DE102006059046A1 - Verfahren und Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006059046A1 DE102006059046A1 DE102006059046A DE102006059046A DE102006059046A1 DE 102006059046 A1 DE102006059046 A1 DE 102006059046A1 DE 102006059046 A DE102006059046 A DE 102006059046A DE 102006059046 A DE102006059046 A DE 102006059046A DE 102006059046 A1 DE102006059046 A1 DE 102006059046A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- treatment liquid
- nozzle
- spray jet
- interruption means
- good
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011328 necessary treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
- B05B12/06—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for effecting pulsating flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
- B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
- H05K2203/0746—Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1492—Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1509—Horizontally held PCB
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft die nasschemische Behandlung der Oberfläche von Gut mittels gesprühter oder gespritzter Behandlungsflüssigkeit. Bei den hierzu erforderlichen Anlagen kann es sich um Tauchbadanlagen oder um Durchlaufanlagen handeln. Aus ruhenden, bewegten oder oszillierenden Düsen oder Düsenstöcken strömt die Behandlungsflüssigkeit gegen die Oberfläche des zu behandelnden Gutes. Dabei ist es das Ziel, dass bei möglichst kleiner Behandlungszeit ein präzises Behandlungsergebnis erzielt wird. Dies ist in der Praxis der Oberflächenbehandlung ein Widerspruch. Mit zunehmender Behandlungsintensität, d.h. kürzerer Behandlungszeit, nimmt die Präzision des Ergebnisses ab. Typische Anwendungsbeispiele zur Oberflächenbehandlung bestehen in der Leiterplattentechnik. Hier gibt es mehrere Prozesse, bei denen die Erfindung vorteilhaft angewendet werden kann. Als Beispiel sollen das Reinigen oder Spülen, Film- oder Resistentwickeln, Kupferätzen, Film- oder Resiststrippen und das Metallresistätzen genannt werden. Diese Verfahren erfolgen in der Regel durch Besprühen oder Bespritzen des Gutes. Dabei erfolgt der erforderliche Stoffaustausch in der Diffusionsschicht an der zu behandelnden Oberfläche. Mit zunehmendem Spritzdruck kann dieser Stoffaustausch beschleunigt werden, was die Behandlungszeit verringert. Allerdings treten dabei unerwünschte Nebeneffekte auf, die die Präzision des Behandlungsergebnisses negativ beeinflussen. Als Beispiel sei hier das Ätzen von allgemeinen Strukturen auf einem Gut, oder des Leiterbildes von Leiterplatten genannt. Die nicht zu ätzenden Bereiche sind mit einem Film oder Resist abgedeckt. Dieser Resist ist beständig gegen die Ätzflüssigkeit. Beim Sprüh- oder Spritzätzen aus Düsen oder Düsenstöcken werden nicht nur die freien Stellen des Ätzkanales zwischen den mit Resist abgedeckten Bereichen geätzt, sondern auch die Flanken des Ätzkanales. Dies bewirkt ein so genanntes Unterätzen der Resistschicht, das nur sehr begrenzt zulässig ist. Das Behandlungsergebnis der verbleibenden Strukturen bzw. Leiterzüge ist in Folge des Unterätzens letztendlich unvorhersehbar bezüglich ihrer Abmessungen und der Form der Strukturquerschnitte. Insbesondere in der Feinleitertechnik ist eine zunehmend größere und reproduzierbare Präzision der Behandlungsergebnisse erforderlich. Aus gleichen Gründen ist auch bei den anderen genannten Prozessen eine unvorhersehbare Flankenbearbeitung der Strukturen unzulässig. Im Allgemeinen wird zur Erzielung der erforderlichen Präzision der Behandlung die Behandlungszeit verringert, was jedoch aus wirtschaftlichen Gründen unerwünscht ist.
- Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Lösung der genannten Probleme bei der Behandlung von Oberflächen ist in der Druckschrift
DE 195 24 523 A1 beschrieben. In speziellen Düsen wird unter hohem Druck ein mit Kavitationsblasen behafteter Flüssigkeitsstrahl erzeugt. Der Strahl führt den erforderlichen unverbrauchten Stoff zur Diffusionsschicht an der Oberfläche des Gutes. Dort implodieren die Kavitationsblasen und bewirken den Stoffaustausch. Dieses Verfahren ist für die oben genannten Anwendungen und besonders für die Leiterplattentechnik geeignet. Der technische Aufwand, der für die Hochdruckaggregate erforderlich ist, ist jedoch sehr hoch. - Zum nasschemischen Ätzen von Strukturen beschreibt die Druckschrift
DE 31 04 522 A1 einen Inhibitor, der der Ätzlösung zugesetzt wird. Der Inhibitor bildet eine schützende Haut als Flankenschutz an den Ätzflanken der Strukturen, wodurch der seitliche Ätzangriff verringert werden soll. Dieses Verfahren erfordert für die jeweiligen Prozesse individuelle Inhibitoren, was einer allgemeinen Verbreitung entgegensteht. - Ein weiteres Verfahren zum Ätzen von unterschiedlich dicken Schichten auf den beiden Seiten eines flachen Trägergegenstandes beschreibt die Druckschrift
DE 199 08 960 C2 . Hier wird die individuelle Behandlungszeit an jeder Seite des Trägergegenstandes proportional zur Dicke der zu ätzenden Schicht eingestellt. - Dies geschieht durch zeitliche Unterbrechungen der Behandlung, wenn eine kleinere Zeit im Vergleich zur längsten erforderlichen Behandlungszeit nötig ist. Für die maximal zu bearbeitende Schichtdicke kann die Dauer der Unterbrechungen Null sein.
- In
DE 199 08 960 C2 wird in Absatz [0021] darauf hingewiesen, dass bei jeder Unterbrechung des Ätzvorganges durch die anhaftende Ätzlösung ein zeitlich begrenztes Nachätzen erfolgt. Unterbrechungszeiten, die kleiner sind als dieses Nachätzen, sind für die genannte Anwendung nicht sinnvoll. Die Verringerung der Ätzzeiten zur Anpassung an die dünnere zu ätzende Schichtdicke kann unter Beachtung der Nachätzzeit auch periodisch erfolgen. - Ein Verfahren zur Verringerung des Flankenangriffs beim Ätzen beschreibt die Druckschrift
DE 101 54 886 A1 . Der Metallabtrag erfolgt in zwei Verfahrensschritten. Zunächst wird das Metall unter Anlegen eines gepulsten elektrischen Feldes elektrolytisch abgetragen. Dieses Ätzen erfolgt bevorzugt in die Tiefe des Ätzkanales. Die Flanken werden weniger angegriffen. Für das vollständige elektrolytische Ätzen der Kanäle geht bei Erreichen einer bestimmten Tiefe der Ätzkanäle die elektrische Verbindung einzelner Strukturen verloren. Deshalb müssen die Bereiche am Boden der Ätzkanäle chemisch in einem weiteren Prozeß nachgeätzt werden, was einen zusätzlichen technischen Aufwand erfordert. - Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung vorzuschlagen, die nasschemische Prozesse zur präzisen Behandlung von Strukturen an Oberflächen bei gleichzeitig kleiner Behandlungszeit ermöglichen.
- Gelöst wird die Aufgabe durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch die Vorrichtung gemäß Patentanspruch 15. Vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Die Erfindung wird an Hand der Beispiele in den
1 bis5 detailliert beschrieben. -
1 zeigt schematisch das grundsätzliche Prinzip zur beschleunigten nasschemischen Behandlung von Oberflächen. -
2a zeigt im Ausschnitt eine erste Ausführung mit einem rotierenden Unterbrechungsmittel als Scheibe vor den Düsen. -
2b zeigt das Unterbrechungsmittel der2a im Detail. -
3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel in zwei Ansichten mit einem rotierenden Zylinder als Unterbrechungsmittel. -
4 zeigt die Abwicklung des rotierenden Zylinders der3 in zwei Ansichten. -
5 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem vibrierenden Unterbrechungsmittel in zwei Positionen desselben. - In
1 strömt aus einer Öffnung oder Düse1 ein Strahl2 der Behandlungsflüssigkeit, der von einem bewegten und mit Durchbrüchen versehenen Unterbrechungsmittel3 zerhackt, d.h. regelmäßig wiederkehrend unterbrochen wird. Der zyklisch unterbrochene Strahl gelangt als Wirkstrahl4 hydrodynamisch pulsierend an die zu behandelnde Oberfläche5 des Gutes6 . Diese Flüssigkeit wird nachfolgend Wirkflüssigkeit8 genannt. Die in den Pulspausen am Unterbrechungsmittel3 anfallende und nicht genutzte Behandlungsflüssigkeit soll als Blindflüssigkeit9 bezeichnet werden. Diese Blindflüssigkeit9 wird vom Unterbrechungsmittel3 weitgehend von der Oberfläche5 des zu behandelnden Gutes6 fern gehalten. Dies verringert anhaftende Behandlungsflüssigkeit an der Oberfläche5 des Gutes6 . Dadurch wird der dynamische Einfluß des unterbrochenen und pulsierenden Wirkstrahles4 bei der chemischen Behandlung wesentlich erhöht. Durch diesen Wirkstrahl4 wird nämlich an der zu behandelnden Oberfläche5 des Gutes6 ein ständiges Einschlagen und Durchschlagen der mit Behandlungsflüssigkeit benetzten Oberfläche5 erreicht. Diese Schlagwirkung fördert ganz entscheidend den eigentlichen nasschemischen Prozess durch die Verringerung der Dicke der Diffusionsschicht. Diese hydrodynamische Unterstützung ist für alle oben genannten Prozesse einschließlich der Spülprozesse hilfreich. Durch die Schlagwirkung ist es möglich, die Behandlungszeit nahezu zu halbieren. Dabei liegt ein wesentlicher Vorteil darin, dass die Präzision bei einer Strukturbehandlung nicht nachteilig beeinflußt wird. Dies ist sehr überraschend, weil sich bisherige Verfahren zur Beschleunigung der nasschemischen Prozesse nachteilig auf die Qualität der Behandlungsergebnisse auswirken. - Die zyklische Unterbrechung der Behandlungsstrahlen erfolgt mit einer Frequenz, die mindestens 0,5 Hz beträgt, bevorzugt 10 Hz bis 100 Hz oder größer. Das Puls/Pause Verhältnis beträgt 10:1 bis 1:10, bevorzugt 2:1 bis 1:2. Hierzu kann der Antrieb des Unterbrechungsmittels elektromotorisch, elektromagnetisch, pneumatisch, hydraulisch oder durch andere Aktorbetätigungsmittel erfolgen. Die Erfindung kann in Kombination mit anderen bekannten Maßnahmen zur Verbesserung des nasschemischen Behandlungsergebnisses kombiniert werden, z.B. mit Inhibitoren in der Behandlungsflüssigkeit.
- Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wurde z.B. beim Ätzen von Feinleitern auf Leiterplatten trotz Verringerung der bisher üblichen Behandlungszeit um 33% kein stärkeres Unterätzen des Resistes festgestellt, als dies beim Stand der Technik der Fall ist. Die Flanken in den Ätzkanälen blieben auch bei dem intensiveren Ätzen beim Einsatz des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrichtung stehen. Als Ursache hierfür wird vermutet, dass die Schlagwirkung am Boden des Ätzkanales im Gegensatz zur Wirkung an den Flanken der Strukturen sehr viel größer ist. Ferner ist anzunehmen, dass durch das pulsartige Ätzen in den Pulspausen einerseits die Behandlungsflüssigkeit nicht zur Oberfläche des Gutes strömt und andererseits die Behandlungsflüssigkeit aus den Ätzkanälen ungehindert abfließen kann. Beim darauf folgenden Ätzpuls ist die im Ätzkanal verbliebene Behandlungsflüssigkeit drucklos und der Wirkstrahl
4 durchdringt die dünnere Diffusionsschicht in einer größeren Tiefe. Besonders bei der Feinleitertechnik, der so genannten HDI Technik, erreicht die erforderliche Ätztiefe der Ätzkanäle die Breite der Leiterzüge. Dies stellt für alle Prozesse der Leiterplattentechnik eine große Herausforderung dar. Durch das pulsierende Behandeln der tiefen Strukturkanäle wird der sonst übliche seitliche Druckaufbau der Behandlungsflüssigkeit weitgehend vermieden. Dadurch werden die Flanken der Strukturen deutlich weniger nasschemisch bearbeitet als der Grund der Strukturkanäle. Damit ist es mit dem erfindungsgemäßen Verfahren möglich, bei gegebener Behandlungszeit die Präzision der nasschemischen Behandlung wesentlich zu erhöhen und/oder die Behandlungszeit wesentlich zu verringern, ohne Einbußen bei der Qualität der Behandlung in Kauf nehmen zu müssen. Der Abstand der Düsen1 zur Oberfläche5 des Gutes6 betrug bei den Ätzversuchen mit Leiterplatten 100 mm. Bei einem Druck von 3 bar betrug die Durch flussmenge der Behandlungsflüssigkeit durch jede der 30°-Kegeldüsen 1,6 Liter pro Minute. - Die
2a zeigt partiell einen rohrförmigen Sprühstock10 , der mit mindestens einer Reihe von Düsen1 ausgerüstet ist. An Stelle der Düsen können sich kostengünstig auch nur Löcher mit z.B. 0,5 mm bis 3 mm Durchmesser als Düsenöffnungen befinden. Die Behandlungsflüssigkeit strömt durch den Zulauf7 unter Druck in den Düsenstock10 ein und aus den Düsen1 unter Druck verteilt wieder aus. Der Druck kann in einem großen Bereich variieren. Abhängig vom Prozeß, den Strukturabmessungen und von der Positionierung an der Unterseite oder Oberseite des zu transportierenden Gutes kann er 1,1 bis 100 bar betragen. Vor den Düsen1 befindet sich ein rotierend gelagertes Unterbrechungsmittel als gelochte oder geschlitzte Lochscheibe11 . Die Lochscheibe11 ist mit aufgestellten Mitnehmern12 versehen, gegen die ein Teil des Strahles2 der Behandlungsflüssigkeit gerichtet ist. Dadurch wird die Lochscheibe in Rotation versetzt. Die Lochscheibe11 zerhackt den Strahl2 , so dass die Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl4 pulsförmig die Oberfläche5 des Gutes6 erreicht. Dargestellt ist eine Lochscheibe11 für je zwei Düsen1 . Die jeweils zwei Düsen1 sind entsprechend der Drehrichtung des Lochscheibe11 unterschiedlich geneigt am Düsenstock10 angeordnet, damit beide zum Antrieb der Lochscheibe beitragen. In der Lochscheibe11 befinden sich Öffnungen13 als Löcher oder Schlitze. Details der Lochscheibe11 zeigt die2b in zwei Ansichten. - Das Unterbrechungsmittel kann auch als gelochte oder geschlitzte Leiste axial vor den Düsen oder Löchern über der gesamten Länge eines Düsenstockes angeordnet sein. Die Leiste wird in axialer Richtung zyklisch zur Unterbrechung des Strahles
2 bewegt. - Die Düsenstöcke
10 können z.B. in einer Durchlaufanlage mit horizontalem oder vertikalem Transport des Gutes6 ortsfest im Abstand von z.B. 100 mm in Transportrichtung angeordnet werden. Sie können jedoch auch bewegt angeordnet sein, wie es in derartigen nasschemischen Anlagen bekannt ist. Hierzu können die erfindungsgemäßen Düsenstöcke10 zusammen mit den Unterbrechungsmitteln3 z. B. radial und/oder axial schwenkende oder oszillierende Bewegungen ausführen. Durch diese Kombinationen kann bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens u.a. der bekannte Pfützeneffekt an der Oberseite des Gutes verringert oder vermieden werden. -
3 zeigt im Ausschnitt einen weiteren Düsenstock10 mit Düsenlöchern14 , der jedoch auch mit Düsen bestückt sein könnte. Koaxial zum Düsenstock10 ist ein Zylinder15 drehbar gelagert angeordnet, der mit Schlitzen16 oder Löchern versehen ist. Die Löcher im Zylinder15 sind an dessen Umfang kongruent zu den Löchern im Düsenstock10 angeordnet. Die Schlitze16 oder Löcher sind innerhalb des Zylinders15 beidseitig mit einem Kragen17 versehen. Diese Kragen17 dienen als Angriffsfläche für die geringfügig schräg gerichteten Strahlen2 , wodurch der Zylinder in Rotation versetzt wird. Des Weiteren fangen die Kragen17 sehr vorteilhaft die Behandlungsflüssigkeit auf, die in den Pulspausen nicht an die Oberfläche5 des Gutes6 gelangen soll. Sie würde dort die Benetzung der Oberfläche des Gutes nachteiligerweise vergrößern. Die Behandlungsflüssigkeit wird seitlich aus dem Zylinder ausgeleitet. Durch geringfügige Schrägstellung des Düsenstockes10 und des Zylinders15 kann das seitliche Abfließen dieser Behandlungsflüssigkeit beschleunigt werden. Somit gelangt diese Behandlungsflüssigkeit nicht auf die Oberfläche des Gutes. Dadurch wird die Benetzung der zu behandelnden Oberfläche auf ein Mindestmaß verringert, was die beschriebene Schlagwirkung verstärkt. Diese Vorrichtung eignet sich besonders vorteilhaft zur nasschemischen Behandlung der Oberseite von Gut, wenn dieses horizontal durch eine Durchlaufanlage transportiert wird. Nicht benötigte Behandlungsflüssigkeit wird von der Oberseite des Gutes ferngehalten. - Der Zylinder kann an den Enden des Düsenstockes gelagert werden. Hierzu kann je ein Wälzlager
18 dienen, das in der jeweils verwendeten Behandlungsflüssigkeit chemisch resistent ist. Geeignet sind z.B. Kugellager aus Kunststoff oder Keramik. - Auch motorisch kann das zylinderförmige Unterbrechungsmittel ebenso wie andere Unterbrechungsmittel durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb in Bewegung versetzt werden. Dadurch wird die Drehzahl unabhängig von den physikalischen Eigenschaften der Strahlen
2 . Insbesondere lassen sich große Drehzahlen und damit eine schnellere Pulsfolge einstellen, z.B. 1000 Impulse pro Sekunde. Dadurch geht der Wirkstrahl bei hohem Druck des Zulaufes7 in eine schnelle Folge von hoch beschleunigten Tropfen der Behandlungsflüssigkeit über. Dies ist für den nasschemischen Prozess besonders wirksam. Als Motoren eignen sich wegen der rauhen Atmosphäre besonders luftgekühlte Motoren oder entsprechend geschützte Elektromotoren. - Elektrische und elektronische Steuerungsmittel der nasschemischen Anlage stellen die Prozeßparameter in Abhängigkeit der erforderlichen Behandlung des Gutes ein, einschließlich der Wahl der Unterbrechungsfrequenz und des Puls/Pause Verhältnisses des Wirkstrahles
4 . - Die
4 zeigt die Abwicklung des Zylinders15 in zwei Ansichten. Zur Stabilisierung des mit Schlitzen16 versehenen Zylinders15 können Stege19 so zwischen Düsenpositionen angeordnet werden, dass die Strahlen2 nicht behindert werden. Im die Behandlungsflüssigkeit auffangenden Bereich des Zylinders15 kann am Boden ein elastischer Werkstoff als Dämpfer20 eingelegt sein. Dieser Dämpfer20 verringert ein unkontrolliertes Spritzen der Behandlungsflüssigkeit beim Auftreffen auf die Innenwand des Zylinders. Dies beschleunigt zugleich das seitliche Abfließen der Behandlungsflüssigkeit aus dem Zylinder15 . - Die
5a und5b zeigen eine Düse1 mit einem Unterbrechungsmittel3 als vibrierendes Plättchen21 . Dieses elastische Konstruktionselement ist in einem Festpunkt23 eingespannt. Es ist so vor der Düse1 angeordnet, dass der Strahl2 das obere Ende des Plättchens21 trifft. Der Strahl wird ablenkt. Dadurch wird das Plättchen in Strahlrichtung gebogen, wodurch ein Durchlaß22 im Plättchen21 in die Strahlrichtung gelangt. Diese Situation zeigt die5b . Der Durchlaß22 gibt den Weg zur Oberfläche des Gutes6 frei. Das Gut wird von der Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl schlagartig erreicht. Zugleich geht der Staudruck auf das Plättchen21 verloren. Es geht dadurch schlagartig in die Ausgangsposition zurück, wie sie die5a zeigt. In dieser Position wird der Strahl2 der Behandlungsflüssigkeit als Blindstrahl abgelenkt und von einer Auffangrinne24 aufgefangen. Die Auffangrinne24 leitet die Behandlungsflüssigkeit, die nicht auf die Oberfläche des Gutes gelangen soll seitlich und quer zum Düsenstock ab. Deshalb eignet sich auch diese Ausführungsform der Erfindung zur beidseitigen Behandlung von Gut bei horizontalem Transport desselben. Die elastischen Eigenschaften und Abmessungen des Plättchens sowie die hydrodynamischen Bedingungen der Behandlungsflüssigkeit bestimmen die optimale Frequenz der pulsförmigen nasschemischen Behandlung. - Dieses Unterbrechungsmittel eignet sich sinngemäß mit entsprechend kleinen Abmessungen auch zum Einbau in die Düsen selbst. Mit derartig oder ähnlich ausgerüsteten Düsen wird das Ausströmen der Behandlungsflüssigkeit in den Pulspausen vermieden. Damit eignen sich diese speziellen Düsen ebenfalls zur Anordnung an der Oberseite des horizontal transportierten Gutes.
-
- 1
- Düse, Öffnung
- 2
- Strahl, Strahl der Behandlungsflüssigkeit
- 3
- Unterbrechungsmittel
- 4
- Wirkstrahl, pulsierender Strahl
- 5
- Oberfläche, die zu behandeln ist
- 6
- Gut, Behandlungsgut
- 7
- Zulauf
- 8
- Wirkflüssigkeit
- 9
- Blindflüssigkeit
- 10
- Sprühstock, Düsenstock
- 11
- Lochscheibe, rotierend
- 12
- Mitnehmer
- 13
- Öffnungen
- 14
- Düsenlöcher
- 15
- Zylinder
- 16
- Schlitze
- 17
- Kragen
- 18
- Wälzlager, Lager
- 19
- Steg
- 20
- Dämpfer
- 21
- Plättchen, vibrierend
- 22
- Durchlass
- 23
- Festpunkt
- 24
- Auffangrinne
Claims (27)
- Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (
6 ) wie zum Beispiel einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2 ) in Richtung zum Gut (6 ) transportiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3 ) so verlagert wird, dass der Spritzstrahl (2 ) diskontinuierlich auf das Gut (6 ) trifft. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Spritzstrahl (
2 ) mittels einer Düse (1 ) erzeugt wird, wobei die Behandlungsflüssigkeit auf das Unterbrechungsmittel (3 ) trifft, welches vor der Düse (1 ), innerhalb der Düse (1 ) oder nach der Düse (3 ) angeordnet ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch eine Rotation, Schwenkbewegung oder Linearbewegung erzielt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das diskontinuierliche Auftreffen des Spritzstrahls (
2 ) auf das Gut (6 ) zyklisch erfolgt, wobei eine Unterbrechungsfrequenz von mindestens 0,5 Hz, insbesondere 10 Hz bis 100 Hz, erreicht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Spritzstrahl (
2 ) mit Überdruck tropfenförmig mit bis zu 1000 Tropfen pro Sekunde gegen das Gut (6 ) strömt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der diskontinuierlich auf das Gut (
6 ) treffende Spritzstrahl (2 ) in einem Verhältnis von einer Auftreffdauer auf das Gut (6 ) zu einer Auftreffpause in einer Höhe von 10:1 bis 1:10, vorzugsweise 2:1 bis 1:2 auftrifft. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) als rotierendes, schwingendes oder vibrierendes Konstruktionselement durch die mit Überdruck ausströmende Behandlungsflüssigkeit in Rotation, Schwingung bzw. in Vibration versetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erfolgt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass flaches Gut (
6 ) einseitig oder zugleich beidseitig behandelt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass Betriebsparameter wie zum Beispiel eine Frequenz des diskontinuierlichen Ruftreffens des Spritzstrahls (
2 ) auf das Gut (6 ) oder das Verhältnis aus Auftreffdauer zu Auftreffpause des Spritzstrahls auf das Gut (6 ) durch ein Steuerungsmittel eingestellt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die nasschemische Behandlung von Leiterplatten durch Reinigung, Spülen, Filmentwickeln, Kupferätzen, Filmstrippen und Metallresistätzen erfolgt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen (
1 ) mit Schwenkeinrichtungen oder oszillierenden Einrichtungen zusammenwirken. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) Behandlungsflüssigkeit auffängt und von der zu behandelnden Oberfläche des Gutes (6 ) fernhält. - Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit mittels eines Kragens (
17 ) oder einer Auffangrinne (24 ) von der Oberfläche des Gutes ferngehalten wird. - Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (
6 ), wie zum Beispiel einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadaniage oder Durchlaufanlage, wobei mittels der Vorrichtung die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2 ) in Richtung zum Gut (6 ) transportierbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mindestens ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3 ) aufweist, welches so verlagerbar ist, dass sich der Spritzstrahl (2 ) diskontinuierlich auf das Gut (6 ) lenken lässt. - Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Spritzstrahl (
2 ) mittels einer Düse (1 ) erzeugen lässt, und das Unterbrechungsmittel (3 ), bezogen auf die Strömungsrichtung der Behandlungsflüssig keit, vor der Düse (1 ), innerhalb der Düse (1 ) oder nach der Düse (1 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch eine Rotation, Schwenkbewegung oder Linearbewegung erzielbar ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch eine Kraft erreichbar ist, welche von dem mit Überdruck strömenden Spritzstrahl (2 ) der Behandlungsflüssigkeit ausgeübt wird. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erzielbar ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) zwischen der Düse (1 ) und dem zu behandelnden Gut (6 ) angeordnet und als Zylinder (15 ) ausgebildet ist, welcher um die Düse (1 ) drehbar oder schwenkbar ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) in den Düsen (1 ) als vibrierendes oder schwingendes Konstruktionselement ausgebildet ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) als vibrierendes Plättchen (21 ) ausgebildet ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) eine rotierende und mit Öffnungen versehene Lochscheibe (11 ) ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) eine Auffangrinne (24 ) oder einen Kanal aufweist, die/der sich parallel zur zu behandelnden Oberfläche erstreckt und geeignet ist, nicht benötigte Anteile des Spritzstrahls von der Oberfläche (5 ) des Gutes (6 ) aufzufangen. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) als zyklisch bewegte Leiste mit Öffnungen ausgebildet ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (
3 ) so ausgebildet ist, dass sich Behandlungsflüssigkeit auffangen und von der zu behandelnden Oberfläche des Gutes (6 ) fernhalten lässt. - Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass sich aufgefangene Behandlungsflüssigkeit mittels eines Kragens (
17 ) oder einer Auffangrinne (24 ) von der Oberfläche des Gutes (6 ) fernhalten lässt.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) | 2006-07-25 | 2006-12-14 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
TW096126040A TWI331056B (en) | 2006-07-25 | 2007-07-17 | Method and device for a forced wet-chemical treatment of surfaces |
JP2009521103A JP5284957B2 (ja) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置 |
US12/374,889 US20090179006A1 (en) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | Method and Device for a Forced Wet-Chemical Treatment of Surfaces |
PCT/DE2007/001306 WO2008011870A1 (de) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen |
GB0901297A GB2453482B (en) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | Method of, and apparatus for, the accelerated wet-chemical treatment of surfaces |
ES200950003A ES2341700B1 (es) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | Procedimiento y dispositivo para el tratamiento quimico humedo de superficies. |
KR1020097003813A KR101096326B1 (ko) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치 |
CN2007800312571A CN101573474B (zh) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | 用于加速表面湿化学处理的方法和装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006035523 | 2006-07-25 | ||
DE102006035523.7 | 2006-07-25 | ||
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) | 2006-07-25 | 2006-12-14 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006059046A1 true DE102006059046A1 (de) | 2008-01-31 |
DE102006059046B4 DE102006059046B4 (de) | 2011-12-29 |
Family
ID=38859522
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202006018111U Expired - Lifetime DE202006018111U1 (de) | 2006-07-25 | 2006-11-29 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
DE102006059046A Expired - Fee Related DE102006059046B4 (de) | 2006-07-25 | 2006-12-14 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202006018111U Expired - Lifetime DE202006018111U1 (de) | 2006-07-25 | 2006-11-29 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090179006A1 (de) |
JP (1) | JP5284957B2 (de) |
KR (1) | KR101096326B1 (de) |
CN (1) | CN101573474B (de) |
DE (2) | DE202006018111U1 (de) |
ES (1) | ES2341700B1 (de) |
GB (1) | GB2453482B (de) |
TW (1) | TWI331056B (de) |
ZA (1) | ZA200901269B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013101629A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-08-21 | Wolfgang DAMBACHER | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104815777A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-05 | 苏州杰东纺织新材料科技有限公司 | 一种电气石负载纳米TiO2复合织物的复合装置 |
CN205393066U (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-27 | 成都京东方光电科技有限公司 | 喷淋设备 |
DE102016112797B3 (de) * | 2016-07-12 | 2017-12-21 | Eisenmann Se | Vorrichtung und Verfahren zum Maskieren von Befestigungsbohrungen in Felgen |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1468961A (en) * | 1973-09-04 | 1977-03-30 | Teledyne Ind | Spray nozzle |
US3937175A (en) * | 1973-12-26 | 1976-02-10 | American Hoechst Corporation | Pulsed spray of fluids |
US4319955A (en) * | 1980-11-05 | 1982-03-16 | Philip A. Hunt Chemical Corp. | Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut |
JPS6166938A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Bridgestone Corp | 押付け力測定方法 |
US4875067A (en) * | 1987-07-23 | 1989-10-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Processing apparatus |
JPH01142091A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Hitachi Ltd | エッチング方法および装置 |
JPH01297162A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Noritz Corp | 多機能シャワーヘッド |
DE3923405A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben |
JPH0598552A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 不織布の製法 |
JPH05226810A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Nippon Tec Kk | プリント基板のエッチング装置 |
JPH07249376A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | ブラウン管部材の脱脂洗浄方法 |
DE4416747A1 (de) * | 1994-05-12 | 1995-11-16 | Schmid Gmbh & Co Geb | Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen |
DE19524523A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-09 | Atotech Deutschland Gmbh | Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik |
JP2000104182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置 |
DE19908960C2 (de) * | 1999-03-02 | 2003-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Ätzverfahren |
JP3706770B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-10-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板メッキ装置 |
AU6202100A (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-31 | Applied Science Fiction, Inc. | Slot coating device for electronic film development |
US6375088B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-04-23 | International Business Machines Corp. | Fluid delivery device with pulsating linear discharge and fluid cleaning method |
JP4478251B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2010-06-09 | 学校法人トヨタ学園 | レーザとウォータジェットの複合加工装置 |
TW512131B (en) * | 2000-06-08 | 2002-12-01 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment |
JP2002027099A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレス電話装置 |
US6307240B1 (en) * | 2000-12-22 | 2001-10-23 | Visteon Global Technologies, Inc. | Pulsed etching manufacturing method and system |
JP2005223363A (ja) * | 2001-03-30 | 2005-08-18 | Minebea Co Ltd | Ni−Znフェライト薄膜の製造方法 |
JP3700085B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2005-09-28 | ミネベア株式会社 | フェライト薄膜の製造方法 |
US6699356B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
DE10154886A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-07-31 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen |
JP3981874B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2007-09-26 | 日立化成工業株式会社 | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
JP2004111444A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Canon Inc | Ic部品の外装樹脂の除去装置 |
US7582180B2 (en) * | 2004-08-19 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for processing microfeature workpieces |
KR100882910B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 식각장치 |
-
2006
- 2006-11-29 DE DE202006018111U patent/DE202006018111U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2006-12-14 DE DE102006059046A patent/DE102006059046B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-17 TW TW096126040A patent/TWI331056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-21 GB GB0901297A patent/GB2453482B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 US US12/374,889 patent/US20090179006A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-21 JP JP2009521103A patent/JP5284957B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 KR KR1020097003813A patent/KR101096326B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-07-21 CN CN2007800312571A patent/CN101573474B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 ES ES200950003A patent/ES2341700B1/es not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-23 ZA ZA200901269A patent/ZA200901269B/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013101629A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-08-21 | Wolfgang DAMBACHER | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
WO2014127997A2 (de) | 2013-02-19 | 2014-08-28 | Dambacher, Wolfgang | Vorrichtung und verfahren zur oberflächenbehandlung von werkstücken |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090040448A (ko) | 2009-04-24 |
GB2453482A (en) | 2009-04-08 |
CN101573474A (zh) | 2009-11-04 |
TW200821051A (en) | 2008-05-16 |
GB2453482B (en) | 2011-08-17 |
ES2341700A1 (es) | 2010-06-24 |
CN101573474B (zh) | 2013-03-27 |
DE202006018111U1 (de) | 2007-02-08 |
GB0901297D0 (en) | 2009-03-11 |
KR101096326B1 (ko) | 2011-12-20 |
JP5284957B2 (ja) | 2013-09-11 |
US20090179006A1 (en) | 2009-07-16 |
DE102006059046B4 (de) | 2011-12-29 |
ES2341700B1 (es) | 2011-08-18 |
JP2009544845A (ja) | 2009-12-17 |
ZA200901269B (en) | 2010-03-31 |
TWI331056B (en) | 2010-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0973620B2 (de) | Vorrichtung und verfahren zum reinigen oder trocknen von werkstücken | |
DE3011061C2 (de) | Verfahren zur Intensivierung von Spül- und Reinigungsprozessen für Perforationen in Formstücken in Spül- und Reinigungsautomaten | |
DE102006059046B4 (de) | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen | |
WO2008011870A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen | |
EP0399325B1 (de) | Anordnung zur Behandlung und/oder Reinigung von Gut, insbesondere von mit Bohrungen versehenen Leiterplatten (Fall A) | |
DE4031234C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von bandförmigem Behandlungsgut | |
EP0832545B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von sich in werkstücke erstreckenden löchern oder vertiefungen mit flüssigen behandlungsmitteln | |
EP0838134B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum chemischen und elektrolytischen behandeln von leiterplatten und leiterfolien | |
DE3916694A1 (de) | Anordnung zur chemischen behandlung und/oder reinigung von gut, insbesondere von mit bohrungen versehenen leiterplatten, sowie dazugehoeriges verfahren | |
DE19926084B4 (de) | Absaugvorrichtung und Vorrichtung enthaltend eine Absaugvorrichtung | |
EP1266546B1 (de) | Behandlung von schaltungsträgern mit impulsartiger anregung | |
EP2860007A1 (de) | Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen eines Stranges aus Reaktivkunststoff | |
DE102010013909A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Besprühen einer Oberfläche eines Substrates | |
DE3150946A1 (de) | "vorrichtung zum entzundern eines stahlstrangs" | |
WO2005040461A1 (de) | Verfahren und system zum selektiven beschichten von metalloberflächen | |
WO2015063080A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur bearbeitung von metallischen oberflächen mit einer ätzflüssigkeit | |
DE9011675U1 (de) | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung und Galvanisierung von plattenförmigem Material | |
EP0081167A1 (de) | Vorrichtung zur Spritzbehandlung, insbesondere zur Spritzlackierung von Gegenständen | |
WO1996038027A1 (de) | Verfahren zur behandlung von gegenständen, insbesondere von elektronischen leiterplatten, sowie vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens | |
EP0967846A2 (de) | Einrichtung zur Behandlung von Gegenständen, insbesondere Leiterplatten | |
DE19549628B4 (de) | Waschverfahren eines Halbleitersubstrats | |
DE4433037A1 (de) | Verfahren zur Aktivierung von Oberflächen an Gegenständen, die eine galvanotechnische Beschichtung erfahren | |
DE1066070B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abschirmen von Spritzstrahlen in Beiz-, Phosphatier- und Waschanlagen | |
DE10228642A1 (de) | Sprühvorrichtung und -verfahren | |
WO2011051356A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer substratoberfläche eines substrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LP VERWALTUNGS GMBH, 73579 SCHECHINGEN, DE |
|
8181 | Inventor (new situation) |
Inventor name: LANG, MARCUS, 73579 SCHECHINGEN, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LP VERMARKTUNGS GMBH & CO. KG, 73579 SCHECHING, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120330 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: DAMBACHER, WOLFGANG, DE Free format text: FORMER OWNER: LP VERMARKTUNGS GMBH & CO. KG, 73579 SCHECHINGEN, DE Effective date: 20121129 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE Effective date: 20121129 Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE, DE Effective date: 20121129 Representative=s name: WEBER, GERHARD, DIPL.-PHYS., DE Effective date: 20121129 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |