DE102019203894B4 - Wafer-Schleifverfahren - Google Patents

Wafer-Schleifverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102019203894B4
DE102019203894B4 DE102019203894.8A DE102019203894A DE102019203894B4 DE 102019203894 B4 DE102019203894 B4 DE 102019203894B4 DE 102019203894 A DE102019203894 A DE 102019203894A DE 102019203894 B4 DE102019203894 B4 DE 102019203894B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grinding
height
wafer
circular
circular projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102019203894.8A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102019203894A1 (de
Inventor
Hiroshi Shibata
Souichi MATSUBARA
Jun Koide
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Denso Corp
Original Assignee
Disco Corp
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp, Denso Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102019203894A1 publication Critical patent/DE102019203894A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102019203894B4 publication Critical patent/DE102019203894B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

Wafer-Schleifverfahren, das eine Schleifvorrichtung (1) verwendet, die aufweist:einen Haltetisch (4) mit einer Haltefläche (5a) zum Halten eines Wafers (W),Schleifmittel (10) mit einer drehbaren Schleifscheibe (15) mit einer Vielzahl von Schleifelementen (16), die kreisförmig angeordnet sind, um einen kreisförmigen Ring mit einem Außendurchmesser zu bilden, der kleiner als der Durchmesser des Wafers (W) ist, wobei die Schleifelemente (16) so ausgestaltet sind, dass sie einen zentralen Abschnitt des Wafers (W) schleifen, der auf dem Haltetisch (4) gehalten wird, um dadurch eine kreisförmige Aussparung (W1) am zentralen Abschnitt des Wafers (W) auszubilden und auch einen kreisförmigen Vorsprung (W2) um die kreisförmige Aussparung (W1) auszubilden,Vertikalbewegungsmittel (20), welche die Schleifmittel (10) senkrecht zu der Haltefläche (5a) bewegen,Höhenerkennungsmittel (26), die eine Höhe der durch die Vertikalbewegungsmittel (20) bewegten Schleifmittel (10) erkennen,Horizontalbewegungsmittel (30), die den Haltetisch (4) und die Schleifmittel (10) in einer horizontalen Richtung parallel zur Haltefläche (5a) bewegen, undeinen Einstellabschnitt (40), der einen vorbestimmten Wert (Hb) für eine Höhe des kreisförmigen Vorsprungs (W2) des Wafers (W) einstellt,wobei, nachdem die kreisförmige Aussparung (W1) ausgebildet ist, eine obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs (W2) durch die Schleifelemente (16) der Schleifmittel (10) geschliffen wird, um dadurch die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs (W2) auf den vorbestimmten Wert (Hb) einzustellen, der durch den Einstellabschnitt (40) eingestellt ist,wobei das Wafer-Schleifverfahren aufweist:einen Zentralschleifschritt zum Schleifen des zentralen Abschnitts des Wafers (W) unter Verwendung der Schleifelemente (16), um dadurch die kreisförmige Vertiefung zu bilden und gleichzeitig den kreisförmigen Vorsprung (W2) um die kreisförmige Vertiefung zu bilden,einen Höhenspeicherschritt zum Erkennen der Höhe (Gh) der Schleifmittel (10) nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts unter Verwendung der Höhenerkennungsmittel (26) und zum anschließenden Speichern der oben erkannten Höhe (Gh); undeinen kreisförmigen Vorsprungschleifschritt zum Schleifen der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs (W2) unter Verwendung der Schleifelemente (16) in einem Zustand, in dem eine Höhe, die von der in dem Höhenspeicherschritt gespeicherten Höhe (Gh) der Schleifmittel (10) um den vorbestimmten Wert (Hb), der zuvor durch den Einstellabschnitt (40) eingestellt wurde, angehoben wurde, als Schleifendhöhe (He) berechnet wird, bei der das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs (W2) durch die Schleifmittel (10) beendet wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schleifverfahren zum Schleifen eines Wafers.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Wenn ein Wafer geschliffen wird, um seine Dicke zu verringern, wird die Steifigkeit des Wafers reduziert, wodurch ein Problem entsteht, dass der Wafer in nachfolgenden Schritten schwer handhabbar werden kann. Um diesem Problem entgegenzuwirken, wurde ein Schleifverfahren vorgeschlagen, bei dem eine Schleifscheibe mit einer Vielzahl von kreisförmigen Schleifelementen so angeordnet ist, dass sie einen kreisförmigen Ring mit einem Außendurchmesser bilden, der kleiner ist als der Durchmesser des Wafers, wobei die Rückseite des Wafer an einem zentralen Abschnitt davon geschliffen wird indem die Schleifelemente verwendet werden, um dadurch eine kreisförmige Aussparung am zentralen Abschnitt zu bilden und gleichzeitig einen kreisförmigen Vorsprung (Verstärkungsabschnitt) um die kreisförmige Aussparung auszubilden (siehe zum Beispiel JP 2007 - 173 487 A und JP 2015 - 74 042 A ).
  • Beim Entfernen des kreisförmigen Vorsprungs des Wafer-Bodens durch das obige Schleifverfahren wird beispielsweise die Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung des Wafers auf einer Haltefläche eines Haltetischs in einer Schneidvorrichtung gehalten und die Vorderseite des Wafers, die der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung gegenüberliegt, wird durch ein Schneidmesser entlang des Innenumfangs des kreisförmigen Vorsprungs geschnitten, um dadurch den kreisförmigen Vorsprung zu entfernen (siehe beispielsweise JP 2009 -141 276 A ).
  • Der kreisförmige Vorsprung muss während des Schneidens des Wafers auf einem Haltetisch gehalten werden, um ein Herunterfallen des kreisförmigen Vorsprungs zu verhindern. Als ein solcher Haltetisch ist ein abgestufter Haltetisch bekannt, der einen zentralen Haltabschnitt, der die Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung hält, und einen kreisförmigen Halteabschnitt, der die Endfläche des kreisförmigen Vorsprungs hält, aufweist.
  • Wenn der kreisförmige Vorsprung nicht durch den kreisförmigen Halteabschnitt des Haltetischs gehalten wird, kann sich beim Abschneiden des kreisförmigen Vorsprungs eine Differenz der Neigung zwischen dem kreisförmigen Vorsprung und der kreisförmigen Aussparung ergeben. Infolgedessen können Risse in dem zentralen Abschnitt des Wafers erzeugt werden, wo die kreisförmige Aussparung ausgebildet wird, oder es kann eine abnormale Abnutzung in der Schneidklinge auftreten. Um ein solches Problem zu lösen, wurde die folgende Erfindung vorgeschlagen.
  • Bevor der kreisförmige Vorsprung weggeschnitten wird, wird eine Messlehre mit der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs in Kontakt gebracht, um die Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs zu überwachen. Dann wird die obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs geschliffen, um die Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs unter Verwendung des Messinstruments zu überwachen, so dass die Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs eine voreingestellte Höhe wird. Die Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs wird entsprechend der Tiefe der kreisförmigen Aussparung oder gemäß der Dicke des zentralen Abschnitts, in dem die kreisförmige Aussparung ausgebildet ist, verändert, wodurch der Vorsprungsbetrag des kreisförmigen Vorsprungs konstant wird (vgl. zum Beispiel JP 2012 - 146 889 A ).
  • Für das Verständnis der vorliegenden Erfindung hilfreicher Stand der Technik kann den folgenden Dokumenten entnommen werden:
    • JP 2009 - 99 870 A betrifft ein Schleifverfahren für Wafer zum sicheren Schleifen eines Wafers auf eine optimale Dicke.
    • JP 2013 - 158 872 A betrifft ein Verfahren, in dem eine Schleifzufuhrposition jedes Schleifmittels relativ allen Haltemitteln einfach erkannt werden kann.
    • CN 1 07 639 541 A betrifft eine Schleifvorrichtung zum Schleifen von zu bearbeitenden plattenförmigen Werkstücken und dergleichen.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Bei der in der japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2012 - 146 889 A beschriebenen Erfindung muss ein Messgerät zum Messen der Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs getrennt von einem Messgerät zum Messen der Höhe der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung vorgesehen werden. Alternativ ist es erforderlich, Messmittelbewegungsmittel vorzusehen, die das Messgerät horizontal bewegen, um die Höhe der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung zu messen. In jedem Fall wird die Ausgestaltung der Schleifvorrichtung kompliziert und die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs kann nicht genau eingestellt werden.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Wafer-Schleifverfahren vorzusehen, bei dem die Messung der Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs nicht erforderlich ist und die obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs derart geschliffen werden kann, dass die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs eine voreingestellten Höhe wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Wafer-Schleifverfahren vorgesehen, das eine Schleifvorrichtung verwendet, die einen Haltetisch mit einer Haltefläche zum Halten eines Wafers, Schleifmittel mit einer drehbaren Schleifscheibe mit einer Vielzahl von Schleifelementen, die kreisförmig angeordnet sind, um einen kreisförmigen Ring mit einem Außendurchmesser zu bilden, der kleiner als der Durchmesser des Wafers ist, wobei die Schleifelemente so ausgebildet sind, dass sie einen zentralen Abschnitt des Wafers schleifen, der auf dem Haltetisch gehalten wird, um dadurch eine kreisförmige Aussparung am zentralen Abschnitt des Wafers auszubilden und auch einen kreisförmigen Vorsprung um die kreisförmige Aussparung auszubilden, Vertikalbewegungsmittel, welche die Schleifmittel senkrecht zu der Haltefläche bewegen, Höhenerkennungsmittel, die eine Höhe der durch die Vertikalbewegungsmittel bewegten Schleifmittel erkennen, Horizontalbewegungsmittel, die den Haltetisch und die Schleifmittel in einer horizontalen Richtung parallel zur Haltefläche bewegen, und einen Einstellabschnitt, der einen vorbestimmten Wert für eine Höhe des kreisförmigen Vorsprung des Wafers einstellt, aufweist. Nachdem die kreisförmige Aussparung ausgebildet ist, wird eine obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs durch die Schleifelemente der Schleifmittel geschliffen, um dadurch die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs auf den vorbestimmten Wert einzustellen, der durch den Einstellabschnitt eingestellt ist.
  • Das Wafer-Schleifverfahren weist einen Zentralschleifschritt zum Schleifen des zentralen Abschnitts des Wafers unter Verwendung der Schleifelemente, um dadurch die kreisförmige Vertiefung zu bilden und gleichzeitig den kreisförmigen Vorsprung um die kreisförmige Vertiefung zu bilden, einen Höhenspeicherschritt zum Erkennen der Höhe der Schleifmittel nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts unter Verwendung der Höhenerkennungsmittel und des anschließenden Speicherns der oben erkannten Höhe, und einen kreisförmigen Vorsprungschleifschritt zum Schleifen der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs unter Verwendung der Schleifelemente in einem Zustand, in dem eine Höhe, die von der in dem Höhenspeicherschritt gespeicherten Höhe der Schleifmittel um den vorbestimmten Wert, der zuvor durch den Einstellabschnitt eingestellt wurde, angehoben wurde, als Schleifendhöhe berechnet wird, bei der das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs durch die Schleifmittel beendet wird, auf.
  • Vorzugsweise weist die Schleifvorrichtung ferner Waferhöhenmessmittel, die eine Höhe einer oberen Oberfläche des auf dem Haltetisch gehaltenen Wafers messen, auf. Vorzugsweise weist das Wafer-Schleifverfahren ferner einen Tiefenberechnungsschritt zum Berechnen einer Tiefe der kreisförmigen Aussparung aus einer Differenz zwischen der Höhe der oberen Oberfläche des Wafers, gemessen durch die Waferhöhenmessmittel vor dem Durchführen des Zentralschleifschritts, und einer Höhe von einer Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung, die durch die Waferhöhenmessmittel nach dem Beenden des Zentralschleifschritts gemessen wird, und einen kreisförmigen Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt zum Berechnen eine Höhe, die von der in dem Höhenspeicherschritt gespeicherten Höhe der Schleifmittel um die im Tiefenberechnungsschritt berechnete Tiefe der kreisförmigen Aussparung als Schleifstarthöhe erhöht wird, wo das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs durch das Schleifmittel startet, aufweist, wobei sowohl der Tiefenberechnungsschritt als auch der kreisförmige Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt ausgeführt werden, bevor der kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es nicht erforderlich, die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs zu messen, indem ein Messgerät mit der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs in Kontakt gebracht wird. Das heißt, der kreisförmige Vorsprung kann durch die Schleifelemente geschliffen werden, um dadurch die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs auf den vorbestimmten Wert einzustellen, der durch den Einstellabschnitt eingestellt wird, ohne ein Messgerät zu verwenden, um die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs zu überwachen. Dementsprechend muss bei der Durchführung der vorliegenden Erfindung kein Mechanismus zu der herkömmlichen Schleifvorrichtung hinzugefügt werden, so dass die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs gemäß der vorliegenden Erfindung leicht eingestellt werden kann.
  • In dem Fall, dass der Tiefenberechnungsschritt zum Berechnen der Tiefe der kreisförmigen Aussparung nach dem Beenden des Zentralschleifschritts durchgeführt wird, und dass der kreisförmige Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt zum Berechnen der Schleifstarthöhe der Schleifmittel ist, wo das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs durch das Schleifmittel gestartet wird, bevor der kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird, kann die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs mit hoher Genauigkeit auf den durch den Einstellabschnitt eingestellten vorbestimmten Wert eingestellt werden.
  • In dem Fall, dass der Tiefenberechnungsschritt zum Berechnen der Tiefe der kreisförmigen Aussparung nach dem Beenden des Zentralschleifschritts durchgeführt wird, und dass der kreisförmige Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt zum Berechnen der Schleifstarthöhe der Schleifmittel, wo das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs durch die Schleifmittel gestartet wird, durchgeführt wird, bevor der kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird, kann die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs mit hoher Genauigkeit auf den vorbestimmten Wert eingestellt werden, der durch den Einstellabschnitt eingestellt wird.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise ihrer Realisierung werden deutlicher, und die Erfindung selbst wird am besten aus einem Studium der nachfolgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Schleifvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 2 ist eine Schnittansicht, die einen Waferhöhenmessschritt und einen Zentralschleifschritt veranschaulicht;
    • 3 ist eine Schnittansicht, die den Zustand eines Wafers nach dem Beenden des Zentralschleifschritt, und außerdem einen Höhenspeicherschritt, einen Bodenflächenhöhen-Messschritt und einen Tiefenberechnungsschritt, veranschaulicht;
    • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt zum Berechnen einer kreisförmigen Vorsprungschleifstarthöhe darstellt; und
    • 5 ist eine Schnittansicht, die einen kreisförmigen Vorsprungschleifschritt darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • [Schleifvorrichtung]
  • Bezugnehmend auf 1 ist eine Schleifvorrichtung 1 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Schleifvorrichtung 1 weist ein Basisgehäuse 2, das sich in der Y-Richtung erstreckt, die durch einen Pfeil Y in 1 angezeigt ist, und eine Säule 3, die von der oberen Oberfläche des Basisgehäuses 2 an ihrem hinteren Endabschnitt (ein Ende in der Y-Richtung) hervorsteht, auf. Die Schleifvorrichtung 1 weist ferner einen Haltetisch 4 mit einer Haltefläche 5a zum Halten eines Wafers (in 1 nicht dargestellt), Schleifmittel 10 mit einer drehbaren Schleifscheibe 15 mit mehreren Schleifelementen 16, die kreisförmig angeordnet sind, um einen kreisförmigen Ring mit einem Außendurchmesser zu bilden, der kleiner als der Durchmesser des Wafers ist, wobei die Schleifelemente 16 einen zentralen Abschnitt des auf dem Haltetisch 4 gehaltenen Wafer schleifen können, um dadurch eine kreisförmige Aussparung am zentralen Abschnitt des Wafers zu bilden und um die kreisförmige Aussparung herum auch einen kreisförmigen Vorsprung zu bilden, Vertikalbewegungsmittel 20, die das Schleifmittel 10 in einer Richtung senkrecht zu der Haltefläche 5a (in der Richtung Z durch einen Pfeil Z in 1 angedeutet) vertikal bewegen; Höhenerkennungsmittel 26, welche die Höhe der Schleifmittel 10 erkennen, die von den Vertikalbewegungsmitteln 20 bewegt werden, Horizontalbewegungsmittel 30, die den Haltetisch 4 und das Schleifmittel 10 in einer horizontalen Richtung parallel zu der Haltefläche 5a (in der durch einen Pfeil X in 1 angedeuteten X-Richtung) bewegen, und einen Einstellabschnitt 40, der einen vorbestimmten Wert für die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs des Wafers einstellt, auf.
  • Das Schleifmittel 10 wird durch die Vertikalbewegungsmittel 20 an der Vorderseite der Säule 3 vertikal beweglich gehalten. Die Schleifmittel 10 weisen eine Spindel 11 mit einer Achse, die sich in Z-Richtung erstreckt, ein Spindelgehäuse 12, das den Außenumfang der Spindel 11 umgibt, einen Motor 13, der mit einem Ende der Spindel 11 verbunden ist, eine Halterung 14 zum Halten des Spindelgehäuses 12, die Schleifscheibe 15, die am unteren Ende der Spindel 11 montiert ist, und die mehreren Schleifelemente 16, die kreisförmig am unteren Oberfläche der Schleifscheibe 15 angeordnet sind, auf. Der Außendurchmesser des von den mehreren Schleifelementen 16 gebildeten Kreisrings ist im Wesentlichen gleich dem Radius des Wafers als das zu schleifende Werkstück eingestellt. Durch Betreiben des Motors 13 zum Drehen der Spindel 11 kann die Schleifscheibe 15 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit gedreht werden.
  • Das Vertikalbewegungsmittel 20 weist eine Kugelspindel 21, die sich in Z-Richtung erstreckt, einen mit einem Ende der Kugelspindel 21 verbundenen Motor 22, ein Paar Führungsschienen 23, die sich parallel zur Kugelspindel 21 erstrecken, und eine Bewegungsplatte 24 mit einer Mutter, die im Gewindeeingriff mit der Kugelspindel 21 steht, und mit einem Paar von Gleitabschnitten, die jeweils auf dem Paar von Führungsschienen 23 gleiten können, auf. Der Halter 14 ist an der beweglichen Platte 24 befestigt. Durch Betreiben des Motors 22 zum Drehen der Kugelspindel 21 kann die bewegliche Platte 24 entlang des Paars an Führungsschienen 23 vertikal bewegt werden, so dass die Schleifmittel 10 in der Z-Richtung bewegt werden können.
  • Ein Encoder 25 zum Erfassen der Drehzahl des Motors 22 ist mit dem Motor 22 verbunden. Das Höhenerkennungsmittel 26 ist mit dem Encoder 25 verbunden. Dementsprechend kann die Drehzahl des Motors 22 durch den Encoder 25 gezählt oder gemessen werden und die Höhe der Schleifmittel 10 in der Z-Richtung kann durch das Höhenerkennungsmittel 26 gemäß einem von dem Encoder 25 ausgegebenen Messwert erkannt werden. Die Ausgestaltung des Höhenerkennungsmittels 26 ist nicht auf die obige Ausgestaltung beschränkt. Beispielsweise kann eine lineare Skala zur Positionserfassung als Höhenerkennungsmittel 26 verwendet werden.
  • Das Horizontalbewegungsmittel 30 weist eine Kugelspindel 31, die sich in der X-Richtung erstreckt, einen Motor 32, der mit einem Ende der Kugelspindel 31 verbunden ist, ein Paar Führungsschienen 33, die sich parallel zu der Kugelspindel 31 erstrecken, und eine Bewegungsplatte 34 mit einer Mutter, die im Gewindeeingriff mit der Kugelspindel 31 steht, und mit einem Paar von Gleitabschnitten, die jeweils auf dem Paar von Führungsschienen 33 gleiten können, auf. Die bewegliche Platte 34 ist mit dem Vertikalbewegungsmittel 20 verbunden. Durch Betreiben des Motors 32 zum Drehen der Kugelspindel 31 kann die bewegliche Platte 34 entlang dem Paar von Führungsschienen 33 horizontal bewegt werden, so dass die Schleifmittel 10 in X-Richtung bewegt werden können. Somit können der Haltetisch 4 und die Schleifmittel 10 relativ in X-Richtung bewegt werden.
  • Der Haltetisch 4 weist eine poröse Platte 5 mit der Haltefläche 5a zum Halten des Wafers unter Saugwirkung und einen Rahmen 6 zum Ablegen (Halten) der porösen Platte 5 auf. Der Rahmen 6 hat eine obere Oberfläche 6a, die mit der Haltefläche 5a fluchtet. Die obere Oberfläche 6a des Rahmens 6 dient als Referenzfläche für die Höhe der Haltefläche 5a. Der Außenumfang des Haltetisches 4 ist von einer beweglichen Basis 7 umgeben. Obwohl nicht dargestellt, sind unter dem Haltetisch 4 Drehmittel vorgesehen, die den Haltetisch 4 drehen und Bewegungsmittel, die den Haltetisch 4 mit der beweglichen Basis 7 in der Y-Richtung bewegen.
  • Der vorbestimmte Wert für die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs des Wafers, der durch den Einstellabschnitt 40 eingestellt werden soll, ist gleich der Differenz zwischen der Höhe der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung, die an dem zentralen Abschnitt des Wafers durch Schleifen der Rückseite des Wafers ausgebildet wird, und der Höhe der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs, die am Umfangsabschnitt des Wafers nach dem Schleifen der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs auszubilden ist. Beispielsweise ist der Einstellabschnitt 40 durch ein Touchpanel (nicht dargestellt) ausgestaltet, das von einem Bediener bedient werden kann.
  • Die Schleifvorrichtung 1 weist ferner Waferhöhenmessmittel 50, welche die Höhe der oberen Oberfläche des auf dem Haltetisch 4 gehaltenen Wafers messen, Halteoberflächenhöhenmessmittel 52, welche die Höhe der Haltefläche 5a des Haltetischs 4 messen, Berechnungsmittel 60, die mit den Waferhöhenmessmitteln 50 und den Halteoberflächenhöhenmessmitteln 52 verbunden sind, und Steuermittel 70, die mindestens die Vertikalbewegungsmittel 20 steuern, auf.
  • Eine sich vertikal erstreckende Halterung 8 ist auf der oberen Oberfläche des Basisgehäuses 2 in der Nähe des Haltetischs 4 vorgesehen. Sowohl die Waferhöhenmessmittel 50 als auch die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 sind mit einem oberen Endabschnitt der Halterung verbunden. Die Waferhöhenmessmittel 50 weisen einen Messkopf 51 auf, der sich oberhalb der Haltefläche 5a des Haltetisches 4 befindet und mit der oberen Oberfläche des Wafers, die auf der Haltefläche 5a gehalten wird, in Kontakt kommt. Wenn der Messkopf 51 mit der oberen Oberfläche des Wafers in Kontakt kommt, der auf der Haltefläche 5a gehalten wird, gibt ein gemessener Wert, der durch die Waferhöhenmessmittel 50 erhalten wird, die Höhe der oberen Oberfläche des Wafers an. In ähnlicher Weise weisen die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 einen Messkopf 53 auf, der sich oberhalb der oberen Oberfläche 6a des Rahmens 6 befindet und dazu ausgelegt ist, mit der oberen Oberfläche 6a des Rahmens 6 in Kontakt zu kommen. Wenn der Messkopf 53 mit der oberen Oberfläche 6a des Rahmens 6 in Kontakt kommt, zeigt ein gemessener Wert, der durch die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 erhalten wird, die Höhe der Haltefläche 5a des Haltetischs 4 an. Während sowohl die Waferhöhenmessmittel 50 als auch die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 in dieser bevorzugten Ausführungsform durch ein Kontaktmessmessgerät ausgestaltet sind, ist diese Ausgestaltung lediglich veranschaulichend. Zum Beispiel können sowohl die Waferhöhenmessmittel 50 als auch die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 durch ein optisches Messgerät vom kontaktlosen Typ ausgestaltet sein.
  • Die Berechnungsmittel 60 dienen zum Berechnen der Differenz zwischen der Höhe der oberen Oberfläche des Wafers, gemessen durch die Waferhöhenmessmittel 50 vor dem Schleifen des Wafers, und der Höhe der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung des Wafers, gemessen durch die Waferhöhenmessmittel 50 nach dem Schleifen des Wafers, wodurch die Tiefe der kreisförmigen Aussparung aus diesem Höhenunterschied zwischen der oberen Oberfläche des Wafers und der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung berechnet werden kann. Ferner dienen die Berechnungsmittel 60 auch dazu, die Differenz zwischen einem gemessenen Wert, der durch die Waferhöhenmessmittel 50 erhalten wird, und einem gemessenen Wert, der durch die Halteoberflächenhöhenmessmittel 52 erhalten wird, zu berechnen, wodurch die Dicke des Wafers aus dieser Differenz berechnet werden kann. Als Modifikation kann ein Dickenmessgerät vom berührungslosen Typ zum Berechnen der Dicke des Wafers verwendet werden. In diesem Fall wird Messlicht mit einer Transmissionswellenlänge für den Wafer an den Wafer angelegt, und es wird eine optische Wegdifferenz zwischen reflektiertem Licht von der oberen Oberfläche des Wafers und reflektiertem Licht von der unteren Oberfläche des Wafers berechnet, wodurch die Dicke des Wafers durch diese optische Wegdifferenz berechnet werden kann.
  • Die Steuermittel 70 weisen im Wesentlichen eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) auf, die gemäß einem Steuerprogramm und einem Speicherelement, wie einem Arbeitsspeicher, rechnet. Der Speicher in den Steuermitteln 70 speichern zuvor verschiedene Daten, einschließlich der Tiefe der kreisförmigen Aussparung, die von den Steuermitteln 60 berechnet wird, der Höhe der Schleifmittel 10, die von den Höhenerkennungsmitteln 26 erkannt wird, und der voreingestellten Höhe des zuvor durch den Einstellabschnitt 40 festgelegten kreisförmigen Vorsprungs. Die Steuermittel 70 können die vertikale Bewegung der Schleifmittel 10 in der Z-Richtung so steuern, dass sie von den Vertikalbewegungsmitteln 20 entsprechend den von dem Einstellabschnitt 40 übertragenen Daten, der Berechnungsmittel 60 und der Höhenerkennungsmittel 26 bewegt werden.
  • [Wafer-Schleifmethode]
  • Nun wird ein Wafer-Schleifverfahren unter Verwendung der Schleifvorrichtung 1 unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 beschrieben. Bei diesem Wafer-Schleifverfahren wird ein zentraler Abschnitt eines Wafers W, der in 2 dargestellt ist, geschliffen, um dadurch eine kreisförmige Aussparung zu bilden und gleichzeitig einen kreisförmigen Vorsprung wie einen die kreisförmige Aussparung umgebenden Kreisring zu bilden. Danach wird die Oberseite des kreisförmigen Vorsprungs geschliffen, um in der Höhe eingestellt zu werden. Wie in 2 dargestellt, ist der Wafer W ein scheibenförmiges Werkstück.
  • Der Wafer W hat eine Vorderseite Wa und eine Rückseite Wb gegenüber der Vorderseite Wa. Auf der Vorderseite Wa des Wafers W ist vorher eine Vielzahl von Bauelementen ausgebildet, und ein Schutzband T ist zuvor an der Vorderseite Wa des Wafers W angebracht, um dadurch die Bauelemente zu schützen. Die Rückseite Wb des Wafers W ist eine Arbeitsfläche, die von den Schleifelementen 16 geschliffen werden soll. Bevor das Schleifen des Wafers W startet, gibt der Bediener einen vorbestimmten Wert für die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs in den Einstellabschnitt 40 ein.
  • (1) Waferhöhenmessschritt
  • Wie in 2 gezeigt, ist der Wafer W auf der Haltefläche 5a des Haltetisches 4 in dem Zustand angeordnet, in dem das an der Vorderseite Wa des Wafers W angebrachte Schutzband T mit der Haltefläche 5a in Kontakt steht. Das heißt, die Rückseite WB des auf dem Haltetisch 4 gehaltenen Wafers W ist nach oben freigelegt. Danach wird eine Vakuumquelle (nicht dargestellt) betrieben, um eine Saugkraft auf die Haltefläche 5a aufzubringen, wodurch der Wafer W auf der Haltefläche 5a unter Saugwirkung gehalten wird. Danach wird der Messkopf 51 der Waferhöhenmessmittel 50 mit der Rückseite Wb des Wafers W in Kontakt gebracht, um dadurch die Höhe Wh1 der oberen Oberfläche des Wafers W zu messen, bevor die Rückseite Wb geschliffen wird. Dann wird die oben gemessene Höhe Wh1 an die in 1 dargestellte Berechnungsmittel 60 übertragen.
  • (2) Zentralschleifschritt
  • Der Haltetisch 4 wird in der Y-Richtung in die Position unterhalb der Schleifmittel 10 bewegt, wie in 1 dargestellt. Danach wird das Horizontalbewegungsmittel 30 betätigt, um das Schleifmittel 10 und den Haltetisch 4 in der zur Haltefläche 5a parallelen Richtung (d. H. in der in 1 dargestellten X-Richtung) zu bewegen, wodurch die Schleifscheibe 15 so positioniert wird, dass der Außenumfang 160 des von den mehreren Schleifelementen 16 gebildeten Kreisrings immer durch die Mitte Wo der Drehung des Wafers W verläuft, das heißt auf eine solche Weise, dass der Drehmittelpunkt Wo des Wafers W in Draufsicht immer auf dem Außenumfang 160 des Kreisrings liegt. Danach wird, wie in 3 gezeigt, der Haltetisch 4, der den Wafer W unter Saugwirkung hält, in die durch einen Pfeil P in 2 angegebene Richtung gedreht. Die Schleifscheibe 15 wird ebenfalls in der durch einen Pfeil Q in 3 angezeigten Richtung gedreht. Ferner wird das Vertikalbewegungsmittel 20 betätigt, um die Schleifmittel 10 in Richtung zu dem Wafer W abzusenken, bis die Schleifelemente 16, die gedreht werden, mit der Rückseite Wb des Wafers W in Kontakt kommen. Dementsprechend wird die Rückseite Wb des Wafers W im zentralen Bereich durch die Schleifelemente 16 geschliffen.
  • Während des Schleifens des Wafers W wird der Außenumfang 160 des Kreisrings, der durch die Schleifelemente 16 gebildet wird, immer in Position gehalten, um durch die Drehmitte Wo des Wafers W zu treten. Somit wird die Rückseite Wb des Wafers W am zentralen Abschnitt durch die Schleifmittel 10 geschliffen, bis die Dicke des zentralen Abschnitts des Wafers W eine gewünschte Dicke erreicht. Mit anderen Worten ist die Rückseite Wb des Wafers W am zentralen Abschnitt geschliffen, um dadurch eine kreisförmige Aussparung W1 am zentralen Abschnitt zu bilden und gleichzeitig einen kreisförmigen Vorsprung W2 wie einen kreisförmigen Ring zu bilden, der die kreisförmige Aussparung W1 umgibt. Zu dem Zeitpunkt unmittelbar nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts wird der kreisförmige Vorsprung W2 des Wafers W als ein Umfangsabschnitt ausgebildet, der um die kreisförmige Aussparung W1 des Wafers W verbleibt. Mit anderen Worten ist die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 in dieser Stufe, die in 3 dargestellt ist, gleich der Dicke des Wafers W vor dem Schleifen und größer als die voreingestellte Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2, der zuvor durch den Einstellabschnitt 40 eingestellt wurde.
  • 3) Höhenspeicherschritt
  • Nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts wird die Höhe Gh der Schleifmittel 10 von den Höhenerkennungsmitteln 26 erkannt. Die Höhe Gh ist die Höhe der Schleifmittel 10 in der Z-Richtung in dem Zustand, in dem die Schleifelemente 16 mit der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung W1 des Wafers W in Kontakt sind, wenn der Zentralschleifschritt, wie in 3 gezeigt, beendet ist. Nach dem Erkennen der Höhe Gh unter Verwendung der Höhenerkennungsmittel 26 wird die Höhe Gh in dem Speicher der Steuermittel 70 gespeichert, die in 1 dargestellt sind.
  • (4) Bodenflächenhöhenmessschritt
  • Nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts wird die Höhe Wh2 der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung W1 ebenfalls durch die Waferhöhenmessmittel 50 gemessen, und die oben gemessene Höhe Wh2 wird an die Berechnungsmittel 60 übertragen. Beispielsweise wird während des Zeitraums vom Ende des Waferhöhenmessschritts bis zum Ende des Zentralschleifschritts der Kontakt zwischen dem Messkopf 51 und der Rückseite Wb des Wafers W gehalten, um die Höhe Wh2 der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung W1 zu messen.
  • (5) Tiefenberechnungsschritt
  • Die Berechnungsmittel 60, die in 1 dargestellt sind, berechnen die Differenz zwischen der Höhe Wh1, die von den Waferhöhenmessmitteln 50 vor dem Durchführen des Zentralschleifschritts gemessen wird, und der Höhe Wh2, die von den Waferhöhenmessmitteln 50 nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts gemessen wird. Diese Differenz wird als Tiefe Ha der kreisförmigen Aussparung W1 berechnet, wie in 4 dargestellt. Dann wird diese Tiefe Ha in dem Speicher der Steuermittel 70 gespeichert, wie in 3 dargestellt. Während der Vorgang des Messens der Dicke des Wafers W (der Dicke des zentralen Abschnitts, in dem die kreisförmige Aussparung W1 auszubilden ist) in dieser bevorzugten Ausführungsform nicht beschrieben wird, wird die Dicke des Wafers W während des Zentralschleifschritts immer durch Berechnen der Differenz zwischen der Höhe Wh2 der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung W1, gemessen durch die Waferhöhenmessmittel 50, und der Höhe der Haltefläche 5a des Haltetischs 4, gemessen durch die Halteflächenhöhenmessmittel 52, überwacht.
  • (6) kreisförmiger Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt
  • Wie in 4 dargestellt wird die Schleifstarthöhe Hs für den kreisförmigen Vorsprung W2 (d.h. die Höhe der Schleifmittel 10 zu dem Zeitpunkt, zu dem das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs W2 durch das Schleifmittel 10 gestartet wird) unter Verwendung der Tiefe Ha der kreisförmigen Vertiefung W1 im Tiefenberechnungsschritt berechnet. Genauer gesagt wird die Schleifstarthöhe Hs, bei der das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs W2 durch die Schleifmittel 10 in dem nachfolgenden kreisförmigen Vorsprungschleifschritt gestartet wird, als die Höhe berechnet, die von der Höhe Gh des Schleifmittels 10, die in dem Höhenspeicherungsschritt gespeichert wird, um die Tiefe Ha, die im Tiefenberechnungsschritt berechnet wird, angehoben. Das heißt, die Schleifstarthöhe Hs ist gleich dem Wert, der durch Addieren der Tiefe Ha zur Höhe Gh (Gh + Ha = Hs) erhalten wird. Diese Berechnung wird von den Steuermitteln 70 durchgeführt, die in 1 dargestellt sind. Danach steuern die Steuermittel 70 die Vertikalbewegungsmittel 20, um die Schleifmittel 10 um den Wert Hs anzuheben, wodurch die Schleiffläche (untere Oberfläche) jedes Schleifelements 16 auf der Schleifstarthöhe Hs positioniert wird. Der Tiefenberechnungsschritt und der kreisförmige Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt können durchgeführt werden, bevor der nachfolgende kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird.
  • (7) kreisförmiger Vorsprungschleifschritt
  • In dem kreisförmigen Vorsprungschleifschritt wird die Schleifendhöhe He für den kreisförmigen Vorsprung W2 (d.h. die Höhe des Schleifmittels 10 zu dem Zeitpunkt, zu dem das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs W2 durch das Schleifmittel 10 beendet ist) als Höhe berechnet, die von der Höhe Gh der Schleifvorrichtung 10 angehoben wird, die in dem Höhenspeicherschritt um die voreingestellte Höhe Hb des kreisförmigen Vorsprungs W2 gespeichert ist, der zuvor durch den Einstellabschnitt 40 eingestellt wurde. Das heißt, die Schleifendhöhe He ist gleich dem Wert, der durch Addieren der voreingestellten Höhe Hb zur Höhe Gh (Gh + Hb = He) erhalten wird. Diese Berechnung wird von den Steuermitteln 70 durchgeführt, die in 1 dargestellt ist. Danach steuern die Steuermittel 70 die Vertikalbewegungsmittel 20, um die Schleifelemente 16 um den Betrag Hc abzusenken, wodurch die obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs W2 um den Betrag Hc geschliffen wird. Das heißt, der Betrag Hc ist gleich der Differenz zwischen der Schleifstarthöhe Hs und der Schleifendhöhe He. Der Betrag Hc kann durch Subtraktion der voreingestellten Höhe Hb von der Tiefe Ha (Ha - Hb = Hc) berechnet werden. Diese Berechnung wird auch von den Steuermitteln 70 durchgeführt.
  • Wie in 5 gezeigt, wird die Schleifscheibe 15 in die durch einen Pfeil Q in 5 angegebene Richtung gedreht, und das Vertikalbewegungsmittel 20 wird betätigt, um das Schleifmittel 10 in Richtung auf den Wafer W um den Betrag Hc abzusenken, wodurch die obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs W2 mit den Schleifelementen 16 um den Betrag Hc geschliffen wird. Somit wird die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 auf die voreingestellte Höhe Hb eingestellt. Auf diese Weise wird die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 nicht überwacht, indem eine Messlehre während des Schleifens des kreisförmigen Vorsprungs W2 mit der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs W2 in Kontakt gebracht wird, so dass es nicht möglich ist, dass ein mechanischer Fehler oder dergleichen verursacht werden kann. Die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 kann mit einer Toleranz von maximal ± 10 um auf die voreingestellte Höhe Hb eingestellt werden.
  • Nach dem Beenden des kreisförmigen Vorsprungschleifschritts wird der Wafer W zu einem Haltetisch in einer Schneidvorrichtung überführt und der kreisförmige Vorsprung W2 des Wafers W wird durch eine Schneidklinge abgeschnitten. Da die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 im Schritt des kreisförmigen Vorsprungschleifens auf den voreingestellten Wert Hb eingestellt wurde, ist es nicht erforderlich, irgendwelche Höheneinstellkomponenten, wie beispielsweise einen Abstandshalter, zwischen dem Haltetisch und dem kreisförmigen Vorsprung W2 während des Schneidvorgangs einzusetzen. Beim Wegschneiden des kreisförmigen Vorsprungs W2 unter Verwendung der Schneidklinge besteht ferner keine Möglichkeit, dass Risse in dem Wafer W erzeugt werden können, oder eine abnormale Abnutzung in der Schneidklinge auftreten können.
  • Wie oben beschrieben, weist das Wafer-Schleifverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung den Höhenspeicherschritt zum Erkennen der Höhe Gh der Schleifmittel 10 nach dem Beenden des Zentralschleifschritts unter Verwendung der Höhenerkennungsmittel 26 und als nächstes das Speichern der zuvor und oben erkannten Höhe Gh auf und weist auch den kreisförmigen Vorsprungschleifschritt des Schleifens der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs W2 unter Verwendung der Schleifelemente 16 in dem Zustand auf, dass die Höhe, die von der Höhe Gh um die voreingestellte Höhe Hb des kreisförmigen Vorsprungs W2, die zuvor durch den Einstellabschnitt 40 eingestellt wurde, angehoben wird, als die Schleifendhöhe He berechnet wird, bei der das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs W2 durch die Schleifmittel 10 erfolgt, endet. Dementsprechend ist es nicht erforderlich, die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 zu messen, indem ein Messgerät mit der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs W2 in Kontakt gebracht wird. Das heißt, der kreisförmige Vorsprung W2 kann durch die Schleifelemente geschliffen werden, um dadurch die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 auf die voreingestellte Höhe Hb einzustellen, ohne ein Messgerät zu verwenden, um die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 zu überwachen. Dementsprechend muss bei der Durchführung der vorliegenden Erfindung kein Mechanismus zu der herkömmlichen Schleifvorrichtung 1 hinzugefügt werden, so dass die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 gemäß der vorliegenden Erfindung leicht eingestellt werden kann.
  • Das Wafer-Schleifverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ferner den Tiefenberechnungsschritt zum Berechnen der Tiefe Ha der kreisförmigen Aussparung W1 aus der Differenz zwischen der Höhe Wh1, die durch die Waferhöhenmessmittel 50 vor dem Durchführen des Zentralschleifschritts gemessen wird, und der Höhe Wh2 der Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung W1, gemessen durch die Waferhöhenmessmittel 50 nach dem Beenden des Zentralschleifschrittes, und umfasst ferner den Schritt zum Berechnen der Höhe des kreisförmigen Vorsprungschleifens zum Berechnen der Höhe, die von der Höhe Gh der Schleifmittel 10 um die Tiefe Ha als Schleifstarthöhe Hs angehoben wurde, wo das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs W2 durch das Schleifmittel 10 gestartet wird, wobei sowohl der Tiefenberechnungsschritt als auch der Schritt zum Berechnen des kreisförmigen Vorsprungschleifens ausgeführt werden, bevor der kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird. Dementsprechend kann die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs W2 mit hoher Genauigkeit auf die voreingestellte Höhe Hb eingestellt werden.

Claims (2)

  1. Wafer-Schleifverfahren, das eine Schleifvorrichtung (1) verwendet, die aufweist: einen Haltetisch (4) mit einer Haltefläche (5a) zum Halten eines Wafers (W), Schleifmittel (10) mit einer drehbaren Schleifscheibe (15) mit einer Vielzahl von Schleifelementen (16), die kreisförmig angeordnet sind, um einen kreisförmigen Ring mit einem Außendurchmesser zu bilden, der kleiner als der Durchmesser des Wafers (W) ist, wobei die Schleifelemente (16) so ausgestaltet sind, dass sie einen zentralen Abschnitt des Wafers (W) schleifen, der auf dem Haltetisch (4) gehalten wird, um dadurch eine kreisförmige Aussparung (W1) am zentralen Abschnitt des Wafers (W) auszubilden und auch einen kreisförmigen Vorsprung (W2) um die kreisförmige Aussparung (W1) auszubilden, Vertikalbewegungsmittel (20), welche die Schleifmittel (10) senkrecht zu der Haltefläche (5a) bewegen, Höhenerkennungsmittel (26), die eine Höhe der durch die Vertikalbewegungsmittel (20) bewegten Schleifmittel (10) erkennen, Horizontalbewegungsmittel (30), die den Haltetisch (4) und die Schleifmittel (10) in einer horizontalen Richtung parallel zur Haltefläche (5a) bewegen, und einen Einstellabschnitt (40), der einen vorbestimmten Wert (Hb) für eine Höhe des kreisförmigen Vorsprungs (W2) des Wafers (W) einstellt, wobei, nachdem die kreisförmige Aussparung (W1) ausgebildet ist, eine obere Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs (W2) durch die Schleifelemente (16) der Schleifmittel (10) geschliffen wird, um dadurch die Höhe des kreisförmigen Vorsprungs (W2) auf den vorbestimmten Wert (Hb) einzustellen, der durch den Einstellabschnitt (40) eingestellt ist, wobei das Wafer-Schleifverfahren aufweist: einen Zentralschleifschritt zum Schleifen des zentralen Abschnitts des Wafers (W) unter Verwendung der Schleifelemente (16), um dadurch die kreisförmige Vertiefung zu bilden und gleichzeitig den kreisförmigen Vorsprung (W2) um die kreisförmige Vertiefung zu bilden, einen Höhenspeicherschritt zum Erkennen der Höhe (Gh) der Schleifmittel (10) nach dem Durchführen des Zentralschleifschritts unter Verwendung der Höhenerkennungsmittel (26) und zum anschließenden Speichern der oben erkannten Höhe (Gh); und einen kreisförmigen Vorsprungschleifschritt zum Schleifen der oberen Oberfläche des kreisförmigen Vorsprungs (W2) unter Verwendung der Schleifelemente (16) in einem Zustand, in dem eine Höhe, die von der in dem Höhenspeicherschritt gespeicherten Höhe (Gh) der Schleifmittel (10) um den vorbestimmten Wert (Hb), der zuvor durch den Einstellabschnitt (40) eingestellt wurde, angehoben wurde, als Schleifendhöhe (He) berechnet wird, bei der das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs (W2) durch die Schleifmittel (10) beendet wird.
  2. Wafer-Schleifverfahren nach Anspruch 1, wobei die Schleifvorrichtung (1) ferner Waferhöhenmessmittel (50) aufweist, die eine Höhe einer oberen Oberfläche des auf dem Haltetisch (4) gehaltenen Wafers (W) messen, wobei das Wafer-Schleifverfahren ferner aufweist: einen Tiefenberechnungsschritt zum Berechnen einer Tiefe der kreisförmigen Aussparung (W1) aus einer Differenz zwischen der Höhe der oberen Oberfläche des Wafers (W), gemessen durch die Waferhöhenmessmittel (50) vor dem Durchführen des Zentralschleifschritts, und einer Höhe von einer Bodenfläche der kreisförmigen Aussparung (W1), die durch die Waferhöhenmessmittel (50) nach dem Beenden des Zentralschleifschritts gemessen wird, und einen kreisförmigen Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt zum Berechnen einer Höhe, die von der in dem Höhenspeicherschritt gespeicherten Höhe der Schleifmittel (10) um die im Tiefenberechnungsschritt berechnete Tiefe der kreisförmigen Aussparung (W1) als Schleifstarthöhe erhöht wird, wo das Schleifen des kreisförmigen Vorsprungs (W2) durch das Schleifmittel (10) startet, wobei sowohl der Tiefenberechnungsschritt als auch der kreisförmige Vorsprungschleifstarthöhenberechnungsschritt ausgeführt werden, bevor der kreisförmige Vorsprungschleifschritt gestartet wird.
DE102019203894.8A 2018-03-22 2019-03-21 Wafer-Schleifverfahren Active DE102019203894B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-054236 2018-03-22
JP2018054236A JP7089136B2 (ja) 2018-03-22 2018-03-22 ウエーハの研削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102019203894A1 DE102019203894A1 (de) 2019-09-26
DE102019203894B4 true DE102019203894B4 (de) 2024-05-08

Family

ID=67848469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019203894.8A Active DE102019203894B4 (de) 2018-03-22 2019-03-21 Wafer-Schleifverfahren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11491610B2 (de)
JP (1) JP7089136B2 (de)
KR (1) KR102268946B1 (de)
CN (1) CN110293456B (de)
DE (1) DE102019203894B4 (de)
TW (1) TWI712082B (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7417362B2 (ja) * 2019-04-05 2024-01-18 株式会社ディスコ 研削装置
JP7412996B2 (ja) * 2019-12-10 2024-01-15 株式会社ディスコ 研削装置
JP7405649B2 (ja) * 2020-03-04 2023-12-26 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
CN111660157A (zh) * 2020-06-08 2020-09-15 苏州辰轩光电科技有限公司 减薄机
CN114102409B (zh) * 2022-01-20 2022-04-26 宁波美久汽配科技有限公司 一种藤木木皮汽车配件表面抛光设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173487A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法および装置
JP2009011870A (ja) 2005-08-24 2009-01-22 Nintendo Co Ltd ゲームコントローラおよびゲームシステム
JP2009141276A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2012146889A (ja) 2011-01-14 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2013158872A (ja) 2012-02-03 2013-08-19 Disco Corp 研削装置
JP2015074042A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 株式会社ディスコ 研削装置
CN107639541A (zh) 2016-07-22 2018-01-30 株式会社迪思科 磨削装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000006018A (ja) * 1998-06-23 2000-01-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2006021264A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
US7097542B2 (en) * 2004-07-26 2006-08-29 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
JP2007035782A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc 基板研磨方法
JP4806282B2 (ja) * 2006-03-29 2011-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの処理装置
JP2007266352A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4986568B2 (ja) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP5048379B2 (ja) 2007-04-05 2012-10-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5114153B2 (ja) * 2007-10-16 2013-01-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5121390B2 (ja) * 2007-10-18 2013-01-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2009224511A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2013012690A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Toshiba Corp 半導体ウエハの加工方法及び加工装置、並びに、半導体ウエハ
JP6012304B2 (ja) * 2012-07-06 2016-10-25 株式会社ディスコ 研削方法
JP6133169B2 (ja) * 2013-08-23 2017-05-24 株式会社ディスコ 研削装置のセットアップ方法
JP6366351B2 (ja) * 2014-05-13 2018-08-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6360750B2 (ja) * 2014-08-26 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017157750A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6672053B2 (ja) * 2016-04-18 2020-03-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009011870A (ja) 2005-08-24 2009-01-22 Nintendo Co Ltd ゲームコントローラおよびゲームシステム
JP2007173487A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法および装置
JP2009141276A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2012146889A (ja) 2011-01-14 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2013158872A (ja) 2012-02-03 2013-08-19 Disco Corp 研削装置
JP2015074042A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 株式会社ディスコ 研削装置
CN107639541A (zh) 2016-07-22 2018-01-30 株式会社迪思科 磨削装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019169513A (ja) 2019-10-03
JP7089136B2 (ja) 2022-06-22
KR102268946B1 (ko) 2021-06-23
CN110293456A (zh) 2019-10-01
US20190291240A1 (en) 2019-09-26
KR20190111761A (ko) 2019-10-02
US11491610B2 (en) 2022-11-08
TWI712082B (zh) 2020-12-01
TW201941291A (zh) 2019-10-16
CN110293456B (zh) 2021-05-25
DE102019203894A1 (de) 2019-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019203894B4 (de) Wafer-Schleifverfahren
DE102015214136B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE4495551C2 (de) Z-Achsen-Antrieb für eine Werkzeugmaschine
DE69920101T2 (de) Schleifmaschine für optische Linsen
DE602004002800T2 (de) Vorrichtung zum Längsschneiden mit einer Kompensationsvorrichtung für die Schneidmesser
DE4407682A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung und Verfahren zu deren Brennpunkteinstellung
DE2634986A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum erzielen eines massgerechten bandsaegeschnittes
EP1972401A2 (de) Vorrichtung zum Schneiden von Bändern, Blechen oder dergleichen und Verfahren zur Bestimmung und/oder Kalibrierung des Schneidspaltes bei einer solchen Vorrichtung
DE3900491A1 (de) Messeinrichtung fuer eine rundschleifmaschine
CH714162B1 (de) Verfahren zum automatischen Bestimmen der geometrischen Abmessungen eines Werkzeugs mit einem schneckengangförmigen Bearbeitungsbereich.
DE112015004875T5 (de) Bearbeitungsvorrichtung für Werkstück
DE102005020035A1 (de) Vorrichtung zum Bearbeiten von mit Schneidzähnen versehenen plattenförmigen oder zylindrischen Werkstücken
DE3916060C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen der Querschnittsform und der Abmessungen eines Werkstücks in einer Sägemaschine
DE69912162T2 (de) Schleifmaschine
AT400826B (de) Verfahren zum einstellen eines vorritzers gegenüber einem trennsägeblatt und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE102020208553A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE1623191B1 (de) Einstellvorrichtung für den Spaltabstand zwischen mindestens einer Strahlungs-Rückstreumessvorrichtung und einer durchlaufenden Bahn
CH700798A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Wasserstrahlschneiden.
EP0976508A2 (de) Werkstückauflageflache für eine Schneidvorrichtung
DE1752718B2 (de) Maschine zum automatischen Schärfen von Räumwerkzeugen
DE102015212289A1 (de) Schleifverfahren für plattenähnliches Werkstück
EP0289528B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum tiefschleifen
EP3650163B1 (de) Maschine zum trennenden bearbeiten eines plattenförmigen werkstücks und verfahren zum bewegen mindestens eines unterstützungsschlittens an dieser maschine
EP2796242B1 (de) Maschine zum Entgraten und Verfahren zu ihrer Einstellung
EP0419754B1 (de) Schneidmaschine zum Schneiden von Flachmaterial

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: DENSO CORPORATION, KARIYA, JP

Free format text: FORMER OWNERS: DISCO CORPORATION, TOKYO, JP; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, TOYOTA-SHI, AICHI-KEN, JP

Owner name: DISCO CORPORATION, JP

Free format text: FORMER OWNERS: DISCO CORPORATION, TOKYO, JP; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, TOYOTA-SHI, AICHI-KEN, JP

R082 Change of representative

Representative=s name: HOFFMANN - EITLE PATENT- UND RECHTSANWAELTE PA, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division