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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Bauelement mit einem Halbleiterchip
und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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Die
Miniaturisierung ist ein anhaltender Trend in der Technologie der
Kapselung von integrierten Schaltungen in Richtung kleineren Skalen
für Halbleiterbauelemente.
Verschiedene Techniken können
verwendet werden, um kleinere Halbleiterpackages herzustellen, wie
etwa Chip-Skale-Packaging, Wafer-Level-Packaging
oder Chip-Stapeln.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement
mit einem Halbleiterchip anzugeben, das sich für die Stapelung von Bauelementen
eignet. Ferner soll ein Herstellungsverfahren für ein derartiges Bauelement
angegeben werden.
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Die
der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung wird durch die
Merkmale der unabhängigen
Patentansprüche
gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen
angegeben.
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Die
vorliegenden Zeichnungen sind aufgenommen, um ein eingehenderes
Verständnis
von Ausführungsformen
zu vermitteln, und sind in diese Beschreibung aufgenommen und stellen
einen Teil dieser dar. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsformen
und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von Prinzipien von
Ausführungsformen.
Andere Ausführungsformen
und viele der beabsichtigten Vorteile von Ausführungsformen lassen sich ohne
weiteres verstehen, wenn sie durch Be zugnahme auf die folgende ausführliche
Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen
sind relativ zueinander nicht notwendigerweise maßstabsgetreu.
Gleiche Bezugszahlen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
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1 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Bauelements mit
einem Halbleiterchip, einem Kapselungsmaterial und einem Durchgangsloch
durch das Kapselungsmaterial.
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2 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Moduls mit
zwei aufeinandergestapelten Bauelementen.
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3A bis 3M zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen eines Bauelements mit einem Träger, einem Halbleiterchip,
einem Kapselungsmaterial und einem Durchgangsloch durch das Kapselungsmaterial.
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4A bis 4K zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen eines Bauelements mit einem Halbleiterchip, einem
Kapselungsmaterial und einem Durchgangsloch durch das Kapselungsmaterial.
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5A bis 5C zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen eines Moduls mit zwei aufeinandergestapelten Bauelementen
und das Montieren des Moduls auf einer Leiterplatte.
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6 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Bauelements mit
einem Halbleiterchip, ei nem Laminatmaterial und einem Durchgangsloch
durch das Laminatmaterial.
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7 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Bauelements mit
einem Halbleiterchip, einem Träger,
einem Kapselungsmaterial und einem Durchgangsloch durch den Träger und
das Kapselungsmaterial.
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In
der folgenden ausführlichen
Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen,
die einen Teil hiervon bilden und in denen als Veranschaulichung
spezifische Ausführungsformen
gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. In
dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „Oberseite”, „Unterseite”, „Vorderseite”, „Rückseite”, „vorderer”, „hinterer” usw. unter Bezugnahme
auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Weil
Komponenten von Ausführungsformen
in einer Reihe verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird
die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet und
ist in keinerlei Weise beschränkend.
Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle
oder logische Änderungen
vorgenommen werden können,
ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die folgende ausführliche
Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinne zu verstehen,
und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die
beigefügten
Ansprüche
definiert.
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Es
versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen
Ausführungsbeispiele
miteinander kombiniert werden können,
sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist.
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Die
Ausdrücke „gekoppelt” und/oder „elektrisch
gekoppelt” sollen,
wie sie in dieser Anmeldung verwendet werden, nicht bedeuten, dass
die Elemente notwendigerweise direkt zusammengekoppelt sind; dazwischenliegende
Elemente können
zwischen den „gekoppelten” oder „elektrisch
gekoppelten” Elementen
vorgesehen sein.
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Bauelemente,
die einen oder mehrere Halbleiterchips enthalten, werden unten beschrieben.
Die Halbleiterchips können
von unterschiedlichen Typen sein, können durch verschiedene Technologien
hergestellt werden und können
beispielsweise integrierte elektrische, elektrooptische oder elektromechanische
Schaltungen oder passive Elemente enthalten. Die integrierten Schaltungen
können
beispielsweise als integrierte Logikschaltungen, integrierte Analogschaltungen,
integrierte Mischsignalschaltungen, integrierte Leistungsschaltungen,
Speicherschaltungen oder integrierte passive Elemente ausgelegt sein.
Weiterhin können
die Halbleiterchips als MEMS (mikroelektromechanische Systeme) konfiguriert sein
und können
mikromechanische Strukturen wie etwa Brücken, Membranen oder Zungenstrukturen enthalten.
Die Halbleiterchips können
als Sensoren oder Aktuatoren, beispielsweise Drucksensoren, Beschleunigungssensoren,
Drehsensoren, Magnetfeldsensoren, Elektromagnetfeldsensoren, Mikrofone
usw. konfiguriert sein. Die Halbleiterchips können als Antennen und/oder
diskrete passive Elemente und/oder Chipstapel konfiguriert sein.
Halbleiterchip, in die solche funktionalen Elemente eingebettet
sind, enthalten im Allgemeinen Elektronikschaltungen, die zum Ansteuern
der funktionalen Elemente oder zum weiteren Verarbeiten von von
den funktionalen Elementen generierten Signalen dienen. Die Halbleiterchips
brauchen nicht aus einem spezifischen Halbleitermaterial, beispielsweise
Si, SiC, SiGe, GaAs, hergestellt zu sein und können weiterhin anorganische und/oder
organische Materialien enthalten, die keine Halbleiter sind, wie
etwa beispielsweise diskrete passive Elemente, Antennen, Isolatoren,
Kunststoffe oder Metalle. Zudem können die Halbleiterchips gekapselt
oder ungekapselt sein.
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Die
Halbleiterchips können
Kontaktelemente (oder Kontaktpads oder Elektroden oder Kontaktflächen) aufweisen,
die das Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den in den Halbleiterchips
enthaltenen integrierten Schaltungen gestatten. Eine oder mehrere
Metallschichten können
auf den Kontaktelementen der Halbleiterchips aufgebracht sein. Die
Metallschichten können
mit einer beliebigen gewünschten
geometrischen Gestalt und mit einer beliebigen gewünschten
Materialzusammensetzung hergestellt werden. Die Metallschichten
können
beispielsweise in Form einer einen Bereich bedeckenden Schicht vorliegen.
Jedes gewünschte
Metall oder jede gewünschte
Metalllegierung, beispielsweise aus Aluminium, Titan, Gold, Silber,
Kupfer, Palladium, Platin, Nickel, Chrom oder Nickel-Vanadium, kann
als das Material verwendet werden. Die Metallschichten brauchen
nicht homogen zu sein oder nur aus einem Material hergestellt zu
sein, das heißt,
verschiedene Zusammensetzungen und Konzentrationen der in den Metallschichten
enthaltenen Materialien sind möglich.
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Die
Bauelemente können
eine oder mehrere Metallschichten enthalten. Die Metallschichten
können
beispielsweise zum Herstellen einer Umverdrahtungsschicht verwendet
werden. Die Metallschichten können
als Verdrahtungsschichten zum Herstellen eines elektrischen Kontakts
mit den Halbleiterchips von außerhalb
der Bauelemente oder zum Herstellen eines elektrischen Kontakts
mit anderen Halbleiterchips und/oder Komponenten, die in den Bauelementen
enthalten sind, verwendet werden. Die Metallschichten können mit
einer beliebigen ge wünschten geometrischen
Gestalt und mit einer beliebigen gewünschten Materialzusammensetzung
hergestellt werden. Die Metallschichten können beispielsweise aus Leiterbahnen
bestehen, können
aber auch in der Form einer einen Bereich bedeckenden Schicht vorliegen.
Beliebige gewünschte
Metalle, beispielsweise Kupfer, Aluminium, Nickel, Palladium, Silber,
Zinn oder Gold, Metalllegierungen oder Metallstapel können als
das Material verwendet werden. Die Metallschichten brauchen nicht
homogen oder aus nur einem Material hergestellt zu sein, das heißt, verschiedene
Zusammensetzungen und Konzentrationen der in den Metallschichten
enthaltenen Materialien sind möglich.
Weiterhin können
die Metallschichten über oder
unter oder zwischen elektrisch isolierenden Schichten angeordnet
sein.
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Die
Halbleiterchips können
auf Trägern
platziert werden. Die Träger
können
von beliebiger Gestalt oder Größe sein
und aus einem beliebigen Material bestehen. Während der Fabrikation der Bauelemente
können
die Träger
miteinander verbunden sein. Die Träger können auch aus einem Stück hergestellt
werden. Die Träger
können
untereinander durch Verbindungsmittel verbunden werden, mit dem Zweck,
einige der Träger
im Verlauf der Fabrikation zu trennen. Die Trennung der Träger kann
durch mechanisches Sägen,
einen Laserstrahl, Schneiden, Stanzen, Fräsen, Ätzen oder ein beliebiges anderes angebrachtes
Verfahren ausgeführt
werden. Die Träger
können
elektrisch leitend sein. Sie können
beispielsweise vollständig
aus Metallen oder Metalllegierungen, beispielsweise Kupfer, Kupferlegierungen,
Eisen-Nickel, Aluminium, Aluminiumlegierungen oder anderen angebrachten
Materialien hergestellt werden. Die Träger können beispielsweise ein Systemträger (Leadframe)
oder ein Teil eines Systemträgers
sein. Weiterhin können
die Träger
mit einem elektrisch leitenden Material elektroche misch beschichtet
werden, beispielsweise Kupfer, Silber, Eisen-Nickel oder Nickelphosphor.
Es kann auch vorgesehen werden, dass die Träger während der Produktion der Bauelemente
von den Bauelementen entfernt werden.
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Die
Bauelemente können
ein Kapselungsmaterial enthalten, das elektrisch isolieren kann.
Das Kapselungsmaterial kann einen beliebigen Bruchteil einer beliebigen
Anzahl von Oberflächen
der Komponenten des Bauelements bedecken. Das Kapselungsmaterial
kann verschiedenen Funktionen dienen. Es kann beispielsweise verwendet
werden, um Komponenten des Bauelements elektrisch voneinander und/oder
von externen Komponenten zu isolieren, doch kann das Kapselungsmaterial
auch als eine Plattform zum Montieren von anderen Komponenten, beispielsweise
Verdrahtungsschichten, verwendet werden. Das Kapselungsmaterial
kann auch zum Herstellen von Packages (Gehäusen, Kapselungen) vom Fan-Out-Typ
verwendet werden. Bei einem Package vom Fan-Out-Typ befinden sich
mindestens einige der externen Kontaktelemente und/oder Leiterbahnen,
die den Halbleiterchip mit den externen Kontaktelementen verbinden,
seitlich außerhalb
des Umrisses des Halbleiterchips oder schneiden zumindest den Umriss
des Halbleiterchips. Somit wird bei Packages vom Fan-Out-Typ ein
peripher äußerer Teil des
Package des Halbleiterchips in der Regel (zusätzlich) dazu verwendet, das
Package elektrisch mit externen Anwendungen wie etwa Anwendungsplatinen
usw. zu verbinden. Dieser äußere Teil
des Package, der den Halbleiterchip umgibt, vergrößert effektiv
den Kontaktbereich des Package bezüglich des „Footprint” des Halbleiterchips (Anordnung
der Kontaktelemente auf dem Halbleiterchip), was zu gelockerten
Einschränkungen
im Hinblick auf Package-Padgröße und -teilung
bezüglich
späterer
Verarbeitung führt,
zum Beispiel der Montage auf der zweiten Ebene.
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Das
Kapselungsmaterial kann unter Einsatz verschiedener Techniken auf
den Komponenten des Bauelements abgeschieden werden. Beispielsweise kann
das Kapselungsmaterial durch Drucken oder aus einer Gasphase oder
einer Lösung
oder durch Einsatz irgendeinen anderen angebrachten Verfahrens abgeschieden
werden. Das Kapselungsmaterial kann beispielsweise Silikonmaterial
enthalten oder kann ganz aus Silikon (oder polymerisierten Siloxanen
oder Polysiloxanen) bestehen. Das Kapselungsmaterial kann ein Elastizitätsmodul
von beispielsweise unter 100 MPa aufweisen. Das Kapselungsmaterial
kann thermisch leitend sein, so dass es die von den Halbleiterchips
erzeugte Wärme
abführen
kann. Es kann auch vorgesehen werden, dass die Bauelemente Kapselungsmaterial
enthalten, das thermisch isoliert.
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Weiterhin
kann es sich bei dem Kapselungsmaterial um ein entsprechendes duroplastisches, thermoplastisches
oder wärmehärtendes
Material oder Laminat (Prepreg) handeln und es kann Füllmaterialien
enthalten. Diese Art von Kapselungsmaterial kann beispielsweise
durch Formpressen, Spritzgießen,
Pulversintern, Vergießen,
Dispensieren, Jetting oder Lamination abgeschieden werden.
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Eine
oder mehrere Durchgangslöcher
können
in dem Kapselungsmaterial erzeugt werden. Die Durchgangslöcher können beispielsweise
Abschnitte einer Metallschicht exponieren (freilegen), um das Herstellen
einer elektrischen Verbindung mit der Metallschicht von außerhalb
des Bauelements zu gestatten. Die Durchgangslöcher können groß genug sein, um Lötkugeln
oder Lötabscheidungen
aufzunehmen. Dies kann dazu verwendet werden, Bauelemente aufeinander
zu stapeln. Die Durchgangslöcher
können
beispielsweise durch Laserabtragung, Ätzen, foto lithografisches Strukturieren,
mechanisches Bohren oder irgendeinen anderen geeigneten Prozess,
der einem Fachmann bekannt ist, hergestellt werden.
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Die
unten beschriebenen Bauelemente enthalten externe Kontaktelemente,
die von beliebiger Gestalt oder Größe sein und aus einem beliebigen Material
bestehen können.
Die externen Kontaktelemente können
von außerhalb
des Bauelements zugänglich
sein und können
somit das Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den Halbleiterchips
von außerhalb
des Bauelements gestatten. Weiterhin können die externen Kontaktelemente
thermisch leiten und können
als Kühlkörper dienen,
um die von den Halbleiterchips erzeugte Wärme abzuführen. Die externen Kontaktelemente
können
aus einem beliebigen gewünschten
elektrisch leitenden Material bestehen. Die externen Kontaktelemente
können
externe Kontaktpads enthalten. Lötmaterial
kann auf den externen Kontaktpads abgeschieden werden. Das Lötmaterial
kann die Gestalt von Lötkugeln
aufweisen und kann beispielsweise aus SnPb, SnAg, SnAgCu, SnAgCuNi,
SnAu, SnCu und/oder SnBi bestehen.
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1 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht eines Bauelements 100.
Das Bauelement 100 enthält
eine Metallschicht 10, einen Halbleiterchip 11 und
ein Kapselungsmaterial 12. Die Metallschicht 10 weist
eine erste Fläche 13 und
eine zweite Fläche 14 gegenüber der
ersten Fläche 13 auf.
Der Halbleiterchip 11 weist eine erste Fläche 15 und
eine zweite Fläche 16 gegenüber der
ersten Fläche 15 auf.
Der Halbleiterchip 11 ist über der Metallschicht 10 platziert,
wobei seine erste Fläche 15 der
ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10 zugewandt ist. Weiterhin ist der Halbleiterchip 11 elektrisch
an die Metallschicht 10 gekoppelt. Das Kapselungsmaterial 12 bedeckt
die erste Fläche 13 der
Metallschicht 10 und den Halbleiterchip 11. Mindestens
ein Durchgangsloch 17 verläuft von der ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10 durch das Kapselungsmaterial 12.
Das Durchgangsloch 17 ist ungefüllt oder mindestens nicht vollständig mit
einem Material gefüllt,
so dass das Durchgangsloch 17 von außerhalb des Bauelements 100 zugänglich ist.
Weiterhin ist der Abschnitt der ersten Fläche 13 der Metallschicht 10,
der durch das Durchgangsloch 17 exponiert (freigelegt)
ist, von außerhalb
des Bauelements 100 zugänglich.
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2 zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht eines Moduls 200.
Das Modul 200 besteht aus einem ersten Bauelement 20 und
einem zweiten Bauelement 21. Das erste Bauelement 20 enthält einen
ersten Halbleiterchip 22 und mehrere erste externe Kontaktpads 23,
die elektrisch an den ersten Halbleiterchip 22 gekoppelt
sind. Das zweite Bauelement 21 enthält eine Metallschicht 10 mit
einer ersten Fläche 13 und
einen zweiten Halbleiterchip 11 mit einer ersten Fläche 15.
Der zweite Halbleiterchip 11 ist so an der Metallschicht 10 angebracht,
dass seine erste Fläche 15 der
ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10 zugewandt ist. Das zweite Bauelement 21 enthält weiterhin
ein Kapselungsmaterial, das die erste Fläche 13 der Metallschicht 10 und
den Halbleiterchip 11 bedeckt. Mehrere Durchgangslöcher 17 verlaufen von
der ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10 durch das Kapselungsmaterial 12.
Das Modul 200 enthält weiterhin
mehrere Lötbumps
(Lothöcker,
Lotdepots, Lotabscheidungen) 24, die die Metallschicht 10 elektrisch
an die ersten externen Kontaktpads 23 koppeln, wobei jeder
der Lötbumps 24 mindestens
teilweise in einem jeweiligen der Durchgangslöcher 17 platziert
ist.
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Die 3A bis 3M zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen eines Bauelements 300, das in 3M gezeigt
ist. Das Bauelement 300 ist eine Implementierung des in 1 gezeigten
Bauelements 100. Die Details des Bauelements 300,
die unten beschrieben sind, können
deshalb gleichermaßen
auf das Bauelement 100 angewendet werden. Ähnliche
oder identische Komponenten der Bauelemente 100 und 300 sind
mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet.
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Wie
in 3A gezeigt, wird ein Träger 30 bereitgestellt.
Bei dem Träger 30 kann
es sich um eine Platte oder eine Folie handeln, die aus einem starren Material
hergestellt ist, beispielsweise einem Metall oder einer Metalllegierung,
wie etwa Kupfer, Aluminium, Nickel, CuFeP, Stahl oder rostfreiem
Stahl. Der Träger 30 kann
eine flache obere Oberfläche
aufweisen, auf der später
die Halbleiterchips 11 platziert werden. Die Gestalt des
Trägers 30 ist
nicht auf eine beliebige geometrische Gestalt beschränkt, und
der Träger 30 kann
eine entsprechende Größe aufweisen.
Beispielsweise kann die Dicke des Trägers 30 im Bereich
von 50 μm
bis 1 mm liegen. Weiterhin kann der Träger 30 strukturiert
sein. Der Träger 30 kann
beispielsweise ein Systemträger
oder ein Teil eines Systemträgers
sein. Zudem kann der Träger 30 mit
einem elektrisch leitenden Material elektrochemisch beschichtet
sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Eisen-Nickel oder Nickelphosphor.
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Ein
Material 31, beispielsweise ein Klebematerial, kann auf
der oberen Oberfläche
des Trägers 30 abgeschieden
sein, wie in 3B gezeigt. Das Klebematerial 31 kann
aus einem Polymer oder einem beliebigen anderen geeigneten Material
bestehen. Das Klebematerial 31 kann Silikon, d. h. polymerisierte
Siloxane oder Polysiloxane, oder fluoriertes Silikon enthalten oder
kann ganz aus Silikon bestehen. Das Klebematerial 31 kann
weiterhin eine Mischung aus Silikon und Epoxidharz oder eine Mischung
aus Silikon und Polyimid sein. Nach dem Härten kann das Klebematerial 31 ein
Elastizitätsmodul
von unter 100 MPa, unter 50 MPa oder 20 MPa oder 10 MPa oder 5 MPa
oder 2 MPa oder 1 MPa oder 500 kPa oder 200 kPa oder 100 kPa oder
50 kPa oder 20 kPa aufweisen. Der Elastizitätsmodul ist auch als der Young'sche Modul, E-Modul
oder Zugbeanspruchung bekannt. Der Elastizitätsmodul kann definiert werden
als das Verhältnis
aus Belastung, die Druckeinheiten aufweist, zur Verformung, die
dimensionslos ist; deshalb besitzt der Elastizitätsmodul selbst Druckeinheiten.
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Der
Elastizitätsmodul
des Klebematerials 31, wie oben beschrieben, kann eine
schwimmende Montage der Halbleiterchips 11 gestatten. Wegen
der verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten des
Trägers 30 und
der Halbleiterchips 11 ist eine schwimmende Montage des
Halbleiterchips 11 erwünscht,
um die während
Temperaturzyklen induzierte mechanische Belastung zu reduzieren.
Als ein Beispiel besitzt Kupfer, aus dem der Träger 30 hergestellt
sein kann, einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
von etwa 17 × 10–6/K,
und Silizium, aus dem die Halbleiterchips 11 hergestellt
sein können,
besitzt einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
von etwa 3 × 10–6/K.
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Das
Klebematerial 31 kann eine Wärmeleitfähigkeit von beispielsweise
im Bereich zwischen 0,1 W/mK und 5 W/mK oder höher aufweisen. Alternativ kann
das Klebematerial 31 thermisch isolieren. Das Klebematerial 31 kann
ein geringes Ausgasen während
der Härtung
und eine hohe Thixotropie aufweisen. Elastosil kann für das Klebematerial 31 verwendet
werden, beispielsweise Elastosil RT705, das im Handel erhältlich ist.
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Das
Klebematerial 31 kann an jenen Plätzen der oberen Oberfläche des
Trägers 30 abgeschieden werden,
wo später
die Halbleiterchips 11 platziert werden. Das Klebematerial 31 kann
beim Abscheiden flüssig,
viskos oder wachsartig sein. Die Abscheidung des Klebematerials 31 kann
beispielsweise durch Siebdruck, Schablonendruck, Dispensieren oder
ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren durchgeführt werden.
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Wie
in 3C gezeigt, werden zwei Halbleiterchips 11 sowie
möglicherweise
weitere Halbleiterchips über
den Inseln des auf dem Träger 30 abgeschiedenen
Klebematerials 31 platziert. Wenngleich die Inseln aus
dem Klebematerial 31 und die Halbleiterchips 11 in 3C die
gleichen Flächeninhalte aufweisen,
können
ihre Flächeninhalte
verschieden sein. Die Halbleiterchips 11 können in
einem Array angeordnet sein. Weiterhin kann ein beliebiges geeignetes
Array von Halbleiterchips 11 auf dem Träger 30 platziert werden
(in 3C sind nur zwei der Halbleiterchips 11 gezeigt).
Beispielsweise können auf
dem Träger 30 mehr
als 50 oder 500 oder 1000 Halbleiterchips 11 platziert
werden. Die Halbleiterchips 11 werden mit einem größeren Abstand,
als sie sich in dem Wafer-Verbund
befunden haben, auf dem Träger 30 umgesetzt.
Die Halbleiterchips 11 können auf dem gleichen Halbleiterwafer
hergestellt worden sein, können
aber alternativ auf verschiedenen Wafern hergestellt worden sein.
Weiterhin können
die Halbleiterchips 11 physisch identisch sein, können aber
auch verschiedene integrierte Schaltungen enthalten und/oder andere
Komponenten darstellen und/oder können verschiedene Außenabmessungen und/oder
Geometrien aufweisen. Die Halbleiterchips 11 können eine
Dicke im Bereich zwischen 50 μm und
mehreren hundert Mikrometern aufweisen. Die Halbleiterchips 11 können so
auf dem Träger 30 platziert
sein, dass ihre ersten Flächen 15 von
dem Träger 30 wegweisen
und ihre zweiten Flächen 16 gegenüber den
ersten Flächen 15 zum
Träger 30 hinweisen.
Die ersten und zweiten Flächen 15, 16 können die
Haupto berflächen
der Halbleiterchips 11 sein. Die ersten Flächen 15 können aktive
Hauptflächen 15 der
Halbleiterchips 11 sein, auf denen sich Kontaktpads 32 befinden
können.
Die in den Halbleiterchips 11 eingebetteten integrierten
Schaltungen können über die
Kontaktpads 32, die aus einem Metall, beispielsweise Aluminium
oder Kupfer, hergestellt sein können,
elektrisch zugänglich
sein.
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Eine
Pick-and-Place-Anlage (Aufnehm-und-Absetz-Anlage) kann verwendet
werden, die in der Lage ist, die Halbleiterchips 11 aufzugreifen und
sie auf dem Klebematerial 31 zu platzieren. Die Halbleiterchips 11 können in
das Klebematerial 31 gedrückt werden.
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Nach
der Platzierung der Halbleiterchips 11 kann das Klebematerial 31 durch
eine Wärmebehandlung
bei moderaten Temperaturen, beispielsweise Temperaturen von weniger
als 200°C
oder 140°C oder
100°C mehrere
Minuten lang gehärtet
werden. Die Wärmebehandlung
kann durch Einsatz einer Heizplatte oder eines Ofens ausgeführt werden.
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Um
die Positionen und Winkel der auf dem Träger 30 platzierten
Halbleiterchips 11 zu speichern, kann eine Fotoabbildung
ausgeführt
werden. Je nach der Genauigkeit des zum Platzieren der Halbleiterchips 11 verwendeten
Positionierungssystems ist die Fotoabbildung möglicherweise nicht erforderlich.
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Vor
der Abscheidung des Kapselungsmaterials 12 kann ein Nivellierungsprozess
ausgeführt
werden, um die ersten Flächen 15 der
Halbleiterchips 11 auszurichten. Dazu kann ein weiterer
Träger,
beispielsweise ein Wafer, auf die Halbleiterchips 11 gedrückt werden.
Der Nivellierungsprozess kann vor oder nach dem Härten des
Klebematerials 31 durchgeführt werden.
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Wie
in 3D gezeigt, wird das Kapselungsmaterial 12 auf
den Halbleiterchips 11 und den exponierten (freiliegenden)
Oberflächen
des Trägers 30 abgeschieden.
Die Lücken
zwischen den Halbleiterchips 11 werden ebenfalls mit dem
Kapselungsmaterial 12 gefüllt. Die Höhe d1 des
Kapselungsmaterials 12 über
den ersten Flächen 15 der
Halbleiterchips 11 kann mindestens 10 μm und etwa 30 μm betragen. Das
Kapselungsmaterial 12 kann nach seiner Abscheidung planare
Sektionen auf seiner oberen Oberfläche liefern, die planparallel
zu der oberen Oberfläche
des Trägers 30 sind.
Diese planaren Oberflächen
können
zum Montieren von anderen Komponenten wie etwa einer Umverdrahtungsschicht
verwendet werden.
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Das
zum Bedecken der Halbleiterchips 11 verwendete Kapselungsmaterial 12 kann
elektrisch isolierend und aus einem Polymer oder einem beliebigen
anderen geeigneten Material hergestellt sein. Das Kapselungsmaterial 12 kann
Silikon oder fluoriertes Silikon enthalten oder kann ganz aus Silikon bestehen.
Das Kapselungsmaterial 12 kann weiterhin eine Mischung
aus Silikon und Epoxidharz oder eine Mischung aus Silikon und Polyimid
sein. Nach dem Härten
kann das Kapselungsmaterial 12 einen Elastizitätsmodul
von unter 100 MPa, unter 50 MPa oder 20 MPa oder 10 MPa oder 5 MPa
oder 2 MPa oder 1 MPa oder 500 kPa oder 200 kPa oder 100 kPa oder
50 kPa oder 20 kPa aufweisen. Der Elastizitätsmodul kann bei etwa 3 MPa
liegen. Das Kapselungsmaterial 12 kann eine Wärmeleitfähigkeit
von beispielsweise im Bereich zwischen 0,1 W/mK und 5 W/mK oder
höher aufweisen.
Das Kapselungsmaterial 12 kann ein geringes Ausgasen während der
Härtung
und eine niedrige Thixotropie aufweisen. Elastosil kann für das Kapselungsmaterial 12 verwendet werden,
obgleich es hochthixotrop ist, beispielsweise Elastosil RT705, das
im Handel erhältlich
ist.
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Der
Elastizitätsmodul
des Kapselungsmaterials 12 wie oben beschrieben kann eine
schwimmende Montage der Halbleiterchips 11 bezüglich der
Metallfolie 10 gestatten, die später über den Halbleiterchips 11 platziert
wird. Aufgrund der verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten
der Halbleiterchips 11 und der Metallfolie 10 ist
eine schwimmende Montage des Halbleiterchips 11 gewünscht, um
die während
Temperaturzyklen induzierte mechanische Belastung zu reduzieren.
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Das
Kapselungsmaterial 12 kann während seiner Abscheidung flüssig, viskos
oder wachsartig sein. Die Abscheidung des Kapselungsmaterials 12 kann
beispielsweise durch Siebdruck, Schablonendruck, Dispensieren oder
irgendein anderes angemessenes Verfahren erfolgen.
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Das
Kapselungsmaterial 12 kann nach seiner Abscheidung durch
eine Wärmebehandlung
bei moderaten Temperaturen, beispielsweise Temperaturen von unter
120°C oder
100°C oder
80°C für mehrere
Minuten, halbgehärtet
werden. Die Wärmebehandlung
kann unter Einsatz einer Heizplatte oder eines Ofens erfolgen.
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Das
Kapselungsmaterial 12 kann strukturiert werden, um Ausschnitte
oder Durchgangslöcher 33 herzustellen,
die von der oberen Oberfläche
des Kapselungsmaterials 12 hinunter zu Kontaktpads 32 der Halbleiterchips 11 reichen,
wie in 3E gezeigt. Das Aspektverhältnis der
Durchgangslöcher 33,
das das Verhältnis
der Höhe
zu der Breite der Durchgangslöcher 33 ist,
kann von dem Verfahren abhängen,
das zum Füllen
der Durchgangslöcher 33 mit elektrisch
leitendem Material verwendet wird. Das Kapselungsmaterial 12 kann
beispielsweise durch Laserabtragung strukturiert werden. Es kann
vorgesehen wer den, dass der Durchmesser der Durchgangslöcher 33 nicht
größer als
50 μm ist,
wenn eine Laserstrukturierung verwendet wird. Die Laserstrukturierung
kann bei einer Ausführungsform
verwendet werden, wenn die Genauigkeit des zum Platzieren der Halbleiterchips 11 verwendeten
Positionierungssystems niedrig ist, und Fotoabbildung durchgeführt worden
ist, um die Positionen und Winkel der auf dem Träger 30 platzierten
Halbleiterchips 11 zu speichern. Andere Techniken zum Herstellen
der Durchgangslöcher 33 sind
chemisches Ätzen
oder fotolithografische Strukturierung, wenn das Kapselungsmaterial 12 eine
lichtempfindliche Komponente enthält. Eine weitere Alternative
besteht darin, für
die Abscheidung des Kapselungsmaterials 12 eine Drucktechnologie
zu verwenden, wie etwa Siebdruck oder Schablonendruck, und mindestens
Abschnitte der Kontaktpads 32 exponiert zu lassen, wenn
das Kapselungsmaterial 12 auf den Träger 30 und die Halbleiterchips 11 gedruckt
wird.
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Lötmaterial 34 kann
in den Durchgangslöchern 33 platziert
werden, wie in 3F gezeigt. Das Lötmaterial 34 kann
durch Siebdruck oder andere geeignete Druckverfahren aufgebracht
werden. Bei einer anderen Ausführungsform
können
vorgeformte Lötkugeln
mit Durchmessern, die nicht größer sind als
die Durchmesser der Durchgangslöcher 33, durch
Bürsten
oder Walzen in die Durchgangslöcher 33 eingefügt werden.
Weiterhin kann das Lötmaterial 34 oder
irgendein anderes elektrisch leitendes Material in die Durchgangslöcher 33 gefüllt werden,
indem Druck verwendet wird, um das Material in flüssigem Zustand
in die Durchgangslöcher 33 zu
füllen.
Es kann vorgesehen werden, dass das Lötmaterial 34 von der
oberen Oberfläche
des Kapselungsmaterials 12 vorsteht, was bedeutet, dass
das in den Durchgangslöchern 33 abgeschiedene
Lötmaterial 34 eine Höhe aufweist,
die größer ist
als die Höhe
d1. Das Lötmaterial 34 kann
aus Metalllegierungen hergestellt sein, die beispielsweise aus den
folgenden Materialien bestehen: SnPb, SnAg, SnAgCu, SnAgCuNi, SnAu,
SnCu und SnBi. Das Lötmaterial 34 kann Flussmaterial
enthalten, das eine geringe Ausgasung aufweist. Die Kontaktpads 32 der
Halbleiterchips 11 können
eine lötbare
Oberfläche
aufweisen.
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Als
eine Alternative zu dem Lötmaterial 34 können andere
elektrisch leitende Materialien, wie etwa elektrisch leitender Kleber
oder Metallteilchen (Nanoteilchen) in den Durchgangslöchern 33 abgeschieden
werden. Die Metallteilchen können
beispielsweise aus einem Metall wie etwa Silber, Gold, Kupfer, Zinn
oder Nickel bestehen. Die Abmessungen (mittlerer Durchmesser) der
Metallteilchen können
kleiner als 100 nm und bei einer Ausführungsform kleiner als 50 nm
oder 10 nm sein. Es kann auch vorgesehen sein, dass nur ein Bruchteil
der Metallteilchen solche Abmessungen aufweist. Beispielsweise können mindestens
10% oder 20% oder 30% oder 40% oder 50% oder 60% oder 70% der Metallteilchen
Abmessungen kleiner als 100 nm oder 50 nm oder 10 nm aufweisen.
Die anderen Metallteilchen können
größere Abmessungen
aufweisen.
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Auf
dem Kapselungsmaterial 12 kann eine Umverdrahtungsschicht
hergestellt werden. Eine Möglichkeit
zum Herstellen der Umverdrahtungsschicht besteht darin, einen standardmäßigen PCB(gedruckte
Leiterplatte)-Industrieprozessfluss zu verwenden. Wie in 3G gezeigt,
kann eine Metallschicht 10, beispielsweise eine Metallfolie,
mit ihrer ersten Fläche 13 auf
der oberen Oberfläche
der Kapselungsschicht 12 aufgebracht werden. Die Metallfolie 10 kann
aus Kupfer, Aluminium oder irgendeinem anderen Metall, irgendeiner
anderen Metalllegierung oder irgendeinem anderen Metallstapel hergestellt
sein. Die Metallfolie 10 kann lötbar sein, so dass sie sich
an Stellen, wo ein Lötprozess
durchgeführt
wird, nicht vollstän dig
auflöst.
Die Dicke der Metallfolie 10, beispielsweise eine Kupferfolie,
kann im Bereich zwischen 6 und 500 μm und insbesondere im Bereich
zwischen 8 und 200 μm
liegen. Die Metallschicht 10 kann auch aus gestapelten
Metallschichten bestehen. Beispielsweise können eine Kupferschicht, eine
Nickelschicht und eine weitere Kupferschicht aufeinander gestapelt
werden. Jede der drei Schichten kann eine Dicke von mindestens 1 μm aufweisen.
Die im Vergleich zu einer aus beispielsweise reinem Kupfer hergestellte
Folie reduzierte Dicke der gestapelten Metallschichten kann auf
die geringere Löslichkeit
von Nickel durch Lötmaterial
zurückzuführen sein.
Anstelle der Nickelschicht können
andere Metallschichten verwendet werden, die im Lötmaterial
eine geringere Löslichkeit
als Kupfer aufweisen.
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Die
Metallfolie 10 kann auf die darunter liegenden Strukturen
laminiert werden, indem Vakuum und Druck für eine Zeit ausgeübt werden,
die sich dafür
eignet, dass die Metallfolie 10 an dem Kapselungsmaterial 12 haftet.
Weiterhin kann während
der Laminierung der Metallfolie 10 Wärme einwirken. Nach dem Laminieren
der Metallfolie 10 können
Wärme und
Druck ausgeübt
werden, um das in das Kapselungsmaterial 12 eingebettete
Lötmaterial 34 zu schmelzen.
Die Temperatur kann im Bereich zwischen 200 und 400°C liegen.
Durch Schmelzen des Lötmaterials 34 wird
ein Lötprozess
initiiert, der gelötete
Verbindungen zwischen den Kontaktpads 32 der Halbleiterchips 11 und
der Metallfolie 10 erzeugt. Aufgrund der während des
Lötprozesses
einwirkenden Wärme
kann das Kapselungsmaterial 12 gehärtet werden und sich fest mit
der Metallfolie 10 verbinden. Die Metallfolie 10 kann
perforiert sein, um ein Ausgasen des Kapselungsmaterials 12 und
des Lötmaterials 34 während des
Härtens
zu gestatten.
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Wenn
elektrisch leitender Kleber anstelle des Lötmaterials 34 in den
Durchgangslöchern 33 abgeschieden
wird, kann eine Temperatur über
beispielsweise 150°C
angelegt werden, um den Kleber zu härten. Wenn Metallteilchen (Nanoteilchen)
in den Durchgangslöchern 33 abgeschieden
werden, kann eine Temperatur einwirken, die hoch genug ist, um die
Metallteilchen zu sintern. Die Temperatur kann beispielsweise höher als
150 oder 200°C
liegen und hängt
von dem Durchmesser der Metallteilchen ab.
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Auf
der Metallfolie 10 kann ein Trockenresistfilm laminiert
werden, der fotostrukturierbar ist. Durch Exposition gegenüber Licht
mit einer geeigneten Wellenlänge
können
in dem Resistfilm Vertiefungen ausgebildet werden. Dazu können ein
Laserstrahl und die während
der Fotoabbildung aufgezeichneten Daten verwendet werden. Wenn die
Genauigkeit des zum Platzieren der Halbleiterchips 11 verwendeten
Positionierungssystems hoch genug ist, kann der Resistfilm selektiv
gegenüber
dem Licht der geeigneten Wellenlänge,
das durch eine Maske emittiert wird, exponiert werden. Danach wird
der Resistfilm entwickelt, und die dadurch exponierten Abschnitte
der Metallfolie 10 werden geätzt. Danach wird der Resistfilm
abgelöst
und nur die strukturierte Metallfolie 10 bleibt auf dem
Kapselungsmaterial 12, wie in 3H gezeigt.
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Eine
Schicht 35, die aus einem Silikonmaterial und einem formbaren
elektrisch isolierenden Material bestehen kann, kann auf die strukturierte
Metallfolie 10 und die exponierten Abschnitte des Kapselungsmaterials 12 aufgebracht
werden, wie in 3I gezeigt. Die Schicht 35 kann
elektrisch isolierend und thermisch leitend sein. Die Schicht 35 kann beispielsweise
eine Dicke von etwa 20 μm
aufweisen. Die Schicht 35 kann beispielsweise durch Siebdruck
oder Schablonendruck gedruckt werden, wobei externe Kontaktpads 36 an
entsprechenden Orten offen bleiben. Die Schicht 35 kann
danach gehärtet
und gereinigt werden. Zudem kann vor der Abscheidung der Schicht 35 eine
weitere Schicht aus der Gasphase abgeschieden werden, beispielsweise
durch Sputtern. Die weitere Schicht kann aus amorphem Kohlenstoff,
beispielsweise HDMC, oder einem Keramikmaterial bestehen. Die Schicht 35 kann
verhindern, dass Lötmaterial
zwischen Leiterbahnen überbrückt und
Kurzschlüsse
erzeugt. Die Schicht 35 sorgt auch für einen Schutz vor der Umgebung.
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Die
Schicht 35 kann fotostrukturierbar sein. Durch Exposition
gegenüber
Licht mit einer geeigneten Wellenlänge und nachfolgende Entwicklung
können
in der Schicht 35 Vertiefungen ausgebildet werden, um die
externen Kontaktpads 36 zu exponieren.
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Lötmaterial 37 kann
auf den Oberflächen
der externen Kontaktpads 36, von der Schicht 35 exponiert,
aufgebracht werden, wie in 3J gezeigt.
Das Lötmaterial 37 kann
durch Drucken aufgebracht werden, beispielsweise Schablonendruck,
gefolgt von einem Wärmebehandlungsprozess,
um das Lötmaterial 37 zu
schmelzen. Das Lötmaterial
kann beispielsweise aus SnPb, SnAg, SnAgCu, SnAgCuNi, SnAu, SnCu
und/oder SnBi bestehen. Die externen Kontaktpads 36 und
das Lötmaterial 37 können später als externe
Kontaktelemente verwendet werden, um die Bauelemente 300 elektrisch
an andere Komponenten zu koppeln, beispielsweise eine PCB. Die externen
Kontaktpads 36 können
seitlich von den Kontaktpads 32 der Halbleiterchips 11 verschoben
sein. Vor dem Aufbringen des Lötmaterials 37 können die
externen Kontaktpads 36 gereinigt werden, beispielsweise
durch RIE (reaktives Ionenätzen)
oder chemische Reini gung, um Lötstoppmaterial
und/oder eingebettetes Material zu entfernen, das auf den externen
Kontaktpads 36 zurückgeblieben
ist. Anstelle des Lötmaterials 37 können andere
Materialien, beispielsweise NiAu, auf den Oberflächen der externen Kontaktpads 36 aufgebracht
werden, die eine Oxidation der externen Kontaktpads 36 verhindern.
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Vor
oder nach dem Aufbringen des Lötmaterials 37 können Durchgangslöcher 38,
die durch den Träger 30 verlaufen,
hergestellt werden, wie in 3K gezeigt.
Die Durchgangslöcher 38 können im Wesentlichen
orthogonal zu der ersten Fläche 13 der Metallfolie 10 sein.
Die Durchgangslöcher 38 exponieren
Abschnitte des Kapselungsmaterials 12. Der Durchmesser
d2 der Durchgangslöcher 38 ist nicht notwendigerweise
gleichförmig
und kann im Bereich von 200 bis 800 μm liegen, der Durchmesser d2 kann größer als
210 oder 220 oder 230 oder 240 oder 250 oder 260 oder 270 oder 280
oder 290 oder 300 μm sein.
Der Querschnitt der Durchgangslöcher 38 (parallel
zu der ersten Fläche 13 der
Metallfolie 10) kann eine beliebige geeignete Gestalt aufweisen,
beispielsweise kann er kreisförmig,
rechteckig oder quadratisch sein. Der Querschnitt jedes der Durchgangslöcher 38 kann
eine Fläche
von mindestens 3,0 × 104 oder 3,2 × 104 oder
3,4 × 104 oder 3,6 × 104 oder
3,8 × 104 oder 4,0 × 104 oder
4,5 × 104 oder 5,0 × 104 oder 5,5 × 104 oder 6,0 × 104 oder
6,5 × 104 oder 7,0 × 104 μm2 aufweisen. Die Querschnitte der Durchgangslöcher 38 können groß genug
sein, um später
Lötbumps
aufzunehmen, beispielsweise Lötkugeln.
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Der
Träger 30 kann über ein
beliebiges angebrachtes Verfahren strukturiert werden, um die Durchgangslöcher 38 herzustellen,
beispielsweise durch Ätzen,
einen Stanzprozess, Laserabtragung, mechanisches Bohren. Beispielsweise
kann ein trockener fotostrukturierbarer Resistfilm auf den Träger 30 laminiert werden.
Vertiefungen können
in den Resistfilm durch Exposition zu Licht mit einer geeigneten
Wellenlänge
ausgebildet werden. Dazu kann ein Laserstrahl verwendet werden,
oder der Resistfilm kann selektiv zu dem Licht der geeigneten Wellenlänge, das
durch eine Maske emittiert wird, exponiert werden. Danach wird der
Resistfilm entwickelt, und die dadurch exponierten Abschnitte des
Trägers 30 werden
geätzt.
Danach wird der Resistfilm abgelöst und
nur der strukturierte Träger 30 bleibt
zurück,
wie in 3K gezeigt. Die Umverdrahtungsschicht
kann während
des Ätzprozesses
beispielsweise dadurch geschützt
werden, dass der Ätzprozess
nur auf einer Seite des Bauelements 300 durchgeführt wird.
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Durchgangslöcher 39 können in
dem Kapselungsmaterial 12 an Plätzen hergestellt werden, wo das
Kapselungsmaterial 12 durch die Durchgangslöcher 38 exponiert
worden ist, wie in 3L gezeigt. Die Durchgangslöcher 39 können beispielsweise
im Wesentlichen orthogonal zu der ersten Fläche 13 der Metallfolie 10 verlaufen
und können
Abschnitte der ersten Fläche 13 der
Metallfolie 10 exponieren. Der Durchmesser d3 der
Durchgangslöcher 39 ist
nicht notwendigerweise gleichförmig
und kann im Bereich von 200 bis 800 μm liegen, der Durchmesser d3 kann größer als
210 oder 220 oder 230 oder 240 oder 250 oder 260 oder 270 oder 280
oder 290 oder 300 μm sein.
Der Querschnitt der Durchgangslöcher 39 (parallel
zu der ersten Fläche 13 der
Metallfolie 10) kann eine beliebige geeignete Gestalt aufweisen,
beispielsweise kann er kreisförmig,
rechteckig oder quadratisch sein. Der Querschnitt jedes der Durchgangslöcher 39 kann
eine Fläche
von mindestens 3,0 × 104 oder 3,2 × 104 oder
3,4 × 104 oder 3,6 × 104 oder
3,8 × 104 oder 4,0 × 104 oder
4,5 × 104 oder 5,0 × 104 oder 5,5 × 104 oder 6,0 × 104 oder
6,5 × 104 oder 7,0 × 104 μm2 aufweisen. Die Querschnitte der Durchgangslöcher 39 können groß genug
sein, um später
Lötbumps
aufzunehmen, beispielsweise Lötkugeln.
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Die
Durchgangslöcher 39 können durch
einen Laserstrahl oder durch ein beliebiges anderes angemessenes
Verfahren hergestellt werden. Im Fall der Laserabtragung kann der
Laserabtragungsprozess durch die Metallfolie 10 gestoppt
werden. Nach der Herstellung der Durchgangslöcher 38 und 39 können die
dadurch exponierten Abschnitte der ersten Fläche 13 der Metallfolie 10 gereinigt
werden, indem beispielsweise RIE oder chemische Reinigung verwendet
wird, um eingebettetes Material zu entfernen, das auf den exponierten
Abschnitten der Metallfolie 10 zurückgeblieben ist.
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Der
Durchmesser d2 der Durchgangslöcher 38 kann
gleich dem Durchmesser d3 der Durchgangslöcher 39 sein,
oder der Durchmesser d2 kann größer sein
als der Durchmesser d3. Im letzteren Fall kann
jedes der Durchgangslöcher 39 bezüglich des jeweiligen
Durchgangslochs 38 zentriert sein. Der größere Durchmesser
d2 der Durchgangslöcher 38 kann verhindern,
dass Lötmaterial
in Kontakt mit dem elektrisch leitenden Träger 30 kommt, nachdem
Lötbumps
in den Durchgangslöchern 38, 39 platziert sind.
Ein derartiger Kurzschluss kann auch vermieden werden, indem die
Durchgangslöcher 38 und/oder 39 mit
einer elektrisch isolierenden Lötstoppschicht
beschichtet werden. Im Allgemeinen sind die Durchgangslöcher 38, 39 ungefüllt oder
mindestens nicht vollständig
gefüllt,
so dass exponierte Abschnitte der ersten Fläche 13 der Metallfolie 10 von
außerhalb
des Bauelements 300 zugänglich sind.
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Wie
in 3M gezeigt, werden die Bauelemente 300 voneinander
getrennt, indem der Träger 30,
das Kapselungsmaterial 12 und die Umverdrahtungsschicht
beispielsweise durch Sägen,
Schneiden, Laserabtragung oder Ätzen
getrennt werden.
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Die
durch das obenbeschriebene Verfahren hergestellten Bauelemente 300 sind
Packages vom Fan-Out-Typ. Das Kapselungsmaterial 12 gestattet, dass
sich die Umverdrahtungsschicht über
den Umriss des Halbleiterchips 11 hinaus erstreckt. Die
externen Kontaktelemente 36, 37 brauchen deshalb nicht
innerhalb des Umrisses des Halbleiterchips 11 angeordnet
sein, sondern können über einen
größeren Bereich
verteilt sein. Der vergrößerte Bereich,
der für
eine Anordnung der externen Kontaktelemente 36, 37 infolge
des Kapselungsmaterials 12 zur Verfügung steht, bedeutet, dass
die externen Kontaktelemente 36, 37 nicht nur
in einem großen
Abstand voneinander angeordnet sein können, sondern dass gleichermaßen die
größte Anzahl
von externen Kontaktelementen 36, 37, die dort
angeordnet werden können,
im Vergleich zu der Situation höher
liegt, wenn alle externen Kontaktelemente 36, 37 innerhalb
des Umrisses des Halbleiterchips 11 angeordnet sind.
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Für einen
Fachmann ist es offensichtlich, dass die in 3M gezeigten
Bauelemente 300 und die Herstellung davon wie oben beschrieben
nur als ein Ausführungsbeispiel
gedacht sind und viele Variationen möglich sind. Beispielsweise
können
weitere Halbleiterchips oder passive Elemente von unterschiedlichen
Typen in dem gleichen Bauelement 300 enthalten sein. Die
Halbleiterchips und passiven Elemente können hinsichtlich Funktion,
Größe, Herstellungstechnologie
usw. differieren. Zudem kann die Umverdrahtungsschicht mehr als
eine Metallschicht enthalten.
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Bei
der oben beschriebenen und in 3A bis 3M gezeigten
Ausführungsform
wird das in den Durchgangslöchern 33 abge schiedene
Lötmaterial 34 nach
der Laminierung der Metallfolie 10 geschmolzen. Das Lötmaterial 34 kann
geschmolzen werden, wenn das auf den externen Kontaktpads 36 abgeschiedene
Lötmaterial 37 geschmolzen
wird, das heißt,
nach der Abscheidung des Lötmaterials 34 wird
seine Schmelztemperatur erst erreicht, wenn das Lötmaterial 37 geschmolzen
wird. Wenn elektrisch leitender Kleber oder Metallteilchen anstelle des
Lötmaterials 34 verwendet
werden, wird der elektrisch leitende Kleber gehärtet oder die Metallteilchen werden
gesintert, wenn das Lötmaterial 37 geschmolzen
wird.
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Gemäß einer
Ausführungsform
kann das auf den Halbleiterchips 11 abgeschiedene Kapselungsmaterial 12 von
dem Kapselungsmaterial 12 verschieden sein, das auf den
exponierten Abschnitten des Trägers 30 abgeschieden
ist und die Seitenflächen
der Halbleiterchips 11 bedeckt. Die beiden Kapselungsmaterialien 12 können beispielsweise
hinsichtlich ihres Elastizitätsmoduls
und/oder ihrer Wärmeleitfähigkeit
und/oder ihrer Thixotropie differieren.
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Gemäß einer
Ausführungsform
kann das Kapselungsmaterial 12 unter Verwendung von zwei Abscheidungsprozessen
abgeschieden werden. Bei einem ersten Prozess wird das Kapselungsmaterial 12 auf
den exponierten Teilen des Trägers 30 derart abgeschieden,
dass die obere Oberfläche
des Kapselungsmaterials 12 und die ersten Flächen 15 des Halbleiterchips 11 eine
im Wesentlichen gemeinsame Ebene bilden. Bei einem zweiten Prozess
wird eine Schicht aus dem Kapselungsmaterial 12 mit einer
Dicke d1 auf dem zuvor abgeschiedenen Kapselungsmaterial 12 und
den Halbleiterchips 11 abgeschieden. Bei einer weiteren
Ausführungsform
wird in dem ersten Prozess das Kapselungsmaterial 12 auf den
exponierten Teilen des Trägers 30 derart
abgeschieden, dass das Kapselungsmaterial 12 um etwa die
Höhe d1 höher
ist als die Halbleiterchips 11. Bei dem zweiten Prozess
wird das Kapselungsmaterial 12 nur auf den ersten Flächen 15 der
Halbleiterchips 11 abgeschieden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
werden nach der Abscheidung des Kapselungsmaterials 12 keine Durchgangslöcher 33 in
dem Kapselungsmaterial 12 erzeugt, wie in 3E gezeigt,
sondern die Metallfolie 10 wird auf die obere Oberfläche des
Kapselungsmaterials 12 laminiert und strukturiert. Nach
dem Strukturieren der Metallfolie 10 kann das Kapselungsmaterial 12 strukturiert
werden, um die Durchgangslöcher 33 zu
erzeugen. Danach kann das Lötmaterial 34 in
den Durchgangslöchern 33 platziert werden
und kann geschmolzen werden, um zwischen den Kontaktpads 32 der
Halbleiterchips 11 und der Metallfolie 10 eine
elektrische Verbindung herzustellen. Als Alternative zu dem Lötmaterial 34 kann elektrisch
leitendes Klebematerial in den Durchgangslöchern 33 platziert
werden. Weiterhin können anstelle
des Lötmaterials 34 Nanopasten,
die aus Metallteilchen wie etwa Kupfer oder Silber bestehen, mit
Abmessungen im Nanometerbereich verwendet werden. Während des
Aufbringens können
die Metallteilchen in einem Lösungsmittel
dispergiert sein, das später
verdampft. Die Metallteilchen werden gesintert, um elektrisch leitende
Verbindungen herzustellen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
wird nach der Herstellung der Durchgangslöcher 33, wie in 3E gezeigt,
ein elektrisch leitendes Material in den Durchgangslöchern 33 und
auf der oberen Oberfläche
des Kapselungsmaterials 12 abgeschieden, wodurch eine Umverdrahtungsschicht
gebildet wird. Das elektrisch leitende Material füllt möglicherweise die
Durchgangslöcher 33 nicht
vollständig,
sondern beschichtet nur die Wände
der Durchgangslöcher 33. Das
elektrisch leitende Material kann durch stromlose und/oder galvanische
Abscheidungsprozes se hergestellt werden. Dabei wird eine Keimschicht
zuerst stromlos auf der oberen Oberfläche des Kapselungsmaterials 12 und
den exponierten Gebieten der Kontaktelemente 32 abgeschieden.
Für die
Keimschicht, die üblicherweise
eine Dicke von weniger als 1 μm aufweist,
können
Materialien wie etwa Palladium oder Titan verwendet werden. Die
Dicke der Keimschicht kann vergrößert werden,
indem eine weitere Schicht aus einem elektrisch leitenden Material
auf der Keimschicht abgeschieden wird. Beispielsweise kann eine
Schicht aus Kupfer stromlos auf der Keimschicht abgeschieden werden.
Diese Kupferschicht kann eine Dicke von unter 1 μm aufweisen. Danach kann eine
weitere Schicht aus Kupfer galvanisch abgeschieden werden, die eine
Dicke von über
5 μm aufweisen
kann. Die stromlose Kupferabscheidung kann auch entfallen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
wird das Kapselungsmaterial 12 auf den Träger 30 aufgebracht,
bevor die Halbleiterchips 11 über dem Träger 30 platziert werden.
In diesem Fall werden die Halbleiterchips 11 in das Kapselungsmaterial 12 gedrückt.
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Die 4A bis 4K zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen eines Bauelements 400, das in 4K gezeigt
ist. Das Bauelement 400 ist eine Implementierung des in 1 gezeigten
Bauelements 100. Die Einzelheiten des Bauelements 400,
die unten beschrieben sind, können
deshalb gleichermaßen
auf das Bauelement 100 angewendet werden. Ähnliche
oder identische Komponenten der Bauelemente 100 und 400 sind
mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet.
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Zur
Herstellung des Bauelements 400 wird ein Träger 40 bereitgestellt,
wie in 4A gezeigt. Der Träger 40 kann
eine Platte sein, die aus einem starren Material hergestellt ist,
beispielsweise einem Metall wie etwa Nickel, Stahl oder rostfreiem
Stahl, einem Laminat, einem Film oder einem Materialstapel. Der
Träger 40 kann
mindestens eine flache Oberfläche
aufweisen, auf der Komponenten des Bauelements 400 platziert
werden können.
Die Gestalt des Trägers 40 ist
nicht auf irgendeine geometrische Gestalt begrenzt, beispielsweise
kann der Träger 40 rund
oder quadratisch sein. Der Träger 40 kann
eine angebrachte Größe aufweisen.
Ein Klebeband 41, beispielsweise ein doppelseitiges Klebeband,
kann auf den Träger 40 laminiert
werden, wie in 4B gezeigt.
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Wie
in 4C gezeigt, werden zwei oder mehr Halbleiterchips 11 über dem
Träger 40 platziert. Die
Halbleiterchips 11 können
auf dem Klebeband 41 so fixiert werden, dass die ersten
Flächen 15 der Halbleiterchips 11 dem
Träger 40 zugewandt
sind. Kontaktpads 32 können
auf den ersten Flächen 15 der
Halbleiterchips 11 angeordnet sein.
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Die
Halbleiterchips 11 werden in einem größeren Abstand, als sie sich
in dem Wafer-Verbund befunden haben, auf dem Träger 40 umgesetzt.
Die Halbleiterchips 11 können physisch identisch sein, können aber
auch verschiedene integrierte Schaltungen enthalten und/oder andere
Komponenten darstellen.
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Nachdem
die Halbleiterchips 11 auf dem Träger 40 montiert worden
sind, werden die Halbleiterchips 11 mit einem Kapselungsmaterial 12 bedeckt, wie
in 4D gezeigt. Das Kapselungsmaterial 12 kann
beispielsweise ein duroplastisches oder wärmehärtendes Formmaterial sein.
Auch die Lücke
zwischen den Halbleiterchips 11 werden mit dem Kapselungsmaterial 12 gefüllt. Das
Kapselungsmaterial 12 kann auf einem Epoxidmaterial basieren
und kann ein Füllmaterial
enthalten, das aus kleinen Teilchen von Glas (SiO2)
besteht, oder andere elek trisch isolierende mineralische Füllmaterialien
wie Al2O3 oder organische
Füllmaterialien.
Formpressen, Spritzgießen,
Pulversintern oder andere angemessene Ausformtechniken oder andere
Gießtechniken
können verwendet
werden, um das Kapselungsmaterial 12 aufzutragen.
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Als
eine Alternative zu dem Ausformmaterial kann anderes Polymermaterial
als das Kapselungsmaterial 12 zum Bedecken der Halbleiterchips 11 verwendet
werden. Das Polymermaterial 12 kann die Gestalt einer elektrisch
isolierenden Folie oder Lage aufweisen, die auf die Halbleiterchips 11 und
den Träger 40 laminiert
wird. Wärme
und Druck können
für eine
Zeit ausgeübt
werden, die geeignet ist, dass die Polymerfolie oder -lage 12 an
der darunter liegenden Struktur haftet. Auch die Spalte zwischen
den Halbleiterchips 11 werden mit dem Polymermaterial 12 gefüllt. Das
Polymermaterial 12 kann beispielsweise ein Prepreg (abgekürzt für vorimprägnierte
Fasern) sein, das eine Kombination aus einer Fasermatte, beispielsweise
Glas- oder Carbonfasern, und einem Harz, beispielsweise einem duroplastischen
Material, ist. Prepreg-Materialien
werden üblicherweise
zum Herstellen von PCBs (gedruckten Leiterplatten) verwendet. Wohlbekannte
Prepreg-Materialien,
die in der PCB-Industrie verwendet werden und die hier als das Polymermaterial 12 verwendet
werden können, sind:
FR-2, FR-3, FR-4, FR-5, FR-6, G-10, CEM-1, CEM-2, CEM-3, CEM-4 und CEM-5.
Prepreg-Materialien sind zweistufige Materialien, die beim Aufbringen über den
Halbleiterchips 11 flexibel sind und während einer Wärmebehandlung
gehärtet
werden. Für
die Laminierung des Prepreg können
die gleichen oder ähnliche
Prozesse wie bei der PCB-Herstellung verwendet werden.
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Die
mit dem Kapselungsmaterial 12 bedeckten Halbleiterchips 11 werden
von dem Träger 40 gelöst und das
Klebeband 41 wird von den Halbleiterchips 11 und
dem Kapselungsmaterial 12 abgezogen, wie in 4E gezeigt.
Das Klebeband 41 kann Wärmetrenneigenschaften
aufweisen, die das Entfernen des Klebebands 41 während einer
Wärmebehandlung
gestatten. Das Entfernen des Klebebands 41 von dem Träger 40 wird
bei einer angemessenen Temperatur ausgeführt, die von den Wärmetrenneigenschaften
des Klebebands 41 abhängt
und üblicherweise über 150°C liegt.
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Nach
dem Lösen
des Trägers 40 und
des Klebebands 41 bilden die ersten Flächen 15 der Halbleiterchips 11,
die zuvor an dem Träger 40 angebracht
waren, sowie die untere Oberfläche
des Kapselungsmaterials 12 eine gemeinsame planare Oberfläche 42.
Wie in 4F bis 4H gezeigt,
kann eine Umverdrahtungsschicht auf der Oberfläche 42 aufgebracht
werden.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform
enthält
die Umverdrahtungsschicht eine Metallschicht 10 und dielektrische
Schichten 43, 44. Die Umverdrahtungsschicht kann
auch weitere Metallschichten und dielektrische Schichten enthalten.
Die dielektrische Schicht 43 wird auf der planaren Oberfläche 42 abgeschieden,
wie in 4F gezeigt. Die Metallschicht 10 wird
auf der dielektrischen Schicht 43 so aufgebracht, dass
ihre erste Fläche 13 der
dielektrischen Schicht 43 zugewandt ist und elektrische
Kontakte zu den Kontaktpads 32 der Halbleiterchips 11 hergestellt
werden, wie in 4G gezeigt. Die dielektrische
Schicht 43 besitzt Öffnungen,
um diese elektrischen Kontakte herzustellen. Die dielektrische Schicht 44 wird
danach auf der dielektrischen Schicht 43 und der zweiten
Fläche 14 der
Metallschicht 10 aufgebracht, wie in 4H gezeigt.
Die dielektrische Schicht 44 wird in Bereichen geöffnet, wo
externe Kontaktpads 36 angeordnet sind.
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Die
dielektrischen Schichten 43, 44 können auf
unterschiedliche Weisen hergestellt werden. Beispielsweise können die
dielektrischen Schichten 43, 44 aus einer Gasphase
oder aus einer Lösung
abgeschieden werden oder können
auf die darunter liegende Struktur laminiert werden. Weiterhin können Dünnschichttechnologieverfahren
oder ein standardmäßiger PCB-Industrieprozessfluss
für das
Aufbringen der dielektrischen Schichten 43, 44 verwendet werden.
Jede der dielektrischen Schichten 43, 44 kann
bis zu 10 μm
dick sein. Zum Herstellen von elektrischen Kontakten können die
dielektrischen Schichten 43, 44 beispielsweise
unter Einsatz von fotolithografischen Verfahren und/oder Ätzverfahren und/oder
Lasertechniken geöffnet
werden.
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Die
Metallschicht 10 kann beispielsweise durch Metallisierung
gefolgt von einem Strukturieren der Metallschicht hergestellt werden,
um die Leiterbahnen der Verdrahtungsschicht auszubilden. Jedes gewünschte Metall,
beispielsweise Aluminium, Nickel, Palladium, Silber, Zinn, Gold
oder Kupfer, oder eine beliebige gewünschte Metalllegierung kann
als das Material verwendet werden.
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Die
Metallschicht 10 kann auch galvanisch hergestellt werden.
Dazu wird üblicherweise
zuerst eine Keimschicht, beispielsweise eine Palladiumschicht, abgeschieden,
was stromlos oder durch eine Tintenstrahldrucktechnik ausgeführt werden
kann. Die Keimschicht kann dann als eine Elektrode für die galvanische
Abscheidung einer weiteren elektrisch leitenden Schicht, beispielsweise
einer Kupferschicht, verwendet werden.
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Eine
weitere Technik, die zum Herstellen der Metallschicht 10 eingesetzt
werden kann, ist die Laserdirektstrukturierung. Im Fall der Laserdirektstrukturierung
wird eine elektrisch isolierende Polymerfolie an der gewünschten
Oberfläche
angebracht. Die Schaltungsdefinition erfolgt unter Einsatz eines
Laserstrahls, der spezielle Additive in der Polymerfolie aktiviert,
um die nachfolgende selektive elektrochemische Abscheidung zu gestatten.
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Lötbumps 37,
beispielsweise Lötkugeln
oder Löthalbkugeln,
können
auf den externen Kontaktpads 36 platziert werden, wie in 4I gezeigt.
Die Lötbumps 37 können durch
Kugelplatzierung oder eine beliebige andere angebrachte Technik
aufgebracht werden. Die dielektrische Schicht 44 kann eine
Lötstoppschicht
sein, die verhindert, dass Lot zwischen den Leiterbahnen überbrückt und
Kurzschlüsse
erzeugt. Die dielektrische Schicht 44 sorgt auch für Schutz
vor der Umgebung.
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Vor
oder nach der Platzierung der Lötbumps 37 können Durchgangslöcher 45 hergestellt
werden, die sich durch die Kapselungsschicht 12 und die
dielektrische Schicht 43 erstrecken, wie in 4J gezeigt.
Die Durchgangslöcher 45 exponieren
Abschnitte der ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10. Der Durchmesser d4 der
Durchgangslöcher 45 kann im
Bereich von 200 bis 800 μm
liegen, in einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Durchmesser
d4 größer als
210 oder 220 oder 230 oder 240 oder 250 oder 260 oder 270 oder 280
oder 290 oder 300 μm
sein. Der Querschnitt der Durchgangslöcher 45 (parallel
zu der ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10) kann eine beliebige angemessene Gestalt
aufweisen, beispielsweise kann er kreisförmig, rechteckig oder quadratisch
sein. Der Querschnitt jedes der Durchgangslöcher 45 kann eine
Fläche
von mindestens 3,0 × 104 oder 3,2 × 104 oder
3,4 × 104 oder 3,6 × 104 oder
3,8 × 104 oder 4,0 × 104 oder
4,5 × 104 oder 5,0 × 104 oder
5,5 × 104 oder 6,0 × 104 oder
6,5 × 104 oder 7,0 × 104 μm2 aufweisen. Die Querschnitte der Durchgangslöcher 45 können groß genug
sein, um später
Lötbumps
aufzunehmen, beispielsweise Lötkugeln.
Die Durchgangslöcher 45 können durch
eine beliebige angebrachte Technik hergestellt werden, beispielsweise Ätzen, einen
Stanzprozess, Laserabtragung, Fotostrukturierung oder mechanisches
Bohren. Die exponierten Abschnitte der ersten Fläche 13 der Metallschicht 10 können beispielsweise
durch RIE oder chemische Reinigung gereinigt werden, um etwaiges
eingebettetes Material, das auf diesen Oberflächen zurückgeblieben ist, zu entfernen.
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Wie
in 4K gezeigt, werden die Bauelemente 400 voneinander
getrennt, indem das Kapselungsmaterial 12 und die Umverdrahtungsschicht beispielsweise
durch Sägen,
Schneiden, Fräsen, Ätzen oder
einen Laserstrahl getrennt werden.
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Die 5A bis 5C zeigen
schematisch eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Herstellen von Modulen 500 und 501, die in 5B bzw. 5C gezeigt
sind. Die Module 500 und 501 sind Implementierungen
des in 2 gezeigten Moduls 200. Die Einzelheiten
der Module 500 und 501, die unten beschrieben
sind, können
deshalb gleichermaßen
auf das Modul 200 angewendet werden. Ähnliche oder identische Komponenten
der Module 200, 500 und 501 sind mit
den gleichen Bezugszahlen bezeichnet.
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Wie
in 5A gezeigt, werden ein Bauelement 20 und
ein Bauelement 21 bereitgestellt. Das Bauelement 20 enthält einen
Halbleiterchip 22 und mehrere, elektrisch über eine
Verdrahtungsschicht 50 an den Halbleiterchip 22 gekoppelte
externe Kontaktpads 23. Lötbumps 24 sind an
den externen Kontaktpads 23 angebracht. Weiterhin können der
Halbleiterchip 22 und andere Komponenten des Bauelements 20 in
ein Package oder Gehäuse 51 eingebettet
sein, das elektrisch isolierend sein kann. Das Bauelement 20 kann
unter Verwendung einer der oben in Verbindung mit der Herstellung
der Bauelemente 300 und 400 beschriebenen Herstellungstechnologien hergestellt
werden. Bei einer weiteren Ausführungsform
kann das Bauelement 20 beispielsweise ein BGA-Bauelement
(Ball Grid Array) oder ein beliebiges anderes Bauelement sein, das
Lötbumps
auf der Bodenseite enthält,
die für
eine externe elektrische Verbindung des Bauelements verwendet werden. Anstelle
von Lötbumps
können
beliebige andere externe Kontaktelemente an der Bodenfläche des
Bauelements 20 angebracht sein, die gestatten, dass das Bauelement 20 von
der Komponente, auf der das Bauelement 20 montiert ist,
absteht. Solche externen Kontaktelemente können beispielsweise Kupferpfosten
sein, die an die externen Kontaktpads 23 angeschlossen
sein und Lötabscheidungen
auf ihren Bodenseiten aufweisen können.
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Das
Bauelement 21 kann beispielsweise das Bauelement 100, 300 oder 400 sein.
Bei der in 5A gezeigten Ausführungsform
ist das Bauelement 21 als das Bauelement 400 verkörpert. Das Bauelement 21 enthält eine
Metallschicht 10, einen Halbleiterchip 11 und
ein Kapselungsmaterial 12. In dem Kapselungsmaterial 12 sind
Durchgangslöcher 17 ausgebildet,
um Abschnitte der ersten Fläche 13 der
Metallschicht 10 zu exponieren.
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Wie
in 5B gezeigt, ist das Bauelement 20 so
auf das Bauelement 21 gestapelt, dass die Durchgangslöcher 17 die
Lötbumps 24 aufnehmen. Die
Lötbumps 24 sind
auf den exponierten Abschnitten der ersten Fläche 13 der Metallschicht 10 platziert.
Beispielsweise kann die Höhe
h2 der Durchgangslö cher 17 mindestens
40% oder 50% oder 60% oder 80% oder 90% der Höhe h1 der
Lötbumps 24 betragen.
Weiterhin kann der Durchmesser d5 der Lötbumps 24 kleiner
oder gleich dem Durchmesser d6 der Durchgangslöcher 17 sein.
Falls das Bauelement 21 als das in 3M gezeigte
Bauelement 300 implementiert wird, entspricht jedes Durchgangsloch 17 einem
der Durchgangslöcher 38 und
dem jeweiligen Durchgangsloch 39. Falls das Bauelement 21 als
das in 4K gezeigte Bauelement 400 implementiert ist,
entspricht jedes Durchgangsloch 17 einem der Durchgangslöcher 45.
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Die
Lötbumps 24 werden
geschmolzen, um einen Lötprozess
zu initiieren, der gelötete
Verbindungen zwischen den externen Kontaktpads 23 des Bauelements 20 und
der Metallschicht 10 des Bauelements 21 produziert,
so dass die Bauelemente 20 und 21 elektrisch aneinander
gekoppelt sind. Folglich gestatten die Durchgangslöcher 17 das
Herstellen eines Moduls 500, das aus den gestapelten Bauelementen 20 und 21 mit
einer reduzierten Höhe
besteht. Es kann vorgesehen werden, dass weitere Bauelemente auf
dem Modul 500 gestapelt werden.
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Das
Modul 500 kann auf einer Leiterplatte 52 montiert
werden, beispielsweise einer PCB, wie schematisch in 5C gezeigt.
Die Lötbumps 37 des Bauelements 21 können der
Leiterplatte 52 zugewandt sein. Die Leiterplatte 52 kann
Kontaktpads 53 aufweisen, und das Modul 500 kann
unter Verwendung der Lötbumps 37 an
die Kontaktpads 53 gelötet sein.
Es kann vorgesehen werden, dass das Schmelzen der Lötbumps 24 und
das Schmelzen der Lötbumps 37 zur
gleichen Zeit durchgeführt
werden.
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Die 6 und 7 zeigen
schematisch Querschnittsansichten eines Bauelements 600 bzw. 700.
Beide Bauelemente 600 und 700 sind Implementierungen
des in 1 gezeigten Bauelements 100. Ähnliche
oder identische Komponenten der Bauelemente 100, 600 und 700 sind
somit mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet. Die Bauelemente 600 und 700 können als
das in 5A bis 5C gezeigte
Bauelement 21 verwendet werden.
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Bei
dem Bauelement 600 ist das Kapselungsmaterial 12 ein
Laminatmaterial 12, in das der Halbleiterchip 11 eingebettet
ist. Das Laminatmaterial 12 bedeckt die erste Fläche 15 und
die zweite Fläche 16 des
Halbleiterchips 11. Die Kontaktpads 32 der Halbleiterchips 11 sind über Durchverbindungen 34 elektrisch
an die strukturierte Metallschicht 10 gekoppelt. Eine strukturierte
Metallschicht 60 ist auf der anderen Seite des Laminatmaterials 12 angeordnet. Beide
strukturierten Metallschichten 10 und 60 sind durch
Durchverbindungen 61 durch das Laminatmaterial 12 elektrisch
aneinander gekoppelt. Die strukturierte Metallschicht 60 ist
mit einer elektrisch isolierenden Schicht 62 bedeckt, die
wärmeleitend
sein kann. Die Metallschichten 10, 60 und die
Durchverbindungen 34, 61 können durch stromlose und galvanische
Abscheidung eines Metalls oder über
eine beliebige andere angemessene Technik hergestellt werden. Die
Durchgangslöcher 17 verlaufen
durch das Laminatmaterial 12 und exponieren Abschnitte der
Metallschicht 10. Das Laminatmaterial 12 kann beispielsweise
ein Prepregmaterial sein wie etwa FR-2, FR-3, FR-4, FR-5, FR-6,
G-10, CEM-1, CEM-2, CEM-3, CEM-4 und CEM-5.
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Gemäß einer
Ausführungsform
können
die Metallschicht 60, die Durchverbindungen 61 und
die elektrisch isolierende Schicht 62 des Bauelements 600 auch
entfallen.
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Bei
dem Bauelement 700 wird der Halbleiterchip 11 unter
Verwendung eines Klebematerials 31 an einen Träger 30 montiert, wobei
die zweite Fläche 16 des
Halbleiterchips 11 dem Träger 30 zugewandt ist.
Die Seitenflächen
des Halbleiterchips 11 und der Träger 30 sind mit einem
Kapselungsmaterial 12 bedeckt, das das gleiche Kapselungsmaterial 12 sein kann,
wie es für
das obenbeschriebene Bauelement 300 verwendet wird. Weiterhin
können
Bumps (Höcker,
Depots) 65 auf der ersten Fläche 15 des Halbleiterchips 11 durch
das Kapselungsmaterial 12 ausgebildet werden. Die strukturierte
Metallschicht 10 kann auf dem Kapselungsmaterial 12 und
bei einer Ausführungsform
den Bumps 65 abgeschieden werden. Eine elektrisch isolierende
Schicht 35 ist auf der strukturierten Metallschicht 10 abgeschieden.
Die elektrisch isolierende Schicht 35 lässt externe Kontaktelemente 36 an
entsprechenden Orten offen. Lötkugeln 37 können auf
den auf dem Träger 30 angeordneten
externen Kontaktelementen 36 platziert werden. Weiterhin
können
Durchgangslöcher 17 durch
den Träger 30 und
das Kapselungsmaterial 12 verlaufen, um Abschnitte der
Metallschicht 10 zu exponieren.
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Die
Durchgangslöcher 17 sind
möglicherweise
nicht direkt über
den Lötkugeln 37 angeordnet.
Es kann vorgesehen werden, dass die Durchgangslöcher 17 und die Lötkugeln 37 seitlich
voneinander weg verschoben werden. Falls die Durchgangslöcher 17 und
die Lötkugeln 37 aufeinander
positioniert sind, wie in 7 gezeigt,
kann die Metallschicht 10 eine ausreichende Dicke aufweisen,
um von beiden Seiten aus gelötet
werden zu können,
oder kann aus mehreren Metallschichten bestehen.
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Wenngleich
ein bestimmtes Merkmal oder ein bestimmter Aspekt einer Ausführungsform
der Erfindung bezüglich
nur einer von mehreren Implementierungen offenbart worden sein mag,
kann außerdem
ein derartiges Merkmal oder ein derartiger Aspekt mit einem oder
mehreren anderen Merkmalen oder Aspekten der anderen Implementierungen
kombiniert werden, wie für
eine gegebene oder bestimmte Anwendung erwünscht und vorteilhaft sein
kann. Weiterhin soll in dem Ausmaß, in dem die Ausdrücke „enthalten”, „haben”, „mit” oder andere
Varianten davon entweder in der ausführlichen Beschreibung oder
den Ansprüchen
verwendet werden, solche Ausdrücke
auf eine Weise ähnlich
dem Ausdruck „umfassen” einschließend sein.
Weiterhin versteht sich, dass Ausführungsformen der Erfindung
in diskreten Schaltungen, teilweise integrierten Schaltungen oder
ganz integrierten Schaltungen oder Programmierungsmitteln implementiert
sein können.
Außerdem
ist der Ausdruck „beispielhaft” lediglich
als ein Beispiel anstatt das Beste oder Optimale gemeint. Es ist
auch zu verstehen, dass hierin dargestellte Merkmale und/oder Elemente
mit bestimmten Abmessungen relativ zueinander zum Zweck der Vereinfachung
und zum leichten Verständnis
dargestellt worden sind und dass tatsächliche Abmessungen von den
hierin dargestellten wesentlich differieren können.
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Wenngleich
hierin spezifische Ausführungsformen
dargestellt und beschrieben worden sind, versteht der Durchschnittsfachmann,
dass eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Implementierungen
für die
gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen substituiert werden
können,
ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die vorliegende Anmeldung soll alle Adaptationen oder Variationen
der hierin erörterten
spezifischen Ausführungsformen
abdecken. Deshalb soll die vorliegende Erfindung nur durch die Ansprüche und
die Äquivalente
davon beschränkt werden.