JPH04245659A - 光半導体の保持具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＤ（レーザダイオー
ド）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＰＤ（フォトダイオ
ード）等の複数の光半導体を順次交換して各種特性を測
定する際に用いられる光半導体の保持具に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】例えば光半導体には発光素子としてＬＤ
，ＬＥＤが、また、受光素子としてＰＤがある。そして
、これらの素子は半田付け等により装置に組込まれる前
に、素子自身の性能を評価する意味で特性試験が実行さ
れる。ところで、順次交換される素子に電源を供給して
特性を試験するにあたって、従来の光半導体試験装置で
は光半導体の静特性を測定することを目的としていた。 すなわち、光半導体が発光素子であれば、図３（ａ）に
示す回路構成に従い素子を接続して発光スペクトラム、
ＩーＬ特性等を測定し、また、光半導体が受光素子であ
れば、図３（ｂ）に示す回路構成に従い素子を接続して
暗電流、受光感度、容量等を測定していた。

【０００３】そして、この場合、回路のインピーダンス
の不整合は性能にほとんど影響を及ぼさないため、光半
導体のリードと試験装置との接続は、接点としての接続
状態が保たれていればよいことから図４あるいは図５に
示すような金属のバネ性を利用した簡単な構造による保
持具が用いられていた。すなわち、図４の保持具はソケ
ット本体２１に光半導体Ｗのリード２２を保持するピン
ソケット２３が設けられ、リード２２をピンソケット２
３に押込むと、ピンソケット２３の絞り込み部分２３ａ
におけるバネ圧によって接触導通が図れる。また、図５
の保持具はソケット本体２１に光半導体Ｗのリード２２
を案内する切欠き溝２４が形成され、この切欠き溝２４
上には板バネ２５が設けられており、リード２２を切欠
き溝２４に沿って押込むと、板バネ２５のバネ圧によっ
て接触導通が図れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような保持具では
、接点としての接触状態については十分に保持すること
ができるので、光半導体の静特性を測定することができ
る。しかしながら、光半導体の動特性を測定する場合は
、図３（ｃ），（ｄ）に示すように光半導体に交流信号
を与えるための回路部品が光半導体のすぐそばに必要と
なるが、図５の構造によると何れの保持具もソケット本
体２１の先に回路部品を配置しなければならず、リード
２２と回路間の距離が長くなるため、回路のインピーダ
ンスが大きくずれてインピーダンスに不整合が生じ、高
周波特性が悪く光半導体の動特性の測定を正確に行なう
ことが不可能であった。

【０００５】ところで、金属のバネ性を利用した保持具
として図６および図７に示すものも開示されている（実
開昭６１−１３３９８９号公報）。この保持具は中央が
貫通して開口された本体をなすホルダ２６と、上面に接
点板２７を有しホルダ２６の下面開口を塞ぐようにスタ
ッド２８およびスぺーサ２９を介してホルダ２６の開口
２６ａ内に固設された接点台３０と、接点板２７上にボ
ス３１を介して立設された４本の接触ばね片３２と、接
触ばね片３２に対応してガイド孔３３を有するピン受３
４と、各接触ばね片３２を半導体素子Ｗのピン（リード
に相当）に押付ける押圧ピン３５とを備えて概略構成さ
れ、この保持具を使用する際には、ピン受３４のガイド
孔３３に半導体素子Ｗのピンを挿し込んで取付け、ホル
ダ２６に図示しないカバーキャップを被着する。これに
より、押圧ピン３５がカバーキャップの内壁に押されて
押圧ピン３５の先端が接触ばね片３２を付勢し、半導体
素子Ｗのピンと接触ばね片３２との電気接続がなされる
。この保持具によれば、前述した各保持具よりもさらに
接点保持を向上させることはできるが、前述した各保持
具と同様に回路のインピーダンスに不整合が生じるため
、高周波特性が悪く光半導体の動特性の測定を正確に行
なうことが不可能であった。

【０００６】従って、光半導体の動特性を測定する場合
には、その回路のインピーダンスを整合させ、かつ抵抗
等の回路部品と光半導体のリードとの距離を最短にする
必要があった。そこで、図８に示すように回路のインピ
ーダンスを整合させるべく、例えば回路のインピーダン
スが５０Ωの場合、半導体素子Ｗのリード３６をインピ
ーダンス５０Ωのラインであるセミリジットケーブル３
７に直接半田付けする方法が考えられる。しかしながら
、この方法では光半導体素子Ｗを半田付けにより固定し
ているので、光半導体素子Ｗを自由に交換することがで
きず、試験装置として光半導体の特性試験を効率的に行
なうのに適さなかった。

【０００７】そこで、本発明は上述した問題点に鑑みて
なされたものであって、光半導体を順次交換して取付け
、回路のインピーダンスを整合させて静特性および動特
性の両方の特性測定を正確に行なうことができる光半導
体の保持具を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明による半導体の保持具は、複数の光半導体を順次
交換してその特性を測定するための光半導体の保持具に
おいて、被測定光半導体のインピーダンスが測定系のイ
ンピーダンスと整合するように形成され、前記光半導体
の各リードに対応する位置に電極を有して配設された基
板と、前記リードと前記電極とが接触するように前記基
板あるいは前記リードの少なくとも一方を押圧する押圧
手段とを備えたことを特徴としている。

【０００９】

【作用】回路のインピーダンスが測定系のインピーダン
スと整合するように形成された基板あるいは光半導体の
リードの少なくとも一方が押圧手段により押圧されると
、上の電極に対し、光半導体の各リードは対応する電極
と接触して電気的に接続される。そして、整合のとれた
基板を介して光半導体に信号が供給され、光半導体の特
性測定が行なわれる。

【００１０】

【実施例】図１（ａ）は本発明による半導体の保持具の
一実施例を示す平断面図、図１（ｂ）は同保持具の側断
面図、図２は光半導体の保持構造を示す斜視図である。 図１（ａ）において、箱型形状をなす本体１の上面には
貫通穴２が形成されている。この貫通穴２は光半導体Ｗ
のリード３の数に対応して形成されるもので、実施例で
は２つの貫通穴が形成されている。この貫通穴２には絶
縁体でできたパイプ状のガイド４が埋設されており、各
ガイド４の下半部は縦割りされて支持手段をなす切欠き
部５を形成している。この切欠き部５は後述する押え部
材１３により基板９が押圧された時に各リードを受止め
て支持し、リードの曲がりを防止している。各ガイド４
には測定される光半導体Ｗのリード３が挿通され、リー
ド３の先端部分はガイド４の下端部より表出している。 また、本体１の側面には信号供給用のコネクタ６が取付
けられており、このコネクタ６には回路との整合がとら
れたセミリジットケーブル７が本体１内に向けて固設さ
れている。

【００１１】本体１内には光半導体Ｗの各リード３と対
応した位置に電極８を有する基板９が配設されている。 この基板９には回路のインピーダンスが測定系のインピ
ーダンスと整合するようにパターン１０が形成されてお
り、光半導体Ｗにバイアスを加えるのに必要な回路部品
１１がパターン１０上に搭載されている。なお、セミリ
ジットケーブル７の先端７ａ，７ｂはパターン１０の終
端１０ａ，１０ｂに半田付けされている。さらに、本体
１の背面上部で、電極８と対応する位置には貫通穴１２
が形成されており、この貫通穴１２には押圧手段として
の押え部材１３が設けられている。この押え部材１３は
基板９の裏面を押圧しガイド４の切欠き部５にリード３
を押付けてリード３と電極８を接触させる頭部１４を有
している。また、頭部１４と本体１内壁面との間の軸１
５にはバネ１６が嵌挿されており、頭部１４は常に基板
９を押圧する方向（図１矢印Ａ方向）に付勢されている
。さらに、本体１の外側に突出した軸１５の端部にはつ
ば部１７を介してつまみ部１８が設けられている。この
つまみ部１８は基板９から離脱する方向（図１矢印Ｂ方
向）に移動させることでリード３と電極８との接触を解
除している。

【００１２】以上説明した構成において、光半導体の特
性を試験する場合には、押え部材１３のつまみ部１８を
把持して図１の矢印Ｂ方向、つまり基板９から離脱する
方向に移動させる。この状態で、測定する光半導体Ｗの
各リード３をガイド４に挿し込んで取付ける。そして、
光半導体Ｗのリード３の挿し込みが完了した状態でつま
み部１８を離す。これにより、押え部材１３の頭部１４
はバネ１６の力によって基板９を押圧する方向（図１矢
印Ａ方向）に付勢され、各リード３は基板９とガイド４
の切欠き部５によって挾持され、各リードと電極８とが
接触して電気接続される。この状態でコネクタ６、セミ
リジットケーブル７および基板９を介して光半導体Ｗに
信号が供給され、光半導体Ｗの各種動特性試験が行なわ
れる。そして、光半導体Ｗを交換する場合には再び押え
部材１３のつまみ部１８を把持して図１の矢印Ｂ方向に
移動させて測定が完了した光半導体Ｗを抜き出して次に
測定する光半導体Ｗの各リード３をガイド４に挿し込む
。

【００１３】従って、上述した実施例では、光半導体Ｗ
の各リード３との接点をなす電極８を基板９上に設けた
ので、従来の保持具において測定が不可能であった動特
性測定用の回路を基板９上に作れ、また、パターン１０
により光半導体Ｗのリード３まで回路のインピーダンス
を整合させることができるので、光半導体の静特性のみ
ならず動特性も正確に測定することができる。また、押
え部材１３の摺動操作によって光半導体Ｗの各リード３
と電極８とを接離することができるので、測定に際して
簡単に光半導体の着脱交換を行なうことができる。

【００１４】ところで、上述した実施例では、押え部材
１３により光半導体Ｗの各リード３と電極８の接触を行
なう構成について説明したが、基板９そのものにバネ性
を持たせて電極８を各リード３に押付ける構成としても
よい。また、押え部材１３は基板９を押圧する構成であ
るが、リード３のみを基板９の電極８に押圧する構成ま
たは基板およびリード３の両方を互いに接触する方向に
押圧する構成としてもよい。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように本発明による半導体
の保持具は、光半導体のリードとの接点を基板上に設け
た構成なので、動特性測定用の回路を基板上に作れ、パ
ターンにより回路のインピーダンスを整合させることが
でき、光半導体の動特性を正確に測定することができる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明による半導体の保持具の一実施例
を示す平断面図 （ｂ）同保持具の側断面図

【図２】光半導体のリードのガイド構造を示す斜視図

【
図３】（ａ）光半導体として発光素子の静特性を試験す
る場合の回路構成図 （ｂ）光半導体として受光素子の静特性を試験する場合
の回路構成図 （ｃ）光半導体として発光素子の動特性を試験する場合
の回路構成図 （ｄ）光半導体として受光素子の動特性を試験する場合
の回路構成図

【図４】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図５】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図６】従来のソケット構造による光半導体の保持具の
構成を示す斜視図

【図７】（ａ）図６の保持具の斜視図 （ｂ）図６の保持具におけるピン受と接触ばね片との分
離斜視図

【図８】セミリジットケーブルに直接素子を固定した状
態を示す図

【符号の説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数の光半導体を順次交換してその特
   性を測定するための光半導体の保持具において、被測定
   光半導体のインピーダンスが測定系のインピーダンスと
   整合するように形成され、前記光半導体の各リードに対
   応する位置に電極を有して配設された基板と、前記リー
   ドと前記電極とが接触するように前記基板あるいは前記
   リードの少なくとも一方を押圧する押圧手段とを備えた
   ことを特徴とする光半導体の保持具。