DE102015104710A1 - Lösung zum Verringern schlechten Kontakts in Info-Gehäusen - Google Patents
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
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- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/06568—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
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- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
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- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1041—Special adaptations for top connections of the lowermost container, e.g. redistribution layer, integral interposer
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- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
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- H01L2225/1076—Shape of the containers
- H01L2225/1082—Shape of the containers for improving alignment between containers, e.g. interlocking features
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
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Abstract
Ein Gehäuse umfasst ein erstes Gehäuse, das einen Vorrichtungs-Die umfasst, eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die darin formt, eine Durchkontaktierung, die die Formmasse durchstößt, und mehrere erste Umverteilungsleitungen (RDLs) und mehrere zweite RDLs auf gegenüberliegenden Seiten der Formmasse. Die Durchkontaktierung verbindet eine der mehreren ersten RDLs mit einer der mehreren zweiten RDLs elektrisch. Das Gehäuse umfasst weiter ein zweites Gehäuse, das mit dem ersten Gehäuse verbunden ist, einen Abstandhalter, der in einer Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse angeordnet ist, und ein erstes elektrisches Anschlussteil und ein zweites elektrisches Anschlussteil auf gegenüberliegenden Seiten des Abstandhalters. Das erste elektrische Anschlussteil und das zweite elektrische Anschlussteil verbinden das erste Gehäuse elektrisch mit dem zweiten Gehäuse. Der Abstandhalter hat einen Abstand von dem ersten elektrischen Anschlussteil und dem zweiten elektrischen Anschlussteil.
Description
- Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen U.S.-Anmeldung mit der Seriennr. 61/949 843, eingereicht am 7. März 2014, mit dem Titel „Semiconductor Package and Methods for Manufacturing und Testing Same”; diese Anmeldung ist hiermit durch Bezugnahme aufgenommen.
- HINTERGRUND
- Bei der Entwicklung der Halbleitertechnologie werden Halbleiterchips/-dies immer kleiner. Unterdessen müssen mehr Funktionen in die Halbleiterdies integriert werden. Daher müssen Halbleiterdies immer größere Zahlen von E/A-Kontaktstellen aufweisen, die in kleinere Flächen angeordnet werden, und die Dichte der E/A-Kontaktstellen steigt mit der Zeit schnell an. Im Ergebnis wird das Kapseln (Packaging) der Halbleiterdies immer schwieriger, was den Ertrag des Kapselns negativ beeinflusst.
- Herkömmliche Kapselungstechnologien können in zwei Kategorien aufgeteilt werden. Bei der ersten Kategorie werden Dies auf einem Wafer gekapselt, bevor sie gesägt werden. Diese Kapselungstechnologie hat einige vorteilhafte Eigenschaften, etwa einen größeren Durchsatz und niedrigere Kosten. Weiter wird weniger Unterfüllung oder Formmasse benötigt. Diese Kapselungstechnologie leidet jedoch auch unter Nachteilen. Wie vorher erwähnt, werden die Größen der Dies zunehmend kleiner und die entsprechenden Gehäuse können nur Fan-In-Gehäuse sein, bei denen die E/A-Kontaktstellen jedes Dies auf einen Bereich direkt über der Oberfläche des entsprechenden Dies beschränkt sind. Durch die begrenzte Fläche der Dies ist die Anzahl von E/A-Kontaktstellen aufgrund der Begrenzungen des Mittenabstands der E/A-Kontaktstellen begrenzt. Wenn der Mittenabstand der Kontaktstellen verringert wird, können Lötbrücken auftreten. Zusätzlich müssen, unter dem Erfordernis von festen Lötkugel-Größen, Lötkugeln eine bestimmte Größe haben, was wiederum die Anzahl von Lötkugeln beschränkt, die auf der Oberfläche eines Dies angeordnet werden können.
- In der anderen Kategorie von Kapselung werden Dies von Wafern gesägt, bevor sie gekapselt werden, und nur „bekannte gute Dies” werden gekapselt. Eine vorteilhafte Eigenschaft dieser Kapselungstechnologie ist die Möglichkeit, Fan-Out-Gehäuse auszubilden, was bedeutet, dass die E/A-Kontaktstellen auf einem Die auf eine größere Fläche als den Die umverteilt werden können, so dass die Anzahl von E/A-Kontaktstellen, die auf den Oberflächen des Dies angeordnet sind, erhöht werden kann.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Man beachte, dass in Übereinstimmung mit dem üblichen Vorgehen in der Branche verschiedene Einrichtungen nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Einrichtungen zur Klarheit der Beschreibung beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
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1 bis7 zeigen die Schnittansichten von Zwischenstufen bei dem Ausbilden eines Gehäuses, das ein integriertes Fan-Out-(InFO)-Gehäuse umfasst, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen; -
8 und9 sind Schnittansichten einiger Gehäuse in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen; und -
10A bis10F sind Draufsichten/Untersichten der Gehäuse in den InFO-Gehäusen in Übereinstimmung mit einigen Ausfühhrungsformen. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele vor, um verschiedene Einrichtungen der Erfindung zu implementieren. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und sollen nicht einschränkend wirken. Das Ausbilden einer ersten Einrichtung über oder auf einer zweiten Einrichtung in der folgenden Beschreibung kann beispielsweise Ausführungsformen umfassen, in denen die erste und die zweite Einrichtung in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Einrichtungen zwischen der ersten und der zweiten Einrichtung ausgebildet sein können, so dass die erste und die zweite Einrichtung nicht in direktem Kontakt sein müssen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und erzwingt als solche keine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
- Weiter können räumlich relative Begriffe, wie „unten”, „unter”, „unterer”, „über”, „oberer” und ähnliche, hier zur Einfachheit der Beschreibung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder einer Einrichtung mit einem oder mehreren anderen Elementen oder Einrichtungen zu beschreiben, wie sie in den Figuren gezeigt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der Vorrichtung, die verwendet oder betrieben wird, zusätzlich zu der in den Figuren gezeigten Orientierung umfassen. Die Vorrichtung kann anders orientiert sein (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung), und die räumlich relativen Begriffe, die hier verwendet werden, können ebenfalls demgemäß interpretiert werden.
- Es sind ein Gehäuse (engl.: Package) und ein Verfahren zu seiner Herstellung in Übereinstimmung mit verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen vorgesehen. Die Varianten der Ausführungsformen werden beschrieben. Überall in den verschiedenen Ansichten und beispielhaften Ausführungsformen werden gleiche Bezugszeichen verwendet, um gleiche Elemente zu bezeichnen.
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1 zeigt eine Schnittansicht des Gehäuses (engl.: Package)100 . In einigen Ausführungsformen umfasst das Gehäuse100 einen Vorrichtungs-Die102 , wobei die Vorderseite des Vorrichtungs-Dies102 nach unten zeigt und mit den Umverteilungsleitungen (RDLs)112 verbunden ist. In alternativen Ausführungsformen umfasst das Gehäuse100 mehr als einen Vorrichtungs-Die, die auf der gleichen Ebene angeordnet sein können. Der Vorrichtungs-Die102 kann ein Halbleitersubstrat108 und integrierte Schaltungsvorrichtungen104 (etwa aktive Vorrichtungen, die beispielsweise Transistoren umfassen) auf der vorderen Oberfläche (der Oberfläche, die nach unten zeigt) des Halbleitersubstrats108 umfassen. Der Vorrichtungs-Die102 kann einen Logik-Die wie einen Zentralprozessor-(CPU)-Die, einen Grafikprozessor-(GPU)-Die, einen mobilen Anwendungs-Die oder Ähnliches umfassen. - Der Vorrichtungs-Die
102 ist in Formmaterial120 geformt, das den Vorrichtungs-Die102 umgibt, wenn er in der Draufsicht der Struktur in1 betrachtet wird. Das Formmaterial120 kann eine Formmasse, eine Form-Unterfüllung, ein Harz, ein Epoxid oder Ähnliches sein. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen wird das Formmaterial120 ausgebildet, indem ein flüssiges Material aufgebracht wird, um den Vorrichtungs-Die102 darin einzuschließen, und dann das Formmaterial ausgehärtet wird, beispielsweise durch ein ultraviolettes (UV-)Aushärten oder ein thermisches Aushärten, so dass das aufgebrachte flüssige Material verfestigt wird. Die untere Fläche120A des Formmaterials120 kann mit den unteren Enden des Vorrichtungs-Dies102 eingeebnet werden, wobei die unteren Endabschnitte beispielsweise Metallsäulen umfassen. Die obere Fläche120B des Formmaterials120 kann plan oder höher als die rückseitige Fläche108A des Halbleitersubstrats108 sein. In einigen Ausführungsformen wird die rückseitige Fläche108A des Halbleitersubstrats108 durch einen Die-Befestigungsfilm110 überlappt, der ein dielektrischer Film ist, der den Vorrichtungs-Die102 an der darüber liegenden dielektrischen Schicht118 befestigt. Der Vorrichtungs-Die102 umfasst weiter Metallsäulen/-kontaktstellen106 (die beispielsweise Kupfersäulen umfassen können), die die RDLs112 berühren und mit ihnen verbunden sind. - Das Gehäuse
100 kann RDLs auf der Unterseite112 , die unter dem Vorrichtungs-Die102 liegen, und RDLs auf der Oberseite116 , die über dem Vorrichtungs-Die102 liegen, umfassen. Die RDLs auf der Unterseite112 sind in dielektrischen Schichten114 ausgebildet und die RDLs auf der Oberseite116 sind in dielektrischen Schichten118 ausgebildet. Die RDLs112 und116 können aus leitenden Materialien ausgebildet sein, etwa metallischen Materialien, die Kupfer, Aluminium, Nickel, Titan, Legierungen daraus oder Mehrschichtstrukturen daraus umfassen können. In einigen Ausführungsformen werden die dielektrischen Schichten114 und118 aus organischen Materialien ausgebildet, etwa Polymeren, die weiter Polybenzoxazole (PBO), Benzocyclobuten (BCB), Polyimid oder Ähnliches umfassen können. In alternativen Ausführungsformen werden die dielektrischen Schichten114 und118 aus anorganischem Material ausgebildet, etwa Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid oder Ähnlichem. Das Gehäuse100 wird als integriertes Fan-Out-(InFO)-Gehäuse bezeichnet, da die RDLs112 und116 sich über die Ränder des oder der Vorrichtungs-Dies102 erstrecken und das Formen des oder der Vorrichtungs-Dies102 mit dem Ausbilden der entsprechenden RDLs112 und116 integriert ist. - Durchkontaktierungen
122 werden ausgebildet, um durch das Formmaterial120 zu stoßen. In einigen Ausführungsformen haben die Durchkontaktierungen122 obere Flächen, die mit der oberen Fläche120B des Formmaterials120 plan sind, und untere Flächen, die mit der unteren Fläche120A des Formmaterials120 plan sind. Die Durchkontaktierungen122 verbinden die RDLs auf der Unterseite112 elektrisch mit den RDLs auf der Oberseite116 . Die Durchkontaktierungen122 können auch in körperlichem Kontakt mit den RDLs auf der Unterseite112 und den RDLs auf der Oberseite116 stehen. Die Durchkontaktierungen122 sind aus einem leitenden Material ausgebildet, etwa einem metallischen Material, das Kupfer, Aluminium, Wolfram, Nickel, Titan oder Legierungen daraus umfassen kann. Das Ausbilden der Durchkontaktierungen122 kann das Ausbilden einer Maskenschicht (etwa eines Fotoresist, nicht gezeigt) über einer Metall-Keimschicht (nicht gezeigt), das Strukturieren der Maskenschicht, um Öffnungen auszubilden, und das Plattieren von Durchkontaktierungen122 in den Öffnungen in der Maskenschicht umfassen. Die Maskenschicht wird dann entfernt. In alternativen Ausführungsformen werden die Durchkontaktierungen122 als Metallsäulen vorgeformt und werden an den erwünschten Orten platziert. - Elektrische Anschlussteile
124 , die aus einem oder mehreren metallischen Nicht-Lot-Material(ien) ausgebildet sind, werden auf der unteren Fläche des Gehäuses100 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen umfassen die elektrischen Anschlussteile124 Under-Bump-Metallurgien (UBMs) oder Metall-Kontaktstellen. In alternativen Ausführungsformen umfassen die elektrischen Anschlussteile124 Metallsäulen, etwa Kupfersäulen. In der gesamten Beschreibung werden die elektrischen Anschlussteile124 als Metall-Kontaktstellen124 bezeichnet, obwohl sie andere Formen aufweisen können. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen umfassen die Metall-Kontaktstellen124 Kupfer, Aluminium, Titan, Nickel, Palladium, Gold oder Mehrschichtstrukturen daraus. In einigen Ausführungsformen sind, wie in1 gezeigt ist, die unteren Flächen der Metall-Kontaktstellen124 plan mit der unteren Fläche der unteren dielektrischen Schicht114 . In alternativen Ausführungsformen erstrecken sich die unteren Flächen der Metall-Kontaktstellen124 unter der unteren Fläche der unteren dielektrischen Schicht114 . In einigen Ausführungsformen sind Lotbereiche126 an den unteren Flächen der Metall-Kontaktstellen124 befestigt. -
2 zeigt das Anordnen einer Passivierungsschicht128 , die verwendet wird, um die darunter liegenden RDLs116 vor Schäden durch Feuchtigkeit und andere schädliche Chemikalien zu schützen. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst die Passivierungsschicht128 ein Polymer, etwa PBO oder Polyimid. Die Passivierungsschicht kann auch aus Lot-Masken- oder anorganischen Materialien ausgebildet sein, etwa Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder Mehrschichtstrukturen aus organischen und/oder anorganischen Materialien. Die Passivierungsschicht128 kann als gleichförmige Schicht ausgebildet sein, die das gesamte Formmaterial120 bedeckt. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen wird die Passivierungsschicht128 als Flüssigkeit oder Gel angeordnet und dann ausgehärtet. In alternativen Ausführungsformen umfasst die Passivierungsschicht128 einen vorgeformten Film, der über der Struktur angeordnet wird, die in1 gezeigt ist. - Mit Bezug auf
3 wird ein Abstandhalter130 auf der Passivierungsschicht128 angeordnet. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen wird der Abstandhalter130 aus einem organischen Material ausgebildet, das als flüssiges Material (Flüssigkeit oder Gel) aufgebracht werden kann. Das aufgebrachte organische Material wird dann ausgehärtet, beispielsweise durch ultraviolettes (UV-)Aushärten oder thermisches Aushärten, so dass es eine feste Form annimmt. Das Aufbringen des Abstandhalters130 kann durch. Schablonendruck oder Aufbringen durch eine Düse erreicht werden. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist das Gehäuse100 Teil eines Wafer-Level-Gehäuses, das mehrere Gehäuse umfasst, die eine identische Struktur wie das Gehäuse100 haben. Somit werden mehrere Abstandhalter130 angeordnet, wobei jedes der Gehäuse einen der mehreren Abstandhalter130 darauf aufweist. In diesen Ausführungsformen wird das Schablonendrucken oder das Aufbringen durch die Düse auf der Wafer-Ebene ausgeführt und die mehreren Abstandhalter130 werden zur gleichen Zeit ausgehärtet. Daher wird die Wirtschaftlichkeit beim Aufbringen des Abstandhalters130 aufgrund der Steigerung des Durchsatzes verbessert. In alternativen Ausführungsformen wird das Ausbilden des Abstandhalters130 ausgeführt, nachdem das Gehäuse100 von dem zugehörigen Gehäuse gesägt wurde, das mehrere identische Gehäuse umfasst. - In Übereinstimmung mit alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird der Abstandhalter
130 vorgeformt und wird dann auf die obere Fläche der Passivierungsschicht128 angebracht und/oder befestigt. Der vorgeformte Abstandhalter130 kann aus einem Material ausgebildet sein, das aus einem Metall oder einer Metalllegierung (etwa Kupfer, Aluminium oder rostfreiem Stahl), Keramik, einem organischen Material wie einem Polymer, einem Halbleitermaterial wie Silizium, Glas und Ähnlichem ausgewählt ist. Der Abstandhalter130 kann auch eine Verbindungsstruktur aufweisen, die mehr als eine Schicht umfasst, die aus unterschiedlichen der oben erwähnten Materialien ausgebildet sind. In diesen Ausführungsformen kann ein unterer Abschnitt des gezeigten Abstandhalters130 ein Haftmaterial umfassen. Der Abstandhalter130 ist ein Hilfs-Die in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Der Abstandhalter130 kann beispielsweise ein Hilfs- oder ein aktiver Speicher-Die sein, etwa ein dynamischer Arbeitsspeicher-(DRAM)-Die. Wenn er ein aktiver Die ist, kann der Abstandhalter130 mit den darunter liegenden RDLs umgedreht verbunden sein (Flip-Bonding). - In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen umfasst der Abstandhalter
130 einen Abschnitt, der an der Mitte134 des Gehäuses100 ausgerichtet ist, wobei die Mitte134 so gezeigt ist, dass sie sich in der Richtung rechtwinklig zu den Hauptebenen (etwa der oberen Fläche und der unteren Fläche) des Gehäuses100 erstreckt.10A bis10F zeigen beispielsweise die Draufsichten der Abstandhalter130 in Übereinstimmung mit unterschiedlichen Ausführungsformen, wobei die10A und10B zeigen, dass der Abstandhalter130 einen Abschnitt umfasst, der die Mitte134 des Gehäuses100 überlappt. In alternativen Ausführungsformen umfasst der Abstandhalter130 nicht irgendeinen Abschnitt, der an der Mitte134 des Gehäuses100 ausgerichtet ist. In diesen Ausführungsformen kann, wie in den10C ,10D ,10E und10F gezeigt ist, der Abstandhalter130 Abschnitte auf den gegenüberliegenden Seiten der Mitte134 umfassen und der Abstandhalter130 kann mit Bezug auf die Mitte134 in Übereinstimmung mit den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung symmetrisch sein. - Bezieht man sich wieder auf
3 , weist der Abstandhalter130 eine horizontale Größe auf, die kleiner als die entsprechende horizontale Größe des Vorrichtungs-Dies102 ist, wie in3 gezeigt ist. In alternativen Ausführungsformen weist der Abstandhalter130 eine horizontale Größe auf, die gleich der entsprechenden horizontalen Größe des Vorrichtungs-Dies102 (durch die gestrichelten Linien130 ” gezeigt) ist. In noch alternativen Ausführungsformen weist der Abstandhalter130 eine horizontale Größe auf, die größer als die entsprechende horizontale Größe des Vorrichtungs-Dies102 (durch die gestrichelten Linien130' gezeigt) ist. Der Abstandhalter130 kann auch einen Teil oder die Gesamtheit des Vorrichtungs-Dies102 überlappen. Wie in3 gezeigt ist, kann der Abstandhalter130 an dem Vorrichtungs-Die102 ausgerichtet sein. In alternativen Ausführungsformen ist der Abstandhalter130 mit dem darunter liegenden Vorrichtungs-Die102 fehlausgerichtet. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen liegt die Dicke T1 des Abstandhalters130 im Bereich zwischen etwa 20 μm und etwa 400 μm. Man beachte jedoch, dass die Werte, die in der gesamten Beschreibung angegeben sind, nur Beispiele sind und auf andere Werte geändert werden können. -
4 zeigt das Entfernen einiger Teile der Passivierungsschicht128 , um die Metall-Kontaktstellen116' freizulegen, die Teil der RDLs116 sein können. Im Ergebnis werden Öffnungen136 in der Passivierungsschicht128 ausgebildet. Das Ausbilden der Öffnungen136 kann durch Laser-Bohren erreicht werden. In einigen Ausführungsformen werden, wie in4 gezeigt ist, die Öffnungen136 nach dem Ausbilden des Abstandhalters130 ausgebildet. In alternativen Ausführungsformen werden die Öffnungen136 vor dem Ausbilden des Abstandhalters130 ausgebildet. Alternativ kann, wenn die Passivierungsschicht128 aus einem lichtempfindlichen Material wie PBO oder Polyimid ausgebildet wird, das Ausbilden der Öffnungen136 durch ein Lithographieverfahren erreicht werden, das eine Belichtung gefolgt von einem Entwicklungsschritt umfasst. In der Draufsicht der Struktur, die in4 gezeigt ist, können die Öffnungen136 an einem oder mehreren Ring(en) ausgerichtet sei, die einen mittleren Bereich der Passivierungsschicht128 umgeben, wobei der mittlere Bereich keine Öffnungen aufweist, die darin ausgebildet sind. -
5 zeigt das Ausbilden von elektrischen Anschlussteilen138 . In einigen Ausführungsformen sind die elektrischen Anschlussteile138 Lotbereiche. Somit wird ein Kugel-Anordnungsschritt ausgeführt, um Lötkugeln in die Öffnungen136 (4 ) zu tropfen, gefolgt von einem Aufschmelzverfahren, um die Lötkugeln aufzuschmelzen. In alternativen Ausführungsformen wird eine Lotschicht in jeder der Öffnungen136 plattiert und dann werden die Lotschichten in den Öffnungen136 aufgeschmolzen, um die Lotbereiche auszubilden. Die elektrischen Anschlussteile138 können auch Metallsäulen und Lotschichten (nicht gezeigt) auf den Metallsäulen umfassen. Die Metallsäulen und die Lotschichten können auch durch Plattieren oder Drucken ausgebildet werden, gefolgt von einem Aufschmelzen, um die Lotschichten zu formen. -
6 zeigt eine Schnittansicht des Gehäuses200 , das mit dem Gehäuse100 verbunden werden soll. Das Gehäuse200 wird manchmal als oberes Gehäuse bezeichnet. In einigen Ausführungsformen umfasst das Gehäuse200 ein Gehäuse-Substrat202 und einen oder mehrere Vorrichtungs-Die(s)204 , die mit dem Gehäuse-Substrat202 verbunden sind. Die Vorrichtungs-Dies204 können Speicher-Dies sein, etwa dynamische Arbeitsspeicher-(DRAM)-Dies, statische Arbeitsspeicher-(SRAM)-Dies oder Ähnliches. Die Formmasse220 kann die Vorrichtungs-Dies204 in sich formen. Die Vorrichtungs-Dies204 können identisch zu einander sein oder können sich voneinander in anderen Ausführungsformen unterscheiden. Obwohl6 zeigt, dass die Vorrichtungs-Dies204 mit dem Gehäuse-Substrat202 durch Drahtbonden verbunden sind, kann in alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung Flip-Chip-Bonden verwendet werden. Elektrische Anschlussteile238 werden auf der Oberfläche des Gehäuses200 ausgebildet. In einigen Ausführungsformen sind die elektrischen Anschlussteile238 Lotbereiche. In alternativen Ausführungsformen umfassen die elektrischen Anschlussteile238 Metallsäulen, Metall-Kontaktstellen etc. und eine Lotschicht kann, muss aber nicht, als die Oberflächenkomponenten der elektrischen Anschlussteile238 ausgebildet sein. Die Orte der elektrischen Anschlussteile238 sind gemäß den Orten der elektrischen Anschlussteile138 entworfen, so dass jeder der elektrischen Anschlussteile238 an einem der elektrischen Anschlussteile138 ausgerichtet sein kann und umgekehrt. - In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist ein Abstandhalter
230 auf einer Oberfläche des Gehäuses200 angeordnet und liegt auf der gleichen Seite des Gehäuses200 wie die elektrischen Anschlussteile238 . In alternativen Ausführungsformen wird der Abstandhalter230 nicht auf der Oberfläche des Gehäuses200 ausgebildet. Das Material und das Ausbilden des Abstandhalters230 können aus den gleichen Kandidatenmaterialien und Kandidaten-Ausbildungsverfahren zum Ausbilden des Abstandhalters130 ausgewählt sein. Zusätzlich können die Abstandhalter130 und230 aus dem gleichen Material ausgebildet sein oder können aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet sein. -
7 zeigt das Verbinden des Gehäuses100 mit dem Gehäuse200 , um das Gehäuse300 auszubilden. Das Gehäuse300 weist demnach eine Package-on-Package-(PoP)-Struktur auf, die das Gehäuse200 als oberes Gehäuse und das InFO-Gehäuse100 als unteres Gehäuse aufweist. Bei dem Verbindungsverfahren werden elektrische Anschlussteile238 (6 ) an zugehörigen Lotbereichen138 (5 ) ausgerichtet und in Kontakt mit ihnen gebracht. Ein Aufschmelzen wird dann ausgeführt, um die elektrischen Anschlussteile238 mit den elektrischen Anschlussteilen138 zu verbinden.7 zeigt, dass wenn die elektrischen Anschlussteile138 und238 Lotbereiche sind, das Aufschmelzen die Verschmelzung der elektrischen Anschlussteile138 mit den elektrischen Anschlussteilen238 und das Ausbilden von Lotbereichen38 bewirkt. - Nach dem Verbinden des Gehäuses
100 mit dem Gehäuse200 wird der Abstandhalter130 in der Lücke zwischen den Gehäusen100 und200 angeordnet. In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen ist die untere Fläche des Abstandhalters130 an dem Gehäuse100 befestigt und seine obere Fläche steht in Kontakt mit dem Gehäuse200 . In diesen Ausführungsformen ist die Dicke T1 des Abstandhalters130 gleich dem Sicherheitsabstand (engl. „standoff distance”) SD1 zwischen den Gehäusen100 und200 . In alternativen Ausführungsformen weist der Abstandhalter130 eine Dicke T1' auf, die durch die gestrichelte Linie gezeigt ist, die kleiner als der Sicherheitsabstand SD1 ist. Somit ist die untere Fläche des Abstandhalters130 an dem Gehäuse100 befestigt, während die obere Fläche des Abstandhalters130 in diesen Ausführungsformen von der unteren Fläche des Gehäuses200 durch eine Lücke einen Abstand hat. -
7 zeigt weiter den funktionalen Test des Gehäuses300 . Der funktionale Test wird durch eine Fassung40 ausgeführt, die mehrere Sondenstifte42 umfasst, die gegen die Lotbereiche126 gedrückt werden. Durch die Sondenstifte42 können Eingabesignale in das Gehäuse300 geleitet werden und Ausgabesignale von dem Gehäuse300 empfangen werden. Die Fassung40 kann Federn (nicht gezeigt) umfassen, die an den Sondenstiften42 befestigt sind, so dass die Sondenstifte42 Lotbereiche126 sondieren können, die nicht koplanar sind. Die Federn (ihren jedoch auch dazu, dass Kräfte auf die Lotbereiche126 ausgeübt werden. Wie in7 gezeigt ist, werden die Parameterabschnitte des Gehäuses100 durch die Lotbereiche38 getragen und die Parameterabschnitte des Gehäuses100 geben den Kräften nicht nach, die durch die Sondenstifte42 ausgeübt werden. Der innere/mittlere Abschnitt des Gehäuses100 weist keine Lotbereiche38 auf, die ihn vor den Kräften, die durch die Sondenstifte42 ausgeübt werden, schützen. Wenn kein Abstandhalter (etwa130 ) ausgebildet wird, führt der große mittlere Raum zwischen den Gehäusen100 und200 dazu, dass der mittlere Bereich des Gehäuses100 den Kräften nachgibt, die durch die Sondenstifte42 angelegt werden. Im Ergebnis verkrümmt sich das Gehäuse100 und die gekrümmte Ebene der oberen Fläche des gekrümmten Gehäuses100 ist als gestrichelte Linie44 schematisch gezeigt. Die unteren Punkte der Lotbereiche126 sind dann in einer Eben, die gekrümmt ist, wobei die Eben durch die gestrichelte Linie46 gezeigt ist. Somit haben einige der Sondenstifte42 einen schlechten Kontakt mit den zugehörigen Lotbereichen126 . Dies kann dazu führen, dass einige der guten Gehäuse300 fälschlicherweise in dem funktionalen Test durchfallen. - In den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung trägt, da der Abstandhalter
130 ausgebildet wird, der Abstandhalter130 den mittleren Abschnitt des Gehäuses100 , so dass die Verkrümmung des Gehäuses100 , die während des funktionalen Tests hervorgerufen wird, zumindest verringert und möglicherweise beseitigt wird. - Die
8 und9 zeigen das Gehäuse300 in Übereinstimmung mit alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das Gehäuse300 in8 ähnelt dem Gehäuse300 in7 , außer dass der Abstandhalter230 (anstatt130 ) angeordnet wird, wobei der Abstandhalter230 in dem Schritt so angeordnet wird, wie in6 gezeigt ist. In diesen Ausführungsformen wird der Abstandhalter130 nicht angeordnet. Der Abstandhalter230 kann eine Dicke aufweisen, die gleich dem Sicherheitsabstand SD1 zwischen den Gehäusen100 und200 ist. Alternativ wird der Abstandhalter230 durch die gestrichelten Linien230' gezeigt, wobei der entsprechende Abstandhalter230 eine Dicke aufweist, die kleiner als der. Sicherheitsabstand SD1 zwischen den Gehäusen100 und200 ist. Somit weist der Abstandhalter230 in diesen Ausführungsformen einen Abstand von dem Gehäuse100 auf. - Das Gehäuse
300 in9 ähnelt dem Gehäuse300 in7 , außer dass beide Abstandhalter130 und230 angeordnet werden. In diesen Ausführungsformen kann der Abstandhalter130 eine gleiche Draufsicht und/oder eine gleiche Größe wie der Abstandhalter230 haben. Zumindest ein Abschnitt, und möglicherweise die Gesamtheit, des Abstandhalters130 ist an zumindest einem Abschnitt, und möglicherweise der Gesamtheit, des Abstandhalters230 ausgerichtet. Somit trägt in dem funktionalen Test zumindest ein Abschnitt des Abstandhalters230 den entsprechenden Abstandhalter130 , wenn sich das Gehäuse100 unter dem Druck der Sondenstifte42 krümmt. Die vereinigte Dicke der Abstandhalter130 und230 kann gleich dem Sicherheitsabstand SD1 zwischen den Gehäusen100 und200 sein. Somit stehen die Abstandhalter130 und230 in Kontakt mit einander. Alternativ sind die Abstandhalter130 und230 durch gestrichelte Linien gezeigt, wobei die vereinigte Dicke der Abstandhalter130 und230 kleiner als der Sicherheitsabstand SD1 zwischen den Gehäusen100 und200 ist. Somit haben die Abstandhalter130 und230 voneinander durch eine Lücke einen Abstand. - In einigen Ausführungsformen ist, wie in
7 ,8 und9 gezeigt ist, eine Unterfüllung48 in der Lücke zwischen den Gehäusen100 und200 angeordnet. Somit steht die Unterfüllung48 mit den Lotbereichen38 und dem oder den Abstandhalter(n)130 und/oder230 in Kontakt. In alternativen Ausführungsformen ist keine Unterfüllung in dem Endprodukt angeordnet, beispielsweise zu dem Zeitpunkt, an dem das Gehäuse300 beispielsweise mit einer Leiterplatte (nicht gezeigt) verbunden wird. Somit liegen der oder die Abstandhalter130 und/oder230 in einem Luftspalt in diesen Ausführungsformen. Des Weiteren kann in den Ausführungsformen, in denen die Abstandhalter130 und230 beide ausgebildet werden und eine Lücke zwischen sich haben, die Unterfüllung48 sich in die Lücke erstrecken. In alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Unterfüllung48 die Lücke zwischen den Abstandhaltern130 und230 umgeben, um einen Luftspalt zu bilden. - Die
10A bis10F zeigen die Draufsichten der Gehäuse100 oder die Untersichten des Gehäuses200 in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Das Bezugszeichen100 /200 zeigt an, dass das entsprechende. Gehäuse entweder das Gehäuse100 oder das Gehäuse200 sein kann. Elektrische Anschlussteile138 oder238 (als138 /238 gekennzeichnet) können benachbart zu den Parameterbereichen der zugehörigen Gehäuse100 /200 ausgebildet werden. In einigen Ausführungsformen sind die elektrischen Anschlussteile138 /238 an einem oder mehreren Ring(en) ausgerichtet. Ein leerer Raum verbleibt in dem mittleren Bereich des Gehäuses100 /200 , wobei Abstandhalter130 /230 in dem mittleren Bereich angeordnet sind. Der leere Raum zwischen benachbarten Abstandhaltern130 /230 wird jedoch so gesteuert, dass er nicht zu groß ist, so dass die Abstandhalter130 /230 als wirksame Träger in dem funktionalen Test dienen können. - Die
10A zeigt, dass die Abstandhalter130 und/oder230 eine X-förmige Form in der Draufsicht (oder der Untersicht) haben.10B zeigt, dass die Abstandhalter130 und/oder230 eine rechteckige Form in der Draufsicht (oder Untersicht) haben.10C zeigt, dass die Abstandhalter130 und/oder230 mehrere getrennte Abschnitte umfassen, die voneinander einen Abstand haben, wobei jeder der getrennten Abschnitte eine kreisförmige Form in der Draufsicht (oder Untersicht) hat.10D zeigt, dass die Abstandhalter130 und/oder230 einen hohlen Ring bilden. Die10E und10F zeigen, dass die Abstandhalter130 und/oder230 mehrere getrennte Abschnitte umfassen, die voneinander einen Abstand haben, wobei jeder der getrennten Abschnitte eine streifenförmige Form in der Draufsicht (oder Untersicht) hat. - Es zeigt sich, dass die wünschenswerte Größe, die wünschenswerte Position und die wünschenswerte Anzahl von Abstandhaltern
130 und230 von verschiedenen Faktoren beeinflusst werden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, die Steifigkeit des Gehäuses100 und die Größe des Raums, der von den elektrischen Anschlussteilen138 /238 umgeben ist. Daher ist das optimale Design der Abstandhalter130 und230 durch diese Faktoren beeinflusst. -
10A bis10F zeigen auch einige beispielhafte Durchkontaktierungen122 . Obwohl die10A bis10F zeigen, dass in einigen beispielhaften Ausführungsformen die Durchkontaktierungen122 an den Lotbereichen138 /238 ausgerichtet sind, können die Durchkontaktierungen122 auch an den Lotbereichen138 /238 fehlausgerichtet sein. Die Durchkontaktierungen122 können auch an einem oder mehreren Ring(en) ausgerichtet sein, die den Abstandhalter130 /230 umgeben. - Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung haben einige vorteilhafte Eigenschaften. Durch das Anordnen eines Abstandhalters zwischen einem InFO-Gehäuse und einem anderen Gehäuse kann der Abstandhalter verhindern, dass das InFO-Gehäuse während des funktionalen Tests des entsprechenden InFO-Gehäuses eine Verkrümmung aufweist. Zusätzlich wird, durch das Anordnen des Abstandhalters, die Verkrümmung des Gehäuses
300 verringert, selbst wenn es nicht in Kontakt mit den Sondenstiften steht, die in dem funktionalen Test verwendet werden. Es werden beispielsweise Probegehäuse ausgebildet, um die Wirkung der Abstandhalter auf die Verkrümmung der Gehäuse zu ermitteln. Die Probegehäuse zeigen an, dass die Gehäuse, die keine Abstandhalter umfassen, eine maximale Verkrümmung von 89 μm aufweisen, wobei die durchschnittliche Verkrümmung 63 μm beträgt. Wenn die Probegehäuse die Abstandhalter umfassen, wird die maximale Verkrümmung auf 67 μm verringert und die durchschnittliche Verkrümmung wird auf 49 μm verringert. - In Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Gehäuse (engl.: Package) ein erstes Gehäuse, das einen Vorrichtungs-Die umfasst, eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die darin formt, eine Durchkontaktierungen, die die Formmasse durchstößt, und mehrere erste RDLs und mehrere zweite RDLs auf gegenüberliegenden Seiten der Formmasse. Die Durchkontaktierung verbindet eine der mehreren ersten RDLs mit einer der mehreren zweiten RDLs. Das Gehäuse umfasst weiter ein zweites Gehäuse, das mit dem ersten Gehäuse verbunden ist, einen Abstandhalter, der in einer Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse angeordnet ist, und ein erstes elektrisches Anschlussteil und ein zweites elektrisches Anschlussteil auf gegenüberliegenden Seiten des Abstandhalters. Das erste elektrische Anschlussteil und das zweite elektrische Anschlussteil verbinden das erste Gehäuse mit dem zweiten Gehäuse. Der Abstandhalter hat von dem ersten elektrischen Anschlussteil und dem zweiten elektrischen Anschlussteil einen Abstand.
- In Übereinstimmung mit alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Gehäuse (engl.: Package) ein erstes Gehäuse, das einen Vorrichtungs-Die umfasst, eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die darin formt, mehrere Durchkontaktierungen, die die Formmasse durchstoßen, mehrere RDLs, die unter dem Vorrichtungs-Die und der Formmasse liegen und durch sie überlappt werden, und mehrere Lötkugeln, die unter den mehreren RDLs liegen und mit ihnen elektrisch verbunden sind. Das Gehäuse umfasst weiter ein zweites Gehäuse über dem ersten Gehäuse. Ein Abstandhalter ist in einer Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse angeordnet. Mehrere Lotbereiche verbinden das erste Gehäuse mit dem zweiten Gehäuse, wobei der Abstandhalter von den mehreren Lotbereichen umgeben wird.
- In Übereinstimmung mit noch alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Verfahren das Ausbilden eines ersten Gehäuses (engl.: Package), das eine dielektrische Schicht, mehrere Umverteilungsleitungen in der dielektrischen Schicht, einen Vorrichtungs-Die über den mehreren Umverteilungsleitungen und mit ihnen elektrisch verbunden, eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die darin formt, und eine Durchkontaktierung, die die Formmasse durchstößt, umfasst. Das Verfahren umfasst weiter das Anordnen eines Abstandhalters, der an einem ersten des ersten Gehäuses und eines zweiten Gehäuses befestigt wird, und das Verbinden des ersten Gehäuses mit dem zweiten Gehäuse. Der Abstandhalter liegt zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse.
- Das Vorangegangene beschreibt Merkmale von mehreren Ausführungsformen, so dass der Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann. Der Fachmann sollte anerkennen, dass er die vorliegende Offenbarung leicht als Basis verwenden kann, um andere Verfahren und Strukturen zu entwerfen oder modifizieren, um die gleichen Ziele zu erreichen und/oder die gleichen Vorteile der hier eingeführten Ausführungsformen zu realisieren. Der Fachmann sollte auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht von dem Geist und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass er verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Modifikationen hier vornehmen kann, ohne von dem Geist und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Claims (20)
- Gehäuse, das Folgendes umfasst: ein erstes Gehäuse, das Folgendes umfasst: einen Vorrichtungs-Die; eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die einbettet; eine Durchkontaktierung, die die Formmasse durchstößt; mehrere erste Umverteilungsleitungen (RDLs) und mehrere zweite RDLs auf gegenüberliegenden Seiten der Formmasse, wobei die Durchkontaktierung eine der mehreren ersten RDLs mit einer der mehreren zweiten RDLs elektrisch verbindet; ein zweites Gehäuse, das mit dem ersten Gehäuse verbunden ist; einen Abstandhalter, der in einer Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse angeordnet ist; und ein erstes elektrisches Anschlussteil und ein zweites elektrisches Anschlussteil auf gegenüberliegenden Seiten des Abstandhalters, wobei das erste elektrische Anschlussteil und das zweite elektrische Anschlussteil das erste Gehäuse mit dem zweiten Gehäuse elektrisch verbinden, wobei der Abstandhalter von dem ersten elektrischen Anschlussteil und dem zweiten elektrischen Anschlussteil einen Abstand hat.
- Gehäuse nach Anspruch 1, wobei der Abstandhalter in Kontakt mit einem ersten des ersten Gehäuses und des zweiten Gehäuses steht und wobei der Abstandhalter von einem zweiten des ersten Gehäuses und des zweiten Gehäuses einen Abstand hat.
- Gehäuse nach Anspruch 1, wobei der Abstandhalter in Kontakt mit sowohl dem ersten Gehäuse als auch dem zweiten Gehäuse steht.
- Gehäuse nach einem der vorangegangenen Ansprüche, das weiter mehrere elektrische Anschlussteile umfasst, die das erste Gehäuse mit dem zweiten Gehäuse elektrisch verbinden, wobei die mehreren elektrischen Anschlussteile zu einem Ring ausgerichtet sind, der den Abstandhalter umgibt.
- Gehäuse nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das erste Gehäuse eine Passivierungsschicht umfasst, wobei das erste elektrische Anschlussteil und das zweite elektrische Anschlussteil Lotbereiche umfassen, die die Passivierungsschicht durchstoßen, und wobei der Abstandhalter auf der Passivierungsschicht angeordnet ist.
- Gehäuse nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Abstandhalter ein Halbleitermaterial, ein Metall oder ein Glas umfasst.
- Gehäuse nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Abstandhalter ein organisches Material umfasst.
- Gehäuse, das Folgendes umfasst: ein erstes Gehäuse, das Folgendes umfasst: einen Vorrichtungs-Die; eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die einbettet; mehrere Durchkontaktierungen, die die Formmasse durchstoßen; mehrere erste Umverteilungsleitungen (RDLs), die unter dem Vorrichtungs-Die und der Formmasse liegen und von ihnen überlappt werden; und mehrere Lötkugeln, die unter den mehreren ersten RDLs liegen und mit ihnen elektrisch verbunden sind; ein zweites Gehäuse über dem ersten Gehäuse; einen Abstandhalter, der in einer Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse angeordnet ist; und mehrere Lotbereiche, die das erste Gehäuse mit dem zweiten Gehäuse verbinden, wobei der Abstandhalter von den mehreren Lotbereichen umgeben ist.
- Gehäuse nach Anspruch 8, das weiter Folgendes umfasst: mehrere zweite RDLs über der Formmasse, wobei die mehreren ersten RDLs mit den mehreren zweiten RDLs über die mehreren Durchkontaktierungen verbunden sind; und eine Passivierungsschicht, die die mehreren zweiten RDLs überlappt, wobei die mehreren Lotbereiche die Passivierungsschicht durchstoßen, um mit den mehreren zweiten RDLs verbunden zu werden.
- Gehäuse nach Anspruch 8 oder 9, wobei der Abstandhalter ein Halbleitermaterial, ein Metall oder ein Glas umfasst.
- Gehäuse nach Anspruch 8, 9 oder 10, wobei der Abstandhalter ein organisches Material umfasst.
- Gehäuse nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei der Abstandhalter von den mehreren Lotbereichen durch Lücken getrennt ist.
- Gehäuse nach einem der Ansprüche 8 bis 12, das weiter einen zusätzlichen Abstandhalter in der Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse umfasst, wobei der Abstandhalter zu dem zusätzlichen Abstandhalter ausgerichtet ist und wobei der zusätzliche Abstandhalter in Kontakt mit dem Abstandhalter ist.
- Gehäuse nach einem der Ansprüche 8 bis 12, das weiter einen zusätzlichen Abstandhalter in der Lücke zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse umfasst, wobei der Abstandhalter zu dem zusätzlichen Abstandhalter ausgerichtet ist und wobei der zusätzliche Abstandhalter von dem Abstandhalter einen Abstand hat.
- Verfahren, das Folgendes umfasst: Ausbilden eines ersten Gehäuses, das Folgendes umfasst: eine dielektrische Schicht; mehrere Umverteilungsleitungen in der dielektrischen Schicht; einen Vorrichtungs-Die über den mehreren Umverteilungsleitungen und elektrisch mit ihnen verbunden; eine Formmasse, die den Vorrichtungs-Die einbettet; und eine Durchkontaktierung, die die Formmasse durchstößt; Anordnen eines Abstandhalters, so dass er an einem ersten des ersten Gehäuses und eines zweiten Gehäuses befestigt ist; und Verbinden des ersten Gehäuses mit dem zweiten Gehäuse, wobei der Abstandhalter zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse liegt.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Anordnen des Abstandhalters Folgendes umfasst: Aufbringen eines organischen Materials, wobei das organische Material ein flüssiges Material ist; und Aushärten des organischen Materials, um den Abstandhalter in ein festes Material zu verwandeln.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Anordnen des Abstandhalters das Befestigen eines vorgeformten Abstandhalters an den ersten des ersten Gehäuses und des zweiten Gehäuses umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, das weiter vor dem Verbinden des ersten Gehäuses mit dem zweiten Gehäuse das Anordnen eines zusätzlichen Abstandhalters umfasst, der an einem zweiten des ersten Gehäuses und des zweiten Gehäuses befestigt ist, wobei nach dem Verbinden des ersten Gehäuses mit dem zweiten Gehäuse der Abstandhalter zu dem zusätzlichen Abstandhalter ausgerichtet ist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei das erste Gehäuse weiter mehrere elektrische Anschlussteile umfasst, wobei die mehreren Anschlussteile und der Vorrichtungs-Die auf unterschiedlichen Seiten der mehreren Umverteilungsleitungen liegen und wobei das Verfahren weiter Folgendes umfasst: Ausführen eines Funktions-Tests, der das Drücken von Sondenstiften einer Fassung gegen die mehreren elektrischen Anschlussteile umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, das weiter Folgendes umfasst: Anordnen einer zweiten dielektrischen Schicht über dem Vorrichtungs-Die; und Ausbilden mehrerer Lotbereiche, die die zweite dielektrische Schicht durchstoßen, wobei das Verbinden des ersten Gehäuses mit dem zweiten Gehäuse das Aufschmelzen der mehreren Lotbereiche umfasst.
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