrichtung (
20 ), wobei die Prüfvorrichtung (20 ) umfasst: (a) eine Gleichstromquelle (24 ); (b) eine Quelle (26 ) eines Modulationssignals; (c) ein Vorspannungs-T-Stück (30 ), wobei das Vorspannungs-T-Stück (30 ) einen Gleichstromanschluss (28 ), der mit der Gleichstromquelle (24 ) verbunden ist, einen Modulationssignalanschluss (34 ) und einen Kombinationssignalanschluss (32 ) zur Übertragung eines Signals aufweist, das eine Gleichstromkomponente und eine Modulationssignalkomponente umfasst; (d) einen Abschlusswiderstand (36 ), der mit dem Modulationssignalanschluss (34 ) des Vorspannungs-T-Stücks (30 ) leitend verbunden ist und einen Signalweg für ein an dem Kombinationssignalanschluss (32 ) empfangenes Modulationssignal abschließt: (e) eine Signalkontaktspitze (44 ), die zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wobei die Signalkontaktspitze (44 ) mit dem Kombinationssignalanschluss (32 ) des Vorspannungs-T-Stücks (30 ) leitend verbunden ist; (f) einen Impedanzanpassungswiderstand (52 ) mit einem zweiten Anschluss (54 ), der mit der Signalkontaktspitze (44 ) leitend verbunden ist, und einem ersten Signalanschluss (53 ); und (g) einen Gleichstromblock (50 ), der ein Modulationssignal von der Quelle des Modulationssignals mit dem ersten Anschluss (53 ) des Impedanzanpassungswiderstands (52 ) verbindet und einen Gleichstrom von dem ersten Anschluss (53 ) des Impedanzanpassungswiderstands (52 ) blockiert. - Prüfvorrichtung (
20 ) nach Anspruch 9, ferner mit: (a) einer Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (44 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht; (b) einer Masse (58 ); und (c) einer leitenden Verbindung zwischen der Massekontaktspitze (54 ) und der Masse (58 ). - Prüfvorrichtung (
80 ), wobei die Prüfvorrichtung (80 ) umfasst: (a) eine Gleichstromquelle (24 ); (b) eine Quelle (26 ) eines Modulationssignals, wobei das Modulationssignal eine Modulationsfrequenz aufweist; (c) einen Gleichstromblock (50 ) zum Blockieren eines Flusses von Gleichstrom zu der Quelle des Modulationssignals (26 ) und zum Leiten eines Modulationssignals von der Quelle des Modulationssignals (26 ); (d) einen Impedanzanpassungswiderstand (70 ) mit einem ersten Anschluss, der mit dem Gleichstromblock (50 ) leitend verbunden ist, um das Modulationssignal zu empfangen, und einem zweiten Anschluss; (e) eine Signalkontaktspitze (72 ,76 ), die zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wobei die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) mit dem zweiten Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands (70 ) leitend verbunden ist; und (f) eine leitende Verbindung (82 ) der Gleichstromquelle (24 ) und der Signalkontaktspitze (72 ,76 ), wobei die leitende Verbindung (82 ) einen minimalen Widerstand, um Gleichstrom (72 ,76 ) von der Gleichstromquelle (24 ) zu leiten, und einen Widerstand aufweist, der wesentlich größer als der Widerstand der zu testenden Vorrichtung (22 ) bei der Modulationsfrequenz ist. - Prüfvorrichtung (
80 ) nach Anspruch 11, ferner mit: (a) einer Massekontaktspitze (45 ), die zur Wirkverbindung mit einer Massekontaktanschlussfläche (56 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist, wenn die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht; (b) einer Masse (58 ); und (c) einer leitenden Verbindung zwischen der Massekontaktspitze (45 ) und der Masse (58 ). - Prüfvorrichtung (
80 ) nach Anspruch 11, bei der die Signalkontaktspitze (72 ,76 ) umfasst: (a) eine erste Spitze (72 ), die mit dem zweiten Anschluss des Impedanzanpassungswiderstands (70 ) leitend verbunden und zur selektiven Wirkverbindung mit einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) angeordnet ist; und (b) eine zweite Kontaktspitze (76 ), die mit der Gleichstromquelle (24 ) leitend verbunden und dazu angeordnet ist, an der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) anzugreifen, wenn die erste Spitze (72 ) in Wirkverbindung mit der Signalkontaktanschlussfläche (46 ) steht. - Verfahren zum Überprüfen einer zu testenden Vorrichtung (
22 ), wobei das Verfahren die Schritte umfasst: (a) in Wirkverbindung bringen einer Signalkontaktanschlussfläche (46 ) der zu testenden Vorrichtung (22 ) mit einer Signalkontaktspitze (44 ,76 ) einer Prüfkopfanordnung (40 ,68 ) (b) Verbinden eines zweiten Anschlusses (54 ) eines Impedanzanpassungswiderstands (52 ,70 ) mit der Signalkontaktspitze (44 ,72 ); (c) Leiten eines Gleichstroms zu der Signalkontaktspitze (44 ,76 ) über einen Signalweg, der den Impedanzanpassungwiderstand (52 ,70 ) nicht durchläuft; und (d) Leiten eines Modulationssignals zu einem ersten Anschluss (53 ) des Impedanzanpassungswiderstands (52 ,70 ). - Verfahren nach Anspruch 14, ferner die Schritte umfassend: (a) Blockieren eines Flusses des Gleichstroms von der Signalkontaktspitze (
44 ,76 ) zu einer Quelle (26 ) des Modulationssignals; und (b) Leiten des Gleichstroms von der Quelle (26 ) zu der Signalkontaktspitze (44 ,76 ) über einen Signalweg, der eine Induktivität (82 ) aufweist, wobei die Induktivität (82 ) eine minimale Impedanz für den Gleichstrom und eine Impedanz aufweist, die wesentlich größer als die der zu testenden Vorrichtung (22 ) bei einer Modulationsfrequenz des Modulationssignals ist. - Verfahren nach Anspruch 14, ferner die Schritte umfassend: (a) Blockieren eines Flusses des Gleichstroms von der Signalkontaktspitze (
44 ,76 ) zu einer Quelle (26 ) des Modulationssignals; (b) Trennen eines kombinierten Signals an der Signalkontaktspitze (44 ,76 ) in eine Gleichstromkomponente und eine Modulationssignalkomponente, und (c) Abschließen eines Signalwegs der Modulationssignalskomponente. - Verfahren nach Anspruch 14, ferner die Schritte umfassend: (a) Erzeugen eines kombinierten Signals, das eine Gleichstromkomponente und eine Modulationskomponente umfasst; (b) Trennen der Gleichstromkomponente des kombinierten Signals von der Modulationssignalkomponente, und (c) Abschließen eines Signalwegs der Modulationssignalkomponente.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE20320996U DE20320996U1 (de) | 2002-11-13 | 2003-10-28 | Prüfkopf für kombinierte Signale |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/294,130 US6724205B1 (en) | 2002-11-13 | 2002-11-13 | Probe for combined signals |
US10/294,130 | 2002-11-13 | ||
PCT/US2003/034261 WO2004044604A1 (en) | 2002-11-13 | 2003-10-28 | A probe for combined signals |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10393724T5 DE10393724T5 (de) | 2005-10-13 |
DE10393724B4 true DE10393724B4 (de) | 2008-11-20 |
Family
ID=32069433
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10393724T Expired - Fee Related DE10393724B4 (de) | 2002-11-13 | 2003-10-28 | Prüfkopfanordnungen, Prüfvorrichtung und dafür geeignetes Verfahren |
DE20320996U Expired - Lifetime DE20320996U1 (de) | 2002-11-13 | 2003-10-28 | Prüfkopf für kombinierte Signale |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20320996U Expired - Lifetime DE20320996U1 (de) | 2002-11-13 | 2003-10-28 | Prüfkopf für kombinierte Signale |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US6724205B1 (de) |
JP (1) | JP2006506618A (de) |
AU (1) | AU2003288936A1 (de) |
DE (2) | DE10393724B4 (de) |
WO (1) | WO2004044604A1 (de) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5561377A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
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US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
DE10143173A1 (de) | 2000-12-04 | 2002-06-06 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
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Legal Events
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law |
Ref document number: 10393724 Country of ref document: DE Date of ref document: 20051013 Kind code of ref document: P |
|
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G01R 1/067 AFI20051017BHDE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |