JPH04206944A - 半導体レーザの検査方法 - Google Patents
半導体レーザの検査方法Info
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- JPH04206944A JPH04206944A JP33935190A JP33935190A JPH04206944A JP H04206944 A JPH04206944 A JP H04206944A JP 33935190 A JP33935190 A JP 33935190A JP 33935190 A JP33935190 A JP 33935190A JP H04206944 A JPH04206944 A JP H04206944A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 13
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザの検査方法に関し、特に、ＣＡ
ＴＶ用ＤＦＢ−ＬＤ （ケーブル・テレビジョン用分布
帰還型レーザ・ダイオード）の検査方法に関するもので
ある。
ＴＶ用ＤＦＢ−ＬＤ （ケーブル・テレビジョン用分布
帰還型レーザ・ダイオード）の検査方法に関するもので
ある。
従来のＣＡＴＶ用ＤＦＢ−ＬＤの検査工程は、第２図（
ａ）に示すように、■チップテスト工程、■組立行程、
■歪、５Ｍ５Ｒ（サイド抑圧比）等の特性検査工程から
なっている。この工程の中で、■の特性検査中の高調波
歪か重要なパラメータとなっている。また第２図（ｂ）
は高調波歪測定のブロック図であり、第２図（Ｃ）は高
調波歪の波形を示す図である。
ａ）に示すように、■チップテスト工程、■組立行程、
■歪、５Ｍ５Ｒ（サイド抑圧比）等の特性検査工程から
なっている。この工程の中で、■の特性検査中の高調波
歪か重要なパラメータとなっている。また第２図（ｂ）
は高調波歪測定のブロック図であり、第２図（Ｃ）は高
調波歪の波形を示す図である。
図において、９はＣＡＴＶ用ＤＦＢ−ＬＤ （以下ＬＤ
と略す）、１０はＬＤ９に直流バイアスをかける直流電
源、１１はＬＤ９に変調をかける信号源、１２は直流電
源１０からの直流バイアスと信号源１１からの変調信号
をＬＤ９にか（ジるためのバイアスティ、１３はＬ Ｄ
からの光信号を受けるフォト・ダイオード（以下ＰＤと
略す）、１４はＰＤ１３で受けた信号を見るスペクトラ
ムアナライザ、１５はスペクトラムアナライザ上の観測
波形である。
と略す）、１０はＬＤ９に直流バイアスをかける直流電
源、１１はＬＤ９に変調をかける信号源、１２は直流電
源１０からの直流バイアスと信号源１１からの変調信号
をＬＤ９にか（ジるためのバイアスティ、１３はＬ Ｄ
からの光信号を受けるフォト・ダイオード（以下ＰＤと
略す）、１４はＰＤ１３で受けた信号を見るスペクトラ
ムアナライザ、１５はスペクトラムアナライザ上の観測
波形である。
次に検査方法について説明する。
高調波歪の検査は、ＬＤ９を図示しない検査用パッケー
ジに組込み、該パッケージを図示しない歪検査用治具に
取り付ける。次に、直流電源１０から直流バイアスを出
力し、信号源１１から２５０ＭＨｚの変調信号を出力し
、バイアスティ１２により上記直流バイアスと変調信号
を合成し、それをＬＤ９に印加する。さらに、そのとき
のＬＤ９からの変調信号光をＰＤ１３て受信し、その受
信信号をスペクトラムアナライザ１４上で観測する。観
測は周波数２５０ＭＨｚの信号強度と５００ＭＨｚの信
号強度との差（２次歪・Ｈ２）と周波数２５０ＭＨｚの
信号強度と７５０ＭＨ２との信号強度の差（３次歪：Ｈ
３）とについて行う。
ジに組込み、該パッケージを図示しない歪検査用治具に
取り付ける。次に、直流電源１０から直流バイアスを出
力し、信号源１１から２５０ＭＨｚの変調信号を出力し
、バイアスティ１２により上記直流バイアスと変調信号
を合成し、それをＬＤ９に印加する。さらに、そのとき
のＬＤ９からの変調信号光をＰＤ１３て受信し、その受
信信号をスペクトラムアナライザ１４上で観測する。観
測は周波数２５０ＭＨｚの信号強度と５００ＭＨｚの信
号強度との差（２次歪・Ｈ２）と周波数２５０ＭＨｚの
信号強度と７５０ＭＨ２との信号強度の差（３次歪：Ｈ
３）とについて行う。
また、Ｈ２，Ｈ３の良否の判定はそれぞれ、ｌ−Ｉ２≧
６０ｄＢｃ、Ｈ３≧７０ｄＢｃとする。
６０ｄＢｃ、Ｈ３≧７０ｄＢｃとする。
従来のＣＡＴＶ用ＤＦＢ−ＬＤの高調波歪の検査方法は
、２５０ＭＨｚの高周波で変調をかけるために特殊な治
具が必要で、検査する上での作業性か悪い。さらに、高
調波歪が良品の判定値を満たす素子か少なく歩留りが悪
いため、負荷ＴＳか大きい（検査するＬＤ数に対し良品
数か少ないのて良品１個あたりの検査時間が長くなる）
という問題があった。
、２５０ＭＨｚの高周波で変調をかけるために特殊な治
具が必要で、検査する上での作業性か悪い。さらに、高
調波歪が良品の判定値を満たす素子か少なく歩留りが悪
いため、負荷ＴＳか大きい（検査するＬＤ数に対し良品
数か少ないのて良品１個あたりの検査時間が長くなる）
という問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高調波歪検査の負荷ＴＳを下げ、歩留りを上
げることかできる半導体レーザの検査方法を得ることを
目的とする。
たもので、高調波歪検査の負荷ＴＳを下げ、歩留りを上
げることかできる半導体レーザの検査方法を得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体レーザの検査方法は、チップに対
し、チップテスタを用いて直流バイアスと１００Ｉ（ｚ
程度の低周波の変調信号とを印加し、２次歪、３次歪を
測定し、チップ状態での高調波歪の良・不良の選別を行
うようにしたものである。
し、チップテスタを用いて直流バイアスと１００Ｉ（ｚ
程度の低周波の変調信号とを印加し、２次歪、３次歪を
測定し、チップ状態での高調波歪の良・不良の選別を行
うようにしたものである。
この発明においては、チップテスト時に、チップに対し
、直流バイアスと１００Ｈｚ程度の低周波の変調信号と
を印加して測定を行うので、チップ状態での高調波歪の
良・不良の選別を行うことができ、高調波歪検査の負荷
ＴＳが下がり、歩留りが向上する。
、直流バイアスと１００Ｈｚ程度の低周波の変調信号と
を印加して測定を行うので、チップ状態での高調波歪の
良・不良の選別を行うことができ、高調波歪検査の負荷
ＴＳが下がり、歩留りが向上する。
この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザの検査
方法を示す図である。図において、１はバー状態のチッ
プ、２はチップの表面電極、３はチップテスタからチッ
プの表面電極２にあてるプローバ、４はチップに直流バ
イアスをかけるための直流電源、５はチップ１に低周波
の変調信号をかけるためのシグナルジェネレータ（信号
源）、６はチップ１から出射された光を受けるためのフ
ォトダイオード、７はフォトダイオード６で電気に変換
された信号を解析するためのスペクトラムアナライザ、
８はそのスペクトラムアナライザに現れる波形である。
方法を示す図である。図において、１はバー状態のチッ
プ、２はチップの表面電極、３はチップテスタからチッ
プの表面電極２にあてるプローバ、４はチップに直流バ
イアスをかけるための直流電源、５はチップ１に低周波
の変調信号をかけるためのシグナルジェネレータ（信号
源）、６はチップ１から出射された光を受けるためのフ
ォトダイオード、７はフォトダイオード６で電気に変換
された信号を解析するためのスペクトラムアナライザ、
８はそのスペクトラムアナライザに現れる波形である。
次に、検査方法について説明する。
チップ１に、直流電源４によって直流バイアスをかけ、
シグナルジェネレータ５によって１００Ｈｚ程度の低周
波の変調信号を印加する。そのときの上記チップからの
変調光をフォトダイオード６で受光し、その電気信号を
スペクＩ・ラムアナライザ７に入力する。次に、該スペ
クトラムアナライザ７上の周波数１００Ｉ（ｚの信号強
度１周波数２００ Ｈｚの信号強度２周波数３００１（
ｚの信号強度の波形を観測し、２次歪（Ｈ２）、３次歪
（Ｈ３）等の高調波歪を求める。さらに、上記高調波歪
の測定結果がＨ２≧６０ｄＢｃ、Ｈ３≧７０ｄＢｃであ
ることを条件として、チップの良・不良を選別する。
シグナルジェネレータ５によって１００Ｈｚ程度の低周
波の変調信号を印加する。そのときの上記チップからの
変調光をフォトダイオード６で受光し、その電気信号を
スペクＩ・ラムアナライザ７に入力する。次に、該スペ
クトラムアナライザ７上の周波数１００Ｉ（ｚの信号強
度１周波数２００ Ｈｚの信号強度２周波数３００１（
ｚの信号強度の波形を観測し、２次歪（Ｈ２）、３次歪
（Ｈ３）等の高調波歪を求める。さらに、上記高調波歪
の測定結果がＨ２≧６０ｄＢｃ、Ｈ３≧７０ｄＢｃであ
ることを条件として、チップの良・不良を選別する。
このような方法ては、高周波の変調信号を印加するため
の特殊な治具を必要どせず、パッケージとして組んでか
らの高調波歪検査の歩留りを上げることができ、それに
伴い高調波歪検査の負荷ＴＳを下げることかできる。
の特殊な治具を必要どせず、パッケージとして組んでか
らの高調波歪検査の歩留りを上げることができ、それに
伴い高調波歪検査の負荷ＴＳを下げることかできる。
また、チップに印加する変調信号は低周波信号であるた
め、プローバ３の寄生容量、寄生インダクタンスの影響
を無視することができる。
め、プローバ３の寄生容量、寄生インダクタンスの影響
を無視することができる。
以上のように、この発明によれば、チップテストにおい
て、チップに直流バイアスと低周波の変調信号とを印加
し、高調波歪を測定し、チップの良・不良を選別するよ
うにしたので、パッケージとして組み立てた後の高調波
歪検査の歩留りを上げることができ、それに伴い高調波
歪検査の負荷ＴＳを下げられる効果がある。
て、チップに直流バイアスと低周波の変調信号とを印加
し、高調波歪を測定し、チップの良・不良を選別するよ
うにしたので、パッケージとして組み立てた後の高調波
歪検査の歩留りを上げることができ、それに伴い高調波
歪検査の負荷ＴＳを下げられる効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれこの発明の一実施例
によるチップテスタの構成図、高調波歪の波形を示す図
、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれ従来の
高調波歪検査の工程を示すフロー図、高調波歪測定のブ
ロック図、高調波歪の波形を示す図である。 図において、１はバー状態のチップ、２は表面電極、３
はプローバ、４は直流電源、５は信号源、６はフォトダ
イオード、７はスペクトラムアナライザ、８はスペクト
ラムアナライザ上の観測波形、９はＣＡＴＶ用ＤＦＢ−
ＬＤ、１０は直流電源、１１は信号源、１２はバイアス
ティ、１３はフォトダイオード、１４はスペクトラムア
ナライザ、１５はスペクトラムアナライザ上の観測波形
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
によるチップテスタの構成図、高調波歪の波形を示す図
、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれ従来の
高調波歪検査の工程を示すフロー図、高調波歪測定のブ
ロック図、高調波歪の波形を示す図である。 図において、１はバー状態のチップ、２は表面電極、３
はプローバ、４は直流電源、５は信号源、６はフォトダ
イオード、７はスペクトラムアナライザ、８はスペクト
ラムアナライザ上の観測波形、９はＣＡＴＶ用ＤＦＢ−
ＬＤ、１０は直流電源、１１は信号源、１２はバイアス
ティ、１３はフォトダイオード、１４はスペクトラムア
ナライザ、１５はスペクトラムアナライザ上の観測波形
である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体レーザの高調波歪を検査する方法において
、 半導体レーザのチップに対し、チップテスタを用いて直
流バイアスと低周波の変調信号とを印加し、 そのときの上記チップからのレーザ光の高調波歪を測定
することを特徴とする半導体レーザの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33935190A JPH04206944A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33935190A JPH04206944A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206944A true JPH04206944A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18326636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33935190A Pending JPH04206944A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006506618A (ja) * | 2002-11-13 | 2006-02-23 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 組合せ信号用プローブ |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33935190A patent/JPH04206944A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006506618A (ja) * | 2002-11-13 | 2006-02-23 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 組合せ信号用プローブ |
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