DE10152411A1

DE10152411A1 - Filmschicht mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften

Info

Publication number: DE10152411A1
Application number: DE10152411A
Authority: DE
Inventors: Chaun-Gi Choi; Young-Rag Do; Joon-Bae Lee; Chang-Won Park
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2001-02-07
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2002-08-08
Also published as: US6623862B2; GB0126124D0; GB2372042B; CN1250984C; KR20020065759A; JP2002323605A; US20020187354A1; GB2372042A; KR100708640B1; CN1368649A

Abstract

Eine Übergangsschicht aufweisende Filmschicht, die einen ersten Bestandteil, der unter Aluminium und Silizium gewählt ist, und wenigstens einen zweiten Bestandteil umfaßt, der unter Sauerstoff und Stickstoff gewählt ist, wobei der erste und der zweite Bestandteil Gehaltsgradienten nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht haben.

Description

Die Erfindung betrifft eine Filmschicht und insbeson dere eine nicht dekorative funktionelle Filmschicht, deren optische und elektrische Eigenschaften einstellbar oder wählbar sind.

Eine Filmschicht mit elektrischer Leitfähigkeit, deren Reflexionsvermögen gegenüber äußerem Licht minimal ist, hat eine Vielzahl verschiedener Anwendungsgebiete, die Sonnen brillengläser, Gläser zur Abschirmung äußeren Lichtes, UV- Schutz- und Isoliermaterialien oder elektromagnetische Ab schirmungsmaterialien einschließen.

Ein Beispiel einer derartigen Filmschicht ist gleichfalls die Schwarzmatrix, die zwischen den Leuchtstoffschich ten einer Farbanzeigevorrichtung, wie beispielsweise einer Farbkathodenstrahlröhre angeordnet ist, um das äußere Licht und das Licht zu absorbieren, das von den benachbarten Leuchtstoffschichtmustern gestreut wird. Wenn das Refle xionsvermögen bezüglich des äußeren Lichtes eines Bildschir mes einer Anzeigevorrichtung zunimmt, wird das angezeigte Bild unscharf. Da das äußere Licht hauptsächlich an der Schwarzmatrix des Bildschirmes reflektiert wird, wird immer wieder versucht, die Luminanz und den Kontrast dadurch zu verbessern, daß das Absorptionsvermögen der die Bildpunkte der Anzeigevorrichtung umgebenden Schwarzmatrix verbessert wird. Es wurde daher bereits eine Schwarzmatrix vorgeschla gen, die einen Chrom verwendenden Filmschichtaufbau hat, der aus einer Chromschicht und aus einer Chromoxidschicht be steht. Um das Absorptionsvermögen der Schwarzmatrix weiter zu steigern, kann der Chromoxidschicht Kohlenstoff zugesetzt sein.

Die US-PS-5 976 639 zeigt ein Verfahren zum Bilden ei ner Schwarzmatrix für eine Flüssigkristallanzeige unter Ver wendung eines Films mit Schichtaufbau, der aus einer Über gangsschicht und einer Metallschicht auf der Innenfläche einer Anzeigefrontplatte besteht. Dieser Film weist eine Übergangsschicht auf, bei der ein Bestandteil wie beispiels weise Cr, W, Ta, Ti, Fe, Ni oder Mo um annähernd 0,5% bis höchstens annähernd 20% pro 10 nm in Einfallsrichtung des äußeren Lichtes zunimmt. Die Übergangsschicht kann weiterhin einen Bestandteil wie beispielsweise Sauerstoff (O), Stick stoff (N) oder Kohlenstoff (C) enthalten. Vorzugsweise ist Chrom das Metallelement. Die Übergangsschicht ist zwischen einer Schicht mit niedrigem Metallgehalt und einer Schicht mit hohem Metallgehalt angeordnet. Der Gehalt an Metallele menten der Schicht mit hohem Metallgehalt liegt im Bereich von 50 bis 100 Gewichtsprozent und der Gehalt an Metallele menten mit niedrigem Metallgehalt liegt im Bereich von 10 bis 50 Gewichtsprozent.

Die in der US-PS-5 976 639 beschriebene Schwarzmatrix verwendet allerdings umweltschädliche Materialien, wie bei spielsweise Chrom. In dieser Patentschrift wird darüber hin aus auch keine hochleistungsfähige Filmschicht beschrieben, deren Brechungsindex und elektrische Leitfähigkeit einge stellt oder gewählt werden können.

Ziel der Erfindung ist eine Filmschicht mit guten me chanischen, optischen und elektrischen Eigenschaften, bei der ein Gemisch aus einem anderen ungiftigen Metall als Chrom und einem dielektrischen Material verwandt wird.

Dazu umfaßt die eine Übergangsschicht einschließende erfindungsgemäße Filmschicht einen ersten Bestandteil, der unter Aluminium (Al) und Silizium (Si) gewählt ist, und we nigstens einen zweiten Bestandteil, der unter Sauerstoff und Stickstoff gewählt ist, wobei der erste und der zweite Be standteil Gehaltsgradienten nach Maßgabe der Dicke der Film schicht haben.

Vorzugsweise sind die Gehaltsgradienten so verteilt, daß der Brechungsindex in Einfallsrichtung des äußeren Lich tes nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zu- oder abnimmt.

Die Gehaltsgradienten sind weiterhin vorzugsweise so verteilt, daß das Lichtabsorptionsvermögen in Einfallsrich tung des äußeren Lichtes nach Maßgabe der Dicke der Film schicht allmählich zunimmt.

Der erste Bestandteil ist Aluminium und die Gehalts gradienten sind vorzugsweise so verteilt, daß das elektri sche Leitvermögen nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zu- oder abnimmt.

Vorzugsweise sind die Gehaltsgradienten so verteilt, daß in Einfallsrichtung des äußeren Lichtes nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht der Gehalt des ersten Bestandteils allmählich zunimmt und der Gehalt des zweiten Bestandteils allmählich abnimmt.

Die Filmschicht ist vorzugsweise auf ein Substrat auf gebracht, das einen Unterschied im Brechungsindex von weniger als oder gleich 0,5 zum Brechungsindex einer Außenfläche der Filmschicht hat, die mit dem Substrat in Kontakt steht.

Die erfindungsgemäße Filmschicht kann weiterhin eine leitende Schicht aufweisen, die aus wenigstens einem metal lischen Bestandteil besteht, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Kupfer (Cu), Gold (Au), Platin (Pt), Kobalt (Co), Eisen (Fe) und Indiumzinnoxid (ITO) besteht. Der erste Bestandteil, der eine derartige Filmschicht mit einer leitenden Schicht bil det, ist Si oder Al, wie es oben beschrieben wurde.

Für die Stelle der Ausbildung der leitenden Schicht gibt es keine besondere Beschränkung, im Hinblick auf den niedrigen Widerstand der Filmschicht ist die leitende Schicht vorzugsweise auf der Außenfläche ausgebildet, die der Außenfläche gegenüberliegt, an der die Filmschicht mit dem Substrat in Kontakt steht, wenn die Filmschicht auf Ge bieten verwandt wird, bei denen elektrische Leitfähigkeits charakteristiken gefordert sind, der erste Bestandteil Sili zium ist und der Siliziumgehalt nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht zunimmt.

Die erfindungsgemäße Filmschicht kann vorzugsweise als Schwarzmatrix einer Anzeigevorrichtung verwandt werden.

Wenn die erfindungsgemäße Filmschicht eine leitende Schicht enthält, kann sie vorzugsweise als Elektrode einer Anzeigevorrichtung verwandt werden.

Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnungen besonders bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung nä her beschrieben. Es zeigen

Fig. 1 in einem schematischen Diagramm den Aufbau ei nes Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Filmschicht,

Fig. 2 in einem Diagramm das Grundprinzip der erfin dungsgemäßen Filmschicht,

Fig. 3 in einem Diagramm die Änderung in der Vertei lung der Bestandteile Silizium (Si) und Sauerstoff (O) bei einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filmschicht und

Fig. 4 in einem Diagramm die Änderung in der Vertei lung der Bestandteile Aluminium (Al) und Sauerstoff (O) ei nes weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Filmschicht.

Die erfindungsgemäße Filmschicht mit Schichtaufbau um faßt einen ersten Bestandteil, der unter Alumium (Al) und Silizium (Si) gewählt ist, und einen zweiten Bestandteil, der unter Sauerstoff (O) und Stickstoff (N) gewählt ist, und wird durch reaktives Sputtern erhalten, so daß eine Über gangsschicht gebildet wird, in der der erste und der zweite Bestandteil Gradienten nach Maßgabe der Stärke der Film schicht haben.

Das Reflexionsvermögen R einer Filmschicht 20, die auf ein Substrat 10 geschichtet ist, wie es in Fig. 1 darge stellt ist, ist das Quadrat des Absolutwertes eines Refle xionskoeffizienten r, der allgemein durch die folgende Glei chung wiedergegeben wird:

wobei N_S und N_f komplexe Brechungsindizes sind, n_s und n_f Brechungsindizes bezeichnen und k_s und k_f Extinktionskoeffi zienten des Substrates und des Filmes jeweils bezeichnen.

Um das Reflexionsvermögen der Filmschicht herabzuset zen ist ein kleinerer Unterschied im Brechungsindex zwischen dem Substrat und der Filmschicht bevorzugt. Das heißt mit anderen Worten, daß keine Reflektion auftritt, wenn die Bre chungsindizes des Substrates und der Filmschicht gleich sind.

Eine Filmschicht, bei der nur eine Absorption und kei ne Reflexion auftritt, kann dadurch erhalten werden, daß der Brechungsindex in Richtung der Zunahme der Dicke der Film schicht allmählich geändert, d. h. erhöht oder herabgesetzt wird.

Auf dem oben beschriebenen Grundprinzip basierend wurde die in Fig. 2 dargestellte Filmschicht entwickelt. Ein erster Bestandteil, der unter Al und Si gewählt wird, und ein zweiter Bestandteil der unter O und N gewählt wird, wer den an einem an das Substrat angrenzenden Bereich durch re aktives Sputtern niedergeschlagen, während die Nieder schlagsraten des ersten und des zweiten Bestandteiles so gesteuert werden, daß ein dielektrisches Material mit einem Brechungsindex, der ähnlich dem des Substrates ist, auf ei nem dem Substrat benachbarten Bereich niedergeschlagen wird.

Es sei im folgenden angenommen, daß der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient des Substrates gleich n₂ und k_s sind, wie es oben erwähnt wurde, und daß der Brechungsin dex und der Extinktionskoeffizient des ersten Materials gleich n₁ und k₁ sind. Da zwischen dem Brechungsindex des Substrates und des ersten Materials nur ein geringer Unter schied besteht, kann eine Lichtreflexion nahezu vollständig auf der Grundlage des durch die Gleichung 1 wiedergegebenen Grundprinzips vermieden werden.

Ein zweites Material mit einem Brechungsindex n₂ und einem Extinktionskoeffizienten k₂, das im wesentlichen den gleichen Brechungsindex wie das erste Material hat, wird dann auf dem ersten Material dadurch niedergeschlagen, daß ein reaktives Sputtern ausgeführt wird, während das Verhält nis des Gehaltes des ersten Bestandteils zum Gehaltes des zweiten Bestandteils so eingestellt wird, daß das Lichtre flexionsvermögen auf der Grundlage des gleichen oben be schriebenen Grundprinzips vermindert wird. Anschließend wer den fortlaufend ein drittes Material mit einem Brechungsin dex n₃ und einem Extinktionskoeffizienten k₃, ein viertes Material mit einem Brechungsindex n₄ und einem Extinktions koeffizienten k₄, ein fünftes Material mit einem Brechungs index n₅ und einem Extinktionskoeffizienten k₅ usw. auf der Grundlage des gleichen oben beschriebenen Prinzips niederge schlagen.

Es kann ein derartiger Gradient im Brechungsindex er zeugt werden, daß dieser allmählich zu- oder abnimmt. Um das Reflexionsvermögen bezüglich äußeren Lichtes zu verringern und das Lichtabsorptionsvermögen zu erhöhen, erfolgt der Niederschlag vorzugsweise derart, daß der Extinktionskoeffi zient in Einfallsrichtung des äußeren Lichtes zunimmt. Da durch daß der Extinktionskoeffizient nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zunimmt, kann bewirkt werden, daß die Lichtmenge, die durch den Film hindurchgeht, allmählich abnimmt, bis kein Licht mehr übertragen wird, wenn die Dicke einen bestimmten Wert erreicht hat.

Es kann weiterhin auch dafür gesorgt sein, daß sowohl der Brechungsindex als auch die elektrische Leitfähigkeit der Filmschicht allmählich nach Maßgabe ihrer Dicke zuneh men, indem als erster Bestandteil Al verwandt wird und der Gehalt an Al nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht erhöht wird, wodurch das Reflexionsvermögen bezüglich des äußeren Lichtes so gering wie möglich gehalten wird und eine opti sche Struktur mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit verwirklicht wird. Eine derartige Struktur kann wirksam eine Ansammlung von Ladungen vermeiden, wenn sie als elektroma gnetisches Abschirmungsmaterial oder als Schwarzmatrix einer Anzeigevorrichtung verwandt wird.

Wenn Si als erster Bestandteil verwandt wird und der Gehalt an Si nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht zunimmt, wird weiterhin vorzugsweise eine leitende Schicht auf der Filmschicht für den oben beschriebenen Verwendungszweck aus gebildet. Dabei besteht die leitende Schicht wenigstens aus einem metallischen Bestandteil, der aus einer Gruppe gewählt ist, die aus Titan (Ti), Aluminium (Al), Silber (Ag), Kupfer (Cu), Gold (Au), Platin (Pt), Kobalt (Co), Eisen (Fe) und Indiumzinnoxid (ITO) besteht.

Gemäß der Erfindung wird die Filmschicht auf einem Substrat niedergeschlagen, das einen Unterschied im Bre chungsindex von weniger als oder gleich 0,5 zum Brechungsin dex einer Außenfläche der Filmschicht hat, die das Substrat kontaktiert. Wenn dieser Unterschied größer als 0,5 ist, nimmt das Reflexionsvermögen der Filmschicht verglichen mit dem Substrat, insbesondere einem Glassubstrat, in uner wünschter Weise zu.

Bei der erfindungsgemäßen Filmschicht wird Si oder Al vorzugsweise als erster Bestandteil verwandt, da deren Oxide Eigenschaften haben, die ähnlich denen von Glas sind, das als Substratmaterial verwandt wird.

Bei der erfindungsgemäßen Filmschicht wird weiterhin vorzugsweise Sauerstoff oder Stickstoff als zweiter Bestand teil, der mit dem ersten Bestandteil reagiert, verwandt und gesputtert. Das heißt mit anderen Worten, daß Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid oder Aluminiumnitrid vorzugs weise verwandt werden. Der Niederschlag erfolgt mit einer allmählichen Änderung im Zusammensetzungsverhältnis der je weiligen Bestandteile, die die Oxide oder Nitride bilden.

Die erfindungsgemäße Filmschicht wird durch reaktives Sputtern in der folgenden Weise hergestellt.

Das reaktive Sputtern kann mit einer Vorrichtung er folgen, die eine Vakuumkammer, die mit einem Pumpsystem aus gerüstet ist, eine Magnetronkathode, die in der Vakuumkammer angeordnet ist, ein Target, das auf der Magnetronkathode angeordnet wird und beispielsweise aus Si oder Al besteht, ein erstes Gaseinlaßsystem, das Gas zur Magnetronentladung einführt, ein zweites Gaseinlaßsystem, das ein reaktives Gas, das mit dem gesputterten Metallelement reagiert, bei spielsweise ein Sauerstoff- oder Stickstoffgas einführt, und einen Träger zum Übertragen eines Substrates umfaßt, derart, daß dieses einem Entladeraum zugewandt angeordnet wird.

Die Düsen des ersten und zweiten Gaseinlaßsystems sind über den Entladeraum einander gegenüber angeordnet. Die Dü sen des ersten und des zweiten Gaseinlaßsystemes sind wei terhin stromaufwärts und stromabwärts der Übertragungslinie des Substrates jeweils angeordnet.

Bei dem oben beschriebenen Aufbau kann der Par tialdruck des reaktiven Gases im Entladeraum in Übertra gungsrichtung des Substrates allmählich abnehmen.

Wenn sowohl Sauerstoff als auch Stickstoff als reaktive Gase verwandt werden, nimmt der Partialdruck eines re aktiven Gases allmählich ab, während der Partialdruck des anderen Gases allmählich zunimmt.

Bei einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filmschicht umfaßt diese Siliziumoxid (SiO_x) oder Silizium nitrid (SiN_x). Beim Niederschlagen von Siliziumoxid auf ei nem Kalknatronglassubstrat wird Si als Target verwandt und wird Sauerstoff (O₂) als zweites Gas, d. h. als reaktives Gas verwandt. Der Partialdruck des zweiten Gases wird so eingestellt, daß SiO₂, dessen Brechungsindex dem des Natron kalkglassubstrates ähnlich ist, auf dem Substrat in der An fangsphase des Niederschlages niedergeschlagen wird, wobei der Partialdruck von O₂ allmählich mit fortschreitendem Nie derschlag abnimmt und nur Si in der Endphase des Nieder schlags niedergeschlagen wird. Fig. 3 zeigt schematisch die Änderung in der Zusammensetzung mit zunehmender Filmschicht dicke.

Die erfindungsgemäße Filmschicht kann weiterhin leit fähig sein, indem eine Si Schicht niedergeschlagen wird und dann eine Metallschicht aufgebracht wird, indem wenigstens ein Metalltarget, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Ti, Al, Ag, Cu, Au, Pt, Co, Fe und ITO sowie deren Legierun gen besteht, als Target der Sputtervorrichtung verwandt wird. Die Filmschicht mit einer leitenden Metallschicht kann als Elektrode einer Plasmaanzeige, als Schwarzmatrix einer Vielzahl verschiedener Anzeigevorrichtungen usw. verwandt werden.

Die erfindungsgemäße Filmschicht kann auch mit Alumi niumoxid oder Aluminiumnitrid gebildet sein. Beim Nieder schlagen von Aluminiumoxid wird Aluminium als Target ver wandt und wird Sauerstoff (O₂) oder Stickstoff (N₂) als zweites reaktives Gas verwandt. Der anschließende Nieder schlagsprozeß ist der gleiche wie bei Si.

Bei der Verwendung von Al als Target wird in der An fangsphase eine Aluminiumoxid oder -nitridschicht erhalten und wird am Ende eine Aluminiumschicht erhalten. Da Aluminium selbst ein Metall ist, kann diese Filmschicht direkt bei einer Vielzahl von verschiedenen Anwendungsformen be nutzt werden, bei dem eine leitende Filmschicht benötigt wird, ohne daß separat eine leitende Metallschicht ausgebil det wird. Fig. 4 zeigt schematisch die Änderung in der Zu sammensetzung mit der Änderung in der Dicke der Filmschicht beim Niederschlagen von Aluminiumoxid. Bei einem Natron kalksubstrat liegt das Gehaltsverhältnis des Aluminiums zum Sauerstoff vorzugsweise bei 2 : 3, damit die Brechungsindizes des Substrates und der Anfangsphase der Filmschicht nahezu gleich sind.

Die Fig. 3 und 4 zeigen Fälle, in denen die Zusam mensetzungen der Targets linear variieren, das ist aber nicht notwendigerweise der Fall, so daß der Niederschlag auch so erfolgen kann, daß sich ein abgestufter Gradient ergibt. Wenn die Hochfrequenz- oder Gleichstromenergie, die an jedem Target liegt, linear zu- oder abnimmt, wird ein linearer Gehaltsgradient erzeugt, wie es in Fig. 3 und 4 dargestellt ist. Eine Filmschicht mit einem abgestuften Gra dienten kann alternativ dadurch erhalten werden, daß schrittweise eine bestimmte Hochfrequenz- oder Gleich stromenergie an das Target gelegt wird.

Die vorliegende Erfindung wird im folgenden im einzel nen anhand mehrerer Beispiele beschrieben.

Beispiel 1

Silizium (Si) als Target und Sauerstoff (O₂) als reak tives Gas wurden auf einem Natronkalkglassubstrat mit einer reaktiven Sputtervorrichtung niedergeschlagen, während der Partialdruck von Sauerstoff allmählich so herabgesetzt wur de, daß Si und O₂ Gehaltsgradienten bezüglich der Dicke der Filmschicht hatten.

Das Atomverhältnis des Siliziums zum Sauerstoff wurde auf 1 : 2 in der Anfangsphase des Niederschlages eingestellt und der Partialdruck von O₂ wurde allmählich herabgesetzt, so daß bei einer Stärke des Filmes von 150 nm nur noch Si niedergeschlagen wurde.

Bei einer Gesamtstärke des Filmes von 200 nm wurde ei ne 100 nm dicke leitende Schicht unter Verwendung eines Tar gets aus Silber (Ag) ausgebildet.

Beispiel 2

Eine Filmschicht wurde in der selben Weise wie beim Besipiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß sowohl Sauer stoff als auch Stickstoff als reaktive Gase benutzt wurden.

Beispiel 3

Eine Filmschicht wurde in der selben Weise wie beim Besipiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß statt eines Si Targets ein Al Target benutzt wurde und daß ein separater Schritt der Bildung einer leitenden Schicht nicht durchge führt wurde. Das Atomverhältnis von Aluminium zu Sauerstoff wurde gleichfalls annähern auf 2 : 3 in der Anfangsphse des Niederschlags eingestellt.

Die elektrischen und optischen Eigenschaften von Schwarzmatrizen, die nach den Beispielen 1 bis 3 hergestellt wurden, wurden bewertet und die Bewertungsergebnisse sind in der folgenden Tabelle 1 zusammengefaßt.

Das Reflexionsvermögen und die optische Dichte in Ta belle 1 wurden bei einer Wellenlänge von 550 nm unter Ver wendung eines Spektrometers für UV und sichtbares Licht ge messen und der Schichtwiderstand Rs wurde mit einem Vier punktmessverfahren ermittelt.

Tabelle 1

Aus Tabelle 1 ergibt sich, daß die Filmschichten nach den Beispielen 1 bis 3 ein gutes Reflexionsvermögen, einen guten Schichtwiderstand und eine gute optische Dichte haben, was bedeutet, daß diese Filmschichten einen Schichtwiderstand von 200 bis 350 mΩ/, ein Reflexionsvermögen von 0,5 oder weniger und eine optische Dichte von 4,0 oder mehr haben.

Um bei der erfindungsgemäßen Filmschicht das Refle xionsvermögen stark herabzusetzen kann der Brechungsindex der Filmschicht problemlos so eingestellt oder gewählt wer den, daß er im wesentlichen gleich dem eines Substrates ist. Indem allmählich der Brechungsindex der Filmschicht verän dert wird, kann weiterhin die Filmschicht am Schluß mit den gewünschten elektrischen Eigenschaften versehen werden, so daß die Filmschicht sowohl eine Lichtabsorptionsschicht als auch eine leitende Schicht aufweist. Die erfindungsgemäße Filmschicht kann daher bei einer Vielzahl verschiedener An wendungsformen benutzt werden, bei denen sowohl optische Eigenschaften als auch elektrische Eigenschaften erforder lich sind.

Claims

1. Filmschicht mit einer Übergangsschicht, die einen ersten Bestandteil, der unter Aluminium und Silizium gewählt ist, und einen zweiten Bestandteil umfaßt, der unter Sauer stoff und Stickstoff gewählt ist, wobei der erste und der zweite Bestandteil Gehaltsgradienten nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht haben.

2. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der die Gehalts gradienten so verteilt sind, daß der Brechungsindex in Ein fallsrichtung des äußeren Lichtes nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zu- oder abnimmt.

3. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der die Gehalts gradienten so verteilt sind, daß das Lichtabsorptionsvermö gen in Einfallsrichtung des äußeren Lichtes nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zunimmt.

4. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der der erste Be standteil Aluminium ist und die Gehaltsgradienten so ver teilt sind, daß die elektrische Leitfähigkeit nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht allmählich zu- oder abnimmt.

5. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der die Gehalts gradienten so verteilt sind, daß in Einfallsrichtung des äußeren Lichtes nach Maßgabe der Dicke der Filmschicht der Gehalt des ersten Bestandteils allmählich zu- und der Gehalt des zweiten Bestandteils allmählich abnimmt.

6. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der diese auf ei nem Substrat niedergeschlagen ist, das einen Unterschied im Brechungsindex von weniger als oder gleich 0,5 gegenüber dem Brechungsindex der Außenfläche der Filmschicht hat, die mit dem Substrat in Kontakt steht.

7. Filmschicht nach Anspruch 1, bei der weiterhin eine leitende Schicht vorgesehen ist, die aus wenigstens einem metallischen Bestandteil besteht, der aus einer Gruppe ge wählt ist, die aus Titan, Aluminium, Silber, Kupfer, Gold, Platin, Kobalt, Eisen und Indiumzinnoxid besteht.

8. Filmschicht nach Anspruch 7, bei der der erste Be standteil Silizium ist und die leitende Schicht auf der Au ßenfläche ausgebildet wird, die der Außenfläche gegenüber liegt, an der die Filmschicht mit dem Substrat in Kontakt steht.

9. Filmschicht nach Anspruch 6, welche weiterhin eine leitende Schicht umfaßt, die aus wenigstens einem metalli schen Bestandteil besteht, der aus der Gruppe gewählt ist, die aus Titan, Aluminium, Silber, Kupfer, Gold, Platin, Ko balt, Eisen und Indiumzinnoxid besteht.

10. Filmschicht nach Anspruch 9, bei der der erste Be standteil Silizium ist und die leitende Schicht auf einer Außenfläche ausgebildet ist, die der Außenfläche gegenüber liegt, an der die Filmschicht mit dem Substrat in Kontakt steht.