JP2968355B2 - 光半導体の保持具 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＤ（レーザダイオー
ド）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＰＤ（フォトダイオ
ード）等の複数の光半導体を順次交換して各種特性を測
定する際に用いられる光半導体の保持具に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】例えば光半導体には発光素子としてＬ
Ｄ，ＬＥＤが、また、受光素子としてＰＤがある。そし
て、これらの素子は半田付け等により装置に組込まれる
前に、素子自身の性能を評価する意味で特性試験が実行
される。ところで、順次交換される素子に電源を供給し
て特性を試験するにあたって、従来の光半導体試験装置
では光半導体の静特性を測定することを目的としてい
た。すなわち、光半導体が発光素子であれば、図３
（ａ）に示す回路構成に従い素子を接続して発光スペク
トラム、ＩーＬ特性等を測定し、また、光半導体が受光
素子であれば、図３（ｂ）に示す回路構成に従い素子を
接続して暗電流、受光感度、容量等を測定していた。

【０００３】そして、この場合、回路のインピーダンス
の不整合は性能にほとんど影響を及ぼさないため、光半
導体のリードと試験装置との接続は、接点としての接続
状態が保たれていればよいことから図４あるいは図５に
示すような金属のバネ性を利用した簡単な構造による保
持具が用いられていた。すなわち、図４の保持具はソケ
ット本体２１に光半導体Ｗのリード２２を保持するピン
ソケット２３が設けられ、リード２２をピンソケット２
３に押込むと、ピンソケット２３の絞り込み部分２３ａ
におけるバネ圧によって接触導通が図れる。また、図５
の保持具はソケット本体２１に光半導体Ｗのリード２２
を案内する切欠き溝２４が形成され、この切欠き溝２４
上には板バネ２５が設けられており、リード２２を切欠
き溝２４に沿って押込むと、板バネ２５のバネ圧によっ
て接触導通が図れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような保持具で
は、接点としての接触状態については十分に保持するこ
とができるので、光半導体の静特性を測定することがで
きる。しかしながら、光半導体の動特性を測定する場合
は、図３（ｃ），（ｄ）に示すように光半導体に交流信
号を与えるための回路部品が光半導体のすぐそばに必要
となるが、図５の構造によると何れの保持具もソケット
本体２１の先に回路部品を配置しなければならず、リー
ド２２と回路間の距離が長くなるため、回路のインピー
ダンスが大きくずれてインピーダンスに不整合が生じ、
高周波特性が悪く光半導体の動特性の測定を正確に行な
うことが不可能であった。

【０００５】ところで、金属のバネ性を利用した保持具
として図６および図７に示すものも開示されている（実
開昭６１−１３３９８９号公報）。この保持具は中央が
貫通して開口された本体をなすホルダ２６と、上面に接
点板２７を有しホルダ２６の下面開口を塞ぐようにスタ
ッド２８およびスぺーサ２９を介してホルダ２６の開口
２６ａ内に固設された接点台３０と、接点板２７上にボ
ス３１を介して立設された４本の接触ばね片３２と、接
触ばね片３２に対応してガイド孔３３を有するピン受３
４と、各接触ばね片３２を半導体素子Ｗのピン（リード
に相当）に押付ける押圧ピン３５とを備えて概略構成さ
れ、この保持具を使用する際には、ピン受３４のガイド
孔３３に半導体素子Ｗのピンを挿し込んで取付け、ホル
ダ２６に図示しないカバーキャップを被着する。これに
より、押圧ピン３５がカバーキャップの内壁に押されて
押圧ピン３５の先端が接触ばね片３２を付勢し、半導体
素子Ｗのピンと接触ばね片３２との電気接続がなされ
る。この保持具によれば、前述した各保持具よりもさら
に接点保持を向上させることはできるが、前述した各保
持具と同様に回路のインピーダンスに不整合が生じるた
め、高周波特性が悪く光半導体の動特性の測定を正確に
行なうことが不可能であった。

【０００６】従って、光半導体の動特性を測定する場合
には、その回路のインピーダンスを整合させ、かつ抵抗
等の回路部品と光半導体のリードとの距離を最短にする
必要があった。そこで、図８に示すように回路のインピ
ーダンスを整合させるべく、例えば回路のインピーダン
スが５０Ωの場合、半導体素子Ｗのリード３６をインピ
ーダンス５０Ωのラインであるセミリジットケーブル３
７に直接半田付けする方法が考えられる。しかしなが
ら、この方法では光半導体素子Ｗを半田付けにより固定
しているので、光半導体素子Ｗを自由に交換することが
できず、試験装置として光半導体の特性試験を効率的に
行なうのに適さなかった。

【０００７】そこで、本発明は上述した問題点に鑑みて
なされたものであって、光半導体を順次交換して取付
け、回路のインピーダンスを整合させて静特性および動
特性の両方の特性測定を正確に行なうことができる光半
導体の保持具を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明による光半導体の保持具は、複数の光半導体Ｗ
を順次交換しそれらに交流信号を印加してその動特性を
測定するための光半導体の保持具において、前記光半導
体のリード３が着脱可能に挿通される貫通穴２を有する
本体１と、前記本体内に設けられ、前記光半導体を前記
本体に取り付けた状態で当該光半導体の各リードと対応
した位置に電極８を有する基板９と、前記本体に取り付
けられる前記光半導体を含めた回路側のインピーダンス
と、交流信号を供給する側のインピーダンスとが整合す
るように前記基板上に形成されたパターン１０と、前記
光半導体が前記本体に取り付けられたときに、当該光半
導体の各リードと前記電極とが接触するように前記基板
あるいは前記各リードの少なくとも一方を押圧する押圧
手段１３とを備えたことを特徴とする。

【０００９】

【作用】測定対象となる光半導体Ｗのリード３を貫通穴
２に挿通し、光半導体Ｗを本体１に取り付ける。この状
態で、光半導体Ｗを含めた回路側のインピーダンスが交
流信号を供給する側（測定系）のインピーダンスと整合
するようにパターン１０が形成された基板９、あるいは
光半導体Ｗのリード３の少なくとも一方が押圧手段１３
により押圧されると、光半導体Ｗの各リード３が対応す
る基板９上の電極８と接触して電気的に接続される。そ
して、整合のとれた基板９を介して光半導体Ｗに信号が
供給されることにより光半導体Ｗの特性測定が行なわれ
る。

【００１０】

【実施例】図１（ａ）は本発明による半導体の保持具の
一実施例を示す平断面図、図１（ｂ）は同保持具の側断
面図、図２は光半導体の保持構造を示す斜視図である。
図１（ａ）において、箱型形状をなす本体１の上面には
貫通穴２が形成されている。この貫通穴２は光半導体Ｗ
のリード３の数に対応して形成されるもので、実施例で
は２つの貫通穴が形成されている。この貫通穴２には絶
縁体でできたパイプ状のガイド４が埋設されており、各
ガイド４の下半部は縦割りされて支持手段をなす切欠き
部５を形成している。この切欠き部５は後述する押え部
材１３により基板９が押圧された時に各リードを受止め
て支持し、リードの曲がりを防止している。各ガイド４
には測定される光半導体Ｗのリード３が挿通され、リー
ド３の先端部分はガイド４の下端部より表出している。
また、本体１の側面には信号供給用のコネクタ６が取付
けられており、このコネクタ６には回路との整合がとら
れたセミリジットケーブル７が本体１内に向けて固設さ
れている。

【００１１】本体１内には光半導体Ｗの各リード３と対
応した位置に電極８を有する基板９が配設されている。
この基板９には回路のインピーダンスが測定系のインピ
ーダンスと整合するようにパターン１０が形成されてお
り、光半導体Ｗにバイアスを加えるのに必要な回路部品
１１がパターン１０上に搭載されている。なお、セミリ
ジットケーブル７の先端７ａ，７ｂはパターン１０の終
端１０ａ，１０ｂに半田付けされている。さらに、本体
１の背面上部で、電極８と対応する位置には貫通穴１２
が形成されており、この貫通穴１２には押圧手段として
の押え部材１３が設けられている。この押え部材１３は
基板９の裏面を押圧しガイド４の切欠き部５にリード３
を押付けてリード３と電極８を接触させる頭部１４を有
している。また、頭部１４と本体１内壁面との間の軸１
５にはバネ１６が嵌挿されており、頭部１４は常に基板
９を押圧する方向（図１矢印Ａ方向）に付勢されてい
る。さらに、本体１の外側に突出した軸１５の端部には
つば部１７を介してつまみ部１８が設けられている。こ
のつまみ部１８は基板９から離脱する方向（図１矢印Ｂ
方向）に移動させることでリード３と電極８との接触を
解除している。

【００１２】以上説明した構成において、光半導体の特
性を試験する場合には、押え部材１３のつまみ部１８を
把持して図１の矢印Ｂ方向、つまり基板９から離脱する
方向に移動させる。この状態で、測定する光半導体Ｗの
各リード３をガイド４に挿し込んで取付ける。そして、
光半導体Ｗのリード３の挿し込みが完了した状態でつま
み部１８を離す。これにより、押え部材１３の頭部１４
はバネ１６の力によって基板９を押圧する方向（図１矢
印Ａ方向）に付勢され、各リード３は基板９とガイド４
の切欠き部５によって挾持され、各リードと電極８とが
接触して電気接続される。この状態でコネクタ６、セミ
リジットケーブル７および基板９を介して光半導体Ｗに
信号が供給され、光半導体Ｗの各種動特性試験が行なわ
れる。そして、光半導体Ｗを交換する場合には再び押え
部材１３のつまみ部１８を把持して図１の矢印Ｂ方向に
移動させて測定が完了した光半導体Ｗを抜き出して次に
測定する光半導体Ｗの各リード３をガイド４に挿し込
む。

【００１３】従って、上述した実施例では、光半導体Ｗ
の各リード３との接点をなす電極８を基板９上に設けた
ので、従来の保持具において測定が不可能であった動特
性測定用の回路を基板９上に作れ、また、パターン１０
により光半導体Ｗのリード３まで回路のインピーダンス
を整合させることができるので、光半導体の静特性のみ
ならず動特性も正確に測定することができる。また、押
え部材１３の摺動操作によって光半導体Ｗの各リード３
と電極８とを接離することができるので、測定に際して
簡単に光半導体の着脱交換を行なうことができる。

【００１４】ところで、上述した実施例では、押え部材
１３により光半導体Ｗの各リード３と電極８の接触を行
なう構成について説明したが、基板９そのものにバネ性
を持たせて電極８を各リード３に押付ける構成としても
よい。また、押え部材１３は基板９を押圧する構成であ
るが、リード３のみを基板９の電極８に押圧する構成ま
たは基板およびリード３の両方を互いに接触する方向に
押圧する構成としてもよい。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
の保持具によれば、従来の保持具において測定が不可能
であった動特性測定用の回路を基板上に作れ、光半導体
を順次交換して取り付け、回路のインピーダンスを整合
させて静特性のみならず動特性の両方の特性測定を正確
に行なうことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明による半導体の保持具の一実施例
を示す平断面図 （ｂ）同保持具の側断面図

【図２】光半導体のリードのガイド構造を示す斜視図

【図３】（ａ）光半導体として発光素子の静特性を試験
する場合の回路構成図 （ｂ）光半導体として受光素子の静特性を試験する場合
の回路構成図 （ｃ）光半導体として発光素子の動特性を試験する場合
の回路構成図 （ｄ）光半導体として受光素子の動特性を試験する場合
の回路構成図

【図４】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図５】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図６】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図７】（ａ）図６の保持具の斜視図 （ｂ）図６の保持具におけるピン受と接触ばね片との分
離斜視図

【図８】セミリジットケーブルに直接素子を固定した状
態を示す図

【符号の説明】

３ リード， ８ 電極 ９ 基板， １０ パターン １３ 押え部材（押圧手段）， Ｗ 光半導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−220655（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−94277（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−168178（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−84772（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−133989（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−32072（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−129879（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 31/26

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の光半導体（Ｗ）を順次交換しそれ
   らに交流信号を印加してその動特性を測定するための光
   半導体の保持具において、前記光半導体のリード（３）が着脱可能に挿通される貫
   通穴（２）を有する本体（１）と、 前記本体内に設けられ、前記光半導体を前記本体に取り
   付けた状態で当該光半導体の各リードと対応した位置に
   電極（８）を有する基板（９）と、 前記本体に取り付けられる前記光半導体を含めた回路側
   のインピーダンスと、交流信号を供給する側のインピー
   ダンスとが整合するように前記基板上に形成されたパタ
   ーン（１０）と、 前記光半導体が前記本体に取り付けられたときに、当該
   光半導体の各リードと前記電極とが接触するように前記
   基板あるいは前記各 リードの少なくとも一方を押圧する
   押圧手段（１３）とを備えたことを特徴とする光半導体
   の保持具。