DE10133369A1

DE10133369A1 - Plasmaanzeigeplatte

Info

Publication number: DE10133369A1
Application number: DE10133369A
Authority: DE
Inventors: Young-Rag Do; Joon-Bae Lee; Chang-Won Park; Chaun-Gi Choi
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2001-05-04
Filing date: 2001-07-10
Publication date: 2002-11-07
Anticipated expiration: 2021-07-11
Also published as: KR100399787B1; JP4064655B2; CN100446160C; DE10133369B4; KR20020085095A; FR2824421A1; GB2375225A; US6674237B2; GB0117624D0; CN1384523A; GB2375225B; JP2002343260A; US20020190652A1; FR2824421B1

Abstract

Platte für eine Plasmaanzeige, Verfahren zu ihrer Herstellung und Plasmaanzeige, die eine derartige Platte verwendet. Die Platte umfaßt ein Plattenelement, das aus einem transparenten Material gebildet ist, eine Reihe von Elektroden, die in einem bestimmten Muster auf dem Plattenelement ausgebildet sind, und eine dielektrische Schicht, die auf dem Plattenelement so ausgebildet ist, daß sie die Elektroden überdeckt, wobei die Elektroden aus einem ersten dielektrischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Anteil ist, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

Description

Priorität: 4. Mai 2001 KR 01-24376

Die Erfindung betrifft eine Plasmaanzeige und insbesondere eine Platte für eine Plasmaanzeige, auf der Entladeelektroden ausgebildet sind, ein Verfahren zum Herstellen dieser Platte sowie eine Plasmaanzeige, bei der eine derartige Platte vorge sehen ist.

Plasmaanzeigen erzeugen ein gewünschtes sichtbares Bild dadurch, daß ein bestimmtes Leuchtstoffmuster mit ultraviolet tem Licht angeregt wird, das über eine Plasmaentladung zwi schen zwei Substraten erzeugt wird, zwischen ein Plasmagas dicht eingeschlossen ist.

Derartige Plasmaanzeigen werden allgemein in Gleichspan nungs- und Wechselspannungsplasmaanzeigen je nach der Be triebsspannung, das heißt des Entlademechanismus klassifi ziert. Wechselspannungsplasmaanzeigen werden weiterhin in zwei Arten nämlich eine mit Doppelsubstrat und zwei Elektroden und eine mit Oberflächenentladung klassifiziert.

Bei Gleichspannungsplasmaanzeigen liegen die Elektroden frei in einem Entladeraum und wandern die Ladungen direkt zwi schen den einander zugewandten Elektroden.

Bei Wechselspannungsplasmaanzeigen sind die Elektroden mit einer dielektrischen Schicht überdeckt. Eine Plasmaentladung wird durch das elektrische Feld von Wandladungen statt durch eine direkte Ladungswanderung hervorgerufen.

In Fig. 1 der zugehörigen Zeichnungen ist ein Beispiel einer Plasmaanzeige mit Oberflächenentladung dargestellt. Wie in Fig. 1 dargestellt ist, umfaßt die Plasmaanzeige einen Aufbau aus zwei Substraten, einer Rückplatte 10 und einer Frontplatte 16. Die Rückplatte 10 umfaßt eine Reihe erster Elektroden 11, die in einem bestimmten Muster angeordnet sind, eine dielektrische Schicht 12, die die ersten Elektroden 11 überdeckt, und Sperrwände 13, die auf der dielektrischen Schicht ausgebildet sind und einen Entladezwischenraum bilden sowie ein elektrisches und optisches Nebensprechen zwischen den Zellen verhindern. Eine Leuchtstoffschicht 19 ist auf we nigstens einer Seite des Entladeraumes zwischen den Sperrwän den ausgebildet. Die Frontplatte 16 umfaßt transparente zweite und dritte Elektroden 14 und 15 und Buselektroden 14a und 15a, die schmal ausgebildet und auf den transparenten zweiten und dritten Elektroden 14 und 15 jeweils angeordnet sind, um den Leitungswiderstand der zweiten und dritten Elektroden 14 und 15 zu verringern. Die Frontplatte 16 umfaßt weiterhin eine Schwarzmatrix 20, die zwischen jedem Paar transparenter zwei ter und dritter Elektroden 14 und 15 ausgebildet ist, um den Bildkontrast zu erhöhen, eine dielektrische Schicht 17 und ei ne Schutzschicht, die alle Elektroden 14, 15, 14a, 15a und die Schwarzmatrix 20 überdeckt.

Bei einer herkömmlichen Plasmaanzeige, die in der JP-OS- hei. 8-315735 beschrieben und in Fig. 2 der zugehörigen Zeichnungen dargestellt ist, sind die Oberflächenentladeleek troden 30a und 30b, die auf wenigstens einer Seite eines Ober flächenentladenelektrodenbereiches 30 angeordnet sind, teil weise und linear in Längsrichtung geteilt und sind die geteil ten Oberflächenentladeelektroden 30a und 30b elektrisch über eine Vielzahl von Elektrodenteilen 31 verbunden. Eine Schwarz matrix 34 ist zwischen jedem Elektrodenpaar 30a und 30b ausge bildet.

Eine weitere herkömmlich Plasmaanzeige, die in der JP-OS- hei. 9-1299137 beschrieben und in Fig. 3 der zugehörigen Zeichnungen dargestellt ist, weist eine Vielzahl von Zeilen elektroden 40, die parallel zueinander in horizontaler Rich tung verlaufen und mit einem dazwischen gebildeten Entladezwi schenraum 41 angeordnet sind, und eine Vielzahl von Spaltene lektroden 42 auf, die von benachbarten Zeilenelektroden 40 mit einem dazwischen gebildeten Trennzwischenraum ausgehen und einander zugewandt sind, so daß ein lichtaussendender Bild punktbereich 44 gebildet ist. Es gibt auch einen lichtaussen denden Bildpunktbereich 43 mit einem schmaleren Entladezwi schenraum als beim lichtaussendenden Bildpunktbereich 44. Eine Schwarzmatrix 46 ist zwischen jedem Paar von Zeilenelektroden 40 ausgebildet, die einander zugewandt sind.

Wie es oben beschrieben wurde, schließen bei der herkömm lichen Wechselspannungsplasmaanzeige mit Oberflächenentladung die auf der Frontplatte 16 angeordneten Elektroden Buselektro den 14a und 15a, die aus einer Silberpaste gebildet sind, und transparente zweite und dritte Elektroden 14 und 15 ein, die aus Indiumzinnoxid ITO gebildet sind, oder ist eine unter Ver wendung einer Silberpaste in Längsrichtung unterteilte Struk tur vorgesehen. Die Schwarzmatrizen 20, 24 und 46, die zwi schen jedem Paar von Elektroden angeordnet sind, die paarweise vorgesehen sind, um dazwischen eine Plasmaentladung zu bewir ken, bestehen aus einem Gemisch eines schwarzen Pigmentes und eines Isoliermaterials.

Um eine optimale Frontplatte herzustellen, die in der Lage ist, die Funktion einer Plasmaanzeige der oben beschriebenen Art zu optimieren, sollten die Elektroden und die Schwarzma trix aus geeigneten Materialien, das heißt aus Materialien mit verschiedenen physikalischen Eigenschaften gebildet sein. Aus diesem Grund werden separate Bemusterungen für die Elektroden und die Schwarzmatrix benötigt. Separate Bemusterungen kompli zieren jedoch den Gesamtherstellungsvorgang.

Um beispielsweise eine Frontplatte 16 herzustellen, die die Buselektroden 14a und 15a einschließt, wie es in Fig. 1 dargestellt ist, und bei der die zweiten und die dritten Elek troden 14 und 15 als Indiumzinnoxidelektroden ausgebildet sind, wird eine blanke Frontplatte gereinigt und wird eine In diumzinnoxidschicht auf der Frontplatte 16 durch Zerstäuben niedergeschlagen und dann zu den zweiten und dritten Elektro den 14 und 15 zur Entladung bemustert, wie es in Fig. 4 dar gestellt ist. Für den Bemusterungsvorgang wird ein positiver Fotolack auf der Indiumzinnoxidschicht niedergeschlagen, be lichtet und unter Verwendung einer bestimmten Mustermaske ge ätzt. Nach der Ausbildung der Indiumzinnoxidelektroden wird eine Buselektrode auf jede der Indiumzinnoxidelektroden unter Verwendung einer Silberpaste gedruckt, getrocknet und gesin tert, so daß in dieser Weise die Buselektroden 14 und 15 ver vollständigt werden. Nach Abschluß der Ausbildung der Buselek troden 14a und 15a wird eine Schwarzmatrix 20 unter Verwendung eines Gemisches aus einem schwarzen Pigment und einem Isolier material aufgedruckt.

Da bei dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen ei ner Frontplatte die Elektroden und die Schwarzmatrix über ge trennte Arbeitsvorgänge ausgebildet werden, ist die Anzahl an Arbeitsschritten hoch und ist die Gefahr von Fehlern sehr groß, was die Produktivität verringert. Insbesondere dann, wenn die Elektroden der Frontplatte ausschließlich aus einem Metall gebildet werden, besteht das Problem, daß infolge des niedrigen Absorptionsvermögens für Außenlicht dieses reflek tiert wird, und die Schwarzmatrix nicht in Form von feinen Mu stern ausgebildet werden kann.

Durch die Erfindung soll daher eine Platte für eine Plas maanzeige geschaffen werden, bei der die Elektroden und die Schwarzmatrix eine gute Haftung bezüglich eines Plattenelemen tes und bessere mechanische Eigenschaften aufgrund fehlender interner Spannungen haben.

Durch die Erfindung soll weiterhin ein Verfahren zum Her stellen einer Platte für eine Plasmaanzeige geschaffen werden, bei dem die Elektroden und die Schwarzmatrix über einfache Ar beitsvorgänge ausgebildet werden können, so daß dadurch die Produktivität höher ist.

Durch die Erfindung soll schließlich eine Plasmaanzeige mit höherer Helligkeit und höherem Kontrast geschaffen werden, indem eine Platte verwandt wird, auf der Elektroden und eine Schwarzmatrix ausgebildet sind.

Dazu umfaßt die erfindungsgemäße Platte für eine Plasmaan zeige ein Plattenelement, das aus einem transparenten Material gebildet ist, eine Reihe von Elektroden, die in einem bestimm ten Muster auf dem Plattenelement ausgebildet sind, und eine dielektrische Schicht, die auf dem Plattenelement so ausgebil det ist, daß sie die Elektroden überdeckt, wobei die Elektro den aus einem ersten dielektrischen Anteil und einem zweiten Anteil gebildet sind, der aus wenigstens einem Element der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht. Es ist bevorzugt, daß die Platte der Plasmaanzeige weiterhin ein Schwarzmatrixmuster umfaßt, das zwischen allen Elektroden aus gebildet ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Platte für eine Plasmaanzeige umfaßt die folgenden Schritte:

Bilden eines transparenten Plattenelementes, Einbringen eines Gemisches aus 3-50 Gew.-% SiO als dieelektrisches Mate rial und 50-97 Gew.-% wenigstens eines Metalls, das aus der Gruppe gewählt, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germa nium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht, in ein ein ziges Niederschlagsschiffchen, wobei das dieelektrische Ma terial und das Metall verschiedene Schmelzpunkte haben, Laden des Plattenelementes in eine Unterdruckkammer und Niederschla gen des SiO und des Metalls auf dem Plattenelement während allmählich die Temperatur des Niederschlagsschiffchens erhöht wird, Bemustern der sich ergebenden Struktur zu Elektroden und einem Schwarzmatrixmuster durch Fotolithographie und Ausbilden einer dieelektrischen Schicht auf dem Plattenelement, auf dem die Elektroden und die Schwarzmatrixmuster gebildet sind.

Die erfindungsgemäße Plasmaanzeige umfaßt eine Rückplatte, erste Elektroden, die in einem bestimmten Muster auf der Rück platte ausgebildet sind, eine transparente Frontplatte, die mit der die ersten Elektroden aufweisende Rückplatte zur Bil dung eines Entladeraumes dazwischen verbunden ist, erste und zweite Elektroden, die auf einer Seite der Frontplatte so aus gebildet sind, daß sie den ersten Elektroden unter einem be stimmten Winkel bezüglich der ersten Elektroden zugewandt sind, eine Sperrwand zum Unterteilen des Entladeraumes zwi schen der Rück- und der Frontplatte, eine erste dielektrische Schicht, die auf der Rückplatte so ausgebildet ist, daß sie die ersten Elektroden überdeckt, eine zweite dielektrische Schicht, die auf der Frontplatte so ausgebildet ist, daß sie die zweiten und die dritten Elektroden überdeckt, und ein Schwarzmatrixmuster, das zwischen jedem Paar von zweiten und dritten Elektroden auf der einen Seite der Frontplatte ausge bildet ist, wobei das Schwarzmatrixmuster und entweder die er sten oder die zweiten und die dritten Elektroden aus einem dielektrischen Material und einem leitendem Metall gebildet sind und sich in Richtung der Dicke der Elektroden und des Schwarzmatrixmusters die Mengen an dielektrischem Material und leitendem Metall ändern.

Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Plasmaanzei ge umfaßt eine Rückplatte, eine transparente Frontplatte, die mit der Rückplatte mit einem bestimmten Trennzwischenraum zur Bildung eines Entladeraumes dazwischen verbunden ist, erste und zweite Elektroden, die auf einer Seite wenigstens der Rückplatte oder der Frontplatte ausgebildet sind, um eine Plasmaentladung zu bewirken, und ein Entladegas, mit dem der Entladeraum gefüllt ist, wobei die ersten und die zweiten Elektroden aus einem ersten dieelektrischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Element ist, das aus einer Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Plasmaanzeige umfaßt eine Rückplatte, erste Elektroden, die in einem bestimmten Mu ster auf der Rückplatte ausgebildet sind, eine transparente Frontplatte, die mit der die ersten Elektroden aufweisenden Rückplatte zur Bildung eines Entladeraumes dazwischen verbun den ist, zweite und dritte Elektroden, die auf einer Seite der Frontplatte den ersten Elektroden unter einem bestimmten Win kel diesbezüglich zugewandt sind, eine Sperrwand zum Trennen des Entladeraumes zwischen der Rück- und der Frontplatte, eine erste dielektrische Schicht, die auf der Rückplatte so ausge bildet ist, daß sie die ersten Elektroden überdeckt, eine zweite dielektrische Schicht, die auf der Frontplatte so aus gebildet ist, daß sie die zweiten und dritten Elektroden über deckt, und ein Schwarzmatrixmuster, das zwischen jedem Paar von zweiten und dritten Elektroden auf der einen Seite der Frontplatte ausgebildet ist, wobei das Schwarzmatrixmuster und entweder die ersten Elektroden oder die zweiten und dritten Elektroden aus einem ersten dielektrischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Element ist, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

Gemäß der Erfindung kann der erste oben beschriebene An teil wenigstens ein dielektrisches Material umfassen, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x, MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid ITO besteht, wobei x<1.

Im Folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnungen be sonders bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben. Es zeigen

Fig. 1 in einer auseinandergezogenen perspektivischen An sicht ein Beispiel einer herkömmlichen Plasmaanzeige,

Fig. 2 und 3 Draufsichten auf herkömmliche Plasmaanzei gen, wobei die Anordnung der zweiten und dritten Elektroden und der Buselektroden dargestellt ist,

Fig. 4 in einem Flußdiagramm ein herkömmliches Verfahren zur Ausbildung der Elektroden und der Schwarzmatrix für eine Frontplatte,

Fig. 5 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer Plasmaanzeige gemäß der Erfindung,

Fig. 6 und 7 Draufsichten auf die Anordnung der zweiten und dritten Elektroden für eine Platte der erfindungsgemäßen Plasmaanzeige und

Fig. 8 bis 11 die Änderungen in den Konzentrationen der ersten und zweiten Anteile in Richtung der Dicke der Elektro den und der Schwarzmatrix.

Eine Plasmaanzeige gemäß der Erfindung, die dadurch gebil det ist, daß eine Rückplatte und eine Frontplatte mit einem mit Entladegas gefüllten Entladeraum dazwischen miteinander verbunden sind, erzeugt Bilder dadurch, daß ein Leuchtstoff mit ultraviolettem Lichtstrahlen angeregt wird, die über eine Plasmaentladung zwischen Elektrodenpaaren erzeugt wird, die sich im Entladeraum befinden. Derartige Plasmaanzeigen werden in verschiedene Arten je nach der Anzahl der Elektroden, der Anordnung der Elektroden, der Entladestelle oder der Art der anliegenden Spannung klassifiziert. Ein bevorzugtes Ausfüh rungsbeispiel der erfindungsgemäßen Plasmaanzeige ist in Fig. 5 dargestellt.

Wie es in Fig. 5 dargestellt ist, ist eine Vielzahl er ster Elektroden 51 in einem streifenförmigen Muster auf einer Rückplatte 50 mit einem dazwischen ausgebildeten bestimmten Trennzwischenraum angeordnet. Eine erste dieelektrische Schicht 52 ist auf der Rückplatte 50 so ausgebildet, daß sie die er sten Elektroden 51 überdeckt. Sperrwände 53 mit einer bestimm ten Höhe sind linear und parallel zu den ersten Elektroden 51 mit einem dazwischen befindlichen bestimmten Trennraum ausge bildet. Die Form der Trennwände 53 ist nicht auf die linear Form beschränkt, sie können auch gitterförmig ausgebildet sein. Rote, grüne und blaue Leuchtstoffe sind abwechselnd zwi schen den Sperrwänden 53 niedergeschlagen, um eine Leucht stoffschicht 60 zu bilden. Die Anordnung der roten, grünen und blauen Leuchtstoffe in der Leuchtstoffschicht 60 ist dabei nicht auf die in der Zeichnung dargestellte Anordnung be schränkt, vielmehr kann jede Anordnung verwandt werden, die die Ausbildung eines farbigen Bildes erlaubt.

Die Rückplatte 50 mit den Sperrwänden 53 ist mit einer Frontplatte 70 kombiniert, um jeweils Entladeräume dicht zu umschließen, die durch die Trennwände 53 abgetrennt sind. Zweite und dritte Elektroden 71 und 72 sind auf der Innenflä che der Frontplatte 70 angeordnet, die den Trennwänden 53 der Rückplatte 50 zugewandt ist, und zwar in einem bestimmten Mu ster und senkrecht zu den ersten Elektroden 51. Die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 sind abwechselnd angeordnet und jedes Paar von zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 befindet sich in einem Bildpunktbereich. Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, schließen die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 parallele Hauptelektrodenteile 71b und 72b und Ver bindungselektrodenteile 71c und 72c ein, die senkrecht zu den entsprechenden Hauptelektrodenteilen 71b und 72b ausgebildet sind. Die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 weisen folglich Öffnungen 71a und 72a auf, die rechtwinklig ausgebil det sind. Es ist bevorzugt, daß die Öffnungen 71a und 72a je des Paares von zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 in je dem lichtaussendenden Entladeraum angeordnet sind. Die Anord nung der Öffnungen 71a und 72a im Entladeraum ist jedoch auf diese Anordnung nicht beschränkt und kann in passender Weise gemäß der Erfindung abgewandelt werden. Es versteht sich wei terhin, daß die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 in verschiedene Formen abgewandelt sein können. Beispielsweise können die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 als Indiumzinnoxidelektroden ausgebildet sein, die Buselektroden benötigen, die an ihnen entlang laufen. Als Alternative können die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 auch als paralle le Metallelektroden ausgebildet und können Hilfselektroden aus Indiumzinnoxid vorgesehen sein, die von jeder der parallelen Metallelektroden ausgehen und einander zugewandt sind. Wie es in Fig. 7 dargestellt ist, können die ersten und die zweiten Elektroden 71' und 72' parallele Hauptelektrodenteile 71'b und 72'b mit geringer Breite und Verbindungselektrodenteile 71'c und 72'c einschließen, die die parallelen Hauptelektrodenteile 71'b und 72'b jeweils verbinden.

Ein Schwarzmatrixmuster 80 zur Erhöhung der Helligkeit und des Kontrastes eines Anzeigebildes ist zwischen jedem Paar von zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 ausgebildet. Eine dielektrische Schicht 74 und eine Schutzschicht 75 aus Magne siumoxid (MgO) sind so ausgebildet, daß sie die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 und das Schwarzmatrixmuster 80 der Frontplatte 70 überdecken.

Die zweiten und dritten Elektroden 71, 71', 72 und 72' so wie das Schwarzmatrixmuster 80 sind aus einem ersten dieelek trischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebil det. Der zweite Anteil ist wenigstens ein Anteil, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht. Der er ste Anteil schließt wenigstens ein dielektrisches Material ein, daß aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x (wobei x<1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid besteht.

Die Konzentrationen des ersten und des zweiten Anteils va riieren für die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 und das Schwarzmatrixmuster 80. Die Konzentration des dielektri schen Anteils nimmt von der Außenlichteintrittsseite zur In nenseite der Frontplatte 70 neben der Rückplatte 50 allmählich ab oder weist eine Verteilung mit stufenförmigen Gradienten auf und der Metallanteil nimmt allmählich zur Innenseite der Frontplatte 70 zu. Die Mengen an dielektrischen und metalli schen Anteilen sind im mittleren Teil jeder zweiten und drit ten Elektrode 71 und 72 und des Schwarzmatrixmusters 80 nahezu gleich.

Gemäß der Erfindung sind entweder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 sowie das Schwarzmatrixmuster 80 oder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72, die gleichfalls als Schwarzmatrixmuster 80 dienen, dadurch ausge bildet, daß langsam dielektrisches Material und Metall so nie dergeschlagen wurden, daß sie reziproke Konzentrationsprofile haben, wie in Fig. 8 und 9 dargestellt ist. Es wird somit keine Schichtstruktur gebildet und äußeres Licht wird an der Zwischenfläche zwischen dem Schwarzmatrixmuster 80 und dem Plattenelement, durch das das äußere Licht in die Frontplatte 79 eintritt, nicht reflektiert sondern absorbiert und zwar aufgrund der Änderungen im Brechungsvermögen des Schwarzma trixmusters 80, die durch die Änderungen in den Konzentratio nen der dieelektrischen und der metallischen Anteile hervorge rufen werden.

Für die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 und das Schwarzmatrixmuster 80, die oben beschrieben wurden, hat ein Plattenelement 70' der Frontplatte 70, das aus SiO₂ be steht, einen Brechungsindex von etwa 1,5, der nahezu gleich dem des dielektrischen Materials ist, das einen Teil des Schwarzmatrixmusters neben dem Plattenelement bildet. Äußeres Licht wird daher an der Grenzfläche zwischen dem Plattenele ment 70' und dem Schwarzmatrixmuster nicht reflektiert sondern durchgelassen, wobei der Brechungsindex des Schwarzmatrixmu sters allmählich zur Innenseite der Frontplatte 70 aufgrund des Gradienten des Konzentrationsprofils des Schwarzmatrixmu sters zunimmt und die Durchlässigkeit abnimmt. Nahezu das ge samte äußere Licht wird daher durch das Schwarzmatrixmuster absorbiert und nicht reflektiert.

Die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 mit dem Konzentrationsprofil der ersten und zweiten Anteile, das oben beschrieben wurde, absorbieren etwas vom sichtbaren Licht, das durch die Anregung der Leuchtstoffschicht erzeugt wird, so daß das Öffnungsverhältnis des Entladeraumes abnimmt. Da jedoch die zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 der Frontplatte 70 gemäß der vorliegenden Erfindung als netzartige Struktur oder als transparente Elektroden mit daran befindlichen schma len Buselektroden ausgebildet sind, kann eine Abnahme der Hel ligkeit aufgrund eines plötzlichen Abfalls des Öffnungsver hältnisses verhindert werden. Bei den zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 mit dem oben beschriebenen Konzentrati onsprofil nimmt mit steigendem Abstand von der Eintrittsseite des äußeren Lichtes der Frontplatte die Konzentration des er sten dielektrischen Anteils allmählich ab und die des zweiten metallischen Anteils allmählich zu. Das hat zur Folge, daß die Flächen der zweiten und dritten Elektroden 71 und 72, die dem Entladeraum zugewandt sind, ausschließlich den metallischen Anteil bis zu einer bestimmten Tiefe enthalten, so daß die Leitfähigkeit bei einem Flächenwiderstand von 0,1 Ω/ oder we niger erhöht ist. Die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 für eine Platte gemäß der Erfindung erfüllen daher die Erfordernisse, die an Entladeelektroden für Plasmaanzeigen zu stellen sind.

Die Frontplatte 70 für eine Plasmaanzeige, die entweder zweite und dritte Elektroden 71 und 72 sowie ein Schwarzma trixmuster 80 oder zweite und dritte Elektroden 71 und 72, die gleichfalls als Schwarzmatrixmuster 80 dienen, mit der oben beschriebenen ungleichmäßigen Zusammensetzung aufweisen, kön nen über die folgenden Arbeitsschritte hergestellt werden.

Ein Plattenelement für die Frontplatte 70 wird gereinigt und in einer Unterdruckkammer einem Niederschlagsschiffchen zugewandt angeordnet und festgelegt. Als nächstes wird ein Ge misch aus einem dielektrischen Material und einem Metall mit verschiedenen Schmelzpunkten, das heißt des ersten und des zweiten Anteils in das Schiffchen eingebracht. Das Gemisch aus dem dielektrischen Material und dem Metall enthält dabei 50-97 Gew.-% des zweiten Anteils, der ein Metall ist, das aus der Gruppe gewählt, die aus Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu und Pt besteht und 3-50 Gew.-% des ersten An teils, der wenigstens ein dielektrisches Material ist, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x (wobei x<1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid besteht.

Als nächstes erfolgt ein Vakuumthermoniederschlagen, indem die Temperatur des Schiffchens verändert wird, in dem sich das Gemisch aus dem Metall und dielektrischen Material befindet. Dabei wird die Temperatur des Schiffchens dadurch verändert, daß allmählich der daran liegende Spannungspegel erhöht wird.

Wenn die Temperatur des Schiffchen allmählich zunimmt und die Zeit vergeht, beginnt der Niederschlag des dielektrischen Anteils. Danach werden beide, nämlich der dielektrische Anteil und der metallische Anteil bei höheren Temperaturen niederge schlagen. In der Endstufe des Niederschlags bei höchster Tem peratur bleibt kein dielektrischer Anteil mehr und wird nur der metallische Anteil niedergeschlagen. Wie es in den Fig. 8 und 9 dargestellt ist, haben folglich der dielektrische An teil und der metallische Anteil dieselbe Konzentration in ei ner bestimmten Tiefe von der Außenlichteintrittsseite der Frontplatte 70, woraufhin die Menge an dielektrischem Anteil weniger und die Menge an metallischem Anteil größer wird.

Bei diesem Vorgang des Niederschlags des dielektrischen Materials und des Metalls erfolgt der Niederschlag des metal lischen Anteils durch Aufschmelzen und nicht durch Aufdampfen. Wenigstens einer der metallischen Anteile, der aus der Gruppe gewählt, die aus Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu und Pt besteht, hat ein anderes Phasendiagramm als das von Chrom (Cr). Chrom sublimiert unmittelbar durch Wärme wäh rend die oben aufgeführten metallischen Anteile aufgeschmolzen und in einen flüssigen Zustand durch die Anwendung von Wärme gebracht werden. Der dielektrische Anteil, der mit einem flüs sigen metallischen Anteil gemischt ist, sublimiert, so daß er auf dem Plattenelement der Plasmaanzeige niedergeschlagen wird. Da der dielektrische Anteil sublimiert, während er mit dem flüssigen metallischen Anteil gemischt ist, kann ein Pro blem in Verbindung mit der Beschränkung einer Massenproduktion vermieden werden, das durch dielektrische Teilchen hervorgeru fen wird, die das Schiffchen verlassen.

Das Konzentrationsprofil der Elektroden und des Schwarzma trixmusters variiert in Abhängigkeit von der anfänglichen Teilchengröße des dielektrischen Anteils. Wenn insbesondere das dielektrische Material eine Teilchengröße von nur etwa 0,5 mm hat, nimmt der Gesamtflächenbereich des dielektrischen Ma terials und sein Kontaktflächenbereich mit dem Schiffchen wäh rend des Thermoniederschlags zu. Je kleiner die Teilchengröße des dielektrischen Material ist, um so leichter sind die die lektrischen Teilchen. Das hat zur Folge, daß ein strahlförmi ger Strom aufgrund eines momentan ansteigenden Dampfdruckes durch die Wärmeleitung auftritt, so daß die dielektrischen Teilchen das Schiffchen verlassen, was die Verdampfung der dielektrischen Teilchen erleichtert.

Wenn im Gegensatz dazu das dielektrische Material eine Teilchengröße von etwa 2 mm hat, werden die dielektrischen Teilchen durch den strahlförmigen Strom nicht beeinflußt, ist jedoch die Menge an dielektrischem Material, das niederge schlagen wird, verglichen mit dem Gesamtvolumen des dielektri schen Materials klein, das sich im Schiffchen befindet. Wenn die Teilchengröße des dielektrischen Anteils im Gemisch aus dem metallischen und dem dielektrischen Anteil somit im Be reich von 1 bis 1,5 mm gewählt wird, können folglich zweite und dritte Elektroden 71 und 72 und ein Schwarzmatrixmuster mit optimalen optischen und elektrischen Eigenschaften gebil det werden.

Wenn der Niederschlag des dielektrischen Materials und des Metalls abgeschlossen ist, wie es oben beschrieben wurde, dann wird der sich ergebende dünne Film, der auf dem Plattenelement 70' niedergeschlagen ist, fotolithographisch bemustert, um die Bildung entweder der zweiten und dritten Elektroden 71 und 72 sowie des Schwarzmatrixmusters 80 oder der zweiten und der dritten Elektroden 71 und 72, die auch als Schwarzmatrixmuster 80 dienen, für die Frontplatte gemäß der Erfindung abzuschlie ßen. Der Niederschlag des dünnen Filmes mit dem Konzentrati onsprofil der ersten und zweiten Anteile ist nicht auf die Verwendung einer Unterdruckkammer beschränkt, es können auch andere Verfahren wie beispielsweise ein Aufsprühen oder ein Elektronenstrahlniederschlag dazu benutzt werden, den Film niederzuschlagen.

Als fotolithographisches Verfahren kann ein direktes foto lithographisches Verfahren oder ein stoßfotolithographisches Verfahren verwandt werden. Bei dem direkten fotolithographi schen Verfahren wird ein positiver Fotolack auf den niederge schlagenen dünnen Film aufgebracht, über eine Lockmaske be lichtet und dann zu einem Fotolackmuster entwickelt. Als näch stes wird ein bestimmter Bereich des niedergeschlagenen dünnen Filmes unter Verwendung des Fotolackmusters geätzt und wird das verbleibende Fotolackmuster entfernt, wodurch entweder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 und ein Schwarz matrixmuster 80 oder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 gebildet werden, die gleichfalls als Schwarzmatrixmu ster 80 dienen.

Bei dem stoßfotolithographischen Verfahren wird ein Foto lack auf den niedergeschlagenen Film aufgebracht, belichtet und zu einem Fotolackmuster entwickelt. Eine schwarze Über zugsschicht wird auf dem Fotolackmuster ausgebildet und die nicht notwendige schwarze Überzugsschicht und das Fotolackmu ster werden durch Ätzen entfernt, wodurch entweder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 und ein Schwarzmatrixmu ster 80 oder die zweiten und die dritten Elektroden 71 und 72 gebildet werden, die auch als Schwarzmatrixmuster 80 dienen.

Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden näher im Ein zelnen anhand von Beispielen beschrieben. Die Beispiele dienen lediglich zur Erläuterung und sollen nicht den Bereich der Er findung beschränken. Für die Beispiele 1 bis 9 werden die Elektroden und das Schwarzmatrixmuster auf einer Platte durch Aufdampfen ausgebildet. Bei den Beispielen 10 bis 13 werden die Elektroden und das Schwarzmatrixmuster durch Zerstäuben auf einer Platte ausgebildet.

Beispiel 1

160 mg eines Gemisches aus 25 Gew.-% SiO mit einer Teil chengröße von 1,5 mm und 75 Gew.-% Fe wurden in ein Schiffchen eingebracht und der Abstand zwischen dem Schiffchen und einem Plattenelement wurde auf 18,5 cm eingestellt.

Das Plattenelement wurde in eine Unterdruckkammer einge bracht und das Maß an Unterdruck wurde 2.10^-3 Pa gehalten. Eine schwarze Überzugsschicht mit einer Stärke von 400 nm wurde auf das Plattenelement aufgebracht, während die Temperatur des Schiffchens verändert wurde.

Nach der Ausbildung der schwarzen Überzugsschicht auf dem Plattenelement wurde ein organischer positiver Fotolack darauf unter Verwendung einer Zentrifuge niedergeschlagen und über eine Schattenmaske mit ultravioletten Strahlen belichtet. Die sich ergebende Struktur wurde entwickelt und der nicht belich tete Bereich der Fotolackschicht wurde zu einem Fotolackmuster ausgehärtet. Die schwarze Überzugsschicht wurde unter Verwen dung des Fotolackmusters bemustert. Nach dem Reinigen mit ent ionisiertem Wasser wurde das Fotolackmuster abgestreift, wo durch sich entweder zweite und dritte Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden ergaben, die gleichfalls als Schwarzmatrixmuster dienen.

Beispiel 2

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß die Teilchengröße des SiO 1 mm betrug und 200 mg des Gemisches aus SiO und Eisen (Fe) in das Schiffchen eingebracht wurden.

Beispiel 3

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß 220 mg eines Ge misches aus 40 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm und 60 Gew.-% Titan (Ti) in das Schiffchen eingebracht wurden.

Beispiel 4

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß 210 mg eines Ge misches aus 40 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm, 10 Gew.-% Ti und 50 Gew.-% Fe in das Schiffchen eingebracht wur den.

Beispiel 5

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß 210 mg eines Ge misches aus 40 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm, 50 Gew.-% Ti und 10 Gew.-% Fe in das Schiffchen eingebracht wur den.

Beispiel 6

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß 210 mg eines Ge misches aus 20 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm, 70 Gew.-% Ti und 10 Gew.-% Fe in das Schiffchen eingebracht wur den.

Beispiel 7

Zweite und dritte Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden, die auch als Schwarzmatrix muster dienen wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel 1 allerdings mit der Ausnahme ausgebildet, daß ein erstes Schiffchen 210 mg eines Gemisches aus 20 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm, 70 Gew.-% Ti und 10 Gew.-% Fe enthielt und daß ein zweites Schiffchen benutzt wurde, das 240 mg Al enthielt. Nach dem Niederschlag des Gemisches wurde ein Al- Film an Ort und Stelle niedergeschlagen, um den Flächenwider stand herabzusetzen.

Beispiel 8

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß 210 mg eines Ge misches aus 20 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm und 80 Gew.-% Vanadium (V) in das Schiffchen eingebracht wurden.

Beispiel 9

Ein Schwarzmatrixmuster wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme ausgebildet, daß ein erstes Schiffchen 210 mg eines Gemisches aus 20 Gew.-% SiO mit einer Teilchengröße von 1 mm und 80 Gew.-% V und ein zweites Schiff chen benutzt wurden, das 240 mg Al enthielt. Nach dem Nieder schlag des Gemisches wurde an Ort und Stelle ein Al-Film nie dergeschlagen, um den Flächenwiderstand herabzusetzen.

Die Schwarzmatrixmuster, die bei den Beispielen 1 bis 9 ausgebildet wurden, wurden unter Verwendung eines optischen Mikroskops beobachtet. Daraus ergab sich, daß die zweiten und dritten Elektroden und das Schwarzmatrixmuster oder die zwei ten und die dritten Elektroden, die gleichfalls als Schwarzma trixmuster dienen, und bei den Beispielen 1 bis 5 ausgebildet wurden, in Größe und Form den Schattenmasken entsprachen, die für die Belichtung benutzt wurden, und scharfe Ränder hatten.

Die elektrischen und optischen Eigenschaften der zweiten und dritten Elektroden, die auch als Schwarzmatrixmuster die nen, oder der zweiten und dritten Elektroden und des Schwarz matrixmusters, die bei den Beispielen 1 bis 9 gebildet wurden, wurden weiterhin bewertet. Die Ergebnisse sind in der folgen den Tabelle 1 zusammengefaßt. In Tabelle 1 bezeichnet R den Flächenwiderstand, R_m das Spiegelreflektionsvermögen und R_d das diffuse Reflektionsvermögen.

Tabelle 1

Wie es in der Tabelle 1 dargestellt ist, sind die zweiten und die dritten Elektroden und das Schwarzmatrixmuster oder die zweiten und die dritten Elektroden, die auch als Schwarz matrixmuster dienen, und bei den Beispielen 1 bis 9 ausgebil det wurden, achromatisch schwarz mit einem Spiegelereflekti onsvermögen von etwa 1% und einem diffusen Reflektionsvermö gen von 0,08 bis 0,09%. Die zweiten und die dritten Elektro den und das Schwarzmatrixmuster können einen Flächenwiderstand von 1 Ω/ oder weniger haben, indem die Menge an Metall ent sprechend gewählt wird. Die optische Dichte der zweiten und dritten Elektroden und des Schwarzmatrixmusters liegt bei etwa 4,0. Es ist ersichtlich, daß das Reflektionsvermögen, der Wi derstand und die optische Dichte des Schwarzmatrixmuster und der zweiten und der dritten Elektroden für eine Plasmaanzeige geeignet sind.

Bei Frontplatten mit einem Schwarzmatrixmuster und zweiten und dritten Elektroden, die nach den Beispielen 1 bis 9 ausge bildet wurden, wurden die Streifenmuster der Schwarzmatrix und der zweiten und der dritten Elektroden unter Verwendung eines optischen Mikroskops betrachtet. Als Ergebnis zeigte es sich, daß das Schwarzmatrixmuster und die zweiten und dritten Elek troden eine gute Oberflächenebenheit hatten und in Form feiner Muster von einem 1 µm oder weniger ausgebildet werden konnten. Das heißt mit anderen Worten, daß die zweiten und die dritten Elektroden als netzförmiges Muster oder in Form mehrerer pa ralleler linearer Elektroden ausgebildet werden konnten, die elektrisch verbunden sind und einen Trennspalt dazwischen in dem Maß haben, daß die Durchlässigkeit nicht verringert ist.

Beispiel 10

Eine schwarze Überzugsschicht wurde mit einer Stärke von 3000 Å auf der Oberfläche eines Plattenelementes durch Zer stäuben in einer Unterdruckkammer so niedergeschlagen, daß die sich ergebende schwarze Überzugsschicht einen Konzentrations gradienten für SiO_x und Co hatte, der in Fig. 10 dargestellt ist. Nachdem die schwarze Überzugsschicht auf dem Plattenele ment ausgebildet worden war, wurde ein organischer positiver Fotolack auf der Oberfläche der schwarzen Überzugsschicht un ter Verwendung einer Zentrifuge niedergeschlagen und dann über eine Schattenmaske mit UV Licht belichtet. Die sich ergebende Struktur wurde entwickelt und die nicht belichteten Bereiche wurden ausgehärtet, um dadurch ein Fotolackmuster zu bilden. Die schwarze Überzugsschicht wurde unter Verwendung des Foto lackmusters bemustert. Nach einer Reinigung mit entionisiertem Wasser wurde das Fotolackmuster abgestreift, um die zweiten und die dritten Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden zu bilden, die auch als Schwarz matrixmuster dienen.

Beispiel 11

Zweite und dritte Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden, die auch als Schwarzmatrix muster dienen, wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel 10 allerdings mit der Ausnahme ausgebildet, daß die schwarze Überzugsschicht, die durch Zerstäuben niedergeschlagen wurde, eine Stärke von 3300 Å hatte und mit einem zehnstufigen Gra dienten von SiO_x und Co ausgebildet wurde, wie es in Fig. 11 dargestellt ist.

Beispiel 12

Zweite und dritte Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden, die auch als Schwarzmatrix muster dienen, wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel 10 allerdings mit der Ausnahme ausgebildet, daß die schwarze Überzugsschicht, die durch Zerstäuben niedergeschlagen wurde, eine Stärke von 3200 Å hatte und mit einem fünfstufigen Gra dienten von SiO_x und Co ausgebildet wurde.

Beispiel 13

Zweite und dritte Elektroden und ein Schwarzmatrixmuster oder zweite und dritte Elektroden, die auch als Schwarzmatrix muster dienen, wurden in der gleichen Weise wie beim Beispiel 10 allerdings mit der Ausnahme ausgebildet, daß die durch Zer stäuben niedergeschlagene schwarze Überzugsschicht eine Stärke von 3200 Å hatte und mit einem dreistufigen Gradienten von SiO_x und Co ausgebildet wurde.

Die elektrischen und optischen Eigenschaften der zweiten und dritten Elektroden und des Schwarzmatrixmusters oder der zweiten und dritten Elektroden, die auch als Schwarzmatrixmu ster dienen, wurden bewertet. Die Ergebnisse sind in der fol genden Tabelle 2 zusammengestellt. In Tabelle 2 bezeichnet R den Flächenwiderstand, R_m das Spiegelreflektionsvermögen und R_d das diffuse Reflektionsvermögen.

Tabelle 1

Wie es in Tabelle 2 dargestellt ist, sind die zweiten und dritten Elektroden und das Schwarzmatrixmuster oder die zwei ten und die dritten Elektroden, die auch als Schwarzmatrixmu ster dienen, und bei den Beispielen 10 bis 13 ausgebildet wur de, achromatisch schwarz mit einem Spiegelreflektionsvermögen von 1,3% oder mehr und einem diffusen Reflektionsvermögen von 0,5% oder mehr. Der Flächenwiderstand der zweiten und der dritten Elektroden und des Schwarzmatrixmusters kann dadurch variiert werden, daß die Menge an Metall entsprechend gewählt wird. Die optische Dichte der zweiten und der dritten Elektro den und des Schwarzmatrixmusters lag im Bereich von 4,1 bis 4,5. Es ist ersichtlich, daß das Reflektionsvermögen, der Wi derstand und die optische Dichte des Schwarzmatrixmusters und der zweiten und der dritten Elektroden für eine Plasmaanzeige geeignet sind.

Bei Frontplatten mit einem Schwarzmatrixmuster und zweiten und dritten Elektroden, die nach den Beispielen 10 bis 13 aus gebildet wurden, wurden die streifenförmigen Muster des Schwarzmatrixmuster und der zweiten und der dritten Elektroden unter Verwendung eines optischen Mikroskops betrachtet. Als Ergebnis zeigte es sich, daß das Schwarzmatrixmuster und die zweiten und die dritten Elektroden eine gute Oberflächeneben heit hatten und in Form feiner Muster ausgebildet werden konn ten.

Die erfindungsgemäße Frontplatte, das erfindungsgemäße Verfahren zu ihrem Herstellen und die erfindungsgemäße Plasma anzeige, die diese Frontplatte verwendet, haben die folgenden Besonderheiten.

Zunächst sind die zweiten und die dritten Elektroden und das Schwarzmatrixmuster oder die zweiten und dritten Elektro den, die auch als Schwarzmatrixmuster dienen, so niederge schlagen, daß sich ein Gradient des Konzentrationsprofils des Metalls und des dielektrischen Materials ergibt, was zu einer guten thermischen und chemischen Stabilität führt.

Obwohl eine Wärmebehandlung bei der Bildung der Elektroden und der Schwarzmatrix auf einem Plattenelement der Frontplatte nicht erfolgt, haben zum Zweiten die zweiten und die dritten Elektroden und die Schwarzmatrix ein gutes Haftvermögen bezüg lich des Plattenelementes und gute mechanische Eigenschaften, da innere Spannungen fehlen.

Zum Dritten können die Schwarzmatrix und die zweiten und die dritten Elektroden in Form feiner Muster ausgebildet wer den.

Zum Vierten hat aufgrund der Absorption des äußeren Lich tes durch die zweiten und die dritten Elektroden und die Schwarzmatrix die Plasmaanzeige einen höheren Kontrast. Die zweiten und die dritten Elektroden und die Schwarzmatrix kön nen problemlos in verschiedenen Mustern ausgebildet werden.

Da zum Fünften die Schwarzmatrix und die zweiten und die dritten Elektroden so ausgebildet werden können, daß sie die gleiche Dicke haben, ist die Ebenheit der Oberfläche verbes sert und kann der Pegel der Entladespannung in passender Weise variiert werden.

Claims

1. Platte für eine Plasmaanzeige mit
einem Plattenelement aus einem transparenten Material,
einer Reihe von Elektroden, die in einem bestimmten Muster auf dem Plattenelement ausgebildet sind, und
einer dielektrischen Schicht, die auf dem Plattenelement so ausgebildet ist, daß sie die Elektroden überdeckt,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden aus einem er sten dieelektrischen Anteil und einem zweiten Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Anteil ist, der aus der Gruppe ge wählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Ti tan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germani um (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

2. Platte nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Schwarzmatrixmuster, das zwischen allen Elektroden ausgebildet ist.

3. Platte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schwarzmatrixmuster die ersten und die zweiten Anteile um faßt.

4. Platte nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anteil wenigstens ein dielektrisches Material umfaßt, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x, MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid besteht, wobei x<1.

5. Platte nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils allmäh lich in Richtung der Dicke der Elektroden und/oder des Schwarzmatrixmuster ändern.

6. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der Elektroden in Form stufenförmiger Gradienten än dern.

7. Platte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke des Schwarzmatrixmuster in Form stufenförmiger Gra dienten ändern.

8. Platte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der Elektroden allmählich so ändern, daß das Reflek tionsvermögen der Elektroden mit steigendem Abstand von der Eintrittsseite eines äußeren Lichtes allmählich zu oder ab nimmt.

9. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der Elektroden allmählich so ändern, daß das Maß an Lichtabsorption durch die Elektroden mit steigendem Abstand von der Eintrittsseite eines äußeren Lichtes allmählich zu nimmt.

10. Platte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mit steigendem Abstand von der Eintrittsseite eines äußeren Lichtes die Menge des ersten Anteils allmählich abnimmt und die Menge des zweiten Anteils allmählich zunimmt.

11. Verfahren zum Herstellen einer Platte für eine Plasma anzeige bei dem
ein transparentes Plattenelement gebildet wird,
in einem einzigen Schiffchen ein Gemisch aus 3-50 Gew.-% SiO als dieelektrisches Material und 50-97 Gew.-% wenigstens eines Metalls niedergeschlagen wird, das aus der Gruppe ge wählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Ti tan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germani um (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht, wobei das dieelektrische Material und das Metall verschiedene Schmelz punkte haben,
das Plattenelement in einer Unterdruckkammer angeordnet wird und das SiO und das Metall auf dem Plattenelement nieder geschlagen werden, während allmählich die Temperatur des Schiffchens erhöht wird,
die sich ergebende Struktur zu Elektroden und einem Schwarzmatrixmuster über ein fotolithographisches Verfahren bemustert wird und
eine dielektrische Schicht auf dem Plattenelement ausge bildet wird, auf dem die Elektroden und das Schwarzmatrixmu ster ausgebildet sind.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß beim Niederschlagen des SiO und des Metalls, während die Temperatur des Schiffchens allmählich zunimmt, das SiO in der Anfangsphase niedergeschlagen wird, sowohl SiO als auch Metall in der mittleren Phase bei höherer Temperatur als in der An fangsphase niedergeschlagen werden und nur das Metall in der Endphase bei der höchsten Temperatur niedergeschlagen wird, so daß mit zunehmenden Abstand von der Eintrittsseite eines äuße ren Lichtes die Menge an SiO allmählich abnimmt und die Menge an Metall allmählich zunimmt.

13. Verfahren zum Herstellen einer Platte für eine Plasma anzeige bei dem
ein transparentes Plattenelement gebildet wird,
eine schwarze Überzugsschicht auf dem transparenten Plat tenelement durch Zerstäuben mit SiO_x als dielektrischem Materi al und Kobalt (Co), die verschiedene Schmelzpunkte haben, so ausgebildet wird, daß sich die Mengen an SiO_x und Co in Rich tung der Dicke der schwarzen Überzugsschicht ändern, wobei x<1,
die sich ergebende Struktur durch eine fotolithographi sches Verfahren zu Elektroden und einem Schwarzmatrixmuster bemustert wird, und
eine dielektrische Schicht auf der Oberfläche des transpa renten Plattenelementes ausgebildet wird, auf dem die Elektro den und das Schwarzmatrixmuster ausgebildet sind.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß beim Ausbilden der schwarzen Überzugsschicht mit steigen dem Abstand von der Eintrittsseite eines äußeren Lichtes die Menge an SiO_x allmählich abnimmt und die Menge an Co allmählich zunimmt.

15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß beim Ausbilden der schwarzen Überzugsschicht die Mengen an SiO_x und Co in Richtung der Stärke der schwarzen Überzugs schicht sich in Form von Stufengradienten ändern.

16. Plasmaanzeige mit
einer Rückplatte,
einer transparenten Frontplatte, die mit der Rückplatte mit einem bestimmten Trennzwischenraum dazwischen zur Bildung eines Entladeraumes verbunden ist,
ersten und zweiten Elektroden, die auf einer Seite wenig stens der Rückplatte und/oder der Frontplatte angeordnet sind, um eine Plasmaentladung zu bewirken, und
einem Entladegas, mit dem der Entladeraum gefüllt ist, da durch gekennzeichnet, daß die ersten und die zweiten Elektro den aus einem ersten dielektrischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Anteil ist, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Ko balt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

17. Plasmaanzeige nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich net, daß der erste Anteil wenigstens ein dielektrisches Mate rial umfaßt, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x, MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid besteht, wobei x<1.

18. Plasmaanzeige nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich net, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der ersten und der zweiten Elektroden all mählich ändern.

19. Plasmaanzeige nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich net, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der ersten und der zweiten Elektroden in Form stufenförmiger Gradienten ändern.

20. Plasmaanzeige mit
einer Rückplatte,
ersten Elektroden, die in einem bestimmen Muster auf der Rückplatte ausgebildet sind,
einer transparenten Frontplatte, die mit der die ersten Elektroden aufweisenden Rückplatte zur Bildung eines Entlade raumes dazwischen verbunden ist,
zweiten und dritten Elektroden, die auf einer Seite der Frontplatte ausgebildet sind und den ersten Elektroden unter einem bestimmten Winkel bezüglich der ersten Elektroden zuge wandt sind,
eine Sperrwand zum Unterteilen des Entladeraumes zwischen der Rückplatte und der Frontplatte,
einer dielektrischen Schicht, die auf der Rückplatte so ausgebildet ist, daß sie die ersten Elektroden überdeckt,
einer zweiten dielektrischen Schicht, die auf der Front platte so ausgebildet ist, daß sie die zweiten und die dritten Elektroden überdeckt, und
einem Schwarzmatrixmuster, das zwischen jedem Paar von zweiten und dritten Elektroden auf der einen Seite der Front platte ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Schwarzmatrixmuster und entweder die ersten Elektroden oder die zweiten und dritten Elektroden aus einem dielektrischen Anteil und einem zweiten metallischen Anteil gebildet sind, der wenigstens ein Anteil ist, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Eisen (Fe), Kobalt (Co), Vanadium (V), Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Silizium (Si), Germanium (Ge), Yttrium (Y), Zink (Zn), Zirkon (Zr), Wolfram (W), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und Platin (Pt) besteht.

21. Plasmaanzeige nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich net, daß der erste Anteil wenigstens ein dielektrisches Mate rial umfaßt, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus SiO_x, MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃ und Indiumzinnoxid besteht, wobei x<1.

22. Plasmaanzeige nach Anspruch 20 oder 21, dadurch ge kennzeichnet, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der ersten und der zweiten Elek troden und des Schwarzmatrixmusters allmählich ändern.

23. Plasmaanzeige nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich net, daß sich die Mengen des ersten und des zweiten Anteils in Richtung der Dicke der ersten und der zweiten Elektroden und des Schwarzmatrixmusters in stufenförmigen Gradienten ändern.

24. Plasmaanzeige nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich net, daß jede zweite und dritte Elektrode in Form einer Einze lelektrode in einem Netzmuster mit einer Vielzahl von Öffnun gen ausgebildet ist.

25. Plasmaanzeige nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich net, daß die Vielzahl an Öffnungen jeder zweiten und dritten Elektrode durch eine Vielzahl von parallelen Hauptelektroden teilen und einer Vielzahl von Verbindungselektrodenteilen ge bildet sind, die mit den parallelen Hauptelektrodenteilen unter einem bestimmten Winkel verbunden sind.

26. Plasmaanzeige nach Anspruch 20, gekennzeichnet durch eine Hilfsindiumzinnoxidelektrode, die eine bestimmte Breite hat und von jeder zweiten und dritten Elektrode ausgeht.

27. Plasmaanzeige mit
einer Rückplatte,
ersten Elektroden, die in einem bestimmten Muster auf der Rückplatte ausgebildet sind,
einer transparenten Frontplatte, die mit der die ersten Elektroden aufweisenden Rückplatte zur Bildung eines Entlade raumes dazwischen verbunden ist,
zweiten und dritten Elektroden, die auf einer Seite der Frontplatte ausgebildet sind und den ersten Elektroden unter einem bestimmten Winkel bezüglich der ersten Elektroden zuge wandt sind,
einer Sperrwand zum Unterteilen des Entladeraumes zwi schen der Rückplatte und der Frontplatte,
einer ersten dielektrischen Schicht, die auf der Rückplat te so ausgebildet ist, daß sie die ersten Elektroden über deckt,
einer zweiten dielektrischen Schicht, die auf der Front platte so ausgebildet ist, daß sie die zweiten und die dritten Elektroden überdeckt, und
einem Schwarzmatrixmuster, das zwischen jedem Paar von zweiten und dritten Elektroden auf der einen Seite der Front platte ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß das Schwarzmatrixmuster und entweder die ersten Elektroden oder die zweiten und dritten Elektroden aus einem dielektrischen Metall und einem leitenden Material gebildet sind und sich die Mengen an dielektrischem Material und leitendem Metall in Richtung der Dicke der Elek troden und des Schwarzmatrixmusters ändern.