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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Dicingvorrichtung und ein Dicingverfahren
zum Herstellen von Chips für Halbleitervorrichtungen, elektronische
Komponenten und ähnliches, und insbesondere eine Laserdicingvorrichtung
und ein Laserdicingverfahren unter Verwendung von Laserlicht.
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Stand der Technik
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Herkömmlich
wird eine Dicingvorrichtung zum Schneiden eines Wafers durch Ausbilden
einer geschliffenen Nut im Wafer mit einem dünnen Schleifrad,
das aus feinen Diamantschleifkörnern ausgebildet ist und
eine Dicke von etwa 30 μm hat, dazu verwendet, einen Wafer
mit Halbleitervorrichtungen, elektronischen Komponenten oder ähnlichem,
die auf seiner Oberfläche ausgebildet sind, in einzelne
Chips zu aufzuteilen bzw. zu trennen.
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In
der Dicingvorrichtung wird das dünne Schleifrad (das hierin
nachfolgend Dicing-Messer genannt wird) mit hoher Geschwindigkeit
(30.000 bis 60.000 U/min) gedreht, um den Wafer zu schleifen und
um ein Schneiden zu vervollständigen (vollständiges
Schneiden) oder ein Schneiden nicht zu vervollständigen
(halbes Schneiden oder halbvollständiges Schneiden).
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Da
der Wafer ein äußerst sprödes bzw. brüchiges
Material ist, ist eine Schleifbearbeitung mit diesem Dicing-Messer
jedoch eine Bearbeitung in einem Brüchigkeitsmode, welche
ein Chipping bzw. eine Schartigkeit bzw. ein Abspringen an der vorderen
und der hinteren Oberfläche des Wafers verursacht. Diese
Schartigkeit ist ein Grund für eine Reduzierung bezüglich
einer Effizienz von getrennten Chips.
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Insbesondere
bei einer an der Rückseite verursachten Schartigkeit gibt
es ein derartiges schwerwiegendes Problem, dass ein Anriss bzw.
Haarriss nach und nach zu einem inneren Bereich fortschreitet.
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Angesichts
dieses Problems sind eine Laserdicingvorrichtung und ein Laserdicingverfahren
vorgeschlagen worden, wobei das herkömmliche Schneiden
mit einem Dicing-Messer durch Einführen von auf einen inneren
Bereich eines Wafers fokussiertem Laserlicht, durch Ausbilden einer
Vielzahl modifizierter Gebiete im Wafer durch eine Multiphotonenabsoprtion
und durch Schneiden und Trennen des Wafers in einzelne Chips ersetzt
ist (siehe beispielsweise das offengelegte
japanische Patent Nr. 2004-111946 ).
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Die
in dem oben angegebenen offengelegten
japanischen Patent Nr. 2004-111946 vorgeschlagene Technik
erfordert ein vorheriges Einstellen der Dicke eines in der Laserdicingvorrichtung
einem Dicing zu unterziehenden Wafers für eine Bestimmung
von beispielsweise Positionen, bei welchen modifizierte Gebiete
in dem Wafer auszubilden sind, und der Anzahl oder der Dichte modifizierter
Gebiete.
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Beim
Prozess zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, einer elektronischen
Komponente oder von ähnlichem wird normalerweise ein Polieren oder
ein Schleifen der vorderen oder hinteren Oberfläche eines
Wafers durchgeführt. Bei diesem Prozess wird eine Bearbeitung
durch Einstellen der Dicke eines Wafers nach einer Bearbeitung durchgeführt.
Es ist jedoch schwierig, alle Wafer nach einer Bearbeitung bezüglich
der Dicke gleichzumachen, und dies resultiert in einer Variation
bezüglich der Dicke. Daher tritt dann, wenn eine Bearbeitung
unter Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets
entsprechend einer bestimmten Dicke fortgesetzt wird, ein Bearbeitungsdefekt
auf, wenn ein Wafer, der bezüglich der Dicke unterschiedlich
ist, zugeführt wird. Daher gibt es eine Notwendigkeit für eine
Messung der Dicke jedes Wafer und ein erneutes Einstellen von Bedingungen
für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets, die für
die Dicke am besten geeignet sind, was durch einen Bediener durchgeführt
wird.
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Die
vorliegende Erfindung ist angesichts eines derartigen Problems gemacht
worden, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen
einer Laserdicingvorrichtung und eines Laserdicingverfahrens, die
ein Dicing hoher Qualität schnell durchführen
können, ohne irgendeinen Bearbeitungsdefekt zu verursachen,
und selbst in einem Fall, in welchem Wafer zugeführt werden,
die bezüglich der Dicke unterschiedlich sind.
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Offenbarung der Erfindung
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Um
die oben beschriebene Aufgabe zu erreichen, wird gemäß der
vorliegenden Erfindung eine Laserdicingvorrichtung zur Verfügung
gestellt, die Laserlicht durch eine Oberfläche eines Wafers
einführt, um ein modifiziertes Gebiet im Wafer auszubilden,
wobei die Vorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, dass sie eine
Messvorrichtung aufweist, die eine Dicke des Wafers misst, eine
Aufzeichnungsvorrichtung, die eine Datenbank speichert, in der Bedingungen
für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets zugehörig
zu unterschiedlichen Dicken des Wafers beschrieben sind, und eine
Steuervorrichtung, die die Laserdicingvorrichtung durch automatisches
Auswählen der Bedingungen für ein Ausbilden eines
modifizierten Gebiets entsprechend der Dicke des Wafers aus der
Datenbank auf der Basis der durch die Messvorrichtung gemessenen
Dicke des Wafers steuert.
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Die
oben beschriebene Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die
Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets
eine Anzahl der auszubildenden modifizierten Gebiete, Positionen
der auszubildenden modifizierten Gebiete, eine Dicke der auszubildenden
modifizierten Gebiete, eine Geschwindigkeit, mit welcher das Laserlicht
bewegt wird, eine Frequenz des Laserlichts und eine Form des Laserlichts
sind.
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Weiterhin
ist die vorliegende Erfindung auch dadurch gekennzeichnet, dass
in einer Laserdicingvorrichtung, bei welcher Laserlicht durch eine
Oberfläche eines Lasers eingeführt wird, um ein
modifiziertes Gebiet im Wafer auszubilden, eine Steuervorrichtung
auf der Basis der durch eine Messvorrichtung gemessenen Di cke des
Wafers aus Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten
Gebiets, die zu unterschiedlichen Dicken des Wafers gehören
und in einer in einer Aufzeichnungsvorrichtung im Voraus gespeicherten
Datenbank beschrieben sind, automatisch auswählt und ein
Laserdicing unter den ausgewählten Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets durchgeführt
wird.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung wird die Dicke des Wafers vor einem Dicing
durch die Messvorrichtung vom Kontakttyp oder kontaktlosen Typ automatisch
gemessen, die in der Laserdicingvorrichtung vorgesehen ist. Eine
Datenbank, in der Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten
Gebiets, die zu unterschiedlichen Dicken des Wafers gehören,
einschließlich einer Anzahl auszubildender modifizierter
Gebiete, von Positionen der auszubildenden modifizierten Gebiete,
einer Dicke der auszubildenden modifizierten Gebiete, einer Geschwindigkeit,
mit welcher das Laserlicht bewegt wird, einer Frequenz des Laserlichts
und einer Form des Laserlichts, beschrieben sind, ist in der Aufzeichnungsvorrichtung
gespeichert.
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Die
Steuervorrichtung wählt auf der Basis der gemessenen Dicke
des Wafers die Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten
Gebiets entsprechend der gemessenen Dicke des Wafers aus den in
der in der Aufzeichnungsvorrichtung gespeicherten Datenbank beschriebenen
Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets
aus und stellt automatisch die ausgewählten Bedingungen
für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets in der Laserdicingvorrichtung
ein. Die Laserdicingvorrichtung führt eine Bearbeitung
am Wafer unter den eingestellten Bedingungen für ein Ausbilden
eines modifizierten Gebiets durch.
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Auf
diese Weise wird selbst in einem Fall, in welchem Wafer, die bezüglich
der Dicke variieren, aufeinanderfolgend zur Laserdicingvorrichtung
zugeführt werden, die Waferdicke automatisch gemessen und
wird ein Dicing durch Auswählen der optimalen Bedingungen
für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets aus den im
Voraus vorbereiteten Bedingungen für ein Ausbilden eines
modifizierten Gebiets durchgeführt. Daher kann ein Dicing
hoher Qualität schnell durchgeführt werden, ohne
einen Bearbeitungsdefekt aufgrund einer plötzlichen Änderung
bezüglich einer Dicke zu verursachen.
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Bei
der Laserdicingvorrichtung und dem Laserdicingverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung, wie sie oben beschrieben sind, wird die
Waferdicke automatisch gemessen, um die optimalen Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets einzustellen, so dass
selbst in einem Fall, in welchem Wafer, die bezüglich der
Dicke unterschiedlich sind, zugeführt werden, ein Dicing
hoher Qualität schnell durchgeführt werden kann,
ohne einen Bearbeitungsdefekt zu verursachen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
eine Draufsicht, die den Aufbau einer Laserdicingvorrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung schematisch zeigt;
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2 ist
eine Seitenansicht zum Erklären des Aufbaus eines Laserkopfs;
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3 ist ein schematisches Diagramm zum Erklären
eines in der Umgebung einer Lichtsammelstelle in einem Wafer ausgebildeten
modifizierten Gebiets;
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4 ist
eine Seitenansicht, die den Aufbau einer Messvorrichtung zeigt;
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5 ist
eine Seitenansicht, die den Aufbau einer weiteren Messvorrichtung
zeigt;
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6 ist
eine perspektivische Ansicht, die den an einem Gestell montierten
Wafer zeigt; und
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7 ist
ein Ablaufdiagramm, das ein Laserdicingverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung zeigt.
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Beste Art zum Ausführen
der Erfindung
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele einer Laserdicingvorrichtung und eines
Laserdicingverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung
werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert
beschrieben werden.
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Zuerst
wird ein Laserdicingverfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben werden. 1 ist eine
Draufsicht, die den Aufbau der Laserdicingvorrichtung schematisch
zeigt.
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Eine
Laserdicingvorrichtung 10 hat einen Hauptkörper 19,
einen Einspanntisch 12, eine X-Führungsbasis 15,
eine Y-Führungsbasis 41, eine Z-Führungsbasis 51,
eine Hebeeinheit 13, einen Standby-Tisch 14, einen
Laserkopf 31, eine Messvorrichtung 16, eine Steuervorrichtung 21 und
eine Aufzeichnungsvorrichtung 22.
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Der
Einspanntisch 12, auf welchen ein Wafer W angezogen und
angebracht ist, wird mittels einer θ-Drehwelle, die nicht
dargestellt ist, in der Richtung eines Pfeils θ gedreht
und wird mit einem X-Tisch, der auf der X-Führungsbasis
angebracht ist, aber nicht dargestellt ist, in der Richtung eines
Pfeils X zur Bearbeitung zugeführt.
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Die
Y-Führungsbasis 41 ist oberhalb des Einspanntischs 12 vorgesehen.
Zwei Y-Tische, die nicht dargestellt sind, sind auf der Y-Führungsbasis 41 vorgesehen
und Z-Führungsschienen 51 sind jeweils an den
Y-Tischen angebracht.
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Ein
Z-Tisch, der nicht dargestellt ist, ist auf jeder der Z-Führungsschienen 51 vorgesehen.
Der Laserkopf 31 ist an jedem Z-Tisch mittels einer Halterung 32 angebracht.
Die zwei Laserköpfe 31 werden unabhängig
voneinander in der Z-Richtung bewegt und werden in der Y-Richtung
unabhängig mit intermittierender Bewegung zugeführt.
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Die
Hebeeinheit 13 enthält eine Kassette, die einen
Wafer W enthält, und wird vertikal bewegt, um zu ermöglichen,
dass der Wafer W durch eine Fördervorrichtung, die nicht
dargestellt ist, auf den Standby-Tisch 15 zugeführt
wird. Der Standby-Tisch ist allgemein bei derselben Höhe
wie derjenigen des Einspanntischs 12 vorgesehen. Verschiedene
nötige Verarbeitungen werden an dem auf dem Standby-Tisch
angebrachten Wafer W vor und nach einer Bearbeitung durchgeführt.
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Die
Messvorrichtung 16 eine Versatz-Messvorrichtung vom Kontakttyp
oder vom kontaktlosen Typ. Durch die Messvorrichtung 16 wird
die Höhe jedes Wafers W aus dem Ausmaß eines Versatzes
gemessen.
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Die
Steuervorrichtung 21, die im Hauptkörper 19 untergebracht
ist, ist durch eine CPU, einen Speicher, einen Eingabe/Ausgabe-Schaltungsabschnitt
etc. gebildet. Die Steuervorrichtung 21 ruft zur Bearbeitung
nötige Information aus einer in der auch im Hauptkörper 19 untergebrachten
Aufzeichnungsvorrichtung 22 gespeicherten Datenbank auf
und steuert den Betrieb jedes Bereichs der Laserdicingvorrichtung 10.
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Die
Laserdicingvorrichtung 10 hat andere Komponenten, einschließlich
einer Wafertransportvorrichtung, eines Bedienpults, eines Fernsehmonitors
und von Anzeigelampen, die nicht dargestellt sind.
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An
dem Bedienpult sind Schalter zum Bedienen von Bereichen der Laserdicingvorrichtung 10 und
eine Anzeigevorrichtung angebracht. Der Fernsehmonitor zeigt ein
Waferbild, das mit einer nicht dargestellten CCD-Kamera aufgenommen
ist, und Programminhalte, verschiedene Nachrichten und ähnliches
an. Die Anzeigelampen zeigen Betriebszustände an, wie beispielsweise
bei einer Bearbeitung, eine Beendigung einer Bearbeitung und einen
Notstopp.
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2 ist
eine Seitenansicht zum Erklären des Aufbaus des Laserkopfs 31.
Der Laserkopf 31 ist über dem Wafer W positioniert,
der auf dem Einspanntisch 12 angebracht ist, der auf einer
Basis 11 der Laserdicingvorrichtung 10 vorgesehen
ist, um Laserlicht L auf den Wafer W anzuwenden bzw. an diesen anzulegen.
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Der
Laserkopf 31 ist durch einen Laseroszillator 31A,
eine Kollimatorlinse 31B, einen Spiegel 31C und
eine Kondensorlinse 31D gebildet. Wie es in 2 gezeigt
ist, wird vom Laseroszillator 31A oszilliertes Licht L
durch die Kollimatorlinse 31B in parallele Strahlen in
horizontaler Richtung ausgebildet, durch den Spiegel 31C in
vertikaler Richtung reflektiert und durch die Kondensorlinse 31D kondensiert bzw.
gesammelt.
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Wenn
die Stelle, an welcher Laserlicht L gesammelt ist, in einem auf
dem Einspanntisch 12 angebrachten Wafer W bezüglich
der Dickenrichtung des Wafers W eingestellt wird, wird die Energie
des durch die Oberfläche des Wafers W transmittierten Laserlichts
L auf die Sammelstelle konzentriert, um aufgrund einer Multiphotonenabsorption
in der Umgebung der Sammelstelle im Wafer ein modifiziertes Gebiet,
wie beispielsweise ein gerissenes Gebiet, ein geschmolzenes Gebiet
oder ein bezüglich des Brechungsindex geändertes
Gebiet, auszubilden.
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Ebenso
hat der Laserkopf 31 einen Neigemechanismus, der nicht
dargestellt ist, und kann Laserlicht L auf die Waferoberfläche
anwenden bzw. an diese anlegen, während Laserlicht L unter
einem beliebigen Winkel von der Waferoberfläche geneigt wird.
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Die 3(a), 3(b), 3(c) und 3(d) sind
schematische Diagramme zum Erklären modifizierter Gebiete,
die in der Umgebung der Sammelstelle im Wafer ausgebildet sind. 3(a) zeigt einen Zustand, in welchem ein
modifiziertes Gebiet P bei der Sammelstelle durch in den Wafer W
eingeführtes Laserlicht L ausgebildet ist. Der Wafer W
wird in diesem Zustand in der horizontalen Richtung bewegt, um das
modifizierte Gebiet P kontinuierlich auszubilden, um dadurch ein
kontinuierliches modifiziertes Gebiet P1 auszubilden, wie es in 3(b) gezeigt ist.
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Eine
Vielzahl modifizierter Gebiete P1 wird durch Ändern der
Sammelstelle des Laserlichts L ausgebildet. Der Wafer W teilt sich
durch spontanes Abbrechen beginnend von den modifizierten Gebieten
P1 aus oder wird durch Abbrechen ab den modifizierten Gebieten P1
getrennt, und zwar verursacht durch Ausüben einer geringen äußeren
Kraft. In diesem Fall kann der Wafer W auf einfache Weise in Chips
geteilt bzw. getrennt werden, ohne ein Chipping bzw. eine Schartigkeit
an der vorderen und der hinteren Oberfläche zu verursachen.
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Im
Fall eines Teilens bzw. Trennens eines Wafers W1, der dünner
als der Wafer W ist, werden die Bedingungen für ein Ausbilden
eines modifizierten Gebiets geändert und wird der Wafer
W1 durch Ausbilden von modifizierten Gebieten P2 geteilt, die schmaler
als die modifizierten Gebiete P1 sind (3(c)).
Im Fall eines Teilens bzw. Trennens eines Wafers W2, der dicker
als der Wafer W ist, werden die Bedingungen für ein Ausbilden
eines modifizierten Gebiets geändert und wird der Wafer
W2 durch Ausbilden einer größeren Anzahl modifizierter
Gebiete P3 geteilt, die im Vergleich mit dem Fall des Wafers W breiter
als die modifizierten Gebiete P1 sind (3(d)).
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Auf
diese Weise wird der Wafer W durch Ausbilden modifizierter Gebiete
geschnitten, die für die entsprechende von unterschiedlichen
Dicken am besten geeignet sind, so dass Defekte, wie beispielsweise
diejenigen aufgrund eines Chipteilungsfehlers, nicht verursacht
werden.
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4 ist
eine Seitenansicht zum Erklären des Aufbaus der Messvorrichtung.
Die Messvorrichtung 16 ist an einem Seitenflächenbereich
des Laserkopfs 31 angebracht und wird durch den Y-Tisch
und den Z-Tisch wie der Laserkopf 31 in der Y-Richtung und
in der Z-Richtung bewegt.
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Die
Messvorrichtung 16 ist mit einer Versatz-Messvorrichtung 18 vom
Kontakttyp versehen, die durch einen Luftzylinder 20 in
der Z-Richtung vertikal bewegt wird und eine Messsonde 17 hat,
die von einer Messebene zurückgezogen ist, wenn kein Messen
durchgeführt wird.
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Wenn
ein Laserdicing an dem Wafer W mit der Laserdicingvorrichtung 10 der
vorliegenden Erfindung durchgeführt wird, ist der Wafer
W normalerweise an einem Dicing-Gestell F mittels eines Dicing-Bands
T mit einem Klebemittel auf seiner einen Oberfläche angebracht,
wie es in 6 gezeigt ist, und wird in diesem
Zustand während eines Laserdicingprozesses transportiert.
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Die
Messvorrichtung 16 misst den Unterschied zwischen der Position
der Oberfläche des an dem auf dem Einspanntisch 12 angebrachten
Wafer W angeklebten Dicing-Bands T und der Position der Oberfläche
des Wafers W, während die Messsonde 17 in der
X-Richtung und in der Y-Richtung bewegt wird, und misst die Dicke
des Wafers W aus dem Unterschied bezüglich der Positionen.
Die gemessene Dicke des Wafers W wird zur Steuervorrichtung 21 gesendet,
um sich einer Verarbeitung zu unterziehen.
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Somit
wird selbst in einem Fall, in welchem Wafer W, die bezüglich
der Dicke Variieren, aufeinanderfolgend zur Laserdicingvorrichtung 10 zugeführt werden,
die Waferdicke automatisch gemessen und wird ein Laserdicing durch
Auswählen von optimalen Bedingungen für ein Ausbilden
eines modifizierten Gebiets aus der im Voraus in der Aufzeichnungsvorrichtung 22 gespeicherten
Datenbank durchgeführt.
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Als
die Messvorrichtung 16 kann eine Messvorrichtung vom kontaktlosen
Typ 16a, wie beispielsweise ein Laserversatzmessgerät
oder eine IR-Kamera verwendet werden, wie es in 5 gezeigt
ist.
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Als
Nächstes wird ein Laserdicingverfahren unter Verwendung
der Laserdicingvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben werden. 7 ist ein
Ablaufdiagramm des Laserdicingverfahrens gemäß der
vorliegenden Erfindung.
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In
der Laserdicingvorrichtung 10 wird ein Wafer W, der an
dem in 6 gezeigten Dicing-Band T angeklebt ist und der
an dem Gestell F angebracht ist, in einer Kassette untergebracht,
und wird die Kassette in die Hebeeinheit 13 gesetzt (Schritt
S1).
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Wenn
es eine Notwendigkeit zum Eingeben von Bearbeitungsdaten, wie beispielsweise
der Wafergröße und des Ausmaßes der intermittierenden Bewegung
gibt, wird zu diesem Zeitpunkt eine Einstellung durch Eingeben von
solchen Daten durch das nicht dargestellte Bedienpult durchgeführt.
Nach einem Einstellen wird eine Operation zum Eingeben eines Befehls,
eine Bearbeitung zu starten, zum Starten einer Bearbeitung durchgeführt
und beginnt die Hebeeinheit 13 sich zu bewegen.
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Der
an dem Gestell F angebrachte Wafer W wird durch die nicht dargestellte
Transportvorrichtung von der zu einer vorbestimmten Höhe
bewegten Hebeeinheit 13 auf den Standby-Tisch 14 transportiert (Schritt
2).
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Auf
dem Standby-Tisch 14 werden verschiedene Verarbeitungen
durchgeführt, die vor einer Bearbeitung erforderlich sind,
wie beispielsweise ein Reinigen der Oberfläche des Wafers
W, ein Prüfen der Größe des Wafers W
und von Anrissen im Wafer W und ein Prüfen der Position
einer Ausrichtungsmarkierung.
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Nach
der Beendigung von Verarbeitungen auf dem Standby-Tisch 14 wird
der Wafer W auf dem Einspanntisch 12 platziert, der bei
der Ursprungsposition positioniert ist, indem er durch die nicht
dargestellte Transportvorrichtung transportiert wird, und wird der
Einspanntisch 12 durch den X-Tisch in der X-Richtung bewegt.
Der Einspanntisch 12 wird dadurch zu einer Bearbeitungsposition
unter der Y-Führungsbasis 41 bewegt (Schritt S3).
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Die
Dicke des Wafers W auf dem zur Bearbeitungsposition bewegten Einspanntisch 12 wird durch
die Messvorrichtung 16 gemessen (Schritt S4).
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Bei
der Dickenmessung des Wafers W werden die Z-Tische und die Luftzylinder 20,
die in 4 gezeigt sind, in der Z-Richtung abgesenkt und
werden die X- und Y-Tische bewegt, um die Messsonde 17 in
Kontakt mit der Oberfläche des Dicing-Bands T zu bringen.
Die Position der Oberfläche des Dicing-Bands T wird dadurch
als Referenzposition eingestellt.
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Nach
einem Einstellen der Referenzposition wird die Messsonde 17 in
der X-Richtung und in der Y-Richtung bewegt, um in Kontakt mit der
Oberfläche des Wafers W gebracht zu werden. Die Position
der Oberfläche des Dicing-Bands T und die Position der Oberfläche
des Wafers W werden dadurch gemessen und der Wert der Dicke des
Wafers W wird aus der Differenz dazwischen gemessen. Eine Messung der
Dicke des Wafers W wird an einer Stelle im Wafer W, an einer Vielzahl
von Bereichen oder an allen Linien, entlang welchen ein Laserdicing
durchgeführt wird, durchgeführt.
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Der
gemessene Wert der Dicke des Wafers W wird zur Steuervorrichtung 21 gesendet,
um sich einer Verarbeitung zu unterziehen (Schritt S5).
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Der
zur Steuervorrichtung 21 gesendete gemessene Wert der Dicke
des Wafers W wird mit der in der Aufzeichnungsvorrichtung 22 gespeicherten Datenbank
bezüglich der Daten verglichen und die Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets entsprechend der gemessenen
Dicke des Wafers W werden aus den in der Datenbank beschriebenen
Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets,
die zu der Dicke des Wafers W gehören, ausgewählt
(Schritt S6).
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Die
Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets
enthalten die Anzahl von auszubildenden modifizierten Gebieten,
die Positionen der auszubildenden modifizierten Gebiete, die Dicke
der auszubildenden modifizierten Gebiete, die Geschwindigkeit, mit
der der Laser bewegt wird, die Frequenz des Laserlichts und die
Form des Laserlichts. Die Bedingungen für ein Ausbilden
eines modifizierten Gebiets sind in der Datenbank in Bezug auf jede von
allen angenommenen Dicken des Wafers W beschrieben.
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Die
ausgewählten Bedingungen für ein Ausbilden eines
modifizierten Gebiets werden in der Laserdicingvorrichtung 10 durch
die Steuerung 21 eingestellt und ein Laserdicing wird auf
der Basis der eingestellten Bedingungen gestartet (Schritt S7).
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Nach
der Beendigung eines Laserdicings wird der Einspanntisch zur Ursprungsposition
zurückgebracht und wird der einem Laserdicing unterzogene
Wafer W durch die Transportvorrichtung auf den Standby-Tisch 14 zurückgebracht
(Schritt S8).
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Auf
dem Standby-Tisch 14 werden verschiedene Verarbeitungen
durchgeführt, die nach einer Bearbeitung erforderlich sind,
wie beispielsweise ein Expandieren des Wafers W, ein Reinigen des
Wafers W und ein Prüfen der Waferoberfläche.
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Nach
den Verarbeitungen auf dem Standby-Tisch 14 wird der Wafer
W durch die Transportvorrichtung zu der Kassette zurückgebracht.
Nach der Beendigung einer Bearbeitung an allen Wafern W bewegt sich
die Hebeeinheit 13 zu der Position für ein Herausnehmen
der Kassette und endet eine Bearbeitung (Schritt S9).
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Somit
wird die Dicke jedes Wafers W gemessen und wird ein Laserdicing
durch Auswählen der optimalen Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets aus der im Voraus in der
Aufzeichnungsvorrichtung 22 gespeicherten Datenbank durchgeführt.
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Während
bei der vorliegenden Erfindung der Wafer W auf dem Einspanntisch 12 angebracht
ist und die Dicke des Wafers W bei der Bearbeitungsposition gemessen
wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt;
die Messvorrichtung 16 kann in der Umgebung des Standby-Tischs 14 vorgesehen
sein, um die Dicke des Wafers W auf dem Standby-Tisch 14 zu
messen.
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Bei
der Laserdicingvorrichtung und dem Laserdicingverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung, wie sie oben beschrieben sind, wird die
Waferdicke automatisch gemessen, um die optimalen Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebietes einzustellen, so dass
selbst in einem Fall, in welchem Wafer, die bezüglich der
Dicke variieren, aufeinanderfolgend zu der Laserdicingvorrichtung zugeführt
werden, ein Dicing hoher Qualität schnell durchgeführt
werden kann, ohne einen Bearbeitungsdefekt aufgrund einer plötzlichen Änderung
bezüglich der Dicke zu verursachen.
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Die
vorliegende Erfindung ist in Bezug auf eine Vorrichtung eines Aufbaus
wie beispielsweise demjenigen der in 1 gezeigten
Laserdicingvorrichtung 10 beschrieben worden. Jedoch ist
die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Die
vorliegende Erfindung kann auf geeignete Weise auf irgendeine Vorrichtung
angewendet werden, die ein Dicing durch Verwenden von Laserlicht
durchführen kann.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Eine
Aufgabe besteht im Bereitstellen einer Laserdicingvorrichtung und
eines Laserdicingverfahrens, die ein Dicing hoher Qualität
schnell durchführen können, ohne irgendeinen Bearbeitungsdefekt selbst
in einem Fall zu verursachen, in welchem Wafer, die bezüglich
der Dicke variieren, zugeführt werden. Die Laserdicingvorrichtung
ist versehen mit einer Messvorrichtung, die eine Dicke eines Wafers
W misst, einer Aufzeichnungsvorrichtung, die eine Datenbank speichert,
in der Bedingungen für ein Ausbilden eines modifizierten
Gebiets, die zu unterschiedlichen Dicken des Wafers W gehören,
beschrieben sind, und einer Steuervorrichtung, die die Laserdicingvorrichtung
durch automatisches Auswählen auf der Basis der durch die
Messvorrichtung gemessenen Dicke des Wafers der Bedingungen für
ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets entsprechend der gemessenen
Dicke des Wafers W aus der Datenbank steuert. Die optimalen Bedingungen
für ein Ausbilden eines modifizierten Gebiets werden dadurch automatisch
eingestellt, so dass es in einem Fall, in welchem Wafer W, die bezüglich
der Dicke unterschiedlich sind, zugeführt werden, ein Dicing
hoher Qualität schnell durchgeführt werden kann,
ohne einen Bearbeitungsdefekt zu verursachen.
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- 10
- Laserdicingvorrichtung
- 11
- Basis
- 12
- Einspanntisch
- 13
- Hebeeinheit
- 14
- Standby-Tisch
- 15
- X-Führungsbasis
- 16
- Messvorrichtung
- 17
- Messsonde
- 18
- Versatz-Messvorrichtung
- 19
- Hauptkörper
- 20
- Luftzylinder
- 21
- Steuervorrichtung
- 22
- Aufzeichnungsvorrichtung
- 31
- Laserkopf
- 31D
- Kondensorlinse
- 32
- Halterung
- F
- Gestell
- L
- Laserlicht
- P,
P1, P2
- modifiziertes
Gebiet
- T
- Dicing-Band
- W
- Wafer
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2004-111946 [0006, 0007]