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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine
zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang von Unterteilungslinien,
die auf einem Werkstück
ausgebildet sind.
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Beschreibung des Standes
der Technik
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In
dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung ist eine Mehrzahl
von Bereichen bzw. Flächen
durch Unterteilungslinien, die "Straßen" genannt sind, unterteilt,
die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche eines
im wesentlichen scheibenartigen Halbleiterwafers angeordnet sind, und
eine Schaltung, wie ein IC oder ein LSI, ist in jedem der unterteilten
Bereiche ausgebildet. Individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips
werden durch ein Schneiden dieses Halbleiterwafers entlang der Unterteilungslinien
hergestellt, um ihn in die Bereiche zu unterteilen, die jeweils
eine Schaltung bzw. einen Schaltkreis darauf ausgebildet aufweisen.
Ein Wafer einer optischen Vorrichtung, umfassend Halbleiter einer
auf Galliumnitrid basierenden Verbindung, die auf die vordere Oberfläche eines
Saphirsubstrats laminiert sind, wird auch entlang von Unterteilungslinien geschnitten,
um in die individuellen optischen Vorrichtungen unterteilt zu werden,
wie Licht emittierende Dioden oder Laserdioden, welche weit verbreitet in
elektrischen Anlagen bzw. Geräten
verwendet werden.
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Ein
Schneiden entlang der Unterteilungslinien des obigen Halbleiterwafers
oder des Wafers der optischen Vorrichtung wird allgemein durch eine Schneidmaschine
ausgeführt,
die "Dicer" bzw. "Zerteilmaschine" genannt ist. Diese
Schneidmaschine umfaßt
einen Ansaug- bzw. Einspann tisch zum Halten eines Werkstücks, wie
eines Halbleiterwafers oder eines Wafers einer optischen Vorrichtung, Schneidmittel
zum Schneiden des Werkstücks,
das auf dem Einspanntisch gehalten ist, und Schneidzufuhrmittel
zum Bewegen des Einspanntischs und der Schneidmittel relativ zueinander.
Die Schneidmittel weisen eine Spindeleinheit auf, umfassend eine
rotierende bzw. Drehspindel, eine Schneidklinge, die auf der Spindel
befestigt ist, und einen Antriebsmechanismus zum rotierenden Antreiben
der Rotationsspindel. Die Schneidklinge besteht aus einer scheibenartigen
Basis und einer ringförmigen
Schneidkante, welche auf dem Seitenwandumfangsabschnitt der Basis
befestigt ist und so dick wie etwa 20 μm ausgebildet ist, indem Diamantschleifkörner, die
einen Durchmesser von etwa 3 μm
aufweisen, an der Basis durch Elektroformen befestigt sind.
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Da
ein Saphirsubstrat, ein Siliziumcarbidsubstrat usw. eine hohe Mohs'sche Härte aufweisen,
ist ein Schneiden mit der obigen Schneidklinge nicht immer einfach.
Weiterhin müssen,
da die Schneidklinge eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, die Unterteilungslinien
zum Unterteilen von Vorrichtungen eine Breite von etwa 50 μm aufweisen.
Daher wird in dem Fall einer Vorrichtung, die 300 μm × 300 μm mißt, das Flächenverhältnis der
Straßen
zu der Vorrichtung 14 %, wodurch die Produktivität reduziert wird.
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Als
Mittel zum Unterteilen eines plattenartigen Werkstücks, wie
eines Halbleiterwafers wird ein Laserbearbeitungsverfahren zum Aufbringen
eines Pulslaserstrahls einer Wellenlänge, die fähig ist, durch das Werkstück hindurchzutreten,
wobei sein Brennpunkt auf das Innere des zu unterteilenden Bereichs
angeordnet ist bzw. festgelegt ist, auch heutzutage versucht und
ist beispielsweise durch das japanische Patent Nr. 3408805 geoffenbart.
In dem Unterteilungsverfahren, das von dieser Laserbearbeitungstechnik
Ge brauch macht, wird das Werkstück durch
Aufbringen bzw. Anwenden eines Pulslaserstrahls eines Infrarotbereichs,
der fähig
ist, durch das Werkstück
hindurchzutreten, auf dieses von einer Oberflächenseite des Werkstücks, wobei
sein Brennpunkt im Inneren festgelegt ist, um kontinuierlich eine verschlechterte
Schicht im Inneren des Werkstücks entlang
der Unterteilungslinien auszubilden, und Ausüben einer externen Kraft entlang
der Unterteilungslinien unterteilt, deren Stärke bzw. Festigkeit durch die
Ausbildung der verschlechterten Schichten reduziert wurde.
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Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine zum Ausführen der obigen Laserbearbeitung
hat einen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, Laserstrahlaufbringmittel
zum Aufbringen eines Pulslaserstrahls auf das Werkstück, das
auf dem Ansaug- bzw. Einspanntisch gehalten ist, und Bearbeitungszufuhrmittel
zum Bearbeitungszuführen
des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander.
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Der
Einspanntisch der obigen Laserstrahlbearbeitungsmaschine ist bearbeitungszugeführt mit bzw.
bei einer Zufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate, die in 11 gezeigt ist. In 11 zeigt die horizontale Achse eine Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs
und die vertikale Achse zeigt eine Bearbeitungszufuhrrate bzw. -geschwindigkeit
des Einspanntischs. Wie dies in 11 gezeigt
ist, ist bzw. wird die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs
von einer Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) an beschleunigt und
erreicht eine vorbestimmte Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit (V)
an einer ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml). Dann bewegt sich
der Einspanntisch bei einer vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
(V) und wenn ihre Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit eine zweite
Bearbeitungszufuhrposition (m2) erreicht, beginnt die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
sich zu verzögern
und wird null (0) an einer Bearbeitungszufuhrendposition (m3). Um
eine gleichmäßige Laserstrahlbearbeitung
entlang der Unterteilungslinien des Werkstücks auszuführen, muß jedoch ein Pulslaserstrahl
in einem Zustand aufgebracht bzw. angewandt werden, wo die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des
Einspanntischs eine gleichmäßige Geschwindigkeit
ist. Daher wird der Pulslaserstrahl zwischen der ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) und der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) aufgebracht, zwischen
welcher sich der Einspanntisch bei einer vorbestimmten gleichmäßigen Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
(V) bewegt. Folglich ist die Fläche, wo
die Laserstrahlbearbeitung tatsächlich
ausgeführt wird,
die Fläche
bzw. der Bereich zwischen der ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) und der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2), und die Fläche bzw.
der Bereich zwischen der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) und
der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml), zwischen welcher sich
der Einspanntisch bei einer beschleunigten Geschwindigkeit bewegt,
und der Bereich zwischen der zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) und der Bearbeitungszufuhrendposition (m3), zwischen welcher
sich der Einspanntisch mit einer verzögerten Geschwindigkeit bewegt,
werden Bereiche eines nicht-gültigen
Hubs, wo eine Laserstrahlbearbeitung nicht ausgeführt wird,
wodurch die Produktivität
reduziert wird und der Bewegungshub des Einspanntischs verlängert wird, was
das Verringern der Größe der Vorrichtung
ver- bzw. behindert.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine
zur Verfügung
zu stellen, die fähig
ist, eine gleichmäßige Verarbeitung
bzw. Bearbeitung durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Puls laserstrahls auf
ein Werkstück über die
gesamte Fläche
bzw. den gesamten Bereich von der Bearbeitungszufuhrstartposition
bis zur Bearbeitungszufuhrendposition eines Einspanntischs durchzuführen.
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Um
das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung
eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt, umfassend einen
Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, Laserstrahlaufbringmittel
zum Aufbringen eines Pulslaserstrahls auf das Werkstück, das
auf dem Einspanntisch gehalten ist, und Bearbeitungszufuhrmittel
zum Bearbeitungszuführen
des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander,
wobei
die Maschine weiterhin Zufuhrgrößendetektionsmittel zum Detektieren
einer Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs
und Steuer- bzw. Regelmittel zum Steuern bzw. Regeln der Laserstrahlaufbringmittel basierend
auf einem Detektionssignal von den Zufuhrgrößendetektionsmittel umfaßt; und
die
Steuer- bzw. Regelmittel ein Anwendungs- bzw. Aufbringsignal an
die Laserstrahlaufbringmittel für jede
vorbestimmte Bearbeitungszufuhrgröße basierend auf einem Signal
von den Zufuhrgrößendetektionsmitteln
ausgeben.
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Weiterhin
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung auch eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt,
umfassend einen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, Laserstrahlaufbringmittel
zum Aufbringen eines Pulslaserstrahls auf das Werkstück, das
auf dem Einspanntisch gehalten ist, und Bearbeitungszufuhrmittel
zum Bearbeitungszuführen
des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander,
wobei die Bearbeitungszufuhrmittel die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
des Einspanntischs steuern bzw. regeln, um ihn zu beschleunigen,
um eine vorbestimmte Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate
im Verlauf von einer Bearbeitungszufuhrstartposition bis zu einer
ersten vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgröße zu erzielen, um die vorbestimmte
Bearbeitungszufuhrrate auf der gleichmäßigen Geschwindigkeit im Verlauf
von der ersten Bearbeitungszufuhrgröße bis zu einer zweiten Bearbeitungszufuhrgröße aufrechtzuerhalten,
und um die Bearbeitungszufuhrrate auf null im Verlauf von der zweiten
vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgröße bis zu einer Bearbeitungszufuhrendposition
zur Zeit eines Bearbeitungszuführens des
Einspanntischs zu verlangsamen, wobei
die Maschine weiterhin
Zufuhrgrößendetektionsmittel zum
Detektieren der Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs und Steuer-
bzw. Regelmittel zum Steuern bzw. Regeln der Laserstrahlaufbringmittel basierend
auf einem Detektionssignal von den Zufuhrgrößendetektionsmitteln umfaßt; und
die
Steuer- bzw. Regelmittel Speichermittel zum Speichern einer Steuer-
bzw. Regelkarte zum Festlegen bzw. Einstellen der Bearbeitungsbedingung
eines Laserstrahls basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
für die
Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zu der Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs durch die Bearbeitungszufuhrmittel umfaßt, und
ein Anwendungs- bzw. Aufbringsignal des Bearbeitungszustands, das
durch die Steuer- bzw. Regelkarte eingestellt ist, zu den Laserstrahlaufbringmitteln
basierend auf einem Signal von den Zufuhrgrößendetektionsmitteln ausgibt.
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Die
obige Steuer- bzw. Regeltafel bzw. -karte ist eine Frequenz-Steuer-
bzw. -Regelkarte für
ein Festlegen bzw. Einstellen einer Wiederholungsfrequenz eines
Laserstrahls basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
bzw. – rate
für die
Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungs zufuhrstartposition bis zu der Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs durch die Bearbeitungszufuhrmittel.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird, da ein Pulslaserstrahl von den Laserstrahlaufbringmittel jedesmal,
wenn der Einspanntisch, der das Werkstück hält, um eine vorbestimmte Bearbeitungszufuhrgröße bewegt
ist, selbst in dem Beschleunigungsbewegungsbereich und dem Verzögerungsbewegungsbereich
aufgebracht, wo die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs
nicht konstant ist, der Pulslaserstrahl auf das Werkstück in gleichen
Intervallen bzw. Abständen
aufgebracht, und somit wird eine gleichmäßige Bearbeitung von der Bearbeitungszufuhrstartposition
bis zur Bearbeitungszufuhrendposition ausgeführt. Daher wird der Bereich
bzw. die Fläche
von der Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition der
Bearbeitungsbereich und es gibt keinen ungültigen Hub bzw. Weg des Einspanntischs,
wodurch es möglich
gemacht wird, die Bearbeitungszeit zu verkürzen und die Größe der gesamten
Vorrichtung zu reduzieren.
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Weiterhin
wird in der vorliegenden Erfindung, da die obigen Steuer- bzw. Regelmitteln
Speichermittel zum Speichern einer Steuer- bzw. Regelkarte zum Festlegen
der Bearbeitungsbedingung eines Laserstrahls basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
für die
Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs durch die obigen Bearbeitungszufuhrmittel umfassen
und ein Aufbringsignal der Bearbeitungsbedingung, die durch die
Steuer- bzw. Regelkarte
eingestellt ist, an die Laserstrahlaufbringmittel basierend auf
einem Signal von den obigen Zufuhrgrößendetektionsmitteln ausgegeben,
selbst in dem Beschleunigungsbewegungsbereich und dem Verzögerungsbewegungsbereich,
wo die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs nicht
konstant ist, der Pulslaserstrahl des Bearbeitungszustands basierend
auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit auf das Werkstück aufgebracht
und somit wird die gleichmäßige Bearbeitung
von der Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
ausgeführt.
Folglich wird die Fläche
bzw. der Bereich von der Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur
Bearbeitungszufuhrendposition der Verarbeitungsbereich und es gibt keinen
ungültigen
Hub des Einspanntischs, wodurch es möglich gemacht wird, die Bearbeitungszeit
zu verkürzen
und die Größe der gesamten
Vorrichtung zu reduzieren.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
die gemäß der vorliegenden
Erfindung ausgebildet ist;
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2 ist
ein Blockdiagramm, das schematisch die Ausbildung von Laserstrahlbearbeitungsmitteln
zeigt, die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt
sind, die in 1 gezeigt ist;
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3 ist
ein schematisches Diagramm, das den Brennpunktdurchmesser eines
Laserstrahls erklärt,
der von Laserstrahlaufbringmitteln aufgebracht ist, die in 2 gezeigt
sind;
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4 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als einem Werkstück;
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5(a) und 5(b) sind
erläuternde
Diagramme, die die Beziehung der Koordinaten des Halbleiterwafers,
der in 4 gezeigt ist, in einem Zustand zeigen, wo er
an einer vorbestimmten Position des Einspanntischs der Laserstrahlbearbeitungsmaschine
gehalten ist, die in 1 gezeigt ist;
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6 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das einen Unterteilungslinien-Detektionsschritt zeigt,
der durch die La serstrahlbearbeitungsmaschine ausgeführt wird,
die in 1 gezeigt ist;
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7(a) und 7(b) sind
erläuternde
Diagramme, die einen Laserstrahlaufbringschritt zeigen, der durch
die Laserstrahlbearbeitungsmaschine ausgeführt wird, die in 1 gezeigt
ist;
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8 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das die Beziehung zwischen der Bearbeitungszufuhrgröße und der
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate eines Einspanntischs,
der in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt
ist, die in 1 gezeigt ist, und dem Bearbeitungsbereich zeigt;
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9 ist
ein erläuterndes
Diagramm einer Frequenz-Steuer-
bzw. -Regelkarte, die in Steuer- bzw. Regelmitteln gespeichert ist,
die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt sind,
die in 1 gezeigt ist;
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10 ist
ein erläuterndes
Diagramm einer Energie-Steuer-
bzw. -Regelkarte, die in den Steuer- bzw. Regelmitteln gespeichert
ist, die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt sind,
die in 1 gezeigt ist; und
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11 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das die Beziehung zwischen der Bearbeitungszufuhrgröße und der
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs, der in der
Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt ist, die in 1 gezeigt
ist, und dem Bearbeitungsbereich des Bearbeitungsverfahrens gemäß dem Stand
der Technik zeigt.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausbildungen
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Bevorzugte
Ausbildungen einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die gemäß der vorliegenden Erfindung
ausgebildet bzw. aufgebaut ist, werden im Detail nachfolgend unter
Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
die entsprechend der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist. Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt ist,
umfaßt
eine stationäre
Basis 2, einen Einspanntischmechanismus 3, welcher
auf der stationären
Basis 2 in einer derartigen Weise befestigt bzw. montiert ist,
daß er
sich in einer Bearbeitungszufuhrrichtung bewegen kann, die durch
einen Pfeil X angedeutet ist, und ein Werkstück hält, einen Laserstrahlaufbringeinheits-Supportmechanismus 4,
der an der stationären
Basis 2 in einer derartigen Weise montiert ist, daß er sich
in einer schrittweisen bzw. Indexierzufuhrrichtung bewegen kann,
die durch einen Pfeil Y senkrecht zu der obigen Richtung angedeutet
ist, die mit dem Pfeil X angedeutet ist, und eine Laserstrahlaufbringeinheit 5,
die auf dem Laserstrahlaufbringeinheits-Supportmechanismus 4 in
einer derartigen Weise montiert bzw. angeordnet ist, daß sie sich
in einer Richtung bewegen kann, die durch einen Pfeil Z angedeutet
ist.
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Der
obige Einspanntischmechanismus 3 umfaßt ein Paar von Führungsschienen 31 und 31,
welche auf der stationären
Basis 2 montiert und parallel zueinander in der Bearbeitungszufuhrrichtung
arrangiert bzw. angeordnet sind, die durch den Pfeil X angedeutet
ist, einen ersten Gleitblock 32, der auf den Führungsschienen 31 und 31 in
einer derartigen Weise montiert ist, daß er sich in der Bearbeitungszufuhrrichtung
bewegen kann, die durch den Pfeil X angedeutet ist, einen zweiten
Gleitblock 33, der auf dem ersten Gleitblock 32 in
einer derartigen Weise montiert ist, daß er sich in der Indexierzufuhrrichtung
bewegen kann, die durch den Pfeil Y angedeutet ist, einen Abstütz- bzw. Supporttisch 35,
der auf dem zweiten Gleitblock 33 durch ein zylindrisches
Glied 34 abgestützt
ist, und einen Ansaug- bzw. Einspanntisch 36 als Werkstückhaltemittel.
Dieser Einspanntisch 36 hat ein Adsorptionseinspann- bzw.
-ansaugwerkzeug 361, das aus einem porösen Material gefertigt bzw. hergestellt
ist, und ein scheibenartiger Halbleiterwafer als das Werkstück wird
bzw. ist auf dem Adsorptionseinspannwerkzeug 361 durch
Saugmittel gehalten, welche nicht gezeigt sind. Der Einspanntisch 36 wird
durch einen Schritt- bzw. Pulsmotor (nicht gezeigt) gedreht, der
in dem zylindrischen Glied 34 installiert ist.
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Der
obige erste Gleitblock 32 hat an seiner unteren Oberfläche ein
Paar von zu führenden
Nuten bzw. Rillen 321 und 321, um mit dem obigen
Paar von Führungsschienen 31 und 31 zusammengepaßt zu werden,
und an seiner oberen Oberfläche
ein Paar von Führungsschienen 322 und 322,
die parallel zueinander in der Indexierzufuhrrichtung ausgebildet sind,
die durch den Pfeil Y angedeutet ist. Der erste Gleitblock 32,
der wie oben beschrieben ausgebildet bzw. aufgebaut ist, ist so
ausgebildet, um sich in der Bearbeitungszufuhrrichtung, die durch
den Pfeil X angedeutet ist, entlang des Paars von Führungsschienen 31 und 31 durch
ein Einpassen der zu führenden
Rillen 321 und 321 an das Paar von Führungsschienen 31 und 31 bewegen
zu können.
Der Einspanntischmechanismus 3 in der dargestellten bzw.
illustrierten Ausbildung umfaßt
Bearbeitungszufuhrmittel 37 zum Bewegen des ersten Gleitblocks 32 entlang
des Paars von Führungsschienen 31 und 31 in
der Bearbeitungszufuhrrichtung, die durch den Pfeil X angedeutet
ist. Die Bearbeitungszufuhrmittel 37 enthalten eine aufzunehmende
Schraubenstange 371, welche zwischen dem obigen Paar von
Führungsschienen 31 und 31 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie einen Schritt- bzw.
Puls motor 372 zum drehenden Antreiben der aufzunehmenden
Schraubenstange 371. Die aufzunehmende Schraubenstange 371 hat
ein Ende, welches drehbar an einem Lagerblock 373 abgestützt ist,
der an der obigen stationären
Basis 2 festgelegt ist, und das andere Ende, welches mit
der Ausgangs- bzw.
Abtriebswelle des obigen Pulsmotors 372 getriebe- bzw. übertragungsgekoppelt
ist. Die aufzunehmende Schraubenstange 371 ist bzw. wird
in ein Gewindedurchgangsloch eingeschraubt, welches in einem aufnehmenden
Schraubenblock (nicht gezeigt) ausgebildet ist, welcher von der
unteren Oberfläche
des zentralen Abschnitts des ersten Gleitblocks 32 vorragt.
Daher wird durch ein Antreiben der aufzunehmenden Schraubenstange 371 in
einer normalen Richtung oder Umkehrrichtung mit dem Pulsmotor 372 der
erste Gleitblock 32 entlang der Führungsschienen 31 und 31 in
der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt, die durch den Pfeil X angedeutet
ist.
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Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine in der illustrierten Ausbildung
umfaßt
Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 zum
Detektieren der Bearbeitungszufuhrgröße des obigen Einspanntischs 36.
Die Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 umfassen
eine lineare Skala 374a, die entlang der Führungsschiene 31 angeordnet
ist, und einen Lesekopf 374b, welcher an dem Gleitblock 32 montiert
ist und sich entlang der linearen Skala 374a gemeinsam
mit dem ersten Gleitblock 32 bewegt. Der Lesekopf 374b dieser
Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 führt ein
Signal eines Pulses jedesmal, wenn sich der Einspanntisch 36 um 0,1 μm bewegt,
zu Steuer- bzw. Regelmitteln zu, welche später beschrieben werden. Die
Steuer- bzw. Regelmittel, die später
beschrieben werden, zählen
die eingegebenen bzw. Eingabepulssignale, um die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36 zu
detektieren. Wenn der Pulsmotor 372 als die Antriebsquelle
für die
obigen Bearbeitungszufuhrmittel 37 verwendet wird, kann
die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36 durch
ein Zählen
der Antriebspulse der später
beschriebenen Steuer- bzw.
Regelmittel zum Ausgeben eines Antriebssignals an den Pulsmotor 372 detektiert
werden. Wenn ein Servomotor als die Antriebsquelle für die obigen
Bearbeitungszufuhrmittel 37 verwendet wird, wird ein Pulssignal
von einem rotierenden Decoder zum Detektieren der Umdrehung des
Servomotors den Steuer- bzw. Regelmitteln zugeführt, und die Pulssignale, die in
die Steuer- bzw. Regelmittel eingegeben werden, werden gezählt, um
die Bearbeitungszufuhrgröße bzw.
das Bearbeitungszufuhrausmaß des
Einspanntischs 36 zu detektieren.
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Der
obige zweite Gleitblock 33 hat an seiner unteren Oberfläche ein
Paar von zu führenden
Nuten bzw. Rillen 331 und 331, die mit dem Paar
von Führungsschienen 322 und 322 zusammenzupassen sind,
die an der oberen Oberfläche
des obigen ersten Gleitblocks 32 zur Verfügung gestellt
sind, und ist so ausgebildet, daß er fähig ist, sich in der Indexierzufuhrrichtung,
die durch den Pfeil Y angedeutet ist, durch ein Passen der zu führenden
Rillen 331 und 331 mit dem Paar von Führungsschienen 322 bzw. 322 zu
bewegen. Der Einspanntischmechanismus 3 in der illustrierten
Ausbildung hat erste schrittweise bzw. Indexierzufuhrmittel 38 zum
Bewegen des zweiten Gleitblocks 33 in der Indexierzufuhrrichtung,
die durch den Pfeil Y angedeutet ist, entlang des Paars von Führungsschienen 322 und 322,
die auf dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen sind. Die ersten
Indexierzufuhrmittel 38 beinhalten eine aufzunehmende Schraubenstange 381,
welche zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 322 und 322 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie einen Pulsmotor 382 zum
drehbaren Antreiben der aufzunehmenden Schraubenstange 381.
Die aufzu nehmende Schraubenstange 381 hat ein Ende, welches
drehbar auf einem Lagerblock 383 abgestützt ist, das an der oberen
Oberfläche
des obigen ersten Gleitblocks 32 festgelegt ist, und das
andere Ende, welches mit der Abtriebswelle des obigen Pulsmotors 382 übertragungsgekoppelt
ist. Die aufzunehmende Schraubenstange 381 ist in ein Gewindedurchgangsloch
eingeschraubt, das in einem aufnehmenden Schraubenblock (nicht gezeigt)
ausgebildet ist, der von der unteren Oberfläche des zentralen Abschnitts des
zweiten Gleitblocks 33 vorragt. Daher wird, indem die aufzunehmende
Schraubenstange 381 in einer normalen Richtung oder Umkehrrichtung
mit dem Pulsmotor 382 angetrieben wird, der zweite Gleitblock 33 entlang
der Führungsschienen 322 und 322 in
der Indexierzufuhrrichtung bewegt, die durch den Pfeil Y angedeutet
ist.
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Der
obige Laserstrahlaufbringeinheit-Supportmechanismus 4 umfaßt ein Paar
von Führungsschienen 41 und 41,
welche auf der stationären
Basis 2 befestigt bzw. montiert und parallel zueinander
in der Indexierzufuhrrichtung angeordnet sind, die durch den Pfeil
Y angedeutet ist, und eine bewegbare Supportbasis 42, die
auf den Führungsschienen 41 und 41 in
einer derartigen Weise befestigt ist, daß sie sich in der Richtung
bewegen kann, die durch den Pfeil Y angedeutet sind. Diese bewegbare
Supportbasis 42 besteht aus einem bewegbaren Supportabschnitt 421,
der bewegbar auf den Führungsschienen 41 und 41 montiert
ist, und einem Montageabschnitt 422, der auf dem bewegbaren
Supportabschnitt 421 montiert ist. Der Montageabschnitt 422 ist
mit einem Paar von Führungsschienen 423 und 423 versehen, die
sich parallel zueinander in der Richtung, die durch den Pfeil Z
angedeutet ist, auf einer seiner Flanken erstrecken. Der Laserstrahlaufbringeinheit-Supportmechanismus 4 in
der illustrierten Ausbildung weist zweite Indexierzuführmittel 43 auf,
um die bewegbare Supportbasis 42 entlang des Paars von
Führungsschienen 41 und 41 in
der Indexierzufuhrrichtung zu bewegen, die durch den Pfeil Y angedeutet
ist. Diese zweiten Indexier- bzw. schrittweisen Zufuhrmittel 43 enthalten
eine aufzunehmende Schraubenstange 431, welche zwischen
dem obigen Paar von Führungsschienen 41 und 41 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie einen Pulsmotor 432 zum
drehbaren Antreiben der aufzunehmenden Schraubenstange 431.
Die aufzunehmende Schraubenstange 431 hat ein Ende, welches
drehbar an einem Lagerblock (nicht gezeigt) abgestützt ist,
der auf der obigen stationären
Basis 2 befestigt ist, und das andere Ende, welches mit
der Abtriebswelle des obigen Pulsmotors 432 getriebegekoppelt
ist. Die aufzunehmende Schraubenstange 431 ist in ein Gewindedurchgangsloch
eingeschraubt, das in einem aufnehmenden Schraubenblock (nicht gezeigt)
ausgebildet ist, der von der unteren Oberfläche des zentralen Abschnitts
des bewegbaren Supportabschnitts 421 vorragt, der die bewegbare
Supportbasis 42 ausbildet. Daher wird, indem die aufzunehmende
Schraubenstange 431 in einer normalen Richtung oder Umkehrrichtung
mit dem Pulsmotor 432 angetrieben wird, die bewegbare Supportbasis 42 entlang
der Führungsschienen 41 und 41 in
der Indexierzufuhrrichtung bewegt, die durch den Pfeil Y angedeutet
ist.
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Die
Laserstrahlaufbringeinheit 5 in der illustrierten Ausbildung
umfaßt
einen Einheitshalter bzw. eine Einheitshalterung 51 und
Laserstrahlaufbringmittel 52, die an dem Einheitshalter 51 gesichert
sind. Der Einheitshalter 51 hat ein Paar von zu führenden Nuten
bzw. Rillen 511 und 511, um gleitbar mit dem Paar
von Führungsschienen 423 und 423 zusammengepaßt zu werden,
die auf dem obigen Montageabschnitt 422 zur Verfügung gestellt
sind, und ist in einer derartigen Weise abgestützt, daß er sich in der Richtung bewegen kann,
die durch den Pfeil Z angedeutet ist, indem die zu führenden
Rillen 511 und 511 jeweils in die Führungsschienen 423 und 423 eingepaßt werden.
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Die
illustrierten Laserstrahlaufbringmittel 52 haben ein zylindrisches
Gehäuse 521,
welches an dem obigen Einheitshalter 51 gesichert ist und
sich im wesentlichen horizontal erstreckt. In dem Gehäuse bzw.
der Ummantelung 521 sind Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 und
ein optisches Transmissions- bzw. Übertragungssystems 523 installiert, wie
dies in 2 gezeigt ist. Die Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 bestehen
aus einem Pulslaserstrahloszillator 522a, der aus einem
YAG Laseroszillator oder einem YV04 Laseroszillator besteht, und Wiederholungsfrequenz-Einstellmitteln 522b,
die mit dem Pulslaserstrahloszillator 522a verbunden sind. Diese
Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel 522b stellen eine
Wiederholungsfrequenz, die durch den Pulslaserstrahloszillator 522a oszilliert
ist, basierend auf einem Steuer- bzw. Regelsignal von den Steuer- bzw.
Regelmitteln ein, die später
beschrieben werden. Das optische Übertragungssystem 523 umfaßt geeignete
optische Elemente, wie einen Strahlteiler, etc. Ein Kondenser bzw.
eine Sammellinse 524, die Sammellinsen (nicht gezeigt)
aufnimmt, bestehend aus einer Kombination von Linsen, welche eine
per se bekannte Ausbildung sein können, ist an dem Ende des obigen
Gehäuses 521 festgelegt.
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Ein
Laserstrahl, der von den obigen Pulslaserstrahl-Oszillationsmitteln 522 oszilliert
ist, erreicht den Kondenser 524 durch das optische Übertragungssystem 523 und
wird von dem Kondenser 524 auf das Werkstück, das
auf dem obigen Einspanntisch 36 gehalten ist, mit bzw.
bei einem vorbestimmten Brennpunktdurchmesser D aufgebracht. Dieser Brennpunktdurchmesser
D ist durch den Ausdruck D (μm)
= 4 × λ × f/(π × W) definiert
(wobei λ die
Wellenlänge
(μm) des Pulslaserstrahls
ist, W der Durchmesser (mm) des Pulslaserstrahls ist, der in eine
Objektivlinse 524a eintritt, und f die Brennweite (mm)
der Objektivlinse 524a ist), wenn der Pulslaserstrahl,
der eine Gauss'sche
Verteilung zeigt, durch die Objektivlinse 524a des Kondensors 524 aufgebracht
bzw. angelegt ist, wie dies in 3 gezeigt
ist.
-
Zurückkehrend
zu 1 sind Bildaufnahmemittel 6 an das vordere
Ende des Gehäuses 521 festgelegt,
welches die obigen Laserstrahlaufbringmittel 52 ausbildet.
Diese Bildaufnahmemittel 6 bestehen aus Infrarotbeleuchtungsmitteln
zum Aufbringen von Infrarotstrahlung auf das Werkstück, einem
optischen System zum Aufnehmen der Infrarotstrahlung, die durch
die Infrarotbeleuchtungsmittel aufgebracht ist bzw. wird, und eine
Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot CCD) zum Ausgeben eines elektrischen
Signals entsprechend der Infrarotstrahlung, die durch das optische
System aufgenommen ist, zusätzlich
zu einer üblichen
Aufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bilds mit sichtbarer
Strahlung in der illustrierten Ausbildung. Ein Bildsignal wird den
Steuer- bzw. Regelmitteln zugeführt,
welche nicht gezeigt sind.
-
Die
Laserstrahlaufbringeinheit 5 in der illustrierten Ausbildung
hat Bewegungsmittel 53 zum Bewegen des Einheitshalters 51 entlang
des Paars von Führungsschienen 423 und 423 in
der Richtung, die durch den Pfeil Z angedeutet ist. Die Bewegungsmittel 53 umfassen
eine aufzunehmende Schraubenstange (nicht gezeigt), die zwischen
dem Paar von Führungsschienen 423 und 423 angeordnet
ist, und eine Antriebsquelle, wie einen Pulsmotor 532 zum drehbaren
bzw. drehenden Antreiben der aufzunehmenden Schraubenstange. Indem
die aufzunehmende Schraubenstange (nicht gezeigt) in einer normalen
Richtung oder umgekehrten Richtung mit dem Pulsmotor 532 angetrieben
wird, werden der Einheitshalter 51 und die Laserstrahlaufbringmittel 52 entlang
der Führungsschienen 423 und 423 in
der Richtung bewegt, die durch den Pfeil Z angedeutet ist. In der
illustrierten Ausbildung sind bzw. werden die Laserstrahlaufbringmittel 52 nach
oben durch ein Antreiben des Pulsmotors 532 in einer normalen Richtung
bewegt und nach unten durch ein Antreiben des Pulsmotors 532 in
der umgekehrten Richtung bewegt.
-
Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine in der illustrierten Ausbildung
hat die Steuer- bzw. Regelmittel 10. Die Steuer- bzw. Regelmittel 10 sind
durch einen Computer ausgebildet, welcher aus einer zentralen Verarbeitungseinheit
(CPU) 101 zum Ausführen
einer arithmetischen Verarbeitung basierend auf einem Steuer- bzw.
Regelprogramm, einem Nur-Lesespeicher
(ROM) 102 zum Speichern des Steuer- bzw. Regelprogramms,
usw., einem Lese/Schreib-Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 zum
Speichern der Ergebnisse von Tätigkeiten
bzw. Vorgängen,
einem Zähler 104,
einem Eingabeinterface 105 und einem Ausgabeinterface 106 besteht.
Detektionssignale von den obigen Zufuhrgrößendetektionsmitteln 374, Bildaufnahmemitteln 6 usw.
werden der Eingabeinterface 105 der Steuer- bzw. Regelmittel 10 eingegeben.
Steuer- bzw. Regelsignale werden von dem Ausgabeinterface 106 der
Steuer- bzw. Regelmittel 10 zu dem obigen Pulsmotor 372,
Pulsmotor 382, Pulsmotor 432, Pulsmotor 532,
den Laserstrahlaufbringmitteln 52 usw. ausgegeben.
-
Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine in der illustrierten Ausbildung
ist wie oben beschrieben ausgebildet und ihre Tätigkeit bzw. ihr Betrieb wird
unten beschrieben.
-
4 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers 20 als
dem Werkstück,
das durch einen Laserstrahls zu bearbeiten ist. Der Halbleiterwafer 20,
der in 4 gezeigt ist, besteht aus einem Siliziumwafer
und hat eine Mehrzahl von Flächen
bzw. Bereichen, die durch eine Mehrzahl von unterteilenden bzw.
Unterteilungslinien 201 unterteilt sind, die in einem Gittermuster
auf seiner vorderen Oberfläche 20a ausgebildet
sind, und eine Schaltung 202, wie eine IC oder LSI, ist
in jedem der unterteilten Bereiche ausgebildet.
-
Es
wird nachfolgend eine Beschreibung einer ersten Ausbildung einer
Laserbearbeitung zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht entlang
der Unterteilungslinien 201 im Inneren des Halbleiterwafers 20 durch
ein Anlegen bzw. Anwenden eines Laserstrahls entlang der Unterteilungslinien 201 des obigen
Halbleiterwafers 20 unter Verwendung der obigen Laserstrahlbearbeitungsmaschine
gegeben.
-
Der
Halbleiterwafer 20 wird zuerst auf dem Einspanntisch 36 der
oben beschriebenen Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt
ist, in einer derartigen Weise angeordnet, daß die rückwärtige Oberfläche 20b nach
oben schaut bzw. gerichtet ist, und wird durch ein Saugen an dem
Ansaug- bzw. Einspanntisch 36 gehalten. Der Einspanntisch 36,
der den Halbleiterwafer 20 durch Saugen hält, wird
zu einer Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 6 durch
die Bearbeitungszufuhrmittel 37 gebracht.
-
Nachdem
der Einspanntisch 36 direkt unter den Bildaufnahmemitteln 6 positioniert
ist, wird eine Ausrichtarbeit zum Detektieren einer Fläche, die durch
einen Laserstrahl zu bearbeiten ist, des Halbleiterwafers 20 durch
die Bildaufnahmemittel 6 und die Steuer- bzw. Regelmittel 10 ausgeführt. D.h.,
die Bildaufnahmemittel 6 und die Steuer- bzw. Regelmittel 10 führen eine
Bildverarbeitung, wie ein Musterabstimmen bzw. -abgleichen usw.
durch, um eine Unterteilungslinie 201, die in einer vorbestimmten
Richtung des Halbleiterwafers 20 ausgebildet ist, mit dem Kondenser 524 der
Laserstrahlaufbringeinheit 52 zum Aufbringen eines Laserstrahls
entlang der Unterteilungslinie 201 auszurichten, wodurch
die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringposition ausgeführt wird.
Die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringposition wird auch an Unterteilungslinien 201 ausgeführt, die
auf dem Halbleiterwafer 20 in einer Richtung senkrecht
zu der obigen vorbestimmten Richtung ausgebildet sind. Obwohl die
vordere Oberfläche 20a,
auf welcher die Unterteilungslinie 201 ausgebildet ist,
des Halbleiterwafers 20 an diesem Punkt nach unten schaut,
kann ein Bild der Unterteilungslinie 201 durch die rückwärtige Oberfläche 20b aufgenommen
werden, da die Bildaufnahmemittel 6 vorgesehen sind, welche
durch die Infrarotbeleuchtungsmittel, das optische System zum Aufnehmen
von Infrarotstrahlung und die Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot
CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend der Infrarotstrahlung
ausgebildet sind, wie dies oben beschrieben ist.
-
Nachdem
die Ausrichtung, wie oben beschrieben, ausgeführt wurde, wird der Halbleiterwafer 20 auf
dem Einspanntisch 36 ein Zustand, daß er an einer Koordinatenposition
positioniert ist, die in 5(a) gezeigt
ist. 5(b) zeigt einen Zustand, wo
der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 um
90° von
der Position gedreht ist, die in 5(a) gezeigt
ist.
-
Nachdem
die Unterteilungslinie 201, die auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildet
ist, der auf dem Einspanntisch 36 gehalten ist, detektiert
bzw. festgestellt ist und die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringposition,
wie oben beschrieben, ausgeführt
ist bzw. wird, wird der Einspanntisch 36 bewegt, um die oberste
Unterteilungslinie 201 in 5(a),
die sich in der vorbestimmten Richtung (Links- und Rechtsrichtung
in 5(a)) erstreckt, zu einer Position
direkt unter den Bildaufnahmemitteln 6 zu bringen. Dann wird,
wie dies in 6 gezeigt ist, weiterhin ein
Ende (linkes Ende in 6) der obigen Unterteilungslinie 201 direkt
unter den Bildaufnahmemitteln 6 positioniert. Nachdem das
eine Ende (linkes Ende in 6) der Unterteilungslinie 201 durch
die Bildaufnahmemittel 6 in diesem Zustand detektiert ist,
wird sein Koordinatenwert (A1 in 5(a))
den Steuer- bzw. Regelmitteln 10 als der Koordinatenwert
der entsprechenden Bearbeitungszufuhrstartposition zugeführt. Der
Einspanntisch 36 wird dann in der Richtung bewegt, die
durch den Pfeil X1 angedeutet ist, um das andere Ende (rechtes Ende
in 6) der Unterteilungslinie 201 zu einer
Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 6 zu bringen.
Das Bildaufnahmemittel 6 detektieren das andere Ende der
Unterteilungslinie 201 und führen seinen Koordinatenwert
(B1 in 5(a)) den Steuer- bzw. Regelmitteln 10 als
den Koordinatenwert der Bearbeitungszufuhrendposition zu. Die Steuer-
bzw. Regelmittel 10 speichern temporär die Koordinatenwerte der
Bearbeitungszufuhrstartposition (A1) und die Koordinatenwerte der
Bearbeitungszufuhrendposition (B1) der Unterteilungslinie 201 in
dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 (Unterteilungslinien-Detektionsschritt).
Dementsprechend dient der Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 als Speichermittel
zum Speichern der Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrstartposition
und der Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrendposition der Unterteilungslinie,
die durch die Bildaufnahmemittel 6 detektiert ist.
-
Nachdem
der Koordinatenwert der Bearbeitungszufuhrstartposition und der
Koordinatenwert der Bearbeitungszufuhrendposition der obersten Unterteilungslinie 201 in 5(a), wie oben beschrieben, detektiert
wurden, wird der Einspanntisch 36 um einen Abstand entsprechend
dem Intervall zwischen den Unterteilungslinien 201 in der
Indexierzufuhrrichtung bewegt, die durch den Pfeil Y angedeutet
ist, um die zweite Unterteilungslinie 201 von der obersten in 5(a) zu einer Position direkt unter den
Bildaufnahmemitteln 6 zu bringen. Der oben beschriebene Unterteilungslinien-Detektionsschritt
wird an der zweiten Unterteilungslinie 201 von der obersten
ausgeführt,
um die Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrstartposition (A2)
und die Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrendposition (B2)
der zweiten Unterteilungslinie 201 von der obersten zu
detektieren und sie temporär
in dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 zu speichern. Nachfolgend
werden der oben beschriebene Indexierungszufuhrschritt und der Unterteilungslinien-Detektionsschritt
wiederholt bis zu der untersten Unterteilungslinie 201 in 5(a) ausgeführt, um die Koordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrstartpositionen (A3 bis An) und die Koordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrendpositionen (B3 bis Bn) der Unterteilungslinien 201 zu detektieren
und diese temporär
in dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 zu speichern.
-
Nachdem
der Unterteilungslinien-Detektionsschritt an den Unterteilungslinien 201 ausgeführt wurde,
die sich in einer vorbestimmten Richtung, wie oben beschrieben,
erstrecken, wird der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 um
90° gedreht, um
in einem Zustand positioniert zu sein, der in 5(b) gezeigt
ist. Danach wird der oben beschriebene Unterteilungslinien-Detektionsschritt
ebenfalls an Unterteilungslinien 201 ausgeführt, die
sich in einer Richtung (Links- und Rechtsrichtung in 5(b)) senkrecht auf die Unterteilungslinien 201 erstrecken, die
sich in der obigen vorbestimmten Richtung erstrecken, um die Koordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrstartpositionen (Cl bis Cn)) und die Koordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrendpositionen (D1 bis Dn) von jeder der obigen
Unterteilungslinien 201 zu detektieren und sie temporär in dem
Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 zu speichern. Für die Ko ordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrstartpositionen (A1 bis An) und die Koordinatenwerte
der Bearbeitungszufuhrendpositionen (B1 bis Bn) der Unterteilungslinien 201,
die sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, die auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildet sind,
und die Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrstartpositionen (C1
bis Cn) und die Koordinatenwerte der Bearbeitungszufuhrendpositionen
(D1 bis Dn) der Unterteilungslinien 201, die sich in der
Richtung, senkrecht zu der vorbestimmten Richtung erstrecken, ist
es bevorzugt, daß diese
Designwerte des Halbleiterwafers 20 im voraus in dem Nur-Lesespeicher
(ROM) 102 oder dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 gespeichert
werden sollten, um den oben beschriebenen Unterteilungslinien-Detektionsschritt wegzulassen.
-
Als
nächstes
kommt ein Schritt eines Ausbildens einer verschlechterten Schicht
durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Pulslaserstrahls entlang der
Unterteilungslinien 201, die auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildet
sind.
-
In
dem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht wird der Einspanntisch 36 zuerst
bewegt, um die oberste Unterteilungslinie 201 in 5(a) zu einer Position direkt unter dem
Kondenser 524 der Laserstrahlaufbringmittel 52 zu
bringen. Und der Koordinatenwert (A1) der Bearbeitungszufuhrstartposition
(siehe 5(a)), d.h. ein Ende (linkes
Ende in 7(a)) der Unterteilungslinie 201 ist bzw.
wird direkt unter dem Kondenser 524 positioniert, wie dies
in 7(a) gezeigt ist. Der Einspanntisch 36,
d.h. der Halbleiterwafer 20 wird dann in der Richtung,
die durch den Pfeil X1 in 7(a) angedeutet
ist, bearbeitungszugeführt,
während
ein Pulslaserstrahl einer Wellenlänge, die fähig ist, durch den Halbleiterwafer 20 als
dem Werkstück
durchzutreten, von dem Kondenser 524 aufgebracht wird.
Wenn das andere Ende (rechtes Ende in 7(a)), d.h.
der Koordinatenwert (B1) der Bearbeitungszufuhrendposition der Unterteilungslinie 201 die
Aufbringposition des Kondensers 524 der Laserstrahlaufbringmittel 52 erreicht,
wie dies in 7(b) gezeigt ist, wird
die Aufbringung bzw. Anwendung des Pulslaserstrahls unterbrochen
und die Bewegung des Einspanntischs 36, d.h. des Halbleiterwafers 20 wird
gestoppt. In diesem Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht
ist der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls auf eine Position nahe
der vorderen Oberfläche 20a (unteren
Oberfläche)
des Halbleiterwafers 20 festgelegt bzw. eingestellt. Als
ein Ergebnis ist eine verschlechterte Schicht 210 zu der
vorderen Fläche
bzw. Oberfläche 20a (unteren
Oberfläche)
des Halbleiterwafers 20 freigelegt und von der vorderen
Oberfläche 20a zum
Inneren ausgebildet. Diese verschlechterte Schicht 210 wird
als eine geschmolzene und wiederverfestigte Schicht (d.h. eine Schicht,
welche einmal geschmolzen und dann neuerlich verfestigt wurde) ausgebildet
und hat eine reduzierte Festigkeit.
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In
dem obigen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht verändert sich
die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs 36, d.h.
des Halbleiterwafers 20, wie dies in 8 gezeigt
ist. 8 entspricht 11 und
die horizontale Achse zeigt die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs
und die vertikale Achse zeigt die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
bzw. -rate des Einspanntischs. Wie dies in 8 gezeigt
ist, wird die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs
von der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) beschleunigt und erreicht
eine vorbestimmte Rate bzw. Geschwindigkeit (V) an der ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml). Nachdem sich der Einspanntisch dann mit der vorbestimmten
Zufuhrgeschwindigkeit (V) bewegt und die zweite Bearbeitungszufuhrposition
(m2) erreicht, wird seine Zufuhrgeschwindigkeit verzögert und
wird null an der Bearbeitungszufuhrendposition (m3). Die Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) differiert in Abhängigkeit
von den Abständen
von den Koordinatenwerten (A1 bis An) der Bearbeitungszufuhrstartpositionen
bis zu den Koordinatenwerten (B1 bis Bn) der Bearbeitungszufuhrendpositionen
der Unterteilungslinien 201, welche auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildet
sind und sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, und den
Abständen von
den Koordinatenwerten (Cl bis Cn) der Bearbeitungszufuhrstartpositionen
bis zu den Koordinatenwerten (D1 bis Dn) der Bearbeitungszufuhrendpositionen
der Unterteilungslinien 201, die sich in der Richtung senkrecht
auf die vorbestimmte Richtung erstrecken. Jedoch ist die Länge von
der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) unabhängig
von der Länge
der Unterteilungslinien festgelegt, da bzw. wenn die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
gleichmäßig beschleunigt
wird, und die Länge
von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) zu der Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) unabhängig
von der Länge
der Unterteilungslinien ist festgelegt, da die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
gleichmäßig verzögert wird.
Daher ist die Fläche
bzw. der Bereich, welcher sich entsprechend der Länge der
Unterteilungslinien verändert,
der Bereich der Länge
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2).
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Wie
dies in 8 gezeigt ist, sind die Bearbeitungsgeschwindigkeit
zwischen der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) und der ersten
Bearbeitungszufuhrposition (ml), zwischen welcher sich der Einspanntisch
mit beschleunigter Geschwindigkeit bewegt, und die Bearbeitungs geschwindigkeit
zwischen der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) und der Bearbeitungszufuhrendposition
(m3), zwischen welcher sich der Einspanntisch mit einer verzögerten Geschwindigkeit
bewegt, niedriger als die vorbestimmte Bearbeitungsgeschwindigkeit
zwischen der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) und der zweiten
Bearbeitungszufuhrposition (m2), zwischen welcher sich der Einspanntisch
mit gleichmäßiger Geschwindigkeit
bewegt. Wenn die Wiederholungsfrequenz eines Pulslaserstrahls basierend auf
der vorbestimmten Bearbeitungsgeschwindigkeit zwischen der ersten
Bearbeitungszufuhrposition (ml) und der zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) festgelegt wird, werden daher die Aufbringpulse des Laserstrahls übermäßig in dem
obigen Beschleunigungs-Bewegungsbereich und dem Verzögerungs-Bewegungsbereich.
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Dann
wird in der ersten Ausbildung der vorliegenden Erfindung jedesmal,
wenn die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36,
d.h. des Halbleiterwafers 20 ein vorbestimmter Wert wird,
ein Puls des Laserstrahls aufgebracht. D.h., die Steuer- bzw. Regelmittel 10 empfangen
ein Pulssignal, welches das Detektionssignal des Lesekopfs 374b der obigen
Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 ist.
Die Steuer- bzw.
Regelmittel 10 zählen
die Eingabepulse mittels des Zählers 104,
und wenn die Zahl der Pulse beispielsweise 10 wird, wird
ein Aufbringsignal zu den Laserstrahlaufbringmitteln 52 ausgegeben.
Daher wird, da in der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung
der Lesekopf 374b ein Ein-Puls-Signal jedesmal ausgibt, wenn sich
der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 um
0,1 μm bewegt,
ein Puls des Laserstrahls entlang der Unterteilungslinie 201 des Halbleiterwafers 20 jedesmal
aufgebracht, wenn der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 um
1 μm bewegt
wird. Als ein Ergebnis wird selbst in dem Beschleunigungs- Bewegungsbereich
von der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) und dem Verzögerungsbereich
von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3), wo die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs 36,
d.h. des Halbleiterwafers 20 nicht konstant ist, ein Pulslaserstrahl
entlang der Unterteilungslinie 201 des Halbleiterwafers 20 in
regelmäßigen Intervallen
aufgebracht, wodurch eine gleichmäßige Bearbeitung von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) ausgeführt wird.
Folglich kann, da die gesamte Fläche
bzw. der gesamte Bereich von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) die Bearbeitungsfläche wird und
es somit keinen ungültigen
Hub des Einspanntischs 36, d.h. des Halbleiterwafers 20 in
dieser Ausbildung gibt, die Bearbeitungszeit verkürzt werden und
die gesamte Vorrichtung kann in der Größe reduziert werden.
-
Wenn
der Pulsmotor 372 als die Antriebsquelle für die obigen
Bearbeitungszufuhrmittel 37 verwendet wird, ist es weiterhin
möglich,
daß die
Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36 durch ein
Zählen
der Antriebspulse der Steuer- bzw. Regelmittel 10 detektiert
wird, welche ein Antriebssignal zu dem Pulsmotor 372 ausgeben,
so daß ein
Puls des Laserstrahls jedesmal aufgebracht wird, wenn die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36, d.h.
des Halbleiterwafers 20 ein vorbestimmter Wert wird. D.h.
in der illustrierten Ausbildung sind die Bearbeitungszufuhrmittel 37 ausgebildet,
um den Einspanntisch 36 um 0,1 μm jedesmal zu bewegen, wenn
ein Antriebspuls an den Pulsmotor 372 ausgegeben wird.
Daher geben die Steuer- bzw. Regelmittel 10 1,000,000 Antriebspulse
pro Sekunde an den Pulsmotor 372 aus, wenn die vorbestimmte
Bearbeitungszufuhrgeschwindig keit (V) 100 mm/s ist. Und die Steuer-
bzw. Regelmittel 10 zählen
die Antriebspulse, die an den Pulsmotor 372 ausgegeben
werden, mittels des Zählers 104 und
senden ein Aufbringsignal an die Laserstrahlaufbringmittel 52 aus, wenn
die Anzahl von Pulsen 10 erreicht. Daher wird ein Puls
des Laserstrahls entlang der Unterteilungslinie 201 des
Halbleiterwafers 20 jedesmal aufgebracht, wenn der Einspanntisch 36,
d.h. der Halbleiterwafer 20 um 1 μm bearbeitungszugeführt wird.
-
Die
Bearbeitungsbedingungen in dem obigen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht
sind beispielsweise wie folgt festgelegt.
Lichtquelle: LD erregter
Q Schalter Nd: YVO4 Laser
Wellenlänge: Pulslaser, der eine Wellenlänge von 1,064
nm aufweist
Energie: 3 (J/s)
Brennpunktdurchmesser: 1 μm
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit:
100 mm/s zwischen der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) und
der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2)
-
Wenn
der Halbleiterwafer 20 dick ist, wird das oben beschriebene
Ausbildungsverfahren bzw. -bearbeiten einer verschlechterten Schicht
mehrere Male durch ein stufenweises Ändern der obigen Brennpunkte
P ausgeführt,
um eine Mehrzahl von verschlechterten Schichten 210 auszubilden.
Die verschlechterte Schicht 210 kann nur im Inneren ausgebildet
werden, ohne daß sie
zur vorderen Oberfläche 20a und
zur rückwärtigen Oberfläche 20b freigelegt
wird.
-
Der
obige Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht wird entlang
aller Unterteilungslinien 201 ausgeführt, die in der vorbestimmten Richtung
des Halbleiterwafers 20 ausgebildet sind. Dann wird der
Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 um
90° gedreht,
um den Aus bildungsschritt einer verschlechterten Schicht entlang
der Unterteilungslinien 201 auszuführen, die sich in einer Richtung
senkrecht zu den obigen Linien 201 erstrecken, welche in
der vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 20 ausgebildet
sind.
-
Es
wird nachfolgend eine Beschreibung einer zweiten Ausbildung der
vorliegenden Erfindung gegeben.
-
In
der zweiten Ausbildung wird zuvor eine Frequenz-Steuer- bzw. -Regelkarte hergestellt
bzw. vorbereitet, die beispielsweise in 9 gezeigt
ist, in welcher die Wiederholungsfrequenz eines Pulslaserstrahls
für jede
Größe bzw.
jedes Ausmaß einer
Bearbeitungszuführung
basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate für die Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition des
Einspanntischs 36 durch die Bearbeitungszufuhrmittel 37 festgelegt
ist, wie dies in 7 gezeigt ist. In 9 zeigt
die horizontale Achse die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs und die
vertikale Achse zeigt die Wiederholungsfrequenz des Pulslaserstrahls
entsprechend jeder Größe einer
Bearbeitungszuführung
bzw. -zufuhr. In der Frequenz-Steuer-
bzw. -Regelkarte, die in 9 gezeigt ist; wird der Einspanntisch
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) mit bzw. bei einer gleichmäßigen Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit,
beispielsweise 100 mm/s bewegt, und die Wiederholungsfrequenz (F)
des Pulslaserstrahls zwischen diesen Positionen ist beispielsweise
auf 100 kHz festgelegt. Die Wiederholungsfrequenzen des Pulslaserstrahls
des Beschleunigungs-Bewegungsbereichs von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zu der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) und des Verzögerungs-Bewegungsbereichs
von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) sind wie folgt festgelegt.
-
Wenn
die gleichmäßig beschleunigte
Bewegung des Einspanntischs 36 von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) durch A (mm/s2) dargestellt ist, ist die Bewegung gleichmäßiger Geschwindigkeit
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) durch V (mm/s) dargestellt bzw. repräsentiert, die Zeit, die für eine Bewegung
von der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml)
erforderlich ist, d.h. die Zeit, die für die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
des Einspanntischs erforderlich ist, um V (mm/s) von 0 (mm/s) zu
erreichen, durch t dargestellt ist, und die Wiederholungsfrequenz
des Pulslaserstrahls in dem Bewegungsbereich gleichmäßiger Geschwindigkeit
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (m1) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) durch F (Hz) dargestellt ist, wird die Wiederholungsfrequenz
f(Hz) des Pulslaserstrahls in dem Beschleunigungs-Bewegungsbereichs
von der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml)
aus dem Ausdruck f (Hz) = (F × A × t)/V erhalten. Und
wenn die gleichmäßig verzögerte Bewegung von
der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) durch B (mm/s2) dargestellt ist und
die Zeit, die für
eine Bewegung von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis
zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) erforderlich ist, d.h. die
Zeit, die für
die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs erforderlich ist,
um 0 (mm/s) von V (mm/s) zu erreichen, mit t dargestellt ist, dann
wird die Frequenz f (Hz) des Pulslaserstrahls in dem Verzögerungs-Bewegungsbereich von
der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bear beitungszufuhrendposition
(m3) aus dem Ausdruck f (Hz) = (F × B × t)/V erhalten.
-
Die
so vorbereitete Frequenz-Steuer- bzw. -Regelkarte als eine Steuer-
bzw. Regelkarte zum Festlegen von Bearbeitungsbedingungen ist in
dem Nur-Lesespeicher (ROM) 102 oder dem Direktzugriffsspeicher
(RAM) 103 der Steuer- bzw. Regelmittel 10 gespeichert.
Die Steuer- bzw. Regelmittel 10 steuern bzw. regeln die
Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel 522b der Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 der
Laserstrahlaufbringmittel 52 basierend auf der Frequenz-Steuer- bzw. -Regelkarte
in dem oben beschriebenen Schritt eines Ausbildens einer verschlechterten
Schicht.
-
D.h.
in dem oben genannten Schritt eines Ausbildens einer verschlechterten
Schicht ergreifen die Steuer- bzw. Regelmittel 10 die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36,
d.h. des Halbleiterwafers 20, basierend auf einem Pulssignal,
das das Detektionssignal des Lesekopfs 374b der Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 ist
(oder ein Antriebspulssignal, wenn die Antriebsquelle für die Bearbeitungszufuhrmittel 37 der
Pulsmotor 372 ist, oder ein Pulssignal von einer rotierenden
Codiereinrichtung, wenn die Antriebsquelle für die Bearbeitungszufuhrmittel 37 ein
Servomotor ist), wie dies oben beschrieben ist. Die Steuer- bzw. Regelmittel 10 steuern
bzw. regeln die Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel 522b der Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522,
um einen Pulslaserstrahl zu generieren bzw. zu erzeugen, der eine
Wiederholungsfrequenz entsprechend einer Geschwindigkeit aufweist,
die bei der gleichmäßig beschleunigten
Geschwindigkeit beschleunigt ist, die in 9 gezeigt
ist, während
sich der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 von
der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) bewegt. Wenn der Einspanntisch 36, d.h. der Halb leiterwafer 20 die
erste Bearbeitungszufuhrposition (ml) erreicht, steuern bzw. regeln die
Steuer- bzw. Regelmittel 10 die Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel 522b der
Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522, um einen Pulslaserstrahl
zu generieren, der eine vorbestimmte Wellenlänge von 100 kHz in dem Bereich
einer Bewegung einer gleichmäßigen Geschwindigkeit
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) aufweist. Wenn der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 die
zweite Bearbeitungszufuhrposition (m2) erreicht, steuern bzw. regeln
die Steuer- bzw. Regelmittel 10 die Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel 522b der
Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522,
um einen Pulslaserstrahl zu generieren, der eine Frequenz entsprechend
einer Geschwindigkeit aufweist, die bei der gleichmäßig verzögerten Geschwindigkeit
verzögert wird,
die in 9 gezeigt ist, während sich der Einspanntisch 36,
d.h. der Halbleiterwafer 20 von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) bewegt.
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Somit
wird in der zweiten Ausbildung der vorliegenden Erfindung, da die
Wiederholungsfrequenz des Pulslaserstrahls basierend auf der Frequenz-Steuer-
bzw. -Regelkarte gesteuert bzw. geregelt ist, in welcher die Wiederholungsfrequenz
des Pulslaserstrahls für
jede Größe einer
Bearbeitungszuführung
basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit für die Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs 36 festgelegt ist, der Pulslaserstrahl
auf den Halbleiterwafer 20 entlang der Unterteilungslinien 201 in
regelmäßigen Intervallen
aufgebracht, und somit wird eine gleichmäßige Bearbeitung von der Bearbeitungszufuhrstartposition
bis zur Bearbeitungszufuhrendposition ausgeführt. Daher ist selbst in der
zweiten Aus bildung der Bereich von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) der Bearbeitungsbereich,
und es gibt keinen ungültigen
Hub des Einspanntischs 36, d.h. des Halbleiterwafers 20,
wodurch es möglich
gemacht wird, die Bearbeitungszeit zu verkürzen und die Größe der gesamten
Vorrichtung zu reduzieren.
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In
der obigen ersten und zweiten Ausbildung ist bzw. wird die Anzahl
der Pulse des Pulslaserstrahls basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
des Einspanntischs gesteuert bzw. geregelt. Es ist jedoch auch möglich, daß die Energie des
Pulslaserstrahls die pro Einheitsdistanz entlang der Unterteilungslinien
aufgebracht wird, die auf dem Halbleiterwafer ausgebildet sind,
gleichmäßig gemacht
wird. D.h., 10 zeigt eine Energie-Steuer- bzw.
-Regelkarte, in welcher die Energie des Pulslaserstrahls als eine
Bearbeitungsbedingung basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
für die
Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs 36 festgelegt ist. In 10 zeigt
die horizontale Achse die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs und die
vertikale Achse zeigt die Energie des Pulslaserstrahls für jede Größe einer
Bearbeitungszuführung.
In der Energie-Steuer- bzw. – Regelkarte,
die in 10 gezeigt ist, bewegt sich
der Einspanntisch von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml)
bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bei einer gleichmäßigen Geschwindigkeit
von beispielsweise 100 mm/s, und die Energie (P) des Pulslaserstrahls
zwischen diesen Positionen ist beispielsweise auf 3 (J/s) festgelegt.
Und die Energie des Pulslaserstrahls für den Beschleunigungs-Bewegungsbereich
von der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) und den Verzögerungs-Bewegungsbereich
von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) wird wie folgt festgelegt.
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Wenn
die gleichmäßig beschleunigte
Bewegung des Einspanntischs von der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zu der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) durch A dargestellt
(mm/s2) ist, ist die Bewegung einer gleichmäßigen Geschwindigkeit von
der ersten Bearbeitungszufuhrposition (m1) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) durch V (mm/s) dargestellt ist, die Zeit, die für eine Bewegung von
der Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) erforderlich ist, d.h. die Zeit, die für die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
des Einspanntischs erforderlich ist, um V (mm/s) von 0 (mm/s) zu
erreichen, mit t dargestellt ist, und die Energie des Pulslaserstrahls
in dem Bereich einer Bewegung gleichmäßiger Geschwindigkeit von der
ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) durch P (J/s) dargestellt ist, wird die Energie p (J/s) des
Pulslaserstrahls in dem Beschleunigungs-Bewegungsbereich von der
Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition (m1)
aus dem Ausdruck p (J/s) = (P × A × t)/V erhalten.
Und wenn die gleichmäßig verzögerte Bewegung
von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) mit B (mm/s2) dargestellt ist, und
die Zeit, die für
eine Bewegung von der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis
zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) erforderlich ist, d.h. die
Zeit, die für
die Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit des Einspanntischs erforderlich ist,
um 0 (mm/s) von V (mm/s) zu erreichen, mit t dargestellt ist, wird
die Energie p (J/s) des Pulslaserstrahls in dem Verzögerungs-Bewegungsbereich
von der zweiten Bearbeitungszu fuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) aus dem Ausdruck p (J/s) = (P × B × t)/V erhalten.
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Die
so vorbereitete Energie-Steuer- bzw. -Regelkarte ist in dem Nur-Lesespeicher
(ROM) 102. oder dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 der
Steuer- bzw. Regelmittel 10 gespeichert. Die Steuer- bzw. Regelmittel 10 steuern
bzw. regeln die Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 der
Laserstrahlaufbringmittel 52 basierend auf der Energie-Steuer- bzw. -Regelkarte
in dem oben beschriebenen Ausbildungsschritt einer verschlechterten
Schicht.
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D.h.,
in dem obigen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht
ergreifen bzw. erfassen die Steuer- bzw. Regelmittel 10 die Bearbeitungszufuhrgröße des Einspanntischs 36,
d.h. des Halbleiterwafers 20, basierend auf einem Pulssignal,
das das Detektionssignal des Lesekopfs 374b der Zufuhrgrößendetektionsmittel 374 ist
(oder ein Antriebspulssignal, wenn die Antriebsquelle für die Bearbeitungszufuhrmittel 37 der
Pulsmotor 372 ist oder ein Pulssignal von einer rotierenden
Codiereinrichtung, wenn die Antriebsquelle für die Bearbeitungsmittel 37 ein Servomotor
ist), wie dies oben beschrieben ist. Die Steuer- bzw. Regelmittel 10 steuern
bzw. regeln die Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522,
um einen Pulslaserstrahl zu generieren, der eine Energie entsprechend
einer Geschwindigkeit aufweist, die bei der gleichmäßig beschleunigten
Geschwindigkeit beschleunigt ist, die in 10 gezeigt
ist, während
sich der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 von der
Bearbeitungszufuhrstartposition (m0) bis zur ersten Bearbeitungszufuhrposition
(ml) bewegt. Wenn der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 die erste
Bearbeitungszufuhrposition (ml) erreicht, steuern bzw. regeln die
Steuer- bzw. Regelmittel 10 die Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522,
um einen Pulslaserstrahl zu generieren, der eine vorab festgelegte
Energie von 3 (J/s) in dem Bereich einer Bewegung gleichmäßiger Geschwindigkeit
von der ersten Bearbeitungszufuhrposition (ml) bis zur zweiten Bearbeitungszufuhrposition
(m2) aufweist. Und wenn der Einspanntisch 36, d.h. der
Halbleiterwafer 20 die zweite Bearbeitungszufuhrposition
(m2) erreicht, steuern bzw. regeln die Steuer- bzw. Regelmittel 10 die
Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522, um einen Pulslaserstrahl
zu generieren, der eine Energie entsprechend einer Geschwindigkeit
aufweist, die bei der gleichmäßig verzögerten Geschwindigkeit
verzögert
ist bzw. wird, die in 10 gezeigt ist, während sich
der Einspanntisch 36, d.h. der Halbleiterwafer 20 von
der zweiten Bearbeitungszufuhrposition (m2) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
(m3) bewegt.
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Somit
wird in der Ausbildung, die die Energie-Steuer- bzw. -Regelkarte verwendet, die in 10 gezeigt
ist, da die Energie des Pulslaserstrahls für jede Größe bzw. jedes Ausmaß einer
Bearbeitungszufuhr basierend auf der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
für die
Bearbeitungszufuhrgröße von der
Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition
des Einspanntischs 36 gesteuert bzw. geregelt wird, die
Energie des Pulslaserstrahls, die pro Einheitsdistanz entlang der
Unterteilungslinien 201 des Halbleiterwafers 20 aufgebracht
wird, gleichmäßig von
der Bearbeitungszufuhrstartposition bis zur Bearbeitungszufuhrendposition.
Somit wird auch in dieser Ausbildung der Bereich der Bearbeitungszufuhrstartposition
(m0) bis zur Bearbeitungszufuhrendposition (m3) der Bearbeitungsbereich
und es gibt hier keinen ungültigen Hub
des Einspanntischs 36, d.h. des Halbleiterwafers 20,
wodurch es möglich
gemacht wird, die Bearbeitungszeit zu verkürzen und die Größe der gesamten
Apparatur bzw. Vorrichtung zu reduzieren.